JP2012064759A - 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光装置1は、光を発生する半導体発光素子10と、半導体発光素子10に電力を供給する配線として働くとともに、半導体発光素子10が発光した光の波長を反射する反射層21、24が設けられたサブマウント15とを備えている。半導体発光素子10は、透光性基板110上に、中間層120、下地層130、積層半導体層100、透光性電極170が順に積層されている。半導体発光素子10の透光性電極170とサブマウント15の反射層21、24とは、距離が隔てられて対向しているので、半導体発光素子10が発生し透光性電極170に向かう光が効率よく反射され、半導体発光素子10から取り出すことができる。
【選択図】図1
Description
そして、透光性電極上には、Au(金)のボンディングワイヤと接続する部分にAuまたはAuを含む合金からなるボンディングパッドを形成していた。これらのボンディングパッドは発光層からの光を遮光するため、透光性電極上のボンディングパッドが形成された部分から、発光層からの発光を取り出せなかった。
本発明は、半導体発光素子の表面に透光性電極を設け、半導体発光素子の表面に反射層を設けない構成において、半導体発光素子からの光取り出し効率を向上させた半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、反射板に設けられた反射層は、半導体発光素子に電力を供給する一対の配線であることを特徴とすることができる。
さらに、反射板の反射層は、AgまたはAgを含む合金であることを特徴とすることができる。
そして、反射板の反射層は、反射層上に反射層の酸化または腐食を抑制する保護膜をさらに備えることを特徴とすることができる。
また、本発明が適用される半導体発光装置は、半導体発光素子の透光性基板とは反対側に設けられた正負一対の接続電極と、反射板の一対の配線とは、反射板上に設けられたバンプによってそれぞれが接続されていることを特徴とすることができる。
そしてまた、半導体発光素子の透光性基板は、積層半導体層側の面に複数の凹部が設けられていることを特徴とすることができる。
また、他の観点から捉えると、本発明が適用される半導体発光装置の製造方法は、予め定められた光を発光する発光層を含む積層半導体層と、積層半導体層の一方の面側に設けられ、この光を透過する透光性基板と、積層半導体層の他方の面側に設けられ、この光を透過する透光性電極とを含む半導体発光素子の積層半導体層の他方の面側に設けられた正負一対の接続電極を、この光を反射し、透光性電極と対向する反射層を含む反射板の配線として働く反射層上に設けられたバンプに対応させる工程と、半導体発光素子を反射板に加熱して押圧する工程とを含んでいる。
[第1の実施の形態]
図1は本実施の形態が適用される半導体発光装置1の断面模式図の一例を示す図である。図2は、図1に示す半導体発光装置1の平面模式図の一例を示す図である。
半導体発光装置1は、光を発生する半導体発光素子10と、半導体発光素子10に電力を供給する配線として働くとともに、半導体発光素子10が発生する光の波長を反射する反射層21、24が設けられた反射板の一例としてのサブマウント15とを備えている。
また、サブマウント15は、半導体発光素子10における第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240のそれぞれと、反射層21、24とを電気的に接続するバンプ(接続子)31、34を備えている。
ところで、半導体発光素子10は、裏返してサブマウント15に搭載されている。このため、図1では、透光性基板110が上側に位置している。よって、各層の積層順は、図1において上側から下側へとなっている。サブマウント15に対して、半導体発光素子10を裏返してバンプ31、34を介して実装することをフリップチップ(FC)ボンディングと呼ぶ。また、半導体発光素子10が裏返して実装されることから、この実装形式をフェイスダウン(FD)実装とも呼ぶ。
半導体発光素子10の積層半導体層100から発生する光は、透光性基板110側から外部に取りだされる。
その結果、発光波長λがほぼ450nm付近にある青色発光の半導体発光素子10では、半導体発光素子10の透光性電極170とサブマウント15の反射層21、24との距離(空気層の厚さHに相当)を、少なくとも1μmとすることにより、半導体発光素子10の透光性基板110側からの光取出し効率を格段と高めうる。
このシミュレーションでは、半導体発光素子10の発光層150から発生した光は、平面波として360°の方向に等方的に放射されていると仮定した。そして、光は、透光性電極170を透過して、反射層21、24に対して0〜90°の入射角で進むとした。そして、図12に示す反射率は、それぞれの空気層の厚さHに対して、入射角度毎に求めた反射率を0〜90°の入射角の範囲において積分して求めた。
すなわち、本実施の形態では、半導体発光素子10において透光性電極170を用いていることにより、半導体発光素子10から取り出される光は、透光性基板110側に向かってそのまま外部に取り出される光と、透光性電極170側に向かって進み、半導体発光素子10において透光性電極170と、サブマウント15の反射層21、24と、それらの間の空気層とで構成される構造により反射され外部に取り出される光とからなる。
