CN209729940U - 发光元件 - Google Patents

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Abstract

根据本实用新型的一实施例的发光元件包括：第一导电型半导体层；活性层，位于所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，位于所述活性层上；电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。

Description

发光元件
本申请是申请日为2016年05月03日，申请号为201690001029.4，实用新型名称为“发光元件”的实用新型专利申请的分案申请。
技术领域
本实用新型涉及一种发光元件，尤其涉及一种包括电极的发光元件。
背景技术
在利用氮化物系半导体的发光元件中，氮化物系p型半导体层的导电性相对低于n型半导体层。因此，电流在p型半导体层无法向水平方向有效地分散，从而发生电流集中于半导体层的特定部分的现象(current crowding)。在半导体层内发生电流集中的情况下，发光二极管对静电放电脆弱，并且可能发生漏电及效率下降。
通过使电流在整个发光区域均匀分散，能够提高发光元件的发光效率，并减小由电流集中导致的发热，从而能够提高发光元件的寿命及可靠性。
因此，为了有效地分散电流，已经公开了在p型半导体层上形成如ITO 等透明电极及电流阻挡层的技术。但是，仅利用电流阻挡层及透明电极使电流分散到整个p型半导体层时存在限制。并且，由于透明电极与p型电极之间的接合性不好，因此在所述p型电极接合引线的情况下，会发生引线断线或从p型电极剥离(peeling)的现象。因此，由p型电极周围的不良造成的发光元件的不良率增加，从而导致发光元件的可靠性及生产良率降低。
并且，驱动发光元件时，为了有效地分散电流，公开了一种使分别具有电极焊盘及电极延伸部的p型电极及n型电极的布置多样的技术。但是由于所述电极吸收光而发生的光损失，导致通过改变电极的布置来增加电流分散效率是有限度的。
实用新型内容
技术问题
本实用新型所要解决的课题是提供一种具有能够使电流经过整个发光区域而均匀分散的结构的发光元件。
本实用新型所要解决的又一课题是提供一种能够最小化由电极，尤其是电极焊盘的不良所造成的发光元件可靠性的下降的发光元件。
本实用新型所要解决的又一课题是提供一种针对由静电放电造成的不良及电短路的可靠性较高的发光元件。
本实用新型所要解决的又一课题是提供一种具有能够使电流经过整个发光区域而均匀分散的结构，并且，能够防止由于用于提高电流分散的结构所造成的光损失的发光元件。
技术方案
根据本实用新型的发光元件包括：第一导电型半导体层；活性层，位于所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，位于所述活性层上；电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。
并且，所述第二导电型半导体层的一部分可以在所述电流阻挡层和所述透明电极之间由于所述透明电极的开口部而暴露。
并且，所述透明电极可以包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部，所述凸出部的至少一部分位于所述第二电极焊盘和所述电流阻挡层之间。
并且，还可以包括：台面，位于所述第一导电型半导体层上，所述台面包括所述活性层及第二导电型半导体层，所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露。
并且，还可以包括：绝缘层，位于所述台面的局部位置上；以及第一电极延伸部，从所述第一电极焊盘延伸，所述第一电极焊盘位于所述绝缘层上。
并且，所述绝缘层可以覆盖所述凹槽的侧面的至少一部分，所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。
并且，所述绝缘层可以覆盖暴露于所述凹槽的活性层的侧面。
并且，所述绝缘层还可以覆盖所述凹槽上部的周围。
并且，所述绝缘层可以与所述透明电极相隔。
并且，所述至少一个凹槽可以包括彼此相隔的多个凹槽，所述多个凹槽位于所述发光元件的一侧面。
并且，所述第一电极焊盘可以包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。
并且，所述焊盘接触部分可以位于所述发光元件的一侧面。
并且，所述绝缘层可以包括覆盖所述第一电极焊盘周围的台面侧面的至少一个扩张部。
并且，至少一个的所述凹槽可以具有圆弧形态的平面形状。
并且，所述延伸部电流阻挡层可以具有比所述第二电极延伸部宽的宽度，所述透明电极将所述延伸部电流阻挡层全部覆盖。
并且，将以所述焊盘电流阻挡层的中心部为原点而具有x轴与y轴的虚拟的坐标系作为基准，所述第二电极焊盘与第二电极延伸部的交界面可以位于x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一象限至第四象限中的至少一个上，至少一个的所述凸出部位于除了所述交界面所在的部分以外的 x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一象限至第四象限中的至少一个上。
所述交界面可以位于所述y(-)轴或所述第四象限上，所述凸出部位于 x(+)轴、x(-)轴及y(+)轴上。
所述第一电极焊盘可以与所述发光元件的一侧面相邻而布置，所述第二电极焊盘与所述发光元件的另一侧面相邻而布置，所述第二电极延伸部从所述第二电极焊盘向所述发光元件的一侧面延伸。
根据本实用新型的发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；透明电极，位于所述发光结构体上；第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；第二电极焊盘，布置在所述透明电极上，并与所述第二导电型半导体层电连接；以及第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，其中，所述第二电极焊盘的一部分与所述透明电极相接。
并且，还可以包括位于所述第二电极焊盘及所述第二电极延伸部与所述第二导电型半导体层之间的电流阻挡层，所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述透明电极覆盖所述电流阻挡层，并具有暴露所述焊盘电流阻挡层的开口部。
并且，所述透明电极可以包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部，所述第二电极焊盘与所述凸出部相接。
并且，所述发光结构体可以包括：台面，位于所述第一导电型半导体层上，所述台面包括所述活性层及所述第二导电型半导体层，所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露。
并且，还可以包括：绝缘层，位于所述台面的局部位置上；以及第一电极延伸部，从所述第一电极焊盘延伸，所述第一电极焊盘位于所述绝缘层上，所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。
并且，所述绝缘层还可以覆盖所述凹槽上部的周围。
并且，所述绝缘层可以与所述透明电极相隔。
并且，所述第一电极焊盘可以包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。
并且，所述绝缘层可以覆盖所述凹槽的侧面的至少一部分，从而覆盖暴露于所述凹槽的所述活性层的侧面。
并且，所述第二电极焊盘可以位于所述凸出部上而与所述凸出部相接。
并且，所述第二导电型半导体层的一部分可以在所述开口部的侧面和所述电流阻挡层之间暴露。
并且，所述第二电极延伸部可以从经过所述发光元件的中心的纵向中心线相隔。
并且，所述第二电极延伸部的相隔距离可以为14至18μm。
根据本实用新型的一方面的发光元件包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；电流阻挡层，位于所述台面的局部位置上；透明电极，位于所述台面上，覆盖所述电流阻挡层，包括使所述电流阻挡层的至少一部分暴露的开口部；绝缘层，位于所述台面的局部位置上；第一电极，位于所述绝缘层上而与所述第二导电型半导体层绝缘，并包括第一电极焊盘以及从所述第一电极焊盘延伸的第一电极延伸部；以及第二电极，位于所述电流阻挡层上，并且包括位于所述透明电极的开口部上的第二电极焊盘以及从所述第二电极焊盘延伸的第二电极延伸部，其中，所述透明电极包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部，且所述凸出部的至少一部分位于所述第二电极焊盘与所述电流阻挡层之间，所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露；所述绝缘层覆盖所述凹槽侧面的至少一部分，所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。
所述绝缘层可以覆盖暴露于所述凹槽的活性层的侧面。
并且，所述绝缘层还可以覆盖所述凹槽上部的周围。
所述绝缘层可以与所述透明电极隔开。
所述至少一个的凹槽可以包括相互隔开的多个凹槽，所述多个凹槽位于所述发光元件的一侧面。
所述第一电极焊盘可以包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。
进而，所述焊盘接触部分与所述至少一个的延伸部接触部分可以位于所述发光元件的一侧面。
所述绝缘层可以包括覆盖所述第一电极焊盘周围的台面侧面的至少一个扩张部。
所述绝缘层中，位于所述第一电极延伸部的下方的部分可以位于由所述台面的侧面定义的区域内。
所述第一电极焊盘可以包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分，所述至少一个扩张部可以包括多个扩张部，且所述焊盘接触部分位于多个扩张部之间的区域。
至少一个的所述凹槽可以具有圆弧形态的平面形状。
所述电流阻挡层可以包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，所述焊盘电流阻挡层的至少一部分可以通过所述透明电极的开口部被暴露。
所述透明电极的开口部的侧面可以位于所述焊盘电流阻挡层上。
所述透明电极的开口部的侧面可以与所述焊盘电流阻挡层隔开。
透明电极可以夹设于所述第二电极延伸部与所述延伸部电流阻挡层之间。
将以所述焊盘电流阻挡层的中心部为原点而具有x轴与y轴的虚拟的坐标系作为基准，所述第二电极焊盘与第二电极延伸部的交界面可以位于x(+) 轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限中的至少一个上，至少一个的所述凸出部可以位于除了所述交界面所在的部分以外的x(+)轴、 x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限中的至少一个上。
所述交界面可以位于所述y(-)轴或所述第四象限上，所述凸出部可以位于x(+)轴、x(-)轴及y(+)轴上。
所述第一电极焊盘可以邻近于所述发光元件的一侧面而布置，所述第一电极延伸部从所述第一电极焊盘向所述发光元件的另一侧面延伸，所述第二电极焊盘可以邻近于所述发光元件的另一侧面而布置，所述第二电极延伸部从所述第二电极焊盘向所述发光元件的一侧面延伸。
根据本实用新型的又一实施例的发光元件可以包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；透明电极，位于所述台面上；绝缘层，位于所述台面的局部位置上；以及第一电极，位于所述绝缘层上，与所述第二导电型半导体层绝缘，包括第一电极焊盘以及从第一电极焊盘延伸的第一电极延伸部，其中，所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露，所述绝缘层覆盖所述凹槽侧面的至少一部分，从而覆盖暴露于所述凹槽的所述活性层的侧面，所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。
所述绝缘层还可以覆盖所述凹槽上部的周围。
所述绝缘层可以与所述透明电极隔开。
所述第一电极焊盘可以包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。
根据本实用新型的又一实施例的发光元件包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，且包括活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；第二导电性氧化物电极，位于所述台面上；以及第二电极，位于所述第二导电性氧化物电极上，其中，所述第一电极包括第一电极焊盘以及从所述第一电极焊盘延伸的第一电极延伸部，所述第一电极延伸部包括至少一个的金属电极延伸部以及至少一个的第一导电性氧化物电极延伸部，所述金属电极延伸部从所述第一电极焊盘的一侧面延伸，所述第一导电性氧化物电极延伸部从所述第一电极焊盘的一侧面以外的其他侧面开始延伸。
第一导电性氧化物电极延伸部可以包括ZnO以及包含金属掺杂物的ZnO 中的至少一个，所述金属掺杂物可以包含Ga。
所述第一电极延伸部可以包括多个金属电极延伸部和/或多个第一导电性氧化物电极延伸部。
所述金属电极延伸部与所述第一导电性氧化物电极延伸部可以向彼此相反的方向延伸。
所述金属电极延伸部与所述第一导电性氧化物电极延伸部可以具有互不相同的线宽。
所述金属电极延伸部的线宽可以大于所述第一导电性氧化物电极延伸部的线宽。
所述第一导电性氧化物电极延伸部的线宽可以大于所述金属电极延伸部的线宽
所述第一导电性氧化物电极延伸部的一侧面可以与所述第一导电型半导体层的一侧面形成相同的平面。
所述第一电极焊盘可以包括金属电极焊盘及第一导电性氧化物电极焊盘，所述第一导电性氧化物电极延伸部可以从所述第一导电性氧化物电极焊盘延伸。
所述金属电极焊盘可以位于所述第一导电性氧化物电极焊盘上，所述第一导电性氧化物电极焊盘的面积大于所述金属电极焊盘的面积。
所述第一导电性氧化物电极延伸部的至少一部分可以与所述金属电极延伸部的至少一部分接触。
所述第一导电性氧化物电极延伸部的一部分可以位于所述金属电极延伸部的下方。
所述第一导电性氧化物电极延伸部的一部分可以夹设于所述第一导电型半导体层与所述金属电极延伸部之间，所述第一导电性氧化物电极延伸部的一部分可以与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触。
所述第一导电型半导体层可以包括形成于所述台面周围的使所述第一导电型半导体层上表面的一部分暴露的区域，所述第一导电性氧化物电极延伸部与暴露于所述台面周围的第一导电型半导体层接触。
所述第一导电性氧化物电极延伸部可以包围所述台面的至少一部分。
所述第一导电性氧化物电极延伸部可以形成包围所述台面的闭合曲线。
所述发光元件还可以包括位于所述台面的局部位置上的绝缘层，所述金属电极延伸部的一部分及所述第一电极焊盘的至少一部分位于所述绝缘层上，所述金属电极延伸部包括与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。
所述台面可以包括从其侧面凹陷的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的上表面的一部分通过所述凹槽可以被暴露，所述绝缘层可以包括使通过所述凹槽被暴露的第一导电型半导体层的上表面暴露的开口部，且所述延伸部接触部分可以通过所述绝缘层的开口部与所述第一导电型半导体层的上表面进行电接触。
所述第一导电性氧化物电极延伸部可以包围所述台面的一部分，但不位于所述台面的凹槽周围。
所述第一导电性氧化物电极延伸部的一部分可以夹设于从所述凹槽暴露的第一导电型半导体层的上表面与所述金属电极延伸部的一部分之间，所述第一导电性氧化物电极延伸部的所述一部分与从所述凹槽暴露的第一导电型半导体层的上表面欧姆接触。
有益效果
根据本实用新型的实施例，通过具有延伸部接触部分的第二电极延伸部，能够提高水平方向的电流分散效率(performance)，并且用绝缘层覆盖从台面的凹槽被暴露的活性层侧面，从而能够防止由静电放电造成的发光元件的发光效率的降低及不良。并且，通过绝缘层的扩张部能够防止在第一电极焊盘周围的电短路。进而，能够提高第二电极焊盘的结构上的稳定性，尤其，能够防止由球键合造成的在第二电极焊盘周围的不良。
并且，公开具有包括第一导电性氧化物电极延伸部的第一电极的发光元件，并且能够提供通过第一导电性氧化物电极延伸部改善电特性及光学特性的发光元件。
附图说明
图1a是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的平面图。
图1b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图2a至图2c是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的剖面图。
图3a至图3b是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的放大平面图。
图4a至图4b是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的放大剖面图。
图5a至图5b及图6a至图6b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的放大平面图及放大剖面图。
图7a至图7b及图8a至图8b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的放大平面图及放大剖面图。
图9a至图9b及图10a至图10b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的放大平面图及放大剖面图。
图11a至图11b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的放大平面图。
图12至图14b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图、剖面图及放大平面图。
图15至图17b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图、剖面图及放大平面图。
图18a至图18f图示根据比较例的第二电极焊盘周围的结构。
图19至图21b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图、剖面图及放大平面图。
图22至图24b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图、剖面图及放大平面图。
图25至图27是用于比较根据本实用新型的又一实施例的发光元件与比较例的发光元件的实验值的图形。
图28a至图38是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图、放大平面图、剖面图及放大剖面图。
