KR20060048984A - 반도체 발광 소자 및 그 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (35)
- 불투광(light-impervious) 기판;접합 구조;성장 기판으로부터 분리되고, 상기 접합 구조를 통해서 상기 불투광 기판에 접합된, 원광(original light)을 발산하기 위한 반도체 발광(light-emitting) 스택; 및상기 원광을 흡수하고 변경된 광을 생성하기 위한 형광 물질을 포함하고, 상기 반도체 발광 스택과 실질적으로 윤곽이 일치하고, 상기 반도체 발광 스택 위에 있는 형광 물질 구조를 포함하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판은 반도체, 금속, Si, GaN/Si, 및 GaAs로 구성된 군으로부터 선택되는 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판은 빛을 반사하는(reflective) 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판은투명 기판; 및반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 4 항에 있어서, 상기 투명 기판은 GaP, SiC, ZnO, GaAsP, AlGaAs, Al2O3, 및 유리로 구성된 군으로부터 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는 투명한 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판은 상기 반도체 발광 스택에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는 금속, 에폭시, PI, BCB, 및 PFCB로 구성된 군으로부터 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는, 상기 불투광 기판이 상기 반도체 발광 스택에 직접 접하는 계면에 인접한 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는,제 1 중간층;접착층; 및제 2 중간층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 중간층들의 각각은 SiNx, Ti, 및 Cr으로 구성된 군에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 11 항에 있어서, 상기 접착층은 에폭시, PI, BCB, 및 PFCB로 구성된 군으로부터 선택되는 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조는 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조는 비-접착(non-glued) 형광 물질 구 조인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 형광 물질은 분말의 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 16 항에 있어서, 상기 분말의 평균 직경은 약 0.1 ~ 100 마이크로미터의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조 위에 형성된 보호 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 18 항에 있어서, 상기 보호 구조는 복수의 광학층(optical layer)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 18 항에 있어서, 상기 복수의 광학층들의 두께는 상기 반도체 발광 스택으로부터의 그것들 각각의 거리에 따라 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 18 항에 있어서, 상기 보호 구조는 Su8, BCB, PFCB, 에폭시, 아크릴 수지, COC, PMMA, PET, PC, 폴리에테리미드(polyetherimide), 플루오로카본 폴리머 (fluorocarbon polymer), 실리콘 및 유리로 구성된 군으로부터 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판 및 상기 반도체 발광 스택 사이의 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 발광 스택은 투명 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 23 항에 있어서, 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화막(ITO), 카드뮴 주석 산화막(CTO), 안티몬 주석 산화막(antimony tin oxide), 아연 산화막(zinc oxide), 아연 주석 산화막(zinc tin oxide), Ni/Au, NiO/Au 및 TiWN으로 구성된 군에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 성장 기판으로부터 반도체 발광 스택을 분리하는 단계;상기 반도체 발광 스택을 불투광 기판으로 접합하는 단계;상기 반도체 발광 스택 위에 형광 물질 구조를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 접합 단계는 상기 반도체 발광 스택 및 상기 불투 광 기판 사이에 접합 구조를 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 접합 구조는 접착제, 솔더, 반도체, 반사층, SiNx, Ti 및 Cr으로 구성된 군에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 접합 구조는 상기 불투광 기판이 상기 반도체 발광 스택에 직접 접하는 계면에 실질적으로 근접한 영역인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 접합 단계는,상기 불투광 기판 위에 제 1 중간층을 형성하는 단계;상기 반도체 발광 스택 위에 제 2 중간층을 형성하는 단계; 및상기 불투광 기판을 상기 제 1 및 제 2 중간층들 사이의 접착층을 통하여 상기 반도체 발광 스택에 접합하는 단계를 포함하는 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 형성 단계는 형광 물질을 상기 반도체 발광 스택 위에 배치하여 상기 형광 물질 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조는 형광 물질 및 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 반도체 발광 스택 상에 트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 반도체 발광 스택을 자르는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조 위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 불투광 기판 및 상기 반도체 발광 스택 사이에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100757800B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-09-11 | 서울옵토디바이스주식회사 | 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 |
KR101420214B1 (ko) * | 2008-01-21 | 2014-07-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물계 발광 소자 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006026481A1 (de) | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Anordnen einer Pulverschicht auf einem Substrat sowie Schichtaufbau mit mindestens einer Pulverschicht auf einem Substrat |
DE102006051746A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht |
DE102006061175A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren |
JP2010054695A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 光デバイスの製造方法 |
JP2010263050A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
WO2010143114A1 (en) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led illumination device |
DE102010046966B4 (de) | 2010-09-29 | 2018-05-24 | Infineon Technologies Ag | Baustein und Verfahren zur Herstellung eines Bausteins |
JP2012069977A (ja) * | 2011-11-08 | 2012-04-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
TWI470838B (zh) * | 2012-05-25 | 2015-01-21 | Phostek Inc | 半導體發光裝置的形成方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677079B2 (ja) * | 1984-09-18 | 1994-09-28 | コニカ株式会社 | 放射線画像情報読取装置 |
US5376580A (en) | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
JPH09260060A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Uchitsugu Minami | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造法 |
JP3617587B2 (ja) * | 1997-07-17 | 2005-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード及びその形成方法 |
US6340824B1 (en) | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
JPH1187778A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
JP4770058B2 (ja) | 2000-05-17 | 2011-09-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び装置 |
JP2002016284A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Toshiba Corp | 窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法 |
US6650044B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Stenciling phosphor layers on light emitting diodes |
JP5110744B2 (ja) | 2000-12-21 | 2012-12-26 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光装置及びその製造方法 |
US6642652B2 (en) | 2001-06-11 | 2003-11-04 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Phosphor-converted light emitting device |
JP3775268B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2006-05-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の形成方法 |
JP2003243727A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-08-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
KR100909733B1 (ko) * | 2002-01-28 | 2009-07-29 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 지지기판을 갖는 질화물 반도체소자 및 그 제조방법 |
JP2004031669A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Seiko Epson Corp | 半導体素子部材及び半導体装置並びにそれらの製造方法、電気光学装置、電子機器 |
TW544958B (en) | 2002-07-15 | 2003-08-01 | Epistar Corp | Light emitting diode with an adhesive layer and its manufacturing method |
JP4334845B2 (ja) * | 2002-10-15 | 2009-09-30 | 株式会社リコー | 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光送信モジュール及び光送受信モジュール及び光通信システム及びレーザプリンター及び光ピックアップシステム |
JP2004207576A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光ダイオードランプ |
-
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KR101420214B1 (ko) * | 2008-01-21 | 2014-07-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물계 발광 소자 |
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