特に、本実施の形態では、半導体発光素子10の透光性電極170と、サブマウント15の反射層21、24とが空気層または屈折率の低い透明な材料を介して(距離を有して)対向させているので、半導体発光素子10において透光性電極170と、サブマウント15の反射層21、24と、それらの間の空気層とで構成される構造により効率よく反射され、外部に取り出される。
(サブマウント)
図2は、半導体発光素子10側(図1の上側)からサブマウント15を見た図である。サブマウント15は、サブマウント基板20と、そのサブマウント基板20上に、半導体発光素子10に対向して設けられた反射層21、24とを備える。反射層21と反射層24とは、電気的に絶縁するための間隙を介して配置されている。
なお、Al基板等の導電性の基板を用いるときには、配線として働く反射層21、24を相互に電気的に絶縁するため、反射層21、24の少なくとも一方は絶縁層を介して設けられる。
なお、図2において、反射層21、24は、サブマウント基板20の半導体発光素子10を搭載する側の面(表面)上にのみ形成されているが、サブマウント基板20の側面から、半導体発光素子10を搭載する面(表面)の逆側の面(裏面)まで延びて形成されてもよい。さらに、反射層21、24の形状(パタン)についても、図2に例示したパタンに限られない。すなわち、半導体発光素子10を使用する形態に応じて、反射層21、24の形状を定めればよい。
また、腐食性や酸化性の雰囲気等による反射層21、24の腐食や酸化を防止するため、バンプ31、34(図1参照)が形成される部分を除いて、反射層21、24を覆うように保護膜を設けてもよい。保護膜としては、SiO2、SiNx、低融点ガラスなどの無機材料や、シリコーン樹脂などの有機材料が用いうる。
図3は、半導体発光素子10の断面模式図の一例を示す図である。図1では、半導体発光素子10は、裏返してサブマウント15に搭載されていた。ここでは、理解を容易にするため、半導体発光素子10を裏返さない状態で説明する。すなわち、図3では、透光性基板110は下側に位置している。
図4は、図3に示す半導体発光素子10の平面模式図の一例を示す図である。
この半導体発光素子10においては、第1のボンディングパッド電極210を正極、第2のボンディングパッド電極240を負極とし、両者を介して積層半導体層100(より具体的にはp型半導体層160、発光層150およびn型半導体層140)に電流を流すことで、発光層150が発光するようになっている。
<基板>
透光性基板110(基板110)としては、III族窒化物半導体結晶が表面にエピタキシャル成長される基板であって、発光層150で発生した光を透過するものであれば、特に限定されず、各種の基板を選択して用いることができる。例えば、サファイア、炭化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タングステン、酸化モリブデン等が挙げられる。これらの中でも、サファイア、炭化ケイ素(シリコンカーバイド:SiC)が好ましい。
また、上記基板の中でも、特に、(0001)面(c面)を主面とするサファイア基板を用いることが好ましい。サファイア基板を用いる場合は、サファイアのc面上に中間層120(バッファ層)を形成するとよい。
図5は、透光性基板110の凹部110aが形成された面110cを斜め上方から鳥瞰した図である。透光性基板110の中間層120が積層される面110cには、一例として面110cの表面から深さdの円筒状の凹部110aが複数設けられている。
凹部110aを設けるのは、光取り出し効率を向上させるためである。すなわち、凹部110aを設けない場合には、発光層150で発生し透光性基板110側に向かって進む光のうち、透光性基板110と中間層120との界面に、この界面の全反射角より大きい角度で入射する光は、この界面で全反射され、透光性基板110の外部(図3では下側)に取り出すことができない。そこで、透光性基板110に凹部110aを設けることにより、全反射を低減し、透光性基板110の外に取り出せるようにしている。
凹部110aの深さd(図5参照)は、例えば0.7μmである。そして、凹部110aのピッチaは、例えば2μmで、このとき直径は1μmである。なお、凹部110aのピッチa、平面形状および配列は、図6に示すものに限られず、光取り出し効率を向上させることができるものであればよい。例えば、透光性基板110に、WO/2009/154215号公報に記載の凸部を基板110に形成してもよく、凸部形状の一例として、半球状で基部幅1.0μm、高さ1.0μm、隣接する凸部間の間隔を1.8μmとすることもできる。また、透光性基板110は、特開2009−127717号公報に記載の形状を採用してもよい。
中間層120は、多結晶のAlxGa1−xN(0≦x≦1)からなるものが好ましく、単結晶のAlxGa1−xN(0≦x≦1)のものがより好ましい。
中間層120は、上述のように、例えば、多結晶のAlxGa1−xN(0≦x≦1)からなる厚さ10nm〜0.5μmのものとすることができる。中間層120の厚みが10nm未満であると、中間層120により透光性基板110と下地層130との格子定数の違いを緩和する効果が十分に得られない場合がある。また、中間層120の厚みが0.5μmを超えると、中間層120としての機能には変化が無いのにも関わらず、中間層120の成膜処理時間が長くなり、生産性が低下するおそれがある。
