CN102386319B - 发光元件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种发光元件,其包含:一半导体叠层,具有一第一面以及一与第一面相对的第二面;一沟槽形成于半导体叠层之中,具有一开口接近第二面、一底部、与一内侧壁连接开口与底部,其中开口的面积大于底部的面积。发光元件还包含一介电层形成于沟槽的内侧壁与第二面上;及一第一金属层形成于介电层上。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光元件,尤其是涉及一种具有连接结构的发光元件。
背景技术
发光二极管是一种固态半导体元件,被广泛使用做为发光元件。发光元件结构至少包含一p型半导体层、一n型半导体层与一活性层,其中活性层形成于p型半导体层与n型半导体层之间。发光元件的结构包含由三-五族元素组成的化合物半导体,例如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN),其发光原理是利用电子在n型半导体层与p型半导体层之间移动的能量差,将电能转换成光能。
图1描述了现有技术中一发光元件与一承载基板接合前的剖视图,发光元件包含一半导体叠层10a,其提供一第一面18与一第二面181。半导体叠层10a包含一第一半导体层11、一第二半导体层13与一形成于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12,且活性层12为发光区。一沟槽形成于半导体叠层10a之中,其形成方法可以是湿蚀刻或干蚀刻。一介电层14形成于沟槽的内侧壁以与第二半导体层13、活性层12电性绝缘。然后,将一导电材料填充于绝缘沟槽中以形成一第一金属层15。一反射层16形成于半导体叠层10a与介电层14之间。一孔洞17是未被第一金属层15所填满的区域。一第一连接层101形成于一承载基板102之上以与第一金属层15连接,形成导电连接结构。如图1所示,在形成第一连接层101与第一金属层15之后,半导体叠层10a可利用金属接合(metal bonding)或胶质粘着(gluebonding)与承载基板102连接。
图2A描述了现有技术中一发光元件20的剖视图。如图2A所示,由于半导体叠层20a中具有沟槽200,如第一金属层25的导电材料不易填入,所以填完导电材料之后的沟槽200表面是凹面的结构。
当第一金属层25与形成于一承载基板202上的第一连接层201相连接时,一孔洞204便形成于第一金属层25与第一连接层201之间,使第一金属层25与第一连接层201之间的接触面积变小,发光元件20的电阻因而提高。如图2B所示,沟槽200的周围为所填入的第一金属层25,而中间未被第一金属层25所填满的区域则形成孔洞204。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种发光元件,其包含:一半导体叠层,具有一第一面以及一与第一面相对的第二面;一沟槽形成于半导体叠层之中,具有一开口接近第二面、一底部、与一内侧壁连接开口与底部,其中开口的面积大于底部的面积。发光元件还包含一介电层形成于沟槽的内侧壁与第二面上;及一第一金属层形成于介电层之上。
附图说明
图1是现有的发光元件结构图;
图2A是现有的发光元件结构图;
图2B是现有的发光元件结构图;
图3A是本发明第一实施例的发光元件剖视图;
图3B是本发明第一实施例的沟槽上视图;
图4A是本发明第二实施例的发光元件剖视图;
图4B是本发明第一实施例的沟槽上视图;
图5A是本发明第三实施例的发光元件剖视图;
图5B是本发明第一实施例的沟槽上视图。
主要元件符号说明
半导体叠层10a、20a、30a、40a、50a
第一半导体层11、21、31、41、51
活性层12、22、32、42、52
第二半导体层13、23、33、43、53
介电层14、24、34、44、54
第一金属层15、25、35、45、55
反射层16、26、36、46、56
第一面18、28、39、49、60
发光元件20、30、40、50
第二电极27、37、47、57
导电凸出结构38、48
穿孔58
背部连接59
第一连接层101、201、301、401、501
承载基板102、202、302、402、502
沟槽200、300、400、500
第一电极203、303、403、503
孔洞17、204、304、404
第二面181、281、391、491、601
开口306、406、506
底部305、405、505
内侧壁307、407、507
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备,请参照下列描述并配合图3A至图5B的图示。如图3A~图3B所示,依据本发明第一实施例的发光元件30的剖视图如下:如图3A所示,本发明第一实施例的一发光元件30包含一半导体叠层30a,具有一第一面39、一第二面391与一活性层32;一沟槽300形成于半导体叠层30a之中,具有一开口306接近第二面391、一底部305、与一内侧壁307连接开口306与底部305。在本实施例中,内侧壁307为一斜面。发光元件30还包含一介电层34形成于沟槽300的内侧壁307与第二面391上;一第一金属层35形成于介电层34之上;一承载基板302;及一第一连接层301连接承载基板302与半导体叠层30a。半导体叠层30a还包含一具有第一导电性的第一半导体层31靠近第一面39,一具有第二导电性的第二半导体层33靠近第二面391,其中活性层32位于第一半导体层31与第二半导体层33之间。活性层32的材料包含InGaN系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列为主的材料。
沟槽300形成于半导体叠层30a的方法可以是干蚀刻或是湿蚀刻。沟槽300的底部305形成于半导体叠层30a的第一半导体层31中,且沟槽300的开口306靠近第二面391。沟槽300靠近开口306的面积大于沟槽300靠近底部305的面积。介电层34形成于沟槽300的内侧壁307之上以与第二半导体层33、活性层32电性绝缘。介电层34的材料包含氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化钽、二氧化钛、或是高分子聚合物。此外,为了增加发光元件的发光效率,发光元件还包含一反射层36位于半导体叠层30a与介电层34之间。反射层36的材料包含金属或金属合金。
然后,将第一金属层35填入沟槽300中,第一金属层35的材料包含镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铬(Cr)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)、铂(Pt)或上述材料的组合。在第一金属层35填入的过程中会形成一凹面区域。接着,通过局部电镀制作工艺于沟槽300中第二次填入如第一金属层35的导电材料,并以第一金属层35作为种子层,再通过局部电镀制作工艺选择性地于沟槽300的凹面区域上形成一导电凸出结构38。导电凸出结构38的材料包含导电金属,例如镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铬(Cr)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)、铂(Pt)或上述材料的组合。
如图3B所示,第一金属层35与第一连接层301的接触面积与图2B相比较大,第一金属层35与第一连接层301的接触电阻因而降低。如图3B所示,沟槽300的上视图可以是圆形或是椭圆形,且导电凸出结构38的上视图可以是圆形或是椭圆形。导电凸出结构38的周长小于沟槽300的周长,也就是说导电凸出结构38可被容纳于沟槽300中。一孔洞304形成于第一金属层35与导电凸出结构38之间,且未被第一金属层35或是导电凸出结构38的材料所填入。如图3B所示,沟槽300的周围区域为所填入的第一金属层35,沟槽300的中间区域则为导电凸出结构38,而孔洞304形成于第一金属层35与导电凸出结构38之间。通过导电凸出结构38,图3B中第一金属层35与第一连接层301的接触面积相较于图2B较大,接触电阻因而降低。
形成第一金属层35与导电凸出结构38之后,半导体叠层30a通过第一连接层301与承载基板302连接。第一连接层301的材料包含金(Au)、锡(Sn)、铬(Cr)、锌(Zn)、镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)或上述材料的组合。承载基板302为一导电基板,其材料包含金属或金属合金,例如铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镍(Ni)、钴(Co)、钨(W)、钼(Mo)或上述材料的组合。本发明实施例中的发光元件30还包含一第一电极303形成于承载基板302上以与第一半导体层31电连接,及一第二电极37与第二半导体层33电连接。
如图4A所示,本发明第二实施例的一发光元件40包含一半导体叠层40a,具有一第一面49、一第二面491与一活性层42;一沟槽400形成于半导体叠层40a之中,具有一开口406接近第二面491、一底部405、与一内侧壁407连接开口406与底部405。在本实施例中,内侧壁407为一斜面。发光元件40还包含一介电层44形成于沟槽400的内侧壁407与第二面491上;一第一金属层45形成于介电层44之上;一承载基板402;及一第一连接层401连接承载基板402与半导体叠层40a。半导体叠层40a还包含一具有第一导电性的第一半导体层41靠近第一面49,一具有第二导电性的第二半导体层43靠近第二面491,其中活性层42位于第一半导体层41与第二半导体层43之间。活性层42的材料包含InGaN系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列为主的材料。
沟槽400形成于半导体叠层40a的方法可以是干蚀刻或是湿蚀刻。沟槽400的底部405形成于半导体叠层40a的第一半导体层41中,且沟槽400的开口406靠近第二面491。沟槽400靠近开口406的面积大于沟槽400靠近底部405的面积。部分半导体叠层40a通过现有光刻与蚀刻的技术形成一导电凸出结构48。导电凸出结构48包含一叠层,实质上包含与半导体叠层40a相同的材料。导电凸出结构48中叠层的材料包含一种或一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)、硒(Se)、砷(As)以及硅(Si)所构成的群组。因为沟槽400中的半导体层并未全部被蚀刻移除,沟槽400中所需填入如第一金属层45的导电性材料的区域并不如图2A所示的沟槽200深。所以相比较于图2A所示的结构,如图3A所示,本实施例中第一金属层45较容易填入沟槽400中。第一金属层45的材料包含镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铬(Cr)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)、铂(Pt)或上述材料的组合。如图4B所示,第一金属层45与第一连接层401的接触面积与图2B相比较大,接触电阻因而降低。如图4B所示,沟槽400的上视图可以是圆形或是椭圆形,且导电凸出结构48的上视图可以是圆形或是椭圆形。导电凸出结构48的周长小于沟槽400的周长,也就是说导电凸出结构48可被容纳于沟槽400中。一孔洞404形成于第一金属层45中,且未被第一金属层45或是导电凸出结构48的材料所填入。如图4B所示,沟槽400的周围区域为所填入的第一金属层45,沟槽400的中间区域45’包含与所填入的第一金属层45相同的材料,而孔洞404形成于第一金属层45之间。通过导电凸出结构48,图4B中第一金属层45与第一连接层401的接触面积相较于图2B较大,第一金属层45与第一连接层401的接触电阻因而降低。
介电层44形成于沟槽400的内侧壁407与导电凸出结构48的表面上以与第二半导体层43、活性层42电性绝缘。介电层44的材料包含氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化钽、二氧化钛、或是高分子聚合物。此外,为了增加发光元件的发光效率,一反射层46位于半导体叠层40a与介电层44之间。反射层46的材料包含金属或金属合金。
形成第一金属层45与导电凸出结构48之后,半导体叠层40a通过第一连接层401与承载基板402连接。第一连接层401的材料包含金(Au)、锡(Sn)、铬(Cr)、锌(Zn)、镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)或上述材料的组合。承载基板402为一导电基板,其材料包含金属或金属合金,例如铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镍(Ni)、钴(Co)、钨(W)、钼(Mo)或上述材料的组合。本发明实施例的发光元件40还包含一第一电极403形成于承载基板402上与第一半导体层41电连接,及一第二电极47与第二半导体层43电连接。
如图5A所示,本发明第三实施例的一发光元件50包含一半导体叠层50a,具有一第一面60、一第二面601与一活性层52;一沟槽500形成于半导体叠层50a之中,具有一开口506接近第二面601、一底部505、与一内侧壁507连接开口506与底部505。在本实施例中,内侧壁507为一斜面。发光元件50还包含一介电层54形成于沟槽500的内侧壁507与第二面601上;一第一金属层55形成于介电层54之上;一承载基板502;及一第一连接层501连接承载基板502与半导体叠层50a。半导体叠层50a还包含一具有第一导电性的第一半导体层51靠近第一面60,一具有第二导电性的第二半导体层53靠近第二面601,其中活性层52位于第一半导体层51与第二半导体层53之间。活性层52的材料包含InGaN系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列为主的材料。第一金属层55的材料包含镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铬(Cr)、金(Au)、锌(Zn)、铝(Al)、铂(Pt)或上述材料的组合。
在本实施例中,可利用干蚀刻或湿蚀刻形成通过半导体叠层50a的沟槽500。沟槽500靠近开口506的面积大于沟槽500靠近底部505的面积。沟槽500的底部505形成于第一面60上,且沟槽500的开口506靠近第二面601。
介电层54形成于沟槽500的内侧壁507上以与第二半导体层53及活性层52电性绝缘。介电层54的材料包含氧化硅、氮化硅、氧化镁、氧化钽、二氧化钛、或是高分子聚合物。此外,为了增加发光元件的发光效率,一反射层56位于半导体叠层50a与介电层54之间。反射层56的材料包含金属或金属合金。
在本发明第三实施例的发光元件50中,沟槽500还包含一穿孔58靠近沟槽500的底部505,故沟槽500可通过穿孔58贯通半导体叠层50a。由于将导电性材料填入沟槽时,部分制作工艺气体会残留于沟槽中,当导电性材料于填入沟槽并因制作工艺冷却而固化后,残留的制作工艺气体可经过穿孔58离开沟槽500。因沟槽500内无任何残留的制作工艺气体,故第一金属层55可填满沟槽500,并通过穿孔58与沟槽500的底部505而形成一背部连接59。背部连接59包含与第一金属层55相同的材料,并形成于第一面60以与第一半导体层51电连接。换句话说,第一半导体层51通过经过第一面60的第一金属层55与第一连接层501电连接,且中间无任何如图2B所示未被第一金属层25所填满的孔洞204。所以,如图5B所示,第一金属层55与第一连接层501的接触面积相较于图2B较大,第一金属层55与第一连接层501的接触电阻因而降低。如图5B所示,沟槽500的上视图可以是圆形或是椭圆形,且沟槽500被第一金属层55完全填入,无任何如图2B所示的孔洞。
形成第一金属层55于沟槽500中之后,半导体叠层50a通过第一连接层501与承载基板502连接。第一连接层501的材料包含金(Au)、锡(Sn)、铬(Cr)、锌(Zn)、镍(Ni)、钛(Ti)、铂(Pt)或上述材料的组合。承载基板502为一导电基板,其材料包含金属或金属合金,例如铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镍(Ni)、钴(Co)、钨(W)、钼(Mo)或上述材料的组合。
本发明实施例中的发光元件50还包含一第一电极503形成于承载基板502上与第一半导体层51电连接,及一第二电极57与第二半导体层53电连接。
以上各附图与说明虽仅分别对应特定实施例,然而,各个实施例中所说明或揭露的元件、实施方式、设计准则、及技术原理除在彼此显相冲突、矛盾、或难以共同实施之外,吾人当可依其所需任意参照、交换、搭配、协调、或合并。
虽然本发明已说明如上,然其并非用以限制本发明的范围、实施顺序、或使用的材料与制作工艺方法。对于本发明所作的各种修饰与变更,皆不脱本发明的精神与范围。
Claims (9)
1.一种发光元件,包含:
半导体叠层,包含第一面以及与该第一面相对的第二面,其中该半导体叠层还包含具有第一导电性的第一半导体层、具有第二导电性的第二半导体层,及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间;
沟槽形成于该半导体叠层之中,其中该沟槽包含开口、底部与内侧壁,其中该开口接近该第二面,该内侧壁连接该开口与该底部,该开口的面积大于该底部的面积,该第一半导体层靠近该第一面,该第二半导体层靠近该第二面;
介电层形成于该沟槽的该内侧壁与该第二面上;
承载基板靠近该第二面;
第一金属层形成于该介电层之上,其中该第一金属层与该第一半导体层相连接,该第一金属层透过该介电层以与该第二半导体层电性绝缘;
电极与该第二半导体层电连接,其中该电极与该承载基板形成于该第一金属层之相对侧;及
导电凸出结构位于该沟槽中。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中该导电凸出结构包含叠层,且该叠层实质上包含与该半导体叠层相同的材料。
3.如权利要求1所述的发光元件,其中该沟槽的形状可为圆形或是椭圆形,及/或该导电凸出结构的形状可为圆形或是椭圆形。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中该导电凸出结构的材料包含金属。
5.如权利要求1所述的发光元件,还包含孔洞形成于该第一金属层与该导电凸出结构之间。
6.如权利要求1所述的发光元件,还包含反射层位于该半导体叠层与该介电层之间。
7.如权利要求1所述的发光元件,其中该沟槽还包含穿孔靠近该底部及一背部连接形成于该第一面上,并与该第一半导体层电连接。
8.如权利要求1所述的发光元件,还包含第一连接层连接该承载基板与该半导体叠层,其中该承载基板为一导电基板,及/或该第一连接层的材料包含金属。
9.如权利要求8所述的发光元件,还包含另一电极形成于该承载基板上与该第一半导体层电连接。
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