CN102760815A - 半导体发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板、第一电极、第一导电型层、发光层、第二导电型层、第二电极。上述第一导电型层具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、第一包覆层。上述第二导电型层具有：第二包覆层、电流扩散层、第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。

Description

半导体发光元件
相关申请的交叉引用：本申请基于2011年4月26日申请的日本国特许申请2011-098374，并主张优先权，本申请通过援引而包括该基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及半导体发光元件。
背景技术
用于照明装置、显示装置、信号器等中的发光元件(LED：Light EmittingDiode：发光二极管)要求高输出化。
在发光层的下方设置反射金属层，若将从发光层朝向下方的放出光向上方反射则能够提高光取出效率。
然而，例如，若从反射金属层侧的电极注入的电流在横向上过于扩散，则发光层中的有效电流注入密度降低，从而发光效率降低。因此难以得到较高的光输出。
发明内容
本发明的实施方式提供向发光区域的电流注入密度以及发光效率较高的半导体发光元件。
实施方式的半导体发光元件具有：支撑基板；第一电极，设置于上述支撑基板之上；第一导电型层，设置于上述第一电极之上；发光层，设置于上述第一导电型层之上；第二导电型层，设置于上述发光层之上；以及第二电极，设置于上述第二导电型层之上。上述第一导电型层从上述第一电极侧开始依次至少具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、以及第一包覆层。第二导电型层从上述发光层侧开始依次至少具有：第二包覆层、电流扩散层、以及第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；以及焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
支撑基板；第一电极，设置在上述支撑基板上；第一导电型层，设置在上述第一电极上；发光层，设置在上述第一导电型层上；第二导电型层，设置在上述发光层上；第二电极，设置在上述第二导电型层上。上述第一导电型层从上述第一电极侧按以下顺序至少具有：第一接触层；窗层，具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度；第一包覆层。上述第二导电型层从上述发光层侧按下述顺序至少具有：第二包覆层；电流扩散层；第二接触层。上述第二电极具有：细线部，延伸至上述第二接触层上；焊盘部，设置在未形成上述第二接触层的区域，并与上述细线部电连接。上述第一接触层以及上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置有上述第一接触层，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层设置为不重叠。
根据本发明的实施方式，能够提供向发光区域的电流注入密度及发光效率较高的半导体发光元件。
附图说明
图1(a)是第一实施方式的半导体发光元件的示意俯视图，图1(b)是沿A-A线的示意剖视图。
图2是第一实施方式的变形例的半导体发光元件的示意俯视图。
图3(a)～图3(f)是第一实施方式的半导体发光元件的制造方法的工序剖视图，图3(a)是半导体层的示意图，图3(b)是对第一接触层刻画图案的示意图，图3(c)是形成了ITO的示意图，图3(d)是晶片接合的示意图，图3(e)是对第二接触层刻画图案的示意图，图3(f)是分割后的元件的示意图。
图4是比较例的半导体发光元件的示意剖视图。
图5是第二实施方式的半导体发光元件的示意剖视图。
图6(a)是第三实施方式的半导体发光元件的示意俯视图，图6(b)是沿B-B线的示意剖视图。
具体实施方式
在下文中，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1(a)是第一实施方式的半导体发光元件的示意俯视图，图1(b)沿A-A线的示意剖视图。
半导体发光元件具有：支撑基板10；第一电极20，设置在支撑基板10之上；半导体层58，设置在第一电极20之上。半导体层58至少包括：发光层40、窗层34、第一接触层32。此外，窗层34与第一电极20的一部分相接触。另外，在本说明书中，所谓“窗层”是指具有比发光层40的带隙能量(band-gap energy)大的带隙能量、能够使来自发光层的光透射的层。
第一接触层32在窗层34与第一电极20之间选择性地设置。而且，第一接触层32与窗层34及第一电极20相接触，具有比窗层34的导电率高的导电率。这样，第一电极20与第一接触层32的接触电阻能够比第一电极20与窗层34的接触电阻低。因此，第一电极20能够经由第一接触层32向窗层34注入载流子。
此外，如图1(b)所示，半导体层58从第一电极20侧开始包括：第一接触层32、窗层34、组成倾斜层36、第一包覆层(cladding layer)38、发光层40、第二包覆层52、电流扩散层(current spreading layer)54、第二接触层56等。另外，半导体层58的构造并不局限于此。第二电极60能够具有：焊盘(pad)部60a，设置在未形成第二接触层56的区域；细线部60b，与焊盘部60a连接。细线部60b虽然设置在第二接触层56之上，但也能够在焊盘部60a的附近部分的未形成第二接触层56的区域设置细线部60b。在焊盘部60a的正下方附近不存在第一接触层而不被注入电流，因而没有必要设置第二接触层56。若在未设有第二电极60的半导体层58的表面设置具有凹凸结构(concave-convex structure)的光取出面58a，则能够提高光取出的效率。
此外，通过将支撑基板10设为导电性，能够使第一电极20与设置在支撑基板10背面的背面电极62导通。
第一电极20从半导体层58侧开始例如能够具有：透明导电膜26、反射金属层25、阻挡(barrier)金属层24、第二接合金属层23、第一接合金属层22、阻挡金属层21等。此外，其构造并不限定于此。
如图1(a)的示意俯视图所示，从上方观察，第二接触层56设置成与以虚线表示的第一接触层32不重叠。此外，从上方观察，第一接触层32能够包括在细线部60b的延伸方向上分散设置的多个区域。即，电流经由选择性地设置的第一接触层32在第一电极20和第二电极60之间流动。此外，细线部60b与第一接触层32之间的从上方观察的最短距离能够是例如5μm。因此，从上方观察，构成为发光层40中发光强度较大的区域与细线部60b不重叠，从而能够具有高亮度。另外，在图1(a)中，第一接触层32为矩形，但平面形状并不局限于此，也可以是圆形、椭圆形、多边形等。
图2是第一实施方式的变形例的半导体发光元件的示意俯视图。
第一接触层32也可以是从上方观察，在细线部60b的延伸方向上形成宽度为数几微米(μm)、长度为几十微米(μm)的矩形。在该情况下设置成，从上方观察，以虚线表示的第一接触层32与第二接触层56不重叠。
图3(a)～图3(f)是第一实施方式的半导体发光元件的制造方法的工序剖视图，图3(a)是半导体层的示意图，图3(b)是对第一接触层刻画图案的示意图，图3(c)是形成了ITO的示意图，图3(d)是晶片接合的示意图，图3(e)是对第二接触层刻画图案的示意图，图3(f)是分割后的元件的示意图。
在由GaAs构成的结晶生长基板70之上形成半导体层58(图3(a))，该半导体层58在结晶生长基板70之上依次层叠有：n型GaAs的第二接触层56(载流子浓度为1×1018cm-3，厚度为0.1μm)、n型In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P的电流扩散层54(载流子浓度为1.6×1018cm-3，厚度为3.5μm)、n型In0.5Al0.5P的第二包覆层52(载流子浓度为4×1017cm-3，厚度为0.6μm)、发光层40、p型In0.5Al0.5P的第一包覆层38(载流子浓度为3×1017cm-3，厚度为0.6μm)、组成从p型In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P朝向p型GaP逐渐地变化的组成倾斜层36(厚度为0.03μm)、p型GaP的窗层34(杂质浓度为3×1018cm-3，厚度为0.3μm)以及p型GaP的第一接触层32(杂质浓度为5×1020cm-3，厚度为0.1μm)。
发光层40例如设为MQW(Multi Quantum Well：多量子阱)构造，具有：例如，井层20，由In0.5Al0.5P构成，厚度为4nm；障壁层21，由In0.5(Ga0.4Al0.6)0.5P构成，厚度为7nm。发光层40例如能够释放出0.61～0.7μm的红色光波长范围的光。此外，半导体层58的构造并不限定于此。此外，半导体层58能够使用例如MOCVD(Metal Organic Chemical VaporDeposition：金属有机化学气相沉积)法或MBE(Molecular Beam Epitaxy：分子束外延)法等进行结晶生长。
接着，如图3(b)所示，第一接触层32之中的向窗层34注入电子的区域通过刻画图案而作为凸部被留下，除去其它区域。作为除去方法，能够使用利用了酸溶液的湿式蚀刻法或RIE(Reactive Ion Etching：反应离子刻蚀)等干式蚀刻法。
接着，如图3(c)所示，在包括进行了图案刻画后的第一接触层(凸部(convex region))32以及凸部周边的成为底面的窗层34的半导体层58的凹凸面之上，形成掺锡氧化铟(ITO：Indium Tin Oxide)、氧化锌、氧化锡等的透明导电膜26。
