JP2010525585A - オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010525585A JP2010525585A JP2010504441A JP2010504441A JP2010525585A JP 2010525585 A JP2010525585 A JP 2010525585A JP 2010504441 A JP2010504441 A JP 2010504441A JP 2010504441 A JP2010504441 A JP 2010504441A JP 2010525585 A JP2010525585 A JP 2010525585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrical connection
- connection layer
- semiconductor body
- optoelectronic semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 212
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 21
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 21
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 318
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000011161 development Methods 0.000 description 10
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005309 stochastic process Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
− 薄膜発光ダイオードチップが有するキャリア要素は、半導体積層体をエピタキシャル成長させた成長基板ではなく、以降に半導体積層体に載置された別個のキャリア要素である。
− 半導体積層体は、20μm以下の範囲内、特に、10μm以下の範囲内の厚さを有する。
− 半導体積層体には、成長基板が存在しない。本明細書において、「成長基板が存在しない」とは、必要な場合に成長のために使用される成長基板が、半導体積層体から除去されている、または少なくとも大幅に薄くなっていることを意味する。具体的には、成長基板は、単独でもエピタキシャル積層体と一緒でも自身を支持できない程度まで薄くされている。したがって、大幅に薄くなった残りの成長基板は、特に、成長基板として機能するには適していない。
− 半導体積層体は、混合構造(intermixing structure)を有する少なくとも一面を有する少なくとも1つの半導体層を含み、この構造は、理想的な場合、半導体積層体において近似的に光のエルゴード分布につながる、すなわち、この構造は、できる限りエルゴード的確率過程である散乱特性を有する。
− 半導体積層体の、前側とは反対の後側に、第1の電気接続層を堆積させる。
− 活性層に貫通開口を形成する。
− 半導体積層体の後側に分離層を形成する。
− 半導体積層体の後側に、第2の電気接続層を堆積させる。この場合、第1の電気接続層、第2の電気接続層および分離層は、横方向に重なり合うように形成され、第2の電気接続層の部分領域が貫通開口の内部に形成され、第2の電気接続層は、分離層によって第1の電気接続層から絶縁されている。
Claims (15)
- 電磁放射を発生させるに適している活性層を有する半導体積層体と、第1の電気接続層および第2の電気接続層と、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
− 前記半導体ボディが、前側から電磁放射を放出するように設けられ、
− 前記第1の電気接続層および前記第2の電気接続層が、前記前側とは反対の後側に配置され、分離層によって互いに電気的に絶縁され、
− 前記第1の電気接続層と、前記第2の電気接続層と、前記分離層とが、横方向に重なり合い、
− 前記第2の電気接続層の部分領域が、前記後側から貫通開口を通じて前記前側の方向に前記活性層を貫いている、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。 - 前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方が、前記活性ゾーンによって前記後側の方向に放出される前記電磁放射の一部を前記前側の方向に反射する、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体積層体に成長基板が存在しない、請求項1または2のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- キャリア基板を自身の後側に有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方と、前記半導体積層体との間に、少なくとも部分的に、半導電性ミラー層または電気絶縁性ミラー層が配置され、前記半導電性ミラー層または前記電気絶縁性ミラー層が複数の開口を有し、前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方が、前記半導体積層体まで前記開口の内部に延在している、請求項1〜4のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体積層体が、前記後側の近傍に電流拡散層を有し、前記電流拡散層が透明導電性酸化物を含んでいる、請求項1〜5のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方が、接着促進層、反射体層、電流分散層のうちの少なくとも1層を有する多層構造を備えている、請求項1〜6のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の電気接続層が、前記半導体ボディをその前側から電気的に接触させるに適している電気的接触領域を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第2の電気接続層が、前記半導体ボディをその前側から電気的に接触させるに適している電気的接触領域を有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方が、前記半導体ボディをその後側から電気的に接触させるに適している電気的接触領域を有する、請求項1〜9のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体積層体が、前記前側に配置されている緩衝層を有し、前記緩衝層が、低い導電率を有し、かつ、非ドープでありまたはn型弱ドープされている、請求項1〜10のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- オプトエレクトロニクス半導体ボディを製造する方法であって、
− 電磁放射を発生させるに適している活性層を有し、前側から電磁放射を放出するように設けられている半導体積層体を、成長基板上にエピタキシャル成長させるステップと、
− 前記半導体積層体の後側に第1の電気接続層を堆積させるステップと、
− 前記活性層に貫通開口を形成するステップと、
− 前記半導体積層体の前記後側に分離層を形成するステップと、
− 前記半導体積層体の前記後側に、第2の電気接続層を堆積させるステップと、
を含み、
− 前記第1の電気接続層、前記分離層、および前記第2の電気接続層が、横方向に重なり合うように形成され、
− 前記第2の電気接続層の部分領域が前記貫通開口の内部に形成され、
− 前記第2の電気接続層が、前記分離層によって前記第1の電気接続層から電気的に絶縁されている、
方法。 - 前記成長基板の少なくとも一部が除去され、前記後側にキャリア基板が配置または形成されている、請求項12に記載の方法。
- − 前記半導体積層体の前記後側に、半導電性ミラー層または電気絶縁性ミラー層が部分的に形成され、
− 前記半導電性ミラー層または前記電気絶縁性ミラー層に複数の開口が形成され、
− 前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方が、これらが前記開口の内部に延在するように、堆積されている、
請求項12または13のいずれか1項に記載の方法。 - 前記半導体積層体をエピタキシャル成長させる前記ステップが、低い導電率を有する緩衝層を成長させるステップを含み、前記成長基板の少なくとも一部が除去され、前記成長基板が除去されるときに前記緩衝層が露出する、請求項12〜14のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007019773 | 2007-04-26 | ||
DE102007019773.1 | 2007-04-26 | ||
DE102007022947.1 | 2007-05-16 | ||
DE102007022947.1A DE102007022947B4 (de) | 2007-04-26 | 2007-05-16 | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
PCT/DE2008/000702 WO2008131735A1 (de) | 2007-04-26 | 2008-04-24 | Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013183190A Division JP5801359B2 (ja) | 2007-04-26 | 2013-09-04 | オプトエレクトロニクス半導体ボディ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010525585A true JP2010525585A (ja) | 2010-07-22 |
JP2010525585A5 JP2010525585A5 (ja) | 2011-09-15 |
JP5362704B2 JP5362704B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=39777599
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010504441A Active JP5362704B2 (ja) | 2007-04-26 | 2008-04-24 | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
JP2013183190A Active JP5801359B2 (ja) | 2007-04-26 | 2013-09-04 | オプトエレクトロニクス半導体ボディ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013183190A Active JP5801359B2 (ja) | 2007-04-26 | 2013-09-04 | オプトエレクトロニクス半導体ボディ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8450751B2 (ja) |
EP (1) | EP2149159B1 (ja) |
JP (2) | JP5362704B2 (ja) |
KR (2) | KR101260375B1 (ja) |
CN (2) | CN101681958B (ja) |
DE (1) | DE102007022947B4 (ja) |
TW (1) | TWI381548B (ja) |
WO (1) | WO2008131735A1 (ja) |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010171443A (ja) * | 2007-10-19 | 2010-08-05 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及びこれを用いた半導体発光素子パッケージ |
JP2011216524A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
JP2012510173A (ja) * | 2008-11-28 | 2012-04-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射放出半導体チップ |
JP2012244165A (ja) * | 2012-04-25 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2012248833A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Everlight Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2013084878A (ja) * | 2011-10-10 | 2013-05-09 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びこれを含む照明装置 |
