KR20100076083A - 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 - Google Patents

복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100076083A
KR20100076083A KR1020080128522A KR20080128522A KR20100076083A KR 20100076083 A KR20100076083 A KR 20100076083A KR 1020080128522 A KR1020080128522 A KR 1020080128522A KR 20080128522 A KR20080128522 A KR 20080128522A KR 20100076083 A KR20100076083 A KR 20100076083A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating layer
layer
light emitting
emitting diode
emitting cells
Prior art date
Application number
KR1020080128522A
Other languages
English (en)
Inventor
갈대성
김대원
서원철
예경희
이주웅
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020080128522A priority Critical patent/KR20100076083A/ko
Priority to TW098128710A priority patent/TWI483381B/zh
Priority to EP09013481.8A priority patent/EP2200085B1/en
Priority to US12/620,887 priority patent/US7709849B1/en
Priority to EP09014469.2A priority patent/EP2200086B1/en
Priority to CN2009102248585A priority patent/CN101752399B/zh
Priority to JP2009270778A priority patent/JP4663810B2/ja
Priority to JP2009273134A priority patent/JP5706082B2/ja
Priority to US12/633,603 priority patent/US7846755B2/en
Publication of KR20100076083A publication Critical patent/KR20100076083A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82909Post-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/82951Forming additional members
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는 서로 이격된 복수개의 발광셀들, 발광셀들을 덮는 제1 절연층, 제1 절연층 상에 형성되어 인접한 발광셀들을 전기적으로 연결하는 배선들 및 배선들을 덮는 제2 절연층을 포함한다. 제1 절연층 및 제2 절연층은 동일한 재질로 형성되고, 제1 절연층이 제2 절연층에 비해 상대적으로 더 두껍다. 이에 따라, 제1 절연층과 제2 절연층의 접합 특성을 개선하여 외부로부터 습기가 발광 다이오드 내로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
발광 다이오드, 절연층, 배선, 발광셀

Description

복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법{LIGHT EMITTING DIODE HAVING PLURALITY OF LIGHT EMITTING CELLS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수개의 발광셀들 및 발광셀들을 연결하는 배선들을 갖고 상기 발광셀들 및 배선들을 보호하기 위한 절연층을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.
청색을 발하는 질화갈륨(GaN) 계열의 발광 다이오드가 개발된 이래 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시키기 위한 다양한 노력이 있어왔으며, 다양한 응용분야에 적용하기 위한 많은 구조적 개선이 이루어졌다. 청색 또는 자외선을 발하는 질화갈륨 계열의 발광 다이오드는 현재 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있으며, 일반 조명 분야에서 백색 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있다.
이러한 발광 다이오드는, 일반적으로, 순방향 전류에 의해 광을 방출하며, 직류전류의 공급을 필요로 한다. 순반향 전류하에서 동작하는 발광 다이오드의 특 성을 고려하여 복수개의 발광셀들을 역병렬로 연결하거나 또는 브리지 정류기를 이용하여 교류전원하에서 복수개의 발광셀들을 동작시키는 기술이 시도되어 왔으며, 제품화되고 있는 실정이다. 또한, 단일 기판 상에 복수개의 발광셀들을 형성하고 이들을 직렬 및 병렬 연결함으로써 고전압 직류 전원하에서 고출력 및 고효율의 광을 출력할 수 있는 발광 다이오드가 개발되고 있다. 이러한 발광 다이오드들은 단일 기판 상에 복수개의 발광셀들을 형성하고 이들 발광셀들을 배선을 통해 연결함으로써 교류 또는 직류 전원하에서 고출력 및 고효율의 광을 방출할 수 있다.
복수개의 발광셀들을 이용하여 고전압의 교류 또는 직류 전원에 연결하여 사용할 수 있는 발광 다이오드는, 예컨대 국제공개번호 WO 2004/023568(Al)호에 "발광 성분들을 갖는 발광소자"(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS)라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있다.
발광셀들은 에어브리지 배선들에 의해 서로 전기적으로 연결되며, 이러한 배선들의 연결을 통해 교류 또는 직류전원하에서 구동될 수 있는 발광 다이오드가 제공된다.
그러나 에어브리지 배선을 이용한 발광셀들의 연결은 배선들의 신뢰성, 즉 외부로부터의 습기나 외부 충격에 의해 배선이 단선되거나 배선저항이 증가되는 등의 문제가 발생되기 쉽다. 이러한 단점을 보호하기 위해, 스텝커버 공정을 이용한 배선 형성 기술이 사용되고 있다. 스텝커버 공정은 발광셀들을 덮는 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 배선들을 형성하는 기술로, 배선들이 절연층 상에 놓이기 때문에 에어 브리지에 비해 구조적으로 안정하다.
그러나, 스텝커버 공정을 이용한 배선 또한 외부에 노출됨에 따라 습기나 외부 충격에 의해 배선이 단선될 수 있다. 복수개의 발광셀들을 사용하는 발광 다이오드의 경우, 많은 배선들이 이용되며, 이 중 어느 하나의 배선이 단선되더라도 전체 발광 다이오드를 동작시킬 수 없게 된다. 또한, 많은 수의 배선들이 사용됨에 따라, 외부로부터의 습기는 발광셀들 내부로 침투하기 쉽고, 따라서 발광셀의 발광효율을 떨어뜨린다.
한편, 발광 다이오드를 일반 조명 등 실제의 응용 분야에 사용할 경우, 형광물질을 사용하여 자외선 또는 청색광을 장파장의 광으로 변환시킴으로써 백색광 등 다양한 컬러의 광을 구현할 필요가 있다. 종래, 이러한 형광 물질은 패키지 레벨에서 단색광을 방출하는 발광 다이오드 칩을 덮는 에폭시 수지 등에 함유되어 적용되어 왔다. 이러한 백색 발광소자는 발광 다이오드 칩의 제조공정과 별도로 패키징 공정 중에서 형광물질을 함유하는 색변환 물질층이 형성되므로, 발광 다이오드의 패키징 공정을 복잡하게 하여 패키징 공정의 높은 공정불량률을 야기한다. 패키징 공정의 불량은 발광 다이오드 칩 제조공정의 불량에 비해 상당히 큰 비용손실을 초래한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 외부로부터 습기 침투 또는 외부 충격에 의한 배선의 단선이나 배선 저항 증가 또는 발광셀들의 성능 저하를 방지할 수 있는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 배선들 및 발광셀들을 보호하기 위한 절연층을 형성하되, 상기 절연층과 그것이 형성되는 하지층 사이의 접착력을 강화시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 칩레벨에서 발광셀에서 방출된 광의 파장을 변환시키는 형광물질을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위해, 본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 단일 기판 상에 서로 이격되어 위치하고, 각각 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일 영역 상부에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 복수개의 발광셀들; 상기 발광셀들의 전면을 덮되, 상기 하부 반도체층들의 다른 영역들 및 상기 상부 반도체층들 상에 각각 형성된 개구부들을 갖는 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상에 형성되고, 상기 개구부들을 통해 인접한 발광셀들을 전기적으로 연결하는 배선들; 및 상기 제1 절연층 및 상기 배선들을 덮는 제2 절연층을 포함한다. 또한, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 동일한 재질로 형성되고, 상기 제1 절연층은 상기 제2 절연층에 비해 상대적으로 더 두껍다.
