KR20090016120A - 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 칩 - Google Patents

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KR20090016120A
KR20090016120A KR1020070080530A KR20070080530A KR20090016120A KR 20090016120 A KR20090016120 A KR 20090016120A KR 1020070080530 A KR1020070080530 A KR 1020070080530A KR 20070080530 A KR20070080530 A KR 20070080530A KR 20090016120 A KR20090016120 A KR 20090016120A
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emitting diode
light emitting
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diode chip
semiconductor layer
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KR1020070080530A
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김창연
윤여진
김윤구
서원철
신준섭
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서울옵토디바이스주식회사
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본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 몸체와, 상기 몸체 상부에 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하며, 상기 몰딩부는 형광체를 포함하고, 상기 발광 다이오드 칩은 기판과, 상기 기판에 형성된 반도체층을 포함하되, 상기 기판의 외면은 반사재로 코팅되어 있다.
본 발명에 의하면, 발광 다이오드 칩의 기판을 반사재로 코팅함으로써 발광 다이오드 칩에서 발생된 광이 기판을 투과하여 비교적 형광체가 균일하지 않은 몰딩부의 하부쪽으로 방출되는 것을 막고, 광이 발광 다이오드의 상부쪽으로만 방출되도록 하여 형광체가 비교적 균일하게 분포된 몰딩부의 상부를 통해 방출되게 함으로써 색수차를 줄여서 광특성을 좋게 할 수 있다.
LED, 발광 다이오드, 패키지, 사파이어, 기판, 반사막, 반사재

Description

발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 칩{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND LIGHT EMITTING DIODE CHIP}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 패키지에서 몰딩부내에 불균일하게 분포된 형광체로 인한 색수차를 줄이기 위하여 발광 다이오드가 형성되는 기판의 외면을 반사재로 코팅함으로써 발광 다이오드에서 발생된 광이 기판쪽을 통해 방출되는 것을 막고 발광 다이오드의 상부쪽으로만 방출되게 하는 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 칩에 관한 것이다.
대표적인 발광 소자인 발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 p-n 접합 구조를 가지는 화합물 반도체로서 소수 캐리어(전자 또는 정공)들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, 소비 전력이 적고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고, 또한 진동에 강한 특성을 제공한다. 최근에는 단일 색성분 예를 들어, 적색, 청색, 또는 녹색 발광 다이오드 외에 백색 발광 다이오드들이 출시되고 있으며, 이에 대한 수요가 급속히 증가하고 있다.
발광 다이오드는 파장 변환 수단인 형광체를 사용하여 백색광을 구현할 수 있다. 즉, 형광체를 발광 다이오드 상부에 도포하여, 발광 다이오드의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광이 혼색되어 백색을 구현한다. 이런 구조의 백색 발광 다이오드는 가격이 저렴하고, 원리적 및 구조적으로 매우 간단하기 때문에 널리 이용되고 있다.
예를 들어 청색으로 발광하는 발광 다이오드 위에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 또는 황색 발광하는 형광체를 도포하여 발광 다이오드의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광의 혼합에 의해 백색을 얻을 수 있다.
위와 같은 발광 다이오드는 통상 패키지 구조로 제조되며, 리드 프레임상에 발광 다이오드 칩을 실장하고, 그 위에 형광체가 함유된 몰딩부를 덮는 구조가 일반적이다.
그러나, 이와 같은 종래의 발광 다이오드 패키지는 몰딩부에 형광체가 균일하게 분포되기가 어렵다. 예를 들어, 형광체가 몰딩부의 아래쪽에는 많이 분포하고 위쪽에는 적게 분포하는 등 균일하게 분포되기가 어렵다. 이로 인해 종래의 발광 다이오드 패키지에서는 균일하지 않은 형광체의 분포에 의해 색수차가 발생하는 단점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 기판위에 발광 다이오드 칩을 형성하고 그 위에 형광체가 함유된 몰딩부를 덮어 형성되는 발광 다이오드 패키지에서 형광체가 균일하게 분포되지 못함으로 인해 색수차가 발생되는 것을 개선하는데 있 다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 의한 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 몸체와, 상기 몸체 상부에 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하며, 상기 몰딩부는 형광체를 포함하고, 상기 발광 다이오드 칩은 기판과, 상기 기판에 형성된 반도체층을 포함하되, 상기 기판의 외면은 반사재로 코팅된 것을 특징으로 한다.
상기 반사재는 금속 반사재일 수 있다.
상기 기판은 사파이어 기판이며, 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재의 접착을 위해 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재 사이에 형성된 Ti 또는 Cr의 금속층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판은 사파이어 기판이며, 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재의 접착을 위해 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재 사이에 형성된 산화물 또는 질화물층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의한 발광 다이오드 칩은 기판과, 상기 기판위에 형성되며 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층을 포함하는 반도체층과, 상기 기판의 외면을 코팅하고 있는 반사재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 반사재는 금속 반사재일 수 있다.
상기 기판은 사파이어 기판이며, 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재의 접착을 위해 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재 사이에 형성된 Ti 또는 Cr의 금속층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판은 사파이어 기판이며, 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재의 접착을 위해 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재 사이에 형성된 산화물 또는 질화물층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩의 기판을 반사재로 코팅함으로써 발광 다이오드 칩에서 발생된 광이 기판을 투과하여 비교적 형광체가 균일하지 않은 몰딩부의 하부쪽으로 방출되는 것을 막고, 광이 발광 다이오드의 상부쪽으로만 방출되도록 광발산 각도를 좁혀 형광체가 비교적 균일하게 분포된 몰딩부의 상부를 통해 방출되게 함으로써 색수차를 줄일 수 있고 이로 인해 광특성을 개선할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들을 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 칩(200)은 기 판(220)과 그 기판위에 형성되는 반도체층(230)과, 기판(220)의 외면을 코팅하고 있는 반사재(210)를 포함한다.
기판(220)은 사파이어(Al2O3), 탄화실리콘(SiC), 산화아연(ZnO), 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 리튬-알루미나(LiAl2O3), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN) 또는 질화갈륨(GaN) 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(220) 상에 형성될 반도체층의 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 또한, 기판(220)은 그 상부면 및/또는 하부면이 패터닝된 기판일 수 있다.
상기 반도체층(230)은 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일영역 상에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 여기서, 상기 하부 및 상부 반도체층은 각각 n형 및 p형, 또는 p형 및 n형이다.
하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (B, Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. 상기 활성층은 요구되는 파장의 광 예컨대 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정되며, 하부 반도체층 및 상부 반도체층은 상기 활성층에 비해 밴드갭이 큰 물질로 형성된다.
상기 하부 반도체층 및/또는 상부 반도체층은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조를 가질 수 있다.
한편, 반도체층(230)과 기판(220) 사이에 버퍼층이 개재될 수 있다. 버퍼층 은 기판(220)과 그 위에 형성될 하부 반도체층의 격자부정합을 완화시키기 위해 채택된다.
반사재(210)는 기판(220)의 외면을 모두 코팅한다. 그러나, 본 발명은 기판(220)의 적어도 일부를 코팅하는 것도 동일에 범주에 속하는 것으로 한다.
반사재(210)는 반도체층(230)의 활성층에서 발생된 광중에서 기판(220)내로 진행하는 광이 기판(220)을 투과하여 밖으로 나오는 것을 방지하고, 그 광을 기판(220)과 공기의 계면에서 반사시켜서 발광 다이오드 칩(200)의 상부쪽으로 방출되게 하기 위해 기판(220)의 외면에 코팅된 반사막이다. 반사재(210)를 기판(220)의 외면에 코팅하는 방법은 다양한 방법을 통해 이루어질 수 있다. 예를 들어, e-빔을 통해 증착할 수 도 있고, 도금 방법을 사용할 수 도 있다.
따라서, 반사재(210)는 반사재질로서 기판(220)에 코팅이 가능한 재질이면 가능하다. 예를 들어, 반사재(210)는 금속을 사용할 수 있다. 예를 들어, 50%이상의 반사도를 갖는 금속을 사용할 수 있다. 예를 들어 Ag, Al, Rh, Pt, Au 와 같은 금속이 있을 수 있다.
