TWI463699B - Semiconductor light emitting element - Google Patents
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Description
本發明之實施形態係有關半導體發光元件。
對於使用於照明裝置，顯示裝置，信號機等之發光元件(LED：Light Emitting Diode)係要求高輸出化。
於發光層的下方，設置反射金屬層，將從發光層朝向下方的釋放光，朝上方進行反射時，可提升光取出效率。
但例如，從反射金屬層側的電極所注入之電流過於擴散於橫方向時，在發光層之實效的電流注入密度則下降，而發光效率則下降。因此，得到高光輸出則變為困難。
本發明之實施形態係提供對於發光範圍之電流注入密度及發光效率高之半導體發光元件。
實施形態之半導體發光元件係具有：支持基板，和設置於前述支持基板上之第1電極，和設置於前述第1電極上之第1導電形層，和設置於前述第1導電形層上之發光層，和設置於前述發光層上之第2導電形層，和設置於前述第2導電形層上之第2電極。前述第1導電形層係從前述第1電極的側，亦依序至少具有第1接觸層，具有較前述第1接觸層之不純物濃度為低之不純物濃度的窗層，第1包覆層。前述第2導電形層係從前述發光層的側，亦依序至少具有第2包覆層，電流擴散層，第2接觸層。前述第2電極係具有延伸存在於前述第2接觸層上之細線部，和與設置於前述第2接觸層之非形成範圍的前述細線部加以電性連接之襯墊部。前述第1接觸層及前述窗層的能帶隙係各較前述發光層之能帶隙為大。前述第1接觸層係選擇性地設置於前述窗層與前述第1電極之間，從上方而視，前述第1接觸層與前述第2接觸層係呈未重疊地加以設置。
如根據本發明之實施形態，可提供對於發光範圍之電流注入密度及發光效率高之半導體發光元件。
以下，參照圖面，對於本發明之實施形態加以說明。
圖1(a)係有關第1實施形態之半導體發光元件的模式平面圖、圖1(b)係沿著A-A線之模式剖面圖。
半導體發光元件係具有支持基板10，和設置於支持基板10上之第1電極20，和設置於第1電極20上之半導體層58。半導體層58係至少含有發光層40，和窗層34，和第1接觸層32。另外，窗層34係與第1電極20之一部分接合。然而，在本說明書中，「窗層」係指作為具有較發光層40之能帶隙為大之能帶隙，可透過來自發光層的光線的層之構成。
第1接觸層32係選擇性地設置於窗層34與第1電極20之間。更且，第1接觸層32係接合於窗層34及第1電極20，具有較窗層34的導電率為高之導電率。如此作為時，第1電極20與第1接觸層32之接觸阻抗則可較第1電極20與窗層34之接觸阻抗為低。因此，第1電極20係藉由第1接觸層32而注入載體至窗層34。
另外，如圖1(b)所示，半導體層58係可從第1電極20側，含有第1接觸層32，窗層34，組成傾斜層36，第1包覆層38，發光層40，第2包覆層52，電流擴散層(current spreading layer)54，第2接觸層56等。然而，半導體層58的構造係未加以限定於此。第2電極60係可具有設置於第2接觸層56之非形成範圍之襯墊部60a，和與襯墊部60a加以連接之細線部60b。細線部60b係設置於第2接觸層56上，在襯墊部60a之近旁部中，可設置細線部60b於第2接觸層56之非形成範圍。對於襯墊部60a之正下方近旁係因未存在有第1接觸層而未進行電流注入，故未須要設置第2接觸層56。於未設置有第2電極60之半導體層58之表面，設置具有凹凸(concave-convex structure)之光取出面58a時，可提昇光取出效率。
另外，經由將支持基板10作為導電性之時，可使設置於第1電極20與支持基板10的背面之背面電極62導通。
第1電極20係從半導體層58側，例如可作為透明導電膜26，反射金屬層25，阻障金屬層24，第2接合金屬層23，第1接合金屬層22，阻障金屬層21等。然而，構造係並非限定於此之構成。
如圖1(a)之模式平面圖，第2接觸層56係從上方而視，呈未與以虛線表示之第1接觸層32重疊地加以設置。另外，第1接觸層32係從上方而視，可包含分散於細線部60b之延伸存在方向加以設置之複數範圍。即，電流係藉由選擇性地加以設置之第1接觸層32而流動在第1電極20與第2電極60之間。另外，從細線部60b和第1接觸層32之間的上方而視之最短距離係例如，可作為5μm。因此，從上方而視，作為呈未重疊發光層40之中發光強度大之範圍與細線部60b，可作為高亮度者。然而，在圖1(a)中，第1接觸層32係為矩形，平面形狀係不限於此，亦可為圓形，橢圓形，多角形等。
圖2係有關第1實施形態的變形例之半導體發光元件之模式平面圖。
第1接觸層32係從上方而視，於細線部60b之延伸存在方向，作為寬度為數μm，長度為數十μm之矩形狀。此情況，從上方而視，以虛線表示之第1接觸層32和第2接觸層56係呈未重疊地加以設置。
圖3(a)~(f)係有關第1實施形態之半導體發光元件的製造方法之工程剖面圖、圖3(a)係半導體層之模式圖、圖3(b)係將第1接觸層圖案化之模式圖、圖3(c)係形成ITO之模式圖、圖3(d)係晶圓黏著之模式圖、圖3(e)係將第2接觸層圖案化之模式圖、圖3(f)係加以分割之元件的模式圖。
於GaAs所成之結晶成長基板70上，形成有依序層積n形GaAs之第2接觸層56(1×1018
cm-3
之載體濃度、0.1μm之厚度)、n形In0.5
(Ga0.3
Al0.7
)0.5
P的電流擴散層54(1.6×1018
cm-3
之載體濃度、3.5μm之厚度)、n形In0.5
Al0.5
P之第2包覆層52(4×1017
cm-3
之載體濃度、0.6μm之厚度)、發光層40、p形In0.5
Al0.5
P之第1包覆層38(3×1017
cm-3
之載體濃度、0.6μm之厚度)、從p形In0.5
(Ga0.7
Al0.3
)0.5
P至p形GaP使組成緩緩變化之組成傾斜層36(0.03μm之厚度)、p形GaP之窗層34(3×1018
cm-3
之不純物濃度、0.3μm之厚度)、p形GaP之第1接觸層32(5×1020
cm-3
之不純物濃度、0.1μm之厚度)之半導體層58(圖3(a))。
發光層40係例如，作為具有In0.5
Ga0.5
P所成，4nm之厚度的井層20，和In0.5
(Ga0.4
Al0.6
)0.5
P所成，厚度7nm之障壁層21之MQW(Multi Quantum Well)構造。發光層40係例如，可釋放0.61~0.7μm之紅色光波長範圍的光線。然而，半導體層58的構造係未加以限定於此。另外，半導體層58係例如可使用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法或MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等而進行結晶成長。
接著，如圖3(b)，第1接觸層32之中，經由圖案化將進行電流注入至窗層34之範圍作為凸部而殘留，去除其他範圍。作為去除之方法，係可使用採用酸溶液之濕蝕刻法或RIE(Reactive Ion Etching)等之乾蝕刻法。
接著，如圖3(c)，於含有加以圖案化之第1接觸層(凸部)(convex region)32，及成為凸部周圍底面之窗層34之半導體層58的凹凸面上，形成錫摻雜氧化銦(ITO：Indium Tin Oxide)，氧化鋅，氧化錫等之透明導電膜26。
更且，依含有Ag，Ag合金，Au等之中至少一種之反射金屬層25，含有Ti，Pt，Ni等之阻障金屬層24，Au或AuIn等之第2接合金屬層23順序加以形成。另一方面，於導電性Si等所成之支持基板10，依含有Ti，Pt，Ni等之阻障金屬層21，AuIn等之第1接合金屬層22順序加以形成。如此作為時，提高第1電極20與半導體層58之密著性，且經由凹凸而可提高光取出效率。
如圖3(d)，重疊形成於結晶成長基板70上之半導體層58側之第2接合金屬層23的表面，和支持基板10側之第1接合金屬層22，經由加熱且加壓，進行晶圓黏著。
接著，如圖3(e)，除去結晶成長基板70。更且，僅於進行細線部60b之電流注入的範圍，殘留第2接觸層56。
接著，如圖3(f)，細線部60b則呈延伸存在於加以圖案化之第2接觸層56之範圍地，襯墊部60a則各加以形成於第2接觸層56之非形成範圍。含有襯墊部60a與細線部60b之第2電極60係可作為從半導體層58側，例如依AuGe，Au等順序加以層積之構成。更且，於未形成有第2電極60之半導體層58的表面，進行粗糙加工而形成凹凸，作為光取出面58a。另外，對於支持基板10的背面，係形成Ti/Pt/Au等所成之背面電極62。
發光層40則作為含有Inx
(Ga1-y
Aly
)1-x
P(0≦x≦1、0≦y≦0.6)之構成時，可釋放綠～紅色之波長範圍的光線。另外，發光層40則作為含有Alz
Ga1-z
As(0≦z≦0.45)之構成時，可從紅色釋放近紅外線光的波長範圍的光線。更且，發光層40則作為含有Ins
Ga1-s
Ast
P1-t
(0≦s≦1、0≦t≦1)之構成時，可釋放近紅外線光的波長範圍的光線。
由p型GaP所成之第1接觸層32及窗層34係具有較發光層40的能帶隙為高之能帶隙，未吸收較約0.55μm為長的波長範圍的光線。另外，作為第1接觸層32係亦可作為In0.5
(Ga1-xAlx
)0.5
P(0.3≦x)或Alx
Ga1-x
As(0.5≦x)。
在本實施形態中，將第2接觸層56作為GaAs，但第2接觸層56係亦可作為Inx
(Ga1-y
Aly
)1-x
P(0≦x≦1、0≦y≦0.6)，Alz
Ga1-z
As(0≦z≦0.5)，Ins
Ga1-s
Ast
P1-t
(0≦s≦1、0≦t≦1)之任一。考量半導體與金屬電阻接觸之情況，一般而言半導體之能帶隙為小者為低接觸阻抗。因而，對於紅～綠色(能帶隙：2.0～2.2eV)之發光波長範圍而言，經由作為第2接觸層56而使用能帶隙小的材料之時，可降低接觸阻抗。例如，作為第2接觸層56而使用GaAs(能帶隙係1.4eV)，作為接合於第2接觸層56之第2電極60之材料而使用AuGe合金，以400℃進行燒結工程時，進行接觸阻抗可得到5×10-5
Ω‧c
m2
。
因細線部60b與第2接觸層56之接觸的面積(注入電流的面積)為窄之故，對於為了不引起動作時之順方向電壓的上升，將接觸阻抗作為1×10-4
Ω‧cm2
以下為佳。為此，作為第2接觸層56的材料，作為具有較對應於發光波長範圍的紅～綠色之能帶隙(2.0～2.2eV)為小之能帶隙之Inx
(Ga1-y
Aly
)1-x
P(0≦x≦1、0≦y≦0.6)，Alz
Ga1-z
As(0≦z≦0.5)，Ins
Ga1-s
Ast
P1-t
(0≦s≦1、0≦t≦1)之任一為有利。
另外，亦可作為發光層40係含有Inx
Ga1-x
N(0≦x≦1)，窗層34及第1接觸層32係含有Aly
Ga1-y
N(0≦y≦1)系所成之半導體層58。此情況，發光層40係可釋放紫色～綠色的波長範圍的光線。另外，作為第2接觸層56係亦可作為含有Inx
Ga1-x
N(0≦x≦1)之構成。
ITO與GaP係因不易形成合金層之故，幾乎未有在合金層之釋放光的吸收。對此，未將ITO介入於之間，而例如使Au與GaP的窗層，及Au與GaP的第1接觸層各自接觸時，例如在第2電極60之燒結工程中，於GaP與Au的界面形成合金層，吸收釋放光的一部分。此結果，產生亮度下降。
另外，對於p型GaP的第1接觸層32係以高濃度摻雜碳(C)等。經由本發明者們的實驗，了解到第1接觸層32之不純物濃度較5×1019
cm-3
為高時，可將第1接觸層32與ITO之接觸阻抗作為較1×10-3
Ω‧cm2
為低。另一方面，p型GaP所成之窗層34的不純物濃度(活性化率因可略看做1之故，載體濃度與不純物濃度係略相等)係在1～5×1018
cm-3
等之範圍進行摻雜。作為窗層的不純物係除了碳之外，亦可使用Zn。GaP層之不純物濃度較5×1019
cm-3
為低時，了解到第1接觸層32與ITO之接觸阻抗係變高為1×10-3
Ω‧cm2
以上。
作為反射金屬層25，亦可使用Au。但發光波長為0.6μm以下的情況，Au的光反射率係因下降之故，使用在短波長範圍亦未引起顯著光反射率之下降的Ag者，可作為高亮度。另外，使用添加In等於Ag之Ag合金時，可提高含有耐濕性之耐環境性。
圖4係有關比較例之半導體發光元件之模式剖面圖。
於Si所成之支持基板110上設置有第1電極120。第1電極120係從支持基板110側，層積阻障金屬層121，第1接合金屬層122，第2接合金屬層123，阻障金屬層124，Ag層125，ITO膜126之構造。
半導體層158係依第2接觸層156，電流擴散層154，第2包覆層152，發光層140，第1包覆層138，組成傾斜層136，窗層134，第1接觸層132順序加以層積。各層的材質，不純物濃度，厚度係作為與圖3(a)所示之第1實施形態相同之構成。然而，於結晶成長後，於第1接觸層132上，作為電流方塊層而形成有SiO2
等之絕緣層190，更且，選擇性地設置開口部190a。呈被覆開口部190a地，設置有ITO膜126，Ag層125，阻障金屬層124，第2接合金屬層123。之後，歷經晶圓黏著工程，可作為圖4之構造。
在比較例中，從第1電極120所注入之電洞係對於第1接觸層132係高濃度地加以摻雜，而阻抗率非常低之故，在第1接觸層132內，於橫方向，產生朝向內側擴散之載體流動F1。另一方面，從第2電極160之細線部160b所注入之電子係經由電流擴散層154於橫方向，產生朝向外側擴散之載體流動F2。即，在發光層140的上方及下方擴散有載體。因此，發光範圍EEG則擴散於橫方向，實效的電流注入密度則下降，而發光效率則下降。
對此，在第1實施形態中，去除第1接觸層32之範圍係因窗層34與透明導電膜26之接觸阻抗為高之故，未注入有電洞。第1接觸層32與透明導電膜26之接觸阻抗為低之故，注入有電洞而產生載體流動F1。此情況，經由選擇性地加以設置之第1接觸層32，電洞係不易擴散於橫方向，可抑制發光範圍ER擴散於橫方向之情況。另外，從第1接觸層32，窗層34，及第1包覆層38所成，p型之第1導電形層30之厚度的總和係較第2包覆層52，電流擴散層54，及第2接觸層56所成，n型之第2導電形層50之厚度的總和為小，且電洞之有效質量則較電子之有效質量為大之情況，電洞係從第1電極20所注入，朝向正上方之發光層40行進。
另一方面，經由電流擴散層54為低阻抗，且電子之有效質量為小之時，電子係從第2電極60所注入而產生載體流動F2，擴散於橫方向之同時流入至發光層40。此結果，以虛線所示之發光範圍ER係未擴散至細線部60b之正下方。因此，實效性地提昇在發光層40之電流注入密度，可作為高發光效率。發明者們係確認到有關第1實施形態之半導體發光元件的亮度則可提高較比較例之半導體發光元件的亮度20%以上。此情況，亦確認到亦抑制順方向電壓之上升，且可確保元件的信賴性。
另外，在第1實施形態中，從發光層40朝向下方的光線Gd係通過第1包覆層38，組成傾斜層36，窗層34，透明導電膜26，再經由反射金屬層25而成為加以反射朝向於上方之反射光Gr。反射光Gr，和從發光層40朝向上方的光則作為輸出光Go而從光取出面58a所釋放。假設，透明導電膜26過厚時，朝向下方的光Gd，和朝向上方的反射光Gr則產生干擾，而有亮度下降之情況。另一方面，透明導電膜26過薄時，第1接觸層32與透明導電膜26之接觸阻抗則上升，而有順方向電壓上升之情況。如根據本發明者們的實驗，將透明導電膜26的厚度作為0.04～0.09μm的範圍時，明確了解到保持高亮度之同時，可保持低順方向電壓。
另外，第1接觸層32過薄時，透明導電膜26與第1接觸層32之接觸阻抗則上升，產生順方向電壓之增加。因而，為了不使順方向電壓之增加產生，有必要將第1接觸層32之厚度作為0.03μm以上。另一方面，由GaP所成之第1接觸層32之不純物濃度為高之故，於能帶隙內形成有不純物位準，而有吸收來自發光層40的光線。即，對於第1接觸層32厚度為0.2μm以上之情況，係容易產生亮度下降。更且，蝕刻去除第1接觸層32之情況，第1接觸層32過厚時，蝕刻時間變長，而有所去除的部份之深度的面內分布變大等之問題。因此，第1接觸層32之厚度係0.03～0.2μm之範圍為佳。
另外，窗層34過厚時，在窗層34內，電流亦擴散於橫方向，發光範圍ER則擴散至細線部60b之下方，產生亮度之下降。另一方面，窗層34過薄時，形狀的控制則變為不充分。即，第1接觸層32則例如為0.1μm之情況，在去除未注入電流之範圍的第1接觸層時，以100%之超過蝕刻條件進行蝕刻時，蝕刻深度成為0.2μm。窗層34之厚度當非為0.2μm以上時，有蝕刻進行至組成傾斜層36或第1包覆層38。因此，窗層34之厚度係作為0.2～0.6μm之範圍為佳。
圖5係有關第2實施形態的半導體發光元件之模式剖面圖。
在第2實施形態中，窗層34之表面之中，於未設置有第1接觸層32之範圍，設置SiO2
等之絕緣膜90。對於絕緣膜90係設置有開口部90a，透明導電膜26係呈被覆露出於開口部90a之第1接觸層32，和成為開口部90a之非形成範圍之絕緣膜90地加以設置。更且，於透明導電膜26上設置有第1電極20。電洞係因由電流方塊層90所阻擋之故，通過第1接觸層32而注入至窗層34。
在第2實施形態中，第1導電形層30之厚度係較第2導電形層50之厚度為小，電洞之有效質量係較電子之有效質量為重之故，電洞係在第1導電形層30內未擴散至橫方向，而注入至第1接觸層32之正上方的發光層40。因此，如圖5，發光範圍係成為第1接觸層32的正上方，可保持高電流注入密度。有關第2實施形態的半導體發光元件係對於比較例而言，可提高亮度約20%以上。
作為絕緣膜90而使用SiO2
，SiON，SiN(包含Si3
N4
)時，可抑制來自發光層40的光之吸收。另外，更可確實作為窗層34，和透明導電膜26之間的電性絕緣。動作電流密度高，例如較1A為高之高電流驅動的高輸出LED之情況，如此設置絕緣膜為佳。
圖6(a)係有關第3實施形態之半導體發光元件的模式平面圖、圖6(b)係沿著B-B線之模式剖面圖。
半導體層58係依第2接觸層56，電流擴散層54，第2包覆層52，發光層40，第1包覆層38，組成傾斜層36，窗層34，第1接觸層32順序加以層積。各層的材質，不純物濃度，厚度係作為與圖3(a)所示之第1實施形態相同之構成。
第1接觸層32係如圖1(a)及(b)，從上方而視，分散於細線部60b方向加以設置。另一方面，設置於電流擴散層54上，由GaAs等所成之第2接觸層56亦沿著細線部60b分散加以設置。細線部60b係延伸存在於分散加以設置之第2接觸層56上及電流擴散層54上。
細線部60b與第2接觸層56之接觸阻抗係較細線部60b與n形In0.5
(Ga0.3
Al0.7
)0.5
P之電流擴散層54之接觸阻抗為低。因此，如圖6(b)，電子係從細線部60b注入至第2接觸層56，藉由第2接觸層56而流入至電流擴散層54。電子係產生在電流擴散層54擴散至橫方向之同時，朝向發光層40行進之載體流動F2。另一方面，電洞係從第1接觸層32朝向於正上方之發光層40行進。此情況，設置有第2接觸層56之範圍係因至第1接觸層32上之發光範圍ER的距離變長之故，降低在第2接觸層56之光吸收，更可提昇光取出效率。然而，僅分散第2接觸層56，而第1接觸層32連續加以設置，亦可降低光吸收。
有關第1～第3實施形態及隨帶於此等之變形例之半導體發光元件係在夾持發光層所設置之第1及第2接觸層之中，至少去除任一，從上方而視，呈未重疊第1接觸層32與第2接觸層56地加以設置。另外，從上方而視，呈未重疊地設置有發光強度高之範圍與細線電極60b。因此，提高對於發光層之電流注入密度及發光效率，可提高光取出效率。如此作為所得到之高輸出LED係廣泛使用於照明裝置，顯示裝置，信號機等。
雖然已經說明某些實施例，這些實施例僅是經由實施例來提出，而不預期來限制本發明之範圍。真正的是，本文中所述之嶄新實施例可以不同的其他方式予以實施；再者，本文中所述之實施例的形式中之各種省略、取代及變化可被製作而不會背離本發明之精神。附加的請求項以及其等效物意指涵蓋這些屬於本發明的範圍與精神內之形式或修改。
10．．．支持基板
20．．．第1電極
22．．．第1接合金屬層
23．．．第2接合金屬層
26．．．透明導電膜
32．．．第1接觸層
34．．．窗層
40．．．發光層
36．．．組成傾斜層
38．．．第1包覆層
56．．．第2接觸層
58．．．半導體層
60a．．．襯墊部
60b．．．細線部
158．．．半導體層
156．．．第2接觸層
154．．．電流擴散層
152．．．第2包覆層
140．．．發光層
138．．．第1包覆層
136．．．組成傾斜層
134．．．窗層
132．．．第1接觸層
124．．．阻障金屬層
[圖1]圖1(a)係有關第1實施形態之半導體發光元件的模式平面圖、圖1(b)係沿著A-A線之模式剖面圖。
[圖2]係有關第1實施形態的變形例之半導體發光元件之模式平面圖。
[圖3]圖3(a)~(f)係有關第1實施形態之半導體發光元件的製造方法之工程剖面圖、圖3(a)係半導體層之模式圖、圖3(b)係將第1接觸層圖案化之模式圖、圖3(c)係形成ITO之模式圖、圖3(d)係晶圓黏著之模式圖、圖3(e)係將第2接觸層圖案化之模式圖、圖3(f)係加以分割之元件的模式圖。
[圖4]係有關比較例之半導體發光元件之模式剖面圖。
[圖5]係有關第2實施形態的半導體發光元件之模式剖面圖。
[圖6]圖6(a)係有關第3實施形態之半導體發光元件的模式平面圖、圖6(b)係沿著B-B線之模式剖面圖。
10．．．支持基板
20．．．第1電極
21．．．阻障金屬層
22．．．第1接合金屬層
23．．．第2接合金屬層
24．．．阻障金屬層
25．．．反射金屬層
26．．．透明導電膜
30．．．第1導電形層
32．．．第1接觸層
34．．．窗層
36．．．組成傾斜層
38．．．第1包覆層
40．．．發光層
50．．．第2導電形層
52．．．第2包覆層
54．．．電流擴散層
56．．．第2接觸層
58．．．半導體層
58a．．．光取出面
60．．．第2電極
60a．．．襯墊部
60b．．．細線部
Go．．．輸出光
F2．．．載體流動
ER．．．發光範圍
F1．．．載體流動
Gr．．．反射光
Gd．．．下方的光線
Claims (13)
- 一種半導體發光元件，其特徵為具備：支持基板；設置於前述支持基板上之第1電極；設置於前述第1電極上，且具有半導體之第1接觸層之第1導電形層；設置於前述第1導電形層上之發光層；設置於前述發光層上，且具有第2接觸層之第2導電形層；以及設置於前述第2導電形層上，且具有細線部和襯墊部之第2電極，前述細線部之部分延伸於前述第2接觸層上，前述襯墊部設置於前述第2接觸層之非形成範圍上，從上方而視，前述第1接觸層和前述第2接觸層係呈未重疊地加以設置，且從上方而視，前述第1接觸層沿著延伸於前述第2接觸層上的前述第2電極之前述細線部被分散。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光元件，其中，從上方而視，前述第2接觸層被分散於前述第2電極之前述細線部之下。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光元件，進一步包含具有開口，且設置於窗層和前述第1電極之間的絕緣層，前述第1接觸層係設置於前述開口中。
- 如申請專利範圍第2項記載之半導體發光元件，進一步包含具有開口，且設置於窗層和前述第1電極之間的絕緣層，前述第1接觸層係設置於前述開口中。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光元件，其中，前述第1導電形層進一步從前述第1接觸層側，依序具有窗層和第1包覆層，前述第2導電形層進一步具有於前述發光層側上的第2包覆層，和前述第2接觸層側上的電流擴散層，且前述第1導電形層之厚度係較前述第2導電形層之厚度為小。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光元件，其中前述第1電極具有透明導電膜和反射金屬層，前述透明導電膜係與前述第1接觸層接合且具有錫摻雜氧化銦、氧化鋅和氧化錫之任一者，前述反射金屬層設置於前述透明導電膜與前述支持基板之間且可反射來自前述發光層的光線。
- 一種半導體發光元件，其特徵為具備：支持基板；設置於前述支持基板上之第1電極；設置於前述第1電極上，且具有半導體之第1接觸層之第1導電形層； 設置於前述第1導電形層上之發光層；設置於前述發光層上，且具有第2接觸層之第2導電形層；以及設置於前述第2導電形層上，且具有細線部和襯墊部之第2電極，前述細線部之部分延伸於前述第2接觸層上，前述襯墊部為電流不流動且其設置於前述第2導電形層上，從上方而視，前述第1接觸層和前述第2接觸層係呈未重疊地加以設置，且前述第1電極側上的前述第1導電形層之表面具有凸部和底面，前述凸部係選擇性地由前述第1接觸層所設置和形成，前述底面係設置以圍繞前述凸部且由前述窗層所形成。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光元件，其中前述第2接觸層和前述第2電極之非形成範圍於前述第2導電形層之表面上具有凹凸。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光元件，其中前述發光層係含有Inx Ga1-x N(0≦x≦1)，且前述窗層及前述第1接觸層分別含有Aly Ga1-y N(0≦y≦1)。
- 如申請專利範圍第5項記載之半導體發光元件，其中 前述第1接觸層和前述窗層含有GaP，且前述發光層含有Inx (Ga1-y Aly )1-x P(0≦x≦1，0≦y≦0.6)、Alz Ga1-z As(0≦z≦0.5)和Ins Ga1-s Ast P1-t (0≦s≦1，0≦t≦1)之任一者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光元件，其中前述第1接觸層之厚度係介於0.03μm和0.2μm之間。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體發光元件，其中前述第2接觸層含有Inx (Ga1-y Aly )1-x P(0≦x≦1，0≦y≦0.6)、Alz Ga1-z As(0≦z≦0.5)和Ins Ga1-s Ast P1-t (0≦s≦1，0≦t≦1)之任一者。
- 如申請專利範圍第6項記載之半導體發光元件，其中前述透明導電膜之厚度係介於0.04μm和0.09μm之間。
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