상기 제2 절연층이 배선들 및 발광셀들을 덮기 때문에, 외부로부터의 습기 침투나 외부충격으로부터 배선 및 발광셀들을 보호할 수 있다. 나아가, 제1 절연층과 제2 절연층을 동일한 재질로 형성함으로써 제1 절연층과 제2 절연층의 접착력을 향상시킬 수 있어 제2 절연층이 박리되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 절연층에 비해 제1 절연층을 상대적으로 두껍게 함으로써 제2 절연층이 박리되는 것을 더욱 방지할 수 있다.
상기 제1 절연층은 4500Å~1㎛ 범위 내의 두께를 갖고, 상기 제2 절연층은 500Å보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 제1 절연층이 4500Å 이하일 경우, 배선들과 발광셀들 사이에 전기적 단락이 발생되기 쉽다. 한편, 제1 절연층이 두꺼울 수록 배선들과 발광셀들 사이의 단락을 방지할 수 있으나, 과도하게 두꺼우면 광 투과율이 떨어져 발광 효율이 감소된다. 따라서, 제2 절연층은 1㎛ 이하의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 제2 절연층이 500Å보다 얇을 경우, 외부로부터의 습기 침투를 방지하기 어렵고 발광셀들을 보호하기 어렵다.
여기서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층의 두께는, 특별히 한정하지 않는 한, 평평한 기판 상에 형성될 때의 두께를 의미한다. 일반적으로, 실제 발광 다이오드에 형성된 제1 절연층 또는 제2 절연층의 두께는 상기 두께에 비해 상대적으로 더 얇다.
상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 플라즈마 강화 화학기상증착법으로 형성된 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막일 수 있다. 이러한 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막은 200~300℃의 온도에서 증착될 수 있다.
특히, 상기 제2 절연층은 상기 제1 절연층의 증착온도의 -20%~+20% 범위내의 온도에서 증착된 층인 것이 바람직하다. 플라자마 강화 화학기상증착법의 경우, 증착 온도에 따라 막질이 상당히 달라질 수 있다. 따라서, 거의 유사한 온도에서 형성된 제1 절연층 및 제2 절연층을 채택함으로써 제2 절연층과 제1 절연층의 접착력을 개선할 수 있다.
한편, 상기 배선들은 상기 제1 절연층에 접하는 하부층 및 상기 제2 절연층에 접하는 상부층을 갖는 다층막 구조를 가질 수 있다. 상기 하부층은 Cr층 또는 Ti층이고, 상기 상부층은 Cr층 또는 Ti층일 수 있다. 특히, 상기 제1 절연층이 산화막 또는 질화막인 경우, Cr층 또는 Ti층은 제1 절연층에 강하게 접착될 수 있다. 더욱이, 상기 Cr층 또는 Ti층을 열처리함으로써 접착력을 더욱 강화시킬 수 있다. 이에 더하여, 상기 하부층과 상기 상부층 사이에 Au층, Au/Ni층, 또는 Au/Al층이 개재될 수 있다.
한편, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 폴리머, 예컨대, SOG(spin-on-glass) 또는 BCB(benzocyclobutene)일 수 있다. 이들 막들은 스핀 코팅을 이용하여 형성되므로, 형성 공정이 매우 단순하다. 또한, 상기 제2 절연층은 적어도 일부 영역에 형광체를 함유할 수 있다. 이에 따라, 칩레벨에서 백색광 또는 다른 다양한 색상의 컬러를 구현할 수 있다.
이와 달리, 상기 제2 절연층 상에 형광체층이 위치할 수 있다. 이러한 형광 체층은 예컨대 수지에 형광체를 혼입하여 도포하거나 전기영동법을 사용하여 코팅될 수 있다.
한편, 상기 제1 절연층과 상기 상부반도체층들 사이에 투명전극층들이 개재될 수 있다. 상기 투명전극층은 ITO일 수 있으며, 또는 투명금속일 수 있다. 금속 투명 전극층의 경우, 상기 투명전극층들은 Au, Ni, Pt, Al, Cr 및 Ti로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다.
상기 배선들은 상기 투명전극층들에 접속되어 상기 상부 반도체층들에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 투명전극층들은 상기 상부반도체층들을 노출시키는 개구부들을 가질 수 있으며, 상기 배선들은 상기 투명전극층들의 개구부들을 채울 수 있다.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 발명의 다른 태양에 따른 발광 다이오드 제조방법은, 단일 기판 상에 서로 이격된 복수개의 발광셀들을 형성하되, 상기 발광셀들은 각각 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일 영역 상부에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고; 상기 복수개의 발광셀들을 덮는 제1 절연층을 형성하되, 상기 제1 절연층은 상기 하부 반도체층들의 다른 영역들 및 상기 상부 반도체층들 상에 형성된 개구부들을 갖고; 상기 제1 절연층 상에 상기 개구부들을 통해 상기 발광셀들을 전기적으로 연결하는 배선들을 형성하고; 상기 제1 절연층 및 상기 배선들을 덮는 제2 절연층을 형성하는 것을 포함한다. 또한, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 동일한 재질로 형성되고, 상기 제1 절연층은 상기 제2 절연층에 비해 상 대적으로 더 두껍다.
이에 따라, 배선들 및 발광셀들을 습기 또는 외부 충격으로부터 보호할 수 있으며, 제1 절연층과 제2 절연층의 접착력을 강화시킬 수 있다.
한편, 상기 제1 절연층은 4500Å~1㎛ 범위 내의 두께를 갖고, 상기 제2 절연층은 500Å보다 두꺼운 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 플라즈마 강화 화학기상증착법으로 형성된 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막일 수 있다. 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 200~300℃의 온도에서 증착될 수 있다. 또한, 상기 제2 절연층은 상기 제1 절연층의 증착온도의 -20%~+20% 범위내의 온도에서 증착될 수 있다.
