JP2010147463A - 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010147463A
JP2010147463A JP2009273134A JP2009273134A JP2010147463A JP 2010147463 A JP2010147463 A JP 2010147463A JP 2009273134 A JP2009273134 A JP 2009273134A JP 2009273134 A JP2009273134 A JP 2009273134A JP 2010147463 A JP2010147463 A JP 2010147463A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating layer
layer
light emitting
wiring
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009273134A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5706082B2 (ja
Inventor
大 成 ▲葛▼
Dae Sung Kal
Daewon Kim
大 原 金
Won Cheol Seo
源 哲 徐
▲景▼ 熙 ▲内▼
Kyung Hee Ye
Joo Woong Lee
柱 雄 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Publication of JP2010147463A publication Critical patent/JP2010147463A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5706082B2 publication Critical patent/JP5706082B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82909—Post-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/82951—Forming additional members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

【課題】外部からの湿気浸透又は外部衝撃による配線の断線、配線抵抗の増加又は各発光セルの性能低下を防止することができる発光ダイオード及びそれを製造する方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に互いに分離した複数の発光セルを形成し、発光セルは、下部半導体層と、下部半導体層の一部領域上に位置する上部半導体層と、下部半導体層と上部半導体層との間に配置された活性層と、をそれぞれ含み、複数の発光セルの全面を覆う第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層は、下部半導体層の他の領域上及び上部半導体層上に形成された開口部を有し、第１の絶縁層上に開口部を介して隣接する発光セルを電気的に接続する配線を形成し、第１の絶縁層及び配線を覆う第２の絶縁層を形成することを含み、第１の絶縁層及び第２の絶縁層は同一の材質で形成され、第１の絶縁層は、第２の絶縁層に比べて厚いことを特徴とする発光ダイオード製造方法が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオード及びその製造方法に関するものである。より詳細には、本発明は、複数の発光セル、発光セルを相互に接続する配線、および発光セルと配線とを保護するための絶縁層を有する発光ダイオード、及びその製造方法に関する。
窒化ガリウム（ＧａＮ）系の青色発光ダイオードが開発されて以来、発光ダイオードの発光効率を向上させるための多様な試みがなされてきており、多様な応用分野に適用するための様々な構造的な改良がなされている。窒化ガリウム系の青色又は紫外線発光ダイオードは、現在、自然光ＬＥＤ素子、ＬＥＤ信号機、白色ＬＥＤなどの用途に広く用いられており、一般的な照明分野において白色蛍光ランプに代わるものと期待されている。
発光ダイオードは、一般的に、順方向電流によって発光し、直流電流の供給を必要とする。順方向電流で動作する発光ダイオードの特性を考慮して、複数の発光セルを逆並列に接続したり、ブリッジ整流器を用いて交流電源で複数の発光セルを動作させたりする技術が開発され、製品化されている。また、同一基板上に複数の発光セルを形成し、これらを直列及び並列に接続することによって、高電圧直流電源で高出力及び高効率の発光が可能な発光ダイオードが開発されている。これら発光ダイオードは、同一基板上に複数の発光セルを形成し、配線を介してこれら発光セルを接続することによって、交流又は直流電源で高出力、高効率の発光が可能である。
複数の発光セルを高電圧の交流又は直流電源に接続した発光ダイオードは、例えば、“複数の発光素子を有する発光装置”（ＬＩＧＨＴ―ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥ Ｈ
ＡＶＩＮＧ ＬＩＧＨＴ―ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＥＬＥＭＥＮＴＳ）という発明の名称で酒井らの特許文献１に開示されている。
複数の発光セルはエアブリッジ配線によって相互に電気的に接続され、このような配線の接続を通して交流又は直流電源で駆動する発光ダイオードを提供する。
しかしながら、エアブリッジ配線を用いた発光セルの接続は、配線の信頼性の低下、すなわち、外部からの湿気や衝撃による配線の断線や配線抵抗の増加などの問題を生じやすい。このような問題を回避するために、ステップカバー工程を用いた配線形成技術が使用されている。ステップカバー工程は、発光セルを覆う絶縁層を形成して絶縁層上に配線を形成する工程で、配線が絶縁層上に置かれるため、エアブリッジに比べて構造的に安定である。
しかしながら、ステップカバー工程を用いて配線が形成される場合にも、外部に露出することで、湿気や外部の衝撃によって配線が断線することもある。複数の発光セルを有する発光ダイオードの場合、多くの配線が用いられており、これらのうち何れか一つの配線が断線しても、発光ダイオード全体を動作させることができない。また、多数の配線が使用されることにより外部からの湿気が発光セルの内部に浸透しやすくなり、これによって、発光セルの発光効率が低下する。
一方、発光ダイオードを一般照明などの実際の用途に使用する場合、蛍光物質により紫外線又は青色光を長波長の光に変換することによって、白色光などの多様な色の光を実現する必要がある。従来、このような蛍光物質は、パッケージレベルで短波長の光を発光する発光ダイオードを覆うエポキシ樹脂などに含まれていた。このような白色発光ダイオー
ドは、発光ダイオードチップの製造工程と別に、パッケージング工程で蛍光物質を含有する色変換物質層が形成されるので、発光ダイオードのパッケージング工程を複雑にし、パッケージング工程における不良率を高くする。パッケージング工程の不良は、発光ダイオードチップ製造工程の不良に比べて相当大きな費用損失をもたらす。
国際公開第２００４／０２３５６８号
本発明は、上述の問題や他の関連した技術における問題を解決するもので、外部からの湿気浸透又は衝撃による配線の断線、配線抵抗の増加又は発光セルの性能低下を防止することができる発光ダイオード及びその製造方法を提供することを課題とする。
本発明のもう１つの技術的課題は、配線及び発光セルを保護するための絶縁層を有し、絶縁層とそれが形成される下地層との間の接着力を強化することができる発光ダイオード、及びその製造方法を提供することである。
本発明のさらなる技術的課題は、チップレベルで発光セルから発する光の波長を変換する蛍光物質を有する発光ダイオード、及びその製造方法を提供することである。
本発明の一実施形態によると、同一基板上に互いに分離して配置され、下部半導体層と、前記下部半導体層の一つの領域上に位置する上部半導体層と、前記上部半導体層と前記下部半導体層との間に配置された活性層と、をそれぞれ含む複数の発光セルと、前記発光セルの表面全体を覆い、且つ前記下部半導体層の他の領域及び前記上部半導体層上にそれぞれ形成された開口部を有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成され、且つ前記開口部を介して隣接する発光セルを互いに電気的に接続する配線と、前記第１の絶縁層及び前記配線を覆う第２の絶縁層と、を含む発光ダイオードが提供される。また、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は同一の材質で形成され、前記第１の絶縁層は前記第２の絶縁層より厚い。
第２の絶縁層が配線及び発光セルを覆うため、外部からの湿気浸透や衝撃から配線及び発光セルを保護することができる。さらに、第１の絶縁層と第２の絶縁層を同一の材質で形成するため、第１の絶縁層と第２の絶縁層との接着力が向上することにより、第２の絶縁層の剥離を防止することができる。また、第２の絶縁層に比べて第１の絶縁層を相対的に厚くすることによって、第２の絶縁層の剥離をさらに防止することができる。
第１の絶縁層は４５００Å〜１μｍの厚さを有し、第２の絶縁層は５００Åより厚くてもよい。第１の絶縁層が４５００Å以下である場合には、配線と発光セルとの間に電気的短絡が発生しやすい。一方、第１の絶縁層が厚いほど配線と発光セルとの間の電気的短絡を防止できるが、過度に厚いと、光透過率が低下し、発光効率が低下する。したがって、第２の絶縁層は１μｍ以下の厚さで形成されることが望ましい。一方、第２の絶縁層が５００Åより薄い場合には、外部からの湿気浸透を防止することが難しく、発光セルを保護することが難しい。
ここで、第１の絶縁層及び第２の絶縁層の厚さは、特に限定しない限り、平らな基板上に形成されるときの厚さを意味する。一般的に、実際に発光ダイオードに形成された第１の絶縁層又は第２の絶縁層の厚さは、上述の厚さに比べて薄い。
第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、プラズマＣＶＤ法（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成されたシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってもよい。シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜は２００〜３００℃の温度で形成されてもよい。
特に、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の形成温度の−２０％〜＋２０％の範囲内の温度で形成された層であることが望ましい。プラズマＣＶＤの場合、形成温度によって形成した膜の質が相当変わり得る。したがって、ほぼ類似した温度で形成された第１の絶縁層及び第２の絶縁層を採択することによって、第２の絶縁層と第１の絶縁層との接着力を改善することができる。
一方、配線は、第１の絶縁層に接する下部層及び第２の絶縁層に接する上部層を含む多層膜構造であってもよい。下部層はＣｒ層又はＴｉ層であってもよく、また、上部層もＣｒ層又はＴｉ層であってもよい。特に、第１の絶縁層が酸化層又は窒化層である場合、Ｃｒ層又はＴｉ層は第１の絶縁層に強く接着できる。さらに、Ｃｒ層又はＴｉ層を熱処理することによって、接着力をさらに強化させることができる。併せて、下部層と上部層との間にＡｕ層、Ａｕ／Ｎｉ層又はＡｕ／Ａｌ層が配置されてもよい。
一方、第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、ポリマー、例えば、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ―ｏｎ―ｇｌａｓｓ）又はＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）から形成されてもよい。これら層はスピンコーティングを用いて形成されるので、形成工程が非常に単純である。また、第２の絶縁層は、少なくとも一部領域に蛍光体を含有してもよい。これによって、チップレベルで白色光又は多様な色を実現することができる。
これに対して、第２の絶縁層上に蛍光体層を形成してもよい。このような蛍光体層は、例えば、樹脂に蛍光体を混入して塗布したり、電気泳動法を使用してコーティングしたりしてもよい。
一方、第１の絶縁層と上部半導体層との間に透明電極層を配置してもよい。透明電極層はＩＴＯか、又は透明な金属から形成してもよい。透明電極層を透明な金属から形成する場合、透明電極層は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｒ及びＴｉからなる群から選択された少なくとも一つの金属を含んでもよい。
配線は、透明電極層に接続され、上部半導体層に電気的に接続されてもよい。また、透明電極層は上部半導体層が露出する開口部を有してもよく、透明電極層の開口部は配線を充填してもよい。
本発明の他の実施形態によると、下部半導体層と、前記下部半導体層の一領域上に位置する上部半導体層と、前記上部半導体層と前記下部半導体層との間に配置された活性層と、をそれぞれ含む互いに分離した複数の発光セルを同一基板上に形成し、前記複数の発光セルの表面全体を覆い、且つ前記下部半導体層の他の領域及び前記上部半導体層上に形成された開口部を有する第１の絶縁層を形成し、前記第１の絶縁層上に前記開口部を介して隣接する発光セルに互いに電気的に接続する配線を形成し、前記第１の絶縁層と前記配線とを覆う第２の絶縁層を形成する発光ダイオードの製造方法が提供される。また、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は同一の材質で形成され、前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層より厚い。
これによって、配線と発光セルとを外部からの湿気や衝撃から保護することができ、第１の絶縁層と第２の絶縁層との接着力を強化することができる。