JP2013102162A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2013535828A (ja) * | 2010-07-28 | 2013-09-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射放出半導体チップ及び放射放出半導体チップの製造方法 |
JP2013539603A (ja) * | 2010-09-10 | 2013-10-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光ダイオードチップおよびその製造方法 |
JP2013239699A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-11-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2013546200A (ja) * | 2010-12-16 | 2013-12-26 | マイクロン テクノロジー, インク. | 接近可能な電極を具備する固体照明装置および製造方法 |
JP2014041999A (ja) * | 2013-06-18 | 2014-03-06 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2014509791A (ja) * | 2011-04-01 | 2014-04-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
JP2014513420A (ja) * | 2011-04-07 | 2014-05-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
KR20140090843A (ko) * | 2013-01-10 | 2014-07-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
JP2014135490A (ja) * | 2013-01-14 | 2014-07-24 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2014135480A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2015500573A (ja) * | 2011-12-14 | 2015-01-05 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 半導体素子及びそれを製造する方法 |
WO2015141166A1 (ja) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置とその製造方法 |
JP2015530755A (ja) * | 2012-09-27 | 2015-10-15 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクスコンポーネントの製造方法、およびオプトエレクトロニクスコンポーネント |
KR20150119752A (ko) * | 2014-04-16 | 2015-10-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
JP2016021591A (ja) * | 2009-12-31 | 2016-02-04 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光素子及びその製造方法 |
JP2016026392A (ja) * | 2010-11-18 | 2016-02-12 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 電極パッドを有する発光ダイオードチップ |
JP2016518709A (ja) * | 2013-04-05 | 2016-06-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップおよびオプトエレクトロニクスモジュール |
JP2016521004A (ja) * | 2013-04-24 | 2016-07-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップ及びオプトエレクトロニクス半導体部品 |
KR20160121836A (ko) * | 2015-04-13 | 2016-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
US9520536B2 (en) | 2010-11-18 | 2016-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having electrode pad |
JP2017059645A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2017512380A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-05-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体構成素子を製造する方法、及び、半導体構成素子 |
US9853188B2 (en) | 2010-04-12 | 2017-12-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip with current spreading layer |
JP2018078342A (ja) * | 2013-02-28 | 2018-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
KR101911865B1 (ko) * | 2012-03-07 | 2018-10-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP2020021964A (ja) * | 2017-11-16 | 2020-02-06 | ローム株式会社 | 発光素子および発光素子パッケージ |
Families Citing this family (171)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100818466B1 (ko) | 2007-02-13 | 2008-04-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 |
DE102007043181A1 (de) | 2007-09-11 | 2009-03-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US9461201B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
DE102008011848A1 (de) | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
JP5992662B2 (ja) | 2008-02-29 | 2016-09-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
DE102008032318A1 (de) | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
KR100946523B1 (ko) | 2008-04-24 | 2010-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
DE102008035900A1 (de) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
DE102008022942A1 (de) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip |
DE102008051048A1 (de) | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper |
US8287346B2 (en) * | 2008-11-03 | 2012-10-16 | Cfph, Llc | Late game series information change |
US8008683B2 (en) | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US8809893B2 (en) * | 2008-11-14 | 2014-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
DE102008062933B4 (de) | 2008-12-23 | 2021-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Projektionsvorrichtung |
KR101020910B1 (ko) | 2008-12-24 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
DE102009010480A1 (de) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon | Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, Verfahren zum Herstellen derselben und Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe, die diese verwendet |
DE102009019161A1 (de) | 2009-04-28 | 2010-11-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
DE102009019524B4 (de) | 2009-04-30 | 2023-07-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einem reflektierenden Schichtsystem |
DE102009022966A1 (de) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbarer optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102009023849B4 (de) * | 2009-06-04 | 2022-10-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102009030549A1 (de) | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Projektionsgerät |
DE102009032486A1 (de) | 2009-07-09 | 2011-01-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102009033686A1 (de) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines anorganischen optoelektronischen Halbleiterbauteils |
WO2011010436A1 (ja) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | パナソニック株式会社 | 発光ダイオード |
DE102009037186A1 (de) | 2009-08-12 | 2011-02-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil |
KR100986570B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8471288B2 (en) * | 2009-09-15 | 2013-06-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor light-emitting device including an auxiliary electrode in contact with a back surface of an n-type layer |
DE102009051746A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
KR101411256B1 (ko) | 2009-11-16 | 2014-06-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 |
KR101055768B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-08-11 | 서울옵토디바이스주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
DE102010018260A1 (de) | 2010-01-29 | 2011-08-04 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Beleuchtungsvorrichtung |