예를 들어, 기판(220)을 사파이어 기판으로 하고, 반사재(210)를 금속으로 할 경우, 반사재(210)는 금속 반사재와 사파이어 기판의 접착력을 좋게 하기 위해 사파이어 기판과 접착력이 좋은 금속, 예를 들어 Ti, Cr 과 같은 금속을 예를 들어, 100Å 미만으로 삽입할 수 있다.
이와 달리, 반사재(210)로 금속 반사재를 사용할 경우 반사재와 사파이어 기판의 접착력을 좋게 하기 위해 SiO2 또는 SixNy과 같은 산화물 또는 질화물들을 10 Å 미만으로 삽입할 수 있다.
도면에서는 편의상 전극 패드를 도시하지 않았으나, 상기 반도체층(230)의 상부 반도체층상에 투명전극층이 형성될 수 있다. 상기 투명전극층은 인디움 틴 산화막(ITO) 또는 Ni/Au와 같은 투명금속으로 형성된다. 또한, 상기 하부 반도체층 상에 전극패드가 형성될 수 있다. 상기 전극패드는 상기 하부 반도체층들에 오믹콘택된다. 한편, 상기 투명전극층 상에 전극패드가 더 형성될 수 있으며, 본딩 와이어가 상기 전극패드에 본딩될 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 칩에서 반사재를 코팅하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면 복수의 개별 발광 다이오드 칩(200)들을 준비하여 리셉터 기판(300)에 본딩시킨다.
각각의 개별 발광 다이오드 칩(200)들은 다음의 과정을 통해 제조될 수 있다. 우선, 기판(220)을 준비한다. 상기 기판(220)은 예컨대 사파이어 기판 또는 탄화실리콘 기판일 수 있다. 이어서, 상기 기판(220) 상에 반도체층(230)을 형성한다. 반도체층(230)은 하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층을 포함한다. 또한, 하부 반도체층을 형성하기 전, 기판(220) 상에 버퍼층이 형성될 수 있다.
버퍼층은 기판(220)과 그 위에 형성될 반도체층(230)의 격자부정합을 완화하기 위해 형성되며, 예컨대 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)으로 형성될 수 있다. 상기 기판(220)이 도전성 기판인 경우, 상기 버퍼층은 절연층 또는 반절연층으로 형성되는 것이 바람직하며, AlN 또는 반절연 GaN로 형성될 수 있다.
하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (B, Al, In, Ga)N로 형성될 수 있다. 상기 하부 및 상부 반도체층 및 활성층 금속유기화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(molecular beam epitaxy) 또는 수소화물 기상 성장(hydride vapor phase epitaxy; HVPE) 기술 등을 사용하여 단속적으로 또는 연속적으로 성장될 수 있다.
여기서, 상기 하부 및 상부 반도체층들은 각각 n형 및 p형, 또는 p형 및 n형이다. 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층에서, n형 반도체층은 불순물로 예컨대 실리콘(Si)을 도핑하여 형성될 수 있으며, p형 반도체층은 불순물로 예컨대 마그네슘(Mg)을 도핑하여 형성될 수 있다.
이어서, 상부 반도체층, 활성층 및 하부 반도체층을 차례로 식각하여, 개별 발광 다이오드 칩으로 격리(isolation)시킨다. 이후, 상기 상부 반도체층 및 활성층의 일부를 식각하여 하부 반도체층을 노출시킨다. 노출된 하부 반도체층 및 상부 반도체층에 전극을 형성한다. 이후, 다이아몬드 스크라이빙 또는 레이저 스크라이빙을 통하여 개별 발광 다이오드 칩으로 분리한다. 도면에는 도시되지 않았지만 개별 발광 다이오드 칩으로의 분리 공정에 의해 기판의 하부 가장자리가 비스듬한 형상을 지닐 수 있다.
이와 같이 분리된 복수개의 개별 발광 다이오드 칩(200)의 상부가 리셉터 기판(300)에 접하도록 본딩을 통하여 부착시킨다.