中間層120は、透光性基板110と下地層130との格子定数の違いを緩和し、透光性基板110のサファイアの(0001)面(c面)上にC軸配向した単結晶層の形成を容易にする働きがある。したがって、中間層120の上に単結晶の下地層130を積層すると、より一層結晶性の良い下地層130が積層できる。なお、本発明においては、中間層形成工程を行なうことが好ましいが、行なわなくても良い。
また、中間層120をなすIII族窒化物半導体の結晶は、成膜条件をコントロールすることにより、六角柱を基本とした集合組織からなる柱状結晶(多結晶)とすることも可能である。なお、ここでの集合組織からなる柱状結晶とは、隣接する結晶粒との間に結晶粒界を形成して隔てられており、それ自体は縦断面形状として柱状になっている結晶のことをいう。
下地層130としては、AlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)を用いることができるが、AlxGa1−xN(0≦x<1)を用いると結晶性の良い下地層130を形成できるため好ましい。
下地層130の膜厚は0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.5μm以上であり、1μm以上が最も好ましい。この膜厚以上にした方が結晶性の良好なAlxGa1−xN層が得られやすい。
下地層130の結晶性を良くするためには、下地層130は不純物をドーピングしない方が望ましい。しかし、p型あるいはn型の導電性が必要な場合は、p型不純物あるいはn型不純物を添加することができる。
積層半導体層100は、例えば、III族窒化物半導体からなる層であって、図3に示すように、透光性基板110上に、n型半導体層140、発光層150およびp型半導体層160の各層がこの順で積層されて構成されている。
また、n型半導体層140、発光層150及びp型半導体層160の各層は、それぞれ、複数の半導体層から構成してもよい。
ここで、n型半導体層140は、電子をキャリアとする電気伝導を行い、p型半導体層160は、正孔をキャリアとする電気伝導を行う。
なお、積層半導体層100は、MOCVD法で形成すると結晶性の良いものが得られるが、スパッタ法によっても条件を最適化することで、MOCVD法よりも優れた結晶性を有する半導体層を形成できる。以下、順次説明する。
図7は、積層半導体層100の断面模式図の一例を示す図である。n型半導体層140は、nコンタクト層140aとnクラッド層140bとから構成されるのが好ましい。なお、nコンタクト層140aはnクラッド層140bを兼ねることも可能である。また、前述の下地層130をn型半導体層140に含めてもよい。
nコンタクト層140aは、第2のボンディングパッド電極240を設けるための層である。nコンタクト層140aとしては、AlxGa1−xN層(0≦x<1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ましい。
また、nコンタクト層140aにはn型不純物がドープされていることが好ましく、n型不純物を1×1017〜1×1020/cm3、好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の濃度で含有すると、第2のボンディングパッド電極240との良好なオーミック接触を維持できる点で好ましい。n型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeが挙げられる。
nコンタクト層140aの膜厚は、0.5〜5μmとされることが好ましく、1〜3μmの範囲に設定することがより好ましい。nコンタクト層140aの膜厚が上記範囲にあると、半導体の結晶性が良好に維持される。
nクラッド層140bの膜厚は、特に限定されないが、好ましくは5nm〜0.5μmであり、より好ましくは5〜100nmである。nクラッド層140bのn型不純物濃度は1×1017〜1×1020/cm3が好ましく、より好ましくは1×1018〜1×1019/cm3である。不純物濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および素子の動作電圧低減の点で好ましい。
また、nクラッド層140bは、n側第1層とn側第2層とが交互に繰返し積層された構造を含んだものであってもよく、GaInNとGaNとの交互構造又は組成の異なるGaInN同士の交互構造であることが好ましい。
n型半導体層140の上に積層される発光層150としては、単一量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造などを採用することができる。
図7に示すような、量子井戸構造の井戸層150bとしては、Ga1−yInyN(0<y<0.4)からなるIII族窒化物半導体層が通常用いられる。井戸層150bの膜厚としては、量子効果の得られる程度の膜厚、例えば1nm〜10nmとすることができ、好ましくは2nm〜6nmとすると発光出力の点で好ましい。