한편, 상기 배선들은 상기 제1 절연층에 접하는 하부층 및 상기 제2 절연층에 접하는 상부층을 포함하되, 상기 하부층은 Cr층 또는 Ti층이고, 상기 상부층은 Cr층 또는 Ti층일 수 있다. 또한, 상기 제2 절연층을 형성하기 전, 상기 배선들과 상기 제1 절연층의 계면접합 특성을 개선하기 위해 상기 배선들이 열처리될 수 있다. 이때, 상기 배선들은 300~500℃의 온도범위에서 열처리될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 폴리머로 형성될 수 있다. 더욱이, 상기 제2 절연층은 형광체를 함유할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예들에 있어서, 상기 제2 절연층 상에 형광체층이 형성될 수 있다. 상기 형광체층은 수지에 형광체를 분산시켜 상기 제2 절연층 상에 도포되어 형성되거나, 전기영동법을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 상기 복수개의 발광셀들을 형성하는 것은 상기 상부 반도체층 상에 투 명 전극층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 투명전극층은 500~800℃의 온도에서 열처리될 수 있다. 또한, 상기 투명 전극층은 상기 상부 반도체층을 노출시키는 개구부를 갖도록 형성될 수 있으며, 상기 개구부는 상기 배선들에 의해 채워질 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 절연층과 제2 절연층을 동일한 재질로 형성함과 아울러 제1 절연층을 제2 절연층에 비해 상대적으로 두껍게 형성함으로써 제1 절연층과 제2 절연층의 접착력을 강화시키고 제2 절연층의 박리를 방지할 수 있다. 또한, 제2 절연층이 배선들 및 발광셀들을 덮기 때문에 외부로부터 습기가 발광 다이오드 내로 침투하는 것을 방지할 수 있으며 외부 충격으로부터 배선 및 발광셀을 보호할 수 있다.
나아가, 절연층에 접착력이 강한 Cr층 또는 Ti층을 배선의 하부층 및 상부층으로 하기 때문에, 배선과 절연층 사이의 접착력 또한 강화되고, 이에 따라 제2 절연층의 박리를 더욱 방지할 수 있다.
또한, 제2 절연층 내에 형광체를 함유시키거나, 제2 절연층 상에 형광체층을 형성함으로써 칩레벨에서 백색광 등 다양한 컬러의 광을 구현할 수 있어, 패키지 공정을 단순화시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 기판(51), 복수개의 발광셀들(56), 제1 절연층(63), 배선들(65) 및 제2 절연층(67)을 포함하고, 버퍼층(53), 투명전극층(61), 형광체층(69)을 포함할 수 있다. 상기 기판(51)은 절연 기판, 예컨대 사파이어 기판일 수 있다.
단일 기판(51) 상에 복수개의 발광셀들(56)이 서로 이격되어 위치한다. 상기 발광셀들(56) 각각은 하부 반도체층(55), 상기 하부 반도체층의 일영역 상에 위치하는 상부 반도체층(59) 및 상기 하부 반도체층과 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층(57)을 포함한다. 여기서, 상기 하부 및 상부 반도체층은 각각 n형 및 p형, 또는 p형 및 n형이다.
하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. 상기 활성층(57)은 요구되는 파장의 광 예컨대 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정되며, 하부 반도체층(55) 및 상부 반도체층(59)은 상기 활성층(57)에 비해 밴드갭이 큰 물질로 형성된다.
상기 하부 반도체층(55) 및/또는 상부 반도체층(59)은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층(57)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조를 가질 수 있다.
한편, 발광셀들(56)과 기판(51) 사이에 버퍼층(53)이 개재될 수 있다. 버퍼층(53)은 기판(51)과 그 위에 형성될 하부 반도체층(55)의 격자부정합을 완화시키기 위해 채택될 수 있다.
제1 절연층(63)이 발광셀들(56)의 전면을 덮는다. 제1 절연층(63)은 하부 반도체층들(55)의 다른 영역들, 즉 상부 반도체층(59)이 형성된 영역에 인접하는 영역 상에 개구부들을 가지며, 또한 상부 반도체층들(59) 상에 개구부들을 갖는다. 상기 개구부들은 서로 이격되어 위치하며, 따라서 발광셀들(56)의 측벽들은 제1 절연층(63)에 의해 덮인다. 제1 절연층(63)은 또한 발광셀들(56) 사이 영역들 내의 기판(51)을 덮는다. 제1 절연층(63)은 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막으로 형성될 수 있으며, 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 200~300℃의 온도 범위에서 형성된 층일 수 있다. 이때, 상기 제1 절연층(63)은 4500Å~1㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 4500Å보다 작은 두께로 형성될 경우, 발광셀들의 아래쪽에서 층덮힘 특성에 의해 상대적으로 얇은 두께의 제1 절연층이 형성되고, 제1 절연층 상에 형성되는 배선과 발광셀간에 전기적 단락이 발생될 수 있다. 한편, 제1 절연층은 두꺼울 수록 전기적 단락을 방지할 수 있지만, 광 투과율을 떨어뜨려 발광효율을 감소시키므로, 1㎛의 두께를 초과하지 않는 것이 바람직하다.
한편, 배선들(65)이 제1 절연층(63) 상에 형성된다. 배선들(65)은 상기 개구부들을 통해 하부 반도체층들(55) 및 상부 반도체층들(59)에 전기적으로 연결된다. 또한 배선들(65)은 인접한 발광셀들(56)의 하부 반도체층들(55)과 상부 반도체층들(59)을 각각 전기적으로 연결하여 발광셀들(56)의 직렬 어레이를 형성할 수 있다. 이러한 어레이들이 복수개 형성될 수 있으며, 복수개의 어레이들이 서로 역병렬로 연결되어 교류전원에 연결되어 구동될 수 있다. 또한, 발광셀들의 직렬 어레이에 연결된 브리지 정류기(도시하지 않음)가 형성될 수 있으며, 상기 브리지 정류기에 의해 상기 발광셀들이 교류전원하에서 구동될 수도 있다. 상기 브리지 정류기는 상기 발광셀들(56)과 동일한 구조의 발광셀들을 배선들(65)을 이용하여 결선함으로써 형성할 수 있다.
이와 달리, 상기 배선들은 인접한 발광셀들의 하부 반도체층들(55)을 서로 연결하거나 상부 반도체층들(59)을 서로 연결할 수도 있다. 이에 따라, 직렬 및 병렬 연결된 복수개의 발광셀들(56)이 제공될 수 있다.
상기 배선들(65)은 도전 물질, 예컨대 다결정 실리콘과 같은 도핑된 반도체 물질 또는 금속으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 배선들(65)은 다층구조로 형성될 수 있으며, 예컨대, Cr 또는 Ti의 하부층(65a), Cr 또는 Ti의 상부층(65c)을 포함할 수 있다. 또한, Au, Au/Ni 또는 Au/Al의 중간층(65b)이 상기 하부층(65a)과 상부층(65c) 사이에 개재될 수 있다.