一方、第１の絶縁層は４５００Å〜１μｍの範囲内の厚さを有してもよく、第２の絶縁層は５００Åより厚くてもよい。さらに、第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、プラズマＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化層又はシリコン窒化層であってもよい。第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、２００〜３００℃の温度で形成されてもよい。また、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の形成温度の−２０％〜＋２０％の範囲内の温度で形成されてもよい。
一方、配線は、第１の絶縁層に接する下部層及び第２の絶縁層に接する上部層を含んでもよい。ここで、下部層はＣｒ層又はＴｉ層であってもよく、上部層もＣｒ層又はＴｉ層であってもよい。また、第２の絶縁層を形成する前に、配線と第１の絶縁層との界面接着特性を改善するために配線が熱処理されてもよい。このとき、配線は３００〜５００℃の温度範囲で熱処理されてもよい。
本発明のいくつかの実施形態において、第１の絶縁層及び第２の絶縁層はポリマーで形成されてもよい。さらに、第２の絶縁層は蛍光体を含有してもよい。
本発明の他の実施形態において、第２の絶縁層上に蛍光体層を形成してもよい。蛍光体層は、電気泳動法により、又は、例えば、樹脂に蛍光体を分散させて得られる樹脂と蛍光体との混合物を第２の絶縁層上に塗布することにより形成してもよい。
一方、複数の発光セルの形成には、上部半導体層上に透明電極層を形成することをさらに含んでもよい。透明電極層は５００〜８００℃の温度で熱処理してもよい。また、透明電極層は、上部半導体層を露出した開口部を有するように形成し、開口部は配線によって充填してもよい。
本発明によると、第１の絶縁層と第２の絶縁層を同一の材質で形成するとともに、第１の絶縁層を第２の絶縁層よりも厚く形成することによって、第１の絶縁層と第２の絶縁層との接着力を強化させ、第２の絶縁層の剥離を防止することができる。また、第２の絶縁層が配線及び発光セルを覆うので、外部からの湿気が発光ダイオード内に浸透することを防止することができ、外部の衝撃から配線及び発光セルを保護することができる。
さらに、絶縁層に対する接着力の強いＣｒ層又はＴｉ層を配線の下部層及び上部層として設けるので、配線と絶縁層との間の接着力も強化され、これによって第２の絶縁層の剥離をさらに防止することができる。
また、第２の絶縁層内に蛍光体を含ませたり、第２の絶縁層上に蛍光体層を形成したりすることによって、チップレベルで白色光などの多様な色の光を実現することができ、パッケージ工程を単純化することができる。
本発明の一実施形態に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。 第１の絶縁層と第２の絶縁層の形成温度による信頼性テスト合格率を示すグラフである。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態に係る発光ダイオード製造方法を説明するための断面図である。
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。以下で紹介する実施形態は、当業者が本発明を充分に理解するための例として示すものである。したがって、本発明は、以下で説明する実施形態に限定されることなく、他の形態で具体化することも可能である。そして、図面において、構成要素の幅、長さ及び厚さなどは、便宜上、誇張して表現することがある。明細書及び図面の全般にわたって、同一の参照番号は同一の構成要素を示している。
図１は、本発明の一実施形態に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。
図１を参照すると、本実施形態に係る発光ダイオードは、基板５１、複数の発光セル５６、第１の絶縁層６３、配線６５及び第２の絶縁層６７を含み、バッファ層５３、透明電極層６１及び蛍光体層６９をさらに含んでもよい。基板５１は、絶縁基板、例えば、サファイア基板である。
同一の基板５１上に複数の発光セル５６を互いに分離して配置する。発光セル５６は、下部半導体層５５と、下部半導体層５５の一つの領域上に位置する上部半導体層５９と、下部半導体層５５と上部半導体層５９との間に配置した活性層５７とを含む。ここで、下部及び上部半導体層は、それぞれｎ型及びｐ型であるか、又はｐ型及びｎ型である。
下部半導体層５５、活性層５７及び上部半導体層５９は、それぞれ窒化ガリウム系の半導体物質、すなわち、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎで形成される。活性層５７は、所望の波長の光、例えば、紫外線又は青色光を放出するように組成元素及びその組成比が決定され、下部半導体層５５及び上部半導体層５９は、活性層５７に比べてバンドギャップの大きい物質で形成される。
下部半導体層５５及び／又は上部半導体層５９は、図示したように、単一の層で形成されるが、多層構造で形成してもよい。また、活性層５７は、単一量子井戸又は多重量子井戸構造であってもよい。
一方、発光セル５６と基板５１との間にはバッファ層５３が配置される。バッファ層５３は、基板５１とその上に形成される下部半導体層５５との格子不整合を緩和させるために導入する。
第１の絶縁層６３は発光セル５６の全面を覆う。第１の絶縁層６３は、下部半導体層５５の他の領域、すなわち、上部半導体層５９が形成された下部半導体層５５の領域に隣接する領域上に開口部を有し、また、上部半導体層５９上に開口部を有する。発光セル５６の側壁が第１の絶縁層６３によって覆われるように、開口部は互いに分離して配置される。また、第１の絶縁層６３は、発光セル５６の間の領域内の基板５１も覆う。第１の絶縁層６３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）又はシリコン窒化膜で形成されてもよく、プラズマＣＶＤを用いて２００〜３００℃の温度範囲で形成されてもよい。このとき、第１の絶縁層６３は、４５００Å〜１μｍの厚さで形成されることが望ましい。第１の絶縁層が４５００Åより薄い厚さで形成される場合、層が覆うときの特性によって、発光セルの下側では相対的に厚さが薄い第１の絶縁層が形成され、第１の絶縁層上に形成される配線と発光セルとの間に電気的短絡が発生しうる。一方、第１の絶縁層は、その厚さが厚いほど容易に電気的短絡を防止できるが、光透過率を低下させ、発光効率を減少させるので、１μｍの厚さを超えないことが望ましい。
一方、配線６５は第１の絶縁層６３上に形成される。配線６５は、開口部を介して下部半導体層５５及び上部半導体層５９に電気的に接続される。また、配線６５は、隣接した発光セル５６の下部半導体層５５と上部半導体層５９とを互いに電気的に接続し、発光セル５６の直列アレイを形成することができる。これらアレイは複数形成されており、複数のアレイは、互いに逆並列に接続され、交流電源に接続されて駆動される。また、発光セルの直列アレイに接続されたブリッジ整流器（図示せず）を形成してもよく、ブリッジ整流器によって発光セルを交流電源で駆動することも可能である。ブリッジ整流器は、配線６５により発光セル５６と同一構造の発光セルを結線することによって形成してもよい。