また、多重量子井戸構造の発光層150の場合は、上記Ga1−yInyNを井戸層150bとし、井戸層150bよりバンドギャップエネルギが大きいAlzGa1−zN(0≦z<0.3)を障壁層150aとする。井戸層150bおよび障壁層150aには、設計により不純物をドープしてもしなくてもよい。
図7に示すように、p型半導体層160は、通常、pクラッド層160aおよびpコンタクト層160bから構成される。また、pコンタクト層160bがpクラッド層160aを兼ねることも可能である。
pクラッド層160aは、発光層150へのキャリアの閉じ込めとキャリアの注入とを行なう層である。pクラッド層160aとしては、発光層150のバンドギャップエネルギより大きくなる組成であり、発光層150へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、AlxGa1−xN(0<x≦0.4)のものが挙げられる。
pクラッド層160aが、このようなAlGaNからなると、発光層150へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。pクラッド層160aの膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1nm〜400nmであり、より好ましくは5nm〜100nmである。
pクラッド層160aのp型不純物濃度は、1×1018〜1×1021/cm3が好ましく、より好ましくは1×1019〜1×1020/cm3である。不純物濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なp型結晶が得られる。
また、pクラッド層160aは、複数回積層した超格子構造としてもよく、AlGaNとAlGaNとの交互構造又はAlGaNとGaNとの交互構造であることが好ましい。
p型不純物を1×1018〜1×1021/cm3の濃度、好ましくは5×1019〜5×1020/cm3の濃度で含有していると、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましい。p型不純物としては、特に限定されないが、例えば好ましくはMgが挙げられる。
pコンタクト層160bの膜厚は、特に限定されないが、10〜500nmが好ましく、より好ましくは50〜200nmである。pコンタクト層160bの膜厚がこの範囲であると、発光出力の点で好ましい。
図3に示すように、p型半導体層160の上には透光性電極170が積層されている。
図4に示すように、平面視したときに、透光性電極170(図3参照)は、第2のボンディングパッド電極240を形成するために、エッチング等の手段によって一部が除去されたp型半導体層160の上面160cのほぼ全面を覆うように形成されている。しかし、このような形状に限定されるわけでなく、隙間を開けて格子状や樹形状に形成してもよい。
これらの材料を、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることによって、透光性電極170を形成できる。また、透光性電極170を形成した後に、透光性電極170の透明化を目的とした熱アニールを施す場合もある。
特に、熱処理によって結晶化したIZO膜は、アモルファス状態のIZO膜に比べて、第1のボンディングパッド電極210や後述する接合層、p型半導体層160との密着性が良いため、本発明の実施形態において有効である。
次に、正極として働く第1のボンディングパッド電極210の構成の一例について詳細に説明する。
IZO膜からなる透光性電極170の上には、サブマウント15に設けられた反射層21とバンプ31を介して電気的に接続するための第1のボンディングパッド電極210が設けられている。第1のボンディングパッド電極210は、Au、Al、NiおよびCu等の材料を用いた各種構造が知られている。中でも、Au、Alまたはこれらの金属の少なくとも一種を含む合金からなることが好ましい。AuおよびAlはバンプとして使用されることが多いAu合金との密着性の良い金属なので、Au、Alまたはこれらの金属の少なくも一種を含む合金を用いることにより、バンプ31との密着性に優れたものとすることができる。中でも、特に望ましいのはAuまたはAuの合金である。また、第1のボンディングパッド電極210の厚さは、50〜2000nmの範囲内であることが好ましい。更に望ましくは300nm以上且つ1500nm以下である。
第1のボンディングパッド電極210が薄すぎるとバンプ31との密着性が悪くなり、厚すぎても特に利点は生ぜず、コスト増大を招くのみである。また、ボンディングパッドの特性上、厚いほどバンプ31との密着性が高くなって好ましい。このため、第1のボンディングパッド電極210の厚さは300nm以上とすることがより好ましい。さらに、製造コストの観点から500nm以下とすることが好ましい。
また、第1のボンディングパッド電極210と透光性電極170との接合強度を高めるために、例えば、Al、Ti、Zn、Zr、Nb、Mg、Bi、Si、Hf、Taなどの接合層を透光性電極170上に設けてもよい。
このため、第1のボンディングパッド電極210は、例えば第2のボンディングパッド電極240から最も遠い位置に形成してもよいし、半導体発光素子10の中心などに形成してもよい。しかし、あまりにも第2のボンディングパッド電極240に近接した位置に形成すると、バンプ31、34間でショートを生じてしまうため好ましくない。