한편, 투명전극층들(61)이 상부 반도체층들(59)과 절연층(63) 사이에 개재될 수 있다. 투명전극층들(61)은 상부 반도체층들(59) 상에 형성된 상기 개구부들에 의해 노출된다. 투명전극층들(65)은 활성층(57)에서 생성된 광을 투과시키며, 상부 반도체층들(59)에 전류를 분산시키어 공급한다. 상기 배선들(65)은 상기 개구부들에 의해 노출된 투명전극층들(65)에 접촉되어 상부 반도체층들(55)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 투명전극층들(61)은 상기 상부반도체층(59)들을 노출시키는 개구부를 가질 수 있으며, 상기 배선들(65)이 투명전극층들 내의 개구부들을 채울 수 있다.
제2 절연층(67)이 상기 배선들(65) 및 상기 제1 절연층(63)을 덮는다. 제2 절연층(67)은 배선들(65)이 수분 등에 의해 오염되는 것을 방지하며, 외부 충격에 의해 배선들(65) 및 발광셀들(56)이 손상되는 것을 방지한다.
제2 절연층(67)은 제1 절연층(63)과 동일한 재질로, 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막으로 형성될 수 있다. 상기 제2 절연층(67)은, 제1 절연층과 같이,플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 200~300℃의 온도 범위에서 형성된 층일 수 있다. 더욱이, 상기 제1 절연층(63) 플라자마 화학기상증착법을 이용하여 형성된 층일 경우, 상기 제2 절연층(67)은 상기 제1 절연층(63)의 증착 온도에 대해 -20% ~ +20%의 온도 범위 내에서 증착된 층인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 동일 증착온도에서 증착된 층인 것이 바람직하다.
이러한 결과는 도 2로부터 확인할 수 있다. 도 2는 제1 절연층(63)으로 실리콘 산화막을 250℃에서 증착하고, 제2 절연층(67)으로 증착 온도를 변화시켜 실리콘 산화막을 증착한 샘플들에서, 1000시간 동안 신뢰성 테스트를 거쳐 통과된 샘플 의 통과율을 %로 나타낸 것이다. 제2 절연층의 증착온도별 20개의 샘플들을 준비하였으며 각 샘플들에 대해 가습 조건에서 테스트 하였다. 도 2를 보면, 제2 절연층을 제1 절연층의 증착온도(250℃)에 대해 ±20% 내의 증착온도에서 증착한 경우에 신뢰성이 우수한 것으로 나타났으며, 이것을 초과하는 온도범위에서 증착된 경우, 신뢰성이 급격히 감소하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 제1 절연층과 제2 절연층이 동일 증착온도에서 증착된 경우, 100% 통과율을 나타내어 신뢰성이 가장 우수하다.
한편, 상기 제2 절연층(67)은 제1 절연층(63)에 비해 상대적으로 얇은 두께를 가지며, 500Å 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 제2 절연층(67)이 제1 절연층(63)에 비해 상대적으로 얇기 때문에, 제2 절연층이 제1 절연층으로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 절연층이 2500Å보다 얇을 경우, 외부충격 또는 습기 침투로부터 배선 및 발광셀을 보호하기 어렵다.
형광체층(69)은 수지에 형광체가 분산된 층이거나 또는 전기 영동법에 의해 증착된 층일 수 있다. 형광체층(69)은 제2 절연층(67)을 덮어 발광셀들(56)에서 방출된 광을 파장변환시킨다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 기판(51) 상에 하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)이 형성된다. 또한, 하부 반도체층(55)을 형성하기 전, 기판(51) 상에 버퍼층(53)이 형성될 수 있다.
상기 기판(51)은 사파이어(Al2O3), 탄화실리콘(SiC), 산화아연(ZnO), 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 리튬-알루미나(LiAl2O3), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN) 또는 질화갈륨(GaN) 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(51) 상에 형성될 반도체층의 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다.
버퍼층(53)은 기판(51)과 그 위에 형성될 반도체층(55)의 격자부정합을 완화하기 위해 형성되며, 예컨대 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)으로 형성될 수 있다. 상기 기판(51)이 도전성 기판인 경우, 상기 버퍼층(53)은 절연층 또는 반절연층으로 형성되는 것이 바람직하며, AlN 또는 반절연 GaN로 형성될 수 있다.
하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (Al, In, Ga)N로 형성될 수 있다. 상기 하부 및 상부 반도체층(55, 59) 및 활성층(57)은 금속유기화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(molecular beam epitaxy) 또는 수소화물 기상 성장(hydride vapor phase epitaxy; HVPE) 기술 등을 사용하여 단속적으로 또는 연속적으로 성장될 수 있다.
여기서, 상기 하부 및 상부 반도체층들은 각각 n형 및 p형, 또는 p형 및 n형이다. 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층에서, n형 반도체층은 불순물로 예컨대 실리콘(Si)을 도핑하여 형성될 수 있으며, p형 반도체층은 불순물로 예컨대 마그네슘(Mg)을 도핑하여 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상부 반도체층(59), 활성층(57) 및 하부 반도체층(55)을 패터닝하여 서로 이격된 발광셀들(56)을 형성한다. 이때, 상기 하부 반도체층(55) 의 일부 영역 상에 상부 반도체층(59)이 위치하고, 하부 반도체층(55)의 다른 영역은 노출된다. 한편 상기 발광셀들 사이에서 버퍼층(53)이 제거되어 기판(51)이 노출될 수 있다.
도 5을 참조하면, 상기 발광셀(56)의 상부 반도체층(59) 상에 투명전극층(61)이 형성될 수 있다. 상기 투명전극층(65)은 인디움틴산화막(ITO)과 같은 금속산화물로 형성되거나 또는 투명 금속으로 형성될 수 있다. 투명 금속의 경우, 상기 투명 전극층(61)은 Au, Ni, Pt, Al, Cr 및 Ti로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
한편, 상기 투명전극층(61)은 상기 상부 반도체층(59)을 노출시키는 개구부(61a)를 가질 수 있다. 상기 투명전극층(61)은 상기 발광셀들(56) 상에 증착되어 형성될 수 있으나, 상기 발광셀들(56)을 형성하기 전에 상부 반도체층(59) 상에 형성되고, 상부 반도체층을 패터닝하기 전에 패터닝될 수 있다.
상기 투명전극층(61)은 상부 반도체층(59)과 오믹콘택을 위해 예컨대, 500~800℃의 온도범위에서 열처리 될 수 있다.
