CN102790165B - 半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。

Description

半导体发光器件
相关申请的交叉引用
本申请基于并要求2011年5月16日提交的在先的日本专利申请No.2011-109921的优先权，在此引入其整个内容作为参考。
技术领域
这里描述的实施例一般地涉及半导体发光器件。
背景技术
关于半导体发光器件，例如LED(发光二极管)，存在一种结构其中例如在蓝宝石衬底上形成的晶体层与导电衬底接合，然后移除蓝宝石衬底。在此结构中，为了增强光提取效率，对通过移除蓝宝石衬底而暴露的晶体层的表面进行不平坦化处理。另外，还有一种结构，其中在将成为光提取面的晶体层的表面上没有形成电极并且在与移除了蓝宝石衬底的表面相对的晶体平面上形成p侧电极和n侧电极。在这样的发光器件中，要求通过增强散热性能进一步提高光提取效率。
发明内容
一般地，根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一导电类型的第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和在与所述第一半导体层的层表面平行的面中与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二导电类型的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一半导体层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二半导体层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一半导体层向所述第二半导体层的层叠方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
附图说明
图1为示出了半导体发光器件的示意截面图；
图2为示出了半导体发光器件的示意平面图；
图3A和3B是局部放大图，每一个都示出了不平坦部件；
图4为示出了根据参考实例的半导体发光器件的示意截面图；
图5A到7B为顺序示出了半导体发光器件的制造方法的示意截面图；
图8为示出了半导体发光器件的示意截面图；
图9为示出了半导体发光器件的示意平面图；
图10为示出了半导体发光器件的示意平面图；以及
图11为示出了半导体发光装置的示意截面图。
具体实施方式
下文中将参考附图描述不同的实施例。
附图是示意性的或概念性的；每部分的厚度和宽度之间的关系，以及每部分之间的尺寸比例等等不必与实际值相同。另外，在图中，相同的部分可能显示不同的尺寸和比例。
(第一实施例)
图1是示出了根据第一实施例的半导体发光器件的配置的示意截面图。
图2是示出了根据所述第一实施例的半导体发光器件的配置的示意平面图。
这里，图1示出了沿图2中的线A-A’的示意截面图。
如图1所示，根据第一实施例的半导体发光器件110包括层叠结构体100、第一电极50、第二电极60以及第一介电体部件40。
层叠结构体100包括第一导电类型的第一半导体层10，与第一半导体层10的一部分面对的第二导电类型的第二半导体层20以及在第一半导体层10和第二半导体层20的一部分之间提供的发光层30。
第一导电类型是，例如，n型。第二导电类型是，例如，p型。第一导电类型可以是p型并且第二导电类型可以是n型。在实施例中，以第一导电类型是n型并且第二导电类型是p型的情况为例。
层叠结构体100在第一半导体层10一侧具有第一主表面100a并且在第二半导体层20一侧面具有第二主表面100b。另外，第一半导体层10的一部分被暴露到第二主表面100b侧。该部分是第一半导体层10的暴露部件10e。
第一电极50包括与在暴露部件10e处的第一半导体层10接触的接触部件51。第二电极60在第二主表面100b处与第二半导体层20接触。
第二电极60包括在第二主表面100b处与第二半导体层20接触的第一部件61以及第二部件62，第二部件62与第一部件61电连接并包括沿从第一半导体层10向第二半导体层20的层叠方向看时覆盖接触部件51的部分。
这里，在实施例中，Z-轴方向指连接第一半导体层10和第二半导体层20的方向，X-轴方向指与Z-轴方向正交的两个方向中的一个方向，Y-轴方向指正交于Z和X-轴方向的方向。层叠方向沿Z-轴方向。
因此，第一半导体层具有第一部分(暴露部件10e)和第二部分(其它部分10f)。第二部分(其它部分10f)与第一部分在X-Y面(与第一半导体层10的层表面平行的面)中并置。
在接触部件51和第二部件62之间提供第一介电体部件40。
即，第二电极60通过第一介电体部件40与第一电极50电绝缘。在实施例中，仅在第一电极50的接触部件51的周围提供第一介电体部件40。因此，第二电极60的第一部件61在其中没有在层叠结构体100的第二主表面100b一侧提供第一介电体部件40的相对大的区域上与第二半导体层20接触。因此，在层叠结构体100中产生的热从第二电极60有效的向外部散去。
下面，将描述根据实施例的半导体发光器件110的具体实例。
根据实施例的半导体发光器件110中，在层叠结构体100中包括的第一半导体层10、第二半导体层20以及发光层30是例如，氮化物半导体。通过例如金属有机化合物化学气相沉积工艺的使用，在蓝宝石等构成的生长衬底上层叠第一半导体层10、第二半导体层20和发光层30。
具体地，“氮化物半导体”设定为具有其中x、y、z分别在化学式BxInyAlzGa1-x-y-zN的范围内变化(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z≤1)的所有成分的半导体中的一种。另外，在上述化学式中，半导体还包括除N(氮)之外的V族元素，半导体还包括被添加以控制例如导电类型的各种物理特性的各种元素，以及半导体还包括非故意包含的各种类元素，上述半导体包括在“氮化物半导体”中。
在层叠结构体100中，提供从第二主表面100b到达第一半导体层10的凹面部件100t。凹面部件100t的底面包括第一半导体层10的暴露部件10e。第一电极50的接触部件51接触在暴露部件10e处的第一半导体层10以实现与第一半导体层10的电连接。
在接触部件51中使用能够与第一半导体层10实现较好接触的材料。关于接触部件51，例如，使用Al/Ni/Au的叠层。通过在接触面50c上以例如300nm的厚度顺序层叠Al、Ni和Au形成叠层。
另外，第一电极50包括延伸到层叠结构体100的外部的引出部件53。引出部件53与接触部件51电连接并且被提供为从接触部件51沿X-Y面延深到层叠结构体100的外部。引出部件53可以与接触部件51一体形成。
层叠结构体100的侧面被第二介电体部件45覆盖。引出部件53的一部分在第二介电体部件45的位于层叠结构体100的外部的开口处暴露。在暴露部分上提供衬垫电极55。
未示出的如接合线的布线构件与衬垫电极55连接并因此使得外部和第一半导体层10互相电连接。
提供第二电极60的第一部件61以便与沿第二主表面100b的第二半导体层20接触。在第一部件61中，使用能够有效反射从发光层30发出的发射光的材料。在第一部件61中，使用如Ag/Pt的叠层。通过在第二主表面100b上以例如200nm的厚度顺序层叠Ag和Pt形成叠层。
根据实施例的半导体发光器件110包括与第二电极60的第二部件62电连接的支撑衬底70。第二电极60的第二部件62包括，例如接合金属部件。整个第二部件62都可以是接合金属部件。