また、第1のボンディングパッド電極210の電極面積としては、できるだけ大きいほうがフリップチップボンディング作業はしやすいものの、半導体発光素子10からの発光を、透光性電極170を通して、一旦半導体発光素子10から取り出す妨げになる。
具体的には、バンプ31の直径よりもわずかに大きい程度が好ましく、直径100μmの円形程度であることが一般的である。
続いて、負極として働く第2のボンディングパッド電極240の構成の一例について詳細に説明する。
第2のボンディングパッド電極240は、図3に示すように、n型半導体層140の半導体層露出面140cに形成されている。このように、第2のボンディングパッド電極240を形成する際には、エッチング等の手段によって発光層150およびp型半導体層160の一部を切り欠き除去してn型半導体層140のnコンタクト層140a(図7参照)を露出させ、得られた半導体層露出面140c上に第2のボンディングパッド電極240を形成する。
図4に示すように、平面視したときに、第2のボンディングパッド電極240は円形状とされているが、このような形状に限定されるわけでなく、多角形状など任意の形状とすることができる。
また、第2のボンディングパッド電極240の厚みは、50〜20000nmの範囲であることが好ましく、更に望ましくは300〜15000nmである。
第2のボンディングパッド電極240が薄すぎるとバンプ34との密着性が悪くなり、厚すぎても特に利点は生ぜず、コスト増大を招くのみである。
(半導体発光素子の製造方法)
まず、本実施の形態における半導体発光素子10の製造方法を説明する。
半導体発光素子10は、透光性基板110に凹部110aを形成する凹部形成工程と、透光性基板110上に、中間層120を形成する中間層形成工程と、下地層130を形成する下地層形成工程と、発光層150を含む積層半導体層100を形成する工程と、積層半導体層100上に透光性電極170を形成する工程と、積層半導体層100の一部を切り欠き除去して半導体層露出面140cを形成する工程と、透光性電極170の上面170cに第1のボンディングパッド電極210を形成し且つ半導体層露出面140cに第2のボンディングパッド電極240を形成する電極形成工程とを有している。なお、凹部110aの替わりに凸部を形成してもよく、この場合、半導体発光素子10の製造方法として凹部形成工程の替わりに、透光性基板110に凸部を形成する凸部形成工程を有することになる。
<凹部形成工程>
先ず、サファイア基板等の透光性基板110を用意し、凹部110aを形成する面に、例えば、フォトリソグラフィ法等によりエッチング阻止膜としてのレジストパタン形成を形成する。この後、プラズマエッチング法等により、透光性基板110に円筒状の凹部110aを形成する。
<中間層形成工程>
次に、透光性基板110に中間層120を形成するために前処理を施す。前処理としては、例えば、スパッタ装置のチャンバ内に透光性基板110を配置し、中間層120を形成する前にスパッタするなどの方法によって行うことができる。具体的には、チャンバ内において、透光性基板110をArやN2のプラズマ中に曝す事によって上面を洗浄する前処理を行なってもよい。ArガスやN2ガスなどのプラズマを透光性基板110に作用させることで、透光性基板110の上面に付着した有機物や酸化物を除去することができる。
スパッタ法によって、単結晶構造を有する中間層120を形成する場合、チャンバ内の窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が50〜100%、望ましくは75%となるようにすることが望ましい。
また、スパッタ法によって、柱状結晶(多結晶)を有する中間層120を形成する場合、チャンバ内の窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が1〜50%、望ましくは25%となるようにすることが望ましい。なお、中間層120は、上述したスパッタ法だけでなく、MOCVD法で形成することもできる。
<下地層形成工程>
次に、中間層120を形成した後、中間層120が形成された透光性基板110の上面に、単結晶の下地層130を形成する。下地層130は、スパッタ法で形成してもよく、MOCVD法で形成してもよい。
積層半導体層形成工程は、n型半導体層形成工程と、発光層形成工程と、p型半導体層形成工程とからなる。
<n型半導体層形成工程>
下地層130の形成後、nコンタクト層140a及びnクラッド層140bを積層してn型半導体層140を形成する。nコンタクト層140a及びnクラッド層140bは、スパッタ法で形成してもよく、MOCVD法で形成してもよい。
発光層150の形成は、スパッタ法、MOCVD法のいずれの方法でもよいが、特にMOCVD法が好ましい。具体的には、障壁層150aと井戸層150bとを交互に繰り返して積層し、且つ、n型半導体層140側及びp型半導体層160側に障壁層150aが配される順で積層すればよい。
また、p型半導体層160の形成は、スパッタ法、MOCVD法のいずれの方法でもよい。具体的には、pクラッド層160aと、pコンタクト層160bとを順次積層すればよい。
<半導体層露出面形成工程>