도 6을 참조하면, 발광셀들(56)을 갖는 기판(51) 상에 연속적인 제1 절연층(63)이 형성된다. 제1 절연층(63)은 발광셀들(56)의 측벽 및 상부면을 덮고, 발광셀들(56) 사이 영역의 기판(51) 상부를 덮는다. 상기 제1 절연층(63)은 플라즈마 강화 화학기상증착법(CVD)을 사용하여 예컨대 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 절연층(63)은 200~300℃의 온도범위에서 증착될 수 있으며, 4500Å~1㎛의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
그 후, 상기 제1 절연층(63)을 패터닝하여 상부 반도체층들(59) 상에 개구부들(63a)이 형성되고, 하부 반도체층들(55)의 다른 영역들 상에 개구부들(63b)이 형성된다. 투명전극층들(61)이 형성된 경우, 상기 개구부들에 의해 투명전극층들(61)이 노출된다. 또한, 상기 투명전극층들(61)이 개구부들(61a)을 갖는 경우, 제1 절연층(63)의 개구부들(63a)은 상기 투명전극층들(61)의 개구부들(61a)을 노출시킨다.
도 7을 참조하면, 상기 개구부들(63a)을 갖는 제1 절연층(63) 상에 배선들(65)이 형성된다. 상기 배선들(65)은 상기 개구부들(63a, 63b)을 통해 하부 반도체층들(55) 및 상부 반도체층들(59)에 전기적으로 연결되고, 인접한 발광셀들(56)을 전기적으로 연결한다.
상기 배선들(65)은 도금 기술 또는 일반적인 전자빔 증착, 화학기상증착 또는 물리기상증착 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
한편, 상기 배선들(65)은 도전 물질, 예컨대 다결정 실리콘과 같은 도핑된 반도체 물질 또는 금속으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 배선들(65)은 다층구조로 형성될 수 있으며, 예컨대, Cr 또는 Ti의 하부층(도 1의 65a), Cr 또는 Ti의 상부층(도 1의 65c)을 포함할 수 있다. 또한, Au, Au/Ni 또는 Au/Al의 중간층(도 1의 65b)이 상기 하부층과 상부층 사이에 개재될 수 있다. 상기 배선들(65)은 제1 절연층(63)과의 접착력을 향상시키기 위해, 300~500℃의 온도 범위에서 열처리될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 배선들(65)이 형성된 기판(51) 상에 제1 절연층(67) 이 형성된다. 상기 제2 절연층(67)은 배선들(65) 및 제1 절연층(63)을 덮는다. 상기 제2 절연층은 제1 절연층(63)과 동일한 재질, 예컨대 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되며, 플라즈마 강화 화학기상증착 기술을 사용하여 200~300℃의 온도 범위에서 형성될 수 있다. 특히, 상기 제2 절연층(67)은 상기 제1 절연층(63)의 증착 온도에 대해 -20% ~ +20%의 온도 범위 내에서 증착되는 것이 바람직하다.
도 9를 참조하면, 상기 제2 절연층(67) 상에 형광체층(69)이 형성될 수 있다. 상기 형광체층(69)은 수지에 형광체를 분산시킨 후 이를 제2 절연층(67) 상에 도포하여 형성될 수 있으며, 또는 전기영동법을 사용하여 상기 제2 절연층(67) 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 칩 레벨에서 형광물질을 갖는 발광 다이오드가 완성된다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는 제1 절연층 및 제2 절연층으로 폴리머를 채택한 발광 다이오드를 설명한다.
도 10을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 상기 발광 다이오드는 기판(51), 복수개의 발광셀들(56), 제1 절연층(83), 배선들(85) 및 제2 절연층(87)을 포함하고, 버퍼층(53) 및 투명전극층(61)을 포함할 수 있다. 상기 기판(51) 및 발광셀들(56) 및 투명 전극층(61)은 도 1을 참조하여 설명한 발광 다이오드와 동일하므로 여기서 상세한 설명은 생략한다.
제1 절연층(83)은 SOG 또는 BCB, 또는 다른 투명한 폴리머로 형성되어 발광 셀들(56) 사이의 공간을 채운다. 상기 제1 절연층(83)은 하부반도체층들(55)의 다른 영역들을 덮을 수 있으며, 이 경우, 상기 하부 반도체층들(55)을 노출시키는 개구부들을 갖는다. 또한, 상기 제1 절연층(83)은 상기 상부 반도체층들(59) 또는 투명전극층들(61)을 노출시킨다. 상기 발광셀들(56)의 측벽들은 제1 절연층(83)에 의해 덮인다.
한편, 배선들(85)이 제1 절연층(83) 상에 형성되어 하부 반도체층들(55) 및 상부 반도체층들(59)에 전기적으로 연결된다. 배선들(85)은 상기 개구부들을 통해 하부 반도체층들(55)에 전기적으로 연결되며 또한 상부 반도체층들(59)에 전기적으로 연결된다. 또한 배선들(85)은 인접한 발광셀들(56)의 하부 반도체층들(55)과 상부 반도체층들(59)을 각각 전기적으로 연결하여 발광셀들(56)의 직렬 어레이를 형성할 수 있다. 이러한 어레이들이 복수개 형성될 수 있으며, 복수개의 어레이들이 서로 역병렬로 연결되어 교류전원에 연결되어 구동될 수 있다. 또한, 발광셀들의 직렬 어레이에 연결된 브리지 정류기(도시하지 않음)가 형성될 수 있으며, 상기 브리지 정류기에 의해 상기 발광셀들이 교류전원하에서 구동될 수도 있다. 상기 브리지 정류기는 상기 발광셀들(56)과 동일한 구조의 발광셀들을 배선들(85)을 이용하여 결선함으로써 형성할 수 있다.
이와 달리, 상기 배선들(85)은 인접한 발광셀들의 하부 반도체층들(55)을 서로 연결하거나 상부 반도체층들(59)을 서로 연결할 수도 있다. 이에 따라, 직렬 및 병렬 연결된 복수개의 발광셀들(56)이 제공될 수 있다.
상기 배선들(65)은 도전 물질, 예컨대 다결정 실리콘과 같은 도핑된 반도체 물질 또는 금속으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 배선들(65)은 다층구조로 형성될 수도 있다.
제2 절연층(87)은 상기 배선들(85) 및 상기 제1 절연층(83)을 덮는다. 상기 제2 절연층(87)은 상기 제1 절연층(83)과 동일한 재질의 폴리머로 형성된다. 따라서, 제1 절연층(83)과 제2 절연층(87)의 접착력이 강화된다. 또한, 상기 제2 절연층(87)은 상기 발광셀들(56) 사이의 공간을 채우는 제1 절연층(83)의 두께보다 상대적으로 얇은 것이 바람직하다.
한편, 상기 제2 절연층(87)은 형광체를 함유할 수 있다. 이에 따라, 칩레벨에서 파장변환이 가능한 발광 다이오드가 제공될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 폴리머를 이용하여 제1 절연층을 형성하므로, 배선들(85) 및 제2 절연층(87)을 상대적으로 평탄한 제1 절연층 상에 형성할 수 있어 배선의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11을 참조하면, 앞서 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이 단일 기판(51) 상에 서로 이격된 복수개의 발광셀들(56) 및 투명 전극층(61)이 형성된다. 상기 발광셀들(56)은 각각 하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)을 갖는다. 한편, 상기 투명 전극층(61)은 상부 반도체층들(59)을 노출시키는 개구부들(61a)을 가질 수 있다.
