JPH11312824A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH11312824A JPH11312824A JP11757798A JP11757798A JPH11312824A JP H11312824 A JPH11312824 A JP H11312824A JP 11757798 A JP11757798 A JP 11757798A JP 11757798 A JP11757798 A JP 11757798A JP H11312824 A JPH11312824 A JP H11312824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- connection line
- type semiconductor
- light emitting
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤボンディングの位置ずれによってショ
ートが発生したり、フリップチップ時の導電性樹脂やペ
ーストの流れ込みによってショートが発生するという問
題があった。 【解決手段】 基板上に、一導電型半導体層と逆導電型
半導体層を積層して設けて絶縁膜で被覆し、この基板の
対向する端部近傍に共通電極を設けて第１の接続線を介
して前記一導電型半導体層に接続し、この共通電極の内
側に個別電極を設けて第２の接続線を介して前記逆導電
型半導体層に接続した半導体発光装置において、前記共
通電極、第１の接続線、および第２の接続線を１００〜
３４００Åの膜厚を有する第２の絶縁膜で被覆した。
ートが発生したり、フリップチップ時の導電性樹脂やペ
ーストの流れ込みによってショートが発生するという問
題があった。 【解決手段】 基板上に、一導電型半導体層と逆導電型
半導体層を積層して設けて絶縁膜で被覆し、この基板の
対向する端部近傍に共通電極を設けて第１の接続線を介
して前記一導電型半導体層に接続し、この共通電極の内
側に個別電極を設けて第２の接続線を介して前記逆導電
型半導体層に接続した半導体発光装置において、前記共
通電極、第１の接続線、および第２の接続線を１００〜
３４００Åの膜厚を有する第２の絶縁膜で被覆した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置に関
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられる半導体発光装置に関する。
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられる半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の半導体発光装置を図３および図４に示す。図４は、図
３のＡ−Ａ線断面図である。図３および図４において、
２１は半導体基板、２２は島状半導体層、２３は個別電
極、２４は共通電極である。
の半導体発光装置を図３および図４に示す。図４は、図
３のＡ−Ａ線断面図である。図３および図４において、
２１は半導体基板、２２は島状半導体層、２３は個別電
極、２４は共通電極である。
【０００３】半導体基板２１は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）などの単結晶半導体基板などから成る。島状半導体
層２２は、ガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素な
どの化合物半導体層などから成り、一導電型不純物を含
有する層２２ａと逆導電型不純物を含有する層２２ｂか
ら成る。一導電型不純物を含有する層２２ａと逆導電型
不純物を含有する層２２ｂの界面部分で半導体接合部が
形成される。この島状半導体層２２は、例えばＭＯＣＶ
Ｄ（有機金属化学気相成長）法やＭＢＥ（分子線エピタ
キシ）法でガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素な
どから成る単結晶半導体層を形成した後に、メサエッチ
ングなどによって島状に形成される。
ｉ）などの単結晶半導体基板などから成る。島状半導体
層２２は、ガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素な
どの化合物半導体層などから成り、一導電型不純物を含
有する層２２ａと逆導電型不純物を含有する層２２ｂか
ら成る。一導電型不純物を含有する層２２ａと逆導電型
不純物を含有する層２２ｂの界面部分で半導体接合部が
形成される。この島状半導体層２２は、例えばＭＯＣＶ
Ｄ（有機金属化学気相成長）法やＭＢＥ（分子線エピタ
キシ）法でガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素な
どから成る単結晶半導体層を形成した後に、メサエッチ
ングなどによって島状に形成される。
【０００４】島状半導体層２２の表面部分には、例えば
窒化シリコン膜（Ｓｉx Ｎy ）などから成る絶縁膜２５
が形成されており、この絶縁膜２５上には、例えば金
（Ａｕ）などから成る個別電極２３が形成されている。
この個別電極２３は、絶縁膜２５に形成されたスルーホ
ールＣ３を介して逆導電型不純物を含有する半導体層２
２ｂに接続されており、逆導電型不純物を含有する層２
２ｂの上面部分から壁面部分を経由して、半導体基板２
１の端面近傍まで、隣接する島状半導体層２２ごとに交
互に他の端面側に延在するように形成されている。ま
た、半導体基板２１の裏面側のほぼ全面には共通電極２
４が形成されている。
窒化シリコン膜（Ｓｉx Ｎy ）などから成る絶縁膜２５
が形成されており、この絶縁膜２５上には、例えば金
（Ａｕ）などから成る個別電極２３が形成されている。
この個別電極２３は、絶縁膜２５に形成されたスルーホ
ールＣ３を介して逆導電型不純物を含有する半導体層２
２ｂに接続されており、逆導電型不純物を含有する層２
２ｂの上面部分から壁面部分を経由して、半導体基板２
１の端面近傍まで、隣接する島状半導体層２２ごとに交
互に他の端面側に延在するように形成されている。ま
た、半導体基板２１の裏面側のほぼ全面には共通電極２
４が形成されている。
【０００５】島状半導体層２２、個別電極２３および共
通電極２４で個々の発光ダイオードが構成され、この発
光ダイオードは半導体基板２１上に一列状に並ぶように
形成される。この場合、例えば個別電極２３が発光ダイ
オードのアノード電極となり、共通電極２４がカソード
電極となる。なお、個別電極２３はその幅広部分におい
て外部回路とボンディングワイヤなどで接続される。
通電極２４で個々の発光ダイオードが構成され、この発
光ダイオードは半導体基板２１上に一列状に並ぶように
形成される。この場合、例えば個別電極２３が発光ダイ
オードのアノード電極となり、共通電極２４がカソード
電極となる。なお、個別電極２３はその幅広部分におい
て外部回路とボンディングワイヤなどで接続される。
【０００６】このような発光ダイオードアレイでは、例
えば個別電極２３から共通電極２４に向けて順方向に電
流を流すと、逆導電型不純物を含有する層２２ｂには電
子が注入され、一導電型不純物を含有する層２２ａには
正孔が注入される。これらの少数キャリアの一部が多数
キャリアと発光再結合することによって光を生じる。
えば個別電極２３から共通電極２４に向けて順方向に電
流を流すと、逆導電型不純物を含有する層２２ｂには電
子が注入され、一導電型不純物を含有する層２２ａには
正孔が注入される。これらの少数キャリアの一部が多数
キャリアと発光再結合することによって光を生じる。
【０００７】また、列状に形成された発光素子のいずれ
かの個別電極２３を選択して電流を流して発光させるこ
とにより、例えばページプリンタ用感光ドラムの露光用
光源として用いられる。
かの個別電極２３を選択して電流を流して発光させるこ
とにより、例えばページプリンタ用感光ドラムの露光用
光源として用いられる。
【０００８】ところが、この従来の発光ダイオードアレ
イでは、半導体基板２１の表面側に形成した島状半導体
層２２上に、個別電極２３を設けると共に、半導体基板
２１の裏面側に共通電極２４を設けていることから、個
別電極２３と共通電極２４の形成工程が２回になり、製
造工程が煩雑であるという問題があった。また、個別電
極２３と共通電極２４が半導体基板２１の表裏両面にあ
ると、ワイヤボンディング法などによって外部回路と接
続する際にも、その接続作業が困難であるという問題が
あった。
イでは、半導体基板２１の表面側に形成した島状半導体
層２２上に、個別電極２３を設けると共に、半導体基板
２１の裏面側に共通電極２４を設けていることから、個
別電極２３と共通電極２４の形成工程が２回になり、製
造工程が煩雑であるという問題があった。また、個別電
極２３と共通電極２４が半導体基板２１の表裏両面にあ
ると、ワイヤボンディング法などによって外部回路と接
続する際にも、その接続作業が困難であるという問題が
あった。
【０００９】そこで、本出願人は、図５および図６に示
すように、半導体基板３１上に、一導電型不純物を含有
する下層半導体層３２を設け、この下層半導体層３２上
に逆導電型不純物を含有する上層半導体層３３を下層半
導体層３２よりも小面積となるように設け、基板３１の
対向する端部に共通電極３５ａ、３５ｂを設けて第１の
接続線３７スルーホールＣ４で下層半導体層３２に接続
し、この共通電極３５ａ、３５ｂの内側に個別電極３４
を設けて第２の接続線３８でスルーホールＣ５を介して
上層半導体層３３に接続した半導体発光装置を提案し
た。
すように、半導体基板３１上に、一導電型不純物を含有
する下層半導体層３２を設け、この下層半導体層３２上
に逆導電型不純物を含有する上層半導体層３３を下層半
導体層３２よりも小面積となるように設け、基板３１の
対向する端部に共通電極３５ａ、３５ｂを設けて第１の
接続線３７スルーホールＣ４で下層半導体層３２に接続
し、この共通電極３５ａ、３５ｂの内側に個別電極３４
を設けて第２の接続線３８でスルーホールＣ５を介して
上層半導体層３３に接続した半導体発光装置を提案し
た。
【００１０】このように構成すると、半導体基板３１の
同じ側に個別電極３４と共通電極３５ａ、３５ｂを設け
ることができ、個別電極３４と共通電極３５ａ、３５ｂ
を一回の工程で同時に形成できることから、発光ダイオ
ードアレイの製造工程が簡略化されると共に、個別電極
３４と共通電極３５ａ、３５ｂが同じ側に位置すること
から、ワイヤボンディング法などによる外部回路との接
続作業も容易になる。なお、図６中、３６は窒化シリコ
ン膜などから成る絶縁膜である。
同じ側に個別電極３４と共通電極３５ａ、３５ｂを設け
ることができ、個別電極３４と共通電極３５ａ、３５ｂ
を一回の工程で同時に形成できることから、発光ダイオ
ードアレイの製造工程が簡略化されると共に、個別電極
３４と共通電極３５ａ、３５ｂが同じ側に位置すること
から、ワイヤボンディング法などによる外部回路との接
続作業も容易になる。なお、図６中、３６は窒化シリコ
ン膜などから成る絶縁膜である。
【００１１】また、図５に示すように、共通電極３５
ａ、３５ｂは隣接する島状半導体層３２ごとに異なる群
に属するように二群に分けて設けられ、個別電極３４は
隣接する島状半導体層３３が同じ個別電極３４に接続さ
れるように設けられている。
ａ、３５ｂは隣接する島状半導体層３２ごとに異なる群
に属するように二群に分けて設けられ、個別電極３４は
隣接する島状半導体層３３が同じ個別電極３４に接続さ
れるように設けられている。
【００１２】このように共通電極３５ａ、３５ｂを二群
に分けて設け、隣接する島状半導体層３２、３３が同じ
個別電極３４に接続して設けると、電極パターンが簡素
化され、電極の短絡などを防止できると共に、発光ダイ
オードを高精細化させても、これら電極３４、３５と外
部回路との接続面積を大きくとることができるという利
点がある。
に分けて設け、隣接する島状半導体層３２、３３が同じ
個別電極３４に接続して設けると、電極パターンが簡素
化され、電極の短絡などを防止できると共に、発光ダイ
オードを高精細化させても、これら電極３４、３５と外
部回路との接続面積を大きくとることができるという利
点がある。
【００１３】ところが、この従来の半導体発光装置で
は、半導体発光装置の高精細化に伴って、個別電極３４
と外部回路とを接続するワイヤーボンディング時のボー
ルずれなどの影響で発光体を損傷することがあった。特
に、図６に示すようなデュアル構造の発光装置において
は上述のような問題が顕著に現れる。
は、半導体発光装置の高精細化に伴って、個別電極３４
と外部回路とを接続するワイヤーボンディング時のボー
ルずれなどの影響で発光体を損傷することがあった。特
に、図６に示すようなデュアル構造の発光装置において
は上述のような問題が顕著に現れる。
【００１４】また、電極部分の微細化に伴ってワイヤー
ボンディングの位置ずれでショートが発生したり、フリ
ップチップの導電性樹脂やペーストの流れ込みによるシ
ョートが発生することがあるという問題があった。
ボンディングの位置ずれでショートが発生したり、フリ
ップチップの導電性樹脂やペーストの流れ込みによるシ
ョートが発生することがあるという問題があった。
【００１５】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、ワイヤボンディングの位置
ずれによってショートが発生したり、フリップチップ時
の導電性樹脂やペーストの流れ込みによるショートが発
生することなどを解消した半導体発光装置を提供するこ
とを目的とする。
鑑みてなされたものであり、ワイヤボンディングの位置
ずれによってショートが発生したり、フリップチップ時
の導電性樹脂やペーストの流れ込みによるショートが発
生することなどを解消した半導体発光装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る半導体発光装置では、基板上に、一
導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層して設けて絶
縁膜で被覆し、この基板の対向する端部近傍に共通電極
を設けて第１の接続線を介して前記一導電型半導体層に
接続し、この共通電極の内側に個別電極を設けて第２の
接続線を介して前記逆導電型半導体層に接続した半導体
発光装置において、前記共通電極、第１の接続線、およ
び第２の接続線を１００〜３３００Åの膜厚を有する第
２の絶縁膜で被覆した。
に、請求項１に係る半導体発光装置では、基板上に、一
導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層して設けて絶
縁膜で被覆し、この基板の対向する端部近傍に共通電極
を設けて第１の接続線を介して前記一導電型半導体層に
接続し、この共通電極の内側に個別電極を設けて第２の
接続線を介して前記逆導電型半導体層に接続した半導体
発光装置において、前記共通電極、第１の接続線、およ
び第２の接続線を１００〜３３００Åの膜厚を有する第
２の絶縁膜で被覆した。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき詳細に説明する。図１は請求項１に係る半導
体発光装置の一実施形態を示す図、図２は同じく断面図
であり、１は基板、２は化合物半導体から成る一導電型
半導体層、３は同じく化合物半導体から成る逆導電型半
導体層、４は個別電極、５は共通電極である。
面に基づき詳細に説明する。図１は請求項１に係る半導
体発光装置の一実施形態を示す図、図２は同じく断面図
であり、１は基板、２は化合物半導体から成る一導電型
半導体層、３は同じく化合物半導体から成る逆導電型半
導体層、４は個別電極、５は共通電極である。
【００１８】基板１は、シリコン（Ｓｉ）などの単結晶
半導体基板やサファイア（Ａ１2 Ｏ3 ）などの単結晶絶
縁基板などから成る。単結晶半導体基板の場合、（１０
０）面を＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた比抵抗ρ
が１〜３×１０3 Ω・ｃｍ程度の高抵抗基板などが好適
に用いられる。サファイアの場合、Ｃ面基板などが用い
られる。
半導体基板やサファイア（Ａ１2 Ｏ3 ）などの単結晶絶
縁基板などから成る。単結晶半導体基板の場合、（１０
０）面を＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた比抵抗ρ
が１〜３×１０3 Ω・ｃｍ程度の高抵抗基板などが好適
に用いられる。サファイアの場合、Ｃ面基板などが用い
られる。
【００１９】この基板１上には、一導電型半導体層２が
形成されている。この一導電型半導体層２は、格子定数
の不整合による転位を防止するためのバッファ層２ａ
と、電極とのオーミックコンタクトをとるためのコンタ
クト層２ｂと、電子を閉じ込めるためのクラッド層２ｃ
で構成される。バッファ層２ａは１〜４μｍ程度の厚み
に形成され、オーミックコンタクト層２ｂとクラッド層
２ｃは０．１〜１μｍ程度の厚みに形成される。バッフ
ァ層２ａとコンタクト層２ｂはガリウム砒素などから成
り、クラッド層２ｃはアルミニウムガリウム砒素などか
ら成る。コンタクト層２ｂはシリコンなどの一導電型半
導体不純物を５×１０20ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度含有す
る。クラッド層２ｃはシリコンなどの一導電型半導体不
純物を２×１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度まで含有す
る。
形成されている。この一導電型半導体層２は、格子定数
の不整合による転位を防止するためのバッファ層２ａ
と、電極とのオーミックコンタクトをとるためのコンタ
クト層２ｂと、電子を閉じ込めるためのクラッド層２ｃ
で構成される。バッファ層２ａは１〜４μｍ程度の厚み
に形成され、オーミックコンタクト層２ｂとクラッド層
２ｃは０．１〜１μｍ程度の厚みに形成される。バッフ
ァ層２ａとコンタクト層２ｂはガリウム砒素などから成
り、クラッド層２ｃはアルミニウムガリウム砒素などか
ら成る。コンタクト層２ｂはシリコンなどの一導電型半
導体不純物を５×１０20ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度含有す
る。クラッド層２ｃはシリコンなどの一導電型半導体不
純物を２×１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度まで含有す
る。
【００２０】この一導電型半導体層２上には、逆導電型
半導体層３が形成されている。この逆導電型半導体層３
は、発光層３ａ、第二のクラッド層３ｂ、および第２の
コンタクト層３ｃで構成される。発光層３ａとクラッド
層３ｂは０．１〜１μｍ程度の厚みに形成され、第２の
コンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚みに
形成される。発光層３ａ、第二のクラッド層３ｂはアル
ミニウムガリウム砒素などから成り、第２のコンタクト
層３ｃはガリウム砒素などから成る。
半導体層３が形成されている。この逆導電型半導体層３
は、発光層３ａ、第二のクラッド層３ｂ、および第２の
コンタクト層３ｃで構成される。発光層３ａとクラッド
層３ｂは０．１〜１μｍ程度の厚みに形成され、第２の
コンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚みに
形成される。発光層３ａ、第二のクラッド層３ｂはアル
ミニウムガリウム砒素などから成り、第２のコンタクト
層３ｃはガリウム砒素などから成る。
【００２１】発光層３ａと第二のクラッド層３ｂは、電
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してＡｌＡ
ｓとＧａＡｓの混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第
二のクラッド層３ｂは亜鉛などの逆導電型半導体不純物
を５×１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度まで含有する。第
２のコンタクト層３ｃは、亜鉛などの逆導電型半導体不
純物を２×１０19ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3以上含有する。
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してＡｌＡ
ｓとＧａＡｓの混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第
二のクラッド層３ｂは亜鉛などの逆導電型半導体不純物
を５×１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度まで含有する。第
２のコンタクト層３ｃは、亜鉛などの逆導電型半導体不
純物を２×１０19ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3以上含有する。
【００２２】この一導電型半導体層２と逆導電型半導体
層３は、絶縁膜６で被覆されている。この絶縁膜６は、
屈折率が１．８０〜１．９０で、厚みが１００〜３３０
０Å程度の窒化シリコン膜などで構成される。
層３は、絶縁膜６で被覆されている。この絶縁膜６は、
屈折率が１．８０〜１．９０で、厚みが１００〜３３０
０Å程度の窒化シリコン膜などで構成される。
【００２３】この絶縁膜６の一導電型半導体層２のオー
ミックコンタクト層２６部分には、第１のコンタクトホ
ールＣ1 が形成されており、逆導電型半導体層３のオー
ミックコンタクト層３ｃ部分には第２のコンタクトホー
ルＣ2 が形成されている。
ミックコンタクト層２６部分には、第１のコンタクトホ
ールＣ1 が形成されており、逆導電型半導体層３のオー
ミックコンタクト層３ｃ部分には第２のコンタクトホー
ルＣ2 が形成されている。
【００２４】基板１の対向する端部近傍には共通電極５
ａ、５ｂが設けられている。この共通電極５ａ、５ｂは
半導体基板１の端部から例えば３０μｍ程度内側に形成
される。この共通電極５ａ、５ｂは第１の接続線７を介
して一導電型半導体層２に接続されている。
ａ、５ｂが設けられている。この共通電極５ａ、５ｂは
半導体基板１の端部から例えば３０μｍ程度内側に形成
される。この共通電極５ａ、５ｂは第１の接続線７を介
して一導電型半導体層２に接続されている。
【００２５】また、この共通電極５ａ、５ｂの内側には
個別電極４が設けられており、この個別電極４は第２の
接続線８を介して逆導電型半導体層３に接続されてい
る。
個別電極４が設けられており、この個別電極４は第２の
接続線８を介して逆導電型半導体層３に接続されてい
る。
【００２６】前記第１のコンタクト層２ｂには、絶縁膜
７に形成されたコンタクトホールＣ1 を介して第１の接
続線７が接続されており、第２のコンタクト層３ｃには
絶縁膜７に形成されたコンタクトホールＣ2 を介して第
２の接続線８が接続されている。この個別電極４、共通
電極５、第１の接続線７、および第２の接続線８は金
（Ａｕ）や金とクロム（Ｃｒ）の二層構造のものなどで
形成され、１μｍ程度の厚みに形成される。
７に形成されたコンタクトホールＣ1 を介して第１の接
続線７が接続されており、第２のコンタクト層３ｃには
絶縁膜７に形成されたコンタクトホールＣ2 を介して第
２の接続線８が接続されている。この個別電極４、共通
電極５、第１の接続線７、および第２の接続線８は金
（Ａｕ）や金とクロム（Ｃｒ）の二層構造のものなどで
形成され、１μｍ程度の厚みに形成される。
【００２７】この共通電極５ａ、５ｂ、第１の接続線
７、および第２の接続線８は第２の絶縁膜９によって被
覆されている。この第２の絶縁膜９も窒化シリコン膜な
どから成る。つまり、外部回路との接続部となる個別電
極４が露出するように第２の絶縁膜９が形成される。
７、および第２の接続線８は第２の絶縁膜９によって被
覆されている。この第２の絶縁膜９も窒化シリコン膜な
どから成る。つまり、外部回路との接続部となる個別電
極４が露出するように第２の絶縁膜９が形成される。
【００２８】この第２の絶縁膜９は、１００〜３３００
Åの厚みに形成される。すなわち、発光部となる半導体
層２、３上の絶縁膜は、通常、ｄ＝（λ／４ｎ）・（２
ｍ＋１）を満たすような膜厚に設定され（ｄ：ＳｉＮx
の膜厚、λ：７４０ｎｍ、ｎ：ＳｉＮx の屈折率、ｍ：
整数）、屈折率が１．８０〜１．９０の窒化シリコン膜
の場合、第２の絶縁膜９は、光の取出効率を考慮して、
下層の絶縁膜６と合わせた厚みが３０００〜３３００Å
もしくは１１００〜１６００Åとなるように形成され
る。絶縁耐圧を考慮すると、窒化シリコン膜の場合は最
低１００Åの厚みが必要である。したがって、いずれか
の絶縁膜を１００Åに設定すると他の絶縁膜は、２９０
０〜３３００Å若しくは１０００〜１５００Åの厚みと
なる。
Åの厚みに形成される。すなわち、発光部となる半導体
層２、３上の絶縁膜は、通常、ｄ＝（λ／４ｎ）・（２
ｍ＋１）を満たすような膜厚に設定され（ｄ：ＳｉＮx
の膜厚、λ：７４０ｎｍ、ｎ：ＳｉＮx の屈折率、ｍ：
整数）、屈折率が１．８０〜１．９０の窒化シリコン膜
の場合、第２の絶縁膜９は、光の取出効率を考慮して、
下層の絶縁膜６と合わせた厚みが３０００〜３３００Å
もしくは１１００〜１６００Åとなるように形成され
る。絶縁耐圧を考慮すると、窒化シリコン膜の場合は最
低１００Åの厚みが必要である。したがって、いずれか
の絶縁膜を１００Åに設定すると他の絶縁膜は、２９０
０〜３３００Å若しくは１０００〜１５００Åの厚みと
なる。
【００２９】次に、上述のような半導体発光装置の製造
方法を説明する。まず、基板１上に、一導電型半導体層
２と、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順次積
層して形成する。まず、基板温度を４００〜５００℃に
設定して１００〜１０００Å程度の厚みにアモルファス
状のガリウム砒素膜を形成した後、基板温度を７００〜
９００℃に上げて所望厚みの半導体層２、３を形成す
る。この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（ＣＨ3 ）3
Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ2 ）3 Ｇａ）、アルシン（Ａ
ｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥＡ（（Ｃ
2 Ｈ2 ）3 Ａｌ）などが用いられ、逆導電型を制御する
ためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化水
素（Ｈ2 Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ33）3 Ｚｎ）などが用
いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2 などが用いられ
る。
方法を説明する。まず、基板１上に、一導電型半導体層
２と、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順次積
層して形成する。まず、基板温度を４００〜５００℃に
設定して１００〜１０００Å程度の厚みにアモルファス
状のガリウム砒素膜を形成した後、基板温度を７００〜
９００℃に上げて所望厚みの半導体層２、３を形成す
る。この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（ＣＨ3 ）3
Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ2 ）3 Ｇａ）、アルシン（Ａ
ｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥＡ（（Ｃ
2 Ｈ2 ）3 Ａｌ）などが用いられ、逆導電型を制御する
ためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化水
素（Ｈ2 Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ33）3 Ｚｎ）などが用
いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2 などが用いられ
る。
【００３０】次に、メサエッチングにより、一導電型半
導体層２と逆導電型半導体層３とを島状にパターニング
する。このような半導体層２、３のパターニングは、硫
酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウエットエッチ
ングなどで行われる。
導体層２と逆導電型半導体層３とを島状にパターニング
する。このような半導体層２、３のパターニングは、硫
酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウエットエッチ
ングなどで行われる。
【００３１】次に、ドット分離のために、一導電型半導
体層２と第１の接続線７との接続部が逆導電型半導体層
３から露出するようにエッチングされる。この逆導電型
半導体層３のエッチングも、硫酸過酸化水素系のエッチ
ング液を用いたウエットエッチングなどで行われる。
体層２と第１の接続線７との接続部が逆導電型半導体層
３から露出するようにエッチングされる。この逆導電型
半導体層３のエッチングも、硫酸過酸化水素系のエッチ
ング液を用いたウエットエッチングなどで行われる。
【００３２】次に、シランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニ
アガス（ＮＨ3 ）を用いたプラズマＣＶＤ法などで窒化
シリコンなどから成る絶縁膜６を形成した後、接続線
７、８との接続部にコンタクトホールＣ1 、Ｃ2 を形成
する。
アガス（ＮＨ3 ）を用いたプラズマＣＶＤ法などで窒化
シリコンなどから成る絶縁膜６を形成した後、接続線
７、８との接続部にコンタクトホールＣ1 、Ｃ2 を形成
する。
【００３３】次に、個別電極４、共通電極５、第１の接
続線７、および第２の接続線８となる金属膜を蒸着法や
スパッタリング法で形成して、パターニングすることで
個別電極４、共通電極５、第１の接続線７、および第２
の接続線８が形成する。
続線７、および第２の接続線８となる金属膜を蒸着法や
スパッタリング法で形成して、パターニングすることで
個別電極４、共通電極５、第１の接続線７、および第２
の接続線８が形成する。
【００３４】次に、プラズマＣＶＤ法で窒化シリコン(
ＳｉＮx 膜を１００〜３３００Å程度の厚みに形成す
る。ＳｉＨ2 ／ＮＨ3 ＝０．１３程度で屈折率は１．８
０〜１．９０が望ましい。このＳｉＮx 膜の個別電極４
部分を個別電極４よりも若干小さいサイズでエッチング
する。この場合、バッファーＨＦ液を用いることによ
り、個別電極４と金属との間のエッチングの選択性を持
たせることができる。
ＳｉＮx 膜を１００〜３３００Å程度の厚みに形成す
る。ＳｉＨ2 ／ＮＨ3 ＝０．１３程度で屈折率は１．８
０〜１．９０が望ましい。このＳｉＮx 膜の個別電極４
部分を個別電極４よりも若干小さいサイズでエッチング
する。この場合、バッファーＨＦ液を用いることによ
り、個別電極４と金属との間のエッチングの選択性を持
たせることができる。
【００３５】最後に、ダイヤモンドソーなどで個々の半
導体チップに分割して完成する。
導体チップに分割して完成する。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
装置によれば、共通電極、第１の接続線、および第２の
接続線を１００〜３３００Åの膜厚を有する第２の絶縁
膜で被覆したことから、ワイヤボンディングずれによっ
てワイヤボンディング部にショートが発生したり、フリ
ップチップ時の導電性樹脂やペーストの流れ込みによる
ショートなどが発生することがなく、半導体発光装置の
高精細化で複雑の配線パターンやピッチの狭い配線が並
んでいる半導体発光装置に適した半導体発光装置とな
る。
装置によれば、共通電極、第１の接続線、および第２の
接続線を１００〜３３００Åの膜厚を有する第２の絶縁
膜で被覆したことから、ワイヤボンディングずれによっ
てワイヤボンディング部にショートが発生したり、フリ
ップチップ時の導電性樹脂やペーストの流れ込みによる
ショートなどが発生することがなく、半導体発光装置の
高精細化で複雑の配線パターンやピッチの狭い配線が並
んでいる半導体発光装置に適した半導体発光装置とな
る。
【図ｌ】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】従来の半導体発光装置を示す平面図である。
【図４】従来の半導体発光装置を示す断面図である。
【図５】従来の他の半導体発光装置を示す平面図であ
る。
る。
【図６】従来の他の半導体発光装置を示す断面図であ
る。
る。
１‥‥‥基板、２‥‥‥一導電型半導体層、３‥‥‥逆
導電型半導体層、４‥‥‥個別電極、５‥‥‥共通電
極、７‥‥‥第１の接続線、８‥‥‥第２の接続線
導電型半導体層、４‥‥‥個別電極、５‥‥‥共通電
極、７‥‥‥第１の接続線、８‥‥‥第２の接続線
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、一導電型半導体層と逆導電型
半導体層を積層して設けて絶縁膜で被覆し、この基板の
対向する端部近傍に共通電極を設けて第１の接続線を介
して前記一導電型半導体層に接続し、この共通電極の内
側に個別電極を設けて第２の接続線を介して前記逆導電
型半導体層に接続した半導体発光装置において、前記共
通電極、第１の接続線、および第２の接続線を１００〜
３３００Åの膜厚を有する第２の絶縁膜で被覆したこと
を特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜と第２の絶縁膜とを合わせた
膜厚が１１００〜１６００Å若しくは３０００〜３４０
０Åであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11757798A JPH11312824A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11757798A JPH11312824A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312824A true JPH11312824A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14715272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11757798A Pending JPH11312824A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312824A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030007061A (ko) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | 히다찌 케이블 리미티드 | 발광 다이오드 어레이 |
| JP2005526403A (ja) * | 2002-05-14 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | 標準パッケージで使用される信頼性が高い強固なｉｉｉ族発光ダイオード |
| JP2010045419A (ja) * | 2006-01-09 | 2010-02-25 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光装置 |
| EP2200085A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-23 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP11757798A patent/JPH11312824A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030007061A (ko) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | 히다찌 케이블 리미티드 | 발광 다이오드 어레이 |
| JP2005526403A (ja) * | 2002-05-14 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | 標準パッケージで使用される信頼性が高い強固なｉｉｉ族発光ダイオード |
| JP2010016409A (ja) * | 2002-05-14 | 2010-01-21 | Cree Inc | 標準パッケージで使用される信頼性が高い強固なｉｉｉ族発光ダイオード |
| JP2010045419A (ja) * | 2006-01-09 | 2010-02-25 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光装置 |
| US7700960B2 (en) | 2006-01-09 | 2010-04-20 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode with ITO layer and method for fabricating the same |
| JP4523670B2 (ja) * | 2006-01-09 | 2010-08-11 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光装置 |
| US7998761B2 (en) | 2006-01-09 | 2011-08-16 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode with ITO layer and method for fabricating the same |
| EP2200085A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-23 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
| EP2200086A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-23 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode having a plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
| JP2010147463A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法 |
| US7846755B2 (en) | 2008-12-17 | 2010-12-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4699258B2 (ja) | フリップチップ発光ダイオード及びその製造方法 | |
| KR101000276B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
| JPH11312824A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4012716B2 (ja) | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 | |
| JP4382902B2 (ja) | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 | |
| JP3517101B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP3540947B2 (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP3735459B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH11135837A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4126448B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP2958182B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2948967B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2001244500A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3638413B2 (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JP3690655B2 (ja) | Ｌｅｄアレイ | |
| JP3426891B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2002232004A (ja) | Ｌｅｄアレイ | |
| JP4247937B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP4184521B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP4045044B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP3426834B2 (ja) | 発光ダイオードアレイの製造方法 | |
| JPH11186589A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JP4436528B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2003078161A (ja) | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 | |
| JP2000252518A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040309 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040510 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040831 |