在接合金属部件中，使用下面将描述的能够实现与支撑衬底70的良好连接的材料。在接合金属部件中，使用如Ti/Au的叠层。通过在第二主表面100b上以例如800nm的厚度顺序层叠Ti和Au形成叠层。
支撑衬底70被接合到接合金属部件。由具有至少导电性的材料制备支撑衬底70。但是，没有具体限制支撑衬底70的材料，例如，可以使用如Si和Ge的半导体衬底，如CuW和Cu的金属板以及厚膜镀敷层。另外，不要求整个衬底具有导电性，衬底可以是具有金属互连等等的树脂衬底。
在实施例中，使用Ge作为支撑衬底70的材料的实例。支撑衬底70通过如Au/Su合金(未示出)的焊料与接合金属部件接合。
向支撑衬底70提供背面电极85。即，第二半导体层20与第二电极60、支撑衬底70以及背面电极85电连续。因此，在未示出的安装衬底等之上安装半导体发光器件110，实现提供到安装衬底等的电连接部件和第二半导体层20之间的电连接。
沿X-轴方向看，支撑衬底70具有层叠结构体100外部的边缘部件70a。第一电极50的引出部件53从接触部件51引出到边缘部件70a。
在半导体发光器件110中，第二电极60是p侧电极。因此，支撑衬底70和背面电极85与第二电极60电连续可以实现p侧电极(第二电极60)与外部之间的电连接。
另外，在半导体发光器件110中，第一电极50是n侧电极。因此，将如接合线的布线构件连接到衬垫电极55以获得n侧电极(第一电极50)与外部之间的电连接。
在半导体发光器件110中，可以在层叠结构体100的第一主表面100a(第一半导体层10的表面)上提供不平坦部件12p。不平坦部件12p由第一主表面100a的面上提供的多个凸起构成。
图3A和3B是局部放大图，每一个都示出了不平坦部件。
图3A是不平坦部件的示意截面图。
图3B是一个凸出部件的示意平面图。
如图3A所示，提供具有多个凸起的不平坦部件12p。凸起沿X-轴方向的最大宽度大于从发光层30辐射出的发射光在第一半导体层10中的峰值波长。
因此，在第一半导体层10和外部的界面处的发射光的反射可以认为是兰伯特(Lambert)反射，因此，导致了更高的光提取效率的改善效果。其中，“峰值波长”指从发光层30辐射出的发射光中最高强度光的波长。峰值波长是对应于发射光的光谱分布的峰值的波长。当光谱具有两个或更多最大值时，其中的每一个都不是噪声水平，可以选择其中的任意一个。
如图3B所示，例如，当在第一半导体层10中使用氮化物半导体时，如果沿Z-轴方向观察的凸起的平面形状为近似六角形，最大宽度ΔW是六角形的相对的对角顶点之间的宽度。
作为实例，当第一半导体层10由氮化镓构成时，发光层30的发射光的峰值波长是390nm，荧光层10中的发射光的峰值波长变为155nm。在此情况下，可以实现光提取效率的改善效果直到不平坦部件12p的最大宽度ΔW从超出155nm的值达到3μm的量级。因此，优选不平坦部件12p的最大宽度ΔW不小于发射光的峰值波长的两倍，更优选最大宽度ΔW不小于峰值波长的10倍。
在这样的半导体发光器件110中，从发光层30的发射的光在层叠结构体100的第一主表面100a侧的量大于在第二主表面100b侧的量。即，第一主表面100a做光提取面。
在这样的半导体发光器件110中，在层叠结构体100的第一主表面100a侧上既没有设置n侧电极(第一电极50)也没有设置p侧电极(第二电极60)。因此，在此情况中，在第一主表面100a侧的光提取效率比在第一主表面100a侧上设置电极的情况有改善。另外，直接位于作为主发热源的发光层30下面的p侧电极(第二电极60)与具有高热导率的金属层和支撑衬底70连接。如果，例如散热器与支撑衬底70连接，可以降低热阻并且实现好的散热性能。此外，提供半导体发光器件110的p侧电极(第二电极60)的第二部件62以便沿层叠结构体100的第二主表面100b延伸。例如，支撑衬底70具有边缘部件70a，当沿层叠方向看时，该部件位于层叠结构体100a的外部。第二部件62沿第二主表面100b延伸到边缘部件70a。因此，可以实现好的散热性能，使得整个半导体发光器件110的热阻降低。
图4示出了根据参考实例的半导体发光器件的配置的截面图。
如图4所示，根据参考实例的半导体发光器件190中，第一电极50包括接触部件51和沿第二主表面100b提供的与接触部件51电连续的第三部件54。另外，在第三部件和第二电极60的第一部件61之间沿Z-轴方向提供第三介电体部件41。
第二电极60包括第一部件61和在层叠结构体100的外部由第一部件61提供的与第一部件61电连续的引出部件63。引出部件63的一部分在第二介电体部件45的位于层叠结构体100的外部的开口处暴露。在暴露部分上提供衬垫电极65。
在这样的半导体发光器件190中，在第二电极60的第一部件61和第一电极50的第三部件54之间提供第三介电体部件41。即，形成第三介电体部件41以覆盖除在层叠结构体100的第二主表面100b侧的接触部件51之外的整个第一电极50。因此，直接位于作为主发热源的发光层30下面的部件被第三介电体部件41覆盖。因为，半导体发光器件190通过具有低于金属的热导率的热导率的第三介电体部件41与散热器等连接，所以器件190的热阻变高，因此不能获得器件190的充分的散热特性。另外，为了提高绝缘特性，必须以较大的厚度形成第三介电体部件41，器件190的绝缘特性和散热特性互相为折衷关系。
相反，在根据实施例的半导体发光器件110中，没有直接在发光层30下面提供介电体。第二电极60直接位于发光层30下面，因此在荧光层30中产生的热量从第二电极60向支撑衬底70侧扩散并且容易地消散到外部。从而，即使为了提高绝缘性能而形成较厚的第一介电体部件40，也不会降低散热性能。因此，在半导体发光器件110中，可以同时实现好的绝缘特性和好的散热特性。
接下来，将描述半导体发光器件110的制造方法的实例。
图5A到7B是顺序示出了半导体发光器件的制造方法的实例的示意截面图。
首先，如图5A所示，依次在由蓝宝石等构成的生长衬底80上生长第一半导体层10、发光层30和第二半导体层20。从而，在生长衬底80上形成层叠结构体100。
采用例如金属有机化合物化学气相沉积工艺形成层叠结构体100。作为形成层叠结构体100的方法，可以采用金属有机化合物化学气相沉积工艺之外的公知技术，例如分子束外延生长工艺。
作为实例，如下形成层叠结构体100。
首先，关于阻挡层，在表面为蓝宝石的C-面的生长衬底80上顺序形成高碳浓度第一AlN缓冲层(碳浓度为例如不小于3×1018cm-3并且不大于5×1020cm-3，并且厚度为例如3nm到20nm)、高纯度第二AlN缓冲层(碳浓度为例如不小于1×1016cm-3并且不大于3×1018cm-3，并且厚度为2μm)以及未掺杂GaN缓冲层(例如厚度为2μm)。上述第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层是由单晶氮化铝构成的层。通过使用如第一AlN缓冲层和第二AlN缓冲层的单晶氮化铝层，可以通过后面描述的晶体生长形成高质量半导体层，导致晶体损坏的明显下降。
接下来，在其上顺序形成Si掺杂n-型GaN接触层(Si浓度为，例如不小于1×1018cm-3并且不大于5×1019cm-3，并且厚度为6μm)以及Si掺杂的n-型Al0.10Ga0.90N包层(例如，Si浓度为1×1018cm-3，并且厚度为0.02μm)。Si掺杂n-型GaN接触层和Si掺杂n-型Al0.10Ga0.90N包层构成第一半导体层10。为了方便，所有或部分上述GaN缓冲层可以包括在第一半导体层10中。
这里，在生长衬底80上形成的缓冲层不限于上述AlN。例如，可以使用在低温下生长的AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的薄膜。
接下来，关于荧光层30，在其上交替层叠三个周期的Si掺杂的n-型Al0.10Ga0.90N势垒层、GaInN阱层，然后进一步在其上层叠具有多个量子阱的最终的Al0.11Ga0.89N势垒层。在Si掺杂的n型Al0.11Ga0.89N势垒层中，Si浓度是，例如，不小于1.1×1019cm-3并且不大于1.5×1019cm-3。在最终的Al0.11Ga0.89N势垒层中，Si的浓度是，例如不小于1.1×1019cm-3并且不大于1.5×1019cm-3，并且厚度为0.01μm。这样的多量子阱结构的厚度为，例如0.075μm。随后，在其上形成Si掺杂的n-型Al0.11Ga0.89N层(Si的浓度是，例如不小于0.8×1019cm-3并且不大于1.0×1019cm-3，并且厚度为0.01μm)。发光层30中的发射光的波长是，例如不小于370nm并且不大于480nm或者不小于370nm并且不大于400nm。
另外，关于第二半导体层20，依次在其上一层接一层形成未掺杂Al0.11Ga0.89N间隔层(厚度为，例如0.02μm)，Mg掺杂p-型Al0.28Ga0.72N包层(Mg的浓度为，例如1×1019cm-3并且厚度为例如0.02μm)，Mg掺杂p-型GaN接触层(Mg的浓度为，例如1×1019cm-3并且厚度为例如0.4μm)以及高浓度的Mg掺杂p-型GaN接触层(Mg的浓度为，例如5×1019cm-3并且厚度为例如0.02μm)。
上述成分，成分比，杂质种类，杂质浓度以及厚度是一个实例，可以对实例进行不同修改。
通过设定高浓度Mg掺杂p-型GaN接触层的Mg的浓度为较高的值1×1020cm-3，可以提高关于第二电极60的欧姆特性。然而，在半导体发光二极管的情况下，不同于半导体激光二极管，高浓度的Mg掺杂p-型GaN接触层和发光层30之间的距离很近，因此由Mg扩散导致的特性下降被关注。因此，通过将高浓度Mg掺杂p-型GaN接触层的Mg的浓度抑制到约1×1019cm-3而不明显降低电性能，Mg的扩散可以被抑制，从而导致发光特性的提高。
另外，高碳浓度第一AlN缓冲层具有弛豫与生长衬底80的晶体类型差别的功能，以及特别地减少螺位错。另外，高纯度第二AlN缓冲层的表面的平整度为原子量级，从而减少了在其上生长的未掺杂GaN缓冲层的晶体缺陷。为了充分减少晶体缺陷，优选第二AlN缓冲层的膜厚度厚于1μm。另外，为了抑制源于扭曲的翘曲，优选第二AlN缓冲层的膜厚度不大于4μm。高纯第二AlN缓冲层的材料不限于AlN，替代地，作为材料可以使用AlxGa1-xN(0.8≤x≤1)，其可以补偿生长衬底80的翘曲。
另外，在高纯第二AlN缓冲层上以三维岛状形状生长未掺杂GaN缓冲层。因此，未掺杂GaN缓冲层起到减少晶体缺陷的作用。为了使生长表面平整，优选未掺杂GaN缓冲层的厚度不小于2μm。从可重复性和减少翘曲观点看，优选未掺杂GaN缓冲层的总厚度不小于2μm并且不大于10μm。
通过采用这样的缓冲层，与采用在低温下生长的AlN缓冲层的情况相比晶体缺陷可以减少到约1/10。虽然此技术使用对n-型GaN接触层的高浓度Si掺杂并且发射光在紫外光频带，但是通过使用该技术，可以制造高效率半导体发光器件。另外，通过减少未掺杂GaN缓冲层中的晶体缺陷，还抑制了未掺杂GaN缓冲层中的光吸收。
虽然没有具体限制量子阱层的光发射波长，当使用例如由GaInN构成的氮化镓基化合物半导体时，获得了375到700nm的荧光。
另外，没有具体限制蓝宝石衬底上的缓冲层，并且可以使用在低温下生长的AlxGa1-xN(0.8≤x≤1)薄膜。
接下来，如图5B所示，在层叠结构体100的一部分中形成凹面部件100t。凹面部件100t从层叠结构体100的第二主表面100b到达第一半导体层10。因此，第一半导体层10暴露于凹面部件100t的底部(暴露部件10e)。
为了形成凹面部件100t，在层叠结构体100的第二主表面100b上形成未示出的掩模并进行例如干法蚀刻。即，在掩模中将形成凹面部件100t的部分处提供开口，通过蚀刻的方式从第二主表面100b到第一半导体层10移除层叠结构体100。从而，形成凹面部件100t。虽然没有具体限制凹面部件100t的内面的角度，但是优选角度不小于60°，作为反射来自发光层30的发射光的角度，沿前进方向相反的方向，30°时具有最大强度。虽然没有具体限制凹面部件100t的深度，但深度越深，光提取效率更容易通过改变在层叠结构体100中沿横向方向传播的发射光的前进方向而提高。相反，如果深度太深，在后面的工艺中接合支撑衬底70时，很难用焊料填充凹面部件100t。另外，如果加深凹面部件100t的深度直到到达未掺杂GaN缓冲层，就不可能在Si掺杂n-型GaN接触层中形成第一电极50。因此，使凹面部件100t的深度例如不小于0.6μm并且不大于6.6μm，优选地，不小于1.0μm并且不大于3.0μm。
接下来，如图5B所示，形成接触第一半导体层10的第一电极50。对于第一电极50，首先，以例如300nm的厚度，在从凹面部件100t暴露的第一半导体层10的暴露面100e上形成将成为欧姆电极的Ti/Al/Ni/Au叠层，并且叠层在氮气气氛中以600℃烧结5分钟。
接下来，关于用于电流扩散的金属，用于引出部件53到衬垫电极55的连接金属，以及绝缘层的粘接金属，在欧姆电极上以如1200nm的膜厚度形成如Ti/Au/Ti的叠层。
用于第一电极50的材料不限于上述材料。例如，如果Al用作用于第一层的材料，则第一电极50的光提取效率和设计自由度将会改善，因为当对于n-型接触层形成好的欧姆特性和低的接触特性时，第一层用作反射电极。因为Al具有差的环境耐性，例如，通过采用混合少量Si的Al合金，可以提高电极的可靠性和粘附性能。
接下来，形成第一介电体部件40以便覆盖第一电极50和凹面部件100t。作为第一介电体部件40，例如，以800nm的膜厚度形成如SiO2膜。
这里，当形成第一介电体部件40的膜时，可以通过高温生长形成膜。即，因为之前形成的第一电极50是在约600℃下烧结，其对可比较的热处理条件具有热阻。因此，可以在足够高的温度下形成第一介电体部件40的膜。因此，第一介电体部件40成为具有极佳绝缘性能，覆盖性能，可靠性等等的高质量膜。
接下来，如图5C所示，为了形成具有欧姆特性的第二电极60，移除在第二半导体层20上的第一介电体部件40。然后，在通过移除第一介电体部件40暴露的第二半导体层20的表面上以例如200nm的厚度形成作为欧姆电极的Ag/Pt叠层。然后，通过在氧气气氛中在约400℃下烧结叠层一分钟形成第二电极60的第一部件61。
第二电极60至少包含银或银合金。虽然在可见光频带中，常规金属单层膜的反射效率随着波长在不大于400nm的紫外频带中变得更短而下降，但是即使对不小于370nm并且不大于400nm的紫外频带中，银对光也具有高的反射效率特性。因此，在紫外发射的半导体发光器件中当由银合金构成第二电极60时，期望在半导体界面侧上的第二电极60具有更大的银成分比例。为了确保对光的反射效率，优选第二电极60的膜厚度不小于100nm。
接下来，如图6A所示，在暴露第一部件61和第一介电体部件40的整个表面上，以例如800nm的膜厚度形成如Ti/Pt/Au的叠层作为将成为接合金属的第二部件62。
接下来，制备由例如Ge构成的支撑衬底70。在支撑衬底70的主表面上以3μm的膜厚度提供例如由AuSn合金构成的焊料(未示出)。然后，当第二部件62和焊料互相面对时，将衬底70和层叠结构100加热到超出焊料的共晶点的例如300℃的温度。从而，支撑衬底70与层叠结构体100的第二主表面100b的侧面接合。
然后，如图6B所示，从生长衬底80的一侧用如YVO4的固态激光器LSR的第三谐波(355nm)或第四谐波(266nm)的激光辐射层叠结构体100。激光LSR的波长比基于GaN缓冲层(例如上述未掺杂GaN缓冲层)中的GaN的带隙的带隙波长短。即，激光LSR具有比GaN的带隙更高的能量。
在GaN缓冲层(未掺杂GaN缓冲层)中的单晶AlN缓冲层(在此实例中，第二AlN缓冲层)一侧的区域中，此激光LSR被有效吸收。因此，在GaN缓冲层中的单晶AlN缓冲层的侧面的GaN因为热产生而被分解。
当在蓝宝石衬底(生长衬底80)上的晶体层与支撑衬底70粘接在一起或者当通过使用激光LSR分解GaN从支撑衬底70释放蓝宝石衬底(生长衬底80)时，在晶体中倾向于出现由支撑衬底70和蓝宝石或GaN之间热膨胀系数的差异，由局部加热而产生的热，GaN分解时产生的产物等等而导致的晶体缺陷和损坏。如果产生了晶体缺陷和损坏，第二电极60中的Ag扩散，从而加速了晶体和晶体缺陷中泄漏的增加。
根据实施例，因为能够通过使用单晶AlN缓冲层形成高质量半导体层，所以显著降低了晶体的损坏。另外，当用激光LSR分解GaN时，热量扩散到紧邻GaN并且表现出高热传导特性的AlN缓冲层中，因此，晶体很难被局部加热产生的热量损坏。
然后，通过盐酸处理等移除分解的GaN以从层叠结构体100释放生长衬底80。从而层叠结构体100和生长衬底80分离。
接下来，在层叠结构体100的暴露的第一主表面100a上进行不均匀性和衬垫电极55的形成。
首先，如图7A所示，通过干法蚀刻移除层叠结构体100的一部分以暴露第一电极50的一部分(引出部件53)。接下来，在层叠结构体100的第一主表面100a的整个面上形成第二介电体部件45并且在其一部分中提供开口。在第二介电体部件45中使用例如SiO2。第二介电体部件45的膜厚度是例如800nm。从第二介电体部件45的开口暴露例如未掺杂GaN缓冲层的表面。
接下来，如图7B所示，通过使用作为掩模的具有开口的第二介电体部件45，通过使用如KOH溶液的碱性蚀刻处理未掺杂GaN缓冲层的表面以形成不平坦部件12p。关于蚀刻条件，例如1mol/升的KOH溶液被加热到80℃并进行20分钟的蚀刻。
可以在n-型接触层上形成不平坦部件12p。然而，为了与n侧电极(第一电极50)形成低电阻欧姆接触，n-型接触层的载流子浓度被设定为是高的。当在n-型接触层上形成不均匀性和平整部分时，会发生表面粗糙化和杂质沉淀，导致光提取效率的降低。相反，GaN缓冲层的杂质浓度低于n-型接触层的杂质浓度，从而具有很难发生表面粗糙化和杂质沉淀的优点。
这里，在形成不平坦部件12p的方法中，可以使用上述湿法蚀刻或者使用干法蚀刻。对于使用KOH溶液等的碱性蚀刻，对缓冲层沿每个GaN晶体的面方向(主要为{1 0 -1 -1})进行各向异性蚀刻，导致六边锥形结构的形成。另外，蚀刻速率和六面锥形结构的尺寸和密度依赖于氢离子指数(PH)(通过蚀刻温度，蚀刻时间以及其它物质的添加调整)，浓度，紫外线(UV)和UV激光辐射的存在等等而较大地变化。
一般地，当蚀刻的量(从蚀刻前的表面到在蚀刻后形成的不平坦部件12p的最深处的深度)变大时，形成的不平坦部件12p变得更大且更密集。当通过干法蚀刻处理GaN时，与Ga面不同，N面倾向于受晶体取向或位错影响并且可以容易地进行被各向异性蚀刻。在c-面蓝宝石衬底上生长的GaN的表面通常是Ga面，类似于实施例的通过移除蓝宝石衬底而暴露的GaN的表面是N面。因此，通过使用干法蚀刻的各向异性蚀刻可以容易地形成不平坦部件12p。还可以通过使用掩模的各向异性蚀刻形成不平坦部件12p。因此，可以形成所设计的不平坦部件12p，从而允许提高光提取效率。
提供不平坦部件12p的目的是，例如，有效地提取入射光或者改变入射角。因此，优选不平坦部件12p的尺寸大于在晶体层中的发射光的波长。如果不平坦部件12p的尺寸小于发射光的波长，在不平坦部件12p的界面处，在不平坦部件12p中的入射光表现出可以通过波动光学解释的例如散射和衍射的现象。因此，初始穿透的发射光的一部分未被提取。另外，如果不平坦部件12p的尺寸与发射光的波长相比充分小，不平坦部件12p被认为是折射率连续变化的层。因此，该层像不具有不平坦性的平整平面一样作用，从而不能增加光提取效率。
根据使用在实施例中制造的具有390nm的发射光波长的半导体发光器件(晶体层中的发射光波长约为155nm)的实验结果，证明了当不平坦部件12p的尺寸变大时光输出增加。输出的增加趋势稳定连续直到不平坦部件12p的尺寸变为3μm的量级。因此，发现优选不平坦部件12p的尺寸不小于晶体层中的发射光的波长两倍，并且进一步优选不平坦部件12p的尺寸不小于十倍。
接下来，移除第二介电体部件45的覆盖引出部件53的部分，并且在引出部件53的暴露部分上形成衬垫电极55。关于衬垫电极55，使用如Ti/Pt/Au的叠层。衬垫电极55的膜厚度是例如800nm。接合线被连接到衬垫电极55。
然后，通过研磨等将支撑衬底70研磨到约100μm的厚度，并且在研磨表面上以例如800nm的厚度形成例如Ti/Pt/Au的叠层作为背面电极85。背面电极85被连接到散热器或封装。
随后，如果需要，通过使用裂开(cleavage)或金刚石刀等切割支撑衬底70。从而，完成半导体发光器件110。
虽然上述制造方法中，示出了用蓝宝石衬底作为生长衬底80的实例，但是还可以用Si衬底作为生长衬底80。另外，当Si衬底用作生长衬底80时，取代使用激光LSR的辐射，可以通过将Si衬底研磨到特定程度的厚度并随后通过蚀刻移除剩余的Si衬底进行移除生长衬底80的处理。
(第二实施例)
图8是示出了根据第二实施例的半导体发光器件的配置的截面图。
图9是示出了根据第二实施例的半导体发光器件的配置的表面侧平视图。
图10是示出了根据第二实施例的半导体发光器件的配置的背面平视图。
这里，图8示出了图9中沿线B-B’的截面图。
如图8所示，根据第二实施例的半导体发光器件120包括层叠结构体100、第一电极50、第二电极60以及第一介电体部件40。半导体发光器件120还包括与第一电极电连续的衬垫电极57。衬垫电极57与第二电极的第二部件62平行设置。
在衬垫电极57和第一电极50的接触部件51之间提供过孔(via)部件56。过孔部件56沿Z-轴方向延伸。例如，在Z-轴方向上穿透第二电极60的第二部件62的孔H中形成过孔部件56。在穿过嵌入绝缘部件43的孔H中形成过孔部件56。对于嵌入绝缘部件43，例如使用介电材料(SiO2等)。对于嵌入绝缘部件43，还可以使用树脂。过孔部件56将衬垫电极57电连接到接触部件51。过孔部件56可以包括在第一电极50中。
在半导体发光器件120中，用例如镀敷金属形成第二电极60的第二部件62。即，通过金属镀敷形成第二部件62。关于镀敷金属，使用例如Cu。通过金属镀敷，以约200μm的厚度形成第二部件62。因此，第二部件62有足够的强度并且可以用作支撑衬底70。(参考图1)。
可以通过镀敷第一部件61和第二部件62形成第二电极60。
如上所述，在半导体发光器件120中，衬垫电极57与第二电极60的第二部件62平行设置。即，在半导体发光器件120中，第一电极50和第二电极60两者都设置在与层叠结构体100的光提取面(第一主表面100a)相对的一侧(第二主表面100b一侧)。没有在光提取平面上设置第一电极50和第二电极60(参考图8和9)。因此，与电极设置在光提取面一侧的发光器件的光提取面的面积相比，可以增加光提取面的面积。因此，降低了有效电流密度，提高了发光效率。
另外，因为衬垫电极57与接触部件51通过过孔部件56而电连续，可以自由地在半导体发光器件120的背面侧(第二主表面100b侧)设计衬垫电极57。如图10所示，可以在背面侧的面上的多个位置提供衬垫电极57。还可以在背面侧的拐角(至少一个拐角)处形成衬垫电极57。另外，还可以在背面侧的中心部位形成衬垫电极57。在半导体发光器件120中，可以考虑第一电极50和第二电极60之间的电流如何流动而容易地设定衬垫电极57的版图。
图11是示例了使用根据实施例的半导体发光器件的半导体发光装置的配置的截面图。
在此具体实例中，虽然使用了根据第一实施例的半导体发光器件110，但是对于半导体发光装置还可以使用根据另一个实施例的半导体发光器件120。
半导体发光装置500是白光LED，其中结合了半导体发光器件110和荧光材料。即，根据实施例的半导体发光装置500包括半导体发光器件110和吸收由半导体发光器件110发射的光并发射波长不同于上述光的波长的荧光材料。
如图11所示，根据实施例的半导体发光装置500中，在由陶瓷等构成的容器72的内面提供反射膜73。分别在容器72的内侧壁和底部形成反射膜73。反射膜73由例如铝构成。其中，在容器72的底部提供的反射膜73上，通过基座(submount)74安装半导体发光器件110。
对于半导体发光器件110，当使第一主表面100a一侧向上时，其支撑衬底70的背面安装到基座74上。还可以通过使用粘接剂的粘接以固定半导体发光器件110、基座74和反射膜73。
在半导体发光器件110一侧的基座74的表面上提供电极75。半导体发光器件110的支撑衬底70通过背面电极85安装在电极75上。因此，电极75通过背面电极85和支撑衬底70与第二电极60电连续。衬垫电极55被使用接合线76而电连接到在容器72一侧提供的未示出的电极。在内侧壁的反射膜73和底面侧反射膜73之间进行这些连接工作。
另外，提供包含红光荧光材料的第一荧光材料层81以便覆盖半导体发光器件110和接合线76。另外，在第一荧光材料层81上，形成包括蓝、绿或者黄光荧光材料的第二荧光材料层82。在荧光材料层上，提供由例如硅树脂构成的盖帽部件77。
第一荧光材料层81包括树脂并且红光荧光材料分散在树脂中。
对于红光荧光材料，可以使用例如Y2O3，YVO4或Y2(PV)O4作为基础材料，并且三价Eu(Eu3+)包含在基体中作为激活材料。即，Y2O3:Eu3+，YVO4:Eu3+等等的材料可以用作红光荧光材料。Eu3+的浓度可以是摩尔浓度从1％到10％。
对于红光荧光材料的基础材料，还可以用LaOS，Y2(PV)O4等等的材料替代Y2O3或YVO4。另外，还可以用Mn4+等等替代Eu3+。具体地，通过向YVO4的基础材料中添加三价Eu和少量Bi，增加了对390nm波长的吸收并且因此进一步增强了发光效率。另外，对于树脂，例如可以使用硅树脂。
另外，第二荧光材料层82包括树脂和分散在树脂中的蓝、绿以及黄光荧光材料中的至少一种。例如，关于荧光材料，可以使用组合蓝光荧光材料和绿光荧光材料的荧光材料，或者可以使用组合蓝光荧光材料、绿光荧光材料和黄光荧光材料的荧光材料。
关于蓝光荧光材料，可以使用例如(Sr，Ca)10(PO4)6C12:Eu2+或BaMg2Al16O27:Eu2+。
关于绿光荧光材料，可以使用例如Y2SiO5:Ce3+，Tb3+，使用Tb作为发射中心。在此情况下，提高了提取效率，因为能量从Ce离子转移到了Tb离子。关于绿光荧光材料，可以使用例如，Sr4Al14O25:Eu2+。
关于黄光荧光材料，可以使用Y2Al5:Ce3+。
另外，关于树脂，例如可以使用硅树脂。更具体地说，三价Tb在发光效率最大化的550nm附近有更尖锐的发射，因此，当Tb与尖锐红光发射的三价Eu组合时，发光效率明显提高。
在根据实施例的半导体发光装置500中，由半导体发光器件110产生并具有例如390nm的波长的紫外光从器件110的向上和横向发射。另外，通过被反射膜73反射的紫外光有效激发在每个荧光材料层中包括的上述荧光材料。例如，使用在第一荧光材料层81中包含的三价Eu作为荧光中心的上述荧光材料中，光被转化为具有在620nm附近的窄波长分布的光。因此，可以有效获得红色可见光。
另外，可以通过激发包括在第二荧光材料层82中的蓝、绿和黄光荧光材料有效地获得蓝、绿和黄色可见光。另外，关于它们的混合光，可能获得具有高的效率并且具有好的彩色再现特性的白光或者不同颜色的光。
根据半导体发光装置500，可以有效获得具有所期望的颜色的光。
如上所述，根据实施例的半导体发光器件，可以通过增强散热性能而提高光提取效率。
上文中，描述了示范性实施例或它们的修改。但是，本发明不局限于这些实例。例如，本领域的技术人员通过合适的添加或删除构成部件或添加与上述实施例或它们的修改相关的设计修改而产生的实例或者通过合适的结合实施例的特征而产生的实例同样包括在本发明的范围内至包括本发明的主旨的程度。
虽然描述了特定具体的实施例，这些实施例仅作为实例出现，并不旨在限制本发明的范围。实际上，这里描述的新实施例可以以其它不同的形式实施；另外，可以在不脱离本发明的精神的情况下范围内对这里描述的实施例进行形式上的各种省略、替代和变化。所附权利要求书及其等效物旨在覆盖所所有落入本发明的精神和范围内的这样的形式或修改。

Claims (22)

1.一种半导体发光器件包括：
层叠结构体，包括：
第一导电类型的第一半导体层，具有第一部分和第二部分，所述第二部分在平行于所述第一半导体层的层表面的面中与所述第一部分并置，
在所述第二部分上提供的发光层，以及
在所述发光层上提供的第二导电类型的第二半导体层；
所述层叠结构体具有在所述第一半导体层一侧的第一主表面和在所述第二半导体层一侧的第二主表面，
所述层叠结构体具有从所述第二主表面到达所述第一半导体层的凹面部件，
第一电极，包括接触部件和引出部件，所述接触部件设置在所述第一部分上并与所述第一半导体层接触，所述引出部件被电连接到所述接触部件，所述第一电极与在所述凹面部件的底面处的所述第一半导体层接触；
第二电极，包括：
第一部件，设置在所述第二半导体层上并与所述第二半导体层接触，所述第一部件对由所述发光层发射的光是反射的，以及
第二部件，与所述第一部件电连接并包括当从所述第一半导体层向所述第二半导体层的层叠方向看时覆盖所述接触部件的部分；
介电体部件，设置在所述接触部件和所述第二部件之间，所述介电体部件包括嵌入在所述凹面部件中的部分，所述介电体部件在所述第一电极和所述第二电极之间以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间绝缘；以及
衬垫电极，与所述第一电极的所述引出部件电连接；
当从所述层叠方向看时所述第二电极的覆盖所述发光层的区域的面积大于接触所述第一半导体层的所述接触部件的面积。
2.根据权利要求1的器件，还包括与所述第二部件电连续的支撑衬底，所述第二部件被设置在所述支撑衬底和所述第二半导体层之间。
3.根据权利要求2的器件，其中
从层叠方向上看，所述支撑衬底具有位于所述层叠结构体外部的边缘部件，
所述引出部件从所述接触部件延伸到所述边缘部件。
4.根据权利要求3的器件，其中
所述第二电极包括接合金属部件；以及
所述支撑衬底被接合到所述接合金属部件。
5.根据权利要求1的器件，其中所述衬垫电极与所述第一电极电连续并包含与所述第二部件平行设置的部件。
6.根据权利要求1的器件，其中所述第二电极包括镀敷金属。
7.根据权利要求1的器件，其中
所述发光层发射光，并且
从所述第一主表面离开到外部的光的量大于从所述第二主表面离开的光的量。
8.根据权利要求1的器件，其中所述第一半导体层、所述发光层以及所述第二半导体层包括氮化物半导体。
9.根据权利要求1的器件，其中所述第二部件沿所述层叠结构体的所述第二主表面延伸。
10.根据权利要求1的器件，其中
通过晶体生长在所述第一半导体层上形成所述发光层，并且
通过晶体生长在所述发光层上形成所述第二半导体层。
11.根据权利要求1的器件，其中所述第一电极包括铝。
12.根据权利要求1的器件，其中所述第二电极包括银。
13.根据权利要求1的器件，其中
所述第一半导体层包括在所述第一主表面上提供的不平坦部件，
所述不平坦部件具有比从所述发光层发射的光的峰值波长更长的节距。
14.根据权利要求13的器件，其中所述光的峰值波长不小于370纳米且不大于400纳米。
15.根据权利要求13的器件，其中在所述不平坦部件中的凸起的形状从所述层叠方向看是六角形。
16.根据权利要求15的器件，其中所述六角形沿垂直于所述层叠方向的方向的最大宽度不小于所述峰值波长的两倍。
17.根据权利要求13的器件，其中通过对所述第一半导体层进行碱性蚀刻形成所述不平坦部件。
18.根据权利要求13的器件，其中在所述不平坦部件中的凸起被形成为六面锥形。
19.根据权利要求13的器件，其中
所述第一半导体层包括氮化镓；以及
沿所述氮化镓的面方向形成所述不平坦部件。
20.根据权利要求2的器件，其中
当从所述层叠方向看时在所述支撑衬底的未覆盖所述层叠结构体的区域中在所述支撑衬底的所述层叠结构体一侧上设置所述衬垫电极。
21.根据权利要求1的器件，其中
所述接触部件被设置在所述衬垫电极和所述第一半导体层之间，
所述第一电极包括设置在所述衬垫电极和所述接触部件之间的过孔部件，以及
所述过孔部件与所述衬垫电极电连接。
22.根据权利要求2的器件，其中
所述介电体部件未被设置在所述支撑衬底和当从所述层叠方向观察时所述第二电极的覆盖所述第二半导体层的部分之间。
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Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010517274A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド 外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法
JP4996706B2 (ja) * 2010-03-03 2012-08-08 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US9249963B2 (en) * 2011-11-08 2016-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
TWI546979B (zh) * 2012-03-05 2016-08-21 晶元光電股份有限公司 對位接合之發光二極體裝置與其製造方法
JP6135213B2 (ja) * 2012-04-18 2017-05-31 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
EP2881648B1 (en) * 2012-08-02 2018-01-03 Nichia Corporation Wavelength conversion device
US9318530B2 (en) * 2012-08-07 2016-04-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array and method for manufacturing same
JP5792694B2 (ja) 2012-08-14 2015-10-14 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP5377725B1 (ja) 2012-08-21 2013-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
JP5881560B2 (ja) * 2012-08-30 2016-03-09 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
DE102012108883A1 (de) * 2012-09-20 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
JP5734935B2 (ja) 2012-09-20 2015-06-17 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP6067400B2 (ja) * 2013-02-12 2017-01-25 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2014179469A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Toshiba Corp 半導体発光素子、発光装置及び半導体発光素子の製造方法
DE102013103079A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
JP6100598B2 (ja) 2013-04-25 2017-03-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP2014216470A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
DE102013107531A1 (de) * 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
TWI616004B (zh) * 2013-11-27 2018-02-21 晶元光電股份有限公司 半導體發光元件
US11329195B2 (en) 2013-08-27 2022-05-10 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device
JP2015056647A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 窒化物半導体発光装置
JP6387780B2 (ja) 2013-10-28 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR102164087B1 (ko) 2014-06-10 2020-10-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR102200018B1 (ko) * 2014-06-17 2021-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2016054260A (ja) * 2014-09-04 2016-04-14 株式会社東芝 半導体発光素子
KR102237144B1 (ko) * 2014-11-06 2021-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
JP2016134439A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 株式会社東芝 半導体発光素子
US10658546B2 (en) * 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
KR102295812B1 (ko) * 2015-02-06 2021-09-02 서울바이오시스 주식회사 반도체 발광소자
JP2016146389A (ja) * 2015-02-06 2016-08-12 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2016174015A (ja) * 2015-03-16 2016-09-29 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101646666B1 (ko) 2015-03-26 2016-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 이 소자를 포함하는 발광 소자 패키지, 및 이 패키지를 포함하는 조명 장치
BR102016015672B1 (pt) 2015-07-30 2021-11-30 Nichia Corporation Elemento emissor de luz com uma forma plana hexagonal e dispositivo emissor de luz
JP6696298B2 (ja) * 2015-07-30 2020-05-20 日亜化学工業株式会社 発光素子及びそれを用いた発光装置
JP6774747B2 (ja) * 2015-08-05 2020-10-28 株式会社小糸製作所 発光モジュール
JP6637703B2 (ja) 2015-09-10 2020-01-29 アルパッド株式会社 半導体発光装置
JP2017059645A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2017059638A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 株式会社東芝 半導体発光素子
DE102016100317A1 (de) * 2016-01-11 2017-07-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP6738169B2 (ja) * 2016-03-11 2020-08-12 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 半導体光デバイスおよびその製造方法
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
CN114093994A (zh) 2016-06-20 2022-02-25 苏州乐琻半导体有限公司 半导体器件以及半导体器件封装
EP3511990B1 (en) 2016-09-10 2023-12-13 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device
CN115763652A (zh) 2016-09-13 2023-03-07 苏州立琻半导体有限公司 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
TWI799231B (zh) * 2016-11-09 2023-04-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
TWI720053B (zh) * 2016-11-09 2021-03-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
KR20180086068A (ko) * 2017-01-20 2018-07-30 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
KR102338140B1 (ko) * 2017-05-04 2021-12-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체소자
JP7048873B2 (ja) * 2017-07-25 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
KR102601620B1 (ko) 2017-08-03 2023-11-15 크리엘이디, 인크. 고밀도 픽셀화된 led 칩 및 칩 어레이 장치, 그리고 그 제조 방법
KR102390828B1 (ko) 2017-08-14 2022-04-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
CN110034216A (zh) * 2018-01-12 2019-07-19 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Iii-v族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
JP7068577B2 (ja) * 2018-03-28 2022-05-17 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP6680311B2 (ja) * 2018-06-04 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置および面発光光源
CN111029442B (zh) * 2018-10-09 2022-03-08 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Iii族氮化物紫外发光二极管及其制作方法
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
US11817526B2 (en) 2019-10-29 2023-11-14 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-LED chips and chip array devices
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3627822B2 (ja) * 1994-08-18 2005-03-09 ローム株式会社 半導体発光素子、およびその製造方法
JP3087831B2 (ja) * 1996-11-27 2000-09-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6194743B1 (en) 1997-12-15 2001-02-27 Agilent Technologies, Inc. Nitride semiconductor light emitting device having a silver p-contact
US6486499B1 (en) * 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
WO2002089221A1 (en) * 2001-04-23 2002-11-07 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device comprising led chip
US6787435B2 (en) * 2001-07-05 2004-09-07 Gelcore Llc GaN LED with solderable backside metal
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
EP1733439B1 (en) * 2004-03-18 2013-05-15 Panasonic Corporation Nitride based led with a p-type injection region
US7795623B2 (en) * 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US7679097B2 (en) 2004-10-21 2010-03-16 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US7524686B2 (en) * 2005-01-11 2009-04-28 Semileds Corporation Method of making light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
JP4462249B2 (ja) * 2005-09-22 2010-05-12 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法
JP2007165409A (ja) 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
US20090278233A1 (en) * 2007-07-26 2009-11-12 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
JP5353113B2 (ja) * 2008-01-29 2013-11-27 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法
JP5047013B2 (ja) 2008-03-12 2012-10-10 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US8129742B2 (en) * 2008-03-25 2012-03-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and plated through-hole
JP5234454B2 (ja) 2008-03-26 2013-07-10 スタンレー電気株式会社 光半導体素子の製造方法
KR100946523B1 (ko) 2008-04-24 2010-03-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102009025015A1 (de) * 2008-07-08 2010-02-18 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP5367323B2 (ja) * 2008-07-23 2013-12-11 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4599442B2 (ja) 2008-08-27 2010-12-15 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP5123269B2 (ja) * 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
KR101017394B1 (ko) 2008-09-30 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP5286045B2 (ja) 2008-11-19 2013-09-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子の製造方法
KR101017395B1 (ko) * 2008-12-24 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101557362B1 (ko) * 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) * 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP2010192645A (ja) 2009-02-18 2010-09-02 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP5350833B2 (ja) 2009-02-20 2013-11-27 株式会社東芝 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
US7732231B1 (en) 2009-06-03 2010-06-08 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of forming a dielectric layer on a semiconductor light emitting device
JP5278175B2 (ja) 2009-06-05 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8471288B2 (en) 2009-09-15 2013-06-25 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride semiconductor light-emitting device including an auxiliary electrode in contact with a back surface of an n-type layer
JP5304563B2 (ja) * 2009-09-15 2013-10-02 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2011198997A (ja) 2010-03-19 2011-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2011071272A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2011119333A (ja) * 2009-12-01 2011-06-16 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子
KR100974787B1 (ko) 2010-02-04 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101039999B1 (ko) * 2010-02-08 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100986560B1 (ko) * 2010-02-11 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP5174067B2 (ja) * 2010-03-11 2013-04-03 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2012253123A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子

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