また、配線６５は、隣接した発光セルの下部半導体層５５を互いに接続したり、上部半導体層５９を互いに接続したりもできる。これによって、直列または並列に接続された複数の発光セル５６が提供される。
配線６５は、導電物質、例えば、多結晶シリコンなどのドーピングされた半導体物質又は金属で形成される。特に、配線６５は多層構造で形成してもよく、例えば、Ｃｒ又はＴｉの下部層６５ａと、Ｃｒ又はＴｉの上部層６５ｃとを含んでもよい。また、Ａｕ、Ａｕ／Ｎｉ又はＡｕ／Ａｌの中間層６５ｂが下部層６５ａと上部層６５ｃとの間に配置されてもよい。
一方、透明電極層６１が上部半導体層５９と第１の絶縁層６３との間に配置される。透明電極層６１は、上部半導体層５９上に形成された開口部によって露出される。透明電極層６１は、活性層５７で生成された光を透過させ、各上部半導体層５９に電流を分散させて供給する。配線６５は、開口部によって露出された透明電極層６１に接触し、上部半導体層５５に電気的に接続される。また、透明電極層６１は、上部半導体層５９を露出させる開口部を有してもよく、配線６５が透明電極層内の開口部を充填してもよい。
第２の絶縁層６７は配線６５及び第１の絶縁層６３を覆う。第２の絶縁層６７は、配線６５の湿気などによる汚染を防止し、外部衝撃による配線６５及び発光セル５６の損傷を防止する。
第２の絶縁層６７は、第１の絶縁層６３と同一の材質、すなわち、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）又はシリコン窒化膜で形成してもよい。第２の絶縁層６７は、第１の絶縁層と同様に、プラズマＣＶＤを用いて２００〜３００℃の温度範囲で形成された層であってもよい。さらに、第１の絶縁層６３がプラズマＣＶＤを用いて形成された層である場合、第２の絶縁層６７は、第１の絶縁層６３の形成温度に対して−２０％〜＋２０％の温度範囲内で
形成された層であることが望ましく、同一の形成温度で形成された層であることがより望ましい。
このような結果は、図２から確認することができる。図２は、第１の絶縁層６３としてシリコン酸化膜を２５０℃で形成し、第２の絶縁層６７として形成温度を変化させながらシリコン酸化膜を形成したサンプルから、１０００時間の信頼性テストを合格したサンプルの合格率を％で示したグラフである。第２の絶縁層の形成温度別に２０個のサンプルを準備し、各サンプルに対して加湿条件でテストを行った。図２を見ると、第２の絶縁層を第１の絶縁層６３の形成温度（２５０℃）に対して±２０％内の形成温度で形成した場合、優れた信頼性を示しており、これを超える温度範囲で形成された場合、信頼性が急激に減少する。また、第１の絶縁層と第２の絶縁層が同一の形成温度で形成された場合、合格率は１００％で、最も高い信頼性を示す。
一方、第２の絶縁層６７は、第１の絶縁層６３に比べて薄く、５００Å以上の厚さが望ましい。第２の絶縁層６７が第１の絶縁層６３に比べて薄いので、第２の絶縁層が第１の絶縁層から剥離するのを防止することができる。また、第２の絶縁層６７が５００Åより薄い場合、外部の衝撃又は湿気の浸透から配線及び発光セルを保護するのは難しい。
蛍光体層６９は、樹脂に蛍光体が分散された層であるか、又は電気泳動法によって形成された層である。蛍光体層６９は、第２の絶縁層６７を覆い、発光セル５６から発光した光の波長を変換する。
図３〜図９は、本発明の一実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための断面図である。
図３を参照すれば、基板５１上に下部半導体層５５、活性層５７及び上部半導体層５９が形成される。また、下部半導体層５５を形成する前に、基板５１上にバッファ層５３を形成してもよい。
基板５１は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガリウム燐（ＧａＰ）、リチウム―アルミナ（ＬｉＡｌ２Ｏ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）基板でもよく、これに限定されず、基板５１上に形成される半導体層の材料によって多様に選択される。
バッファ層５３は、基板５１とその上に形成される半導体層５５との格子不整合を緩和するために形成され、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で形成してもよい。基板５１が導電性基板である場合、バッファ層５３は、絶縁層又は半絶縁層で形成されることが望ましく、ＡｌＮ又は半絶縁ＧａＮで形成してもよい。
下部半導体層５５、活性層５７及び上部半導体層５９は、それぞれ窒化ガリウム系の半導体物質、すなわち、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎで形成してもよい。下部及び上部半導体層５５、５９及び活性層５７は、有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）又は水素化物気相エピタキシー法（ｈｙｄｒｉｄｅ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ；ＨＶＰＥ）技術などを使用して断続的に又は連続的に成長される。
ここで、下部及び上部半導体層は、それぞれｎ型及びｐ型、又はｐ型及びｎ型の半導体層である。窒化ガリウム系化合物の半導体層で、ｎ型半導体層は、不純物として、例えば、シリコン（Ｓｉ）をドーピングして形成してもよく、ｐ型半導体層は、不純物として、
例えば、マグネシウム（Ｍｇ）をドーピングして形成してもよい。
図４を参照すれば、上部半導体層５９、活性層５７及び下部半導体層５５をパターニングし、互いに分離するように発光セル５６を形成する。このとき、下部半導体層５５の一部領域上に上部半導体層５９が位置し、下部半導体層５５の他の領域は露出される。一方、前発光セルの間のバッファ層５３が除去され、基板５１が露出される。
図５を参照すれば、発光セル５６の上部半導体層５９上に透明電極層６１を形成してもよい。透明電極層６１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの金属酸化物で形成してもよく、又は透明金属で形成してもよい。透明金属の場合、透明電極層６１は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｒ及びＴｉからなる群から選択された少なくとも一つの金属又はこれらの合金を含むことができる。
一方、透明電極層６１は、上部半導体層５９を露出させる開口部６１ａを有してもよい。透明電極層６１は、発光セル５６上に形成するが、発光セル５６を形成する前に上部半導体層５９上に形成し、上部半導体層５９をパターニングする前にパターニングしてもよい。
透明電極層６１は、上部半導体層５９との接触抵抗のために、例えば、５００〜８００℃の温度範囲で熱処理してもよい。