DE102010009717A1 (de) * | 2010-03-01 | 2011-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
TWI470832B (zh) * | 2010-03-08 | 2015-01-21 | Lg Innotek Co Ltd | 發光裝置 |
KR101138948B1 (ko) * | 2010-03-22 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | 고효율 발광 다이오드 |
DE102010013494A1 (de) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102010024079A1 (de) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102010025320B4 (de) * | 2010-06-28 | 2021-11-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR101761385B1 (ko) * | 2010-07-12 | 2017-08-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR20120006410A (ko) | 2010-07-12 | 2012-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
US8901586B2 (en) * | 2010-07-12 | 2014-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
DE102010031237A1 (de) | 2010-07-12 | 2012-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102010027679A1 (de) | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
KR101154709B1 (ko) * | 2010-07-28 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
DE102010032813A1 (de) * | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102010033137A1 (de) | 2010-08-03 | 2012-02-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
DE102010034665A1 (de) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips |
CN102386319B (zh) | 2010-08-30 | 2015-10-14 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
DE102010045390A1 (de) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronisches Halbleiterbauteils |
DE102010045784B4 (de) * | 2010-09-17 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
WO2012035135A1 (de) | 2010-09-19 | 2012-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
DE102010046792A1 (de) | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR101761386B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2017-07-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
DE102010054898A1 (de) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip und Halbleiterchip |
KR20140007348A (ko) * | 2010-12-28 | 2014-01-17 | 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
TWI435477B (zh) * | 2010-12-29 | 2014-04-21 | Lextar Electronics Corp | 高亮度發光二極體 |
DE102011010503A1 (de) | 2011-02-07 | 2012-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102011003684A1 (de) | 2011-02-07 | 2012-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchip |
DE102011010504A1 (de) | 2011-02-07 | 2012-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektrischer Halbleiterchip |
DE102011011140A1 (de) * | 2011-02-14 | 2012-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102011012924A1 (de) | 2011-03-03 | 2012-09-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger |
CN102751431A (zh) * | 2011-04-18 | 2012-10-24 | 北京地调科技发展有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
DE102011100743A1 (de) * | 2011-05-06 | 2012-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
US8344392B2 (en) * | 2011-05-12 | 2013-01-01 | Epistar Corporation | Light-emitting element and the manufacturing method thereof |
DE102011102376A1 (de) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP5830166B2 (ja) | 2011-05-25 | 2015-12-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
TW201248945A (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode device and method for manufacturing the same |
US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
US8604491B2 (en) | 2011-07-21 | 2013-12-10 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Wafer level photonic device die structure and method of making the same |
DE102011080458A1 (de) | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung |
DE102011112000B4 (de) | 2011-08-31 | 2023-11-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip |
DE102011115299B4 (de) | 2011-09-29 | 2023-04-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102011114671A1 (de) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102011114670A1 (de) | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102011116232B4 (de) | 2011-10-17 | 2020-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2013089417A1 (en) | 2011-12-14 | 2013-06-20 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
DE102011056888A1 (de) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung |
US9419182B2 (en) | 2012-01-05 | 2016-08-16 | Micron Technology, Inc. | Solid-state radiation transducer devices having at least partially transparent buried-contact elements, and associated systems and methods |
DE102012002605B9 (de) | 2012-02-13 | 2017-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102012101889A1 (de) | 2012-03-06 | 2013-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
KR101891257B1 (ko) * | 2012-04-02 | 2018-08-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 및 그 제조방법 |
US9450152B2 (en) * | 2012-05-29 | 2016-09-20 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer dies having reflective features over contacts and associated systems and methods |
KR101946914B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2019-02-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
WO2013187723A1 (ko) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | An Sang Jeong | 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 |
DE102012106364B4 (de) * | 2012-07-16 | 2021-09-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
US9530941B2 (en) * | 2012-07-18 | 2016-12-27 | Semicon Light Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
DE102012106953A1 (de) | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102012213343B4 (de) * | 2012-07-30 | 2023-08-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEILs MIT SAPHIR-FLIP-CHIP |
DE102012106982A1 (de) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels |
DE102012107921A1 (de) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102012215524A1 (de) | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102012108883A1 (de) | 2012-09-20 | 2014-03-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102012108879B4 (de) * | 2012-09-20 | 2024-03-28 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip mit mehreren nebeneinander angeordneten aktiven Bereichen |