도 3을 참조하면, 리셉터 기판(300)에 복수의 개별 발광 다이오드 칩(200)을 본딩시킨 상태에서 e-빔 장비를 통하여 반사재(210)를 기판(220)의 외면에 코팅한 다. 예를 들어 플래내터리 돔(planatary dome) 방식을 사용하여 예를 들어, 50%이상의 반사도를 갖는 금속, 예를 들어 Ag, Al, Rh, Pt, Au 와 같은 금속을 코팅할 수 있다. 이때, 반사재(210)와 기판(220)의 접착력을 좋게 하기 위해 Ti, Cr 과 같은 금속을 예를 들어, 100Å 미만으로 삽입하거나, SiO2 또는 SixNy과 같은 산화물 또는 질화물들을 10Å 미만으로 삽입할 수도 있다. 개별 발광 다이오드 칩(200)들에 대하여 반사재(210)의 코팅이 완료되면 리셉터 기판(300)을 제거한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 리드프레임으로 형성되어 외부 전극들에 연결되는 제 1 및 제 2 리드(110, 120) 및 이것과 일체로 성형된 패키지 본체(130)를 구비한다. 패키지 본체(130)의 재질은 예를 들면, 플라스틱, 세라믹 재질로, 발광 다이오드 패키지 내부 구조를 다양하게 설계할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 리드(110, 120)는 각각의 일단이 근접하여 대향하도록 배치되며, 타단은 서로 반대방향으로 연장하여 패키지 본체(130)의 외부로 돌출된다. 도면상에 상기 제 1 및 제 2 리드(110, 120)의 타단이 패키지 본체(130)의 외부로 돌출되는 것으로 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아닌바, 상기 제 1 및 제 2 리드(110, 120)는 패키지 본체(130)를 상하로 관통하는 비아(via, 미도시)를 통해 외부 전극에 각각 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 패키지 본체(130)는 상기 제 1 및 제 2 리드(110, 120)의 적어도 일부 를 둘러싸서 상기 제 1 및 제 2 리드(110, 120)를 고정시킨다. 또한, 상기 패키지 본체(130)는 상기 제 1 및 제 2 리드(110, 120)를 노출시키는 캐비티(150)를 갖는다. 상기 캐비티(150)의 내벽은 발광 다이오드 칩(200)에서 방출된 광을 외부로 반사하도록 일정한 경사면을 갖는다.
상기 발광 다이오드 칩(200)이 상기 캐비티(150)의 바닥면에 실장된다. 이때, 도시한 바와 같이, 상기 발광 다이오드 칩(200)은 에폭시와 같은 접착제에 의해 부착될 수 있다. 이에 더하여, 상기 발광 다이오드 칩(200)은 본딩 와이어(170)를 통해 제 1 리드(110) 및 제 2 리드(120)에 접속될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 다이오드 칩(200)은 상기 제 1 및 제 2 리드(110, 120)에 전기적으로 연결된다.
이후, 상기 캐비티(150)에는 몰딩부(140)가 채워진다. 상기 몰딩부(140)는 상기 캐비티(150)의 바닥면에 실장된 발광 다이오드 칩(200) 상부를 덮는다. 또한, 몰딩부(140)는 두개의 본딩 와이어(170)를 덮을 수 있다. 이때, 몰딩부(140)는 실리콘 수지일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 실시예에서 제 1 및 제 2 리드(110, 120)와 발광 다이오드 칩(200)을 연결하기 위한 본딩 와이어(170)를 두개의 본딩와이어로 사용하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이에 더하여, 상기 몰딩부(140)의 상부면은 도 2에 도시된 바와 같이 평평한 면일 수도 있으며, 일정한 곡률을 가질 수도 있다. 또한, 몰딩부(140)는 적어도 하나의 형광체(180)를 함유할 수 있다. 이러한 형광체(180)는 발광 다이오드 칩(200)에서 방출된 빛의 파장을 변환시키기 위해 채택된다.