透光性電極170の形成に先立ち、フォトリソグラフィ等によりエッチング阻止膜としてのレジストパタン形成とそれに引き続くエッチングによる手法によって、積層半導体層100の一部をエッチングしてnコンタクト層140aの一部を露出させ、半導体層露出面140cを形成する。
マスクで半導体層露出面140cをカバーして、エッチング除去せずに残したp型半導体層160上に、スパッタ法などの公知の方法を用いて、透光性電極170を形成する。
なお、p型半導体層160上に先に透光性電極170を形成した後、透光性電極170を形成した状態で、積層半導体層100の一部をエッチングすることで半導体層露出面140cを形成するようにしてもよい。
そして、第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240をそれぞれ形成する部分に対応する部位のレジストを公知の手法によって除去することで、p型半導体層160上に形成された保護層180の一部および半導体層露出面140c上に形成された保護層180の一部をそれぞれ外側に露出させる。
そして、透光性電極170の上面に垂直な方向よりSiO2からなる保護層180のRIE(反応性イオンエッチング)を行い、第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240を形成する部分に対応する部位の保護層180を除去して、透光性電極170の一部およびnコンタクト層140aの一部の上面を露出させる。
次に、スパッタ法により、透光性電極170の露出面上に第1のボンディングパッド電極210と第2のボンディングパッド電極240とを形成する。このとき、スパッタ条件を制御することにより、スパッタ材料によらず、カバレッジ性を高くして、第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240を成膜することができる。なお、このとき、透光性電極170上および半導体層露出面140c上に残存する硬化したレジスト上にも第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240と同じ材料が堆積される。
そして、このようにして得られた半導体発光素子10を、例えば窒素などの還元雰囲気下において、150〜600℃、より好ましくは200〜500℃でアニール処理する。このアニール工程は、透光性電極170と第1のボンディングパッド電極210との密着性、および、半導体層露出面140cと第2のボンディングパッド電極240との密着性を高めるために行われる。なお、アニール処理は必ずしも行う必要はないが、密着性を高めるためには行う方がより好ましい。
次に、サブマウント15の製造方法を説明する。
セラミック等のサブマウント基板20を用意し、リフトオフ法などによりAgの反射層21、24を形成する。そして、半導体発光素子10の第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240と接続する部分、すなわちバンプ31、34等を形成する部分を除いて、リフトオフ法などによりSiO2からなる保護膜で覆おう。最後に、Au−Sn合金からなるバンプ31、34を、同じくリフトオフ法等により形成する。
最後に、半導体発光装置1の製造方法を説明する。
サブマウント15上に半導体発光素子10を裏返して設置し、予め定められた接続関係に基づいて、サブマウント15上のバンプ31、34が、それぞれ半導体発光素子10の第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240と接続されるように半導体発光素子10の位置をサブマウント15と対応させる(対応させる工程)。
その後、例えば、300℃に加熱しつつ、半導体発光素子10をサブマウント15に押圧(圧着)する(加熱して押圧する工程)。これにより、バンプ31、34と第1のボンディングパッド電極210と第2のボンディングパッド電極240とがそれぞれ電気的に接続される。
このようにして、半導体発光装置1が完成する。
図8は、第2の実施の形態が適用される半導体発光装置1の一例を示す図である。
第1の実施の形態の半導体発光装置1では、図2に示したように、半導体発光素子10の第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240が、半導体発光素子10の対向する辺に対して中央部分に設けられていた。一方、第2の実施の形態では、図8に示すように、半導体発光素子10の第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240は、半導体発光素子10の表面の対向する角の部分に設けられている。その他の構成は、第1の実施の形態と同様であるので、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
第2の実施の形態においても、半導体発光素子10の発光層150で発生した光のうち、透光性電極170に向かう光は、透光性電極170と、サブマウント15の反射層21、24と、それらの間の空気層とで構成される構造により反射されるため、光の取り出し効率が向上する。
図9は、第3の実施の形態が適用される半導体発光装置1の一例を示す図である。
