JP5830166B2 - オプトエレクトロニクス半導体チップ - Google Patents

Description

本出願は、半導体ボディ、ｐ側コンタクト層、およびｎ側コンタクト層を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップに関する。

例えばＧａＮ系の半導体ボディに使用されるｎ側コンタクト層は、従来、チタン層およびチタン層に形成される銀層を備えている。このようなｎ側コンタクト層では、良好な電気特性および光学特性を達成することができる。しかしながら、このようなｎ側コンタクト層を使用する場合、良好な光学特性のためには厚さが０．５ｎｍ未満である極めて薄いチタン層が必要である。このようなチタン層を作製することは極めて難しく、加工ばらつきが発生する。

さらに、チタンは、ｎ−ＧａＮに対して良好な電気的接触を示すが、チタンは比較的低い反射率を有し、したがって、半導体ボディによって放出される光がｎ側コンタクト層のチタン層によって吸収され、これは不利である。対照的に、銀は、可視スペクトル領域の放射に対して良好な反射体であるが、ｎ型にドープされたＧａＮに対して好ましくない高い接触抵抗を示し、これは不利である。さらに、チタンと、チタンおよび銀の組合せは、半導体チップにおいて不利であるさまざまな物理特性を示す。例えば、チタンは反応性が高く、容易に酸化され、これにより接触抵抗の増大に起因して導電性の低い電気障壁につながることがある。

本出願の目的は、上述した不都合を回避するオプトエレクトロニクス半導体チップを提供することであり、改善された電気特性と同時に改善された光学特性を示すｎ側コンタクト層を有する半導体チップが有利に製造される。

この目的は、請求項１の特徴を有するオプトエレクトロニクス半導体チップによって達成される。本半導体チップのさらなる有利な発展形態は、従属請求項の主題である。

一実施形態においては、オプトエレクトロニクス半導体チップは、半導体材料の半導体ボディと、ｐ側コンタクト層と、ｎ側コンタクト層とを備えている。半導体ボディは、放射を生成するための活性層を備えている。さらに、半導体ボディは、ｐ側およびｎ側を備えており、これらの間に活性層が配置されている。ｐ側コンタクト層は、半導体ボディのｐ側との電気的接触を形成するためのものである。ｎ側コンタクト層は、半導体ボディのｎ側との電気的接触を形成するためのものである。ｎ側コンタクト層は、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）層およびミラー層を備えており、ＴＣＯ層は半導体ボディのｎ側とミラー層との間に配置されている。

透明導電性酸化物は、透明な導電性材料であり、一般には金属酸化物（例えば、亜鉛酸化物、スズ酸化物、カドミウム酸化物、チタン酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、アルミニウムインジウム亜鉛酸化物（ＡＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、ガリウムスズ酸化物（ＧＴＯ））である。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）のグループには、金属と酸素の二元化合物（例えばＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３）に加えて、金属と酸素の三元化合物（例えばＺｎ_２ＳｎＯ_４、ＣｄＳｎＯ_３、ＺｎＳｎＯ_３、ＭｇＩｎ_２Ｏ_４、ＧａＩｎＯ_３、Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５、またはＩｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２）、あるいは複数の異なる透明導電性酸化物の混合物も含まれる。さらに、透明導電性酸化物は、必ずしも化学量論的組成に対応している必要はなく、ｐ型にドープする、またはｎ型にドープすることもできる。

ｎ側とは、特に、半導体ボディの層のうちｎ型にドープされた側を意味するものと理解されたい。同様に、ｐ側とは、特に、半導体ボディの層のうちｐ型にドープされた側を意味するものと理解されたい。

本半導体チップにおいては、従来使用されているチタン層が、透明導電性酸化物の層に置き換わっている。この場合、ＴＣＯ層は、従来使用されているチタン層よりも大幅に大きい厚さとすることができる。このようなＴＣＯ層は、従来使用されているチタン層と比較して、制御が大幅に容易であり、半導体材料の半導体ボディに良好に接着し、良好な電気的接触を形成する。さらに、このようなＴＣＯ層は、極めて反応性が低く、したがって酸化の影響を受けにくい。

