KR100757800B1 - 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 - Google Patents
절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100757800B1 KR100757800B1 KR1020060060818A KR20060060818A KR100757800B1 KR 100757800 B1 KR100757800 B1 KR 100757800B1 KR 1020060060818 A KR1020060060818 A KR 1020060060818A KR 20060060818 A KR20060060818 A KR 20060060818A KR 100757800 B1 KR100757800 B1 KR 100757800B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- semiconductor layers
- emitting cells
- lower semiconductor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 기판 상에 서로 이격되어 위치하고, 각각 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일 영역 상부에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광셀들;상기 발광셀들의 전면을 덮되, 상기 하부 반도체층들의 다른 영역들 및 상기 상부 반도체층들 상에 각각 형성된 개구부들을 갖는 절연층;상기 절연층 상에 형성되어 상기 개구부들을 통해 상기 하부 반도체층들 및 상기 상부 반도체층들에 전기적으로 연결되고, 인접한 발광셀들의 상기 하부 반도체층들과 상기 상부 반도체층들을 각각 전기적으로 연결하는 배선들; 및투광성 물질을 도포하여 형성되고, 상기 발광셀들에서 방출된 광의 파장을 변환시키는 형광물질을 함유하며, 상기 배선들 및 상기 절연층을 덮는 절연보호막을 포함하는 교류용 발광 다이오드.
- 청구항 1에 있어서,상기 투광성 물질은 SOG 또는 BCB인 것을 특징으로 하는 교류용 발광 다이오드.
- 삭제
- 기판 상에 서로 이격되어 위치하고, 각각 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일 영역 상부에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 발광셀들;상기 발광셀들의 전면을 덮되, 상기 하부 반도체층들의 다른 영역들 및 상기 상부 반도체층들 상에 각각 형성된 개구부들을 갖는 절연층;상기 절연층 상에 형성되어 상기 개구부들을 통해 상기 하부 반도체층들 및 상기 상부 반도체층들에 전기적으로 연결되고, 인접한 발광셀들의 상기 하부 반도체층들과 상기 상부 반도체층들을 각각 전기적으로 연결하는 배선들;투광성 물질을 도포하여 형성되고, 상기 배선들 및 상기 절연층을 덮는 절연보호막; 및상기 절연보호막 상에 위치하고, 상기 발광셀들에서 방출된 광의 파장을 변환시키는 형광물질을 포함하는 교류용 발광 다이오드.
- 청구항 4에 있어서,상기 투광성 물질은 SOG 또는 BCB인 것을 특징으로 하는 교류용 발광 다이오드.
- 기판 상에 서로 이격된 발광셀들을 형성하되, 상기 발광셀들은 각각 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일 영역 상부에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고,상기 발광셀들을 갖는 기판 상에 연속적인 절연층을 형성하고,상기 절연층을 패터닝하여 상기 하부 반도체층들의 다른 영역들 및 상기 상부 반도체층들 상에 개구부들을 형성하고,상기 절연층 상에 배선들을 형성하되, 상기 배선들은 상기 개구부들을 통해 상기 하부 반도체층들 및 상기 상부 반도체층들에 전기적으로 연결되고, 인접한 발광셀들의 상기 하부 반도체층들과 상기 상부 반도체층들을 각각 전기적으로 연결하고,상기 배선들이 형성된 기판의 전면 상에 상기 발광셀들에서 방출된 광의 파장을 변환시키는 형광물질을 함유하는 투광성 물질을 도포하여 절연보호막을 형성하는 것을 포함하는 교류용 발광 다이오드 제조방법.
- 삭제
- 청구항 6에 있어서,상기 투광성 물질은 SOG 또는 BCB인 것을 특징으로 하는 교류용 발광 다이오드 제조방법.
- 기판 상에 서로 이격된 발광셀들을 형성하되, 상기 발광셀들은 각각 하부 반도체층, 상기 하부 반도체층의 일 영역 상부에 위치하는 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하고,상기 발광셀들을 갖는 기판 상에 연속적인 절연층을 형성하고,상기 절연층을 패터닝하여 상기 하부 반도체층들의 다른 영역들 및 상기 상부 반도체층들 상에 개구부들을 형성하고,상기 절연층 상에 배선들을 형성하되, 상기 배선들은 상기 개구부들을 통해 상기 하부 반도체층들 및 상기 상부 반도체층들에 전기적으로 연결되고, 인접한 발광셀들의 상기 하부 반도체층들과 상기 상부 반도체층들을 각각 전기적으로 연결하고,상기 배선들이 형성된 기판의 전면 상에 투광성 물질을 도포하여 절연보호막을 형성하고,상기 절연보호막 상에 상기 발광셀들에서 방출된 광의 파장을 변환시키는 형광물질을 도포하는 것을 포함하는 교류용 발광 다이오드 제조방법.
- 청구항 9에 있어서,상기 투광성 물질은 SOG 또는 BCB인 것을 특징으로 하는 교류용 발광 다이오드 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060060818A KR100757800B1 (ko) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060060818A KR100757800B1 (ko) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100757800B1 true KR100757800B1 (ko) | 2007-09-11 |
Family
ID=38737433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060060818A KR100757800B1 (ko) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100757800B1 (ko) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7846755B2 (en) | 2008-12-17 | 2010-12-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
KR20140130389A (ko) * | 2014-09-22 | 2014-11-10 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
KR101456270B1 (ko) | 2010-03-23 | 2014-11-12 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
CN105374909A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-03-02 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 一种高压发光二极管的制造方法 |
KR101686750B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2016-12-14 | 한국광기술원 | 어레이 구조를 갖는 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
KR101761856B1 (ko) * | 2016-03-02 | 2017-07-26 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004048067A (ja) | 2003-10-14 | 2004-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光部品およびその製造方法 |
KR20060048984A (ko) * | 2004-09-01 | 2006-05-18 | 에피스타 코포레이션 | 반도체 발광 소자 및 그 형성 방법 |
KR20060121454A (ko) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광소자 어레이 제조방법 |
-
2006
- 2006-06-30 KR KR1020060060818A patent/KR100757800B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004048067A (ja) | 2003-10-14 | 2004-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光部品およびその製造方法 |
KR20060048984A (ko) * | 2004-09-01 | 2006-05-18 | 에피스타 코포레이션 | 반도체 발광 소자 및 그 형성 방법 |
KR20060121454A (ko) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광소자 어레이 제조방법 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7846755B2 (en) | 2008-12-17 | 2010-12-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
KR101456270B1 (ko) | 2010-03-23 | 2014-11-12 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
KR20140130389A (ko) * | 2014-09-22 | 2014-11-10 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
KR101601073B1 (ko) * | 2014-09-22 | 2016-03-15 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
KR101686750B1 (ko) * | 2015-09-17 | 2016-12-14 | 한국광기술원 | 어레이 구조를 갖는 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
CN105374909A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-03-02 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 一种高压发光二极管的制造方法 |
CN105374909B (zh) * | 2015-11-02 | 2018-05-29 | 华灿光电(苏州)有限公司 | 一种高压发光二极管的制造方法 |
KR101761856B1 (ko) * | 2016-03-02 | 2017-07-26 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100690323B1 (ko) | 배선들을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 | |
US9634061B2 (en) | Light emitting diode | |
US10256387B2 (en) | Light emitting diode | |
KR100652864B1 (ko) | 개선된 투명전극 구조체를 갖는 교류용 발광 다이오드 | |
US7846755B2 (en) | Light emitting diode having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same | |
CN204167323U (zh) | 发光二极管 | |
KR101115535B1 (ko) | 확장된 금속 반사층을 갖는 플립 본딩형 발광다이오드 및그 제조방법 | |
KR101186684B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
US8829538B2 (en) | Light emitting device package | |
KR100757800B1 (ko) | 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 | |
EP3540793A1 (en) | Semiconductor element | |
KR101261214B1 (ko) | 발광 다이오드 제조방법 | |
KR101203138B1 (ko) | 발광소자와 그 제조방법 | |
KR101734550B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
KR20120044719A (ko) | 개선된 발광 효율을 갖는 발광다이오드 및 제조방법 | |
US20050127374A1 (en) | Light-emitting device and forming method thereof | |
KR20140060474A (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR20120031207A (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
KR101381984B1 (ko) | 발광 다이오드 칩 제조방법 및 그에 의해 제조된 발광다이오드 칩 | |
KR100823089B1 (ko) | 파장변환 물질층을 갖는 발광 다이오드 제조방법 | |
KR101057770B1 (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR101761856B1 (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR101601073B1 (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR20100023564A (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
KR101456270B1 (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130612 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140703 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150701 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160525 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170613 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180612 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190701 Year of fee payment: 13 |