도 12를 참조하면, 상기 발광셀들(56) 및 투명 전극층(61)을 덮는 제1 절연 층(83)이 형성된다. 상기 제1 절연층(83)을 폴리머로 형성되며, 발광셀들(56) 사이의 공간을 채우고 상기 발광셀들(56)의 전면을 덮는다.
도 13을 참조하면, 상기 제1 절연층(83)을 부분적으로 식각제거하여 상기 투명전극층(61)을 노출시킨다. 그 후, 상기 제1 절연층(83) 및 발광셀들(56) 상에 배선들(85)이 형성된다. 배선들(85)은 도 7을 참조하여 설명한 바와 같은 재질로 형성될 수 있다.
그 후, 상기 배선들(85) 및 제1 절연층(83)을 덮는 제2 절연층(도 10의 87)이 형성된다. 상기 제2 절연층은 제1 절연층(83)과 동일한 재질의 폴리머로 형성되며, 형광체를 함유할 수 있다.
한편, 제2 절연층이 제1 절연층보다 두꺼운 경우, 광 투과율이 나빠지고, 또한 외부 충격에 의해 제2 절연층 또는 제1 절연층이 발광셀들로부터 박리될 수 있다. 따라서, 상기 제2 절연층(87)은 상기 제1 절연층(83)의 두께(여기서는, 상기 발광셀들 사이의 공간을 채우는 절연층(83)의 두께)보다 더 얇은 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서, 형광체가 제2 절연층(87)에 함유되는 것으로 설명하였으나, 형광체는 제1 절연층(83)에도 함유될 수 있다. 또한, 제2 절연층(87) 상에 형광체층을 별도로 형성할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 제1 절연층과 제2 절연층의 증착 온도에 따른 신뢰성 테스트 통과율을 나타낸다.
도 3 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

Claims (28)

  1. 단일 기판 상에 서로 이격되어 위치하고, 각각 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일 영역 상부에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 복수개의 발광셀들;
    상기 발광셀들의 전면을 덮되, 상기 하부 반도체층들의 다른 영역들 및 상기 상부 반도체층들 상에 각각 형성된 개구부들을 갖는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 형성되고, 상기 개구부들을 통해 인접한 발광셀들을 전기적으로 연결하는 배선들; 및
    상기 제1 절연층 및 상기 배선들을 덮는 제2 절연층을 포함하고,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 동일한 재질로 형성되고,
    상기 제1 절연층은 상기 제2 절연층에 비해 상대적으로 더 두꺼운 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 절연층은 4500Å~1㎛ 범위 내의 두께를 갖고, 상기 제2 절연층은 500Å보다 두꺼운 두께를 갖는 발광 다이오드.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 플라즈마 강화 화학기상증착법으로 200~300℃의 온도에서 증착된 실리콘 산화막인 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 제2 절연층은 상기 제1 절연층의 증착온도의 -20%~+20% 범위내의 온도에서 증착된 실리콘 산화막인 발광 다이오드.
  5. 청구항 2에 있어서, 상기 배선들은 상기 제1 절연층에 접하는 하부층 및 상기 제2 절연층에 접하는 상부층을 갖는 다층막 구조를 갖되, 상기 하부층은 Cr층 또는 Ti층이고, 상기 상부층은 Cr층 또는 Ti층인 발광 다이오드.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 하부층과 상기 상부층 사이에 개재된 Au층, Au/Ni층, Au/Al층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  7. 청구항 2에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 실리콘 질화물인 발광 다이오드.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 폴리머인 발광 다이오드.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 제2 절연층은 적어도 일부 영역에 형광체를 함유하는 발광 다이오드.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 절연층 상에 형광체 층을 더 포함하는 발광 다 이오드.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 절연층과 상기 상부반도체층들 사이에 개재된 투명전극층들을 더 포함하는 발광 다이오드.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 투명전극층은 ITO인 발광 다이오드.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 투명전극층들은 Au, Ni, Pt, Al, Cr 및 Ti로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 발광 다이오드.
  14. 청구항 11에 있어서, 상기 투명전극층들은 상기 상부반도체층들을 노출시키는 개구부들을 갖고, 상기 배선들은 상기 투명전극층들의 개구부들을 채우는 발광 다이오드.
  15. 단일 기판 상에 서로 이격된 복수개의 발광셀들을 형성하되, 상기 발광셀들은 각각 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일 영역 상부에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고,
    상기 복수개의 발광셀들을 덮는 제1 절연층을 형성하되, 상기 제1 절연층은 상기 하부 반도체층들의 다른 영역들 및 상기 상부 반도체층들 상에 형성된 개구부 들을 갖고,
    상기 제1 절연층 상에 상기 개구부들을 통해 상기 발광셀들을 전기적으로 연결하는 배선들을 형성하고,
    상기 제1 절연층 및 상기 배선들을 덮는 제2 절연층을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 동일한 재질로 형성되고,
    상기 제1 절연층은 상기 제2 절연층에 비해 상대적으로 더 두꺼운 발광 다이오드 제조방법.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 제1 절연층은 4500Å~1㎛ 범위 내의 두께를 갖고, 상기 제2 절연층은 500Å보다 두꺼운 두께를 갖는 발광 다이오드 제조방법.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 플라즈마 강화 화학기상증착법으로 200~300℃의 온도에서 증착된 실리콘 산화막인 발광 다이오드 제조방법.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 제2 절연층은 상기 제1 절연층의 증착온도의 -20%~+20% 범위내의 온도에서 증착된 실리콘 산화막인 발광 다이오드 제조방법.
  19. 청구항 16에 있어서, 상기 배선들은 상기 제1 절연층에 접하는 하부층 및 상 기 제2 절연층에 접하는 상부층을 포함하되, 상기 하부층은 Cr층이고, 상기 상부층은 Cr층 또는 Ti층인 발광 다이오드 제조방법.
  20. 청구항 19에 있어서, 상기 제2 절연층을 형성하기 전, 상기 배선들과 상기 제1 절연층의 계면접합 특성을 개선하기 위해 상기 배선들을 열처리 하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  21. 청구항 20에 있어서, 상기 배선들은 300~500℃의 온도범위에서 열처리되는 발광 다이오드 제조방법.
  22. 청구항 16에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 플라즈마 강화 화학 기상 증착법으로 형성된 실리콘 질화막인 발광 다이오드 제조방법.