ＴＣＯ層を備えたｎ側コンタクト層によって、特に、半導体ボディとは反対側のＴＣＯ層の面に配置されている、コンタクト層の高い反射率のミラー層（例えば銀層）と協働して、ｎ側コンタクト層と半導体ボディとの間に、高い反射率のオーミック接触を形成することができる。このようなｎ側コンタクト層は、容易に再現され、製造時に容易に制御され、低い接触抵抗を示し、反応性がそれほど高くなく、安定的な接触抵抗のため高い歩留りが可能である。可視スペクトル領域における放射に対してＴＣＯ層が透明であるため、半導体チップによって放出される放射がｎ側コンタクト層によって吸収されず、したがって放射効率を改善することが可能である。

ミラー層は、半導体チップの動作時に活性層において放出される放射に対して、または活性層によって検出される放射に対して、高い反射率、特に、少なくとも６０％の反射率、好ましくは少なくとも８０％の反射率を示すように、材料に関して構成されていることが好ましい。具体的には、金属のミラー層が特に適している。

好ましい一実施形態においては、ミラー層は銀を含んでいる。ミラー層は、特に、銀、または銀を含有する合金からなることができる。銀は、可視スペクトル領域および紫外スペクトル領域において高い反射率を示す。代わりに、別の材料、例えば、アルミニウム、ロジウム、パラジウム、ニッケル、またはクロムを使用することもできる。例えば赤外スペクトル領域に対しては、金が適している。

本半導体チップは、例えばデータ通信において電力を例えば一定の光放射またはパルス状の光放射に変換する、またはこの逆方向に変換することのできるオプトエレクトロニクス半導体チップであることが好ましい。

オプトエレクトロニクス半導体チップは、例えば放射放出半導体チップである。半導体チップは、好ましくはＬＥＤである、特に好ましくは薄膜ＬＥＤである。本出願の目的においては、ＬＥＤの製造時、上に半導体ボディをエピタキシャル成長させた成長基板が好ましくは完全に剥離されている場合、そのＬＥＤは薄膜ＬＥＤとみなされる。

半導体ボディの活性層は、放射を生成するためのｐｎ接合部、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ）、または多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を含んでいることが好ましい。量子井戸構造という用語は、量子化の次元に関して何らかの意味を持つものではない。したがって、量子井戸構造には、特に、量子井戸、量子細線、および量子ドットと、これらの構造の任意の組合せが含まれる。

半導体ボディ、特に活性層は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含んでいることが好ましい。ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料は、紫外スペクトル領域から可視スペクトル領域、さらには赤外スペクトル領域における放射を生成するのに特に適している。半導体ボディは、重なり合うようにエピタキシャルに堆積した複数の半導体層を備えており、これらの半導体層の中に活性層が配置されている。半導体ボディの層は、例えば成長基板の上に成長している。この場合、活性層は、半導体ボディのｐ型にドープされた側と、半導体ボディのｎ型にドープされた側とを隔てている。

さらなる発展形態においては、ｐ側コンタクト層およびｎ側コンタクト層は、半導体ボディの同じ側に配置されている。例えば、ｐ側コンタクト層およびｎ側コンタクト層は、半導体ボディのｐ側に配置されている。この場合、コンタクト層とは反対側の半導体チップの面は、半導体チップにおいて生成される放射のための放射出口面としての役割を果たすことが好ましい。活性層によって生成される放射の大部分が、放射出口面において半導体チップから取り出される。

したがって、本半導体チップは、一方の側において接触が形成されることが好ましく、したがって、放射出口面にはコンタクト構造およびコンタクト層が存在しない。このようにすることで、半導体チップの放射出口面における吸収プロセスが防止され、これは有利であり、したがって放射の遮蔽効果および効率損失を最小にすることができ、これは有利である。

さらなる一発展形態においては、ｐ側コンタクト層は半導体ボディのｐ側に直接隣接しており、ｎ側コンタクト層は、半導体ボディとは反対のｐ側コンタクト層の側に配置されている。ｐ側コンタクト層とｎ側コンタクト層との間には電気的絶縁層が配置されている。このようにｎ側コンタクト層とｐ側コンタクト層は互いに電気的に絶縁されており、したがってこれらのコンタクト層の間の短絡が防止される。

したがってこの実施形態の場合、層の配置は、ｎ側コンタクト層、電気的絶縁層、ｐ側コンタクト層、および半導体ボディである。この場合、これらの層は垂直方向に重なり合うように配置されている。

電気的絶縁層は、例えばパッシベーション層であり、この層は、ｐ側コンタクト層とｎ側コンタクト層とを空間的かつ電気的に互いに完全に隔てている。したがって、ｐ側コンタクト層とｎ側コンタクト層はいかなる部分においても直接接触していない。

さらなる発展形態においては、ｎ側コンタクト層は、孔によってｐ側コンタクト層および半導体ボディのｐ側を貫いてｎ側に達している。したがって、ｐ側コンタクト層およびｐ側は孔を備えており、孔の中にｎ側コンタクト層が延在している。この場合、孔は活性層を貫いており、したがってｎ側コンタクト層は半導体ボディのｎ側まで延在している。したがって、孔はｐ側および活性層を貫いてｎ側に達しており、さらにｎ側の中に突き出してそこを終端としていることが好ましい。

孔は、その側面領域に電気的絶縁層を備えており、電気的絶縁層は、ｎ側コンタクト層をｐ側コンタクト層および半導体ボディのｐ側から絶縁している。

したがって、ｐ側コンタクト層は、半導体ボディのｐ側の上に直接配置されており、ｐ側との直接的な電気的接触の形成を目的として設けられている。ｎ側コンタクト層は、半導体ボディから隔てて配置されている。この間隔は、ｐ側コンタクト層および電気的絶縁層によって形成されている。半導体ボディのｎ側には、孔を通じてｎ側コンタクト層によって電気的に接触することができる。

さらに、本半導体チップは、複数の孔を備えていることができ、各孔の中にｎ側コンタクト層が延在している。この場合、孔は互いに隔てられている。孔は、半導体ボディのｎ側に電流が最大限に均一に供給されるように、したがって活性層において放射が均一に生成されるように、配置されている。

さらなる発展形態においては、ｎ側コンタクト層は銀層を含んでおり、半導体ボディのｎ側とｎ側コンタクト層の銀層との間に、ｎ側コンタクト層のＴＣＯ層が配置されている。したがって、ｎ側コンタクト層は、２つの層（銀層およびＴＣＯ層）から構成されている。銀層はミラー層を形成しており、このミラー層は、可視スペクトル領域における放射に対する良好な反射体である。半導体ボディの半導体材料に対する銀層の高い接触抵抗を、ＴＣＯ層によって改善することができ、したがってｎ側コンタクト層の高い反射率のオーミック接触が達成される。

例えば、ミラー層は、半導体ボディとは反対側の電気的絶縁層の面と、孔の中に配置されている。この場合、ＴＣＯ層は、ミラー層（特に銀層）を半導体ボディから隔てており、すなわちミラー層（特に銀層）と半導体ボディとの間に配置されている。特に、ＴＣＯ層は、半導体材料とミラー層（特に銀層）に直接隣接している。

さらなる発展形態においては、ミラー層（特に銀層）が孔の中に延在しており、ＴＣＯ層が孔の上に配置されている。したがって、ミラー層（特に銀層）と半導体材料との間に直接的な接触は形成されず、なぜなら、間にＴＣＯ層が配置されているためである。この場合、ＴＣＯ層が孔を閉じている。