図６を参照すれば、発光セル５６を有する基板５１上に連続的な第１の絶縁層６３が形成される。第１の絶縁層６３は、発光セル５６の側壁及び上部面を覆い、発光セル５６の間の領域の基板５１上部を覆う。第１の絶縁層６３は、プラズマＣＶＤを用いて、例えば、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜で形成される。この場合、第１の絶縁層６３は、２００〜３００℃の温度範囲で形成され、４５００Å〜１μｍの厚さで形成されることが望ましい。
その後、第１の絶縁層６３をパターニングし、上部半導体層５９上に開口部６３ａが形成され、下部半導体層５５の他の領域上に開口部６３ｂが形成される。透明電極層６１が形成されると、開口部６３ａによって透明電極層６１は露出される。また、透明電極層６１が開口部６１ａを有する場合、第１の絶縁層６３の開口部６３ａは透明電極層６１の開口部６１ａを露出する。
図７を参照すれば、開口部６３ａを有する第１の絶縁層６３上に配線６５が形成される。配線６５は、開口部６３ａ、６３ｂを介して下部半導体層５５と上部半導体層５９とに電気的に接続され、隣接した発光セル５６を相互に電気的に接続する。
配線６５は、めっき技術、一般的な電子ビーム蒸着、化学気相蒸着（ＣＶＤ）又は物理気相蒸着技術を用いて形成される。
一方、配線６５は、導電物質、例えば、多結晶シリコンのようなドーピングした半導体物質又は金属で形成してもよい。特に、配線６５は、多層構造で形成され、例えば、Ｃｒ又はＴｉの下部層６５ａ（図１参照）と、Ｃｒ又はＴｉの上部層６５ｃ（図１参照）とを含むことができる。また、Ａｕ、Ａｕ／Ｎｉ又はＡｕ／Ａｌの中間層６５ｂ（図１参照）が下部層と上部層との間に配置されてもよい。配線６５は、第１の絶縁層６３との接着力を向上させるために、３００〜５００℃の温度範囲で熱処理してもよい。
図８を参照すれば、配線６５が形成された基板５１上に第２の絶縁層６７が形成される。第２の絶縁層６７は、配線６５及び第１の絶縁層６３を覆う。第２の絶縁層は、第１の
絶縁層６３と同一の材質、例えば、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜で形成され、プラズマＣＶＤを用いて２００〜３００℃の温度範囲で形成してもよい。特に、第２の絶縁層６７は、第１の絶縁層６３の形成温度に対して−２０％〜＋２０％の温度範囲内で形成されることが望ましい。
図９を参照すれば、第２の絶縁層６７上に蛍光体層６９が形成される。蛍光体層６９は、樹脂に蛍光体を分散させた後、これを第２の絶縁層６７上に塗布して形成したり、または電気泳動法を用いて第２の絶縁層６７上に形成したりしてもよい。これによって、チップレベルで蛍光物質を有する発光ダイオードが完成する。
図１０は、本発明の他の実施形態に係る発光ダイオードを説明するための断面図である。ここでは、第１の絶縁層及び第２の絶縁層にポリマーを用いた発光ダイオードを説明する。
図１０を参照すれば、発光ダイオードは、基板５１、複数の発光セル５６、第１の絶縁層８３、配線８５及び第２の絶縁層８７を含み、バッファ層５３及び透明電極層６１をさらに含むことができる。基板５１及び発光セル５６及び透明電極層６１は、図１を参照して説明した発光ダイオードと同一であるので、それに関する詳細な説明は省略する。
第１の絶縁層８３は、ＳＯＧ、ＢＣＢ又は他の透明なポリマーで形成され、発光セル５６の間の空間を充填する。第１の絶縁層８３は、下部半導体層５５の他の領域を覆い、このとき、下部半導体層５５を露出する開口部を有する。また、第１の絶縁層８３は、上部半導体層５９又は透明電極層６１を露出させる。発光セル５６の側壁は、第１の絶縁層８３によって覆われる。
一方、配線８５が第１の絶縁層８３上に形成され、下部半導体層５５と上部半導体層５９とに電気的に接続される。配線８５は、開口部を介して下部半導体層５５に電気的に接続され、上部半導体層５９に電気的に接続される。また、配線８５は、隣接した発光セル５６の下部半導体層５５と上部半導体層５９とをそれぞれ電気的に接続し、発光セル５６の直列アレイを形成することができる。これらのアレイを複数形成し、複数のアレイを互いに逆並列に接続することで、交流電源で駆動できる。また、発光セルの直列アレイに接続したブリッジ整流器（図示せず）が形成され、ブリッジ整流器によって発光セルを交流電源下で駆動することも可能である。ブリッジ整流器は、配線８５により、発光セル５６と同一構造の発光セルを結線することによって形成してもよい。
あるいは、配線８５は、隣接した発光セルの下部半導体層５５を互いに接続したり、上部半導体層５９を互いに接続したりしてもよい。これによって、直列または並列に接続した複数の発光セル５６が提供される。
配線８５は、導電物質、例えば、多結晶シリコンのようなドーピングした半導体物質又は金属で形成される。特に、配線８５は、多層構造で形成してもよい。
第２の絶縁層８７は、配線８５及び第１の絶縁層８３を覆う。第２の絶縁層８７は、第１の絶縁層８３と同一材質のポリマーで形成される。したがって、第１の絶縁層８３と第２の絶縁層８７との接着力が強化される。また、第２の絶縁層８７は、発光セル５６の間の空間を充填する第１の絶縁層８３の厚さより薄いことが望ましい。
一方、第２の絶縁層８７は蛍光体を含有してもよい。これによって、チップレベルで波長変換が可能な発光ダイオードが提供される。
本実施形態によると、ポリマーを用いて第１の絶縁層を形成するため、配線８５及び第２の絶縁層８７を相対的に平坦な第１の絶縁層上に形成することができ、配線の信頼性をより一層向上させることができる。
図１１〜図１３は、本発明の他の実施形態に係る発光ダイオードを製造する方法を説明するための断面図である。
図１１を参照すれば、図３〜図５を参照して説明したように、同一の基板５１上に互いに分離した複数の発光セル５６及び透明電極層６１が形成される。各発光セル５６は、それぞれ下部半導体層５５、活性層５７及び上部半導体層５９を有する。一方、透明電極層６１は、上部半導体層５９を露出する開口部６１ａを有することができる。
図１２を参照すれば、発光セル５６及び透明電極層６１を覆う第１の絶縁層８３が形成される。第１の絶縁層８３はポリマーで形成され、発光セル５６の間の空間を充填して、発光セル５６の全面を覆う。
図１３を参照すれば、第１の絶縁層８３を部分的にエッチング除去し、透明電極層６１を露出させる。その後、第１の絶縁層８３及び発光セル５６上に配線８５が形成される。配線８５は、図７を参照して説明したような材質で形成してもよい。
その後、配線８５及び第１の絶縁層８３を覆う第２の絶縁層８７（図１０参照）が形成される。第２の絶縁層は、第１の絶縁層８３と同一材質のポリマーで形成され、蛍光体を含有してもよい。
一方、第２の絶縁層が第１の絶縁層より厚い場合、光透過率が悪くなり、外部衝撃によって第２の絶縁層又は第１の絶縁層が発光セルから剥離される。したがって、第２の絶縁層８７は、第１の絶縁層８３の厚さ（ここでは、発光セルの間の空間を充填する絶縁層８３の厚さ）より薄いことが望ましい。
本実施形態において、蛍光体が第２の絶縁層８７に含まれることを説明したが、蛍光体は、第１の絶縁層８３に含まれてもよい。また、第２の絶縁層８７上に蛍光体層を別途形成してもよい。
５１：基板、５３：バッファ層、５６：発光セル、６１：透明電極層、６３：第１の絶縁層、６５：配線、６７：第２の絶縁層、６９：蛍光体層