进而，依次形成：反射金属层25，含有Ag、Ag合金、Au等中的至少某个；阻挡金属层24，含有Ti、Pt、Ni等；第二接合金属层23，含有Au或AuIn等。另一方面，在由导电性Si等构成的支撑基板10上依次形成：阻挡金属层21，含有Ti、Pt、Ni等；第一接合金属层22，含有AuIn等。这样，能够提高第一电极20与半导体层58的紧贴性，并且利用凹凸结构提高光取出效率。
如图3(d)所示，将形成在结晶生长基板70之上的位于半导体层58侧的第二接合金属层23的表面和位于支撑基板10侧的第一接合金属层22重叠起来，通过加热及加压进行晶片接合。
接着，如图3(e)所示，除去结晶生长基板70。进而，仅在进行细线部60b的电流注入的区域保留第二接触层56。
接着，如图3(f)所示，细线部60b在进行了刻画图案后的第二接触层56的区域延伸，在未形成第二接触层56的区域形成焊盘部60a。第二电极60包括焊盘部60a和细线部60b，上述第二电极60能够从半导体层58侧开始依次层叠有例如AuGe、Au等。进而，对未形成有第二电极60的半导体层58的表面进行磨砂(Frost)加工来形成凹凸结构，将其作为光取出面58a。此外，在支撑基板10的背面形成由Ti/Pt/Au等构成的背面电极62。
若发光层40含有Inx(Ga1-yAly)1-xP(0≤x≤1，0≤y≤0.6)，则能够释放出绿～红色的波长范围的光。此外，若发光层40含有AlzGa1-zAs(0≤z≤0.45)，则能够释放出从红色至近红外光的波长范围的光。进而，若发光层40含有InsGa1-sAstP1-t(0≤s≤1，0≤t≤1)，则能够释放出近红外光的波长范围的光。
由p型GaP构成的第一接触层32以及窗层34，具有比发光层40的带隙能量高的带隙能量，不吸收比约0.55μm长的波长范围的光。此外，作为第一接触层32，也可以是In0.5(Ga1-xAlx)0.5P(0.3≤x)或AlxGa1-xAs(0.5≤x)。
在本实施方式中，将第二接触层56设为GaAs，但第二接触层56也可以是Inx(Ga1-yAly)1-xP(0≤x≤1，0≤y≤0.6)、AlzGa1-zAs(0≤z≤0.5)、InsGa1-sAstP1-t(0≤s≤1，0≤t≤1)中的某个。在考虑到半导体与金属的欧姆接触的情况下，一般半导体的带隙能量越小越能够得到低的接触电阻。由此，针对红～绿色(带隙能量：2.0～2.2eV)的发光波长范围，作为第二接触层56使用比其带隙能量小的材料，由此能够降低接触电阻。若例如使用GaAs(带隙能量为1.4eV)作为第二接触层56，使用AuGe合金作为与第二接触层56相接触的第二电极60的材料，以400℃进行烧结工序，则能够得到5×10-5Ω·cm2的接触电阻。
细线部60b与第二接触层56的接触面积(注入电流的面积)狭小，因此，为了在动作时不会引起顺向电压的上升，优选接触电阻为1×10-4Ω·cm2以下。因此，作为第二接触层56的材料，具有比与发光波长范围的红～绿色相对应的带隙能量(2.0～2.2eV)小的带隙能量，使用Inx(Ga1-yAly)1-xP(0≤x≤1，0≤y≤0.6)、AlzGa1-zAs(0≤z≤0.5)、InsGa1-sAstP1-t(0≤s≤1，0≤t≤1)中的某个较为有利。
此外，也可以是，发光层40含有InxGa1-xN(0≤x≤1)，窗层34及第一接触层32为由包括AlyGa1-yN(0≤y≤1)的类构成的半导体层58。在该情况下，发光层40能够释放出紫外～绿色的波长范围的光。此外，作为第二接触层56也可以含有InxGa1-xN(0≤x≤1)。
ITO与GaP难以形成合金层，因此，合金层几乎不吸收释放出的光。与此相对，若以不在中间夹着ITO的方式与例如Au和GaP的窗层以及Au和GaP的第一接触层分别接触，则例如在第二电极60的烧结工序中，在GaP与Au的分界面形成合金层，从而吸收释放出的光的一部分。结果，会产生亮度降低。
此外，在p型GaP的第一接触层32中，以高浓度掺杂石墨(C)等杂质。通过发明人的实验表明，若第一接触层32的杂质浓度比5×1019cm-3高，则第一接触层32与ITO的接触电阻能够比1×10-3Ω·cm2低。另一方面，由p型GaP构成的窗层34的杂质浓度(由于活性率几乎可以看做1，因此载流子浓度与杂质浓度几乎相等)，在1～5×1018cm-3等的范围内进行掺杂。除石墨之外也能够使用Zn作为窗层的杂质。还表明，若GaP层的杂质浓度低于5×1019cm-3，则第一接触层32与ITO的接触电阻变高至1×10-3Ω·cm2以上。
作为反射金属层25，也能够使用Au。其中，在发光波长为0.6μm以下的情况下，Au的光反射率降低，因此，使用在短波长区域内也不会显著地引起光反射率降低的Ag能够得到高亮度。此外，若使用向Ag添加In等的Ag合金，则能够提高包括耐湿性在内的环境耐性。
图4是比较例的半导体发光元件的示意剖视图。
在由Si构成的支撑基板110之上设置有第一电极120。第一电极120构成为从支撑基板110侧开始层叠有：阻挡金属层121、第一接合金属层122、第二接合金属层123、阻挡金属层124、Ag层125、ITO膜126。
半导体层158依次层叠有：第二接触层156、电流扩散层154、第二包覆层152、发光层140、第一包覆层138、组成倾斜层136、窗层134、第一接触层132。各个层的材质、杂质浓度、厚度与图3(a)所示的第一实施方式相同。此外，在结晶生长后，在第一接触层132之上作为电流屏蔽层形成有SiO2等绝缘层19，还选择性地设置有开口部190a。以覆盖开口部190a的方式设置有ITO膜126、Ag层125、阻挡金属层124、第二接合金属层123。在此之后，经过晶片接合工序后，能够成为图4的构造。
在比较例中，第一接触层132被以高浓度掺杂而电阻率非常低，因此从第一电极120注入的空穴在第一接触层132内产生在横向上向内侧扩散的载流子流动F1。另一方面，从第二电极160的细线部160b注入的电子通过电流扩散层154产生在横向上向外侧扩散的载流子流动F2。即，载流子在发光层140的上方及下方扩散。因此，发光区域EEG在横向上扩散，有效的电流注入密度降低，从而发光效率降低。
与此相对，在第一实施方式中，窗层34与透明导电膜26的接触电阻较高，因此，除去了第一接触层32的区域不被注入空穴。第一接触层32与透明导电膜26的接触电阻较低，因此，空穴被注入而产生载流子流动F1。在该情况下，通过选择性地设置的第一接触层32，使空穴难以在横向上扩散，从而能够抑制发光区域ER在横向上扩散。此外，由第一接触层32、窗层34以及第一包覆层38构成的p型的第一导电型层30的厚度的总和比由第二包覆层52、电流扩散层54以及第二接触层56构成的n型的第二导电型层50的厚度总和小，并且空穴的有效质量比电子的有效质量大，所以空穴从第一电极20注入并进入正上方的发光层40。
另一方面，由于电流扩散层54为低电阻，且电子的有效质量较小，从而电子从第二电极60注入而产生载流子流动F2，该载流子流动F2在横向上扩散并流入发光层40。结果，以虚线表示的发光区域ER不会向细线部60b的正下方扩散。因此，发光层40的电流注入密度有效地得以提高，从而得到较高的发光效率。发明人确认得出，第一实施方式的半导体发光元件的亮度与比较例的半导体发光元件的亮度相比能够提高20％以上。还确认得出，在该情况下，顺向电压的上升也受到抑制，并且能够确保元件的可靠性。
此外，在第一实施方式中，从发光层40朝向下方的光Gd，经过第一包覆层38、组成倾斜层36、窗层34、透明导电膜26后，被反射金属层25反射而成为朝向上方的反射光Gr。反射光Gr和从发光层40朝向上方的光，作为输出光Go从光取出面58a释放出来。如果透明导电膜26过厚，则朝向下方的光Gd与朝向上方的反射光Gr发生干涉，会导致亮度降低。另一方面，若透明导电膜26过薄，则第一接触层32与透明导电膜26的接触电阻上升，会导致顺向电压上升。通过本发明的发明人的实验表明，若将透明导电膜26的厚度设为0.04～0.09μm的范围，则能够较高低保持亮度且较低地保持顺向电压。
此外，若第一接触层32过薄，则透明导电膜26与第一接触层32的接触电阻上升，会产生顺向电压的增加。由此，为了不产生顺向电压的增加，第一接触层32的厚度需要为0.03μm以上。另一方面，由GaP构成的第一接触层32的杂质浓度较高，因此在带隙内形成杂质态(Impurity state)，会吸收来自发光层40的光。即，在第一接触层32的厚度为0.2μm以上的情况下容易产生亮度降低。进而，在对第一接触层32进行蚀刻除去的情况下，若第一接触层32过厚则蚀刻时间变长，产生除去部分的深度的面内分布变大等问题。因此，第一接触层32的厚度优选为0.03～0.2μm的范围。
此外，若窗层34过厚，则电流在窗层34内也在横向上扩散，发光区域ER扩散至细线部60b的下方，从而产生亮度降低。另一方面，若窗层34过薄，则形状控制变得不充分。即，在第一接触层32例如为0.1μm的情况下，在除去不注入电流的区域的第一接触层时，若以100％的过蚀刻条件进行蚀刻，则蚀刻深度成为0.2μm。若窗层34的厚度不是0.2μm以上，则蚀刻将会进行到组成倾斜层36、第一包覆层38。因此，窗层34的厚度优选为0.2～0.6μm的范围。
图5是第二实施方式的半导体发光元件的示意剖视图。
在第二实施方式中，在窗层34的表面之中的未设置第一接触层32的区域设置SiO2等绝缘膜90。在绝缘膜90设置有开口部90a，透明导电膜26设置成覆盖在开口部90a露出的第一接触层32和作为未形成开口部90a的区域的绝缘膜90。还在透明导电膜26之上设置第一电极20。空穴在电流屏蔽层90被屏蔽，因此，空穴被经由第一接触层32向窗层34注入。
在第二实施方式中也是，第一导电型层30的厚度比第二导电型层50的厚度小，空穴的有效质量比电子的有效质量大，因此，空穴在第一导电型层30内不在横向上扩散地被注入第一接触层32的正上方的发光层40。因此，如图5所示，发光区域为第一接触层32的正上方，能够较高地保持电流注入密度。相对于比较例，第二实施方式的半导体发光元件的亮度能够提高约20％以上。
若使用SiO2、SiON、SiN(包括Si3N4)作为绝缘膜90，则能够抑制来自发光层40的光的吸收。此外，能够加可靠地保持窗层34与透明导电膜26之间的电绝缘性。在是动作电流密度较高、例如比一安培(1A)高的高电流驱动的高输出LED的情况下，优选为这样设置绝缘膜。
图6(a)是第三实施方式的半导体发光元件的示意俯视图，图6(b)是沿B-B线的示意剖视图。
半导体层58依次层叠有：第二接触层56、电流扩散层54、第二包覆层52、发光层40、第一包覆层38、组成倾斜层36、窗层34、第一接触层32。各个层的材质、杂质浓度、厚度与如图3(a)所示的第一实施方式相同。
第一接触层32如图1(a)及图1(b)所示，从上方观察时，在细线部60b的方向上分散设置。另一方面，设置在电流扩散层54之上且由GaAs等构成的第二接触层56也是，沿着细线部60b分散设置。细线部60b在分散设置的第二接触层56之上和电流扩散层54之上延伸。
细线部60b与第二接触层56的接触电阻比细线部60b与n型In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P的电流扩散层54的接触电阻低。因此，如图6(b)所示，电子从细线部60b注入第二接触层56后，经由第二接触层56流入电流扩散层54。电子产生了在电流扩散层54中在横向上扩散的同时向发光层40进入的载流子流动F2。另一方面，空穴从第一接触层32进入正上方的发光层40。在该情况下，设置有第二接触层56的区域与位于第一接触层32之上的发光区域ER之间的距离变长，因此，第二接触层56中的光吸收减少，能够进一步提高光取出效率。另外，仅使第二接触层56分散设置而使第一接触层32连续设置，这也能够减少光吸收。
第一～第三实施方式以及伴随这些实施方式的变形例的半导体发光元件设置为，对夹着发光层的第一和第二接触层中的至少某个进行除去，从而将第一接触层32和第二接触层56设置成从上方观察没有重叠。此外，设置为从上方观察，发光强度高的区域与细线电极60b没有重叠。因此，能够提高对发光层的电流注入密度以及发光效率，从而能够提高光取出效率。这样得到的高输出LED被广泛应用于照明装置、显示装置、信号器等。
以上说明了本发明的几个实施方式，这些实施方式只是作为例子进行提示，并不意欲限定发明的范围。这些新颖的实施方式也能够采用其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围和主旨内，并且也包含在权利要求书中记载的发明及其等同的范围内。

Claims (20)

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：
支撑基板；
第一电极，设置于上述支撑基板之上；
第一导电型层，设置于上述第一电极之上，从上述第一电极侧开始依次至少具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、以及第一包覆层；
发光层，设置于上述第一导电型层之上；
第二导电型层，设置于上述发光层之上，从上述发光层侧开始依次至少具有：第二包覆层、电流扩散层、以及第二接触层；以及
第二电极，设置于上述第二导电型层之上，具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；以及焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接；
上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大，
上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，
从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
从上方观察，上述第一接触层包括在上述细线部的延伸方向上分散的区域。
3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
从上方观察，上述第二接触层在上述细线部的延伸方向上分散地设置。
4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
还具备绝缘层，该绝缘层在上述窗层与上述第一电极之间的未设置上述第一接触层的区域，以与上述窗层和上述第一电极相接触的方式设置。
5.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，
还具备绝缘层，该绝缘层在上述窗层与上述第一电极之间的未设置上述第一接触层的区域，以与上述窗层和上述第一电极相接触的方式设置。
6.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述第一导电型层的厚度比上述第二导电型层的厚度小。
7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述第一电极具有：
透明导电膜，与上述第一接触层相接触，含有掺锡氧化铟、氧化锌、氧化锡中的某个；以及
反射金属层，设置于上述透明导电膜与上述支撑基板之间，能够反射来自上述发光层的光。
8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述第一导电型层的与上述第一电极相接触一侧的面包括：由选择性地设置的上述第一接触层构成的凸部、以及上述凸部周围的作为底面的上述窗层。
9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述第二导电型层的表面之中的未设置上述第二电极的区域具有凹凸结构。
10.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述发光层含有InxGa1-xN，其中，0≤x≤1，
上述窗层和上述第一接触层含有AlyGa1-yN，其中，0≤y≤1。
11.一种半导体发光元件，其特征在于，具有：
支撑基板；
第一电极，设置于上述支撑基板之上；
第一导电型层，设置于上述第一电极之上，从上述第一电极侧开始依次至少具有：含有GaP的第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度且含有GaP的窗层、以及第一包覆层；
发光层，设置于上述第一导电型层之上，含有Inx(Ga1-yAly)1-xP、AlzGa1-zAs、InsGa1-sAstP1-t之中的某个，其中，0≤x≤1，0≤y≤0.6；0≤z≤0.5；0≤s≤1，0≤t≤1；
第二导电型层，设置于上述发光层之上，从上述发光层侧开始依次至少具有：第二包覆层、电流扩散层、以及第二接触层；以及
第二电极，设置于上述第二导电型层之上，具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；以及焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接；
上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，
从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
12.如权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，
从上方观察，上述第一接触层包括在上述细线部的延伸方向上分散的区域。
13.如权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，
从上方观察，上述第二接触层在上述细线部的延伸方向上分散地设置。
14.如权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，
还具备绝缘层，该绝缘层在上述窗层与上述第一电极之间的未设置上述第一接触层的区域，以与上述窗层和上述第一电极相接触的方式设置。
15.如权利要求12所述的半导体发光元件，其特征在于，
还具备绝缘层，该绝缘层在上述窗层与上述第一电极之间的未设置上述第一接触层的区域，以与上述窗层和上述第一电极相接触的方式设置。
16.如权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述第一导电型层的厚度比上述第二导电型层的厚度小。
17.如权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述第一接触层的厚度大于等于0.03且小于等于0.2μm。
18.如权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述第二接触层含有Inx(Ga1-yAly)1-xP、AlzGa1-zAs、InsGa1-sAstP1-t之中的某个，其中，0≤x≤1，0≤y≤0.6；0≤z≤0.5；0≤s≤1，0≤t≤1。
19.如权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述第一电极具有：
透明导电膜，与上述第一接触层相接触，含有掺锡氧化铟、氧化锌、氧化锡中的某个；以及
反射金属层，设置于上述透明导电膜与上述支撑基板之间，能够反射来自上述发光层的光。
20.如权利要求19所述的半导体发光元件，其特征在于，
上述透明导电膜的厚度大于等于0.04μm且小于等于0.09μm。
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