图39是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的第二电极结构的放大平面图。
图40是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的剖面图。
图41是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图42是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的透光性导电层的平面图。
图43是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的透光性导电层的平面图。
图44至图47是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的剖面图。
图48a及图48b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的放大平面图。
图49a及图49b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的放大剖面图。
图50及图51是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图52至图54是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的剖面图。
图55及图56是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图57至图59是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的剖面图。
图60及图61是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的平面图。
图62至图64是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的剖面图。
图65a及图65b是用于说明根据本实用新型的又一实施例的发光元件的放大平面图。
图66是用于说明应用根据本实用新型的一实施例的发光元件的照明装置的示例的分解立体图。
图67是用于说明应用根据本实用新型的一实施例的发光元件的显示装置的示例的剖面图。
图68是用于说明应用根据本实用新型的一实施例的发光元件的显示装置的示例的剖面图。
图69是用于说明应用根据本实用新型的一实施例的发光元件的前照灯的示例的剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本实用新型的实施例。为了将本实用新型的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本实用新型并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。并且，在附图中，可能为了便利而夸张图示构成要素的宽度、长度、厚度等。并且，当记载到某构成要素布置于其他构成要素的“上部”或“上”时，不仅包括各部分“直接”布置于其他部分的“上部”或“上”的情形，还包括各构成要素与其他构成要素之间夹设有另一构成要素的情形。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。
以下说明的针对半导体层的各组成比、生长方法、生长条件、厚度等相当于示例，以下说明并不限定本实用新型。例如，在标记为AlGaN的情况下， Al及GA的组成比可以根据通常技术人员的需求而以多种方式应用。并且，在后述的实施例中，ZnO所指的物质可以包括具有预定的结晶结构的单晶 ZnO，例如，可以包括具有纤维锌矿(wurtzite)结晶结构的ZnO。并且，单晶ZnO可以是包括热力学固有缺陷(intrinsic defect)的单晶，并且，也可以是包括在制造工序等可能发生的微量的缺陷，例如，空位缺陷、位错 (dislocation)、晶界(grain boundary)等的单晶。并且，单晶ZnO可以是包括微量的杂质或者掺杂物的单晶。即，在本实用新型中所指的单晶ZnO可以包括含有非故意或不可避免的缺陷或者杂质的单晶ZnO以及包括掺杂物的单晶ZnO。
图1a以及图2a至图4b是用于说明根据本实用新型的一实施例的发光元件的附图。图1a是根据本实用新型的一实施例的发光元件的平面图，图2a 至图2c分别是图示对应图1a的A-A'线、B-B'线及C-C'线的部分的剖面的剖面图。并且，图3a及图3b放大图示了图1a的α区域的平面，图4a及图4b 分别为图示对应于图3a的D-D'线及E-E'线的部分的剖面的放大剖面图。
参照图1a以及图2a至图4b，所述发光元件包括发光结构体120、透明电极140、第一电极150及第二电极160。进而，所述发光元件还可以包括基板110及电流阻挡层130。并且，所述发光元件可以包括第一至第四侧面101、 102、103、104。
基板110可以是绝缘性基板或导电性基板。并且，基板110可以是用于使发光结构体120生长的生长基板，可以包括蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板等。但是，本实用新型并不限定于此，基板 110也可以是用于支撑发光结构体120的二次基板。例如，基板110可以是蓝宝石基板，尤其，可以是上表面被图案化的图案化蓝宝石基板(PSS:patterned sapphire substrate)。在基板110是图案化蓝宝石基板的情况下，基板110可以包括在其上表面形成的多个凸出部110p。
在本实施例中，虽然对第一导电型半导体层121位于基板110上的情形进行了说明，但是在基板110是能够使半导体层121、123、125生长的生长基板的情况下，也可以使半导体层121、123、125生长后，通过物理和/或化学方法分离或去除而省略基板110。
发光结构体120可以包括：第一导电型半导体层121；第二导电型半导体层125，位于第一导电型半导体层121上；以及活性层123，位于第一导电型半导体层121与第二导电型半导体层125之间。并且，发光结构体120可以包括台面120m，所述台面120m位于第一导电型半导体层121上，且包括活性层123及第二导电型半导体层125。
第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125可以利用如金属有机化学气相沉积(MOCVD)等公知方法在腔室内生长而形成。并且，第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125可以包括III-V族氮化物系半导体，例如，可以包括如(Al、Ga、In)N等氮化物系半导体。第一导电型半导体层121可以包括n型杂质(例如，Si、Ge、Sn)，
第二导电型半导体层125可以包括p型杂质(例如，Mg、Sr、Ba)。并且，也可以与之相反。活性层123可以包括多量子阱结构(MQW)，并且可以调节氮化物系半导体的组成比，以使其发出所期望的波长。尤其，在本实施例中，第二导电型半导体层125可以是p型半导体层。
台面120m位于第一导电型半导体层121的一部分区域上，因此，第一导电型半导体层121的表面可以在未形成台面120m的区域被暴露。台面120m 可以通过局部蚀刻第二导电型半导体层125及活性层123而形成。台面120m 的形态不受限制，例如，如图所示，台面120m可以沿第一导电型半导体层121的侧面形成。台面120m可以具有倾斜的侧面，然而也可以具有垂直于第一导电型半导体层121的上表面的侧面。并且，在本实施例中，台面120m 可以包括至少一个从其侧面凹陷的凹槽120g。如下文所述，凹槽120g可以提供使第一电极150与第一导电型半导体层121电接触的区域。
并且，如图1b所示，台面120m也可以再包括在其侧面形成的凹凸图案 127。因此，能够提高发光元件的光提取效率。
但是，本实用新型并不限定于此，也可以不形成暴露第一导电型半导体层121的区域。当发光元件为非如图所示的水平结构的其他结构时(例如，垂直结构)，第一导电型半导体层121的上表面也可以不被暴露。
电流阻挡层130至少位于第二导电型半导体层125的局部位置上。电流阻挡层130可以在第二导电型半导体层125上对应于第二电极160所在的部分而布置。电流阻挡层130可以包括焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133。焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133可以分别对应于第二电极焊盘161及第二电极延伸部163的位置而布置。因此，如图所示，焊盘电流阻挡层131可以相邻于发光元件的第一侧面101而布置，延伸部电流阻挡层133可以布置为从第一侧面101向第三侧面103方向延伸。
电流阻挡层130能够防止向第二电极160供应的电流直接传送至半导体层而造成的电流集中。因此，电流阻挡层130可以具有绝缘性，且可以包括绝缘物质，且也可以形成为单层或多层结构。例如，电流阻挡层130可以包括SiOx或者SiNx，或者也可以包括由折射率不同的绝缘性物质层层叠而成的分布式布拉格反射器。即，电流阻挡层130也可以具有透光性，也可以具有反光性，并且可以具有选择性的反光性。
并且，电流阻挡层130的面积可以大于形成于电流阻挡层130上的第二电极160的面积。因此，第二电极160可以位于形成电流阻挡层130的区域内上。
透明电极140可以位于第二导电型半导体层125上，并且，覆盖第二导电型半导体层125上表面的一部分以及电流阻挡层130的一部分。透明电极 140可以包括使焊盘电流阻挡层131局部地暴露的开口部140a。并且，透明电极140包括从所述开口部140a的侧面140g凸出的凸出部140p。开口部140a 的侧面140g可以与电流阻挡层130隔开，且可以沿电流阻挡层130的侧面形成。另外，凸出部140p可以与电流阻挡层130局部地相接，并且，可以覆盖电流阻挡层130的侧面及上表面的一部分。凸出部140p可以形成为多个。透明电极140可以包括具有透光性及导电性的物质，例如，也可以包括如ITO、 ZnO、IZO等的导电性氧化物以及如Ni/Au等的透光性金属层中的至少一个。并且，透明电极140可以与第二导电型半导体层125形成欧姆接触。由于第二电极160不与第二导电型半导体层125直接接触，从而能够通过透明电极 140更有效地分散电流。关于透明电极140，在下文通过图3a、图3b及图4a、图4b进行更详细的说明。
第一电极150可以位于第一导电型半导体层121上，且电连接于第一导电型半导体层121。第一电极150可以包括第一电极焊盘151及第一电极延伸部153。第一电极150通过与局部去除第二导电型半导体层125及活性层 123而被暴露的第一导电型半导体层121的上表面欧姆接触，从而能够电连接于第一导电型半导体层121。
在本实施例中，第一电极焊盘151及第一电极延伸部153的一部分可以位于台面120m上，此时，台面120m与第一电极150的一部分之间可以夹设有绝缘层170。第一电极焊盘151可以与发光元件的第三侧面103相邻而布置，第一电极延伸部153可以沿着第三侧面103及第二侧面102延伸。另外，绝缘层170可以布置于第一电极焊盘151的下方，以及位于台面120m的上表面的第一电极延伸部153的一部分的下方。因此，第一电极150与第二导电型半导体层125相互绝缘。台面120m的凹槽120g可以不被绝缘层170覆盖而暴露，且通过凹槽120g被暴露的第一导电型半导体层121部分与第一电极延伸部153电接触。如上所述，由于第一电极焊盘151部分不与第一导电型半导体层121直接接触，且第一电极延伸部153的一部分与第一导电型半导体层121接触而形成电连接，因此驱动发光元件时，电流可以向水平方向更顺利地分散。另外，第一电极150的布置并不限定于此，可以根据发光元件的形态进行多种变形及变更。
第一电极150可以起到向第一导电型半导体层121供应外部电源的作用，
第一电极150可以包括如Ti、Pt、Au、Cr、Ni、Al等的金属物质。并且，第一电极150可以形成为单层或多层结构。
第二电极160位于第二导电型半导体层125上，第二电极160的至少一部分位于电流阻挡层130所在的区域上。第二电极160可以包括第二电极焊盘161及第二电极延伸部163，第二电极焊盘161及第二电极延伸部163分别位于焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133上。因此，在第二电极 160与电流阻挡层130之间可以夹设有透明电极140的一部分。
尤其，第二电极焊盘161可以位于透明电极140的开口部140a上。第二电极焊盘161可以与所述开口部140a的侧面140g隔开，透明电极140的凸出部140p的至少一部分可以位于第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131之间。因此，第二电极焊盘161与透明电极140的凸出部140p接触而电连接。第二电极焊盘161的形状并不受限，例如，可以如图所示地形成为大致圆形。因此，电流阻挡层130的焊盘电流阻挡层131也可以形成为与第二电极焊盘161形状相似的圆形，透明电极140的开口部140a也可以形成为大致相似的圆形。但是，本实用新型并不限定于此。第二电极焊盘161的位置不受限制，可以布置为使电流顺利地分散而在发光元件的活性层123前表面实现发光。例如，如图所示，第一电极焊盘151可以邻近于第三侧面103而布置，第二电极焊盘161可以邻近于与第三侧面103相反的第一侧面101而布置。
第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸。在本实施例中，第二电极延伸部163可以从第二电极焊盘161向着第三侧面103侧方向延伸。并且，第二电极延伸部163的延伸方向可以根据第二电极延伸部163的延伸而变化。例如，第二电极延伸部163的末端可以弯曲而朝向发光元件的第三侧面103 与第四侧面104之间的部分。考虑到第一电极焊盘151与第二电极延伸部163 的距离，可以对此进行多样的设计。第二电极延伸部163的至少一部分与延伸部电流阻挡层133之间夹设有透明电极140，因此，第二电极延伸部163 电连接于透明电极140。
另外，第二电极160的布置并不限定于此，可以根据发光元件的形态进行多种变形及变更。
第二电极160可以包括导电性物质，例如，可以包括Ti、Pt、Au、Cr、 Ni、Al、Mg等金属性物质，且可以形成为单层或多层结构。在第二电极160 形成为多层结构的情况下，可以包括Ti层/Au层、Ti层/Pt层/Au层、Cr层/Au 层、Cr层/Pt层/Au层、Ni层/Au层、Ni层/Pt层/Au层以及Cr层/Al层/Cr层 /Ni层/Au层的金属叠层结构中的至少一个。
如上所述，第二电极160的一部分与电流阻挡层130之间夹设有透明电极140，从而通过第二电极160与透明电极140所接触的部分使电流导通。因此，可以调节第二电极160与透明电极140所接触的区域，而使电流能够有效地分散，对此，参照图3a、图3b及图4a、图4b进行说明。进而，参照图5a至图11b，对根据多种实施例的发光元件进行说明。
首先，通过比较例对第二电极焊盘周围的结构进行说明。图18a至图18f 图示了根据比较例的第二电极焊盘周围的结构。
首先，图18a及图18b图示了根据比较例1的第二电极焊盘61的结构。参照图18a及图18b，透明电极40的开口部形成于焊盘电流阻挡层31上，因此，透明电极40沿着第二电极焊盘61的边缘与第二电极焊盘61连续地接触。根据比较例1的结构，在透明电极40与第二电极焊盘61所接触的部分容易发生第二电极焊盘61的剥离(peeling)，从而导致发光元件的可靠性降低。尤其，由于第二电极焊盘61的整个边缘与透明电极40接触，所以缺少能够抑制第二电极焊盘61的剥离的部分。进而，在第二电极焊盘61的上表面形成球键合的情况下，第二电极焊盘61更容易剥离，因此，这种结构的球剪切试验(BST：Ball Shear Test)值较低。
图18c及图18d图示了根据比较例2的第二电极焊盘61的结构。参照图 18c及图18d，透明电极40与焊盘电流阻挡层31隔开，且第二电极焊盘61 位于焊盘电流阻挡层31上。根据比较例2的结构，由于透明电极40与第二电极焊盘61不接触，所以相比于比较例1的结构，BST值可以更高。但是，第二电极焊盘61与透明电极40不接触，从而在第二电极焊盘61周围区域电流无法顺利地分散。
图18e及图18f图示了根据比较例3的第二电极焊盘61的结构。参照图 18e及图18f，焊盘电流阻挡层31具有开口部，且透明电极40覆盖焊盘电流阻挡层31。第二电极焊盘61位于焊盘电流阻挡层31上。根据比较例3的结构，由于在焊盘电流阻挡层31上部的透明电极40表面形成凹凸图案，从而通过凹凸图案能够抑制第二电极焊盘61的剥离。因此，比较例3的结构可以提供BST值相比于比较例1更高的发光元件。但是，第二电极焊盘61具有通过透明电极40与下部的第二导电型半导体层直接连接的结构，因此发生静电时，静电能够直接向第二导电型半导体层导通。因此，比较例3的结构的抗静电放电(ESD)性脆弱，因此具有比较例3的结构的发光元件的可靠性降低。
以下，参照图3a、图3b及图4a、图4b，对根据本实用新型的实施例的第二电极焊盘161周围的结构进行说明。图3a及图3b放大图示了图1a的α区域的平面，图4a及图4b分别是图示对应于图3a的D-D'线及E-E'线的部分的剖面的放大剖面图。在图3a、图3b的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。
参照图3a、图4a及图4b，透明电极140的开口部140a包括侧面140g，所述侧面140g从焊盘电流阻挡层131隔开。此时，透明电极140的开口部 140a沿焊盘电流阻挡层131的侧面形成，并且形成为与所述焊盘电流阻挡层 131的侧面形状大致对应。因此，在除了焊盘电流阻挡层131与透明电极140 的相隔空间以外的其他部分，透明电极140可以与第二导电型半导体层125 接触，从而在第二导电型半导体层125上电流能够向水平方向均匀地分散。
透明电极140包括至少一个的凸出部140p，凸出部140p从开口部140a 的侧面凸出。如图4a及图4b所示，凸出部140p覆盖焊盘电流阻挡层131的侧面及上表面的一部分，且夹设于焊盘电流阻挡层131与第二电极焊盘161 之间。因此，第二电极焊盘161电连接于凸出部140p，从而通过第二电极焊盘161与凸出部140p使电流导通。因此，能够顺利地使电流注入凸出部140p 所在的区域。由于第二电极160的第二电极延伸部163与透明电极140接触，因此通过第二电极延伸部163实现向第二导电型半导体层125的电流注入。因此，可以根据第二电极延伸部163的位置调节凸出部140p的数量及位置。
具体地，参照图3b进行说明。首先，以第二电极焊盘161的中心部161c 为原点，定义具有x轴与y轴的虚拟的面。所述虚拟的面包括第一象限1QD、第二象限2QD、第三象限3QD及第四象限4QD。以所述虚拟的面为基准，第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸的部分，即，第二电极焊盘161 与第二电极延伸部163的交界面165可以位于x(+)轴、x(-)轴、y(+) 轴、y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。此时，至少一个的凸出部140p可以位于除了所述交界面165所在的部分以外的，剩余的x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限 1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。例如，在本实施例中，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于第四象限4QD，三个凸出部140p分别位于第一象限1QD、第二象限2QD及第三象限3QD。因此，可以通过第二电极延伸部163向对应于第四象限4QD的区域注入电流，通过凸出部140p可以向对应于第一象限1QD、第二象限2QD及第三象限3QD的区域注入电流。
另外，第二电极焊盘161的下表面与透明电极140相接的部分的面积可以相对第二电极焊盘161的整个下表面面积为1％以上20％以下，进而可以是 1.5％以上13％以下，更进一步地，可以是3％以上5％以下。通过以上述的比例调节第二电极焊盘161的下表面与透明电极140相接的部分的面积，可以使第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131相接的部分的面积相对较大。因此，能够有效地抑制在第二电极焊盘161与透明电极140相接的部分可能发生的第二电极焊盘161的剥离。
并且，凸出部140p可以具有多种形状，例如，如图所示地可以具有圆弧乃至椭圆弧形状。
如本实施例，通过仅在第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131之间的交界面的一部分区域夹设透明电极140，能够有效地抑制第二电极焊盘161 的剥离。尤其，由于第二电极焊盘161的结构为第二电极焊盘161下表面的边缘部分的大部分与焊盘电流阻挡层131相接，并且所述边缘部分的极小部分与透明电极140相接，从而能够防止第二电极焊盘161的剥离，并且能够提供BST值高的发光元件。进而，由于第二电极焊盘161与透明电极140的凸出部140p接触，从而能够减少由于第二电极焊盘161与透明电极140隔开而可能发生的电流密集现象，并使电流顺利地向未布置第二电极延伸部163 的部分分散。由于电流向水平方向顺利地分散，从而能够提高发光元件的功率，并且能够降低正向电压Vf。进而，由于不存在第二电极焊盘161通过透明电极140与第二导电型半导体层125直接连接的部分，从而能够防止静电造成的不良及破损，进而能够提供抗静电放电性强的发光元件。即，根据本实施例，防止第二电极焊盘161的剥离，从而所提供的发光元件的可靠性高，电流分散效率优秀，且抗静电放电性强，从而改善了比较例1至比较例3的问题点。
在本实施例的发光元件中，第一电极150、第二电极160及凸出部140p 的形态及位置可以根据需要进行多种变更。例如，如图1b，第一电极150及第二电极160的位置及形态也可以变形，凸出部140p的位置同样可以根据所述第一电极150及第二电极160的位置及形态而进行变更。根据本实施例，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于y(-)轴上，三个凸出部140p分别位于x(+)轴、x(-)轴及y(+)轴上。图5a至图11b 是用于说明根据其他实施例的第二电极焊盘161周围区域的结构的平面图及剖面图。
首先，图5a及图5b放大图示了图1a的α区域的平面，图6a及图6b分别是图示了对应于图5a的F-F'线及G-G'线的部分的剖面的放大剖面图。在图 5a、图5b的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。参照图5a、图5b及图6a、图6b，如上所述，凸出部140p的位置可以进行多种变形，并且如根据图5a、图5b及图 6a、图6b的又一实施例，可以调节凸出部140p的位置。
如图5b所示，以第二电极焊盘161的中心部161c为原点，定义具有x 轴及y轴的虚拟的面。以所述虚拟的面为基准，第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸的部分，即，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165可以位于x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。此时，至少一个的凸出部140p可以位于除了所述交界面165所在的部分以外的，剩余的x(+)轴、 x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD 中的至少一个上。例如，在本实施例中，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于第四象限4QD，三个凸出部140p分别位于x(+) 轴、x(-)轴及y(+)轴上。因此，可以通过第二电极延伸部163向对应于第四象限4QD的区域注入电流，并通过凸出部140p向对应于x(+)轴、x (-)轴及y(+)轴的部分的周围区域注入电流。
图5a、图5b及图6a、图6b的实施例相比于图1a至图4b的实施例，差异在于通过凸出部140p注入电流的区域。可以考虑透明电极140的水平方向电流分散效率(透明电极140内的水平方向的电阻)以及发光结构体120的半导体层的水平方向电流分散效率等而决定这种凸出部140p的位置变更。例如，可以通过如溅射(Sputtering)或电子束沉积(e-beamevapartion)等方法形成透明电极140，但透明电极140的水平方向的电阻可能根据制造方法而不同，并且，水平方向的电阻可能根据透明电极140的厚度而不同。并且，第二导电型半导体层125的水平方向的电阻同样可能根据结晶生长面、结晶质量及内部结构而不同。在水平方向电流分散相对顺利的结构中，凸出部140p 的位置优选形成为能够向活性层123的前表面注入电流，因此，在如图5a、图5b及图6a、图6b的实施例地形成凸出部140p的情况下，向与第二电极延伸部163相对地布置的部分注入电流更顺利，从而发光功率相对更高。相反，在水平方向电流分散相对不顺利的结构中，将凸出部140p布置为靠近第一电极延伸部151对发光效率有更积极的影响，因此，在如图1a至图4b的实施例地形成凸出部140p的情况下，发光功率相对更高。即，如上所述实施例，根据发光元件的结构及物质等的特性，凸出部140p的个数及位置可以多样地变更。
接着，图7a及图7b放大图示图1a的α区域的平面，图8a及图8b分别是图示对应于图7a的H-H'线及I-I'线的部分的剖面的放大剖面图。在图7a、图7b的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。
参照图7a、图7b及图8a、图8b，开口部140a的侧面140g可以位于焊盘电流阻挡层131上。因此，与图1a至图4b的实施例不同地，根据本实施例，暴露于焊盘电流阻挡层131与透明电极140的开口部140a的侧面140g 之间的第二导电型半导体层125的表面可以被遮盖。因此，位于所述开口部 140a的下方的第二导电型半导体层125可以从外部受到保护。但是，位于焊盘电流阻挡层131上的开口部140a的侧面140g与第二电极焊盘161相隔，因此，本实施例中也能够有效地抑制第二电极焊盘161的剥离。并且，在本实施例中，也可以对凸出部140p的位置及数量进行多种调节，例如，如图 7b所示，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165可以位于第四象限4QD，三个凸出部140p可以分别位于第一象限1QD、第二象限2QD 及第三象限3QD。
接着，图9a及图9b放大图示了图1a的α区域的平面，图10a及图10b 分别为图示对应于图9a的J-J'线及K-K'线的部分的剖面的放大剖面图。在图 9a、图9b的放大图中，为了方便的说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。
本实施例的发光元件相比于图1a至图4b的发光元件，省略了电流阻挡层130。因此，第二电极焊盘161下表面的一部分与第二导电型半导体层125 接触，透明电极140的侧面140g与第二电极焊盘161隔开。并且，透明电极 140的凸出部140p的至少一部分夹设于第二导电型半导体层125与第二电极焊盘161之间。此时，第二电极焊盘161与第二导电型半导体层125之间的接触电阻可能高于第二电极焊盘161与透明电极140之间的接触电阻。并且，第二电极焊盘161与第二导电型半导体层125也可以彼此肖特基接触。因此，在第二导电型半导体层125是p型半导体层的情况下，由于第二电极焊盘161 与第二导电型半导体层125肖特基接触，因此电流可以几乎不从第二电极焊盘161流向第二导电型半导体层125。因此，这种情况下，可以得到与电流阻挡层130位于第二电极焊盘161的下方的情况相似的效果。并且，在本实施例中，也可以对凸出部140p的位置及数量进行多种调节，例如，如图9b，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165可以位于第四象限 4QD，三个凸出部140p可以分别位于第一象限1QD、第二象限2QD及第三象限3QD。
接着，图11a及图11b放大图示图1a的α区域的平面。根据本实施例，相比于图1a至图4b的实施例，凸出部140p的形状可以多样地变形。在图11a、图11b的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。例如，如图11a及图11b所示，凸出部(140pa 或140pb)可以是多边形，尤其是四边形，并且，也可以是由直线及曲线构成的形状。
包括上述实施例中说明的凸出部140p的透明电极140可以应用于多种结构的发光元件。以下，参照附图对根据本实用新型的另一实施例的发光元件进行说明，并省略对相同结构的详细说明。
图12至图14b是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件的附图。图12是根据所述实施例的发光元件的平面图，图13a及图13b分别是图示对应于图12的L-L'线及M-M'线的部分的剖面的剖面图。并且，图14a及图14b放大图示了图12的β区域的平面，在图12的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。
参照图12至图14b，所述发光元件包括发光结构体120、透明电极140、第一电极150及第二电极160。进而，所述发光元件还可以包括基板110及电流阻挡层130。
发光结构体120可以位于基板110上，并且，可以包括台面120m，所述台面120m包括第二导电型半导体层125及活性层123。在台面120m周围可以形成暴露第一导电型半导体层121的部分，在所述第一导电型半导体层121 被暴露的部分中的至少一部分区域可以提供布置第一电极150的区域。例如，在本实施例中，台面120m可以包括第一导电型半导体层121局部地被暴露的槽部，第一电极150布置于所述槽部内。并且，台面120m可以包括在其侧面形成的凹凸图案127，因此，能够提高发光元件的光提取效率。
电流阻挡层130至少局部地位于第二导电型半导体层125上。电流阻挡层130可以对应于第二导电型半导体层125上的第二电极160所在的部分而布置。电流阻挡层130可以包括焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133。透明电极140可以位于第二导电型半导体层125上，并且，覆盖第二导电型半导体层125上表面的一部分及电流阻挡层130的一部分。透明电极140可以包括使焊盘电流阻挡层131局部地暴露的开口部140a。并且，透明电极140 包括从所述开口部140a的侧面140g凸出的凸出部140p。
第一电极150可以位于第一导电型半导体层121上，且电连接于第一导电型半导体层121。尤其，第一电极150通过暴露于台面120m的槽部的第一导电型半导体层121的表面，可以与第一导电型半导体层121欧姆接触。第一电极150可以包括第一电极焊盘151及第一电极延伸部153。
第一电极焊盘151可以与发光元件的一侧面相邻而布置，第一电极延伸部153可以从第一电极焊盘151向与发光元件的一侧面相对地布置的另一侧面方向延伸。并且，第一电极延伸部153可以形成为多个，例如，如图所示地可以形成两个第一电极延伸部153。第二电极160位于第二导电型半导体层125上，第二电极160的至少一部分位于电流阻挡层130所在的区域上。第二电极160可以包括第二电极焊盘161及第二电极延伸部163，第二电极焊盘161及第二电极延伸部163分别位于焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133上。因此，第二电极160与电流阻挡层130之间可以夹设有透明电极140的一部分。
尤其，第二电极焊盘161可以位于透明电极140的开口部140a上。第二电极焊盘161可以与所述开口部140a的侧面140g隔开，透明电极140的凸出部140p的至少一部分可以位于第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131之间。因此，第二电极焊盘161与透明电极140的凸出部140p接触而电连接。第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸。在本实施例中，第二电极延伸部163可以从第二电极焊盘161向着第一电极焊盘151侧的方向延伸。并且，第二电极延伸部163可以形成为多个，且第二电极延伸部163可以形成为三个。此时，第二电极延伸部163可以位于第一电极延伸部153之间，第一电极延伸部153中的至少一个可以位于第二电极延伸部163之间。因此，能够提高电流分散效率。
在本实施例中，以第二电极焊盘161的中心部161c为原点，以具有x 轴和y轴的虚拟的面为基准，透明电极140的凸出部140p也可以位于除了交界面165所在的部分以外的，剩余的x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-) 轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。参照图14b，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于第一象限1QD、第二象限2QD及y(-)轴上。凸出部140p位于除了所述交界面165所在的部分以外的，y(+)轴、第三象限3QD及第四象限4QD上。
图15至图17b是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件的附图。图15是根据所述实施例的发光元件的平面图，图16a及图16b分别为图示对应于图15的N-N'线及O-O'线的部分的剖面的剖面图。并且，图17a及图17b放大图示了图15的γ区域的平面，在图15的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。
参照图15至图17b，所述发光元件包括发光结构体120、透明电极140、第一电极150及第二电极160。进而，所述发光元件还可以包括基板110及电流阻挡层130。
发光结构体120可以位于基板110上，并且，可以包括台面120m，所述台面120m包括第二导电型半导体层125及活性层123。在台面120m周围可以形成暴露第一导电型半导体层121的部分，在暴露所述第一导电型半导体层121的部分中至少一部分区域可以提供布置第一电极150的区域。例如，在本实施例中，台面120m可以包括第一导电型半导体层121被局部地暴露的槽部，第一电极150可以布置于所述槽部内。
电流阻挡层130的至少一部分位于第二导电型半导体层125上。电流阻挡层130可以对应于第二导电型半导体层125上的第二电极160所在的部分而布置。电流阻挡层130可以包括焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层 133。透明电极140可以位于第二导电型半导体层125上，并且，覆盖第二导电型半导体层125上表面的一部分及电流阻挡层130的一部分。透明电极140 可以包括使焊盘电流阻挡层131局部地暴露的开口部140a。并且，透明电极 140包括从所述开口部140a的侧面140g凸出的凸出部140p。
第一电极150可以位于第一导电型半导体层121上，且电连接于第一导电型半导体层121。尤其，第一电极150可以通过暴露于台面120m的槽部的第一导电型半导体层121的表面，与第一导电型半导体层121欧姆接触。第一电极150可以包括第一电极焊盘151及第一电极延伸部153。
第一电极焊盘151可以与发光元件的一侧面相邻而布置，第一电极延伸部153可以从第一电极焊盘151向与发光元件的一侧面相对地布置的另一侧面方向延伸。并且，第一电极延伸部153也可以形成为多个。第二电极160 位于第二导电型半导体层125上，第二电极160的至少一部分位于电流阻挡层130所在的区域上。第二电极160可以包括第二电极焊盘161及第二电极延伸部163，第二电极焊盘161及第二电极延伸部163分别位于焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133上。因此，第二电极160与电流阻挡层130 之间可以夹设有透明电极140的一部分。
尤其，第二电极焊盘161可以位于透明电极140的开口部140a上。第二电极焊盘161可以与所述开口部140a的侧面140g隔开，透明电极140的凸出部140p的至少一部分可以位于第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131之间。因此，第二电极焊盘161与透明电极140的凸出部140p接触而电连接。第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸。在本实施例中，第二电极延伸部163可以从第二电极焊盘161向第一电极焊盘151侧的方向延伸。并且，第二电极延伸部163可以形成为多个，且第二电极延伸部163可以形成为两个。此时，第一电极延伸部153可以布置为插入第二电极延伸部163之间的形态。因此，能够提高电流分散效率。
在本实施例中，以第二电极焊盘161的中心部161c为原点，以具有x 轴和y轴的虚拟的面为基准，透明电极140的凸出部140p也可以位于除了所述交界面165所在的部分以外的，剩余的x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、 y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。参照图17b，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于第一象限1QD及第二象限2QD上。凸出部140p位于除了所述交界面165所在的部分以外的，y(+)轴、及y(-)轴上。
图19至图21b是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件的平面图、剖面图及放大平面图。图19是根据所述实施例的发光元件的平面图，图20a及图20b分别为图示对应于图19的P-P'线及Q-Q'线的部分的剖面的剖面图。并且，图21a及图21b放大图示了图19的第二电极焊盘161周围区域的平面，在图19的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。
根据图19至图21b的实施例的发光元件，相比于图1a至图4b的发光元件，差异在于发光元件包括多个发光单元C1至C7。以下，以差异点为中心对本实施例的发光元件进行说明，且省略对相同构成的详细说明。参照图19 至图21b，所述发光元件包括具有发光结构体120的多个发光单元C1至C7、第一电极150、第二电极160及连接电极190。发光单元C1至C7分别包括透明电极140，进而，所述发光元件还可以包括基板110及电流阻挡层130。此时，电流阻挡层130可以包括焊盘电流阻挡层131、延伸部电流阻挡层133 及连接电极电流阻挡层135。
多个发光单元C1至C7可以位于基板110上，并且，可以包括台面120m，所述台面120m包括第二导电型半导体层125及活性层123。在台面120m周围可以形成暴露第一导电型半导体层121的部分，在暴露所述第一导电型半导体层121的部分中的至少一部分区域可以提供布置第一电极150的区域以及连接连接电极190的区域。
第一电极150可以位于多个发光单元C1至C7中的至少一个上，并且，第二电极160可以位于多个发光单元C1至C7中的至少一个上。例如，如图所示，第二电极160可以位于第一发光单元C1上，第一电极150可以位于第七发光单元C7上。
多个发光单元C1至C7可以相互电连接，且可以相互电连接以形成串联、并联、反并联连接中至少一个电连接形式。在本实施例中，多个发光单元C1 至C7相互串联连接。如图所示，在第一发光单元C1，暴露第一导电型半导体层121的部分通过连接电极190电连接于第二发光单元C2的透明电极140，第一发光单元C1及第二发光单元C2通过所述连接电极190相互串联连接。与此相似，第二发光单元C2至第七发光单元C7可以分别与相邻的其他发光单元串联连接。因此，本实施例的发光元件包括第一发光单元C1至第七发光单元C7相互串联连接的结构。但是，本实用新型并不限定于此，发光单元 C1至C7中的至少一部分也可以并联或反并联连接。
发光单元C1至C7的形状不受限制，在本实施例中，发光单元C1至C7 可以是平行四边形或五边形。发光单元C1至C7的面积可以大致相同，因此，在各个发光单元C1至C7发出光的有效发光面的面积也可以大致相同。
另外，连接电极190可以将相邻的发光单元C1至C7电连接，且包括第一接触部191、连接部193及第二接触部195。参照图19的放大图及图20b，第一接触部191可以电连接于第一发光单元C1的第一导电型半导体层121，第二接触部195电连接于第二发光单元C2的透明电极140而电连接于第二发光单元C2的第二导电型半导体层125。并且，连接部193将第一接触部191 与第二接触部195相互电连接，进而使第一发光单元C1能够与第二发光单元 C2串联连接。
连接电极电流阻挡层135可以位于连接电极190下部的至少一部分区域。连接电极电流阻挡层135可以位于第二接触部195的下方，且连接电极电流阻挡层135与第二接触部195之间可以夹设有第二发光单元C2的透明电极 140。并且，连接电极电流阻挡层135可以形成为向第二发光单元C2的侧面延伸，使至少一部分位于连接部193的下方，进而，可以位于第一发光单元 C1与第二发光单元C2之间的间隔区域上。因此，防止连接部193通过第二发光单元C2的侧面与第二发光单元C2的第一导电型半导体层121接触而发生短路。另外，为了更有效地防止通过连接部193发生的短路，位于连接部 193下部的连接电极电流阻挡层135的宽度可以大于连接部193的宽度。并且，第二发光单元C2的透明电极140可以形成为向第一发光单元C1侧延伸，而使其夹设于连接电极电流阻挡层135与连接部193之间。进而，向第一发光单元C1侧延伸而形成的透明电极140可以与第一发光单元C1的第一导电型半导体层121接触。因此，不仅连接电极190，从第二发光单元C2延伸而形成的透明电极140也可以使第一发光单元C1与第二发光单元C2之间形成电连接。位于连接部193下方的透明电极140的宽度可以大于连接部193的宽度，并且可以小于连接电极电流阻挡层135的宽度。
另外，基板110上表面的多个凸出部110p中，位于发光单元C1至C7 的间隔区域的凸出部110pa的大小可以小于位于发光单元C1至C7的下部的凸出部110p。所述被暴露的凸出部110pa在用于分离发光单元的个别化 (isolation)工序中，通过蚀刻基板110的上表面可以相对小的大小。在这种大小相对小的被暴露的凸出部110pa上形成的连接电极电流阻挡层135、透明电极140及连接部193可以具有根据凸出部110pa表面的轮廓而起伏的表面。连接部193形成于大小相对小的凸出部110pa上，相比于连接部193形成于基板110的凸出部110p上的情况可以更稳定地形成，从而能够提高连接电极 190的可靠性。即，在连接电极190形成于大小相对小的凸出部110p上的情况下，相比于连接电极190形成于大小相对大的凸出部110p上的情况，减小发生连接电极190的剥离或断线的概率，从而防止由于连接电极190的不良造成的发光元件的不良。因此，能够提高发光元件的制造收率及可靠性。
上述连接电极190的连接形态也可以相似地应用于其他发光单元C2至 C7之间的电连接形态。并且，在一个发光单元(C1至C7中的一个)中，连接电极190的位置可以多样地变更，并且连接电极190的位置及形态可以变更而使电流能够在水平方向顺利地分散。例如，如图所示，在第二发光单元 C2中，第二接触部195与第二发光单元C2的一侧面相邻而布置，第二接触部195具有向着与所述一侧面相邻的其他侧面延伸的形态。并且，位于第二发光单元C2上的第一接触部191(与发光单元C3连接)相邻于与所述一侧面相对地布置的另一侧面而布置，具有向着与所述另一侧面相邻的其他侧面延伸的形态。但是，本实用新型并不限定于此。
第一电极150可以位于第一导电型半导体层121上，且电连接于第一导电型半导体层121。尤其，第一电极150可以通过在第七发光单元C7的台面 120m的槽部暴露的第一导电型半导体层121的表面，与第一导电型半导体层 121欧姆接触。第一电极150也可以再包括电极延伸部(未图示)。
第二电极160可以包括第二电极焊盘161及第二电极延伸部163，第二电极160位于第一发光单元C1上。第二电极焊盘161可以位于透明电极140 的开口部140a上。第二电极焊盘161可以与所述开口部140a的侧面140g隔开，透明电极140的凸出部140p的至少一部分可以位于第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131之间。因此，第二电极焊盘161与透明电极140的凸出部140p接触而电连接。第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸。在本实施例中，第二电极延伸部163可以具有与位于其他发光单元(第二发光单元至第七发光单元)上的第二接触部195的形态及位置相似的形态及位置。
在本实施例中，以第二电极焊盘161的中心部161c为原点，以具有x 轴及y轴的虚拟的面为基准，透明电极140的凸出部140p也可以位于除了所述交界面165所在的部分以外的，剩余的x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、 y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。参照图21b，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于第三象限3QD。凸出部140p可以位于除了所述交界面165所在的部分以外的，第一象限1QD、第二象限2QD及第四象限4QD上。
图22至图24b是用于说明根据本实用新型的另一实施例的发光元件的平面图、剖面图及放大平面图。图22是根据所述实施例的发光元件的平面图，图23a及图23b分别为图示对应于图22的R-R'线及S-S'线的部分的剖面的剖面图。并且，图24a及图24b放大图示了图22的第二电极焊盘161周围区域的平面，在图24的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。
根据图22至图24b的实施例的发光元件，相比于图19至图21b的发光元件，差异在于多个发光单元C1至C7的布置不同。以下，以差异点为中心对本实施例的发光元件进行说明，且省略对相同构成的详细说明。参照图22 至图24b，所述发光元件包括具有发光结构体120的多个发光单元C1至C7、第一电极150、第二电极160及连接电极190。发光单元C1至C7分别包括透明电极140，进而，所述发光元件还可以包括基板110及电流阻挡层130。此时，电流阻挡层130可以包括焊盘电流阻挡层131、延伸部电流阻挡层133 及连接电极电流阻挡层135。
本实施例的发光单元C1至C7可以具有大致矩形的形状，且与图19至图21b的实施例相似地，发光单元C1至C7相互串联连接。根据本实施例的发光单元C1至C7的布置关系，第一电极150、第二电极160及连接电极190 的布置可以变形。尤其，参照图24b，第二电极焊盘161与第二电极延伸部 163的交界面165位于第三象限3QD及第四象限4QD上。凸出部140p可以位于除了所述交界面165所在的部分以外的，第一象限1QD、第二象限2QD 及y(-)轴上。
在上述实施例中，公开了具有七个发光单元相互串联连接的结构的发光元件，但本实用新型并不限定于此。发光单元的数量、形态及电连接关系不受限制，且可以多样地变形。
实验例1
图25及图26是图示用于比较根据本实用新型的实施例的发光元件与比较例的发光元件的实验值的图形。在本实验例中，实施例及比较例的结构与根据图1a至图4b的实施例的发光元件的结构大致相似。但是，实施例与图 1a至图4b的实施例相同地具有包括凸出部140p的透明电极140，比较例如图18c及图18d的结构而具有不包括凸出部140p的透明电极140。
图25及图26比较并示出了实施例与比较例的发光元件分别在20mA下的光功率及正向电压，并且对具有相同结构的其他发光元件进行了二次比较。如图25及图26所示，实施例的发光元件的光功率高于比较例的发光元件，且正向电压低于比较例的发光元件。即，可以知道实施例的发光元件相比于比较例的发光元件，向水平方向的电流分散更顺利，光功率相对高，正向电压相对低。
实验例2
图27图示了分别对实施例与比较例的发光元件的BST值测定数据。在本实验例中，实施例与比较例的结构与根据图1a至图4b的实施例的发光元件的结构大致相似。但是，实施例如图1a至图4b的实施例地具有包括凸出部140p的透明电极140，比较例如图18a及图18b的结构地具有透明电极跨过第二电极焊盘的整个边缘而布置的结构。如图27所示，实施例的发光元件的BST值相比于比较例的发光元件高约2.6％。即，可以知道实施例的发光元件相比于比较例的发光元件，抑制了第二电极焊盘的剥离，从而提高可靠性。
图28a至图38是用于说明根据本实用新型的若干实施例的发光元件的平面图、放大平面图、剖面图及放大剖面图。图28a图示所述发光元件的平面，图28b图示所述发光元件的平面，并示出图29至图38的放大平面图、剖面图及放大剖面图中所图示的部分。图29a及图29b放大图示了图28b的X区域，图30放大图示图28b的Y区域，图31放大图示图28b的Z区域。图32 至图38分别图示了对应于图28b的A-A'线、B-B'线、C-C'线、D-D'线、E-E' 线、F-F'线及G-G'线的部分的剖面。
参照图28a至图38，所述发光元件包括发光结构体120、透明电极140、第一电极150及绝缘层170。进而，所述发光元件还可以包括基板110、电流阻挡层130、第二电极160及钝化(passivation)层230。并且，所述发光元件可以包括第一至第四侧面101、102、103、104。
基板110可以是绝缘性基板或导电性基板。并且，基板110可以是用于使发光结构体120生长的生长基板，可以包括蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板等。例如，基板110可以是蓝宝石基板，尤其，可以是上表面被图案化的图案化蓝宝石基板(PSS:patterned sapphire substrate)。在基板110为图案化蓝宝石基板的情况下，基板110可以包括在其上表面形成的多个凸出部110p。但是，本实用新型并不限定于此，基板110也可以是用于支撑发光结构体120的二次基板。
在本实施例中，虽然对第一导电型半导体层121位于基板110上的情形进行了说明，但是在基板110是能够使半导体层121、123、125生长的生长基板的情况下，使半导体层121、123、125生长后，也可以通过物理和/或化学方法分离或去除而省略基板110。
发光结构体120可以包括：第一导电型半导体层121；第二导电型半导体层125，位于第一导电型半导体层121上；活性层123，位于第一导电型半导体层121与第二导电型半导体层125之间。并且，发光结构体120包括台面120m，所述台面120m位于第一导电型半导体层121上，且包括活性层123 及第二导电型半导体层125。
第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125可以利用如金属有机化学气相沉积(MOCVD)等公知方法在腔室内生长而形成。并且，第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125可以包括III-V族氮化物系半导体，例如，可以包括如(Al、Ga、In)N等氮化物系半导体。第一导电型半导体层121可以包括n型杂质(例如，Si、Ge、Sn)，第二导电型半导体层125可以包括p型杂质(例如，Mg、Sr、Ba)。并且，也可以与之相反。活性层123可以包括多量子阱结构(MQW)，并且可以调节氮化物系半导体的组成比，以使其发出理想的波长。尤其，在本实施例中，第二导电型半导体层125可以是p型半导体层。
台面120m位于第一导电型半导体层121的一部分区域上，因此，第一导电型半导体层121的表面的未形成台面120m的区域可以被暴露。台面120m 可以通过局部地蚀刻第二导电型半导体层125及活性层123而形成。台面 120m的形态不受限制，例如，如图所示，台面120m可以沿第一导电型半导体层121的侧面形成。台面120m可以具有倾斜的侧面，然而也可以具有垂直于第一导电型半导体层121的上表面的侧面。
并且，在本实施例中，台面120m可以包括至少一个从其侧面凹陷的凹槽120g。如下文所述，凹槽120g可以提供第一电极150与第一导电型半导体层121电接触的区域。凹槽120g可以形成为多个，且多个凹槽120g可以沿发光元件的一侧面而布置。如图所示，多个凹槽120g可以位于发光元件的第二侧面102，此时，多个凹槽120g所在的发光元件的侧面可以是长度相对较长的侧面。第二侧面102的长度可以大于与第二侧面102相邻的第一侧面101及第三侧面103。并且，多个凹槽120g可以以大致相同的间隔距离相互隔开。由于提供第一电极150与第一导电型半导体层121的接触区域的多个凹槽120g沿着长度相对较长的侧面布置，所以能够向发光元件的整个发光区域均匀地供应电流。并且，通过以大致相同的间隔距离形成多个凹槽120g，从而电流能够在整个发光区域均匀地分散。
凹槽120g可以具有包括多边形、圆形或者椭圆形的至少一部分的平面形状。例如，如图30所示，凹槽120g的平面形状可以是圆弧形状。通过使凹槽120g的平面形状形成为圆弧形状，从而能够最小化通过凹槽120g的形成所造成的发光区域的减小(由于凹槽120g的形成而被去除的活性层123的区域)，同时能够充分地提供第一导电型半导体层121与第一电极150所接触区域。但是，本实用新型并不限定于此。
并且，台面120m还可以包括在其侧面的至少一部分形成的凹凸图案127。因此，能够提高发光元件的光提取效率。
电流阻挡层130的至少一部分位于第二导电型半导体层125上。电流阻挡层130可以在第二导电型半导体层125上对应于第二电极160所在的部分而布置。电流阻挡层130可以包括焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层 133。焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133可以分别对应于第二电极焊盘161及第二电极延伸部163的位置而位置。因此，如图所示，焊盘电流阻挡层131可以与发光元件的第一侧面101相邻而布置，延伸部电流阻挡层133可以布置为从第一侧面101沿着朝向第三侧面103的方向延伸。
电流阻挡层130能够防止向第二电极160供应的电流直接传送至半导体层从而造成的电流集中。因此，电流阻挡层130可以具有绝缘性，并可以包括绝缘物质，且也可以形成为单层或多层结构。例如，电流阻挡层130可以包括SiOx或者SiNx，或者也可以包括由折射率不同的物质层层叠的分布式布拉格反射器。即，电流阻挡层130也可以具有透光性，也可以具有反光性，并且可以具有选择性的反光性。并且，电流阻挡层130的面积可以大于形成于电流阻挡层130上的第二电极160的面积。因此，第二电极160可以位于形成电流阻挡层130的区域内上。进而，电流阻挡层130可以具有大于第二电极160的面积，且具有与第二电极160的平面形状大致对应的平面形状。因此，电流阻挡层130可以阻挡向第二电极160供应的电流通过透明电极140 直接向第一导电型半导体层121传送而导致电流集中，且能够最小化由于光在电流阻挡层130被吸收或反射而造成的发光效率的减小。
透明电极140可以位于第二导电型半导体层125上，并且，覆盖第二导电型半导体层125上表面的一部分以及电流阻挡层130的一部分。如图29a、图29b中放大图示，透明电极140可以包括使焊盘电流阻挡层131局部暴露的开口部140a。并且，透明电极140包括从所述开口部140a的侧面140g凸出的凸出部140p。开口部140a的侧面140g可以位于焊盘电流阻挡层131上，且可以沿焊盘电流阻挡层131的外廓侧面形成。另外，凸出部140p可以向着焊盘电流阻挡层131的中心部凸出，并且，凸出部140p可以形成为多个。透明电极140可以包括具有透光性及导电性的物质，例如，也可以包括如ITO、 ZnO、IZO等的导电性氧化物以及如Ni/Au的透光性金属层中的至少一个。并且，透明电极140可以与第二导电型半导体层125形成欧姆接触。由于第二电极160不与第二导电型半导体层125直接接触，从而电流能够通过透明电极140更有效地分散。
第二电极160位于第二导电型半导体层125上，第二电极160的至少一部分位于电流阻挡层130所在的区域上。第二电极160可以包括第二电极焊盘161及第二电极延伸部163，且第二电极焊盘161与第二电极延伸部163 可以分别位于焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133上。因此，在第二电极160与电流阻挡层130之间可以夹设有透明电极140的一部分。
尤其，第二电极焊盘161可以位于透明电极140的开口部140a上。第二电极焊盘161可以与所述开口部140a的侧面140g隔开，透明电极140的凸出部140p的至少一部分可以位于第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131之间。因此，第二电极焊盘161与透明电极140的凸出部140p接触而电连接。第二电极焊盘161的形状不受限制，例如，可以如图所示地形成为大致圆形。因此，电流阻挡层130的焊盘电流阻挡层131也可以形成为与第二电极焊盘161的形状相似的圆形，透明电极140的开口部140a也可以形成为大致相似的圆形。但是，本实用新型并不限于此。第二电极焊盘161的位置不受限制，可以布置为使电流顺利分散而在发光元件的活性层123前表面实现发光。例如，如图所示，第一电极焊盘151可以与第三侧面103相邻而布置，第二电极焊盘161可以相邻于与第三侧面相对的第一侧面101而布置。
第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸。在本实施例中，第二电极延伸部163可以从第二电极焊盘161沿着朝向第三侧面103侧的方向延伸。并且，第二电极延伸部163的延伸方向可以随着第二电极延伸部163的延伸而变化。例如，第二电极延伸部163的末端可以弯曲而朝向发光元件的第三侧面103与第四侧面104之间的部分。考虑第一电极焊盘151与第二电极延伸部163的距离，可以对此进行多样的设计。第二电极延伸部163的至少一部分与延伸部电流阻挡层133之间可以夹设有透明电极140，因此，第二电极延伸部163电连接于透明电极140。
另外，第二电极160的布置并不限定于此，可以根据发光元件的形态进行多种变形及变更。
第二电极160可以包括导电物质，例如，可以包括Ti、Pt、Au、Cr、Ni、Al、Mg等金属性物质，且可以形成为单层或多层结构。在第二电极160形成为多层的情况下，可以包括Ti层/Au层、Ti层/Pt层/Au层、Cr层/Au层、Cr 层/Pt层/Au层、Ni层/Au层、Ni层/Pt层/Au层以及Cr层/Al层/Cr层/Ni层/Au 层的金属叠层结构中的至少一个。
如上所述，透明电极140夹设于第二电极160的一部分与电流阻挡层130 之间，从而通过第二电极160与透明电极140所接触的部分使电流导通。因此，可以调节第二电极160与透明电极140所接触的区域而使电流能够有效地分散，对此，参照图29a、图29b，对本实施例的第二电极160，尤其是第二电极焊盘161周围区域的结构进行更详细的说明。
以下，参照图29a、图29b，对根据本实用新型的实施例的第二电极焊盘 161周围的结构进行说明。在图29a及图29b的放大图中，为了方便说明，用实线表示透明电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。根据基于图29a、图29b的本实用新型的实施例，透明电极140的开口部140a包括侧面140g，所述侧面140g位于焊盘电流阻挡层131上，且与第二电极焊盘 161隔开。此时，透明电极140的开口部140a沿焊盘电流阻挡层131的侧面形成，形成为与所述焊盘电流阻挡层131的侧面形状大致对应。尤其，由于开口部140a的侧面位于焊盘电流阻挡层131上，因此第二导电型半导体层125 的上表面可以不被暴露而被透明电极140覆盖。因此，能够防止在第二电极焊盘161周围产生的静电直接向第二导电型半导体层125导通，从而能够更有效地防止由于静电放电导致的发光元件的不良。
透明电极140包括至少一个的凸出部140p，凸出部140p从开口部140a 的侧面凸出。如图29a及图29b所示，凸出部140p中，至少一个所述凸出部140p覆盖焊盘电流阻挡层131的侧面及上表面的一部分，且夹设于焊盘电流阻挡层131与第二电极焊盘161之间。因此，第二电极焊盘161电连接于凸出部140p，从而通过第二电极焊盘161及凸出部140p使电流导通。因此，电流能够顺利地注入凸出部140p所在的区域。由于第二电极160的第二电极延伸部163与透明电极140接触，所以通过第二电极延伸部163实现向第二导电型半导体层125的电流注入。因此，可以根据第二电极延伸部163的位置调节凸出部140p的数量及位置。
具体地，参照图29b进行说明。首先，以第二电极焊盘161的中心部161c 为原点，定义具有x轴与y轴的虚拟的面(虚拟的坐标系)。所述虚拟的面包括第一象限1QD、第二象限2QD、第三象限3QD及第四象限4QD。以所述虚拟的坐标系为基准，第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸的部分，即，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165可以位于x(+) 轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、 4QD中的至少一个上。此时，至少一个的凸出部140p可以位于除了所述交界面165所在的部分以外的，剩余的x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-) 轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。例如，在本实施例中，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于第四象限4QD及y(-)轴上，三个凸出部140p分别位于x(+)轴、x(-)轴及y(+)轴上。因此，可以通过第二电极延伸部163向对应于第四象限4QD 或y(-)轴周围的区域注入电流，并通过凸出部140p向对应于x(+)轴、x (-)轴及y(+)轴周围的区域注入电流。
另外，第二电极焊盘161的下表面与透明电极140相接的部分的面积可以是第二电极焊盘161整个下表面面积的1％以上20％以下，进而可以是1.5％以上13％以下，更进一步地，可以是3％以上5％以下。通过以上述的比例调节第二电极焊盘161的下表面与透明电极140相接的部分的面积，可以使第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131相接的部分的面积相对较大。因此，能够有效地抑制在第二电极焊盘161与透明电极140所相接的部分可能发生的第二电极焊盘161的剥离。并且，凸出部140p可以具有多种形状，例如，如图所示地可以具有圆弧至椭圆弧形状。
如本实施例，通过仅在第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131之间的交界面的一部分区域夹设透明电极140，能够有效地抑制第二电极焊盘161 的剥离。尤其，由于如下的第二电极焊盘161：第二电极焊盘161下表面的边缘部分的大部分与焊盘电流阻挡层131相接，所述边缘部分的仅极小部分与透明电极140相接的结构，能够防止第二电极焊盘161的剥离，且能够提供BST值高的发光元件。另外，由于第二电极焊盘161与透明电极140的凸出部140p接触，从而能够减少由于第二电极焊盘161与透明电极140隔开而可能发生的电流密集现象，且能够使电流向未布置第二电极延伸部163的部分顺利地分散。由于电流向水平方向顺利地分散，从而能够提高发光元件的功率，并且能够降低正向电压Vf。进而，由于不存在第二电极焊盘161通过透明电极140与第二导电型半导体层125直接连接的部分，从而能够防止静电造成的不良或破损，从而能够提供抗静电放电性强的发光元件。即，根据本实施例，由于防止第二电极焊盘161的剥离，从而所提供的发光元件的可靠性高，电流分散效率优秀，且抗静电放电性强，从而能够改善比较例1至比较例3的问题点。
在本实施例的发光元件中，第一电极150、第二电极160及凸出部140p 的形态及位置可以根据需要进行多种变更。并且，透明电极140开口部140a 的侧面140g也可以与焊盘电流阻挡层131隔开布置。如图39所示，开口部 140a的侧面140g可以与焊盘电流阻挡层131的侧面隔开布置。因此，第二导电型半导体层125的一部分可以暴露于开口部140a的侧面140g与焊盘电流阻挡层131之间。
第一电极150可以位于第一导电型半导体层121上，且电连接于第一导电型半导体层121。第一电极150可以包括第一电极焊盘151及第一电极延伸部153。第一电极150可以与通过局部去除第二导电型半导体层125及活性层123而暴露的第一导电型半导体层121的上表面的一部分欧姆接触，从而电连接于第一导电型半导体层121。在本实施例中，第一电极150可以位于台面120m上，且第一电极150与台面120m之间可以夹设有绝缘层170。此时，绝缘层170可以包括绝缘性物质，例如，可以包括SiOx、SiNx、由折射率互不相同的层重复层叠而成的分布式布拉格反射器。并且，第一电极焊盘151及第一电极延伸部153的一部分可以与第一导电型半导体层121接触。
以下，参照图28a、图30、图31以及图35至图38，对第一电极150进行更详细的说明。
第一电极延伸部153位于绝缘层170上，且第一电极延伸部153的一部分与至少一个凹槽120g在上下方向重叠而布置。此时，第一电极延伸部153 可以包括与第一导电型半导体层121接触的延伸部接触部分153a，延伸部接触部分153a与第一导电型半导体层121欧姆接触。由于延伸部接触部分153a 电连接于通过至少一个凹槽120g暴露的第一导电型半导体层121，第一电极延伸部153的剩余部分形成于绝缘层170上而与第一导电型半导体层121绝缘，因此，当驱动发光元件时，电子(electron)通过延伸部接触部分153a 向第一导电型半导体层121移动(即，电流通过延伸部接触部分153a导通)。
在第一电极150是n型电极的情况下，电子从第一电极150向着第二电极160的方向移动，在整个第一电极延伸部153与第一导电型半导体层121 接触的情况下，根据与第一电极焊盘151的距离，向第一导电型半导体层121 注入电子的密度可能不同。即，从第一电极延伸部153的相对靠近第一电极焊盘151的部分注入的电子的密度高于从第一电极延伸部153的相对远离第一电极焊盘151的部分注入的电子密度。因此，在整个第一电极延伸部153与第一导电型半导体层121接触的情况下，电流分散效率(current spreadingperformance)可能降低。
相反地，根据本实施例，通过第一电极延伸部153的延伸部接触部分153a 与第一导电型半导体层121接触，第一电极延伸部153的剩余部分通过绝缘层170与第一导电型半导体层121绝缘。因此，通过延伸部接触部分153a注入电子，从而能够将在多个延伸部接触部分153a的电子注入密度大致相似地维持。因此，通过第一电极延伸部153的远离第一电极焊盘151的部分电子也可以顺利注入电子，从而能够提高发光元件的电流分散效率。
由于延伸部接触部分153a可以与凹槽120g的位置及数量对应，因此延伸部接触部分153a的间隔距离可以大致相同，且延伸部接触部分153a可以沿发光元件的一侧面而布置。例如，延伸部接触部分153a可以邻近于发光元件的第二侧面102而布置。
另外，位于延伸部接触部分153a下方的绝缘层170的宽度可以大于第一电极延伸部153的线宽，从而更有效地防止电流在台面120m与第一电极延伸部153间导通。并且，绝缘层170中的位于第一电极延伸部153下方的部分可以位于被台面120m的侧面所定义的区域内。因此，如图30等所示，台面120m上表面的一部分可以暴露于绝缘层170中的位于第一电极延伸部153 下方的部分周围，尤其，台面120m侧面的凹凸图案127不被绝缘层170覆盖而暴露。但是，本实用新型并不限于此。
并且，绝缘层170可以覆盖凹槽120g侧面的至少一部分。尤其，可以覆盖暴露于凹槽120g的侧面的活性层123的侧面。由于第一电极延伸部153的延伸部接触部分153a与通过凹槽120g暴露的第一导电型半导体层121接触，因此，延伸部接触部分153a的周围区域发生静电的概率高。由于这种静电放电可能造成延伸部接触部分153a周围的发光结构体120受损，尤其，若由于静电放电造成活性层123受损，则发光区域减小相当于受损的部分。因此，通过使绝缘层170形成为覆盖暴露于凹槽120的侧面的活性层123的侧面，能够防止由于静电放电所造成的活性层123的受损引起的发光区域的减小。
进而，绝缘层170可以形成为还覆盖凹槽120上部的周围。如图30所示，绝缘层170还可以覆盖凹槽120g周围的台面120m上表面。因此，能够防止静电通过凹槽120g周围的台面120m上表面向第二导电型半导体层125导通，从而能够进一步提高发光元件的抗静电放电性。
第一电极焊盘151位于绝缘层170上，而电连接于台面120m的上表面，即第二导电型半导体层125。第一电极焊盘151可以包括焊盘接触部分151a，且焊盘接触部分151a可以与第一导电型半导体层121欧姆接触。第一电极焊盘151的一部分可以通过焊盘接触部分151a与第一导电型半导体层121接触。焊盘接触部分151a位于台面120m的侧面上，且通过绝缘层170与台面120m 的侧面绝缘。由于第一电极焊盘151包括焊盘接触部分151a，从而能够通过焊盘接触部分151a注入电子。因此，能够进一步地提高发光元件的电流分散效率。此时，焊盘接触部分151a与延伸部接触部分153a可以沿发光元件的同一侧面布置，例如，可以邻近于第二侧面102而布置。但是，本实用新型并不限定于此，考虑电流分散，也可以形成为使焊盘接触部分151a及延伸部接触部分153a邻近于至少两个不同侧面。
另外，绝缘层170还可以包括从其侧面凸出而扩张的至少一个扩张部171，所述扩张部171可以覆盖第一电极焊盘151周围的台面120m侧面。例如，如图31所示，绝缘层170可以包括两个扩张部171，所述两个扩张部171从第一电极焊盘151的周围向着发光元件的第二侧面102及第三侧面103的方向延伸而形成。此时，焊盘接触部分151a可以位于所述两个扩张部171之间。为了向本实施例的发光元件供应电源，在第一电极焊盘151形成电键合(例如，球键合)的情况下，存在导电性物质脱离第一电极焊盘151而还形成于台面120m的侧面的可能性。在这种情况下，可能发生由所述导电性物质引起的电短路。根据本实施例，由于第一电极焊盘151周围的台面120m侧面被扩张部171遮盖，即使导电性物质脱离第一电极焊盘151形成也能够通过扩张部171与台面120m侧面绝缘。因此，能够防止发光元件的不良及制造收率的降低。
绝缘层170可以与透明电极140隔开。绝缘层170可能由于在形成过程中产生或自身含有的缺陷导致微弱电流导通。若这种绝缘层170与电阻相对低的透明电极140接触，则可能通过绝缘层170发生在透明电极140与第一电极150之间流动的漏电流。因此，使绝缘层170与透明电极140隔开而能够防止通过绝缘层170发生漏电流，进而提高发光元件的电特性。
第一电极150起到向第一导电类型半导体层121供应外部电源的作用，第一电极150可以包括如Ti、Pt、Au、Cr、Ni、Al等金属物质。并且，第一电极150可以形成为单层或多层结构。
另外，根据多个实施例的发光元件还可以包括覆盖发光元件的表面的至少一部分的钝化层230。如图40所示，钝化层230可以覆盖发光结构体120 及透明电极140的至少一部分，进而，还可以覆盖第一电极延伸部153及第二电极延伸部163。此时，钝化层230可以包括暴露第一电极焊盘151及第二电极焊盘161的至少一部分的开口部，并且可以通过所述开口部在第一电极焊盘151及第二电极焊盘161形成电连接。
钝化层230可以起到从外部的湿气或有害气体中保护发光元件的作用，钝化层230可以由绝缘性物质形成，可以形成为单层或多层结构。例如，钝化层230可以包括如SiO2、MgF2、SiN等，或者也可以包括由如TiO2或SiO2等互不相同的物质层重复层叠而成的分布式布拉格反射器。并且，在钝化层 230形成为多层的结构的情况下，最上层可以由SiN形成，这种情况下，SiN 的耐湿性较高，从而能够有效地从外部湿气保护所述发光元件。
图41至图49b是用于说明根据本实用新型的实施例的发光元件的平面图、剖面图、放大平面图及放大剖面图。具体而言，图41是图示所述发光元件的平面的平面图，图42是图示所述发光元件的平面的平面图，其为了说明透光性导电层180的布置而省略了若干结构，图43是图示所述发光元件的平面的平面图，其用于说明预定的电流路径区域(CPR:Currentpath region)。图44 至图47分别是图示对应于图41的A-A'线、B-B'线、C-C'线及D-D'线的部分的剖面的剖面图。并且，图48a、图48b放大图示图41的α区域，图49a、图49b是图示对应于图48a、图48b的E-E'线及F-F'线的部分的剖面的放大剖面图。
参照图41至图49b，所述发光元件包括发光结构体120、第一电极200 及第二电极160。进而，所述发光元件还可以包括基板110、电流阻挡层130 及第二导电性氧化物电极140。并且，所述发光元件包括第一至第四侧面101、 102、103、104。如图所示，所述发光元件可以具有平面上的矩形形状，然而本实用新型并不限定于此。
基板110可以是绝缘性基板或导电性基板。并且，基板110可以是用于使发光结构体120生长的生长基板，且可以包括蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板等。例如，基板110可以是蓝宝石基板，尤其，可以是上表面被图案化的图案化蓝宝石基板(PSS:patterned sapphire substrate)。基板110是图案化蓝宝石基板的情况下，基板110可以包括在其上表面形成的多个凸出部110p。但是，本实用新型并不限定于此，基板110也可以是用于支撑发光结构体120的二次基板。
在本实施例中，虽然对第一导电型半导体层121位于基板110上的情形进行了说明，但是在基板110是能够使半导体层121、123、125生长的生长基板的情况下，也可以使半导体层121、123、125生长后，通过物理和/或化学方法分离或去除而省略基板110。
发光结构体120可以包括：第一导电型半导体层121；第二导电型半导体层125，位于第一导电型半导体层121上；活性层123，位于第一导电型半导体层121与第二导电型半导体层125之间。并且，发光结构体120可以包括台面120m，所述台面120m位于第一导电型半导体层121上，且包括活性层123及第二导电型半导体层125。
第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125可以利用如金属有机化学气相沉积(MOCVD)等公知方法在腔室内生长而形成。并且，第一导电型半导体层121、活性层123及第二导电型半导体层125可以包括III-V族氮化物系半导体，例如，可以包括如(Al、Ga、In)N等氮化物系半导体。第一导电型半导体层121可以包括n型杂质(例如，Si、Ge、Sn)，第二导电型半导体层125可以包括p型杂质(例如，Mg、Sr、Ba)。并且，也可以与之相反。活性层123可以包括多量子阱结构(MQW)，并且可以调节氮化物系半导体的组成比，以使其发出理想的波长。尤其，在本实施例中，第二导电型半导体层125可以是p型半导体层。
台面120m位于第一导电型半导体层121的一部分区域上，因此，第一导电型半导体层121的表面可以在未形成台面120m的区域被暴露。例如，如图41至图47等所示，第一导电型半导体层121的上表面可以暴露于台面 120m周围的至少一部分区域。台面120m可以通过局部蚀刻第二导电型半导体层125及活性层123而形成。台面120m的形态不受限制，例如，如图所示，台面120m可以沿第一导电型半导体层121的侧面形成。台面120m可以具有倾斜的侧面，然而也可以具有垂直于第一导电型半导体层121的上表面的侧面。
并且，台面120m可以包括如下的至少一个侧面，所述侧面包括至少一个从其侧面凹陷的凹槽120g。第一导电型半导体层121的一部分可以通过凹槽120g被暴露。进而，在所述凹槽120g形成为多个的情况下，台面120m 可以包括至少一个布置于凹槽120g之间的凸出部120p。
例如，如图所示，台面120m可以包括第一至第四侧面120a、120b、120c、 120d。台面120m的第一至第四侧面120a、120b、120c、120d可以分别邻近于发光元件的第一至第四侧面101、102、103、104而布置。例如，台面120m 的第一侧面120a可以与发光元件的第一侧面101相邻而布置，且大致沿发光元件的第一侧面101而形成。此时，台面120m的侧面中至少一个可以包括至少一个凹槽120g，本实施例中，台面120m的第二侧面120b可以包括多个凹槽120g。第一导电型半导体层121可以通过多个凹槽120g被暴露，且通过所述凹槽120g被暴露的第一导电型半导体层121与后述的金属延伸部接触部分155电接触。并且，在凹槽120g之间形成多个凸出部120p。凸出部120p 之间的间隔距离可以大致恒定，然而本实用新型并不限定于此。在多种实施例中，凹槽120g也可以形成于台面120m的侧面中的一个以上的侧面。例如，凹槽120g也可以形成于台面120m的第二侧面120b及第三侧面120c。
并且，台面120m还可以包括将在其侧面形成的凹凸图案(未图示)。光通过所述凹凸图案散射，从而能够提高发光元件的光提取效率。
电流阻挡层130的至少一部分位于第二导电型半导体层125上。电流阻挡层130可以在第二导电型半导体层125上对应于第二电极160所在的部分而布置。电流阻挡层130可以包括焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133。焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133可以分别对应于第二电极焊盘161及第二电极延伸部163所在的位置而布置。因此，如图所示，焊盘电流阻挡层131可以邻近于发光元件的第一侧面101而布置，延伸部电流阻挡层133可以布置为从第一侧面101向第三侧面103方向延伸。
电流阻挡层130能够防止向第二电极160供应的电流直接传送至半导体层从而造成的电流集中。因此，电流阻挡层130可以具有绝缘性，并可以包括绝缘物质，且也可以形成为单层或多层结构。例如，电流阻挡层130可以包括SiOx或者SiNx，或者也可以包括由折射率不同的绝缘性物质层层叠而成的分布式布拉格反射器。即，电流阻挡层130可以具有透光性，也可以具有反光性，并且可以具有选择性反光性。
并且，电流阻挡层130的面积可以大于形成于电流阻挡层130上的第二电极160的面积。因此，第二电极160可以位于形成电流阻挡层130的区域内上。
第二导电性氧化物电极140可以位于第二导电型半导体层125上，并且，覆盖第二导电型半导体层125上表面的一部分及电流阻挡层130的一部分。第二导电性氧化物电极140可以包括使焊盘电流阻挡层131局部暴露的开口部140a。并且，第二导电性氧化物电极140包括从所述开口部140a的侧面 140g凸出的凸出部140p。开口部140a的侧面140g可以位于焊盘电流阻挡层 131上，且可以大致沿焊盘电流阻挡层131的侧面形成。另外，凸出部140p 可以从开口部140a的侧面140g凸出。凸出部140p可以向焊盘电流阻挡层131 的中心部凸出。凸出部140p可以形成为多个。
第二导电性氧化物电极140可以包括具有透光性及导电性的物质，例如，可以包括如ITO、RuOx、RuOx/ITO、MgO、ZnO等的导电性氧化物及如Ni/Au 等的透光性金属层中的至少一个。并且，第二导电性氧化物电极140可以与第二导电型半导体层125形成欧姆接触。由于第二电极160不与第二导电型半导体层125直接接触，从而能够通过第二导电性氧化物电极140更有效地分散电流。在第二导电性氧化物电极140包括ZnO的情况下，第二导电性氧化物电极140可以包括多种掺杂剂。所述掺杂剂例如可以包括，Ag、In、Sn、 Cd、Ga、Al、Mg、Ti、Mo、Ni、Cu、Au、Pt、Rh、Ir、Ru及Pd中的至少一个。
在本实施例中，第二导电性氧化物电极140可以包括含有Ga掺杂剂的GZO、ZnO及ITO中的至少一个。并且，第二导电性氧化物电极140也可以包括与后述的第一导电性氧化物电极180实质相同的物质，或由实质相同的物质形成。并且，在另一实施例中，第二导电性氧化物电极140与第一导电性氧化物电极180可以由互不相同的物质形成，例如，第二导电性氧化物电极140可以由ITO形成，第一导电性氧化物电极180可以由包括Ga掺杂剂的ZnO形成。
第二电极160位于第二导电型半导体层125上，第二电极160的至少一部分位于布置电流阻挡层130的区域上。第二电极160包括第二电极焊盘161 及第二电极延伸部163，第二电极焊盘161及第二电极延伸部163可以分别位于焊盘电流阻挡层131及延伸部电流阻挡层133上。因此，在第二电极160 与电流阻挡层130之间可以夹设有第二导电性氧化物电极140的一部分。
尤其，第二电极焊盘161可以位于第二导电性氧化物电极140的开口部 140a上。第二电极焊盘161可以与所述开口部140a的侧面140g隔开，第二导电性氧化物电极140的凸出部140p的至少一部分可以位于第二电极焊盘 161与焊盘电流阻挡层131之间。因此，第二电极焊盘161与第二导电性氧化物电极140的凸出部140p接触而电连接。第二电极焊盘161的形状并不限于此，例如，可以如图所示地大致形成为圆形。因此，电流阻挡层130的焊盘电流阻挡层131可以同样地形成为与第二电极焊盘161形状相似的圆形，第二导电性氧化物电极140的开口部140a也可以形成为大致相似的圆形。但是，本实用新型并不限于此。第二电极焊盘161的位置不受限制，可以布置为使电流顺利分散而在发光元件的活性层123前表面实现发光。例如，如图所示，金属电极焊盘151可以邻近于第三侧面103而布置，第二电极焊盘161 可以邻近于与第三侧面103相反的第一侧面101而布置。
第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸。在本实施例中，第二电极延伸部163可以从第二电极焊盘161向着第三侧面103侧的方向延伸。并且，第二电极延伸部163的延伸方向可以根据第二电极延伸部163的延伸而变化。例如，第二电极延伸部163的末端可以弯曲而朝向发光元件的第三侧面103与第四侧面104之间的部分。考虑金属电极焊盘151与第二电极延伸部163的距离，可以对此进行多样的设计。第二导电性氧化物电极140夹设于第二电极延伸部163的至少一部分与延伸部电流阻挡层133之间，因此，第二电极延伸部163电连接于第二导电性氧化物电极140。
并且，第二电极延伸部163的末端可以包括宽度大于第二电极延伸部163 的平均宽度的部分。例如，第二电极延伸部163的末端可以形成为直径大于第二电极延伸部163的宽度的圆形形态。此时，所述末端的直径可以比第二电极延伸部163的宽度大大约0.5至5μm。但是，本实用新型不限于此，第二电极延伸部163的末端的形态可以变形为多边形、椭圆形、圆弧形等多样的形态。
另外，第二电极160的布置并不限定于此，可以根据发光元件的形态进行多种变形及变更。
第二电极160可以包括导电性物质，例如，可以包括Ti、Pt、Au、Cr、 Ni、Al、Mg等金属性物质，且可以形成为单层或多层结构。在第二电极160 形成为多层结构的情况下，可以包括Ti层/Au层、Ti层/Pt层/Au层、Cr层/Au 层、Cr层/Pt层/Au层、Ni层/Au层、Ni层/Pt层/Au层以及Cr层/Al层/Cr层 /Ni层/Au层的金属叠层结构中的至少一个。
如上所述，第二导电性氧化物电极140夹设于第二电极160的一部分与电流阻挡层130之间，电流通过第二电极160与第二导电性氧化物电极140 所接触的部分而导通。因此，可以调节第二电极160与第二导电性氧化物电极140所接触的区域，而使电流能够有效地分散，关于此，参照图48a、图 48b及图49a、图49b对本实施例的第二电极160，尤其是第二电极焊盘161 周围区域的结构进行更详细的说明。图48a、图48b的放大图图示图41的α区域，图49a及图49b分别图示了对应于图49a、图49b的E-E'线及F-F'线的部分的剖面。
在图48a及图48b的放大图中，为了方便说明，用实线表示第二导电性氧化物电极140，用虚线表示电流阻挡层130及第二电极160。根据本实用新型的实施例，第二导电性氧化物电极140的开口部140a包括侧面140g，所述侧面140g位于焊盘电流阻挡层131上，并与第二电极焊盘161隔开。此时，第二导电性氧化物电极140的开口部140a沿焊盘电流阻挡层131的侧面形成，形成为大致对应于所述焊盘电流阻挡层131的侧面形状。尤其，由于开口部140a的侧面可以位于焊盘电流阻挡层131上，因此第二导电型半导体层125 的上表面不被暴露而可以被第二导电性氧化物电极140覆盖。因此，能够防止在第二电极焊盘161周围发生的静电直接向第二导电型半导体层125导通，从而能够更有效地防止由于静电放电导致的发光元件的不良。
第二导电性氧化物电极140包括至少一个的凸出部140p，凸出部140p 从开口部140a的侧面凸出。如图48a、图48b、图49a及图49b所示，凸出部140p为，至少一个所述凸出部140p覆盖焊盘电流阻挡层131的侧面及上表面的至少一部分，且夹设于焊盘电流阻挡层131与第二电极焊盘161之间。因此，第二电极焊盘161电连接于凸出部140p，从而电流通过第二电极焊盘 161及凸出部140p导通。因此，能够顺利地将电流注入凸出部140p所在的区域。由于第二电极160的第二电极延伸部163与第二导电性氧化物电极140 接触，从而通过第二电极延伸部163实现向第二导电型半导体层125的电流注入。因此，可以根据第二电极延伸部163的位置调节凸出部140p的数量及位置。
具体地，参照图48b进行说明。首先，以第二电极焊盘161的中心部161c 为原点，定义具有x轴与y轴的虚拟的面(虚拟的坐标系)。所述虚拟的面包括第一象限1QD、第二象限2QD、第三象限3QD及第四象限4QD。以所述虚拟的坐标系为基准，第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸的部分，即，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165可以位于x(+) 轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、 4QD中的至少一个上。此时，至少一个凸出部140p可以位于除了所述交界面 165所在的部分以外的，剩余的x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。例如，在本实施例中，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于第四象限4QD上或y(-)轴上，三个凸出部140p分别位于x(+)轴、x(-)轴以及y(+)轴上。因此，可以通过第二电极延伸部163向对应于第四象限4QD 或y(-)轴周围的区域注入电流，通过凸出部140p向对应于x(+)轴、x(-) 轴以及y(+)轴周围的区域注入电流。
在其他多种实施例中，凸出部140p的位置及第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165的位置可以进行多种变形。图65a及图65b是用于说明根据本实用新型的实施例的发光元件的放大平面图。参照图65a及图 65b，以第二电极焊盘161的中心部161c为原点，定义具有x轴与y轴的虚拟的面(虚拟的坐标系)。所述虚拟的面包括第一象限1QD、第二象限2QD、第三象限3QD及第四象限4QD。以所述虚拟的坐标系为基准，第二电极延伸部163从第二电极焊盘161延伸的部分，即，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165可以位于x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-) 轴以及第一至第四象限1QD、2QD、3QD、4QD中的至少一个上。此时，至少一个凸出部140p可以位于除了所述交界面165所在的部分以外的，剩余的 x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一至第四象限1QD、2QD、 3QD、4QD中的至少一个上。例如，在本实施例中，第二电极焊盘161与第二电极延伸部163的交界面165位于第四象限4QD或y(-)轴上，三个凸出部140p分别位于x(+)轴、x(-)轴及y(+)轴上。因此，可以通过第二电极延伸部163向对应于第四象限4QD或y(-)轴周围的区域注入电流，通过凸出部140p向对应于x(+)轴、x(-)轴及y(+)轴周围的区域注入电流。
另外，第二电极焊盘161的下表面与第二导电性氧化物电极140相接的部分的面积可以是第二电极焊盘161的整个下表面面积的1％以上20％以下，进而可以是1.5％以上13％以下，更进一步地，可以是3％以上5％以下。通过以上述的比例调节第二电极焊盘161的下表面与第二导电性氧化物电极140 相接的部分的面积，能够使第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131相接的部分的面积相对较大。因此，能够有效地抑制在第二电极焊盘161与第二导电性氧化物电极140相接的部分可能发生的第二电极焊盘161的剥离。并且，凸出部140p可以具有多种形状，例如，如图所示地可以具有圆弧乃至椭圆弧形状。
如本实施例，通过仅在第二电极焊盘161与焊盘电流阻挡层131之间的交界面的一部分区域夹设第二导电性氧化物电极140，从而能够有效地抑制第二电极焊盘161的剥离。进而，由于第二电极焊盘161与第二导电性氧化物电极140的凸出部140p接触，从而能够减少由于第二电极焊盘161与第二导电性氧化物电极140隔开而可能发生的电流密集现象，并使电流顺利地向未布置第二电极延伸部163的部分分散。由于电流向水平方向顺利地分散，从而能够提高发光元件的功率，且能够降低正向电压Vf。进而，由于不存在第二电极焊盘161通过第二导电性氧化物电极140与第二导电型半导体层125 直接连接的部分，能够防止静电造成的不良或破损，从而能够提供抗静电放电性较强的发光元件。
第一电极200电连接于第一导电型半导体层121。由于第一电极200与局部去除第二导电型半导体层125及活性层123而被暴露的第一导电型半导体层121的上表面的一部分欧姆接触，从而能够电连接于第一导电型半导体层121。第一电极200位于发光结构体120上。例如，第一电极200的至少一部分也可以位于第一导电型半导体层121上，并且，第一电极200的至少一部分也可以位于台面120m上。
第一电极200可以包括第一电极焊盘151、181以及第一电极延伸部153、 182、183、184、185。并且，第一电极200包括金属电极150及第一导电性氧化物电极180。金属电极150可以包括金属电极焊盘151及金属电极延伸部153，第一导电性氧化物电极180可以包括第一导电性氧化物电极延伸部 182、183、184、185，进而，还可以包括第一导电性氧化物电极焊盘181。并且，第一电极焊盘151、181可以包括金属电极焊盘151，进而，还可以包括第一导电性氧化物电极焊盘181。第一电极延伸部153、182、183、184、 185可以包括至少一个金属电极延伸部153及至少一个的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185。
至少一个的金属电极延伸部153以及至少一个第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185从第一电极焊盘151、181延伸。此时，金属电极延伸部153可以从第一电极焊盘151、181的一侧面延伸，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以从所述一侧面以外的第一电极焊盘151、 181的另一侧面延伸。例如，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、 185与金属电极延伸部153可以向彼此相反的方向延伸。并且，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以位于暴露发光结构体120的第一导电型半导体层121的区域上，从而与第一导电型半导体层121进行电接触。尤其，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以位于台面120m 周围区域中的至少一部分区域上，并且也可以沿台面120m的侧面中至少一部分而布置。因此，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185也可以包围台面120m的至少一部分，在多种实施例中，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以形成包围台面120m的闭合曲线。由于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185布置于台面120m周围，从而能够提高发光元件的电流分散效率。
并且，在若干实施例中，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、 185可以从第一导电性氧化物电极焊盘181延伸。此时，第一导电性氧化物电极焊盘181可以与金属电极焊盘151接触而电连接。金属电极焊盘151可以位于第一导电性氧化物电极焊盘181上。并且，金属电极焊盘151的面积可以小于第一导电性氧化物电极焊盘181的面积。
以下，在根据本实施例的发光元件中，参照图41至图47，对第一电极 200的结构进行更详细的说明。但是，根据本实施例的第一电极200的结构为示意性的，第一电极200并不限定于图示的发光元件的结构。
首先，对关于包括金属电极延伸部153及金属电极焊盘151的金属第一电极200进行说明。在本实施例中，金属第一电极200可以位于台面120m 上，并且金属第一电极200与台面120m之间可以夹设有绝缘层170。此时，绝缘层170可以包括绝缘性物质，例如，可以包括SiOx、SiNx、折射率互不相同的层反复层叠的分布式布拉格反射器等。此时，绝缘层170可以覆盖台面120m的侧面的一部分。并且，绝缘层170可以包括至少一个的开口部，所述开口部使在台面120m的凹槽120g被暴露的第一导电型半导体层121的上表面的至少一部分暴露。
并且，金属电极延伸部153的一部分可以与第一导电型半导体层121接触。金属电极延伸部153可以包括延伸部接触部分155，且通过延伸部接触部分155与第一导电型半导体层121欧姆接触。金属电极焊盘151可以位于绝缘层170上，而不与第一导电型半导体层121接触。但是，本实用新型并不限于此，在多种实施例中，金属电极焊盘151的一部分也可以形成为与第一导电型半导体层121欧姆接触。
金属电极延伸部153位于绝缘层170上，金属电极延伸部153的一部分与至少一个的凹槽120g在上下方向重叠而布置。此时，金属电极延伸部153 可以包括与第一导电型半导体层121接触的延伸部接触部分155，且延伸部接触部分155与第一导电型半导体层121欧姆接触。由于延伸部接触部分155 与通过至少一个凹槽120g暴露的第一导电型半导体层121形成电连接，且金属电极延伸部153的剩余部分形成于绝缘层170上而与第一导电型半导体层 121绝缘，从而驱动发光元件时，电子(electron)通过延伸部接触部分155 向第一导电型半导体层121移动。即，电流通过延伸部接触部分155导通。
在第一电极200是n型电极的情况下，电子从第一电极200向第二电极 160方向移动，但是在整个金属电极延伸部153与第一导电型半导体层121 接触的情况下，根据距金属电极焊盘151的距离，向第一导电型半导体层121 注入的电子的密度可能不同。即，从第一电极延伸部153的相对靠近第一电极焊盘151的部分注入的电子的密度高于从第一电极延伸部153的相对远离第一电极焊盘151的部分注入的电子密度。因此，在整个金属电极延伸部153 与第一导电型半导体层121接触的情况下，电流分散效率(current spreadingperformance)可能降低。
相反地，根据本实施例，通过金属电极延伸部153的延伸部接触部分155 与第一导电型半导体层121接触，第一金属电极延伸部153剩余部分通过绝缘层170与第一导电型半导体层121绝缘。因此，通过延伸部接触部分155 注入电子，从而能够将多个延伸部接触部分155的电子注入密度大致相似地维持。因此，通过电极延伸部153远离金属电极焊盘151的部分也可以顺利地注入电子，从而能够提高发光元件的电流分散效率。
由于延伸部接触部分155可以对应于凹槽120g的位置及数量，因此延伸部接触部分155的间隔距离可以大致相同，且延伸部接触部分155可以沿发光元件的一侧面布置。例如，延伸部接触部分155可以邻近于发光元件的第二侧面102而布置。但是，本实用新型并不限于此，延伸部接触部分155也可以沿发光元件的至少两个侧面而形成。
另外，位于延伸部接触部分155下方的绝缘层170的宽度可以大于金属电极延伸部153的线宽，从而更有效地防止在台面120m与金属电极延伸部 153之间导通电流。并且，绝缘层170中的位于金属电极延伸部153下方的部分可以位于由台面120m的侧面所定义的区域内。因此，如图所示，台面 120m上表面的一部分可以暴露于绝缘层170中位于金属电极延伸部153的下方的部分周围。在台面120m包括在其侧面形成的凹凸图案(未图示)的情况下，所述凹凸图案不被绝缘层170覆盖而暴露。但是，本实用新型并不限于此。
并且，绝缘层170可以覆盖凹槽120g侧面的至少一部分。进而，绝缘层 170可以形成为还覆盖凹槽120g上部的周围。如图所示，绝缘层170还可以覆盖凹槽120g周围的台面120m上表面。因此，能够防止静电通过凹槽120g 周围的台面120m上表面向第二导电型半导体层125导通，从而能够提高发光元件的抗静电放电性。
并且，绝缘层170可以与第二导电性氧化物电极140隔开。如图所示，位于台面120m上的绝缘层170可以与第二导电性氧化物电极140隔开。绝缘层170可能由于在形成过程中产生或自身含有的缺陷使微电流导通。如果这种绝缘层170与电阻相对低的第二导电性氧化物电极140接触，则可能发生通过绝缘层170在第二导电性氧化物电极140与第一电极200之间流动的漏电流。因此，使绝缘层170与第二导电性氧化物电极140隔开，从而能够防止通过绝缘层170发生漏电流，从而可以提高发光元件的电特性。
金属电极150起到向第一导电类型半导体层121供应外部电源的作用，并且可以包括如Ti、Pt、Au、Cr、Ni、Al、W、Ag等金属物质。并且，金属电极150可以形成为单层或多层结构。金属电极焊盘151可以与引线(未图示)连接，因此，能够通过引线向发光元件供应外部电源。
第一导电性氧化物电极180可以包括从第一电极焊盘151、181延伸的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185。并且，第一导电性氧化物电极180还可以包括第一导电性氧化物电极焊盘181，这种情况下，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以从第一导电性氧化物电极焊盘181延长。
第一导电性氧化物电极180可以包括具有透光性的导电性物质。在本实施例中，第一导电性氧化物电极180可以包括透光性导电性氧化物，例如，可以包括具有掺杂剂的ZnO。所述掺杂剂例如可以包括，Ag、In、Sn、Zn、 Cd、Ga、Al、Mg、Ti、Mo、Ni、Cu、Au、Pt、Rh、Ir、Ru及Pd中的至少一个。在一实施例中，第一导电性氧化物电极180可以由掺杂Ga的ZnO，即GZO形成。
第一导电性氧化物电极180中包括的ZnO或GZO可以通过多种方法形成。所述ZnO或GZO可以通过多种公知方法形成，例如，可以通过溅射，原子层沉积法，真空沉积法，电化学沉积法，脉冲激光沉积法等形成。第一导电性氧化物电极180可以包括单晶ZnO、单晶GZO、多晶ZnO、多晶GZO、非晶(amorphous)ZnO及非晶GZO中的至少一个。并且，第一导电性氧化物电极180可以形成为单层或多层结构。例如，第一导电性氧化物电极180 也可以由包括无掺杂(undoped)的ZnO层及掺杂的ZnO(例如，GZO)层的多层结构形成。
第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的至少一部分可以与第一导电型半导体层121电接触，进而，也可以与第一导电型半导体层121 欧姆接触。第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以位于发光结构体120的第一导电型半导体层121的上表面被暴露的区域上，从而与第一导电型半导体层121接触。例如，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、 184、185可以位于暴露于台面120m周围的第一导电型半导体层121的上表面上，并且包围台面120m的至少一部分。此时，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185与台面120m的侧面隔开。并且，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以与第一导电型半导体层121的侧面隔开，但本实用新型并不限于此，在若干实施例中，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的侧面可以与第一导电型半导体层121的侧面大致并列(flush)地形成。
在一实施例中，如图41至图43所示，第一导电性氧化物电极延伸部182、 183、184、185可以包括第一部分182、第二部分183、第三部分184及第四部分185。
第一部分182从第一电极焊盘151、181延伸而向着发光元件的第四侧面 104的方向延伸，并位于台面120m的第三侧面120c与发光元件的第三侧面 103之间。第一部分182可以向着与金属电极延伸部153从金属电极焊盘151 延伸的方向不同的方向延伸，例如，第一部分182所延伸的方向可以是与金属电极延伸部153所延伸的方向相反的方向。第一部分182连接于第一导电性氧化物电极焊盘181，且第一导电性氧化物电极焊盘181位于金属电极焊盘151的下方而电连接于金属电极焊盘151。此时，第一导电性氧化物电极焊盘181可以形成为面积大于金属电极焊盘151，从而能够使金属电极焊盘 151稳定地形成。第一导电性氧化物电极焊盘181与第二导电型半导体层125 之间可以夹设有绝缘层170。第一导电性氧化物电极焊盘181的一部分可以沿着台面120m的侧面延长而形成，因此，第一导电性氧化物电极焊盘181 的一部分可以与暴露于台面120m周围的第一导电型半导体层121电接触。但是，也可以省略第一导电性氧化物电极焊盘181，在这种情况下，第一部分182与金属电极焊盘151接触而电连接。
第二部分183可以从第一部分182延伸，而沿着发光元件的第四侧面104 延伸。第二部分183可以位于台面120m的第四侧面120d与发光元件的第四侧面104之间。第三部分184可以从第二部分183延伸，而沿着发光元件的第一侧面101延伸。第三部分184可以位于台面120m的第一侧面120a与发光元件的第一侧面101之间。并且，第四部分185可以从第三部分184延伸，而沿着发光元件的第二侧面102延伸。第四部分185可以位于台面120m的第二侧面120b与发光元件的第二侧面102之间。在本实施例中，第四部分 185未延伸至金属电极延伸部153所在的部分。即，第四部分185可以沿着发光元件的第二侧面102的一部分而布置，形成为未延伸至形成台面120m 的凹槽120g的部分。
与此相同，由于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185形成为电连接于暴露于台面120m周围的第一导电型半导体层121，从而使电流在台面120m的外廓的周围顺利地分散。参照图43进行更具体的说明，驱动发光元件时，施加的电流主要通过第一电极200及第二电极160移动。因此，电流集中于由对应于第一电极200与第二电极160之间的直线路径的线(L) 的集合构成的电流路径区域(CPR)的概率高，因此电流在所述电流路径区域(CPR)以外的剩余区域分散的概率低。在本实施例中，由于第一电极200 通过延伸部接触部分155电连接于第一导电型半导体层121，所以如图43所示，电流相对无法顺利地向发光元件的第一侧面101、第三侧面103及第四侧面104的周围区域供应。根据本实施例，由于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185形成为包围台面120m的至少一部分，从而可以在对应于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185与第二电极160之间的直线路径的线的集合所形成的区域也能够顺利地形成电流路径。因此，能够提高发光元件的电流分散效率，进而能够最小化活性层123区域中的非发光区域，从而提高发光元件的发光效率。并且，能够使电流均匀地向水平方向分散，从而减小发光元件的正向电压(Vf)。
尤其，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185具有透光性，从而能够防止从发光结构体120发出的光被第一导电性氧化物电极延伸部 182、183、184、185吸收而造成损失。在根据一比较例的发光元件中，第一电极具有金属电极延伸部，所述金属电极延伸部在如本实施例的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185地布置的情况下，即使由于金属电极延伸部造成光损失，而使电流分散效率提高，光功率反而会降低。相反地，由于本实施例的发光元件包括第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、 185，因此在提高发光元件的电特性的同时能够防止发生光损失，从而能够提高发光元件的光功率。
尤其，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以包括透光性优秀的ZnO或GZO，或者由ZnO或GZO形成，从而，即使第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185较厚地形成，也能够最小化由第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185造成的光吸收及光损失。例如，即使第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的厚度为200nm以上，进而800nm以上，也能够具有90％以上的透光率，从而能够最小化光损失。尤其，由于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的厚度可以相对厚地形成，所以第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的电阻低，从而能使电流更顺利地分散。即，根据本实施例，提供了一种如下的发光元件，所述发光元件通过包括ZnO或GZO的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185改善了电特性及光学特性。
再次参照图41及图47，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、 185的线宽可以与金属电极延伸部153不同。金属电极延伸部153的线宽W1 可以大于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的线宽W2。由于通常通过剥离(lift-off)工艺对金属电极延伸部153进行图案化，因此当考虑工序余量时，减小线宽W1是有限度的。相反，由于通过蚀刻工艺对第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185进行图案化，因此即使考虑到工序余量，也可以具有小于金属电极延伸部153的线宽W1的线宽W2。因此，可以将在用于形成第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的台面 120m周围暴露的第一导电型半导体层121的面积最小化，因此，根据台面 120m面积的减小能够最小化发光区域面积的减小。但是，本实用新型并不限定于此。
在多种实施例中，第一导电性氧化物电极180的布置可以进行多种变形。图50至图64是用于说明在根据多种实施例的发光元件中的第一导电性氧化物电极180的附图。
首先，参照图50至图54，第一导电性氧化物电极180的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以形成为包围台面120m。因此，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以形成包围台面120m的闭合曲线。如图50及图51所示，第四部分185也可以形成于在台面120m 的凹槽120g周围暴露的第一导电型半导体层121的上表面上。第四部分185 沿着发光元件的第二侧面102延伸，而延伸至第三侧面103。本实施例的发光元件可以包括多个第一部分182，且两个第一部分182分别从第一电极焊盘151、181向着第二侧面102及第四侧面104的方向延伸。因此，多个第一部分182中的至少一个的延伸方向可以与金属电极延伸部153的延伸方向大致相同。第一部分182可以与第四部分185连接，因此，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以由包围台面120m周围的闭合曲线形成。
根据本实施例，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185形成闭合曲线，因此第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185不包括断线形态的端部。由于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185由如 ZnO或GZO等导电性氧化物形成，因此在包括端部的情况下，可能从所述端部剥离，并且，也可能发生破碎。对于本实施例而言，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185不包括这种端部，从而能够防止由于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的损伤造成发光元件的可靠性降低。
在另一实施例中，参照图55至图59，第一导电性氧化物电极180的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185可以形成为与第一导电型半导体层121的侧面具有大致相同的平面，即大致并列(flush)。因此，根据本实施例的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185的线宽W3可以大于根据图41至图54的实施例的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、 184、185的线宽W2。进而，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、 185的线宽W3可以大于金属电极延伸部153的线宽W1。
根据本实施例，第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185形成为具有相对更大的线宽W3，从而能够增加第一导电性氧化物电极延伸部182、 183、184、185与第一导电型半导体层121所接触的接触面积。因此，通过第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185能够使电流供应更顺利，从而进一步提高电流分散效率。并且，由于第一导电性氧化物电极延伸部182、 183、184、185具有相对更大的线宽W3，从而能够减小在发光元件制造工序中发生第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185断线的不良的概率。
在又一实施例中，参照图60至图64，第一导电性氧化物电极延伸部182、 183、184、185、186的至少一部分可以与金属电极延伸部153的至少一部分接触。本实施例的发光元件可以包括还包括第五部分186的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185、186。第五部分186可以位于金属电极延伸部153的下方，且与金属电极延伸部153接触。第五部分186的一部分可以夹设于绝缘层170与金属电极延伸部153之间。并且，第五部分186的至少一部分可以夹设于延伸部接触部分155与暴露于凹槽120g的第一导电型半导体层121之间。因此，由于延伸部接触部分155不与第一导电型半导体层121直接欧姆接触，而第五部分186与第一导电型半导体层121形成欧姆接触，从而电流能够通过第五部分186向金属电极延伸部153导通。
根据本实施例，金属电极延伸部153位于第一导电性氧化物电极延伸部 182、183、184、185、186，尤其，第五部分186上。在金属电极延伸部153 位于由导电性氧化物形成的第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、 185、186的表面上的情况下，相比于金属电极延伸部153位于绝缘层170或者发光结构体120的表面上的情况相比接合性优秀。因此，能够稳定地形成金属电极延伸部153，并减小了剥离的概率，从而提高发光元件的稳定性及信赖性。尤其，根据形成金属电极延伸部153的物质以及形成第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185、186的物质，与第一导电型半导体层 121的欧姆接触特性可能不同。在若干实施例中，金属电极延伸部153与第一导电型半导体层121的接触电阻也可以高于第一导电性氧化物电极延伸部 182、183、184、185、186与第一导电型半导体层121的接触电阻。因此，这种情况下，由于第一导电性氧化物电极延伸部182、183、184、185、186 夹设于第一导电型半导体层121与金属电极延伸部153，尤其是延伸部接触部分155之间，因此能够提高第一电极200与第一导电型半导体层121的电接触特性。
再次参照图41至图47，考虑发光元件的电流分散效率，而可以控制第二电极延伸部163的布置以及台面120m的凹槽120g的大小及位置等。例如，沿着发光元件的第二侧面102延伸的金属电极延伸部153到第二电极延伸部 163的距离A1大于第二电极延伸部163的末端到第一电极焊盘151、181的距离A2。通过使第二电极延伸部163向着第一电极焊盘151、181方向延伸，且使第二电极延伸部163与沿着第二侧面102延伸的金属电极延伸部153的距离大致恒定地维持，从而能够提高电流分散效率。并且，由于A2形成为小于A1，因此在第二电极延伸部163的末端周围的电流密度变低，从而防止电流分散效率降低。并且，从第二电极延伸部163的末端到第二导电性氧化物电极140的外廓边缘(沿第四侧面104布置的边缘)的距离A3可以大致与从第二电极焊盘161的侧面到第二导电性氧化物电极140的外廓边缘(沿第四侧面104布置的边缘)的距离大致相同。此时，A3可以是约50至60μm。并且，第二电极延伸部163可以相比于发光元件的第二侧面102更靠近第四侧面104而布置。如图所示，第二电极延伸部163可以布置为相比于发光元件的第二侧面102更靠近第四侧面104，且第二电极延伸部163与穿过发光元件的中心的纵向中心线(可以对应于A-A'线)隔开预定的距离A4。所述 A4可以是约14至18μm。由于金属电极延伸部153邻近于第二侧面102而布置，因此通过使第二电极延伸部163布置为相比于第二侧面102更靠近第四侧面104，能够提高电流分散。
并且，金属电极延伸部153的延伸部接触部分155与第一导电型半导体层121接触的部分的宽度，即绝缘层170开口部的宽度B1可以小于绝缘层 170开口部之间的间隔B2。可以调节间距而使B2比B1大三倍以上，在这种情况下，能够进一步提高通过延伸部接触部分155注入的电流的分散性。
图66是用于说明将根据本实用新型的实施例的发光元件应用到照明装置的示例的分解立体图。
参照图66，根据本实施例的照明装置包括扩散盖1010、发光元件模块 1020及主体部1030。主体部1030可以收容发光元件模块1020，扩散盖1010 可以布置于主体部1030上，使其能够遮盖发光元件模块1020的上部。
主体部1030只要满足收容并支撑发光元件模块1020，并能够向发光元件模块1020供应电源的形态就不受限制。例如，如图所示，主体部1030可以包括主体壳1031、电源供应装置1033、电源壳1035以及电源连接部1037。
电源供应装置1033可以被收容于电源壳1035内而电连接于发光元件模块1020，且包括至少一个IC芯片。所述IC芯片能够调节、转换及控制向发光元件模块1020供应的电源的特性。电源壳1035可以收容并支撑电源供应装置1033，并且内部固定有电源供应装置1033的电源壳1035可以位于主体壳1031的内部。电源连接部1037可以布置于电源壳1035的下端，而与电源壳1035结合。因此，电源连接部1037可以电连接于电源壳1035内部的电源供应装置1033，从而起到能够向电源供应装置1033供应外部电源的通路作用。
发光元件模块1020包括基板1023以及布置于基板1023上的发光元件 1021。发光元件模块1020可以布置于主体壳1031上部而电连接于电源供应装置1033。
基板1023只要是能够支撑发光元件1021的基板就不受限制，例如，可以是包括布线的印刷电路板。基板1023可以具有对应于主体壳1031上部的固定部的形态，以使其能够稳定地固定于主体壳1031。发光元件1021可以包括上述的根据本实用新型的实施例的发光元件中的至少一个。
扩散盖1010可以布置于发光元件1021上，并固定于主体壳1031而覆盖发光元件1021。扩散盖1010可以为透光性材质，并且可以调节扩散盖1010 的形态及透光性从而调节照明装置的指向特性。因此，扩散盖1010能够根据照明装置的使用目的及应用形态变形为多种形态。
图67是用于说明将根据本实用新型的一实施例的发光元件应用到显示装置的示例的剖面图。
本实施例的显示装置包括：显示面板2110；背光单元，用于向显示面板 2110提供光；以及面板引导件，用于支撑所述显示面板2110下部边缘位置。
显示面板2110不受特别的限定，例如，可以是包括液晶层的液晶显示面板。在显示面板2110的边缘位置还可以布置用于向所述栅极线提供驱动信号的栅极驱动印刷电路板(PCB)。此处，栅极驱动PCB也可以不构成为独立的PCB，而形成于薄膜晶体管基板上。
背光单元包括光源模块，所述光源模块包括至少一个基板及多个发光元件2160。进而，背光单元还可以包括底盖2180、反射片2170、扩散板2131 以及光学片2130。
底盖2180上部开口，并且可以收纳基板、发光元件2160、反射片2170、扩散板2131以及光学片2130。并且，底盖2180可以与面板引导件结合。基板可以位于反射片2170的下部，而布置为被反射片2170包围的形态。但是，并不限定于此，在表面涂覆有反射物质的情况下，也可以位于反射片2170上。并且，基板可以形成为多个，并且以多个基板并列布置的形态布置，然而并不限定于此，也可以形成为单个基板。
发光元件2160可以包括上述的根据本实用新型的实施例的发光元件中的至少一个。发光元件2160可以在基板上以预定的图案有规则地排列。并且，各个发光元件2160上布置有透镜2210，从而能够提高从多个发光元件2160 发出的光的均匀性。
扩散板2131及光学片2130位于发光元件2160上。从发光元件2160发出的光可以经过扩散板2131及光学片2130而以面光源的形态向显示面板 2110供应。
如上所述，根据本实用新型的实施例的发光元件可以应用于如本实施例的垂直型显示装置。
图68是用于说明将根据本实用新型的一实施例的发光元件应用到显示装置的示例的剖面图。
配备有根据本实施例的背光单元的显示装置包括：显示面板3210，用于显示图像；以及背光单元，布置于显示面板3210的背面而照射光。进而，所述显示装置包括：框架3240，用于支撑显示面板3210，并收纳背光单元；以及盖部3270、3280，包裹所述显示面板3210。
显示面板3210不受特别的限制，例如，可以是包括液晶层的液晶显示面板。显示面板3210的边缘位置还可以布置有用于向所述栅极线提供驱动信号的栅极驱动印刷电路板(PCB)。此处，栅极驱动PCB也可以不构成为独立的PCB，而形成于薄膜晶体管基板上。显示面板3210通过位于其上部及下部的盖部3270、3280被固定，并且位于其下部的盖部3280可以与背光单元结合。
向显示面板3210提供光的背光单元包括：下部盖3270，所述下部盖3270 上表面的一部分开口；光源模块，布置于下部盖3270的内部一侧；以及导光板3250，与所述光源模块平行布置而将点光转换为面光。并且，根据本实施例的背光单元还包括：光学片3230，位于导光板3250上且具有使光扩散及聚光的功能；以及反射片3260，布置于导光板3250的下部，从而将向导光板3250的下部方向行进的光向显示面板3210的方向反射。
光源模块包括基板3220以及多个发光元件3110，所述发光元件3110与所述基板3220的一面以恒定的间距隔开而布置。基板3220只要支撑发光元件3110且电连接于发光元件3110就不受限制，例如，可以是印刷电路板。发光元件3110可以包括至少一个根据上述的本实用新型的实施例的发光元件。从光源模块发出的光从导光板3250入射，而通过光学片3230向显示面板3210供应。通过导光板3250及光学片3230，从发光元件3110发出的点光源可以转换为面光源。
如上所述，根据本实用新型的实施例的发光元件可以如本实施例地应用于的边缘(edge)型显示装置。
图69是用于说明将根据本实用新型的一实施例的发光元件应用于前照灯的示例的剖面图。
参照图69，所述前照灯包括灯体4070、基板4020、发光元件4010以及覆盖透镜(cover lens)4050。进而，所述前照灯还可以包括散热部4030、支撑齿条4060以及连接部件4040。
基板4020通过支撑齿条4060被固定，且在灯体4070上隔开布置。基板 4020只要是支撑发光元件4010的基板就不受限制，例如，可以是如印刷电路板等具有导电图案的基板。发光元件4010可以位于基板4020上，并且通过基板4020被支撑及固定。并且，发光元件4010可以通过基板4020的导电图案而电连接于外部电源。并且，发光元件4010可以包括至少一个上述的根据本实用新型的实施例的发光元件。
覆盖透镜4050位于从发光元件4010发出的光所移动的路径上。例如，如图所示，覆盖透镜4050可以借助连接部件4040与发光元件4010隔开，可以布置于期望提供从发光元件4010发出的光的方向上。通过覆盖透镜4050 可以调节从前照灯向外部发出的光的光束发散角和/或颜色。另外，连接部件 4040也可以使覆盖透镜4050与基板4020固定，并且布置为包围发光元件 4010，从而起到提供发光路径4045的导光作用。此时，连接部件4040可以由反光性材料形成，或者涂覆反光性物质。另外，散热部4030可以包括散热部4031和/或散热风扇4033，且可以使驱动发光元件4010时产生的热向外部排放。
如上所述，根据本实用新型的实施例的发光元件可以应用于如本实施例的前照灯，特别是汽车用前照灯。
以上，已对本实用新型的多样的实施例进行了说明，然而本实用新型并不限定于上述的多种实施例及特征，在不脱离根据本实用新型的权利要求范围的技术思想的范围内可以进行多种变形及变更。

Claims (31)

1.一种发光元件，其特征在于，包括：
第一导电型半导体层；
活性层，位于所述第一导电型半导体层上；
第二导电型半导体层，位于所述活性层上；
电流阻挡层，位于所述第二导电型半导体层上的局部位置；
透明电极，覆盖所述电流阻挡层，具有暴露所述电流阻挡层的开口部；
第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；
第二电极焊盘，位于所述电流阻挡层上，且位于所述透明电极的开口部上；
第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，
所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，
所述透明电极的开口部的侧面与所述焊盘电流阻挡层相隔。
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第二导电型半导体层的一部分在所述电流阻挡层和所述透明电极之间由于所述透明电极的开口部而暴露。
3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述透明电极包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部，所述凸出部的至少一部分位于所述第二电极焊盘和所述电流阻挡层之间。
4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括：
台面，位于所述第一导电型半导体层上，
所述台面包括所述活性层及第二导电型半导体层，
所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露。
5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，还包括：
绝缘层，位于所述台面的局部位置上；以及
第一电极延伸部，从所述第一电极焊盘延伸，
所述第一电极焊盘位于所述绝缘层上。
6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层覆盖所述凹槽的侧面的至少一部分，
所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。
7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层覆盖暴露于所述凹槽的活性层的侧面。
8.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层还覆盖所述凹槽上部的周围。
9.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层与所述透明电极相隔。
10.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，
所述至少一个凹槽包括彼此相隔的多个凹槽，所述多个凹槽位于所述发光元件的一侧面。
11.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一电极焊盘包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。
12.如权利要求11所述的发光元件，其特征在于，
所述焊盘接触部分位于所述发光元件的一侧面。
13.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层包括覆盖所述第一电极焊盘周围的台面侧面的至少一个扩张部。
14.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，
至少一个的所述凹槽具有圆弧形态的平面形状。
15.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述延伸部电流阻挡层具有比所述第二电极延伸部宽的宽度，
所述透明电极将所述延伸部电流阻挡层全部覆盖。
16.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
将以所述焊盘电流阻挡层的中心部为原点而具有x轴与y轴的虚拟的坐标系作为基准，
所述第二电极焊盘与第二电极延伸部的交界面位于x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一象限至第四象限中的至少一个上，
至少一个的所述凸出部位于除了所述交界面所在的部分以外的x(+)轴、x(-)轴、y(+)轴、y(-)轴以及第一象限至第四象限中的至少一个上。
17.如权利要求16所述的发光元件，其特征在于，
所述交界面位于所述y(-)轴或所述第四象限上，所述凸出部位于x(+)轴、x(-)轴及y(+)轴上。
18.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一电极焊盘与所述发光元件的一侧面相邻而布置，所述第二电极焊盘与所述发光元件的另一侧面相邻而布置，
所述第二电极延伸部从所述第二电极焊盘向所述发光元件的一侧面延伸。
19.一种发光元件，其特征在于，包括：
发光结构体，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；
透明电极，位于所述发光结构体上；
第一电极焊盘，电连接于所述第一导电型半导体层；
第二电极焊盘，布置在所述透明电极上，并与所述第二导电型半导体层电连接；以及
第二电极延伸部，从所述第二电极焊盘延伸，且位于所述透明电极上，
其中，所述第二电极焊盘的一部分与所述透明电极相接。
20.如权利要求19所述的发光元件，其特征在于，
还包括位于所述第二电极焊盘及所述第二电极延伸部与所述第二导电型半导体层之间的电流阻挡层，
所述电流阻挡层包括位于所述第二电极焊盘下方的焊盘电流阻挡层以及位于所述第二电极延伸部下方的延伸部电流阻挡层，
所述透明电极覆盖所述电流阻挡层，并具有暴露所述焊盘电流阻挡层的开口部。
21.如权利要求20所述的发光元件，其特征在于，
所述透明电极包括从所述开口部的侧面凸出的至少一个凸出部，所述第二电极焊盘与所述凸出部相接。
22.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，
所述发光结构体包括：台面，位于所述第一导电型半导体层上，
所述台面包括所述活性层及所述第二导电型半导体层，
所述台面包括在其侧面形成的至少一个的凹槽，第一导电型半导体层的一部分通过所述凹槽被暴露。
23.如权利要求22所述的发光元件，其特征在于，还包括：
绝缘层，位于所述台面的局部位置上；以及
第一电极延伸部，从所述第一电极焊盘延伸，
所述第一电极焊盘位于所述绝缘层上，所述第一电极延伸部包括通过所述凹槽与所述第一导电型半导体层接触的延伸部接触部分。
24.如权利要求23所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层还覆盖所述凹槽上部的周围。
25.如权利要求23所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层与所述透明电极相隔。
26.如权利要求23所述的发光元件，其特征在于，
所述第一电极焊盘包括与所述第一导电型半导体层接触的焊盘接触部分。
27.如权利要求23所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层覆盖所述凹槽的侧面的至少一部分，从而覆盖暴露于所述凹槽的所述活性层的侧面。
28.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，
所述第二电极焊盘位于所述凸出部上而与所述凸出部相接。
29.如权利要求20所述的发光元件，其特征在于，
所述第二导电型半导体层的一部分在所述开口部的侧面和所述电流阻挡层之间暴露。
30.如权利要求20所述的发光元件，其特征在于，
所述第二电极延伸部从经过所述发光元件的中心的纵向中心线相隔。
31.如权利要求30所述的发光元件，其特征在于，
所述第二电极延伸部的相隔距离为14至18μm。
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