KR101976459B1 (ko) | 2012-11-02 | 2019-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
DE102012110775A1 (de) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102012111245A1 (de) | 2012-11-21 | 2014-05-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Anschlussbereichs eines optoelektronischen Halbleiterchips |
KR102008328B1 (ko) * | 2013-02-15 | 2019-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
DE102013100818B4 (de) * | 2013-01-28 | 2023-07-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102013103079A1 (de) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
WO2014197512A1 (en) * | 2013-06-04 | 2014-12-11 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
DE102013105870A1 (de) * | 2013-06-06 | 2014-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
TWI661578B (zh) | 2013-06-20 | 2019-06-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置及發光陣列 |
DE102013107531A1 (de) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
US20160155901A1 (en) * | 2013-07-18 | 2016-06-02 | Koninklijke Philips N.V. | Highly reflective flip chip led die |
TWI536605B (zh) * | 2013-08-20 | 2016-06-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體 |
DE102013110041B4 (de) | 2013-09-12 | 2023-09-07 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Bauelement |
DE102013111918B4 (de) * | 2013-10-29 | 2020-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102013111977A1 (de) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Anordnung mit mindestens einem solchen optoelektronischen Halbleiterchip |
CN103594583A (zh) * | 2013-11-07 | 2014-02-19 | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 | 一种倒装发光二极管 |
DE102013112881A1 (de) * | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP6485019B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2019-03-20 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP5788046B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2015-09-30 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
DE102014106505A1 (de) | 2014-05-08 | 2015-11-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge |
DE102014106791B4 (de) * | 2014-05-14 | 2023-01-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement, Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
DE102014107123A1 (de) | 2014-05-20 | 2015-11-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips sowie optoelektronischer Halbleiterchip |
TWI625868B (zh) | 2014-07-03 | 2018-06-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
JP2016018836A (ja) | 2014-07-07 | 2016-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
DE102014112562A1 (de) * | 2014-09-01 | 2016-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
JP2016054260A (ja) | 2014-09-04 | 2016-04-14 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
DE102014116935A1 (de) | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
CN104681684A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-06-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种发光器件及发光器件封装 |
US9356199B1 (en) * | 2015-01-14 | 2016-05-31 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Light-emitting device and light-emitting device package |
DE102015100578A1 (de) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
US10658546B2 (en) * | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
DE102015102699A1 (de) | 2015-02-25 | 2016-08-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
JP2016174062A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
DE102015104144A1 (de) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers |
DE102015104700A1 (de) | 2015-03-27 | 2016-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
CN104868031B (zh) * | 2015-04-09 | 2018-01-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种发光器件 |
DE102015107742A1 (de) * | 2015-05-18 | 2016-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisches Bauteil |
DE102015111046B9 (de) * | 2015-07-08 | 2022-09-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102015111130B9 (de) | 2015-07-09 | 2022-09-29 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement |
DE102015111721A1 (de) * | 2015-07-20 | 2017-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips und strahlungsemittierender Halbleiterchip |
KR101660020B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2016-09-30 | 서울반도체 주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 |
KR102373677B1 (ko) * | 2015-08-24 | 2022-03-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 |
DE102015114587A1 (de) * | 2015-09-01 | 2017-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102015116495A1 (de) * | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102016103353A1 (de) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
DE102016104280A1 (de) | 2016-03-09 | 2017-09-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
DE102016106570A1 (de) | 2016-04-11 | 2017-10-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierender Halbleiterchip, lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements |
DE102016106831A1 (de) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102016106928A1 (de) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102016114992A1 (de) | 2016-08-12 | 2018-02-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102016118241A1 (de) * | 2016-09-27 | 2018-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht und Halbleiterbauelement mit elektrischer Kontaktierung |
DE102017100705B4 (de) | 2017-01-16 | 2022-10-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Beleuchtungsvorrichtung und Betriebsverfahren für eine solche Beleuchtungsvorrichtung |
JP6645486B2 (ja) * | 2017-02-13 | 2020-02-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
DE102017107198A1 (de) * | 2017-04-04 | 2018-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102017113949A1 (de) | 2017-06-23 | 2018-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102017117650A1 (de) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement |
US10243108B1 (en) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | High Power Opto. Inc. | Light emitting diode having continuous electrode structure |
DE102017125105A1 (de) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102017126446A1 (de) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
DE102017130757A1 (de) | 2017-12-20 | 2019-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil |
DE102018103169A1 (de) * | 2018-02-13 | 2019-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement |
DE102018111198A1 (de) | 2018-05-09 | 2019-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement mit stromverteilungsschicht |
DE102018111319A1 (de) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
DE102018118355A1 (de) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
TWI701882B (zh) * | 2018-11-08 | 2020-08-11 | 晶智達光電股份有限公司 | 雷射元件 |
DE102018128692A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit ersten Verbindungsbereichen und optoelektronische Vorrichtung |
DE102018131404A1 (de) | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen |
FR3090200B1 (fr) * | 2018-12-13 | 2021-01-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d’un dispositif a diodes photo-emettrices et/ou photo-receptrices et a grille de collimation auto-alignee |
DE102019100521A1 (de) * | 2019-01-10 | 2020-07-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil |
FR3095550B1 (fr) * | 2019-04-26 | 2021-05-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d’un dispositif photo-emetteur et/ou photo-recepteur a grille de separation optique metallique |
DE102019126026A1 (de) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterchip |
WO2021108909A1 (en) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | Vuereal Inc. | High efficient micro devices |
CN113380932A (zh) | 2020-03-10 | 2021-09-10 | 隆达电子股份有限公司 | 覆晶式发光二极管的结构及其制造方法 |
KR20220036176A (ko) | 2020-09-15 | 2022-03-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지 |
DE102021202026A1 (de) | 2021-03-03 | 2022-09-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05136458A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Toshiba Corp | 化合物半導体発光素子 |
JP2002246648A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換型半導体素子 |
JP2003224297A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP2005197289A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2005081319A1 (de) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement, vorrichtung mit einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
WO2006006555A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
JP2006108698A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Lumileds Lighting Us Llc | フリップチップ発光デバイス用のコンタクト及び全方向反射ミラー |
Family Cites Families (100)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3739217A (en) | 1969-06-23 | 1973-06-12 | Bell Telephone Labor Inc | Surface roughening of electroluminescent diodes |
JPH03177080A (ja) | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Nkk Corp | 発光ダイオードアレー |
EP1313153A3 (en) | 1992-07-23 | 2005-05-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor |
JP2657743B2 (ja) | 1992-10-29 | 1997-09-24 | 豊田合成株式会社 | 窒素−3族元素化合物半導体発光素子 |
JP3520540B2 (ja) | 1993-12-07 | 2004-04-19 | 株式会社デンソー | 多層基板 |
US5472886A (en) * | 1994-12-27 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Structure of and method for manufacturing an LED |
JP3259811B2 (ja) | 1995-06-15 | 2002-02-25 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
JP3595097B2 (ja) | 1996-02-26 | 2004-12-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5889295A (en) | 1996-02-26 | 1999-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US5779924A (en) | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
JPH1012917A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
US5684309A (en) | 1996-07-11 | 1997-11-04 | North Carolina State University | Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes |
JP3467981B2 (ja) | 1996-07-19 | 2003-11-17 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子の光放出端面の形成方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、窒化物系iii−v族化合物半導体層の端面の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP3337405B2 (ja) | 1996-12-27 | 2002-10-21 | シャープ株式会社 | 発光表示素子およびその電気配線基板への接続方法ならびに製造方法 |
CN1297016C (zh) | 1997-01-09 | 2007-01-24 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物半导体元器件 |
US6281524B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-08-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
US5831277A (en) | 1997-03-19 | 1998-11-03 | Northwestern University | III-nitride superlattice structures |
JPH10294491A (ja) | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 |
US6340824B1 (en) | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
DE59814431D1 (de) | 1997-09-29 | 2010-03-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JPH11251644A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
EP0977277A1 (en) | 1998-07-28 | 2000-02-02 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Devices for emitting radiation with a high efficiency and a method for fabricating such devices |
JP2000174333A (ja) | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び製造方法 |
JP2000208822A (ja) | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体発光装置 |
GB2363906B (en) | 1999-04-27 | 2003-10-22 | Schlumberger Holdings | Radiation source |
DE19955747A1 (de) | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur |
JP3893874B2 (ja) | 1999-12-21 | 2007-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US6514782B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-02-04 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
DE10017336C2 (de) | 2000-04-07 | 2002-05-16 | Vishay Semiconductor Gmbh | verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiter-Wafern |
DE10017337C2 (de) * | 2000-04-07 | 2002-04-04 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente |
DE10026255A1 (de) | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiosdenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN |
TWI289944B (en) | 2000-05-26 | 2007-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip |
EP1344241A1 (en) * | 2000-06-01 | 2003-09-17 | Complete Substrate Solutions Limited | Visual display |
US20020017652A1 (en) | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Stefan Illek | Semiconductor chip for optoelectronics |
TW474034B (en) | 2000-11-07 | 2002-01-21 | United Epitaxy Co Ltd | LED and the manufacturing method thereof |
JP5143977B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2013-02-13 | 星和電機株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
US6608360B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-08-19 | University Of Houston | One-chip micro-integrated optoelectronic sensor |
US6611002B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-08-26 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods including backside vias |
US7233028B2 (en) | 2001-02-23 | 2007-06-19 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods of forming the same |
TW492202B (en) | 2001-06-05 | 2002-06-21 | South Epitaxy Corp | Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge |
JP2003017757A (ja) | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanken Electric Co Ltd | フリップチップ形半導体発光素子 |
US7135711B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent body |
US20030057421A1 (en) | 2001-09-27 | 2003-03-27 | Tzer-Perng Chen | High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate |
JP2003110139A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
DE10147886B4 (de) | 2001-09-28 | 2006-07-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiode mit vergrabenem Kontakt und Herstellungsverfahren |
EP1460694A1 (en) * | 2001-11-19 | 2004-09-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
US6784462B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
DE10162914B4 (de) | 2001-12-20 | 2010-06-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Halbleiterbauelement |
US6839370B2 (en) | 2001-12-31 | 2005-01-04 | Agilent Technologies, Inc. | Optoelectronic device using a disabled tunnel junction for current confinement |
TW535307B (en) | 2002-03-04 | 2003-06-01 | United Epitaxy Co Ltd | Package of light emitting diode with protective diode |
US6828596B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-12-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices |
DE10234977A1 (de) | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis |
DE10244986B4 (de) * | 2002-09-26 | 2008-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
TWI230473B (en) * | 2003-03-10 | 2005-04-01 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
JP4069383B2 (ja) | 2003-03-18 | 2008-04-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 表面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2004311677A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子 |
US7714345B2 (en) * | 2003-04-30 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Light-emitting devices having coplanar electrical contacts adjacent to a substrate surface opposite an active region and methods of forming the same |
KR100568269B1 (ko) | 2003-06-23 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
TWI220578B (en) | 2003-09-16 | 2004-08-21 | Opto Tech Corp | Light-emitting device capable of increasing light-emitting active region |
US7622743B2 (en) | 2003-11-04 | 2009-11-24 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
JP4139321B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2008-08-27 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
KR100576718B1 (ko) | 2003-12-24 | 2006-05-03 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 발광 소자 |
TWI224877B (en) * | 2003-12-25 | 2004-12-01 | Super Nova Optoelectronics Cor | Gallium nitride series light-emitting diode structure and its manufacturing method |
TWI223457B (en) | 2004-01-20 | 2004-11-01 | Opto Tech Corp | Light-emitting device to increase the area of active region |
US7179670B2 (en) * | 2004-03-05 | 2007-02-20 | Gelcore, Llc | Flip-chip light emitting diode device without sub-mount |
US20050205883A1 (en) | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Wierer Jonathan J Jr | Photonic crystal light emitting device |
JP4116587B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2008-07-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
DE102005016592A1 (de) | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
JP2005322722A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード |
JP2006049855A (ja) | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
KR100576870B1 (ko) | 2004-08-11 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
JP2006086300A (ja) | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Sanken Electric Co Ltd | 保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2006086469A (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法 |
DE102004050891B4 (de) | 2004-10-19 | 2019-01-10 | Lumileds Holding B.V. | Lichtmittierende III-Nitrid-Halbleitervorrichtung |
US20060089485A1 (en) | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Desnoyer Jessica R | End-capped poly(ester amide) copolymers |
US7256483B2 (en) | 2004-10-28 | 2007-08-14 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package-integrated thin film LED |
KR100862453B1 (ko) | 2004-11-23 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | GaN 계 화합물 반도체 발광소자 |
US20060113548A1 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Ching-Chung Chen | Light emitting diode |
KR100590775B1 (ko) | 2004-12-08 | 2006-06-19 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 발광 소자 |
JP2006173196A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光素子及びこれを用いた発光ダイオード |
DE112005003841B4 (de) | 2004-12-14 | 2016-03-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen |
US7335920B2 (en) * | 2005-01-24 | 2008-02-26 | Cree, Inc. | LED with current confinement structure and surface roughening |
JP2006269807A (ja) | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Sony Corp | 半導体発光ダイオード |
KR100638730B1 (ko) | 2005-04-14 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법 |
