DE102014112750A1 - Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil Download PDF

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen einer strukturierten Halbleiterschichtenfolge (21, 22, 23) aufweisend – eine erste Halbleiterschicht (21) mit einer Bodenfläche (21c), zumindest einer Vertiefung (211) und einer der Bodenfläche (21c) abgewandten ersten Deckfläche (21a) im Bereich der Vertiefungen (211), – eine aktive Schicht (23) und – eine zweite Halbleiterschicht (22) an einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (23), wobei – die aktive Schicht (23) und die zweite Halbleiterschicht (22) gemeinsam in eine Vielzahl von Bereiche (221, 231) strukturiert sind und jeder Bereich (221, 231) zusammen mit der ersten Halbleiterschicht (21) einen Emissionsbereich (3) bildet, B) Gleichzeitiges Aufbringen einer ersten Kontaktschicht (41) auf der ersten Deckfläche (21a) und einer zweiten Kontaktschicht (42) auf einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten zweiten Deckfläche (3a) der Emissionsbereiche (3) derart, dass – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) elektrisch voneinander getrennt sind und – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) parallel zueinander verlaufen.

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
  • Die Druckschrift WO 2013/092304 A1 beschreibt eine Anzeigevorrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, das vereinfacht hergestellt werden kann, anzugeben.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Bei dem optoelektronischen Halbleiterbauteil kann es sich beispielsweise um ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, wie beispielsweise eine Leuchtdiode, handeln. Beispielsweise kann das optoelektronische Halbleiterbauteil zumindest als Teil oder Komponente einer Anzeigevorrichtung und/oder zumindest als Teil oder Komponente einer Lichtquelle vorgesehen sein. Ferner kann es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterbauteil um ein strahlungsdetektierendes Halbleiterbauteil, wie beispielsweise eine Fotodiode, handeln. Insbesondere kann mit dem optoelektronischen Halbleiterbauteil elektromagnetische Strahlung ortsaufgelöst emittiert und/oder detektiert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst eine erste Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine zweite Halbleiterschicht. Die Halbleiterschichtenfolge ist strukturiert. Strukturierungen der Halbleiterschichtenfolge können hierbei und im Folgenden Erhebungen, Vertiefungen, Ausnehmungen und/oder Aussparungen sein. Insbesondere kann eine Strukturierung eine Ausdehnung aufweisen, die in zumindest einer Dimension wenigstens 0,5 µm beträgt. Eine Strukturierung kann sich zumindest teilweise durch die erste Halbleiterschicht, die aktive Schicht und/oder die zweite Halbleiterschicht erstrecken. Beispielsweise sind Bereiche der Halbleiterschichtenfolge entfernt und bilden zumindest eine Vertiefung, Ausnehmung und/oder Aussparung, die an eine Erhebung in der Halbleiterschichtenfolge grenzt.
  • Die erste Halbleiterschicht, die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht sind aus einem Halbleitermaterial gebildet. Das Halbleitermaterial kann beispielsweise auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basieren. Die erste Halbleiterschicht kann n-leitend ausgebildet sein, während die zweite Halbleiterschicht p-leitend ausgebildet sein kann. Die erste Halbleiterschicht, die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht können beispielsweise durch epitaktisches Wachstum auf einem Aufwachssubstrat hergestellt sein.
  • Die erste Halbleiterschicht ist einstückig ausgebildet und weist eine Bodenfläche auf. Hierbei und im Folgenden ist eine Schicht einstückig ausgebildet, wenn sie aus einem Stück gebildet ist und/oder zusammenhängend ausgebildet ist. Bevorzugt ist zumindest eine Fläche der ersten Halbleiterschicht in einer Aufsicht mehrfach zusammenhängend, bevorzugt einfach zusammenhängend, ausgebildet. Eine „Aufsicht“ ist hierbei und im Folgenden eine Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteil von der Bodenfläche der ersten Halbleiterschicht oder von einer der Bodenfläche abgewandten Seite.
  • Die Bodenfläche ist bevorzugt einfach zusammenhängend ausgebildet. Ferner weist die erste Halbleiterschicht eine Haupterstreckungsebene auf in der sie sich in lateralen Richtungen erstreckt. Senkrecht zur Haupterstreckungsebene, in der vertikalen Richtung, weist die erste Halbleiterschicht eine Dicke auf. Die Dicke der Halbleiterschicht ist klein gegen die maximale Erstreckung der ersten Halbleiterschicht in einer lateralen Richtung.
  • Die erste Halbleiterschicht weist ferner zumindest eine Vertiefung auf. Insbesondere kann die Halbleiterschicht eine Vielzahl von Vertiefungen aufweisen. Wenn im Folgenden von einer „Vielzahl“ von Vertiefungen die Rede ist, kann sich die zugehörige Offenbarung auch auf Ausführungsformen mit nur einer einzigen Vertiefung beziehen. Beispielsweise handelt es sich bei der zumindest einen Vertiefung um einen Graben und/oder eine Ausnehmung in der ersten Halbleiterschicht. Die zumindest eine Vertiefung kann hierbei die Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge bilden. Die erste Halbleiterschicht weist im Bereich der Vertiefungen eine geringere Dicke als in den Bereichen außerhalb der Vertiefungen auf. Hierbei und im Folgenden bezeichnet die „Dicke“ einer Schicht deren Ausdehnung entlang der vertikalen Richtung. Jede Vertiefung weist eine Tiefe auf, wobei die Tiefe der Reduzierung der Dicke der ersten Halbleiterschicht im Bereich der Vertiefungen entspricht. Ferner weist jede Vertiefung eine Breite auf, die durch den kürzesten Abstand zwischen zwei Bereichen der ersten Halbleiterschicht mit höherer Dicke gegeben ist. Die Vertiefungen durchdringen die Halbleiterschicht nicht vollständig, wodurch diese einstückig ausgebildet sein kann.
  • Die erste Halbleiterschicht weist ferner eine der Bodenfläche abgewandte erste Deckfläche im Bereich der Vertiefungen auf. Beispielsweise weist die erste Deckfläche eine höhere Dotierung und/oder eine höhere Leitfähigkeit auf als Bereiche der ersten Halbleiterschicht, die in vertikaler Richtung einen geringeren Abstand zur Bodenfläche aufweisen als die erste Deckfläche.
  • An einer der Bodenfläche abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht ist die aktive Schicht angebracht. Die zweite Halbleiterschicht ist an einer der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der aktiven Schicht angeordnet.
  • Die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht sind gemeinsam strukturiert. Die Strukturierung kann beispielsweise unter Verwendung eines Ätzprozesses mit einer mittels Fototechnik erzeugten Ätzmaske erfolgen.
  • Die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht bilden gemeinsam mit der ersten Halbleiterschicht zumindest einen Emissionsbereich. Hierbei ist es möglich, dass die Halbleiterschichtenfolge einen einstückig ausgebildeten Emissionsbereich aufweist. In diesem Fall weist die Halbleiterschichtenfolge eine einzige der ersten Halbleiterschicht abgewandte Emissionsfläche auf, die mehrfach zusammenhängend ausgebildet ist. Es ist jedoch auch möglich, dass die Halbleiterschichtenfolge mehrere Emissionsbereiche aufweist, die durch die Vertiefungen lateral voneinander getrennt sind. Die Breite der Vertiefungen entspricht dann zum Beispiel dem kleinsten lateralen Abstand zwischen zwei Emissionsbereichen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden eine erste Kontaktschicht und eine zweite Kontaktschicht aufgebracht. Das Aufbringen der beiden Kontaktschichten erfolgt gleichzeitig. Bevorzugt erfolgt das Aufbringen mit demselben Verfahren. Die erste Kontaktschicht wird auf die erste Deckfläche aufgebracht und weist eine der ersten Deckfläche abgewandte erste Kontaktfläche auf. Die zweite Kontaktschicht wird auf eine der ersten Halbleiterschicht abgewandte zweite Deckfläche des zumindest einen Emissionsbereichs aufgebracht und weist eine der zweiten Deckfläche abgewandte zweite Kontaktfläche auf.
  • Im Fall eines einstückig ausgebildeten Emissionsbereichs kann es sich bei der zweiten Deckfläche um die zusammenhängende Emissionsfläche des Emissionsbereichs handeln. Die zweite Kontaktschicht kann dann einstückig und die zweite Kontaktfläche kann mehrfach zusammenhängend ausgebildet sein. Im Fall mehrerer räumlich beabstandeter Emissionsbereiche kann es sich bei der zweiten Deckfläche um eine Vielzahl nicht zusammenhängender Flächen handeln. Die zweite Kontaktschicht kann dann mehrstückig ausgebildet sein, wobei jedem einstückig ausgebildeten Bereich der zweiten Kontaktschicht ein Emissionsbereich eineindeutig zugeordnet ist.
  • Das gleichzeitige Aufbringen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht erfolgt derart, dass die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht elektrisch voneinander getrennt sind. Beispielsweise kann die elektrische Trennung durch eine räumliche Beabstandung der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht erfolgen. Beispielsweise sind die zweite Kontaktschicht und die erste Kontaktschicht vertikal beabstandet zueinander angeordnet, wobei diese vertikale Beabstandung durch die endliche Tiefe der Vertiefungen bedingt sein kann. Die erste und die zweite Kontaktschicht verlaufen dann in zwei verschiedenen, vertikal voneinander beabstandeten Ebenen, die jeweils entlang der Haupterstreckungsebene verlaufen. Beispielsweise beträgt der vertikale Abstand zwischen der ersten Kontaktfläche und einer der zweiten Kontaktflächen höchstens 2 µm, bevorzugt höchstens 1 µm. Bevorzugt ist die Dicke der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht kleiner als die Tiefe der Vertiefung. Der vertikale Abstand der ersten Kontaktfläche und der aktiven Schicht beträgt bevorzugt wenigstens 0,5 µm, besonders bevorzugt wenigstens 0,2 µm.
  • Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht verlaufen im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zueinander und zur Haupterstreckungsebene. Bevorzugt sind alle quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Seitenflächen des zumindest einen Emissionsbereichs im Wesentlichen frei von der ersten und der zweiten Kontaktschicht. Bei einer „quer“ zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Fläche handelt es sich hierbei und im Folgenden insbesondere um eine nicht parallel verlaufende Fläche. Bevorzugt schließt eine „quer“ verlaufende Fläche einen Winkel von wenigstens 70° mit der Haupterstreckungsebene ein.
  • Das gleichzeitige Aufbringen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht kann mit einem gerichteten Abscheideverfahren erfolgen. Beispielsweise handelt es sich bei dem gerichteten Abscheideverfahren um eine physikalische Gasphasenabscheidung (Physical Vapour Deposition, PVD).
  • Die erste und die zweite Kontaktschicht sind beispielsweise mit einem elektrisch leitfähigen Material, wie einem Metall oder einem transparenten leitfähigen Oxid, gebildet. Die erste und die zweite Kontaktschicht können beispielsweise Silber, Aluminium, Rhodium, Platin, Gold, Zinkoxid, Indiumzinnoxid und/oder Titan enthalten oder aus diesen Materialien bestehen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils weist dieses die folgenden Schritte auf:
    • A) