TW201631808A - 發光二極體晶片封裝體 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種發光二極體晶片封裝體，包括：一基板；一發光二極體晶片組件(LED chip set)，設於該基板上，且由多個發光二極體晶片一體成形(formed in one piece)；以及至少兩個電極，設於該基板上且電性連接至該發光二極體晶片組件。

Description

發光二極體晶片封裝體
本揭露係有關於晶片封裝體，且特別係有關於一種發光二極體晶片封裝體。
發光二極體晶片封裝體中的發光二極體(LED)係利用於一基底上形成主動層之且於基底上沉積不同導電和半導電層的方式所形成。利用p-n接面中的電流，電子-電洞對的再結合(recombination)輻射可用於產生電磁輻射(例如光)。在例如GaAs或GaN之直接能隙材料(direct band gap material)形成的順向偏壓的P-N接面中，注入空乏區中的電子-電洞對的再結合導致電磁輻射發光。上述電磁輻射可位於可見光區或非可見光區。可利用具有不同能隙的材料形成不同顏色的發光二極體。另外，在非可見光區的電磁輻射可藉由磷透鏡轉換成可見光。
在現今發光二極體晶片封裝體產業皆朝大量生產之趨勢邁進的情況下，任何可簡化發光二極體晶片封裝體之製程步驟或是降低其生產成本之方法皆可帶來巨大之經濟效益。因此，業界亟須一種生產成本低且可由較簡易之製程製備而得的發光二極體晶片封裝體。
本揭露提供一種發光二極體晶片封裝體，包括：基板；發光二極體晶片組件(LED chip set)，設於基板上，且由多個發光二極體晶片一體成形(formed in one piece)；以及至少兩個電極，設於基板上且電性連接至發光二極體晶片組件。
本揭露更提供一種發光二極體晶片封裝體，包括：基板；發光二極體晶片組件(LED chip set)，設於基板上，發光二極體晶片組件為晶圓級封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging)；以及至少兩個電極，設於基板上且電性連接至發光二極體晶片組件。
為讓本揭露之特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
100‧‧‧發光二極體晶片封裝體
102‧‧‧基板
104‧‧‧平面電極
104a‧‧‧部分
106‧‧‧發光二極體晶片
106a‧‧‧接合區
108‧‧‧導線
110‧‧‧螢光片
112‧‧‧遮蔽層
112’‧‧‧遮蔽層
110S‧‧‧頂表面
200‧‧‧發光二極體晶片封裝體
202‧‧‧基板
202C‧‧‧轉角區
204‧‧‧電極
204A‧‧‧電極
204B‧‧‧電極
204S‧‧‧頂表面
206‧‧‧發光二極體晶片
206A‧‧‧發光二極體晶片
206B‧‧‧發光二極體晶片
206C‧‧‧發光二極體晶片
206D‧‧‧發光二極體晶片
208‧‧‧導線
210‧‧‧螢光片
210S‧‧‧頂表面
212‧‧‧遮蔽層
214‧‧‧發光二極體晶片組件
214a‧‧‧接合區
216‧‧‧半導體基底
218‧‧‧導線結構
218A‧‧‧導線結構
218B‧‧‧導線結構
218C‧‧‧導線結構
220‧‧‧柱狀部
220A‧‧‧柱狀部
220B‧‧‧柱狀部
220C‧‧‧柱狀部
220D‧‧‧柱狀部
222‧‧‧導孔
310‧‧‧發光二極體晶片封裝體
320‧‧‧發光二極體晶片封裝體
330‧‧‧發光二極體晶片封裝體
340‧‧‧發光二極體晶片封裝體
350‧‧‧長條部
400‧‧‧發光二極體晶片封裝體
410A‧‧‧螢光片
410B‧‧‧螢光片
410C‧‧‧螢光片
410D‧‧‧螢光片
2B-2B‧‧‧線段
2D-2D‧‧‧線段
H‧‧‧高度差
第1A-1C圖係本揭露實施例之發光二極體晶片封裝體在其製造方法中各階段的側視圖。
第2A-2E圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體在其製造方法中各階段的側視圖或剖面圖。
第3A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。
第3B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。
第3C圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側 視圖。
第3D圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。
第4圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。
第5圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。
以下針對本揭露之發光二極體晶片封裝體及其製造方法作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本揭露之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式儘為簡單描述本揭露。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
必需了解的是，為特別描述或圖示之元件可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層或基板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。
此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述圖示的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖示的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。
在此，「約」、「大約」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，較佳是10%之內，且更佳是5%之內。在此給定的數量為大約的數量，意即在沒有特定說明的情況下，仍可隱含「約」、「大約」之含義。
本揭露實施例係利用由多個發光二極體晶片一體成形(formed in one piece)之發光二極體晶片組件(LED chip set)以簡化製造步驟並降低生產成本。此發光二極體晶片組件亦可稱為一晶圓級封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging)之發光二極體晶片組件。
第1A-1C圖係本揭露實施例之發光二極體晶片封裝體在其製造方法中各階段的側視圖，該圖繪示發明人已知之一種發光二極體晶片封裝體之側視圖，唯該圖之內容非公知技術，因此僅作為本案所欲解決問題之參考，而非申請前之先前技術。
首先參見第1A圖，發光二極體晶片封裝體100包括基板102、設於基板102上之平面電極104以及四個各自獨立的發光二極體晶片106。此發光二極體晶片106之其中一個電極(例如為正極)係電性連接至平面電極104，而發光二極體晶片106之另一電極(例如為負極)係以導線108由接合區106a電性連 接至基板102。此外，發光二極體晶片封裝體100更包括設於每一個發光二極體晶片106上之多個螢光片110，且每一片螢光片110皆需切割成特定形狀以露出其下之發光二極體晶片106的接合區106a。
接著，參見第1B-1C圖，形成遮蔽層112’於基板102上。此遮蔽層112’遮蔽係用以遮蔽發光二極體晶片106中並非設計用來出光之區域(亦即第1C圖中發光二極體晶片106之四個側壁)，並露出螢光片110用以出光之頂表面110S以及平面電極104中用以與外界連接之部分104a。
此遮蔽層112’可藉由第1B-1C圖所示之步驟形成。首先，如第1B圖所示，形成覆蓋於基板102、平面電極104、發光二極體晶片106以及螢光片110上之遮蔽層112。需注意的是，由於此遮蔽層112必須於後續蝕刻步驟中同時露出螢光片110用以出光之頂表面110S以及平面電極104中用以與外界連接之部分104a，故此遮蔽層112必須以特定模具形成特定形狀，使其厚度可對應上述螢光片110之頂表面110S及平面電極104之104a部分。易言之，此遮蔽層112中對應平面電極104之部分104a之區域必須具有較薄之厚度，而於對應螢光片110之頂表面110S之區域必須具有較厚之厚度，如第1B圖所示。
接著，於第1C圖中對此遮蔽層112進行一蝕刻步驟以同時露出螢光片110用以出光之頂表面110S以及平面電極104中用以與外界連接之部分104a。此蝕刻步驟例如可為噴砂或其它任何適合之蝕刻方法。而蝕刻後之遮蔽層112係以遮蔽層112’表示。
對於發光二極體晶片封裝體100而言，若發光二極體晶片106之間的間隙過大，則會造成光斑現象，故為了防止光斑的產生，第1A圖之發光二極體晶片106必須以高精密度之方式緊密排列，例如兩個發光二極體晶片106之間的間隙不超過100μm。然而，以此高精密度之方式緊密排列多個發光二極體晶片106需要相當高的製程成本。
此外，由第1A圖可知，每一個設於發光二極體晶片106上之螢光片110皆需切割成特定形狀以露出其下之發光二極體晶片106的接合區106a，然而，將每一個設於發光二極體晶片106上之螢光片110切割成特定形狀亦需要相當高的製程成本。此外，由於每一個發光二極體晶片106皆需要一條導線108以電性連接至基板102，故此多條導線108佔據了基板102上相當大的面積，降低了基板102之板材利用率。
再者，由於第1B-1C圖之此遮蔽層112必須以特定模具形成特定形狀，故形成此遮蔽層112之步驟亦需要相當高的製程成本。
因此，為解決上述問題，發明人於本案另一實施例中提供另一發光二極體晶片封裝體，此發光二極體晶片封裝體可藉由簡化之製造步驟製備而得，並因此可降低生產成本。
參見第2A-2D圖，此四圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體在其製造方法中各階段的側視圖或剖面圖。
首先，參見第2A圖，發光二極體晶片封裝體200包括基板202，設於此基板202上之發光二極體晶片組件214(LED chip set)，以及設於此基板202上且電性連接至上述發光二極體晶片組件214的至少兩個電極204A及204B。此基板202可包括陶瓷材質基板、銅材質基板、鋁材質基板、或其它任何適合之散熱基板。
上述發光二極體晶片組件214係由多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)一體成形(formed in one piece)，或者，亦可稱此發光二極體晶片組件214為一晶圓級封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging)發光二極體晶片組件214。此多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)可各自獨立的包括紫外光發光二極體晶片、藍光發光二極體晶片、綠光發光二極體晶片、紅光發光二極體晶片或其它任何適合之發光二極體晶片。
此由多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)一體成形之晶圓級封裝發光二極體晶片組件214與習知之封裝技術所形成之個別獨立的發光二極體晶片不同。詳細而言，習知之封裝技術係先進行一切割步驟將形成於晶圓上之每一個發光二極體晶片分離，接著對每個獨立之發光二極體晶片進行封裝。有別於此習知之封裝技術，本案由多個發光二極體晶片一體成形之發光二極體晶片組件214(或稱為晶圓級封裝發光二極體晶片組件214)係在晶圓階段即完成封裝步驟(例如多個發光二極體晶片之間的電性連接)，接著再切割並單離由多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)組成之發光二極體晶片組件214，而此多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)之間用以連接此多個發光二極體晶片(206A、 206B、206C及206D)的半導體基板並未被切割。
詳細而言，參見第2B圖，該圖為第2A圖之發光二極體晶片封裝體200沿線段2B-2B所繪製的剖面圖。此外，需注意的是，為清楚敘述本發明，該圖亦繪示未在線段2B-2B上之電極204、柱狀部220、導孔222以及導線208。
以第2B圖所示之由四個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)一體成形之晶圓級封裝發光二極體晶片組件214為例，此四個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)在晶圓設計及製造階段時，即已藉由晶圓之半導體基底216中的導線結構218彼此電性連接。此導線結構218例如可為半導體基底216中的內連線結構。接著，切割並單離由此四個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)所組成之發光二極體晶片組件214，而此多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)之間用以連接此多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)的半導體基底216則未被切割。
易言之，發光二極體晶片組件214包括半導體基底216，且多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)係設於半導體基底216中，且藉由半導體基底216中的導線結構218彼此電性連接。例如，在一實施例中，如第2A-2B圖所示，其中一個電極204可藉由導線208經由發光二極體晶片組件214之接合區214a電性連接至發光二極體晶片206A之正極，接著，此發光二極體晶片206A之負極可藉由導線結構218A電性連接至發光二極體晶片206B之正極。接著，此發光二極體晶片206B之負極可藉由導線結構218B電性連接至發光二極體晶片206C 之正極，此發光二極體晶片206C之負極可再藉由導線結構218C電性連接至發光二極體晶片206D之正極。最後，此發光二極體晶片206D之負極可藉由接合區214a以及另一導線208連接至另一個電極204。
上述半導體基底216可包括矽基板。或者，半導體基底216亦可包括元素半導體，包括鍺(germanium)；化合物半導體，包括碳化矽(silicon carbide)、砷化鎵(gallium arsenide)、磷化鎵(gallium phosphide)、磷化銦(indium phosphide)、砷化銦(indium arsenide)及/或銻化銦(indium antimonide)；合金半導體，包括矽鍺合金(SiGe)、磷砷鎵合金(GaAsP)、砷鋁銦合金(AlInAs)、砷鋁鎵合金(AlGaAs)、砷銦鎵合金(GaInAs)、磷銦鎵合金(GaInP)及/或磷砷銦鎵合金(GaInAsP)或上述材料之組合。此外，半導體基底216也可以是絕緣層上覆半導體(semiconductor on insulator)。
由第2A-2B圖可知，由於發光二極體晶片組件214中之多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)已以高精密度之方式緊密排列，例如兩個發光二極體晶片206之間的間隙不超過100μm，故製造發光二極體晶片封裝體200之製造步驟中不再需要如第1A圖所示以高精密度之方式緊密排列彼此分離之多個發光二極體晶片，故可大幅降低生產成本。且藉由緊密排列多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)，可避免產生光斑現象。
此外，在一實施例中，如第2A-2B圖所示，發光二極體晶片封裝體200之多個發光二極體晶片(206A、206B、206C 及206D)係並列設置。
繼續參見第2A-2B圖，此發光二極體晶片封裝體200可更包括設於基板202上之至少一個柱狀部220，且至少一個電極204係設於至少一個柱狀部220上。例如，在第2A圖所示之實施例中，發光二極體晶片封裝體200包括設於基板202上之兩個柱狀部220A與218B，且此兩個柱狀部220A與218B係設於基板202之兩個轉角區202C。此外，電極204A及204B係分別設於此兩個柱狀部220A與218B之頂表面上，且可藉由導線208電性連接至發光二極體晶片組件214之接合區214a。
此外，每柱狀部220A與218B皆具有導孔222，且此導孔222電性連接電極204與基板202。詳細而言，此導孔222為柱狀部220之貫孔，其貫穿柱狀部220之頂表面(亦稱上表面)及底表面(亦稱下表面)。且此導孔222中填有導電材料，故設於此柱狀部220之頂表面之電極204可藉由導孔222電性連接位於此柱狀部220之下的基板202。
應注意的是，應注意的是，除上述實施例以外，本揭露之實施例亦可具有其它數量之柱狀部，此部分將於後文詳細說明。因此，本揭露之範圍並不以上述之實施例為限。
上述柱狀部220之材料可包括陶瓷、玻璃環氧基樹脂、金屬、或其它任何適合之材料。而電極204A及204B之材料可包括單層或多層之銅、鋁、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料，且可藉由電鍍法、濺鍍法、電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、或其它任何適合的沈積方式形成於柱狀部220之頂表面上。
此外，上述柱狀部220之導孔222可藉由雷射切割、微影蝕刻、刀輪切割、機械沖孔(mechanical drilling)、上述之組合、或其它任何適合之方法形成於柱狀部220中。上述蝕刻步驟可包括噴砂、反應離子蝕刻、電漿蝕刻或其它合適的蝕刻步驟。而設於此導孔222中之導電材料可包括銅、鋁、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料。在一實施例中，此導孔222中之導電材料可與電極204A及204B之材料相同，且可與電極204A及204B於共同之金屬沈積步驟中形成。然而，在其它實施例中，此導孔222中之導電材料亦可藉由另一金屬沈積步驟形成，且其材料可與電極204A及204B之材料不同。
接著，參見第2C-2D圖，其中第2D圖為第2C圖之發光二極體晶片封裝體200沿線段2D-2D所繪製的剖面圖。此外，需注意的是，為清楚敘述本發明，該圖亦繪示未在線段2D-2D上之電極204、柱狀部220、導孔222以及導線208。如第2C-2D圖所示，發光二極體晶片封裝體200可更包括設於發光二極體晶片組件214上之螢光片210。
在一實施例中，此螢光片210可為摻混螢光粉之陶瓷片(簡稱陶瓷螢光片)。此陶瓷螢光片可藉由將螢光粉與陶瓷粉末在高溫下進行燒結而製得。此陶瓷粉末可為矽氧化物、氧化鋁或其它適合之材料。此螢光粉可為Y3Al5O12(Yttrium aluminium garnet，YAG)、Lu3Al5O12(Lutetium aluminium garnet，LuAG)、矽酸鹽(Silicate)、氮化物(Nitride)或其它適合之螢光粉。此螢光粉可將發光二極體晶片所發出之光轉換為 白光。然而，在其它實施例中，此螢光片210可為摻混上述螢光粉之玻璃片或矽膠。
如第2C-2D圖所示，由於螢光片210僅需要於右側露出發光二極體晶片組件214之接合區214a，故其不需如第1A圖所示切割成特定形狀以露出每一個發光二極體晶片。因此，使用本案發光二極體晶片組件214可簡化螢光片複雜之切割步驟，故可簡化製造步驟並降低生產成本。
此外，由於多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)僅需一條導線208即可藉由發光二極體晶片組件214之接合區214a電性連接至電極204，故相較於第1A圖所示每一個發光二極體晶片皆需要一條導線之實施例，使用發光二極體晶片組件214可大幅減少導線208之數量，故基板202被導線佔據的面積亦可大幅減少，提升了基板202之板材利用率。
接著，同時參見第2D-2E圖。在一實施例中，如第2D圖所示，此設於柱狀部220上之電極204的頂表面204S與螢光片210的頂表面210S之高度差H為約0至50μm，例如為約10至40μm。在一實施例中，此電極204的頂表面204S與螢光片210的頂表面210S之高度差H為0，亦即此設於柱狀部220上之電極204的頂表面204S與螢光片210的頂表面210S同高。
接著，於第2E圖所示之步驟中，形成遮蔽層212於基板202上。此遮蔽層212遮蔽係用以遮蔽發光二極體晶片組件214中並非設計用來出光之區域(亦即第2E圖中發光二極體晶片組件214之側壁)，並露出螢光片210用以出光之頂表面210S以及電極204中用以與外界連接之的頂表面204S。
由於發光二極體晶片封裝體200之電極204的頂表面204S與螢光片210的頂表面210S之高度差H極小(約0至50μm)，故上述遮蔽層212並不需要如第1B-1C圖所示以須以特定模具形成特定形狀。因此，藉由使電極204的頂表面204S與螢光片210的頂表面210S位於同一水平面(亦即高度差H為約0至50μm)，可省去以特定模具將遮蔽層形成特定形狀之步驟，並可簡化製造步驟並降低生產成本。
應注意的是，除上述第2A-2E圖所示之具有兩個柱狀部實施例以外，本揭露之實施例亦可有其它數量之柱狀部，如第3A-3B圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第2A-2E圖所示之實施例為限。
第3A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。第3A圖所示之實施例與前述第2A-2E圖實施例之差別在於發光二極體晶片封裝體310包括設於基板202之三個轉角區202C之三個柱狀部220A、218B及218C。由於能用於與外界電性連接之柱狀部220之數量增加了，故第3A圖之發光二極體晶片封裝體310增加了裝置設計之彈性。需注意的是，第3A圖以及其後之圖示中，為了清楚繪示裝置之元件，故並於圖示中未顯示遮蔽層。
第3B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。第3B圖所示之實施例與前述第3A圖實施例之差別在於發光二極體晶片封裝體320包括設於基板202之四個轉角區202C之四個柱狀部220A、218B、218C及218D。由於能用於與外界電性連接之柱狀部220之數量增加了，故第3B圖之 發光二極體晶片封裝體320可更進一步增加了裝置設計之彈性。
應注意的是，除上述第2A-3B圖所示之實施例以外，本揭露之實施例之電極亦可藉由其它方式與基板電性連接，如第3C圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第2A-3B圖所示之實施例為限。
第3C圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。第3C圖所示之實施例與前述第2A-3B圖實施例之差別在於發光二極體晶片封裝體330之電極204係設於柱狀部220之頂表面及側壁上，並藉由電極204設於柱狀部220側壁上的部分電性連接至基板202。且柱狀部220並不具有任何導孔，故可省去製程中形成導孔之步驟，更進一步降低裝置之製程成本。
此外，除上述第2A-3C圖所示包括柱狀部之實施例以外，本揭露之實施例亦可包括其它形狀之凸出部，如第3D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第2A-3C圖所示之實施例為限。
第3D圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。第3D圖所示之實施例與前述第2A-3C圖實施例之差別在於發光二極體晶片封裝體340包括設於基板202上之長條部350，且至少兩個電極204A及204B係設於此長條部350上。使用此長條部350可更進一步增加裝置之結構強度。
此外，此發光二極體晶片封裝體340可更包括設於發光二極體晶片組件214上之螢光片210，且設於長條部350上 之電極204的頂表面與螢光片210的頂表面之高度差為約0至50μm，例如為約10至40μm。在一實施例中，此電極204的頂表面204S與螢光片210的頂表面210S之高度差H為0，亦即此設於柱狀部220上之電極204的頂表面204S與螢光片210的頂表面210S同高。
此外，除上述第2A-3D圖所示僅使用一塊螢光片之實施例以外，本揭露之實施例亦可包括多個螢光片，如第4圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第2A-3D圖所示之實施例為限。
第4圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。第4圖所示之實施例與前述第2A-3D圖實施例之差別在於發光二極體晶片封裝體400包括設於發光二極體晶片組件214上之多個螢光片410A、410B、410C及410D，且每一個螢光片410皆對應其下之多個發光二極體晶片(206A、206B、206C及206D)設置。
雖然第2A-4圖所示之實施例之發光二極體晶片組件皆藉由實體導線電性連接至電極，然而發光二極體晶片組件亦可藉由一設於該基板之上或之中的導電層電性連接至此電極。
第5圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片封裝體的側視圖。如第5圖所示，發光二極體晶片組件214係藉由設於基板202上之導電層500經由導孔222電性連接至電極204A，並藉由設於基板202上之另一導電層502經由導孔222電性連接至電極204B。在此實施例中，發光二極體晶片組件214並非藉由實體導線(例如前文之導線208)電性連接至電極204A及204B。此 外，雖然第5圖僅繪示導電層500及502設於基板202上，此技藝人士當可理解此導電層500及502亦可設於基板202之中，並藉由導孔電性連接至發光二極體晶片組件214。此導電層500及502可包括金屬或其它任何適合之導電材料。
此外，雖然上述實施例皆使用導線電性連接發光二極體晶片組件以及電極，然而此技術領域中具有通常知識者可知此發光二極體晶片組件亦可以覆晶之方式電性連接至其下之基板，再藉由此基板中之內連線結構以及柱狀部之導孔電性連接至上述電極。因此，本揭露之範圍並不以上述使用導線之實施例為限。
綜上所述，使用由多個發光二極體晶片一體成形之發光二極體晶片組件(亦即晶圓級封裝發光二極體晶片組件)可使發光二極體晶片封裝體之製造步驟不再需要以高精密度之方式緊密排列彼此分離之多個發光二極體晶片，故可大幅降低生產成本。此外，基板被導線佔據的區域可大幅減少，提升基板之板材利用率。再者，螢光片亦不需要以複雜的切割步驟切割，故可更進一步簡化製造步驟並降低生產成本。且藉由使電極的頂表面與螢光片的頂表面位於同一水平面，可省去以特定模具將遮蔽層形成特定形狀之步驟，並可更進一步簡化製造步驟並降低生產成本。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製 程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。
200‧‧‧發光二極體晶片封裝體
202‧‧‧基板
202C‧‧‧轉角區
204‧‧‧電極
204A‧‧‧電極
204B‧‧‧電極
204S‧‧‧頂表面
206‧‧‧發光二極體晶片
206A‧‧‧發光二極體晶片
206B‧‧‧發光二極體晶片
206C‧‧‧發光二極體晶片
206D‧‧‧發光二極體晶片
208‧‧‧導線
214‧‧‧發光二極體晶片組件
214a‧‧‧接合區
220‧‧‧柱狀部
220A‧‧‧柱狀部
220B‧‧‧柱狀部
222‧‧‧導孔
2B-2B‧‧‧線段

Claims (15)

  1. 一種發光二極體晶片封裝體，包括：一基板；一發光二極體晶片組件(LED chip set)，設於該基板上，且由多個發光二極體晶片一體成形(formed in one piece)；以及至少兩個電極，設於該基板上且電性連接至該發光二極體晶片組件。
  2. 一種發光二極體晶片封裝體，包括：一基板；一發光二極體晶片組件(LED chip set)，設於該基板上，該發光二極體晶片組件為晶圓級封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging)；以及至少兩個電極，設於該基板上且電性連接至該發光二極體晶片組件。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之發光二極體晶片封裝體，其中該發該光二極體晶片組件更包括一半導體基底，且該多個發光二極體晶片係設於該半導體基底中，且藉由該半導體基底中的一導線結構彼此電性連接。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之發光二極體晶片封裝體，其中該多個發光二極體晶片係並列設置。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之發光二極體晶片封裝體，更包括：至少一個柱狀部，設於該基板上，且該至少一個電極設於該至少一個柱狀部上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體晶片封裝體，更包括：一螢光片，設於該發光二極體晶片組件上，其中設於該柱狀部上之該電極的頂表面與該螢光片的頂表面之高度差為0至50μm。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體晶片封裝體，其中設於該柱狀部上之該電極的頂表面與該螢光片的頂表面同高。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體晶片封裝體，其中每一該柱狀部具有一導孔，且該導孔電性連接該電極與該基板。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體晶片封裝體，其中該發光二極體晶片組件藉由一實體導線電性連接至該至少兩個電極。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體晶片封裝體，其中該發光二極體晶片組件藉由設於該基板之上或之中的一導電層電性連接至該至少兩個電極。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體晶片封裝體，其中該電極設於該柱狀部之頂表面及側壁上，並藉由該電極設於該柱狀部側壁上的部分電性連接至該基板。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體晶片封裝體，包括兩個該柱狀部，設於該基板之兩個轉角區。
  13. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體晶片封裝體，包括四個該柱狀部，設於該基板之四個轉角區。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之發光二極體晶片 封裝體，更包括：一長條部，設於該基板上，且該至少兩個電極係設於該長條部上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之發光二極體晶片封裝體，更包括：一螢光片，設於該發光二極體晶片組件上，其中設於該長條部上之該電極的頂表面與該螢光片的頂表面之高度差為0至50μm。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
TWI646706B (zh) * 2015-09-21 2019-01-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片封裝體
JP6799414B2 (ja) 2016-08-10 2020-12-16 株式会社ミツトヨ 追尾式レーザ干渉計のフィードバックゲイン調整方法及び装置
CN108807352B (zh) * 2017-05-03 2020-07-14 申广 一种新型led灯丝制作方法
JP6806023B2 (ja) 2017-09-29 2020-12-23 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7213942B2 (en) 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7579629B2 (en) * 2003-04-01 2009-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus
US7683377B2 (en) 2003-07-16 2010-03-23 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
TWI302382B (en) * 2004-09-15 2008-10-21 Yu Nung Shen Light emitting diode package and its packaging method
CN101257009B (zh) * 2005-05-19 2010-09-01 沈育浓 发光二极管封装体及其封装方法
US7550319B2 (en) * 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
TW200824142A (en) * 2006-11-22 2008-06-01 Lighthouse Technology Co Ltd High power diode holder and thereof package is described
TWI337783B (en) * 2007-07-06 2011-02-21 Harvatek Corp Through hole type led chip package structure using ceramic material as a substrate and method of the same
CN101392896A (zh) * 2007-09-21 2009-03-25 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
US9634191B2 (en) * 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
DE102008025397A1 (de) 2008-05-28 2009-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Fahrzeugbeleuchtungsvorrichtung mit mindestens zwei Halbleiter-Leuchtelementen
KR101154758B1 (ko) * 2008-11-18 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
CN101800219B (zh) * 2009-02-09 2019-09-17 晶元光电股份有限公司 发光元件
JP2010263174A (ja) 2009-05-11 2010-11-18 Mtec:Kk 高電圧駆動の発光ダイオード
US8441020B2 (en) * 2010-03-10 2013-05-14 Micron Technology, Inc. Light emitting diode wafer-level package with self-aligning features
CN201689910U (zh) * 2010-03-21 2010-12-29 秦彪 一种照明用的led灯芯和led芯片
JP5768435B2 (ja) * 2010-04-16 2015-08-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2013026510A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの実装構造
JP6147977B2 (ja) * 2012-09-26 2017-06-14 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明器具およびｌｅｄユニット
CN102931322A (zh) * 2012-11-16 2013-02-13 聚灿光电科技(苏州)有限公司 大功率cob封装led结构及其晶圆级制造工艺
TWI573245B (zh) * 2012-12-24 2017-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體燈條
JP6097084B2 (ja) * 2013-01-24 2017-03-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
DE102013207564A1 (de) * 2013-04-25 2014-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenkonvertierendes Element, optoelektronisches Bauelement und Druckschablone
KR102180388B1 (ko) 2013-07-08 2020-11-19 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 반도체 발광 디바이스
CN105473930B (zh) * 2013-08-23 2019-03-19 莫列斯有限公司 Led模块
CN105185249B (zh) * 2014-04-01 2020-09-08 晶元光电股份有限公司 发光二极管显示器及其制作方法
US10024530B2 (en) * 2014-07-03 2018-07-17 Sansi Led Lighting Inc. Lighting device and LED luminaire

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