さらなる一発展形態においては、ＴＣＯ層は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＳｎＯ（酸化スズ）を含んでいる。ＴＣＯ層は、さらなる金属、またはさらなる金属の混合物（例えば、アルミニウム、ガリウム、インジウムのうちの少なくとも１種類）とさらに組み合わせることができる。例えば、アルミニウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、ガリウムスズ酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、またはインジウム亜鉛酸化物を使用することができる。これらの材料は、可視スペクトル領域における低い吸収性と、したがって可視スペクトル領域における放射に対する高い透明性とを特徴とする。さらに、これらの材料は半導体材料に対する低い接触抵抗を示し、したがって良好なオーミック接触が形成される。

さらなる発展形態においては、ＴＣＯ層は、０．５ｎｍより大きい厚さを有する。ＴＣＯ層は、１５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲内（両端値を含む）の厚さを有することが好ましい。このような厚さ範囲におけるコンタクト層は、製造時における加工ばらつきがわずかであり、これは有利である。さらに、このような厚さの層は、製造時の制御性が高いため容易に再現可能である。

さらなる発展形態においては、半導体ボディは傾斜側面を備えている。半導体ボディは、例えばキャリアの上に配置されており、半導体ボディの横方向範囲は、キャリアからの距離が大きいほど小さくなっている。キャリアの横方向範囲と傾斜側面との間の角度は、例えば４５゜である。

傾斜側面により、活性層によって放出される放射の、側面における全反射効果が減少し、したがって半導体チップの放射取り出し効率が増大し、これは有利である。

さらなる発展形態においては、半導体ボディはＧａＮ系である。ｎ型にドープされたＧａＮは、ＴＣＯとの良好な電気的接触を示し、ＴＣＯと銀の組合せからなるｎ側コンタクト層と、ＧａＮの半導体ボディとの間に、高い反射率のオーミック接触を形成することができる。

さらなる利点および有利な実施形態は、図１〜図３を参照しながら以下に説明する例示的な実施形態によって明らかになるであろう。

半導体チップの例示的な実施形態の概略的な断面図を示している。 図１の例示的な実施形態による半導体チップの一部分の概略図である。 従来技術によるｎ側コンタクト層の一部分の概略図である。

図面において、同じ要素または同じ機能の要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図示した要素と、それらの互いのサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素（例えば層、パターン、要素、領域）を誇張して厚く、または大きく示してある。

図３は、従来技術による半導体チップの一部分の断面図を示している。この部分は、特に、半導体チップのｎ側との接触形成を示している。この半導体チップは、半導体層から形成されているｎ側１ｂを備えている。ｎ側コンタクト層２ｂ，２ｃは、半導体チップのｎ側に接触する目的で使用される。ｎ側コンタクト層は、銀層２ｂおよびチタン層２ｃから構成されており、チタン層２ｃは半導体チップのｎ側１ｂと銀層２ｂとの間に配置されている。

したがって、銀層２ｂは半導体チップのｎ側に直接接触していない。チタン層２ｃは、半導体チップのｎ側１ｂとの良好な電気的接触を形成する。しかしながら、このようなチタン層２ｃは、可視スペクトル領域における放射に対する低い反射率を示し、したがって、放射の少なくとも一部分がチタン層によって吸収され、結果として放射効率の損失につながり、これは不利である。さらに、チタン層２ｃは反応性が高く容易に酸化され、これは不利である。

銀層２ｂは、可視スペクトル領域における放射に対する良好な反射体であるが、半導体チップのｎ側１ｂに対する高い接触抵抗を示し、これは好ましくない。

チタン層２ｃは、従来、その吸収特性のため極めて薄く形成される。例えば、このようなチタン層２ｃは、最大で０．５ｎｍの厚さを有する。

したがって、チタン層２ｃおよび銀層２ｂを備えた、従来使用されているこのようなｎ側コンタクト層は、多数の欠点、例えば、吸収効果、酸化されやすさ、好ましくない接触抵抗などを示す。

これらの欠点が回避されるｎ側コンタクト層を形成する目的で、従来使用されているチタン層をＴＣＯ層に置き換える。ＴＣＯ層（その後ろに銀層が配置されている）は、可視スペクトル領域における放射に対する低い吸収性および良好な反射率を示す。さらに、このようなＴＣＯ層は、従来のチタン層よりもずっと良好に制御され、良好に接着し、良好な電気的接触を形成し、反応性が極めて低い。

図１は、半導体ボディ１を備えた半導体チップ１０の概略的な断面図を示している。半導体ボディ１は、ｎ側１ｂと、ｐ側１ｃと、これらｎ側１ｂとｐ側１ｃの間に配置されている活性層１ａとを備えている。半導体ボディは、ＧａＮ系であることが好ましい。半導体ボディ１は、例えば放射放出半導体チップであり、好ましくはＬＥＤ、特に好ましくは薄膜ＬＥＤである。

半導体ボディ１は、傾斜側面１１を備えている。傾斜側面とは、特に、半導体ボディの層の横方向範囲に対して０〜９０゜の範囲内の角度に構築されている側面であるものと理解されたい。この角度は、４５゜〜９０゜の範囲内であることが好ましい。傾斜側面１１では、全反射効果が減少するため、活性層によって放出される放射に対する放射取り出し効率を改善することができ、これは有利である。

半導体ボディ１は、ｐ側との接触を形成するためのｐ側コンタクト層２１ａと、ｎ側との接触を形成するためのｎ側コンタクト層２とを備えている。ｐ側コンタクト層２１ａは、半導体ボディ１のｐ側１ｃとの電気的接触を形成するためのものである。ｎ側コンタクト層２は、半導体ボディ１のｎ側１ｂとの電気的接触を形成するためのものである。

この例示的な実施形態においては、ｐ側コンタクト層２１ａおよびｎ側コンタクト層２は、半導体ボディ１の同じ側に配置されている。特に、コンタクト層２１ａ，２は、半導体ボディ１のｐ側１ｃの上に配置されている。この場合、ｐ側コンタクト層２１ａは、半導体ボディ１のｐ側１ｃに直接隣接している。半導体ボディ１とは反対側のｐ側コンタクト層２１ａの面には電流拡散層２１ｂを配置することができ、この電流拡散層によって、半導体ボディ１のｐ側１ｃにおける均一な通電および電流拡散を行うことができる。

半導体ボディ１とは反対側のｐ側コンタクト層２１ａおよび電流拡散層２１ｂの面には、電気的絶縁層３が配置されている。この電気的絶縁層は、例えばパッシベーション層である。ｐ側コンタクト層２１ａとは反対側の電気的絶縁層３の面には、ｎ側コンタクト層２が配置されている。電気的絶縁層３は、ｐ側コンタクト層２１ａをｎ側コンタクト層２から完全に隔てている。したがって、電気的絶縁層３は、ｐ側コンタクト層２１ａとｎ側コンタクト層２との間に配置されている。

ｎ側コンタクト層２は、ｐ側コンタクト層２１ａと半導体ボディ１のｐ側１ｃとを貫く孔２２によって、半導体チップのｎ側１ｂに達している。孔２２は、ｐ側コンタクト層２１ａと、ｐ側１ｃと、活性層１ａとを貫いて延びており、半導体ボディ１のｎ側１ｂの中で終了している。ｐ型コンタクト層２１ａ、ｐ側１ｃ、および活性層１ａは、孔２２によって貫かれている。

半導体チップ１０は、複数の孔２２を備えていることもでき、これらの孔２２は、所望の電流入力に従って半導体ボディ１のｎ側１ｂに配置されている。

ｎ側コンタクト層２は、銀層の形におけるミラー層とＴＣＯ層とを含んでおり、銀層は、ｐ側コンタクト層２１ａとは反対側の電気的絶縁層３の面と、１つまたは複数の孔２２の中とに配置されている。ｎ側コンタクト層２のＴＣＯ層は、銀層と、半導体ボディ１のｎ側１ｂの半導体材料との間に配置されている。特に、ＴＣＯ層は孔２２の上に配置されている。

図を明確にする目的で、図１にはＴＣＯ層を示していない。しかしながら、半導体ボディ１のｎ側１ｂに対するｎ側コンタクト層２のｎ側接触は、図２に詳しく図示および説明されている。

電気的絶縁を目的として、１つまたは複数の孔２２の内面には電気的絶縁層３が存在しており、したがって、ｎ側コンタクト層２と、ｐ側コンタクト層２１ａおよびｐ側１ｃとは互いに直接接触しておらず、いかなる部分においても互いに電気的接触を形成していない。

したがって、半導体チップ１０との電気的接触の形成は、片側において、すなわち半導体ボディ１のｐ側において行われている。ｐ側１ｃとは反対側の半導体ボディ１の面には放射出口面が形成されており、活性層によって放出される放射の大部分がこの放射出口面を通って半導体チップ１０から取り出される。半導体ボディ１とは反対側のｎ側コンタクト層２の面には障壁層４が配置されており、この障壁層４は、半導体チップ１０の個々の層の間でのイオン拡散を防止する。

ｎ側コンタクト層２とは反対側の障壁層４の面には、はんだ層５が配置されており、このはんだ層５によって半導体チップ１０がキャリア６に貼り付けられて固定されている。キャリア６は、半導体ボディ１とは反対側の面に電気接続層７を備えており、この電気接続層７によってｎ側コンタクト層２との電気接続を形成することができる。

図２は、図１の例示的な実施形態に示した部分Ａを、拡大した縮尺で示している。図２は、特に、半導体ボディ１のｎ側１ｂとｎ側コンタクト層２との間の電気接続を示している。この部分は、孔２２の領域内に位置している。

半導体ボディ１のｎ側１ｂとｎ側コンタクト層２との間のｎ側接触は、ＴＣＯ層２ａを介して形成される。したがって、ｎ側コンタクト層２は銀層２ｂおよびＴＣＯ層２ａから構成されており、銀層２ｂは半導体材料に直接には接触していない。銀層２ｂとｎ側１ｂの半導体材料との間にＴＣＯ層２ａが配置されている。

ＴＣＯ層２ａは、例えばＺｎＯまたはＩＴＯを含んでいる。これに代えて、またはこれに加えて、例えば、スズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、アルミニウムスズ酸化物、ガリウムスズ酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、またはインジウム亜鉛酸化物を使用することができる。この場合、ＴＣＯ層２ａの厚さＤは、０．５ｎｍより大きい。ＴＣＯ層２ａの厚さＤは、１５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲内（両端値を含む）（例えば２０ｎｍ）であることが好ましい。

したがって、従来使用されている薄いチタン層（厚さは最大で０．５ｎｍ）が、透明導電性酸化物の大幅に厚い層に置き換えられており、透明導電性酸化物の層と、その後ろに配置されている銀層とによって、反射率およびオーミック接触を改善することができる。このような厚いＴＣＯ層は、従来使用されている薄いチタン層よりも大幅に良好に制御することができる。さらに、ＴＣＯ層は、良好に接着し、良好な電気的接触を形成し、従来のチタン層よりも極めて反応性が低い。

説明したような構造を有する、銀層およびＴＣＯ層からなるｎ側コンタクト層によって、半導体チップのｎ側において高い反射率のオーミック接触を達成することができ、これは有利である。

説明した例示的な実施形態とは異なり、銀層３ｂの代わりに異なる材料組成のミラー層を使用することもできる。好ましい金属のミラー層は、特に、発明の概要のセクションにおいてミラー層に関連して挙げた材料のうちの１種類を含んでいる、またはそのような材料からなることができる。

さらには、上述したｎ側コンタクト層は、異なる幾何学形状の半導体チップのｎ側との接触を形成する場合にも適している。例えば、半導体チップは、ｐ側コンタクト層とｎ側コンタクト層が活性層の両側に配置されている半導体チップの形をとることができる。このような半導体チップは、特に、薄膜半導体チップ、または成長基板を有する半導体チップの形をとることができる。

ここまで、本発明について例示的な実施形態を参照しながら説明してきたが、本発明はこれらの例示的な実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。

（関連出願）
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１１１０２３７６．７号および独国特許出願第１０２０１１１０９９４２．９号の優先権を主張し、これらの文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。

Claims (11)

1. 半導体材料の半導体ボディ（１）と、ｐ側コンタクト層（２１ａ）と、ｎ側コンタクト層（２）とを備えているオプトエレクトロニクス半導体チップ（１０）であって、
   − 前記半導体ボディ（１）が、放射を生成するための活性層（１ａ）を備えており、
   − 前記半導体ボディがｐ側（１ｃ）およびｎ側（１ｂ）を備えており、前記ｐ側（１ｃ）と前記ｎ側（１ｂ）の間に前記活性層（１ａ）が配置されており、
   − 前記ｐ側コンタクト層（２１ａ）が、前記半導体ボディ（１）の前記ｐ側（１ｃ）との電気的接触を形成するためのものであり、
   − 前記ｎ側コンタクト層（２）が、前記半導体ボディ（１）の前記ｎ側（１ｂ）との電気的接触を形成するためのものであり、
   − 前記ｎ側コンタクト層（２）がＴＣＯ層（２ａ）およびミラー層（２ｂ）を含んでおり、前記ＴＣＯ層（２ａ）が前記半導体ボディ（１）の前記ｎ側（１ｂ）と前記ミラー層（２ｂ）との間に配置されており、
   前記ミラー層（２ｂ）が銀を含んでおり、
   前記ｎ側コンタクト層（２）が孔（２２）によって前記ｐ側（１ｃ）を貫いて前記半導体ボディ（１）の前記ｎ側（１ｂ）に達しており、
   前記ＴＣＯ層（２ａ）が前記孔（２２）において前記半導体ボディ（１）の前記ｎ側（１ｂ）と前記ミラー層（２ｂ）との間に配置されている、
   オプトエレクトロニクス半導体チップ。
2. 前記ｎ側コンタクト層が複数の孔によって前記ｐ側を貫いて前記半導体ボディの前記ｎ側に達しており、
   前記ＴＣＯ層が前記複数の孔において前記半導体ボディの前記ｎ側と前記ミラー層との間に配置されている、
   請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
3. 前記ｐ側コンタクト層（２１ａ）および前記ｎ側コンタクト層（２）が、前記半導体ボディ（１）の同じ側に配置されている、
   請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
4. − 前記ｐ側コンタクト層（２１ａ）が、前記半導体ボディ（１）の前記ｐ側（１ｃ）に直接隣接しており、
   − 前記ｎ側コンタクト層（２）が、前記半導体ボディ（１）とは反対の前記ｐ側コンタクト層（２１ａ）の側に配置されており、
   − 前記ｐ側コンタクト層（２１ａ）と前記ｎ側コンタクト層（２）との間に電気的絶縁層（３）が配置されている、
   請求項３に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
5. − 前記ミラー層（２ｂ）が前記孔（２２）の中に延在している、
   請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
6. 前記ＴＣＯ層（２ａ）がＺｎＯまたはＩＴＯを含んでいる、
   請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
7. 前記ＴＣＯ層（２ａ）が０．５ｎｍより大きい厚さを示す、
   請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
8. 前記ＴＣＯ層（２ａ）が、１５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲内（両端値を含む）の厚さを示す、
   請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
9. 前記半導体ボディ（１）が傾斜側面（１１）を備えている、
   請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
10. 前記半導体ボディ（１）がＧａＮ系である、
    請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
11. 前記ミラー層（２ｂ）は、前記半導体材料に直接には接触しない、
    請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。

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