Claims (14)

  1. 同一基板上に互いに分離した複数の発光セルを形成し、前記発光セルは、下部半導体層と、前記下部半導体層の一部領域上に位置する上部半導体層と、前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に配置された活性層と、をそれぞれ含み、
    前記複数の発光セルの全面を覆う第１の絶縁層を形成し、前記第１の絶縁層は、前記下部半導体層の他の領域上及び前記上部半導体層上に形成された開口部を有し、
    前記第１の絶縁層上に前記開口部を介して隣接する発光セルを電気的に接続する配線を形成し、
    前記第１の絶縁層及び前記配線を覆う第２の絶縁層を形成することを含み、
    前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は同一の材質で形成され、
    前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層に比べて厚いことを特徴とする発光ダイオード製造方法。
  2. 前記第１の絶縁層は４５００Å〜１μｍの範囲の厚さを有し、前記第２の絶縁層は５００Åより厚いことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード製造方法。
  3. 前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、プラズマＣＶＤ法により２００〜３００℃の温度で形成したシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード製造方法。
  4. 前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の形成温度の−２０％〜＋２０％の範囲の温度で形成したシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオード製造方法。
  5. 前記配線は、前記第１の絶縁層に接する下部層及び前記第２の絶縁層に接する上部層を含み、前記下部層はＣｒ層又はＴｉ層あり、且つ、前記上部層はＣｒ層又はＴｉ層であることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード製造方法。
  6. 前記第２の絶縁層を形成する前に、前記配線と前記第１の絶縁層との界面接着特性を改善するために前記配線を熱処理することをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオード製造方法。
  7. 前記配線は３００〜５００℃の温度範囲で熱処理されることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオード製造方法。
  8. 前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、プラズマＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜である請求項２に記載の発光ダイオード製造方法。
  9. 前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層はポリマーで形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード製造方法。
  10. 前記第２の絶縁層は蛍光体を含有することを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオード製造方法。
  11. 前記第２の絶縁層上に蛍光体層を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード製造方法。
  12. 前記複数の発光セルの形成は、前記上部半導体層上に透明電極層を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード製造方法。
  13. 前記透明電極層は５００〜８００℃の温度で熱処理されることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード製造方法。
  14. 前記透明電極層は、前記上部半導体層を露出する開口部を有するように形成され、
    前記配線は前記透明電極層の前記開口部を充填する請求項１２に記載の発光ダイオード製造方法。
JP2009273134A 2008-12-17 2009-12-01 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5706082B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0128522 2008-12-17
KR1020080128522A KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2008-12-17 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009270778A Division JP4663810B2 (ja) 2008-12-17 2009-11-27 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010147463A true JP2010147463A (ja) 2010-07-01
JP5706082B2 JP5706082B2 (ja) 2015-04-22

