JP4861437B2 - Ito層を有する発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Description
したがって、本発明の目的は、P型半導体層上のITO層に対する電流拡散の効率を高めることにより、輝度及び発光性能が大きく向上した発光ダイオード及びその製造方法を提供することである。
導電性材料からなる接点接続部を充填するステップと、を含む。
また、前記ステップ(c)以前に、前記N型半導体層の一部を接点領域として露出させ、前記接点領域上にN型接点パッドを形成することをさらに含むことが好ましい。
好ましくは、前記ステップ(c)は、蒸着またはメッキ方式により、導電性材料層からなる配線を、互いに隣接した発光セル間の電気的連結のために形成することを含むが、前記接点接続部は、前記導電性材料層の一部として形成される。この際、前記ステップ(b)は、(b−1)前記ステップ(a)で形成された発光セルを全体的に覆う透明絶縁層を、前記基板上に形成するステップと、(b−2)前記配線が連結される部分を露出させるために、前記透明絶縁層をパターニングエッチングするが、前記透明絶縁層のパターニングエッチングにより、前記ITO層の前記接点溝を一緒に形成するステップと、を含むことが好ましい。
本発明の第1の実施例による発光ダイオード1は、交流電源により動作するように構成された交流駆動型発光ダイオードである。交流電源により動作する従来の交流駆動型発光ダイオードとしては、国際公開番号WO2004/023568(A1)号に「発光要素を有する発光装置」(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS)という題目で、サカイ等(Sakai et. al.)により開示されたことがある。
な考慮が要求される。前記P型半導体層260の上面には、上述した光透過性と電気的特性が考慮されたインジウムスズ酸化物からなるITO層290が透明電極層として形成され、本明細書では、用語の「発光セル」を、上述したN型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260と一緒にITO層290を含む意味として定義する。
が形成されている。
図2を参照すると、先ず、基板100上にバッファ層120を形成し、前記バッファ層120上にN型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260を順次に形成する。前記バッファ層120及び半導体層220、240、260は、有機金属化学気相蒸着法(MOCVD)、分子線エピタキシー法(MBE)、またはハイドライド気相成長法(HVPE)等を用いて形成されてもよい。また、前記半導体層220、240、260は、同一の工程チェンバにて連続的に形成されてもよい。
よい。
上記した工程が完了した後、配線400及び透明絶縁層410を覆う絶縁保護膜420を形成してもよく、絶縁保護膜420が形成された発光ダイオード1は、図1によく示され
ている。
図10に示すように、本実施例による発光ダイオード1は、ベースをなす基板100と、その上に形成される一つの発光セル200とを備える。上述した実施例と同様に、前記発光セル200は、N型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260が連続的に積層された構造をなし、活性層240は、上述したメサの形成により、N型半導体層220の一部領域上に限定的に形成され、前記活性層240上には、P型半導体層260が形成される。したがって、前記N型半導体層220は、一部領域が活性層240と接合されており、残りの領域がN型接点パッド222の形成のための接点領域として露出される。また、P型半導体層260上には、ITO層290が形成される。
有する。この電流遮断層262は、上述したP型接点パッド402’と接するP型半導体層260の制限された領域に形成される。前記電流遮断層262は、上述した実施例において説明したように、接点溝292の形成のためのドライエッチング中にP型半導体層260の一部の電気的特性が変化することにより形成される。
図11を参照すると、先ず、基板100上にバッファ層120を形成し、前記バッファ層120上にN型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260を順次に形成する。その後、上述したP型半導体層260の上面に図12に示すようなITO層290が形成される。
その後、メッキまたは蒸着方式により、N型接点パッド222及びP型接点パッド402’を形成する工程が行われる。図10に示すように、N型接点パッド222及びP型接点パッド402’は、それぞれITO層290の上面及びN型半導体層220の接点領域上に形成され、その形成順序は、製造者により選択され得るものであり、本発明を限定するものではない。
できる。
Claims (8)
- 基板上に、N型半導体層、活性層、及びP型半導体層を有する少なくとも一つの発光セルが形成されて製造される発光ダイオードの製造方法であって、
(a)前記P型半導体層の上面にITO層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するステップと、
(b)前記ITO層に配線連結のための接点溝を不活性ガスによるドライエッチングにより形成し、前記ドライエッチングにより露出した前記P型半導体層の表面に前記不活性ガスを衝突させ、電流遮断層を形成するステップと、
(c)配線連結のために、前記接点溝に導電性材料からなる接点接続部を充填するステップと、
を含むことを特徴とするITO層を有する発光ダイオードの製造方法。 - 前記ステップ(b)において、前記ITO層の上面に感光膜を塗布した後に、前記ITO層に配線連結のための接点溝を不活性ガスによるドライエッチングにより形成し前記接点溝の内側面から感光膜を除去することを特徴とする請求項1に記載のITO層を有する発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(c)以前に、前記N型半導体層の一部を接点領域として露出させ、前記接点領域上にN型接点パッドを形成することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のITO層を有する発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(c)において、前記接点溝内に充填される前記接点接続部は、下側の一部が前記接点溝の内側において前記ITO層の内側面と接しており、上側の一部が前記接点溝の外側において前記ITO層の上部の表面と接しているP型接点パッドであることを特徴とする請求項1に記載のITO層を有する発光ダイオードの製造方法。
- 前記少なくとも一つの発光セルは、互いに離隔して形成された複数の発光セルであり、前記ステップ(a)は、前記発光セルのそれぞれのN型半導体層の一部を、N型接点パッドの形成のための接点領域として露出させることをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のITO層を有する発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(c)は、蒸着またはメッキ方式により、導電性材料層からなる配線を、互いに隣接した発光セル間の電気的連結のために形成することを含むが、前記接点接続部は、前記導電性材料層の一部として形成されたものであることを特徴とする請求項5に記載のITO層を有する発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(b)は、
(b−1)前記ステップ(a)で形成された発光セルを全体的に覆う透明絶縁層を、前記基板上に形成するステップと、
(b−2)前記配線が連結される部分を露出させるために、前記透明絶縁層をパターニングエッチングするが、前記透明絶縁層のパターニングエッチングにより、前記ITO層の前記接点溝を一緒に形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項6に記載のITO層を有する発光ダイオードの製造方法。 - 前記ステップ(c)は、
(c1)前記透明絶縁層が形成された発光セルと前記基板を全体的に覆うように、導電性材料層を蒸着またはメッキ方式で形成するステップと、
(c2)前記発光セルの接点溝から、これと隣接した他の発光セルの前記N型接点パッド上に延長される導電性材料層を、前記配線として残し、残りの導電性材料層をエッチング除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項7に記載のITO層を有する発光ダイオードの製造方法。
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KR101081135B1 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
CN102859726B (zh) * | 2010-04-06 | 2015-09-16 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
US8193546B2 (en) * | 2010-06-04 | 2012-06-05 | Pinecone Energies, Inc. | Light-emitting-diode array with polymer between light emitting devices |
CN101872824A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-10-27 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法 |
TWI557875B (zh) * | 2010-07-19 | 2016-11-11 | 晶元光電股份有限公司 | 多維度發光裝置 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
KR101650518B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2016-08-23 | 에피스타 코포레이션 | 발광 구조체 |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
US9580519B2 (en) | 2011-04-20 | 2017-02-28 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method and apparatus for producing polyacrylic acid (salt)-based water absorbent resin |
CN102280563A (zh) * | 2011-08-08 | 2011-12-14 | 上海理工大学 | 一种高功率led柔性封装 |
US8912028B2 (en) * | 2011-08-17 | 2014-12-16 | Lg Display Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
EP3223320B1 (en) * | 2011-09-16 | 2021-07-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
KR101883842B1 (ko) * | 2011-12-26 | 2018-08-01 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템 |
JP2013165188A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Oki Data Corp | 半導体発光装置、光源装置、画像形成装置及び画像表示装置 |
EP2626901A1 (en) | 2012-02-10 | 2013-08-14 | Oki Data Corporation | Semiconductor light emitting apparatus, image displaying apparatus, mobile terminal, head-up display apparatus, image projector, head-mounted display apparatus, and image forming apparatus |
US9076923B2 (en) * | 2012-02-13 | 2015-07-07 | Epistar Corporation | Light-emitting device manufacturing method |
KR20130128841A (ko) | 2012-05-18 | 2013-11-27 | 삼성전자주식회사 | 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 및 그 제조방법, 그리고 발광모듈 및 조명장치 |
CN103426895A (zh) * | 2012-05-25 | 2013-12-04 | 华夏光股份有限公司 | 发光二极管阵列与其形成方法 |
US9093627B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-07-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
US9356212B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-05-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
CN103078027A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-05-01 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种具有电流阻挡层的发光二极管 |
KR20140130618A (ko) * | 2013-05-01 | 2014-11-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 솔더 페이스트를 통해 접착된 발광 다이오드를 갖는 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 |
DE102014011893B4 (de) * | 2013-08-16 | 2020-10-01 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Leuchtdiode |
KR20150101783A (ko) | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
US9520537B2 (en) * | 2014-06-18 | 2016-12-13 | X-Celeprint Limited | Micro assembled LED displays and lighting elements |
KR102282141B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2021-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
JP5893699B1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-23 | 泰谷光電科技股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードの透明導電層構成 |
US12007077B2 (en) | 2014-09-28 | 2024-06-11 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament and LED light bulb |
US11686436B2 (en) | 2014-09-28 | 2023-06-27 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and light bulb using LED filament |
US11421827B2 (en) | 2015-06-19 | 2022-08-23 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
US11997768B2 (en) | 2014-09-28 | 2024-05-28 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
US11073248B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-07-27 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED bulb lamp |
US11085591B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-08-10 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb with curved filament |
US11525547B2 (en) | 2014-09-28 | 2022-12-13 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb with curved filament |
US11543083B2 (en) | 2014-09-28 | 2023-01-03 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
JP6365263B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2018-08-01 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
WO2016125344A1 (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-11 | ソニー株式会社 | 発光ダイオード |
CN104952995B (zh) * | 2015-05-05 | 2017-08-25 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种iii族半导体发光器件的倒装结构 |
CN208400869U (zh) * | 2015-05-13 | 2019-01-18 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件 |
CN105070799B (zh) * | 2015-09-01 | 2017-05-24 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led芯片的制作方法 |
JP6637703B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2020-01-29 | アルパッド株式会社 | 半導体発光装置 |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
KR102550007B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2023-07-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수의 발광셀들을 가지는 발광 다이오드 |
CN110121782A (zh) | 2017-03-23 | 2019-08-13 | 首尔半导体株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
CN107768490B (zh) * | 2017-10-26 | 2020-07-10 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种优化GaN基LED芯片性能的制备方法 |
CN107731864B (zh) * | 2017-11-20 | 2020-06-12 | 开发晶照明(厦门)有限公司 | 微发光二极管显示器和制作方法 |
KR102543183B1 (ko) | 2018-01-26 | 2023-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
KR20210044789A (ko) * | 2018-08-28 | 2021-04-23 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 발광 소자 및 전자 기기 |
EP4141972A4 (en) * | 2020-06-08 | 2024-05-01 | Seoul Viosys Co., Ltd | UNIT PIXEL WITH LIGHT-EMITTING DEVICES AND DISPLAY DEVICE |
CN114050214B (zh) * | 2021-08-26 | 2023-11-03 | 重庆康佳光电科技有限公司 | 芯片的制备方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210861A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2001257380A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
JP2002026384A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 集積型窒化物半導体発光素子 |
JP2002353506A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2002359402A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Lumileds Lighting Us Llc | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列ledアレイ |
JP2002368273A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2004079867A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Shiro Sakai | 窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置 |
JP2004172189A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Shiro Sakai | 窒化物系半導体装置及びその製造方法 |
JP2004186544A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2004311477A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005109444A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-04-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3647968B2 (ja) | 1996-04-10 | 2005-05-18 | 日本板硝子株式会社 | 自己走査型発光装置 |
DE19640003B4 (de) | 1996-09-27 | 2005-07-07 | Siemens Ag | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3878715B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2007-02-07 | シャープ株式会社 | 発光素子 |
JP3505374B2 (ja) | 1997-11-14 | 2004-03-08 | 三洋電機株式会社 | 発光部品 |
JPH11312824A (ja) | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
US6653216B1 (en) * | 1998-06-08 | 2003-11-25 | Casio Computer Co., Ltd. | Transparent electrode forming apparatus and method of fabricating active matrix substrate |
CA2343105C (en) | 1998-09-10 | 2004-09-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same |
US6420736B1 (en) | 2000-07-26 | 2002-07-16 | Axt, Inc. | Window for gallium nitride light emitting diode |
US6459098B1 (en) * | 2000-07-26 | 2002-10-01 | Axt, Inc. | Window for light emitting diode |
JP3824497B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2006-09-20 | 株式会社沖データ | 発光素子アレイ |
US7067916B2 (en) | 2001-06-20 | 2006-06-27 | International Business Machines Corporation | Extension of fatigue life for C4 solder ball to chip connection |
KR100431760B1 (ko) * | 2001-08-08 | 2004-05-17 | 삼성전기주식회사 | AlGaInN계 반도체 엘이디(LED) 소자 및 그 제조 방법 |
US7095050B2 (en) * | 2002-02-28 | 2006-08-22 | Midwest Research Institute | Voltage-matched, monolithic, multi-band-gap devices |
US6683334B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-01-27 | Microsemi Corporation | Compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines |
US6635902B1 (en) | 2002-05-24 | 2003-10-21 | Para Light Electronics Co., Ltd. | Serial connection structure of light emitting diode chip |
TWI249148B (en) | 2004-04-13 | 2006-02-11 | Epistar Corp | Light-emitting device array having binding layer |
EP1553640A4 (en) | 2002-08-01 | 2006-09-06 | Nichia Corp | SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT, PROCESS FOR ITS MANUFACTURE AND LIGHT EMISSIONING DEVICE THEREWITH |
EP2149906A3 (en) | 2002-08-29 | 2014-05-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light-emitting device having light-emitting diodes |
US6957899B2 (en) | 2002-10-24 | 2005-10-25 | Hongxing Jiang | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
US7213942B2 (en) | 2002-10-24 | 2007-05-08 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
TWI220798B (en) | 2003-03-07 | 2004-09-01 | Hitachi Cable | Light-emitting diode array |
JP2004304161A (ja) | 2003-03-14 | 2004-10-28 | Sony Corp | 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法 |
US20060043433A1 (en) | 2003-07-18 | 2006-03-02 | Sanyo Electric Co,. Ltd. | Light-emitting diode |
KR100601143B1 (ko) | 2003-07-30 | 2006-07-19 | 에피밸리 주식회사 | 반도체 발광 소자 |
JP2005064104A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードアレイ |
JP4160881B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2008-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法 |
JP2004104097A (ja) * | 2003-08-29 | 2004-04-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | 3−5族化合物半導体のエッチングダメージ回復方法。 |
JP2004048067A (ja) * | 2003-10-14 | 2004-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光部品およびその製造方法 |
JP3767863B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2006-04-19 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製法 |
JP4868709B2 (ja) | 2004-03-09 | 2012-02-01 | 三洋電機株式会社 | 発光素子 |
US7285801B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-10-23 | Lumination, Llc | LED with series-connected monolithically integrated mesas |
TW200501464A (en) | 2004-08-31 | 2005-01-01 | Ind Tech Res Inst | LED chip structure with AC loop |
JP3904571B2 (ja) | 2004-09-02 | 2007-04-11 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
US7221044B2 (en) | 2005-01-21 | 2007-05-22 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter |
US7525248B1 (en) | 2005-01-26 | 2009-04-28 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diode lamp |
US7535028B2 (en) | 2005-02-03 | 2009-05-19 | Ac Led Lighting, L.Lc. | Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp |
US7474681B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-01-06 | Industrial Technology Research Institute | Alternating current light-emitting device |
US7265374B2 (en) * | 2005-06-10 | 2007-09-04 | Arima Computer Corporation | Light emitting semiconductor device |
EP1897151A4 (en) | 2005-06-22 | 2010-03-10 | Seoul Opto Device Co Ltd | ILLUMINATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
TWI291246B (en) | 2005-10-20 | 2007-12-11 | Epistar Corp | Light emitting device and method of forming the same |
CN101820043A (zh) | 2006-01-09 | 2010-09-01 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 发光装置 |
US7768020B2 (en) | 2007-03-13 | 2010-08-03 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | AC light emitting diode |
KR100974923B1 (ko) | 2007-03-19 | 2010-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
KR100838197B1 (ko) | 2007-08-10 | 2008-06-16 | 서울옵토디바이스주식회사 | 개선된 전류분산 성능을 갖는 발광 다이오드 |
-
2006
- 2006-12-08 CN CN200910208337A patent/CN101820043A/zh active Pending
- 2006-12-08 DE DE112006002927T patent/DE112006002927B4/de active Active
- 2006-12-08 US US12/088,902 patent/US7998761B2/en active Active
- 2006-12-08 WO PCT/KR2006/005352 patent/WO2007081092A1/en active Application Filing
- 2006-12-08 JP JP2008549410A patent/JP4861437B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-26 TW TW095148926A patent/TWI322519B/zh active
-
2009
- 2009-10-23 US US12/605,146 patent/US7700960B2/en active Active
- 2009-11-27 JP JP2009269797A patent/JP4523670B2/ja active Active
-
2011
- 2011-06-30 JP JP2011145172A patent/JP2011187998A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210861A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2001257380A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
JP2002026384A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 集積型窒化物半導体発光素子 |
JP2002359402A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Lumileds Lighting Us Llc | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列ledアレイ |
JP2002353506A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2002368273A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2004079867A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Shiro Sakai | 窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置 |
JP2004172189A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Shiro Sakai | 窒化物系半導体装置及びその製造方法 |
JP2004186544A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2004311477A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005109444A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-04-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011187998A (ja) | 2011-09-22 |
JP2010045419A (ja) | 2010-02-25 |
US20100148190A1 (en) | 2010-06-17 |
WO2007081092A1 (en) | 2007-07-19 |
JP2009522803A (ja) | 2009-06-11 |
JP4523670B2 (ja) | 2010-08-11 |
US7700960B2 (en) | 2010-04-20 |
CN101820043A (zh) | 2010-09-01 |
US7998761B2 (en) | 2011-08-16 |
DE112006002927B4 (de) | 2010-06-02 |
DE112006002927T5 (de) | 2008-11-20 |
TW200733432A (en) | 2007-09-01 |
US20100032694A1 (en) | 2010-02-11 |
TWI322519B (en) | 2010-03-21 |
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