US7736945B2 (en) | 2005-06-09 | 2010-06-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
US7754507B2 (en) | 2005-06-09 | 2010-07-13 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Method of removing the growth substrate of a semiconductor light emitting device |
JP4951937B2 (ja) | 2005-10-28 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP4777757B2 (ja) | 2005-12-01 | 2011-09-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007157926A (ja) | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Sanken Electric Co Ltd | 保護ダイオードを伴った半導体発光装置及びその製造方法 |
JP4978014B2 (ja) | 2006-01-30 | 2012-07-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
WO2007091704A1 (en) | 2006-02-08 | 2007-08-16 | Showa Denko K.K. | Light-emitting diode and fabrication method thereof |
US7994514B2 (en) | 2006-04-21 | 2011-08-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting device with integrated electronic components |
CN100452460C (zh) | 2006-05-29 | 2009-01-14 | 金芃 | 通孔垂直结构的半导体芯片及其制造方法 |
KR100771772B1 (ko) | 2006-08-25 | 2007-10-30 | 삼성전기주식회사 | 백색 led 모듈 |
US7842963B2 (en) | 2006-10-18 | 2010-11-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrical contacts for a semiconductor light emitting apparatus |
KR100818466B1 (ko) | 2007-02-13 | 2008-04-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR100849826B1 (ko) | 2007-03-29 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 패키지 |
DE102007030129A1 (de) | 2007-06-29 | 2009-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement |
DE102008021403A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR100891761B1 (ko) | 2007-10-19 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 |
-
2007
- 2007-05-16 DE DE102007022947.1A patent/DE102007022947B4/de active Active
-
2008
- 2008-04-23 TW TW097114771A patent/TWI381548B/zh active
- 2008-04-24 EP EP08748775.7A patent/EP2149159B1/de active Active
- 2008-04-24 CN CN2008800135213A patent/CN101681958B/zh active Active
- 2008-04-24 JP JP2010504441A patent/JP5362704B2/ja active Active
- 2008-04-24 KR KR1020097024577A patent/KR101260375B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-24 US US12/596,170 patent/US8450751B2/en active Active
- 2008-04-24 KR KR1020127014596A patent/KR101419413B1/ko active IP Right Grant
- 2008-04-24 CN CN2011101059070A patent/CN102176502B/zh active Active
- 2008-04-24 WO PCT/DE2008/000702 patent/WO2008131735A1/de active Application Filing
-
2013
- 2013-04-12 US US13/862,096 patent/US8653540B2/en active Active
- 2013-09-04 JP JP2013183190A patent/JP5801359B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05136458A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Toshiba Corp | 化合物半導体発光素子 |
JP2002246648A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Stanley Electric Co Ltd | 波長変換型半導体素子 |
JP2003224297A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP2005197289A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2005081319A1 (de) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement, vorrichtung mit einer mehrzahl optoelektronischer bauelemente und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
WO2006006555A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
JP2006108698A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Lumileds Lighting Us Llc | フリップチップ発光デバイス用のコンタクト及び全方向反射ミラー |
Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9379288B2 (en) | 2007-10-19 | 2016-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, and semiconductor light emitting device package using the same |
US8981395B2 (en) | 2007-10-19 | 2015-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same |
JP2010171443A (ja) * | 2007-10-19 | 2010-08-05 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体発光素子、その製造方法及びこれを用いた半導体発光素子パッケージ |
US8624276B2 (en) | 2007-10-19 | 2014-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same |
USRE47417E1 (en) | 2007-10-19 | 2019-06-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same |
JP2012510173A (ja) * | 2008-11-28 | 2012-04-26 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射放出半導体チップ |
JP2016021591A (ja) * | 2009-12-31 | 2016-02-04 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光素子及びその製造方法 |
JP2011216524A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体発光素子 |
US9853188B2 (en) | 2010-04-12 | 2017-12-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip with current spreading layer |
US8946761B2 (en) | 2010-07-28 | 2015-02-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting semiconductor chip and method for producing a radiation-emitting semiconductor chip |
JP2013535828A (ja) * | 2010-07-28 | 2013-09-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射放出半導体チップ及び放射放出半導体チップの製造方法 |
JP2013539603A (ja) * | 2010-09-10 | 2013-10-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光ダイオードチップおよびその製造方法 |
US9276167B2 (en) | 2010-09-10 | 2016-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip and method for producing the same |
US9929314B2 (en) | 2010-11-18 | 2018-03-27 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having electrode pad |
US9520536B2 (en) | 2010-11-18 | 2016-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having electrode pad |
US10608141B2 (en) | 2010-11-18 | 2020-03-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having electrode pad |
JP2016026392A (ja) * | 2010-11-18 | 2016-02-12 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 電極パッドを有する発光ダイオードチップ |
JP2013546200A (ja) * | 2010-12-16 | 2013-12-26 | マイクロン テクノロジー, インク. | 接近可能な電極を具備する固体照明装置および製造方法 |
US9343642B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-05-17 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
JP2014509791A (ja) * | 2011-04-01 | 2014-04-21 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
JP2014513420A (ja) * | 2011-04-07 | 2014-05-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
US9741912B2 (en) | 2011-04-07 | 2017-08-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip |
US9171995B2 (en) | 2011-05-30 | 2015-10-27 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Flip chip type light emitting diode and manufacturing method thereof |
JP2014239247A (ja) * | 2011-05-30 | 2014-12-18 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. | 発光ダイオード |
JP2012248833A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Everlight Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2013084878A (ja) * | 2011-10-10 | 2013-05-09 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びこれを含む照明装置 |
US9356007B2 (en) | 2011-10-10 | 2016-05-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and lighting apparatus including the same |
JP2013102162A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-23 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2015500573A (ja) * | 2011-12-14 | 2015-01-05 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 半導体素子及びそれを製造する方法 |
KR101911865B1 (ko) * | 2012-03-07 | 2018-10-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
US10381524B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-08-13 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element including protective film and light shielding member |
JP2013239699A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-11-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2012244165A (ja) * | 2012-04-25 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2015530755A (ja) * | 2012-09-27 | 2015-10-15 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクスコンポーネントの製造方法、およびオプトエレクトロニクスコンポーネント |
JP2014135480A (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-24 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
KR101976470B1 (ko) | 2013-01-10 | 2019-05-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR20140090843A (ko) * | 2013-01-10 | 2014-07-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛 |
US9368688B2 (en) | 2013-01-14 | 2016-06-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2014135490A (ja) * | 2013-01-14 | 2014-07-24 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2018078342A (ja) * | 2013-02-28 | 2018-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2016518709A (ja) * | 2013-04-05 | 2016-06-23 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップおよびオプトエレクトロニクスモジュール |
US9947847B2 (en) | 2013-04-05 | 2018-04-17 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module |
JP2016521004A (ja) * | 2013-04-24 | 2016-07-14 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップ及びオプトエレクトロニクス半導体部品 |
US9793447B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor component |
JP2014041999A (ja) * | 2013-06-18 | 2014-03-06 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
US10074766B2 (en) | 2014-02-18 | 2018-09-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing semiconductor components and semiconductor component |
JP2017512380A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-05-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 半導体構成素子を製造する方法、及び、半導体構成素子 |
WO2015141166A1 (ja) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置とその製造方法 |
KR20150119752A (ko) * | 2014-04-16 | 2015-10-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
KR102163967B1 (ko) * | 2014-04-16 | 2020-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
KR20160121836A (ko) * | 2015-04-13 | 2016-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
KR102299735B1 (ko) | 2015-04-13 | 2021-09-10 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 및 조명시스템 |
JP2017059645A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
JP2020021964A (ja) * | 2017-11-16 | 2020-02-06 | ローム株式会社 | 発光素子および発光素子パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014003326A (ja) | 2014-01-09 |
CN102176502A (zh) | 2011-09-07 |
JP5801359B2 (ja) | 2015-10-28 |
CN102176502B (zh) | 2013-05-29 |
CN101681958B (zh) | 2011-06-08 |
TW200903863A (en) | 2009-01-16 |
TWI381548B (zh) | 2013-01-01 |
KR101419413B1 (ko) | 2014-07-14 |
WO2008131735A1 (de) | 2008-11-06 |
DE102007022947B4 (de) | 2022-05-05 |
KR20100017365A (ko) | 2010-02-16 |
CN101681958A (zh) | 2010-03-24 |
JP5362704B2 (ja) | 2013-12-11 |
DE102007022947A1 (de) | 2008-10-30 |
EP2149159B1 (de) | 2017-03-01 |
KR20120081238A (ko) | 2012-07-18 |
US8450751B2 (en) | 2013-05-28 |
US20100171135A1 (en) | 2010-07-08 |
US20130221392A1 (en) | 2013-08-29 |
KR101260375B1 (ko) | 2013-05-07 |
US8653540B2 (en) | 2014-02-18 |
EP2149159A1 (de) | 2010-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5801359B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体ボディ | |
US10062810B2 (en) | Light-emitting diode module having light-emitting diode joined through solder paste and light-emitting diode | |
US10403796B2 (en) | Light emitting device and method of fabricating the same | |
US8772805B2 (en) | High efficiency light emitting diode and method for fabricating the same | |
JP5992662B2 (ja) | モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 | |
KR20100091207A (ko) | 개선된 led 구조 | |
JP2008085337A (ja) | 半導体ボディおよび半導体チップ | |
KR20110069149A (ko) | 광전 반도체 몸체 | |
US8115219B2 (en) | LED semiconductor body and use of an LED semiconductor body | |
US6777717B1 (en) | LED reflector for improved light extraction | |
KR101203138B1 (ko) | 발광소자와 그 제조방법 | |
US9356198B2 (en) | Light emitting device having wide beam angle and method of fabricating the same | |
US20140138729A1 (en) | High efficiency light emitting diode | |
US20210391506A1 (en) | Optoelectronic component having a dielectric reflective layer and production method for same | |
KR101115538B1 (ko) | 발광소자와 그 제조방법 | |
US20220190222A1 (en) | Optoelectronic semiconductor device comprising a dielectric layer and a transparent conductive layer and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device | |
KR101337613B1 (ko) | 발광소자와 그 제조방법 | |
US20210328106A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component with a current spreading structure containing silver, and optoelectronic device | |
KR20150037215A (ko) | 넓은 지향각을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2013207108A (ja) | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5362704 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |