CN101796656A - 光电子器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种光电子器件，其带有：半导体本体(2)，其具有带有适于产生辐射的有源区(4)的半导体层序列；设置在半导体本体上的反射器层(72)；以及两个电接触部(7，8)，其中两个接触部的第一接触部(7)在有源区的朝向反射器层的侧上与半导体本体导电连接，两个接触部的第二接触部(8)在有源区的背离反射器层的侧上与半导体本体导电连接，并且反射器层设置在第二接触部的部分区域和半导体本体之间。

Description

光电子器件
本发明涉及一种光电子器件。
本发明的任务是提出一种高效的光电子器件，特别是一种高效的发射辐射的器件。
该任务通过一种根据独立权利要求所述的器件来解决。有利的扩展方案和改进方案是从属权利要求的主题。
根据第一实施形式，光电子器件包括半导体本体，该半导体本体具有带有有源区的半导体层序列。此外，该器件包括两个电接触部，它们在有源区的不同侧上与半导体本体导电相连。在此，两个接触部的第一接触部的部分区域设置在两个接触部的第二接触部和半导体本体之间，并且两个接触部在该部分区域中彼此电绝缘。
换言之，光电子器件具有两个设置在半导体本体上的并且彼此在有源区的相同侧上交迭的接触部，其中这些接触部在有源区的不同侧与半导体本体导电连接，并且接触部在交迭区域中彼此电绝缘。
因为两个接触部在交迭区域中设置在半导体本体的并且特别是有源区的相同侧上，所以可以实现借助一个接触部形成至半导体本体的电接触以及借助在半导体本体并且特别是有源区的相同侧上的另一接触部实现在有源区的横向延伸方向上的电流扩展。半导体本体的其余侧由此可以基本上没有或者没有含金属的或者金属的接触元件，譬如形成至半导体本体的电接触的或者扩展电流的结构。这种大面积的并且通常决定性地吸收的接触元件由此可以设置在半导体本体的相同侧上。
器件的耦合输出面由此可以简化地没有或者基本上没有这种吸收元件。于是可以有利地提高可由器件耦合输出的辐射功率。
在一个优选的扩展方案中，有源区适于产生辐射。有源区可以构建用于产生紫外、可见或者红外光谱范围中的辐射。
在另一优选的扩展方案中，在其中第一接触部设置在半导体本体和第二接触部之间的部分区域中，绝缘层设置在两个接触部之间，两个接触部通过该绝缘层彼此电绝缘。于是可以避免两个接触部的短路。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部的部分区域设置在半导体本体和第一接触部之间，并且两个接触部在该部分区域中彼此电绝缘。优选的是，必要时设置另外的绝缘层，其设置在两个接触部之间的该部分区域中，并且将接触部彼此电绝缘。
从半导体本体出发来看，在器件的部分区域中可以存在以下顺序：第一接触部的区域、绝缘层、第二接触部的区域、另外的绝缘层、第一接触部的另外的区域。
绝缘层优选施加到半导体本体上，特别优选地沉积到半导体本体上。适合绝缘层的材料例如是氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。
在另一优选的扩展方案中，反射器层设置在半导体本体上。反射器层优选沉积在半导体本体上。借助反射器层可以将从半导体本体出射的并且射到反射器层上的辐射向回反射到半导体本体中。于是可以预防辐射在反射器层的背离有源区的侧上设置的元件中的吸收。
总之，可以借助接触部在半导体本体的共同侧上的交迭设置来提高耦合输出效率(由有源区产生的辐射功率与从器件耦合输出的辐射功率的比值)。
根据另一实施形式的光电子器件包括半导体本体，该半导体本体具有半导体层序列，该半导体层序列带有适于产生辐射的有源区。此外，光电子器件包括设置在半导体本体上的反射器层和两个电接触部。在此，两个接触部的第一接触部在有源区的朝向反射器层的侧上导电地与半导体本体相连。两个接触部的第二接触部在有源区的背离反射器层的侧上与半导体本体导电连接，其中反射器层、特别是反射器层的一部分设置在第二接触部的部分区域和半导体本体之间。
因为反射器层设置在第二接触部和半导体本体并且特别是有源区之间，所以可以减少或者避免辐射在接触部的设置在反射器层的背离有源区的侧上的部分区域中的吸收。
反射器层合乎目的地针对有源区中要产生的辐射反射性地构建。反射器层对于有源区中产生的辐射合乎目的地具有80％或者更高的反射率，优选为90％或者更高的反射率，特别优选为95％或者更高的反射率。
在另一优选的扩展方案中，反射器层电绝缘地构建。电绝缘的反射器层例如可以实施为介电的多层结构，其交替地具有带有高和低的折射率的层。
合乎目的地，反射器层被留空用于借助接触部之一(第一接触部或第二接触部)形成至半导体本体的接触、特别优选地用于通过两个接触部形成至半导体本体的接触。如果反射器层电绝缘地构建，则半导体本体是特别合乎目的的。
在另一优选的扩展方案中，接触部之一、优选第一接触部具有反射器层。反射器层于是导电地实施。导电的反射器层优选包含金属或者合金，该合金优选包含一种金属。金属的特征在于特别高的反射率。与介电的多层结构相比，具有金属化物或者基于金属的合金的反射器层的反射率与至反射器层的入射角的相关性较小。
优选的是，接触部被施加到半导体本体上并且特别优选地借助沉积构建到半导体本体上。接触部或者两个接触部可以包括接触部金属化物或者接触部合金。
在另一优选的扩展方案中，第一接触部具有接触层，第一接触部通过该接触层与半导体本体导电相连。优选的是，接触层与半导体本体紧邻。接触层的部分区域可以设置在第二接触部和半导体本体之间。
接触层可以构建为反射器层，或者反射器层可以设置在接触层的背离半导体本体的侧上。特别设置的接触层的后一种变形方案具有的优点是，对于形成至半导体本体的接触以及针对反射器层可以分别使用特别适合的材料(为了借助接触层形成至半导体本体的良好接触以及为了反射器层的高的反射率)。
在另一优选的扩展方案中，在半导体本体上设置有附着层。附着层优选与半导体本体紧邻。附着层优选构建为使得提高用于接触部之一、尤其是用于第一接触部的材料在半导体本体上的附着。附着层可以构建为用于第一接触部的附着层。附着层可以特别是构建为使得在半导体本体上的附着层比设置在附着层的背离半导体本体的侧上的第一接触部的材料、特别是与附着层邻接的第一接触部的材料更强地附着。可替选地或者补充地，附着层可以构建为使得设置在附着层的背离半导体本体的侧上的、特别是与附着层邻接的第一接触部的材料在附着层上比在半导体本体上更强地附着。
附着层可以导电地实施。附着层可以是接触部之一的一部分，特别是第一接触部的一部分。附着层优选包括金属或者合金，或者由其构成。例如，附着层包含Ti。附着层可以设置在接触层和半导体本体之间或者在反射器层和半导体本体之间。优选的是，附着层直接与接触层和/或与半导体本体邻接。有利的是，附着层整面地设置在接触层或者反射器层与半导体本体之间。于是可以降低接触材料从半导体本体脱层的危险。附着层可以具有10nm或者更小的厚度，优选为5nm或者更小的厚度，特别优选为3nm或者更小的厚度，譬如2nm或者更小的厚度。附着层可以半透明地构建。附着层可以实施为不连续的、例如岛状地构建的层。
在另一优选的扩展方案中，在第一接触部的导电的反射器层和半导体本体之间设置有介电的反射层(即电绝缘的反射层)。反射层可以设置在反射器层和接触层之间或者设置在接触层和附着层之间。
介电的反射层可以结合反射器层来进一步改进辐射在半导体本体中的向回反射以及特别是辐射朝着器件的耦合输出面的反射。特别地，包括反射器层和介电的反射层的组合反射器可以以高的总反射率来构建。
在另一优选的扩展方案中，在半导体本体上、特别是在其上设置有反射器层和/或接触层的侧上设置有透射辐射且导电的层。该层可以是第一接触部的一部分。
透射辐射且导电的层可以包含氧化物，尤其是金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡或者氧化铟锡。
此外，透射辐射且导电的层优选构建用于关于半导体本体的主延伸方向横向分布电流，特别是构建为电流扩展层。由于在横向方向上的高的导电性(横向导电性)，载流子可以横向上大面积地并且均匀地分布在半导体本体上，并且于是在半导体本体上均匀并且一致分布地注入到半导体本体中。
透射辐射且导电的层可以具有折射率，该折射率小于在该层侧形成半导体本体的边界的半导体材料的折射率。由于折射率跳变，该层可以构建为第一接触部的导电且透射辐射的反射层。
透射辐射且导电的层可以附加于介电的反射层(如上面所描述的那样)来设置。如果附加地设置介电的反射层，则可以进一步提高在半导体本体的该侧上的总反射率。优选的是，该层设置在反射器层或者接触层和半导体本体之间。此外，该层可以设置在介电的反射层和半导体本体之间。该层的厚度可以为200nm或者更小，优选为100nm或者更小。优选的是，透射辐射且导电的层与半导体本体紧邻。透射辐射且导电的层可以替代接触层和/或附着层。可替选地，透射辐射且导电的层可以附加于附着层和/或接触层来设置。在前一种情况中，附着层合乎目的地构建用于改进透射辐射且导电的层在半导体本体上的附着。在后一种情况中，接触层合乎目的地针对至透射辐射且导电的层形成良好的电接触来构建。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部从部分区域(在该部分区域中第一接触部或者反射器层设置在半导体本体和第二接触部之间)出发延伸直到有源区的背离该部分区域的侧，并且在该侧上与半导体本体导电相连。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部在横向地形成半导体本体的边界的侧面旁从有源区的一侧延伸直到有源区的另一侧。合乎目的地，第二接触部在其中第二接触部在有源区上延伸的区域中与有源区电绝缘。例如，为此在第二接触部的该区域和有源区之间设置有上述绝缘层或者必要时设置有附加的绝缘层。
在另一优选的扩展方案中，有源区具有一个或者多个穿通部。第二接触部可以通过穿通部从有源区的一侧延伸到有源区的另一侧。在穿通部的区域中，有源区合乎目的地被留空。穿通部优选横向环绕地由半导体本体形成边界。此外，第二接触部在穿通部的区域中合乎目的地与有源区电绝缘。例如，为了电绝缘而在第二接触部和有源区之间在穿通部的区域中设置上述的绝缘层或者必要时设置附加的绝缘层。
通过在其中第二接触部在有源区上延伸的区域中第二接触部与有源区的电绝缘，可以避免器件的短路。
绝缘层必要时可以用作(附加的)介电的反射层，并且特别是构建为这种反射层。于是在穿通部的区域中，辐射也可以在介电的反射层上增多地向回反射到半导体本体中。
(相应的)穿通部的壁优选倾斜于有源区和/或倾斜于在反射器层侧形成半导体本体的边界的表面地走向。在半导体本体中的光路于是可以在很大程度上(例如通过在相应地延伸的介电的反射层上的反射和/或在第二接触部的设置于穿通部的区域中的接触材料上的反射)被干扰，并且耦合输出的辐射功率可以容易地提高。在35°到55°(包括两端值)之间的倾斜角、例如45°的倾斜角证明是特别有利的。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部具有接触层。接触层合乎目的地设置用于形成至半导体材料的电接触。接触层优选含有金属地或者基于合金地实施，特别是由金属或者金属合金构成。例如，接触层可以含有Pt或者由其构成。接触层可以局部地设置在第二接触部至半导体材料的接触部位上，例如设置在半导体本体的凹处的区域中，并且优选设置在第二接触部至半导体材料的每个接触部位上。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部具有导电的反射层。优选的是，该反射层设置在第二接触部的如下区域中：在该区域中该接触部比反射器层更靠近有源区地设置。反射层合乎目的地设置在穿过有源区的穿通部的区域中，例如设置在凹处中。反射层可以设置在第二接触部的接触层的背离半导体本体的侧上。接触层可以设置在反射层和半导体本体之间。辐射可以在穿通部的区域中在反射层上被增多地反射。反射层可以包含金属例如Al或者Ag，或者合金，或者由其构成。
在另一优选的扩展方案中，第一接触部、特别是接触层为了第二接触部的穿透而被穿通。第二接触部可以相应地从第一接触部的背离有源区的侧穿过第一接触部、特别是穿过接触层延伸到第一接触部的朝向有源区的侧上。
在另一优选的扩展方案中，反射器层为了第二接触部的穿透而被穿通。第二接触部可以通过穿通的反射器层从反射器层的背离有源区的侧穿过到反射器层的朝向有源区的侧。在绝缘的反射器层的情况下，该反射器层优选也对于形成第一接触部至半导体本体的接触而被穿通。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部在多个单独的接触部位中与半导体本体导电相连。接触部位优选一致地分布在半导体本体上。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部至少部分接片状或者框架状地在横向(即在有源区的延伸方向上)形成有源区和特别是半导体本体的边界的侧面旁延伸。
在另一优选的扩展方案中，第一接触部与半导体本体的接触面(特别是其面积)大于第二接触部与半导体本体的接触面(特别是其面积)。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部与半导体本体的半导体材料导电相连，该半导体材料具有比第一接触部与其导电连接的半导体本体的半导体材料更大的在横向方向上的导电性。虽然在第二接触部和半导体本体之间有较小的接触面，由于较高的在横向方向上的导电性(即平行于有源区的主延伸方向的导电性)而可以简化地实现在有源区的延伸上的横向电流扩展。因此尽管例如通过接触部位仅有小面积的接触，仍然可以大面积地并且优选均匀地将载流子注入到有源区中，这些载流子可以在有源区中在产生辐射的情况下复合。
在另一优选的扩展方案中，第二接触部具有电流扩展区域。第一接触部的部分区域、特别是接触层的部分区域优选设置在电流扩展区域和半导体本体之间。必要时电绝缘的反射器层可以设置在电流扩展区域和半导体本体之间。电流扩展区域可以具有一个或多个接触轨，其在半导体本体上延伸。接触轨可以在有源区的多个穿通部上延伸。借助电流扩展区域可以实现关于半导体本体的主延伸方向的载流子分布。扩展的载流子于是可以通过第二接触部与半导体本体的接触面、例如通过分布在半导体本体上的接触部位来注入到半导体本体中。载流子可以通过电流扩展区域引导至接触部位。第二接触部的电流扩展区域合乎目的地与第一接触部电绝缘。于是可以避免接触部的短路。
两个接触部可以特别是大面积地在半导体本体的共同表面上延伸。在该表面侧，接触部合乎目的地彼此绝缘。特别地，接触部可以局部地嵌入到绝缘材料中，例如绝缘层和必要时另外的绝缘层中，该绝缘材料将两个接触部彼此绝缘。
在另一优选的扩展方案中，接触部分别具有连接面。相应的连接面优选背离有源区。通过该连接面可以从外部来电接触该器件。相应的连接面优选设计用于同外部连接支承体的与连接面关联的连接导体导电连接。连接支承体例如可以是带有用于连接导体的导体轨的电路板。连接面例如可以借助焊接层来形成。
在另一优选的扩展方案中，接触部之一的连接面(即第一接触部或第二接触部的连接面)设置在有源区的以及特别是半导体本体的背离反射器层、背离介电的反射层、背离第一接触部的接触层和/或背离第一接触部的设置在半导体本体和第二接触部之间的部分区域的侧上。
在另一优选的扩展方案中，两个连接面设置在有源区的相同的侧上。该器件可以特别是构建为可表面安装的器件。
在另一优选的扩展方案中，第一接触部、特别是其部分区域设置在半导体本体和第二接触部的连接面之间。可替选地或者补充地，第二接触部、特别是其部分区域优选设置在半导体本体和第一接触部的连接面之间。
第一接触部的接触层、第二接触部的接触层、反射器层和/或介电的反射层可以设置在接触部之一(第一接触部或第二接触部)的连接面和半导体本体之间，优选设置在两个接触部的连接面和半导体本体之间。特别地，第一接触部的接触层、反射器层和/或介电的反射层可以从第一接触部的连接面之下(即连接面和半导体本体之间)出发延伸直到第二接触部的连接面之下。第二接触部的电流扩展区域可以延伸直到第一接触部的连接面之下。
两个接触部的连接面可以设计用于借助导电的连接层、例如导电的粘合层或者焊接层或者接合线来与连接支承体导电连接，其中两个接触部优选分别针对连接层而设计或者针对线连接而设计。
该器件可以特别是倒装芯片式地构建。倒装芯片以材料配合的方式借助导电的连接层安装在连接支承体上并且电接触。对于这种安装，器件的其上设置有两个接触部的连接面的连接侧合乎目的地是器件的朝向连接支承体的安装侧。
在线接合连接的情况中，安装侧合乎目的地是器件的背离连接面的侧。
接触部的连接面可以设置在半导体本体的共同的、优选平坦的表面上。连接面尤其是可以在该表面上延伸。该表面优选设置在有源区和接触部的连接面之间。接触部之一合乎目的地在半导体本体的该表面侧优选直接地与半导体本体导电相连。另一接触部于是合乎目的地在有源区的背离该表面的侧上与半导体本体导电相连。
两个连接面可以设置在有源区的背离半导体本体的如下侧的侧上：在该侧第一接触部的部分区域设置在半导体本体和第二接触部之间。两个连接面所设置的侧尤其可以是半导体本体的背离反射器层、背离第一接触部的接触层、背离第二接触部的接触层和/或背离介电的反射层的侧。两个连接面可以在半导体本体的共同的表面上延伸。横向的电流分布、至半导体本体的电流注入和/或借助反射器层对辐射的反射可以在半导体本体的背离连接面的侧上进行。外部的电连接可以在连接面的侧上进行。由于在第一接触部中在半导体本体表面上的电流分布以及特别是在半导体本体的另一侧或者从该侧出发的、借助第一和/或第二接触部形成至半导体本体的电接触，可以简单地有利地小面积地实施连接面。于是可以避免过度的吸收损耗。连接面合乎目的地针对与接合线的连接(例如分别借助接合层，如Au层)来实施。连接面可以在外侧沿着半导体本体同与相应的连接面关联的接触部的、设置在有源区的另一侧上的部分导电连接。
在另一优选的扩展方案中，光电子器件具有热连接区域。该热连接区域优选设计用于与导热元件、例如导热体譬如Ge体的材料配合的连接。热连接区域优选附加于用于电连接的连接面地设计。如果这些连接面设置在有源区的相同侧上，则热连接区域优选设置在有源区的背离该侧的侧上。热连接区域可以借助接触部之一的向外暴露的区域来形成。热连接区域可以设置在反射器层的、第一接触部的接触层的、和/或介电的反射层的背离有源区的侧上。
在另一优选的扩展方案中，两个接触部的连接面设置在有源区的不同侧上。有源区以及特别是半导体本体可以设置在连接面之间。在这种情况中，优选的是一个接触部的连接面构建用于线连接，并且另一接触部的连接面构建用于至与相应的连接面关联的电连接导体的导电的层连接。