  23. 청구항 15에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 폴리머로 형성된 발광 다이오드 제조방법.
  24. 청구항 23에 있어서, 상기 제2 절연층은 형광체를 함유하는 발광 다이오드 제조방법.
  25. 청구항 15에 있어서, 상기 제2 절연층 상에 형광체층을 형성하는 것을 더 포 함하는 발광 다이오드 제조방법.
  26. 청구항 1에 있어서, 상기 복수개의 발광셀들을 형성하는 것은 상기 상부 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  27. 청구항 26에 있어서, 상기 투명전극층은 500~800℃의 온도에서 열처리되는 발광 다이오드 제조방법.
  28. 청구항 26에 있어서, 상기 투명 전극층은 상기 상부 반도체층을 노출시키는 개구부를 갖도록 형성되고,
    상기 배선들은 상기 투명 전극층의 개구부를 채우는 발광 다이오드 제조방법.
KR1020080128522A 2008-12-17 2008-12-17 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 KR20100076083A (ko)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080128522A KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2008-12-17 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
TW098128710A TWI483381B (zh) 2008-12-17 2009-08-26 具有多個發光單元的發光二極體及其製造方法
EP09013481.8A EP2200085B1 (en) 2008-12-17 2009-10-26 Light emitting diode having plurality of light emitting cells
US12/620,887 US7709849B1 (en) 2008-12-17 2009-11-18 Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
EP09014469.2A EP2200086B1 (en) 2008-12-17 2009-11-19 Method of fabricating a light emitting diode having a plurality of light emitting cells
CN2009102248585A CN101752399B (zh) 2008-12-17 2009-11-27 具有多个发光单元的发光二极管及其制造方法
JP2009270778A JP4663810B2 (ja) 2008-12-17 2009-11-27 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法
JP2009273134A JP5706082B2 (ja) 2008-12-17 2009-12-01 複数の発光セルを有する発光ダイオード及びその製造方法
US12/633,603 US7846755B2 (en) 2008-12-17 2009-12-08 Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080128522A KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2008-12-17 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100026008A Division KR101456270B1 (ko) 2010-03-23 2010-03-23 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100076083A true KR20100076083A (ko) 2010-07-06

Family

ID=41683199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080128522A KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2008-12-17 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7709849B1 (ko)
EP (2) EP2200085B1 (ko)
JP (2) JP4663810B2 (ko)
KR (1) KR20100076083A (ko)
CN (1) CN101752399B (ko)
TW (1) TWI483381B (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2416556A2 (en) 2010-08-06 2012-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Controller chip and image forming apparatus to perform color mis-registration correction and methods thereof
WO2013168929A1 (en) * 2012-05-11 2013-11-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having plurality of light emitting elements and method of fabricating the same
KR20140020190A (ko) * 2012-08-07 2014-02-18 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
KR20140029174A (ko) * 2012-08-28 2014-03-10 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
KR20150136201A (ko) * 2014-05-26 2015-12-07 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
KR20200021391A (ko) * 2019-02-11 2020-02-28 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9142740B2 (en) 2003-07-04 2015-09-22 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
KR101017395B1 (ko) * 2008-12-24 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) * 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101557362B1 (ko) * 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP5195452B2 (ja) * 2009-01-22 2013-05-08 ソニー株式会社 発光素子
EP2367203A1 (en) 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
WO2011145794A1 (ko) 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
US8193546B2 (en) * 2010-06-04 2012-06-05 Pinecone Energies, Inc. Light-emitting-diode array with polymer between light emitting devices
CN102376864B (zh) * 2010-08-10 2014-12-31 晶元光电股份有限公司 发光元件
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101142965B1 (ko) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN102110705B (zh) * 2010-12-14 2013-03-20 武汉迪源光电科技有限公司 一种交流发光二极管
CN102623480A (zh) * 2011-02-01 2012-08-01 绿种子能源科技股份有限公司 发光二极管阵列及其制造方法
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
KR101791175B1 (ko) 2011-06-30 2017-10-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
JP6062429B2 (ja) 2011-07-15 2017-01-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 半導体デバイスを支持基板に接合する方法
CN102916028B (zh) 2011-08-05 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管阵列及其制造方法
EP3926698B1 (en) 2011-09-16 2023-01-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
JP5902908B2 (ja) 2011-10-19 2016-04-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および車両用灯具
DE102011056220A1 (de) * 2011-12-09 2013-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
CN103208489A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 华夏光股份有限公司 发光二极管数组及其制造方法
JP5992695B2 (ja) 2012-02-29 2016-09-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
TWI549278B (zh) * 2012-03-12 2016-09-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
US9166116B2 (en) 2012-05-29 2015-10-20 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting device
CN203300693U (zh) * 2012-05-29 2013-11-20 璨圆光电股份有限公司 多方向出光的发光二极管芯片及其发光装置
CN108461515A (zh) * 2012-08-07 2018-08-28 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列
US10804316B2 (en) * 2012-08-07 2020-10-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
CN103579431A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 华夏光股份有限公司 半导体发光结构及其制造方法
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US20140042470A1 (en) 2012-08-09 2014-02-13 Epistar Corporation Method of making light emitting device and light emitting device made thereof
US20140048824A1 (en) 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
US9356070B2 (en) 2012-08-15 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device
JP2014038989A (ja) * 2012-08-20 2014-02-27 Toshiba Corp 半導体発光装置および照明装置
CN103681723A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 旭明光电股份有限公司 发光二极管
CN104620399B (zh) * 2012-09-07 2020-02-21 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列
CN103681725A (zh) * 2012-09-11 2014-03-26 旭明光电股份有限公司 发光二极管
KR20140073351A (ko) 2012-12-06 2014-06-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US8963121B2 (en) 2012-12-07 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers and high voltage solid-state transducers having buried contacts and associated systems and methods
US9356212B2 (en) 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
WO2014098510A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
CN103915530A (zh) * 2013-01-05 2014-07-09 海立尔股份有限公司 高压覆晶led结构及其制造方法
WO2014106306A1 (zh) * 2013-01-05 2014-07-10 海立尔股份有限公司 高压覆晶led结构及其制造方法
KR20150115811A (ko) 2013-02-06 2015-10-14 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 소형화된 이식가능 전기화학 센서 디바이스들
DE102013101260A1 (de) 2013-02-08 2014-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
TWI532215B (zh) * 2013-12-26 2016-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件
JP2015188039A (ja) * 2014-03-27 2015-10-29 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
DE102014112750A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2016049507A1 (en) * 2014-09-26 2016-03-31 Glo Ab Monolithic image chip for near-to-eye display
CN106328798B (zh) * 2015-06-15 2023-12-22 晶宇光电(厦门)有限公司 一种发光二极管芯片
US10157960B2 (en) * 2014-12-16 2018-12-18 Episky Corporation (Xiamem) Ltd Light-emitting device with electrode extending layer
CN104538522B (zh) * 2014-12-31 2017-08-29 杭州士兰明芯科技有限公司 一种高压芯片led结构及其制作方法
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
TW201631808A (zh) * 2015-02-25 2016-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片封裝體
KR102323250B1 (ko) * 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
US9653435B2 (en) 2015-07-14 2017-05-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having short circuit (VLED) die, lens support dam and same side electrodes and method of fabrication
US10820844B2 (en) 2015-07-23 2020-11-03 California Institute Of Technology Canary on a chip: embedded sensors with bio-chemical interfaces
CN105679886A (zh) * 2016-01-20 2016-06-15 杨秀静 一种发光二极管的制造方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR20170127841A (ko) * 2016-05-13 2017-11-22 주식회사 루멘스 발광 다이오드
KR101852343B1 (ko) * 2016-06-10 2018-06-12 주식회사 옵토웰 병렬 적층 구조를 가지는 레이저 다이오드 및 이의 제조 방법
TWI646651B (zh) 2017-01-26 2019-01-01 宏碁股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN111933771B (zh) * 2018-07-28 2023-02-17 厦门三安光电有限公司 微发光二极管及其显示装置
JP7431110B2 (ja) 2020-06-11 2024-02-14 新光電気工業株式会社 発光装置
TWI736334B (zh) * 2020-06-23 2021-08-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US725248A (en) * 1902-09-23 1903-04-14 Bourne Henry Engineering Company Ltd Washing-machine.