Family

ID=41683199

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009270778A Active JP4663810B2 (ja) 2008-12-17 2009-11-27 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法
JP2009273134A Expired - Fee Related JP5706082B2 (ja) 2008-12-17 2009-12-01 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009270778A Active JP4663810B2 (ja) 2008-12-17 2009-11-27 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7709849B1 (ja)
EP (2) EP2200085B1 (ja)
JP (2) JP4663810B2 (ja)
KR (1) KR20100076083A (ja)
CN (1) CN101752399B (ja)
TW (1) TWI483381B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017073562A (ja) * 2011-07-15 2017-04-13 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 半導体デバイスを支持基板に接合する方法
US11811009B2 (en) 2020-06-11 2023-11-07 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Light emitting device with wiring enclosed by ceramic substrate

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9142740B2 (en) 2003-07-04 2015-09-22 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
KR101017395B1 (ko) * 2008-12-24 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101557362B1 (ko) * 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP5195452B2 (ja) * 2009-01-22 2013-05-08 ソニー株式会社 発光素子
EP2367203A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
WO2011145794A1 (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
US8193546B2 (en) * 2010-06-04 2012-06-05 Pinecone Energies, Inc. Light-emitting-diode array with polymer between light emitting devices
KR20120013827A (ko) 2010-08-06 2012-02-15 삼성전자주식회사 색 정합 오차 보상을 수행하는 컨트롤러 칩 및 화상형성장치와 그 방법들
CN102376864B (zh) * 2010-08-10 2014-12-31 晶元光电股份有限公司 发光元件
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101142965B1 (ko) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN102110705B (zh) * 2010-12-14 2013-03-20 武汉迪源光电科技有限公司 一种交流发光二极管
CN102623480A (zh) * 2011-02-01 2012-08-01 绿种子能源科技股份有限公司 发光二极管阵列及其制造方法
US10243121B2 (en) * 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
KR101791175B1 (ko) 2011-06-30 2017-10-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
CN102916028B (zh) 2011-08-05 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管阵列及其制造方法
EP3364467B1 (en) 2011-09-16 2020-02-26 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
JP5902908B2 (ja) 2011-10-19 2016-04-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および車両用灯具
DE102011056220A1 (de) * 2011-12-09 2013-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
CN103208489A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 华夏光股份有限公司 发光二极管数组及其制造方法
JP5992695B2 (ja) 2012-02-29 2016-09-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
TWI549278B (zh) * 2012-03-12 2016-09-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
WO2013168929A1 (en) * 2012-05-11 2013-11-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having plurality of light emitting elements and method of fabricating the same
CN203277380U (zh) * 2012-05-29 2013-11-06 璨圆光电股份有限公司 发光组件及其发光装置
US9166116B2 (en) 2012-05-29 2015-10-20 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting device
KR102160072B1 (ko) * 2014-05-26 2020-10-15 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
US10804316B2 (en) * 2012-08-07 2020-10-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
CN103579431A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 华夏光股份有限公司 半导体发光结构及其制造方法
KR101892213B1 (ko) * 2012-08-07 2018-08-28 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
CN104521012B (zh) * 2012-08-07 2018-04-24 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列及其制造方法
KR101949505B1 (ko) * 2012-08-28 2019-02-18 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
US20140042470A1 (en) 2012-08-09 2014-02-13 Epistar Corporation Method of making light emitting device and light emitting device made thereof
US20140048824A1 (en) 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
US9356070B2 (en) 2012-08-15 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device
JP2014038989A (ja) * 2012-08-20 2014-02-27 Toshiba Corp 半導体発光装置および照明装置
CN103681723A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 旭明光电股份有限公司 发光二极管
DE112013003887T5 (de) * 2012-09-07 2015-05-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiodenarray auf Wafer-Ebene
CN103681725A (zh) * 2012-09-11 2014-03-26 旭明光电股份有限公司 发光二极管
KR20140073351A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US8963121B2 (en) * 2012-12-07 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers and high voltage solid-state transducers having buried contacts and associated systems and methods
CN107768399B (zh) * 2012-12-21 2022-02-18 首尔伟傲世有限公司 发光二极管
US9356212B2 (en) 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
WO2014106306A1 (zh) * 2013-01-05 2014-07-10 海立尔股份有限公司 高压覆晶led结构及其制造方法
CN103915530A (zh) * 2013-01-05 2014-07-09 海立尔股份有限公司 高压覆晶led结构及其制造方法
JP2016512443A (ja) 2013-02-06 2016-04-28 カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー 小型化された埋め込み型電気化学センサデバイス
DE102013101260A1 (de) 2013-02-08 2014-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
TWI532215B (zh) * 2013-12-26 2016-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件
JP2015188039A (ja) * 2014-03-27 2015-10-29 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
DE102014112750A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9620559B2 (en) * 2014-09-26 2017-04-11 Glo Ab Monolithic image chip for near-to-eye display
CN106328798B (zh) * 2015-06-15 2023-12-22 晶宇光电（厦门）有限公司 一种发光二极管芯片
US10157960B2 (en) * 2014-12-16 2018-12-18 Episky Corporation (Xiamem) Ltd Light-emitting device with electrode extending layer
CN104538522B (zh) * 2014-12-31 2017-08-29 杭州士兰明芯科技有限公司 一种高压芯片led结构及其制作方法
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
TW201631808A (zh) * 2015-02-25 2016-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片封裝體
KR102323250B1 (ko) * 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
US9653435B2 (en) 2015-07-14 2017-05-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having short circuit (VLED) die, lens support dam and same side electrodes and method of fabrication
US10368788B2 (en) 2015-07-23 2019-08-06 California Institute Of Technology System and methods for wireless drug delivery on command
CN105679886A (zh) * 2016-01-20 2016-06-15 杨秀静 一种发光二极管的制造方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR20170127841A (ko) * 2016-05-13 2017-11-22 주식회사 루멘스 발광 다이오드
KR101852343B1 (ko) * 2016-06-10 2018-06-12 주식회사 옵토웰 병렬 적층 구조를 가지는 레이저 다이오드 및 이의 제조 방법
TWI646651B (zh) * 2017-01-26 2019-01-01 宏碁股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN111933771B (zh) * 2018-07-28 2023-02-17 厦门三安光电有限公司 微发光二极管及其显示装置
KR102122847B1 (ko) * 2019-02-11 2020-06-15 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
JPWO2020174949A1 (ja) * 2019-02-26 2020-09-03
TWI736334B (zh) 2020-06-23 2021-08-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03284886A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Kyocera Corp 半導体素子およびその形成方法
JPH11312824A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Kyocera Corp 半導体発光装置
JP2001102626A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Canon Inc Ｌｅｄチップ、ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置
JP2005079202A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US725248A (en) * 1902-09-23 1903-04-14 Bourne Henry Engineering Company Ltd Washing-machine.
JPS55124274A (en) * 1980-02-04 1980-09-25 Sanyo Electric Co Ltd Solar battery
DE19640003B4 (de) 1996-09-27 2005-07-07 Siemens Ag Halbleitervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
US6547249B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
US7067916B2 (en) 2001-06-20 2006-06-27 International Business Machines Corporation Extension of fatigue life for C4 solder ball to chip connection
JP2003031840A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
US6635902B1 (en) 2002-05-24 2003-10-21 Para Light Electronics Co., Ltd. Serial connection structure of light emitting diode chip
EP2290715B1 (en) 2002-08-01 2019-01-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same
ATE500616T1 (de) 2002-08-29 2011-03-15 Seoul Semiconductor Co Ltd Lichtemittierendes bauelement mit lichtemittierenden dioden
US6957899B2 (en) 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7213942B2 (en) 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
TWI220798B (en) 2003-03-07 2004-09-01 Hitachi Cable Light-emitting diode array
WO2005008792A1 (ja) 2003-07-18 2005-01-27 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光ダイオード
JP2005064104A (ja) 2003-08-08 2005-03-10 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
JP2007511065A (ja) * 2003-11-04 2007-04-26 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
US7048361B2 (en) * 2003-11-05 2006-05-23 Xerox Corporation Ink jet apparatus
US7285801B2 (en) 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
KR100961483B1 (ko) * 2004-06-30 2010-06-08 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치
JP4841550B2 (ja) * 2004-06-30 2011-12-21 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
TW200501464A (en) 2004-08-31 2005-01-01 Ind Tech Res Inst LED chip structure with AC loop
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
US7535028B2 (en) * 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
US7474681B2 (en) 2005-05-13 2009-01-06 Industrial Technology Research Institute Alternating current light-emitting device
TWI291246B (en) * 2005-10-20 2007-12-11 Epistar Corp Light emitting device and method of forming the same
DE112006002927B4 (de) * 2006-01-09 2010-06-02 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR100758542B1 (ko) 2006-03-14 2007-09-13 서울옵토디바이스주식회사 Ⅰｔｏ층을 갖는 교류용 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100721515B1 (ko) * 2006-01-09 2007-05-23 서울옵토디바이스주식회사 Ⅰｔｏ층을 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법
US7994514B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device with integrated electronic components
KR100757800B1 (ko) 2006-06-30 2007-09-11 서울옵토디바이스주식회사 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법
JP5008911B2 (ja) 2006-07-04 2012-08-22 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
KR101239853B1 (ko) * 2007-03-13 2013-03-06 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광 다이오드
KR100974923B1 (ko) 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03284886A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Kyocera Corp 半導体素子およびその形成方法
JPH11312824A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Kyocera Corp 半導体発光装置
JP2001102626A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Canon Inc Ｌｅｄチップ、ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置
JP2005079202A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017073562A (ja) * 2011-07-15 2017-04-13 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 半導体デバイスを支持基板に接合する方法
US11811009B2 (en) 2020-06-11 2023-11-07 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Light emitting device with wiring enclosed by ceramic substrate