在另一优选的扩展方案中，接触部之一具有从半导体本体的一侧向从有源区出发来看与该侧对置的半导体本体的侧的接触穿通部。接触穿通部可以通过整个半导体本体或者横向地在形成半导体本体的边界的侧面旁延伸。接触穿通部合乎目的地沿着整个半导体本体延伸。特别地，接触穿通部从有源区的一侧延伸到有源区的另一侧。
借助这种接触穿通部可以将接触部的连接面导电地与该接触部的设置在半导体本体的背离该连接面的侧上的部分电连接，其中该连接面例如设置在半导体本体的背离第一接触部的接触层的、背离反射器层的、背离电流扩展区域的和/或背离介电的反射层的侧上。
在另一优选的扩展方案中，器件的接触部(优选器件的两个接触部)具有至少两个连接面。该接触部的两个连接面优选设置在半导体本体的不同的侧上，并且特别是设置在有源区的不同的侧上。于是有利地提高了外部的电端子的自由度。
在另一优选的扩展方案中，该器件是发射辐射的器件，特别是发光二极管器件。优选的是，该器件构建用于产生并且特别是用于耦合输出非相干辐射。
在另一优选的扩展方案中，器件的半导体本体外延地生长。半导体本体的半导体层可以在生长衬底上生长。
在另一优选的扩展方案中，该器件具有支承体，半导体本体设置在该支承体上。半导体本体可以通过支承体来机械地稳定。于是减小了损坏半导体本体的危险。
一个或者两个接触部的连接面、第一接触部的接触层、第二接触部的接触层、电流扩展区域、反射器层和/或介电的反射层可以设置在半导体本体的背离支承体的侧上，并且特别是设置在有源区的背离支承体的侧上。
支承体可以由生长衬底构建，半导体层序列生长在该生长衬底上。
然而支承体也可以不同于生长衬底。在生长衬底上生长用于半导体本体的半导体层之后，该生长衬底可以被薄化或者局部地或者完全地去除。合乎目的的是，在去除生长衬底之前设置支承体，以便在去除生长衬底时以及在去除之后机械地稳定半导体材料。
该器件于是可以没有用于半导体本体的半导体层的生长衬底。
然而替选地，可以省去稳定半导体本体的支承体。该器件特别是可以由半导体本体的外延生长的半导体层、接触部和必要时另外的施加到半导体本体上的、优选非自支承的层构成。接触部和/或另外的施加到半导体本体上的层可以借助沉积来施加到半导体本体上。在沉积时，层厚度随着沉积时间而增长。
该器件于是可以实施为无支承体的器件。可以省去特别设置的、特别是自支承的用于将半导体本体机械稳定的支承体。对于无支承体的器件，例如可以去除生长衬底。
因为省去了支承体，可以实现器件的非常小的高度。相对于带有支承体的器件，在处理这种器件(例如安装)时需要更加小心，以避免器件的损坏。
该器件优选构建为芯片式的器件。此外，该器件可以以芯片大小实施。在芯片大小中的器件情况下，在有源区的俯视图中器件的横向延伸相对于的有源区的横向延伸有利地较小。
在该器件中，被有源区以及特别是半导体本体覆盖的面的面积与器件在其上延伸的整个面的面积的比例可以大于0.2，优选大于0.3，特别优选大于0.5，大多数优选大于0.7。
在此以及下面描述的器件此外可以在复合结构中制成。在此，制造步骤并不针对单个器件分别分离地执行，而是同时地在多个器件上执行。此外，在这里所描述的器件情况下，可以省去附加的保护器件的壳体，其中器件安装在该壳体中并且该壳体并不在复合结构中与该器件一同制造。
该器件可以特别地由复合结构分割，例如锯割。该器件可以相应地具有分割的侧面、即在切割时构建的侧面。
根据一个实施形式，光电子装置包括连接支承体和光电子器件，特别是上面和下面详细描述的类型的器件。该连接支承体优选具有至少两个彼此电隔离的电连接导体。合乎目的的是，该器件设置并且特别是固定在连接支承体上。在此，器件的安装侧优选朝向连接支承体。器件的接触部优选导电地与电连接导体相连，其中每个接触部关联有单独的连接导体。接触部的电连接面合乎目的地朝向电连接导体。电连接可以通过材料配合的连接、例如焊接连接来进行，该材料配合的连接可以构建在相应的接触部的连接面和与该连接面关联的连接导体之间。
在光电子器件的半导体本体和连接支承体之间可以设置有电绝缘的填充材料。该填充材料优选设置在连接面之间的区域中。填充材料可以与连接支承体以及光电子器件邻接。填充材料可以设置在如下区域中：在该区域中连接面并未在半导体本体上延伸。填充材料可以机械地支持光电子器件的半导体材料。该填充材料可以与器件的两个接触部邻接。对于该填充材料例如造型材料是适合的，例如环氧树脂。造型材料优选被硬化。于是减小了器件在工作中的机械损坏的危险。在无生长衬底并且特别是也无支承体地实施的器件情况下，填充材料是特别有利的。该器件可以以表面安装技术固定在连接支承体上。连接支承体优选不同于中间支承体(submount)。连接支承体例如可以通过电路板、譬如印刷电路板或者金属芯电路板或者通过连接支承体来形成，其中该连接支承体包含陶瓷并且设置有用于连接导体的导电材料。
本发明的其他优点、特征和合乎目的性由以下结合附图对实施例的描述而得到。
图1借助图1A中的示意性俯视图、图1B和1C中的两个示意性截面图、图1D中的简化的示意性截面图和图1E中的部分截面图示出了光电子器件的第一实施例。
图2借助图2A中的示意性俯视图和图2B中的示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
图3借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
图4借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
图5借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
图6借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
图7借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
图8借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
图9借助示意性截面图示出了光电子器件的一个实施例。
在附图中，相同、类似以及作用相同的元件设置有相同的附图标记。
图1借助图1A中的示意性俯视图、图1B和1C中的两个示意性截面图、图1D中的简化的示意性截面图和图1E中的部分截面图示出了光电子器件的第一实施例。在此，图1B对应于沿着图1A中的线A-A的截面，而图1C对应于沿着图1A中的线B-B的截面图。
光电子器件1具有半导体本体2。该半导体本体设置在器件1的支承体3上。半导体本体2包括带有适于产生辐射的有源区4的半导体层序列。
半导体层序列特别是可以包括多个半导体层，有源区设置在这些半导体层之间。此外，半导体层序列优选形成半导体本体。支承体3优选以机械方式稳定半导体本体2。
半导体本体2优选构建为发光二极管半导体本体。半导体本体优选包括具有不同导电类型(n导电或者p导电)的两个区域5、6。在这些区域5和6之间合乎目的地设置或者构建有源区4。区域5和/或6可以具有多个半导体层。
有源区4优选包括异质结构，特别是双异质结构，或者量子结构，特别优选的是单量子阱结构或者多量子阱结构，量子线结构或者量子点结构。这种结构的特征在于有源区中产生辐射时特别高的内部量子效率。
半导体层序列优选外延地生长在生长衬底上。优选的是整个半导体本体外延地生长。
在制造器件1时，支承体3可以由生长衬底构建或者不同于生长衬底。在后一种情况中，在将生长衬底从生长的半导体材料局部地或者完全地去除之前，优选将支承体3或者构建该支承体的材料施加到生长的半导体材料上。在去除生长衬底的情况下通过支承体3也提供了生长的半导体材料的机械稳定。如果支承体3不同于生长衬底，则该支承体可以作为硬的支承体本体与生长的半导体材料相连，或者可以首先将造型材料施加到半导体本体上，该造型材料随后被硬化以构建支承体。对于这种造型材料，例如BCB(苯并环丁烯)是适合的。例如玻璃适合作为硬的支承体本体。
支承体3优选构建为对于有源区4中要产生的辐射是透射辐射的，使得来自半导体本体的辐射可以进入支承体中，并且随后通过支承体从器件1耦合输出。
在一个优选的扩展方案中，半导体层序列、特别是半导体本体的区域5和6和/或有源区4包含III-V半导体材料。借助III-V化合物半导体材料、特别是氮化物化合物半导体材料、磷化物化合物半导体材料或者砷化物化合物半导体材料可以在产生辐射时容易地实现在将电功率转换为辐射功率时的高内部量子效率。优选的是，有源区和特别是半导体本体因此可以基于所述材料系之一。
在本上下文中，“基于磷化物化合物半导体”意味着：有源区、特别是半导体本体优选包括AlnGamIn1-n-mP或者由其构成，其中0≤n≤1，0≤m≤1，并且n+m≤1，优选n≠0，n≠1，m≠0和/或m≠1。在此该材料不必一定具有根据上式的数学上精确的组分。更确切地说，其可以具有一种或者多种掺杂材料以及附加的组成部分，它们基本上不改变该材料的物理特征。出于简单的原因，上式仅仅包含晶格的主要组成部分(Al、Ga、In、P)，即使它们可以部分地通过少量其他材料来替代。
在本上下文中，“基于氮化物化合物半导体”意味着：有源区、特别是半导体本体优选包括AlnGamIn1-n-mN或者由其构成，其中0≤n≤1，0≤m≤1，并且n+m≤1，优选n≠0，n≠1，m≠0和/或m≠1。在此该材料不必一定具有根据上式的数学上精确的组分。更确切地说，其可以具有一种或者多种掺杂材料以及附加的组成部分，它们基本上不改变该材料的物理特征。出于简单的原因，上式仅仅包含晶格的主要组成部分(Al、Ga、In、N)，即使它们可以部分地通过少量其他材料来替代。