JPS55124274A (en) * 1980-02-04 1980-09-25 Sanyo Electric Co Ltd Solar battery
JPH03284886A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Kyocera Corp 半導体素子およびその形成方法
DE19640003B4 (de) 1996-09-27 2005-07-07 Siemens Ag Halbleitervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
JPH11312824A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Kyocera Corp 半導体発光装置
JP2001102626A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Canon Inc Ledチップ、ledアレイチップ、ledアレイヘッド及び画像形成装置
US6547249B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
US7067916B2 (en) 2001-06-20 2006-06-27 International Business Machines Corporation Extension of fatigue life for C4 solder ball to chip connection
JP2003031840A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
US6635902B1 (en) 2002-05-24 2003-10-21 Para Light Electronics Co., Ltd. Serial connection structure of light emitting diode chip
US7511311B2 (en) 2002-08-01 2009-03-31 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same
EP1892764B1 (en) 2002-08-29 2016-03-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
US7213942B2 (en) 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US6957899B2 (en) 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
TWI220798B (en) 2003-03-07 2004-09-01 Hitachi Cable Light-emitting diode array
KR100706473B1 (ko) 2003-07-18 2007-04-10 산요덴키가부시키가이샤 발광 다이오드
JP2005064104A (ja) 2003-08-08 2005-03-10 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
JP4160881B2 (ja) * 2003-08-28 2008-10-08 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
JP2007511065A (ja) * 2003-11-04 2007-04-26 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
US7048361B2 (en) * 2003-11-05 2006-05-23 Xerox Corporation Ink jet apparatus
US7285801B2 (en) 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
EP2144286A3 (en) * 2004-06-30 2011-03-30 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting element with a plurality of light emitting diodes bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same
KR100961483B1 (ko) * 2004-06-30 2010-06-08 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치
TW200501464A (en) 2004-08-31 2005-01-01 Ind Tech Res Inst LED chip structure with AC loop
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
US7535028B2 (en) * 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
US7474681B2 (en) 2005-05-13 2009-01-06 Industrial Technology Research Institute Alternating current light-emitting device
TWI291246B (en) * 2005-10-20 2007-12-11 Epistar Corp Light emitting device and method of forming the same
KR100758542B1 (ko) 2006-03-14 2007-09-13 서울옵토디바이스주식회사 Ⅰto층을 갖는 교류용 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100721515B1 (ko) * 2006-01-09 2007-05-23 서울옵토디바이스주식회사 Ⅰto층을 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법
DE112006002927B4 (de) * 2006-01-09 2010-06-02 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
US7994514B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device with integrated electronic components
KR100757800B1 (ko) 2006-06-30 2007-09-11 서울옵토디바이스주식회사 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법
JP5008911B2 (ja) 2006-07-04 2012-08-22 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
KR20110110867A (ko) * 2007-03-13 2011-10-07 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광 다이오드
KR100974923B1 (ko) 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2416556A2 (en) 2010-08-06 2012-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Controller chip and image forming apparatus to perform color mis-registration correction and methods thereof
WO2013168929A1 (en) * 2012-05-11 2013-11-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having plurality of light emitting elements and method of fabricating the same
KR20140020190A (ko) * 2012-08-07 2014-02-18 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
KR20180098486A (ko) * 2012-08-07 2018-09-04 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
KR20140029174A (ko) * 2012-08-28 2014-03-10 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
KR20150136201A (ko) * 2014-05-26 2015-12-07 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
KR20200021391A (ko) * 2019-02-11 2020-02-28 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010147462A (ja) 2010-07-01
TW201025558A (en) 2010-07-01
EP2200085A1 (en) 2010-06-23
EP2200085B1 (en) 2014-07-16
US7846755B2 (en) 2010-12-07
CN101752399A (zh) 2010-06-23
CN101752399B (zh) 2013-05-22
EP2200086A1 (en) 2010-06-23
JP5706082B2 (ja) 2015-04-22
TWI483381B (zh) 2015-05-01
JP2010147463A (ja) 2010-07-01
JP4663810B2 (ja) 2011-04-06
US7709849B1 (en) 2010-05-04
US20100151604A1 (en) 2010-06-17
EP2200086B1 (en) 2015-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7846755B2 (en) Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
US9929208B2 (en) Light emitting device
US7994523B2 (en) AC light emitting diode having improved transparent electrode structure
CN100580963C (zh) 具有氧化铟锡层的发光二极管及其制造方法
KR101115535B1 (ko) 확장된 금속 반사층을 갖는 플립 본딩형 발광다이오드 및그 제조방법
CN101820043A (zh) 发光装置
KR100635346B1 (ko) 색변환 물질층을 갖는 교류용 발광 다이오드 칩 및 그것을제조하는 방법
KR100757800B1 (ko) 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법
KR20140060474A (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101040140B1 (ko) 반도체 발광 소자 어레이 및 그 제조방법
KR20120031207A (ko) 발광다이오드 및 그 제조방법
KR101761856B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101601073B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101456270B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR100823089B1 (ko) 파장변환 물질층을 갖는 발광 다이오드 제조방법
KR20090016120A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 칩
KR20140081638A (ko) 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP2012009625A (ja) 発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20100226

Effective date: 20100728