第1の実施の形態の半導体発光装置1では、図1に示したように、半導体発光素子10の第2のボンディングパッド電極240は1カ所に設けられていた。一方、第3の実施の形態では、図9に示すように、半導体発光素子10の第2のボンディングパッド電極240は、2カ所に設けられている。これは、半導体発光素子10のnコンタクト層140aとサブマウント15の反射層24との接続をより確かにするためである。その他の構成は、第1の実施の形態と同様であるので、同じ符号を付して、詳細な説明を省略する。
第3の実施の形態においても、半導体発光素子10の発光層150で発生した光のうち、透光性電極170に向かう光は、透光性電極170と、サブマウント15の反射層21、24と、それらの間の空気層とで構成される構造により反射されるため、光の取り出し効率が向上する。
図10は、実施例(実施例1、2、3、4)および比較例(比較例1、2)の半導体発光装置1における順方向電圧Vf(V)、発光ピーク波長λd(nm)、発光エネルギPo(mW)を示す図である。
まず、実施例および比較例に用いた半導体発光素子10について説明する。
実施例および比較例に用いた半導体発光素子10は、図3と同じ構造を有している。
すなわち、透光性基板110はC軸配向したサファイア基板である。
そして、実施例1、2および比較例1では、透光性基板110に、図6に示すような一辺(ピッチa)が2μmの正三角形の頂点の位置に蜂の巣状に配列され、径が1μmで深さdが0.7μmの円筒状の凹部110aが形成されている。
一方、実施例3、4および比較例2では、透光性基板110に、図6に示すような一辺(ピッチa)が4μmの正三角形の頂点の位置に蜂の巣状に配列され、径が2μmで深さdが1μmの円筒状の凹部110aが形成されている。
なお、第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240の配列は図4に示した第1の実施の形態と同じである。
実施例1〜4は、図10に示すように、図1に示したフェイスダウン実装(フリップチップボンディング)である。そして、実施例1および3では、反射層21、24がAg(Ag電極サブマウント)で構成されている。一方、実施例2および4では、反射層21、24がAu(Au電極サブマウント)で構成されている。
そして、半導体発光素子10の透光性電極170とサブマウント15の反射層21、24との間の空気層の厚さHは10μmとした。
図11は、比較例1、2の半導体発光装置1の断面模式図を示す図である。
比較例1、2は、パッケージ基板30上にパッド35、36を備えたパッケージ16と、パッケージ16に搭載された半導体発光素子10と、パッド35、36と半導体発光素子10の第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240とをそれぞれ接続するボンディングワイヤ310、340とを備える。すなわち、比較例1、2の半導体発光装置1は、ワイヤボンディングで実装されている。そして、半導体発光素子10は、透光性基板110側が銀(Ag)ペースト(図示せず)でパッケージ16に固定される。半導体発光素子10の透光性電極170が設けられた側(表面側)が上となって実装されているので、フェイスアップ実装である。半導体発光素子10の構成は、実施例1〜4と同じであるので、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
フェイスアップ実装では、ボンディングワイヤ310、340により、半導体発光素子10の第1のボンディングパッド電極210および第2のボンディングパッド電極240とパッケージ基板30上のパッド35、36とを接続している。このため、発光層150で発生した光のうち、透光性電極170へ向かう光は、透光性電極170を通して外部に取り出される。しかし、第1のボンディングパッド電極210に覆われた透光性電極170の部分からは光を取り出すことができない。
図10に示す、半導体発光素子10の順方向電圧Vfは、電流−電圧特性から求めた。また、発光エネルギPoは、分光光度計により発光波長λに対して発光強度を求め、発光波長帯域にわたって発光強度を積分することから求めた。また、発光強度がピークとなる発光波長λを発光ピーク波長λdとした。
これらの半導体発光装置1の半導体発光素子10の順方向電圧Vfは3.14〜3.15V、発光ピーク波長λdは402nmであり、ほぼ同じである。しかし、発光エネルギPoは、実施例1(フェイスダウン実装であって、反射層21、24がAg)では28.56mW、実施例2(フェイスダウン実装であって、反射層21、24がAu)では18.78mWである。一方、フェイスアップ実装の比較例1では16.3mWである。
順方向電圧Vfおよび発光ピーク波長λdがほぼ同じであることから、それぞれの半導体発光素子10の特性は同じと考えられる。したがって、発光エネルギPoの差は、実装形式およびサブマウントの反射層21、24の材質によると考えられる。
ここで、実施例1と実施例2とを比較すると、反射層21、24としてAgを用いた実施例1では、反射層21、24としてAuを用いた実施例2の1.52倍の発光エネルギPoが得られている。実施例1の発光エネルギPoが実施例2に比べ大きいのは、実施例1の反射層21、24の材料によると考えられる。