예를 들어, 형광체(180)는 발광 다이오드 칩(200)으로부터 방출된 광의 일부와 혼색되어 백색광을 방출시키도록 발광 다이오드 칩(200)으로부터 방출된 광에 의해 여기되어 녹색 광을 방출하는 티오갈레이트 녹색 형광체와, 적색 광을 방출하는 알칼리 토금속 황화물계 적색 형광체를 포함할 수 있다. 본 발명은 이에 국한되지 않으며 하나 또는 다양한 종류의 형광체일 수 있다.
도면에서 볼 수 있는 바와 같이 발광 다이오드 칩(200)은 기판의 외면에 반사재가 코팅되어 있음으로 인해 발광 다이오드 칩(200)에 생성된 광은 전체적으로 발광 다이오드의 상부쪽으로만 방출된다. 즉, 발광 다이오드 패키지에서 형광체(180)가 몰딩부(150)의 아래쪽에는 많이 분포하고 위쪽에는 적게 분포하여 불균하게 분포되더라도 기판의 외면을 둘러싸고 있는 반사재에 의해 발광 다이오드 칩에서 발생된 광이 기판을 투과하여 외부로 방출되지 못하고 전체 발광 다이오드 칩의 상부쪽으로 반사됨에 따라 광 발산 각도를 줄이게 되어 색수차를 효과적으로 줄일 수 있다.
도 5는 비교예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 비교예에 따른 발광 다이오드 패키지는 리드프레임으로 형성되어 외부 전극들에 연결되는 제 1 및 제 2 리드(1, 2) 및 이것과 일체로 성형된 패키지 본체(3)와 패키지 본체(3)에 장착되며 제 1 및 제 2 리드(1, 2)와 본딩 와이어(7)로 연결된 발광 다이오드 칩(6)을 구비한다.
비교예에 따른 발광 다이오드 패키지의 발광 다이오드 칩(6)은 기판의 외면에 반사재가 코팅되어 있지 않음으로 인해 발광 다이오드 칩(6)에 생성된 광은 발 광 다이오드의 상부뿐만이 아나라 기판을 투과한 후 캐비티(5)의 내벽에 반사되어 방출되기도 한다. 즉, 발광 다이오드 패키지에서 형광체(8)가 몰딩부(4)의 아래쪽에는 많이 분포하고 위쪽에는 적게 분포하여 불균하게 분포되는 경우 발광 다이오드 칩에서 발생된 광이 기판을 투과하여 형광체가 불균일하게 분포되어 있는 몰딩부의 하부를 통과한 후 캐비티(5)의 내벽에 반사되어 방출됨에 따라 비교예에서는 균일하지 않은 형광체의 분포에 의해 색수차가 발생할 확률이 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지보다 훨씬 높아질 수 밖에 없다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 칩에서 반사재를 코팅하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 비교예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 도면이다.

Claims (8)

  1. 발광 다이오드 칩과,
    상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 몸체와,
    상기 몸체 상부에 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하며,
    상기 몰딩부는 형광체를 포함하고,
    상기 발광 다이오드 칩은 기판과, 상기 기판에 형성된 반도체층을 포함하되,
    상기 기판의 외면은 반사재로 코팅된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사재는 금속 반사재인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 2에서 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판이며,
    상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재의 접착을 위해 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재 사이에 형성된 Ti 또는 Cr의 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 2에서 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판이며,
    상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재의 접착을 위해 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재 사이에 형성된 산화물 또는 질화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 기판과,
    상기 기판위에 형성되며 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층을 포함하는 반도체층과,
    상기 기판의 외면을 코팅하고 있는 반사재를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 반사재는 금속 반사재인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  7. 청구항 6에서 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판이며,
    상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재의 접착을 위해 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재 사이에 형성된 Ti 또는 Cr의 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
  8. 청구항 6에서 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판이며,
    상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재의 접착을 위해 상기 사파이어 기판과 상기 금속 반사재 사이에 형성된 산화물 또는 질화물층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20160002062A (ko) * 2014-06-30 2016-01-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
WO2017065353A1 (ko) * 2015-10-14 2017-04-20 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법

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