Also Published As

Publication number Publication date
TWI483381B (zh) 2015-05-01
US7709849B1 (en) 2010-05-04
US20100151604A1 (en) 2010-06-17
CN101752399B (zh) 2013-05-22
EP2200086B1 (en) 2015-02-25
TW201025558A (en) 2010-07-01
KR20100076083A (ko) 2010-07-06
US7846755B2 (en) 2010-12-07
EP2200086A1 (en) 2010-06-23
JP5706082B2 (ja) 2015-04-22
EP2200085A1 (en) 2010-06-23
JP2010147462A (ja) 2010-07-01
EP2200085B1 (en) 2014-07-16
CN101752399A (zh) 2010-06-23
JP4663810B2 (ja) 2011-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5706082B2 (ja) 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法
US10825962B2 (en) Thin film light emitting diode
US7420217B2 (en) Thin film LED
JP4101468B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2011181921A (ja) マルチセルアレイを有する半導体発光装置及びその製造方法
KR100635346B1 (ko) 색변환 물질층을 갖는 교류용 발광 다이오드 칩 및 그것을제조하는 방법
TWI523262B (zh) 具多單元陣列之半導體發光裝置及製造其之方法
US20120104418A1 (en) Light-emitting module and alternating current light-emitting device
KR20140060474A (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP2008041807A (ja) 白色光源
KR101761856B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101601073B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101456270B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR100823089B1 (ko) 파장변환 물질층을 갖는 발광 다이오드 제조방법
KR20090016120A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 칩
KR100599013B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자 및 그것을 제조하는방법
JP2012009625A (ja) 発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121010

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130926

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131022

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140122

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140929

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20141112

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5706082

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees