JP5350833B2 - 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の別の一態様によれば、第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記第1半導体層に接する第1電極であって、前記第1電極と前記第2半導体層との間に前記第1半導体層が配置され、銀を含む第1電極と、前記第2半導体層に対してオーミック接触を形成し、前記発光層からの発光光に対して透光性を有し、In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh及びGaよりなる群から選択された少なくとも1つの酸化物を含む第2電極と、前記第2電極を貫通し、前記第2電極に電気的に接続され、前記第2半導体層に対してショットキー接触を形成し、Al、Ag及びRhの少なくとも1つを含む第3電極と、前記第3電極の前記第2半導体層とは反対の側に形成され、前記第1半導体層、前記発光層及び前記第2半導体層の積層方向からみたときに前記第3電極と同じ形状を有する第4電極と、を備え、前記第2電極、前記第3電極及び前記第4電極と、前記第1半導体層と、の間に前記第2半導体層が配置され、前記第3電極の前記発光光に対する反射率は、前記第4電極の前記発光光に対する反射率よりも高いことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式図である。
すなわち、同図(b)は平面図であり、同図(a)は同図(b)のA−A’線断面図である。
図1に表したように、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、n型半導体層1と、p型半導体層2と、n型半導体層1とp型半導体層2との間に設けられた発光層3と、を有する積層構造体1sを備える。
本具体例では、n型半導体層1が第1半導体層であり、p型半導体層が第2半導体層である。
すなわち、パッド電極4pは、ショットキー電極のp型半導体層2とは反対の側に形成される。そして、パッド電極4pは、n型半導体層、発光層3及びp型半導体層2の積層方向(すなわち、第1主面1saに対して垂直な方向)からみたときに、ショットキー電極4sと同じ形状を有する。
例えば、後述するように、パッド電極4pとなる膜とショットキー電極4sとなる膜を成膜し、同一のパターンで一括して加工することにより、パッド電極4pとショットキー電極4sとは同じ平面形状を有することができる。
図2は、比較例の半導体発光素子の構成を例示する模式図である。
すなわち、同図(b)は平面図であり、同図(a)は同図(b)のA−A’線断面図である。
図2に表したように、比較例の半導体発光素子119においては、ショットキー電極4sが設けられていない。すなわち、オーミック電極4oには開口部4qが設けられず、オーミック電極4oは、p型半導体層2のほぼ全面に渡って設けられ、その一部の上に、パッド電極4pが設けられている。これ以外は、半導体発光素子110と同様の構造である。
図3は、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光素子の効果のシミュレーションモデルを例示する模式図である。
図3に表したように、本シミュレーションにおいては、半導体発光素子110を簡単化した1次元モデルを採用した。なお、同図においては、オーミック電極4oは省略されている。
すなわち、同図(a)は最初の工程の図であり、同図(b)は同図(a)に続く図である。
図5は、図4に続く工程順模式的断面図である。
図4(a)に表したように、例えば、サファイアからなる基板10の上に、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法やMBE(Molecular Beam Epitaxy)法等によって、例えば、ノンドープのGaNバッファ層11、及び、n型GaN層からなるn型半導体層1を順次形成する。引き続き、n型半導体層1の上に、例えばInGaN層からなる発光層3を、例えばMOCVD法やMBE法によって形成する。さらに、発光層3の上に、例えば、MOCVD法などによって、p型AlGaNクラッド層2a、p型GaN層2b、及び、高濃度ドーピングp型GaN層2cを順次形成する。これにより、積層構造体1sが作製される。
図6に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光素子111においては、ショットキー電極4s(及びパッド電極4p)の第1主面1saに垂直な方向からみた時の平面形状が上述の半導体発光素子110から変えられている。すなわち、半導体発光素子111においては、半導体発光素子110の平面形状において、n側電極7に対向する対角及びその対角から延在する2つの辺に沿って、開口部4qが設けられ、その形状に沿った形状で、ショットキー電極4s及びパッド電極4pが設けられている。これにより、ショットキー電極4sによる電流の経路が整形され、電流注入領域をより均一にすることができる。
本発明の第2の実施の形態においては、n型半導体層に接続される電極において、オーミック電極とショットキー電極が設けられる。そして、この場合は、n型半導体層の側から光が取り出される。
すなわち、同図(b)は平面図であり、同図(a)は同図(b)のA−A’線断面図である。そして、同図(b)は、同図(a)の矢印Bの方からみた時の平面図である。
図7に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子120は、第1半導体層(p型半導体層52)と、第2半導体層(n型半導体層51)と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層53と、を有する積層構造体51sを備える。
オーミック電極57oは、n型半導体層51に対してオーミック接触を形成し、発光層53からの発光光に対して透光性を有する。
すなわち、同図(b)は平面図であり、同図(a)は同図(b)のA−A’線断面図である。そして、同図(b)は、同図(a)の矢印Bの方からみた時の平面図である。
図8に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光素子121においては、ショットキー電極57s(及びパッド電極57p)が、複数の細線状の形状を周囲の枠で囲んだ形状を有している。そして、その細線と枠とで取り囲まれた内部、及び、枠の外側にオーミック電極57oが設けられている。
なお、n型半導体層51の側に、オーミック電極57oを設ける場合には、n型半導体層51の抵抗が比較的低いのでオーミック電極57oが全面になくても活性層平面に対し均一に電流を注入できる。このため、全面にオーミック電極57oが広がっていなくても良く、さらにオーミック電極57oとして平面パターンが細線状やメッシュ状の金属膜を用いることもできる。
本発明の第3の実施の形態は、半導体発光素子の製造方法に係る。以下では、第1の実施形態に係る半導体発光素子110の製造方法を例にして説明する。
すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、第1半導体層(n型半導体層1)と、第2半導体層(p型半導体層2)と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層3と、を有する積層構造体1sと、前記第1半導体層に電気的に接続された第1電極(n側電極7)と、前記第2半導体層に対してオーミック接触を形成し、前記発光層からの発光光に対して透光性を有する第2電極(オーミック電極4o)と、前記第2電極を貫通し、前記第2電極に電気的に接続され、前記第2半導体層に対してショットキー接触を形成する第3電極(ショットキー電極4s)と、前記第3電極の前記第2半導体層とは反対の側に形成された第4電極(パッド電極4p)と、を有する半導体発光素子の製造方法である。
図9は、本発明の第3の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示するフォローチャート図である。
図9に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法においては、前記第1半導体層、前記発光層及び前記第2半導体層を積層する(ステップS110)。例えば、図4(a)に関して説明した方法が採用でき、これにより積層構造体1sが形成される。
そして、前記第2半導体層(例えばp型半導体層2)の上に前記第2電極(例えばオーミック電極4o)を形成する(ステップS130)。
この時、上記のステップS120及びステップS130の順序は入れ替えが可能であり、例えば、図4(b)及び図5(b)に関して説明した方法を採用することができる。
そして、前記第3電極となる膜及び前記第4電極となる膜を、同一のマスクを用いて一括して加工する(ステップS150)。
上記のステップS140及びステップS150では、例えば、図5(b)に関して説明した方法を採用することができる。
この時、p側コンタクト電極55aには例えばAgが用いられ、接合層55bには例えばAuが用いられ、基板50には例えばSiが用いられる。
図10は、本発明の第4の実施形態に係る半導体発光装置の構成を例示する模式的断面図である。
図10に表したように、本発明の第4の実施形態に係る半導体発光装置210は、上記の実施形態に係る半導体発光素子110、111、120及び121及びそれらの変形例のいずれかと、蛍光体と、を組み合わせた白色LEDである。
なお、以下では、上記の半導体発光素子110と、波長変換層と、を組み合わせた場合として説明する。
赤色蛍光体としては、例えばY2O3、YVO4、Y2(P,V)O4等を母材として用いることができ、これに3価のEu(Eu3+)を付活物質として含ませる。すなわち、Y2O3:Eu3+、YVO4:Eu3+等を赤色蛍光体として用いることができる。Eu3+の濃度は、モル濃度で1%〜10%とすることができる。赤色蛍光体の母材としては、Y2O3、YVO4の他に、LaOSやY2(P, V)O4等を用いることができる。また、Eu3+の他にMn4+等を利用することもできる。特に、YVO4母体に、3価のEuと共に少量のBiを添加することにより、380nmの吸収が増大するので、さらに発光効率を高くすることができる。また、樹脂としては、例えば、シリコン樹脂等を用いることができる。
緑色蛍光体としては、例えば3価のTbを発光中心とするY2SiO5:Ce3+,Tb3+を用いることができる。この場合、CeイオンからTbイオンへエネルギーが伝達されることにより励起効率が向上する。緑色蛍光体としては、例えば、Sr4Al14O25:Eu2+等を用いることができる。
黄色蛍光体としては、例えばY3Al5:Ce3+等を用いることができる。
また、樹脂として、例えば、シリコン樹脂等を用いることができる。
特に、3価のTbは、視感度が最大となる550nm付近に鋭い発光を示すので、3価のEuの鋭い赤色発光と組み合わせると発光効率が著しく向上する。
また、第2蛍光体層212に含まれる青色、緑色、黄色の蛍光体が、効率良く励起され、青色、緑色、黄色の可視光を効率良く得ることができる。
これらの混色として、白色光やその他様々な色の光を、高効率でかつ演色性良く得ることが可能である。
なお、半導体発光素子110を作製する工程は、既に説明した方法を用いることができるので、以下では、半導体発光素子110が出来上がった後の工程について説明する。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
1a 下部n型半導体層
1b 上部n型半導体層
1s 積層構造体
1sa 第1主面
2 p型半導体層(第2半導体層)
2a p型AlGaNクラッド層
2b p型GaN層
2c 高濃度ドーピングp型GaN層
3 発光層
4o オーミック電極(第2電極)
4of 透明金属酸化膜
4p パッド電極(第4電極)
4q 開口部
4s ショットキー電極(第3電極)
7 n側電極(第1電極)
10 基板
11 バッファ層
12 絶縁膜
22 容器
23 反射膜
24 サブマウント
26 ボンディングワイヤ
27 蓋部
50 基板
51 n型半導体層(第2半導体層)
51s 積層構造体
51sb 第2主面
51sc 第3主面
52 p型半導体層(第1半導体層)
52a p型AlGaNクラッド層
52b p型GaN層
52c 高濃度ドーピングp型GaN層
53 発光層
54 p側電極(第1電極)
55a p側コンタクト電極
55b 接合層
57o オーミック電極(第2電極)
57p パッド電極(第4電極)
57q 開口部
57s ショットキー電極(第3電極)
110、111、119、120、121 半導体発光素子
210 半導体発光装置
211 第1蛍光体層
212 第2蛍光体層
Claims (17)
- 第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、
前記第1半導体層に電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層に対してオーミック接触を形成し、前記発光層からの発光光に対して透光性を有し、In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh及びGaよりなる群から選択された少なくとも1つの酸化物を含む第2電極と、
前記第2電極を貫通し、前記第2電極に電気的に接続され、前記第2半導体層に対してショットキー接触を形成し、Al、Ag及びRhの少なくとも1つを含む第3電極と、
前記第3電極の前記第2半導体層とは反対の側に形成され、前記第1半導体層、前記発光層及び前記第2半導体層の積層方向からみたときに前記第3電極と同じ形状を有する第4電極と、
を備え、
前記第3電極の前記発光光に対する反射率は、前記第4電極の前記発光光に対する反射率よりも高いことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第3電極は、Ag及びRhの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第2電極の前記発光光に対する透過率は、前記第3電極の前記発光光に対する透過率よりも高いことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記第1半導体層は、n型半導体からなり、
前記第2半導体層は、p型半導体からなり、
前記第2半導体層と前記発光層とが選択的に除去されて前記第2半導体層の側の第1主面に前記第1半導体層の一部が露出しており、
前記第1、第2、第3及び第4電極は、前記積層構造体の前記第1主面側に設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記第1半導体層は、p型半導体からなり、
前記第2半導体層は、n型半導体からなり、
前記第1電極は、前記積層構造体の前記第1半導体層の側の第2主面に設けられ、
前記第2、第3及び第4電極は、前記積層構造体の前記第2半導体層の側の第3主面に設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記第3電極は、前記第2電極の一部を覆うように設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第4電極は、パッド電極であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1及び第2半導体層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)を含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第3電極の導電率は、前記第2電極の導電率よりも低いことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第4電極は、前記第3電極の上に設けられたNi層及び前記Ni層の上に設けられたAu層を有する積層体、並びに、前記第3電極の上に設けられたTi層、前記Ti層の上に設けられたPt層、及び、前記Pt層の上に設けられたAu層を有する積層体、のいずれかを有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、
前記第1半導体層に接する第1電極であって、前記第1電極と前記第2半導体層との間に前記第1半導体層が配置され、銀を含む第1電極と、
前記第2半導体層に対してオーミック接触を形成し、前記発光層からの発光光に対して透光性を有し、In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh及びGaよりなる群から選択された少なくとも1つの酸化物を含む第2電極と、
前記第2電極を貫通し、前記第2電極に電気的に接続され、前記第2半導体層に対してショットキー接触を形成し、Al、Ag及びRhの少なくとも1つを含む第3電極と、
前記第3電極の前記第2半導体層とは反対の側に形成され、前記第1半導体層、前記発光層及び前記第2半導体層の積層方向からみたときに前記第3電極と同じ形状を有する第4電極と、
を備え、
前記第2電極、前記第3電極及び前記第4電極と、前記第1半導体層と、の間に前記第2半導体層が配置され、
前記第3電極の前記発光光に対する反射率は、前記第4電極の前記発光光に対する反射率よりも高いことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記積層構造体の前記第2電極が設けられる側から前記発光光が出射することを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 請求項1〜12のいずれか1つに記載の半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から放出された光を吸収し、前記光とは異なる波長の光を放出する波長変換層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記第1半導体層に電気的に接続された第1電極と、前記第2半導体層に対してオーミック接触を形成し、前記発光層からの発光光に対して透光性を有し、In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh及びGaよりなる群から選択された少なくとも1つの酸化物を含む第2電極と、前記第2電極を貫通し、前記第2電極に電気的に接続され、前記第2半導体層に対してショットキー接触を形成し、Al、Ag及びRhの少なくとも1つを含む第3電極と、前記第3電極の前記第2半導体層とは反対の側に形成された第4電極と、を有し、前記第3電極の前記発光光に対する反射率は、前記第4電極の前記発光光に対する反射率よりも高い半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1半導体層、前記発光層及び前記第2半導体層を積層し、
前記第1半導体層の上に前記第1電極を形成し、
前記第2半導体層の上に前記第2電極を形成し、
前記第2電極の形成の後に、前記第2電極から露出された前記第2半導層の上に、前記第3電極となる膜及び前記第4電極となる膜を積層し、
前記第3電極となる膜及び前記第4電極となる膜を加工し、
前記第3電極及び前記第4電極の形成は、前記第2電極の形成において加えられる温度よりも低い温度で実施されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記第2電極の形成は、前記第2半導体層の上に前記第2電極となる膜を形成した後に実施される熱処理であって、300℃以上800℃以下の熱処理を含むことを特徴とする請求項14記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第3電極は、Ag及びRhの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項14または15に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記第3電極となる膜及び前記第4電極となる膜は、同一のマスクを用いて一括して加工されることを特徴とする請求項14〜16のいずれか1つに記載の半導体発光素子の製造方法。
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