発光ピーク波長λdである402nm付近におけるAgの反射率は94.8%であり、Auの38.7%に比べ極めて大きい。そして、反射層21、24としてAgを想定して行ったシミュレーション(図12参照)では、半導体発光素子10の透光性電極170とサブマウント15の反射層21、24との間を4μm以上の空気層とすることで99%を超える高い反射率が得られている。
すなわち、実施例1の発光エネルギPoが大きいのは、図12に示したシミュレーションの結果のように、半導体発光素子10の透光性電極170と、サブマウント15の反射層21、24と、これらの間の空気層とで構成される構造が高い反射率を示すことによって、発光層150で発生した光のうち、透光性電極170側に向かう光が、効率よく反射され取り出すことができることによると考えられる。
フェイスアップ実装である比較例1では、発光層150で発生した光のうち、透光性電極170へ向かう光の一部は、第1のボンディングパッド電極210で遮光され取り出すことができない。また、半導体発光素子10の発光層150で発生した光のうち、透光性基板110側へ向かう光は、透光性基板110、接着剤である銀ペースト、サブマウント基板30の表面やそれらが接する界面などで一部反射され、透光性電極170側に向かう光となるが、実施例1における空気層を設けた場合と異なって、効率よく取り出すことができていないと考えられる。
すなわち、これらの半導体発光装置1の半導体発光素子10の順方向電圧Vfは3.15V、発光ピーク波長λdは401〜402nmである。しかし、発光エネルギPoは、実施例3(フェイスダウン実装であって、反射層21、24がAg)では27.91mW、実施例4(フェイスダウン実装であって、反射層21、24がAu)では17.95mWである。一方、フェイスアップ実装の比較例2では、発光エネルギPoは16.6mWである。
そして、Agの反射層21、24を用いた実施例3では、比較例2の1.68倍の発光エネルギPoが得られている。
このように、透光性基板110における凹部110aのピッチaおよび半径が異なっても、同様の結果が得られる。
なお、第2の実施の形態および第3の実施の形態の半導体発光装置1においても、同様な結果が得られる。
例えば、Ga1−xAlxAs(0<x<1)、GaAs1−xPx(0<x<1)、In1−xGaxP(0<x<1)などの化合物半導体を発光層150とする赤外から赤を発光する半導体発光素子10、AlP、AlAs、GaPなどを発光層150に用いた橙から緑を発光する半導体発光素子10を用いた半導体発光装置1にも適用できることは明らかである。
この場合、前述したことから分かるように、反射層21、24の材料は、発光層150の発生する光の波長に対して反射率の高い材料を選択すればよく、AgやAuの他に、Al、Cuなどが用いうる。また、屈折率の異なる誘電体層を交互に積層した誘電体ミラーを用いてもよい。
Claims (7)
- 予め設定された光を発光する発光層を含む積層半導体層と、当該積層半導体層の一方の面側に設けられ、当該光を透過する透光性基板と、当該積層半導体層の他方の面側に設けられ、当該光を透過する透光性電極とを含む半導体発光素子と、
前記光を反射する反射層を含み、当該反射層と前記半導体発光素子の前記透光性電極とが対向するように配置される反射板とを備え、
前記半導体発光素子の前記透光性電極と前記反射板の前記反射層とは、少なくとも1μmの空気層を隔てて対向している
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記反射板に設けられた反射層は、前記半導体発光素子に電力を供給する一対の配線であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記反射板の前記反射層は、AgまたはAgを含む合金であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記反射板の前記反射層は、当該反射層上に当該反射層の酸化または腐食を抑制する保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記半導体発光素子の前記透光性基板とは反対側に設けられた正負一対の接続電極と、前記反射板の前記一対の配線とは、当該反射板上に設けられたバンプによってそれぞれが接続されていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記半導体発光素子の前記透光性基板は、前記積層半導体層側の面に複数の凹部が設けられていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 予め定められた光を発光する発光層を含む積層半導体層と、当該積層半導体層の一方の面側に設けられ、当該光を透過する透光性基板と、当該積層半導体層の他方の面側に設けられ、当該光を透過する透光性電極とを含む半導体発光素子の当該積層半導体層の他方の面側に設けられた正負一対の接続電極を、前記光を反射し、前記透光性電極と対向する反射層を含む反射板の配線として働く反射層上に設けられたバンプに対応させる工程と、
前記半導体発光素子を前記反射板に加熱して押圧する工程と
を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
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