在本上下文中，“基于砷化物化合物半导体”意味着：有源区、特别是半导体本体优选包括AlnGamIn1-n-mAs或者由其构成，其中0≤n≤1，0≤m≤1，并且n+m≤1，优选n≠0，n≠1，m≠0和/或m≠1。在此该材料不必一定具有根据上式的数学上精确的组成。更确切地说，其可以具有一种或者多种掺杂材料以及附加的组成部分，它们基本上不改变该材料的物理特征。出于简单的原因，上式仅仅包含晶格的主要组成部分(Al、Ga、In、As)，即使它们可以部分地通过少量其他材料来替代。
对于氮化物化合物半导体，例如蓝宝石、SiC或者GaN生长衬底适于作为生长衬底，对于磷化物化合物半导体和砷化物化合物半导体，例如GaAs生长衬底适于作为生长衬底。
氮化物和磷化物化合物半导体材料特别适于产生可见的辐射。砷化物化合物半导体材料对于红外光谱范围是特别适合的。氮化物化合物半导体材料在此特别适于产生从紫外经过蓝色直到绿色光谱范围的辐射，并且磷化物化合物半导体材料用于橙色至红色光谱范围的辐射。
优选的是，器件1以及特别是其有源区4构建用于产生可见的辐射。此外，该器件优选构建为用于发射非相干辐射的LED器件。
光电子器件1具有两个电接触部：第一接触部7和第二接触部8。接触部7和8在有源区4的不同侧上与半导体本体2导电连接。例如，第一接触部7与半导体本体的区域5导电连接，并且第二接触部8与区域6导电连接。通过接触部7和8，可以在器件工作中将载流子注入到有源区4中。这些载流子可以在那里在产生辐射的情况下复合。
两个接触部7、8局部地在半导体本体的整个主面9上延伸。主面9特别是设置在两个接触部和有源区之间。在本实施例中，接触部7和8设置在半导体本体2的背离支承体3的侧上。
第一接触部7通过半导体本体的主面9与有源区4导电连接，而第二接触部8在有源区4的背离主面9的侧上与半导体本体导电连接。
第一接触部7优选包括接触层71。该接触层特别是直接地通过半导体本体2的主面9与半导体本体并且由此与有源区4导电连接。
接触层71有利地覆盖半导体本体2的主面9的大部分，使得通过接触层71可以大面积地并且均匀地将载流子注入到半导体本体2中。合乎目的的是，接触层大面积地在半导体本体的设置在有源区4和接触层之间的主面9上延伸。例如，接触层在半导体本体的朝向接触层71的主面9的80％或者更多、优选90％或者更多、特别优选在95％或者更多上延伸。优选的是，接触层71覆盖主面9直到上面给出的百分数值。
接触层可以具有50nm或者更小、优选30nm或者更小、特别优选20nm或者更小、例如10nm或者更小的厚度。
反射器层72设置在半导体本体上，特别是设置在主面9上。第一接触部7优选包括反射器层72。反射器层合乎目的地设置在接触层71的背离半导体本体2的侧上。反射器层72优选大面积地、特别优选对应于接触层71地在半导体本体2的主面9上延伸。
反射器层合乎目的地具有对于有源区中产生的辐射的80％或者更高、优选90％或者更高、特别优选95％或者更高的反射率。
反射器层72可以具有80nm或者更大、优选100nm或者更大、特别优选200nm或者更大的厚度。
此外，第二接触部8具有电流扩展区域81。借助该电流扩展区域81，载流子可以大面积地分布在有源区4的延伸方向上。优选的是，电流扩展区域81具有一个或者多个接触延伸部(Kontaktfortsaetzen)84，它们在半导体本体上延伸。相应的接触延伸部优选轨式地在半导体本体2的主面9上延伸。第二接触部8的电流扩展区域81优选设置在接触层71或者反射器层72的背离有源区4的侧上。
接触部7、8分别具有连接面70或者80。连接面分别背离半导体本体2。图1A示出了连接面70、80的俯视图。优选的是，接触部7和/或8分别具有恰好一个连接面。
第一接触部7的部分区域、特别是接触层71或者反射器层72设置在第二接触部8、特别是第二接触部的连接面80和/或第二接触部的电流扩展区域81与半导体本体2的主面9之间。
为了避免短路，两个接触部合乎目的地通过绝缘层10彼此电绝缘，该绝缘层设置在两个接触部之间。绝缘层10合乎目的地在接触部之间的区域中延伸，其中第一接触部7设置在半导体本体2和第二接触部8之间。
此外，第二接触部8的部分区域设置在第一接触部7和半导体本体2之间、特别是在第一接触部7和半导体本体的主面9之间。电流扩展区域81例如可以在第一接触部7、特别是其连接面70和半导体本体2之间延伸。第二接触部8的部分区域、例如电流扩展区域81可以被第一接触部7包围。例如，第二接触部的电流扩展区域81的部分区域可以设置在第一接触部的连接面70和接触层71和/或反射器层72之间。
在第二接触部8的设置于第一接触部7和半导体本体2之间的区域之间合乎目的地设置有另一绝缘层13，其将两个接触部彼此电绝缘。绝缘层13合乎目的地在接触部之间的区域中延伸，其中在该区域中第二接触部8设置在半导体本体2和第一接触部7之间。绝缘层13合乎目的地设置在绝缘层10的背离有源区的侧上。
相应地，第二接触部8可以两侧地、即在朝向主面9的侧和在背离半导体本体2的侧上以绝缘层(层10或13)覆盖。特别地，第二接触部8可以在该区域中嵌入绝缘材料中。绝缘层10、13可以局部地彼此邻接(参见图1C)。轨式地延伸的接触延伸部84由于两侧的绝缘而可以几乎任意分布于半导体本体上地引导。
接触部优选从主面9直到有源区3的背离该面的侧彼此电绝缘。
绝缘层10和/或绝缘层13可以设置在第一接触部7的连接面70和半导体本体2之间、特别是在第一接触部的连接面70和接触层71或者反射器层72之间。绝缘层10优选设置在连接面80和半导体本体之间、特别是连接面80和接触层71或者反射器层72之间的部分区域中。
相应的接触延伸部84优选从第二接触部8的连接面80延伸离开。优选的是，相应的接触延伸部84从连接面80延伸离开到表面9上。
接触层71和/或反射器层72从一个接触部的连接面延伸直到另一接触部的连接面之下。
第二接触部8从第一接触部3或者反射器层72的背离有源区4的侧出发延伸直到有源区4的背离主面9的侧，并且在该侧上与半导体本体导电连接。
有利的是，可以在有源区4的相同侧上进行第二接触部中的电流扩展和借助第一接触部7形成至半导体本体的接触。特别地，可以在反射器层的背离半导体本体的侧上实现电流扩展，使得可以预防辐射在第二接触部8的如下区域中的吸收：该区域譬如电流扩展区域81在第一接触部7的背离有源区4的侧上延伸。
为了第二接触部8穿透至有源区的另一侧(即至有源区的背离主面9、电流扩展区域81、连接面70或者80、接触层71或者反射器层72的侧)，有源区特别是多次地被穿通。有源区为此合乎目的地合适地留空。相应的穿通部优选横向环周侧地由半导体本体形成边界。例如，为了穿通而在半导体本体中设置多个凹处11，它们从主面9出发延伸到半导体本体中并且穿过有源区。
第二接触部8在穿通部的区域中与有源区电绝缘，以避免短路。优选的是，穿通部和特别是凹处以绝缘材料覆盖。绝缘层10为此可以沿着穿通部并且特别是沿着凹处11延伸。
穿通部以及特别是凹处此外合乎目的地用针对第二接触部的接触材料来填充。
一个或多个穿通部或凹处优选被连接面70、连接面80、接触层71、反射器层72和/或电流扩展区域81覆盖(参见图1A中的俯视图)。
一个或多个接触延伸部84可以在多个穿通部或凹处上延伸。接触部的通过穿通部延伸的区域可以从电流扩展区域、特别是从接触延伸部分支。
电流扩展区域81、特别是一个或多个接触延伸部84优选大面积地在主面9上延伸。电流扩展区域、特别是一个或多个接触延伸部可以在半导体本体的纵向尺寸例如长度和/或半导体本体的横向尺寸例如宽度的50％或者更多、优选60％或者更多、特别优选70％或者更多、大部分优选80％或者更多、例如90％或者更多上延伸。
第二接触部8通过多个单独的接触部位12在有源区的背离主面9的侧上与半导体本体导电连接。第二接触部与半导体本体(例如绝缘层10)的电绝缘为了形成接触而在接触部位的区域中合乎目的地留空。接触部位12优选直接形成在凹处11的底部上。
绝缘层10和必要时另外的绝缘层13优选从主面19出发沿着侧面15延伸，其中侧面横向形成有源区4和特别是半导体本体2的边界。相应的绝缘层可以用作半导体本体的侧面的保护层。
绝缘层10或者13例如包含氮化硅，如SiN，氧化硅如SiO2或者氮氧化硅如SiON。
为了第二接触部8的穿透，接触层71和/或反射器层72优选被留空。除了用于第二接触部8的接触穿透的空隙之外，接触层71和/或反射器层72优选连续地实施。接触层和/或反射器层可以除了为第二接触部8的穿透而留空的区域之外覆盖半导体本体2的整个主面9。
尽管将连接面70和80设置在有源区的相同侧并且特别是在半导体本体的相同面上，这种接触结构使得容易实现将载流子从两侧均匀地并且大面积地注入有源区4中。于是提高了器件在产生辐射时的效率。载流子可以从有源区的朝向接触层的侧通过接触层大面积地到达半导体本体中并且被引导至有源区。通过第二接触部、特别是接触部位注入半导体本体中的载流子可以从有源区的另一侧到达有源区。
通过反射器层72可以预防辐射在设置于反射器层的背离有源区4的侧上的结构中的吸收，例如器件安装于其上的电路板的印制导线中的吸收。
此外，可以借助反射器层72将有源区4中产生的辐射向器件的耦合输出面19导引。耦合输出面有利地借助器件的不同于主面9的表面来形成。例如，支承体3的背离半导体本体2的表面可以形成耦合输出面19。
因为在接触部中的电流扩展以及借助另一接触部形成至半导体本体的接触可以在有源区的一侧上进行，所以有利的是器件的另一侧没有吸收性的元件，使得进一步提高了器件的耦合输出效率，即在有源区中产生的辐射功率与从器件出射的辐射功率的比例。
此外，两个接触部的连接面70、80设置在半导体本体的相同侧上并且特别是设置在有源区4的相同侧(器件1的连接侧)上。器件的连接侧优选构建在半导体本体2的背离支承体3的侧上。图1A示出了器件的连接侧的俯视图。
连接面70和80在横向上并排地设置在主面9上。接触部7和8特别是可以施加到半导体本体2的该表面上。
连接面70、80优选设置用于将光电子器件与外部连接支承体的连接导体例如电路板的印制导线导电连接。
特别优选地，在将器件安装在连接支承体上的情况下，接触部的连接面70、80朝向该连接支承体。器件的连接侧于是可以同时形成用于安装在连接支承体上的器件的安装侧(未明确示出)。该器件由此可以构建为倒装芯片式的器件。
此外，连接面70、80优选位于共同的平面上。于是使得连接面与外部连接导体的连接变得容易。器件的连接面于是可以简化地通过导电的连接层例如借助导电的粘合剂或者焊剂来倒装芯片式地与外部的连接导体导电连接。
可替选地，连接面之一或者两个连接面都构建为用于线接合连接。在这种情况中，在连接支承体上的器件的安装侧合乎目的地是背离连接面的侧。
反射器层72优选包含金属，例如Al、Ag或者Au，或者合金，优选为带有所述材料的至少之一的合金，譬如AuSn或AuGe，或者由其构成。金属或者基于金属的合金的特征在于有利地高的反射率。对于反射器层，Au特别是对于基于磷化物化合物半导体的有源区是特别适合的，或者Al或者Ag特别是对于基于氮化物化合物半导体的有源区是特别适合的。
接触部7、8例如可以在将用于接触部的材料沉积到半导体本体2的主面9上的情况下来构建。
将层例如用于相应接触部的层、绝缘层和/或反射器层沉积到半导体本体可以借助电镀方法、PVD或者CVD方法、譬如通过溅射、气相淀积或者反应溅射来进行(PVD：物理气相沉积；CVD：化学气相沉积)。
接触部优选基于金属来构建。接触部特别是可以包含基于金属的合金，例如AuSn或者AuZn，或者金属例如Au、Al、Ag、Pt或者Ti，并且特别是由一种或多种基于金属的合金和/或一种或多种金属构成。
第一接触部7在连接面70侧优选具有连接层73，特别优选具有焊接层，例如锡焊接层或者金-锡焊接层，或者接合层，例如Au层。第二接触部8在连接侧优选具有连接层83、优选为焊接层，例如锡层或者金-锡焊接层，或者接合层，例如Au层。连接层73和83的背离半导体本体2的表面优选形成相应的接触部的连接面。接合层合乎目的地设计并且特别是构建为用于与接合线导电连接。
第一接触部7的连接面70优选通过第一接触部的另一层74与接触层71导电连接。第二接触部8的连接面80优选通过第二接触部的另一层85与电流扩展区域导电连接。
载流子可以通过接触层71大面积地注入到半导体本体中。含有金属的接触层71尽管已经可以显示出针对有源区中要产生的辐射的比较大的反射能力。然而有利的是设置单独的反射器层，因为相应的层于是可以针对相应的功能来优化。接触层71于是可以针对形成至半导体本体的电接触而优化，而反射器层可以关于对有源区中要产生的辐射的高反射率而构建。对于反射器层至半导体材料的电接触特性则不必注意。
接触层可以半透明地实施。如果吸收性的材料特别有利于形成至半导体本体的电接触，则接触层的半透明的实施由于适当的吸收损耗是特别合乎目的的。
在氮化物化合物半导体材料的情况下，例如Pt特别适于针对p导电的半导体材料的接触层71，而Al在高反射率方面特别适合于反射器层72。
P导电的氮化物材料、特别是p-GaN通常表现出在横向方向上的小的导电性。因此有利的是，已经将载流子大面积地注入到半导体本体中，而不是依靠半导体本体2中的电流扩展来大面积地将载流子注入到有源区中。
局部的接触部位12合乎目的地分布在半导体本体的延伸上。优选的是，接触部位均匀地分布在网格中，例如格栅点状地分布。于是载流子可以在半导体本体上横向分布地通过接触部位局部到达半导体本体中。合乎目的地，半导体本体的通过第二接触部8接触的半导体材料具有比与第一接触部7接触的材料更高的、在横向方向上(即平行于有源区)的导电性。虽然通过第二接触部8仅仅局部地接触半导体本体2，这样可以通过在半导体本体中的内部电流扩展实现在半导体本体中的在横向方向上均匀电流分布。于是尽管是局部的载流子注入，仍然可以简化地实现将载流子大面积且均匀地注入到有源区中。
接触部位12在半导体本体上的分布优选针对相应的接触部位中接触的半导体材料的横向方向上的导电性来调整，使得通过半导体本体中的电流扩展，载流子通过接触部位12注入到半导体本体中，并且可以在进入有源区4中之前被横向均匀地分布。
合乎目的的是，可替选地或者补充地选择接触部位与有源区的距离，使得通过半导体本体中的电流扩展将载流子通过接触部位12注入半导体本体中并且可以将载流子在进入有源区中之前横向均匀地分布。距有源区的距离越大，则在预先给定的横向方向上的导电性的情况下电流扩展通常越好。
在氮化物化合物半导体材料的情况下，n导电的材料、例如n-GaN通常具有比p导电的材料例如p-GaN明显更大的在横向方向上的导电性。半导体本体2的比较小面积地接触的区域6因此优选n导电地构建，并且半导体本体的与大面积的接触层接触的区域5构建为p导电的。
第二接触部8至半导体本体2的接触面(即半导体本体和该接触部之间的机械接触面的面积)可以为第一接触部7至半导体本体的接触面的50％或者更小，优选为40％或者更小，特别优选为30％或者更小。
替代如所示的那样将反射器层实施为接触部的一部分，也可以使用介电的反射器层。在这种情况中，介电的反射器层为了第一接触部的穿透而被合乎目的地穿通(未示出)。通过这种方式，可以建立第一接触部的连接面和接触层之间的导电连接。
在一个优选的扩展方案中，在半导体本体2中在主面9侧并且特别是在有源区4的、反射器层71和/或接触层72设置在其上的侧上单片集成有布拉格反射器。布拉格反射器优选包含高折射的和低折射的半导体层的交替布置。半导体层可以通过半导体本体的区域5中的层来形成。于是可以简单地提高朝向耦合输出面19偏转的辐射功率。
为了制造接触结构，例如首先将接触层71和必要时将反射器层72优选整面地沉积到用于半导体本体2的材料上。随后，接触层和半导体本体可以局部地例如借助使用合适的结构化掩膜情况下的刻蚀来针对凹处而被去除并且设置有绝缘层10。该绝缘层优选被整面地沉积并且随后针对接触部位而被留空，例如通过使用合适的掩膜情况下的刻蚀来进行。
随后可以施加第二接触部8。接触延伸部84可以随后以第二绝缘层13覆盖。绝缘层13可以随后被局部地去除并且接触部7、8的其余部分可以被施加。
第一接触部7的多层结构(一方面为带有接触层和必要时带有反射器层的位置(Lage)，而另一方面为带有第一接触部的其余部分的另一位置)在此结合两个接触部彼此的电绝缘使得构建用于光电子器件1的接触结构变得容易。接触延伸部特别是可以几乎任意地成型并且在半导体本体上分布地延伸。
由于第二接触部的两侧的绝缘(借助绝缘层10和13一侧与主面9绝缘而另一侧与接触部8绝缘)，进一步简化了接触延伸部在半导体本体上的任意走向的构建。此外，这种接触结构可以以复合结构(即同时针对多个半导体本体)简单地制造。复合结构制造因此是成本特别低廉的。
一种用于制造多个光电子器件的、适于复合结构制造的方法在WO2005/081319中进行了描述，其全部公开内容明确地通过引用结合到本专利申请中。
另外的元件可以优选还以复合结构施加到耦合输出面19上(未明确示出)。例如，带有转换材料的发光转换层被施加到耦合输出面上。该层可以吸收有源区中产生的辐射，并且转换为更长波长的辐射。两种辐射可以彼此混合，使得在器件的背离发光转换层的侧上发射具有混合颜色的、例如白色光的辐射。合适的转换材料例如在出版物WO 98/12757中进行了描述，其全部公开内容就此而言结合到本申请中。可替选地或者补充地，可以将光学元件例如用于射束成形的折射元件、特别是透镜、或者衍射元件设置到耦合输出面上，并且特别是施加到器件上。此外，可以在耦合输出面侧设置光子晶体结构。
当耦合输出面没有接触元件时，将这种元件施加到耦合输出面19上或者在耦合输出面中构建耦合输出结构变得容易。
此外，接触部的连接面非常靠近有源区地设置，使得热阻例如相对于其中支承体3设置在连接面和有源区之间的器件而言对于从有源区的热散发有利地小。
相对于传统的包括用于产生辐射的、安装在保护芯片的壳体中或者安装在引线框架上的半导体芯片的光部件而言(其中该部件的芯片在安装之后针对每个部件被单独地而不是按照复合结构地封装)，在这里描述的器件可以完全以复合结构制造。可以省去在从复合结构分割出器件之后事后对器件进行封装以保护器件。
有利地，保护性的封装已经可以设置在复合结构中。器件1优选具有封装40，其在图1中用虚线表明。半导体本体2合乎目的地嵌入到封装40中。封装40是分割后的器件的一部分。封装40可以具有一个或多个分割的外表面41。封装已经可以设置在复合结构中，其中从该复合结构分割出器件。
封装40优选保护有源区4免受有害的外部影响，例如湿气。为了封装，可以将造型材料例如BCB施加到半导体本体上并且特别是模制在其上。造型材料合乎目的地在施加之后被硬化。硬化的封装在机械上是稳定的并且保护有源区。封装40可以包围半导体本体2。半导体本体通过封装、优选结合以支承体而被保护。封装40优选沿着半导体本体2的所有不朝向支承体3的侧延伸。连接面70、80优选在封装40的背离半导体本体2的侧上暴露。
封装优选对于有源区中要产生的辐射是透射辐射的。
氮化物化合物半导体特别耐抗外部影响，使得可以相对无风险地省去在基于氮化物的器件中的封装。
与此相对，磷化物和砷化物化合物半导体特别是在其包含Al的情况下例如关于湿气方面更为敏感。因此，在其半导体本体包含这些材料之一的器件的情况下，设置封装是特别有利的。
此外，该器件可以具有非常小的位置需求。在主面9或者表面24的俯视图中被半导体本体2覆盖的面的面积与主面9或者表面24的俯视图中该器件在其上延伸的整个面的面积的比值可以大于0.2，优选大于0.3，特别优选大于0.5，通常优选大于0.7。传统的小型结构具有小于0.1的相应比值。
半导体本体的表面、优选半导体本体的背离主面9的表面24可以具有带有突起和凹陷的表面结构21。通过表面结构21可以使得从半导体本体2的辐射出射并且特别是辐射从半导体本体2转入支承体3中变得容易。
这种结构例如可以通过将半导体本体的表面粗化(例如通过刻蚀)或者特别是在支承体由生长衬底形成的情况下通过有目的地使用不平坦的生长衬底来实现。通过不平坦的生长衬底，可以有目的地造成在外延的衬底侧的半导体层中形成错移，其中由于该错移形成不平坦的表面。这种表面结构21在图1D中以强烈简化的截面图示意性地示出。
通过这种表面结构21，可以干扰表面24上的反射，例如全反射。于是使得辐射从半导体本体2的出射变得容易。如果例如在氮化物化合物半导体-半导体本体的情况下使用优选由生长衬底制成的蓝宝石支承体，则其具有比氮化物化合物半导体材料更小的折射率，使得在半导体本体中存在继续全反射的危险。该全反射可以通过表面结构21来干扰。
半导体本体2可以在通过有源区4的穿通部的区域中倾斜地构建。优选的是，半导体本体2的凹处11倾斜地构建，其中第二接触部8在该凹处中延伸。在图1E的部分截面图中示意性绘出了这样倾斜的构型。图1E示出了例如根据图1C的部分视图。
通过辐射在第二接触部8的设置在穿通部中的、具有朝向有源区的倾斜的面的接触材料的反射，可以干扰在半导体本体中的光路。由此可以提高从半导体本体耦合输出的辐射功率。
优选的是，凹处从器件1的主面9出发朝向有源区4的背离主面9的侧的方向变细。这种造型例如可以通过使用具有相应地倾斜的掩膜的干刻蚀来构建凹处来实现。
凹处11或者穿通部的壁110可以倾斜于有源区4和/或倾斜于主面9延伸。在35°到55°之间的角度γ(包括端点值)、例如45°证明例如对于干扰半导体本体中的光路是特别有利的。壁110和有源区4或者壁的延长和主面9可以形成该角度γ。在穿通部的区域并且特别是在凹处11的区域中可以设置介电的反射层。
介电的反射层可以借助绝缘层10来形成。
介电的反射层可以设置在第二接触部和半导体本体之间的穿通部或者凹处的区域中。
第二接触部8的设置在穿通部的区域中的材料合乎目的地选择为使得第二接触部在穿通部的区域中具有高的反射率。第二接触部于是可以在该区域中具有导电的反射层90。优选的是，第二接触部在穿通部的该区域中(即特别是在背离接触部位12并且穿过反射器层72或者接触层71的区域中)反射性地构建，例如具有高反射率的材料。例如金属特别是Ag或者Al或者合乎目的地具有多种金属的合金适于导电的反射层90。
第二接触部8优选具有接触层87。合乎目的的是，接触层87优化地实施为借助第二接触部形成至半导体材料的电接触。例如，接触层87含有金属或者金属合金，譬如Pt。接触层87可以具有50nm或者更小、优选30nm或者更小、特别优选为20nm或者更小、例如10nm或者更小的厚度。
特别是，接触层87可以在第二接触部8至半导体材料的接触部位12中与半导体材料邻接。例如，接触层87可以设置在绝缘层10的空隙中。在接触层97的背离半导体材料的侧上可以设置第二接触部8的导电的反射层90。
当然，第二接触部8的接触层87也可以设置在上面和下面所详细描述的器件中。同样的内容也适用于导电的反射层90。
虽然图1E中的视图仅仅示出了带有倾斜走向的壁的穿通部或者凹处11，当然根据图1的以及在其他所描述的实施例中的其他穿通部也可以根据结合图1E的描述来实施。
器件1特别是可以实施为使得在器件工作中和/在器件的关断状态中在耦合输出面19上不会看出亮度中的不规则性。在器件工作中，例如可以避免较小的辐射功率的区域，其中该辐射功率由于被穿通的有源区而会出现在这些区域中。耦合输出面19可以相应地在工作中和/或在关断状态中具有相同形状的外观。例如凹处11或穿通部的倾斜的壁和/或反射器层72可以有助于此。
优选的是，器件的耦合输出面19具有突起和凹陷。借助这种耦合输出结构，由于在耦合输出面上的受干扰的(全)反射而可以提高通过耦合输出面出射的辐射功率。这种耦合输出结构在图1B和1C中用虚线表明。耦合输出结构可以借助刻蚀或者机械处理例如研磨来构建。
图2借助图2A中的示意性俯视图和图2B中的示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。图2B中的剖切在此沿着图2A中的线A-A来进行。基本上，根据图2的实施例对应于结合图1所描述的实施例。
与此不同，第二接触部8为了在有源区4的背离主面9的侧上电接触半导体本体、特别是为了接触半导体本体2的区域6而在横向形成半导体本体2的边界的侧面22旁引导。
于是，可以省去根据图1的实施例的接触延伸部和凹处以及相应地也可以省去第二绝缘层13。接触层71以及优选反射器层72可以实施为连续的层。可以省去在这些层中的用于将第二接触部穿通至半导体本体的如下区域的空隙，该区域设置在有源区4的背离接触层71、反射器层72、连接面70和/或连接面80的侧上。也可以省去有源区的穿通部。于是增大了用于产生辐射的有源区的面。
第二接触部从接触层71的背离有源区4的侧出发横向地在半导体本体旁延伸到有源区的背离接触层的侧，并且在该侧导电地与半导体本体连接。
第二接触部8的接触区86为此在半导体本体2的形成有源区4的边界的侧面22旁延伸直到有源区4的背离主面9的侧。该接触区与有源区电绝缘。接触区86优选沉积在绝缘层10上。接触区86在有源区4的背离主面9的侧上的接触区域23中导电地与半导体本体、特别是区域6连接。优选的是，接触区86框架状地包围半导体本体。于是，可以使得将载流子均匀地注入有源区4中以大面积地产生辐射变得容易。接触区23的面积优选小于半导体本体的与接触层接触的面的面积(参看与图1关联的上述实施例)。
此外，半导体本体2的侧面22倾斜地实施。通过在第二接触部8的接触区86的侧面上或者朝向半导体本体并且倾斜走向的表面上的反射，可以干扰半导体本体中的光路并且相应地减小半导体本体中持续的全反射的危险。由此，可以提高从半导体本体出射的辐射功率。
优选的是，支承体3的侧面17倾斜地构建。于是可以干扰支承体中的全反射。
半导体本体2和/或支承体3的对应于图2中的视图地倾斜的侧面当然也可以设置在根据图1的器件或者下面所描述的器件中。
根据图2的器件1也可以设置有封装40，如其在图1B和1C中所表明的那样。此外，半导体本体2的朝向支承体3的侧可以具有根据图1D的结构。
图3借助示意性截面图示出了光电子器件1的另一实施例。基本上，器件1对应于结合图1所描述的器件。与此不同，省去了以机械方式稳定半导体本体2的支承体。
借助半导体本体2的背离主面9的表面24，可以形成耦合输出面19。该表面24可以具有表面结构(参看图1D中的表面结构21，在图3中未被明确示出)。
表面24可以设置有保护层28。对于保护层28例如上面针对绝缘层或者封装所详细提及的材料是合适的。
于是，器件1、例如发光二极管没有单独设计的、稳定优选外延生长的半导体本体的元件。可以省去支承体3，特别是生长衬底。
无支承体的器件可以由半导体本体、接触部和施加到半导体本体上的、特别是沉积到半导体本体上的层构成，其中所述层优选不是分别自支承地构建。这些层可以分别借助PVD或者CVD方法来沉积。
无支承体的器件的特征在于特别小的结构高度。
支承体3、例如半导体本体的生长衬底可以设计为制造这种无支承体的器件1期间的临时中间支承体。然而，支承体3在制造方法期间被去除。优选的是，支承体3被完全去除。
其他上面和下面所描述的器件也可以实施为无支承体的器件。
图4借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
图4中示出的光电子器件1基本上对应于结合图1所描述的器件。图4中的截面图在此对应于图1C中示出的截面图，其中另外的对应于图1A中的线A-A得到的通过器件的截面可以根据图1B中示出的视图来构建。特别地，电流扩展区域81可以具有一个或多个接触延伸部84。
不同于结合图1所描述的器件，两个接触部的连接面70、80设置在有源区4的不同侧上。第一接触部7的连接面70在此设置在主面9的背离有源区4的侧上。第二接触部8的连接面80设置在表面24的背离有源区的侧上，特别是支承体3的背离半导体本体2的侧上。
第二接触部8的连接面80和电流扩展区域81设置在有源区4的不同侧上，并且特别是设置在半导体本体2的不同侧上。
第一接触部的连接面70合乎目的地大面积地在半导体本体2的主面9上延伸。
在第二接触部8的电流扩展区域81中的电流扩展以及该接触部通过连接面80的外部电连接可以相应地在有源区并且特别是半导体本体的不同侧上进行。
在第一接触部的连接面70和第二接触部8之间合乎目的地连续延伸有绝缘材料。除了绝缘层10或13之外，为此还可以设置另外的绝缘层25。然而绝缘层25必要时也可以借助层13来形成(未示出)。绝缘层13和26于是一件式地实施。
不同于根据图1的实施例，半导体本体2具有完全穿过半导体本体的空隙26。该空隙于是穿过整个半导体本体延伸并且优选也继续通过整个支承体3。空隙26可以附加于根据图1B的凹处11来设置。与空隙相比，凹处优选仅仅部分地穿过半导体本体。
第二接触部8从半导体本体的主面9出发延伸穿过整个半导体本体2，并且在空隙26的区域中与有源区4并且特别是半导体本体以及优选支承体3电绝缘。为此，空隙26可以用绝缘材料、譬如绝缘层10来覆盖。空隙26优选横向被半导体本体2或者支承体3环绕地形成边界。通过接触部8的延伸穿过空隙26的部分，连接面80、特别是连接层83可以与电流扩展区域81导电连接。
设置在主面9侧的连接面70优选设计用于借助导电的连接层导电连接至连接支承体的连接导体。通过连接面70的相对于根据图1的实施例更大面积的实施，必要时可以实现更平坦的并且由此位置更加稳定的至连接支承体的连接。
连接面80优选设计用于与接合线连接。电流扩展可以在反射器层的背离有源区的侧上的区域81中实现。
相对于关于半导体本体的主延伸方向的电流扩展，对于通过连接面80外部电连接第二接触部需要比较小的面。连接面80相应地优选在半导体本体2的较小的面上作为电流扩展区域81延伸。
连接面80的面积优选小于接触层71或者反射器层72的朝向主面9的侧的面积。于是在器件的耦合输出面19的侧可以设置吸收性的元件如连接层83，然而由于该连接面的优选小面积的实施所以在该层中吸收的辐射部分可以相应地保持较小。
此外，将不同接触部的连接面70、80设置在有源区的两个不同侧上具有的优点是，一个接触部可以借助连接层来连接而另一接触部可以借助线连接来连接。在多个器件的电布线的情况下，这可以是有利的。
对于接触部8至连接面80的穿通，替代根据图1的凹处11之一可以设置空隙26。其他的凹处可以相应于图1B来构建和设置。
图5借助示意性截面图示出了光电子器件1的另一实施例。
基本上，图5中所示的器件对应于结合图4所描述的器件。对于两个器件共同之处在于，两个接触部7、8的连接面70、80设置在有源区4的不同侧上。不同于图4，接触部、特别是接触部7从主面9出发在半导体本体2的侧面15旁并且沿着该侧面延伸直到从有源区4出发来看与主面9对置的半导体本体2的表面24上。第一接触部7的层74为此可以沿着半导体本体2并且特别是沿着支承体的侧面17引导。
接触部7在侧面15的区域中与有源区4并且特别是与半导体本体2合乎目的地电绝缘。层74可以局部地嵌入绝缘材料、例如层10和26中(或者在层13和26一件式构建的情况下的层13中)。
与图4相对，在根据图5的器件1中省去了半导体本体2的空隙以及特别是支承体3的空隙。此外，不同于图5，第二接触部的连接面80设置在主面9的背离有源区4的侧上，并且优选大面积地在该主面2上延伸。而第一接触部的连接面70设置在表面24的背离有源区4的侧上并且特别是设置在支承体3的背离有源区的侧上。
在连接面70和有源区4之间合乎目的地设置有电绝缘材料，以避免接触部7和8的短路。为此，可以设置另外的绝缘层27，其在表面24上延伸并且设置在连接面70和有源区4之间。绝缘材料优选连续地在表面24、特别是支承体3和第一接触部7之间延伸。对于绝缘层25和27，针对层10和13所说明的材料同样是适合的。
如果支承体3电绝缘地构建，例如蓝宝石支承体，则可以省去绝缘层27。
图6借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
基本上，图6中所示的器件1对应于结合图1所描述的器件。特别地，两个接触部7、8的连接面70、80设置在有源区的相同侧上。
不同于根据图1的器件，接触部、优选两个接触部都具有两个设置在有源区的不同侧上的连接面。第二接触部8具有两个设置在有源区的不同侧上的连接面80和89。第一接触部7具有两个设置在有源区4的不同侧上的连接面70和79。
接触部7、8从主面9出发朝向表面24并且在表面24上的引导在此可以借助如结合图4描述的空隙26或者沿着在横向上形成半导体本体的边界的侧面15以及特别是沿着在横向上形成支承体3的边界的侧面如结合图5所描述的那样来进行。第二接触部8在此通过空隙26来引导，并且第一接触部7沿着侧面15来引导。
这种针对半导体本体的不同侧上的接触部而设置两个连接面可以提高器件1的外部电连接的接触自由度。于是，器件可以分别通过设置在有源区的相同侧上的两个连接面80、70或者89、79借助连接层或者借助接合线来接触。可替选地，在有源区的一侧上的连接面79或89可以借助连接层或者接合线来连接，而另外的连接面80或者70可以借助接合线或者连接层来接触。借助导电的连接层的接触优选在为了将器件安装在连接支承体而设计的侧上进行。
连接面79、89可以借助附加的连接层88或者78来形成。
图7借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
基本上，该器件1对应于结合图1所描述的器件(例如参见图1C中的相应截面图)。与其不同，光电子器件1具有附着层75。附着层75优选构建为使得提高第一接触部7的材料在半导体本体上的附着。附着层可以导电地实施，并且特别是第一接触部7的一部分。附着层可以包含金属或者合金，或者由其构成。附着层例如可以包含Ti或者由其构成。附着层75在一侧优选与半导体本体2邻接，而在另一侧优选与接触层71邻接。为了改进Pt接触层71在半导体材料上的附着，Ti附着层75是特别适合的。附着层合乎目的地具有10nm或者更小、优选5nm或者更小、特别优选3nm或者更小、譬如2nm或者更小的厚度。特别是，附着层可以半透明地构建。此外，附着层可以必要时构建为不连续的、例如岛状地构建的层。
通过设置附着层，减小了接触材料从半导体本体脱层的危险。附着层75优选整面地设置在接触层71和半导体本体2之间。
此外，器件1具有介电的反射层30。介电的反射层30设置在反射器层72和半导体本体2之间。介电的反射层30可以设置在反射器层72和接触层71之间。为了在接触层和反射器层之间形成电接触，介电的反射层30可以被单一地或多倍地留空(穿通)。为此，可以设置相应的通孔，这些通孔优选横向地并且特别是在环周侧由介电的反射层30形成边界，并且可以穿过反射层延伸。第一接触部7和/或第二接触部8可以从介电的反射层30的背离有源区的侧延伸到介电的反射层的朝向有源区的侧。附着层75可以设置在反射层30和半导体本体2之间。
可替选地，附着层75和/或接触层71可以设置在介电的反射层的相应的凹处中(未明确示出)。介电的反射层必要时可以设置在接触层和附着层之间(未明确示出)。
由于介电的反射层，可以改善借助反射器层72和反射层30将辐射至半导体本体的向回反射，其中反射器层和反射层形成总反射器，其可以包含导电的材料和电介质。
介电的反射层优选具有大于λ/(4n)的厚度，其中λ是在有源区中产生的辐射在真空中的波长，并且n是介电的反射层的材料的折射率。反射层的厚度可以为50nm或者更大，优选为70nm或者更大，优选为100nm或者更大，例如为150nm或者更大。介电的反射层的厚度优选小于或等于500nm，特别优选为小于或等于400nm。如果在穿通部或者凹处11的区域中设置的绝缘层、例如绝缘层10构建为(另外的)介电的反射层(参见针对图1E的描述)，则其可以具有相应的厚度。
在反射层的这样厚的实施形式中，避免或者减小了辐射在介电的反射层上反射中形成优选方向。带有反射层和反射器层的组合反射器的反射率特别有利地基本上与辐射的入射角无关。反射层优选包含氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅，或者由其构成。由于在蓝色光谱范围中的比较小的吸收，氧化硅对于紫外或者蓝色光谱范围中的辐射是特别适合的。
介电的反射层的折射率优选小于在介电的反射层侧形成半导体本体的边界的半导体材料的折射率。由于折射率跳变，辐射可以更多地反射回半导体本体中。于是，例如GaN的折射率大约为2.3，而SiO2的折射率大约为1.5。
这样提及的低k材料、即具有低折射率的材料、优选具有小于SiO2的折射率的材料也适于介电的反射层。
此外，根据图7的光电子器件1具有光学元件31。光学元件优选设置在耦合输出侧并且特别是可以施加到耦合输出面19上。光学元件31可以实施为发光转换元件。发光转换元件例如可以通过合适的发光转换材料吸收有源区4中产生的辐射并且作为另一波长的辐射、例如更大波长的辐射来再发射。光电子器件可以相应地产生混合颜色的光，特别是白色光。混合颜色在此由有源区中产生的辐射和发光转换元件再发射的辐射的混合形成。可替选地或者补充地，光学元件可以包括用于射束成形的光学元件，譬如折射或者衍射的光学元件，例如透镜。必要时，光学元件也可以构建为光子晶体结构。
在上面和下面详细描述的器件中也可以设置有附着层87、介电的反射层30、导电的反射层90和/或光学元件31。此外，相应的穿通部或者相应的凹处11可以用介电的反射层作为绝缘层10来覆盖。
器件1以及特别是第一接触部7可以具有透射辐射的并且导电的层。该层合乎目的地具有比在该层侧形成半导体本体2的边界的材料更低的折射率。于是可以进一步改善辐射至半导体本体中的向回反射。透射辐射且导电的层可以附加于附着层75和/或接触层71来设置，或者替换附着层和/或接触层。透射辐射且导电的层例如可以通过用附图标记75标识的层来形成，其中必要时可以省去接触层71。在图7中并未明确示出附加于附着层75和接触层71的、透射辐射的并且导电的层。透射辐射且导电的层设置在反射器层72和半导体本体2之间。此外，透射辐射且导电的层优选设置在介电的反射层30和半导体本体2之间。透射辐射且导电的层的折射率优选在介电的反射层的折射率和在透射辐射且导电的层侧形成半导体本体的边界的半导体材料的折射率之间。
透射辐射且导电的层可以包含氧化物，特别是金属氧化物，例如氧化锡、氧化锌或者氧化铟锡，或者由其构成。含有TCO(透明导电氧化物，透射辐射且导电的氧化物)的透射辐射且导电的层的特征在于在同时针对有源区中产生的辐射的高透射性的情况下在横向方向上的高的导电性。此外，这些材料可以具有比在该层侧形成半导体本体的边界的材料更低的折射率，使得透射辐射且导电的层由于折射率跳变而已经可以用作透射辐射且导电的反射层。穿过该层的辐射可以在介电的反射层上和/或反射器层上被反射，并且从那里又到达半导体本体中。
当介电的反射层为了形成至半导体本体的接触而被穿通并且透射辐射且导电的层设置在介电的反射层和半导体本体之间时，透射辐射且导电的层是特别有利的。电流扩展于是可以在介电的反射层和半导体本体之间进行。当在透射辐射且导电的层侧形成半导体本体的边界的材料中、例如在p-GaN中在横向方向上的导电性比较小时，这是特别合乎目的的。
透射辐射且导电的层的厚度优选为200nm或者更小，特别优选为100nm或者更小。
图8借助示意性截面图示出了光电子器件的另一实施例。
基本上，该器件1对应于结合前面的附图所描述的器件，特别是根据图5的器件。
与其不同，该器件的外部连接面70和80设置在半导体本体的背离反射器层72或者接触层71的侧上。特别是，连接面可以在该器件的耦合输出面上延伸。连接面70、80可以分别借助连接层73或者83、例如借助接合层譬如Au接合层来形成。连接层73、83优选分别设计用于与接合线连接。连接面70、80设置在有源区的背离主面9的侧上。电流分布和形成至半导体本体的接触在半导体本体的背离连接面的侧上进行。连接面可以有利地小面积地实施。
基本上，根据图8的器件对应于结合图5描述的器件，其中补充地将连接面80引导至半导体本体的与连接面70相同的侧上。第二接触部8可以在第二接触部的一层82或者多个层上在与连接面70相同的侧上引导，其中所述第二接触部的层可以从主面9出发侧面在外部沿着半导体本体在侧面15旁并且优选也在支承体3的侧面17旁并且在表面24或者耦合输出面19上延伸。对此，例如合适的金属层或者合金层是适合的。
此外，该器件1设置并且优选固定在导热体32、例如Ge体上。反射器层72或接触层71朝向导热体32。半导体本体与导热体32通过导热的连接层33、例如焊接层、譬如锡焊接层或者金-锡焊接层来导热连接。连接层33可以设置在反射器层72和导热体之间，和/或设置在接触层71和导热体之间。接触部7、8之一、例如第二接触部8优选具有暴露在器件外侧上的热连接区域34。连接层33可以沿着该连接区域34延伸。热连接区域34特别是可以附加于电连接面70、80来设置。连接面、特别是两个连接面优选设置在半导体本体的背离热连接区域34的侧上。在器件工作中出现的损耗热可以通过至导热体的连接层33并且通过导热体32可靠地向环境散发。于是降低了特别是在大功率器件情况下的器件故障的危险。
热连接区域32优选设置在半导体本体的背离支承体3的侧上。于是避免了通过可能导热差的支承体的热传输。
导热体32可以附加地用作支承体，使得必要时可以省去支承体3。该器件可以特别是实施为无(生长)衬底的器件。
图9借助示意性截面图示出了光电子装置的一个实施例。
光电子装置200具有光电子器件1。该器件1可以根据上面详细描述的器件之一来构建，特别是构建为其连接面针对导电的层连接来设计和/或设计用于表面安装的器件。出于清楚的原因，该器件1仅仅被示意性示出。
此外，光电子装置200具有连接支承体50。连接支承体具有两个彼此电绝缘的连接导体51、52。连接支承体50可以通过电路板例如印刷电路板或者金属芯电路板、或者通过基于陶瓷的、设置有用于连接导体的导电材料的连接支承体来形成。连接导体52和51例如可以包含金属或者合金。
器件1以接触部7或者8的连接面70、80朝向连接支承体50。连接面70、80中的每个都与单独的连接导体51或52关联。连接面70、80可以与相应的连接导体51或52导电连接，例如焊接。
此外，光电子装置200具有填充材料60。填充材料60合乎目的地构建并且特别是设置在连接支承体50和光电子器件1之间。在该器件和连接支承体之间的间隙可以借助填充材料60来填满或者填充。填充材料60可以以机械方式支持光电子器件。填充材料可以借助造型材料来形成，其优选被硬化。填充材料可以包含合成材料，例如树脂，譬如环氧树脂，或者由其构成。填充材料可以与器件的没有连接面70、80的面(即未被连接面覆盖的面)邻接，其中该面优选朝向器件。优选在将器件安装在连接支承体上之前将填充材料施加到器件1或者连接支承体50上。在将器件固定在连接支承体上之后，填充材料可以被硬化或者硬透。半导体本体优选未嵌入填充材料中。
填充材料可以与连接支承体50、器件1和/或接触部7和8邻接。填充材料60优选设置在连接面之间和/或接触部7和8之间。特别合乎目的的是，当器件没有(生长)衬底并且特别是没有支承体、即没有附加的机械稳定元件时，于是实施填充材料。
通过借助填充材料60来机械支持半导体本体2，减小了在工作中由于热而导致的张紧而引起的损坏的危险。
光电子器件1可以没有附加的中间支承体(submount)以及特别是以表面安装技术直接地安装到连接支承体上。
封装40或者表面结构21可以设置在所有上面详细描述的器件中，而不仅仅是结合图1或7所描述的器件中。
本专利申请要求2007年4月26日申请的德国专利申请102007019775.8的优先权，其全部公开内容明确地通过引用结合到本专利申请中。
本发明并未通过借助实施例的描述而受到限制。本发明而是包含任意新的特征以及特征的任意组合，特别是包含权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身未明确地在权利要求或者实施例中说明。

Claims (15)

1.一种光电子器件(1)，包括：
-半导体本体(2)，其具有带有适于产生辐射的有源区(4)的半导体层序列，
-设置在半导体本体上的反射器层(72)，以及
-两个电接触部(7，8)，其中两个接触部的第一接触部(7)在有源区的朝向反射器层的侧上与半导体本体导电连接，两个接触部的第二接触部(8)在有源区的背离反射器层的侧上与半导体本体导电连接，并且反射器层设置在第二接触部的部分区域和半导体本体之间。    
2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中反射器层(72)被留空用于形成第一接触部(7)至半导体本体(2)的接触，并且其中反射器层被留空用于形成第二接触部(8)至半导体本体的接触。
3.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中反射器层(72)电绝缘地构建。
4.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中接触部(7，8)之一具有反射器层(72)。
5.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中第二接触部(8)在横向形成半导体本体(2)的边界的侧面(15)旁从有源区(4)的一侧延伸直到有源区的另一侧，并且在该另一侧上与半导体本体导电连接。
6.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中有源区(4)具有多个穿通部(11，26)，并且第二接触部(8)通过穿通部延伸，其中第二接触部在穿通部的区域中与有源区电绝缘。
7.根据权利要求6所述的光电子器件，其中相应的穿通部(11，26)的壁(110)倾斜于有源区(4)走向。
8.根据权利要求6或7所述的光电子器件，其中第二接触部(8)在穿通部的区域中具有导电的反射层(90)。
9.根据权利要求8所述的光电子器件，其中第二接触部(8)具有接触层(87)，并且该接触层设置在导电的反射层(90)和半导体本体(2)之间。
10.根据权利要求4至9中的任一项所述的光电子器件，其中在导电的反射器层(72)和半导体本体之间设置有介电的反射层(30)。
11.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中在反射器层(72)和半导体本体(2)之间设置有用于第一接触部(7)的附着层(75)。
12.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中接触部(7，8)之一的背离有源区(4)的连接面(70，80)设置在有源区(4)的背离反射器层(72)的侧上。
13.根据权利要求12所述的光电子器件，其中两个接触部(7，8)具有背离有源区(4)的连接面(70，80)，并且两个连接面设置在有源区的相同侧上。
14.根据权利要求1至12中的任一项所述的光电子器件，其中接触部(7，8)分别具有背离有源区(4)的连接面(70，80)，并且两个连接面(70，80)设置在有源区的不同侧上。
15.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其中半导体本体(2)外延地生长，并且该器件(1)没有用于半导体本体的半导体层的生长衬底。
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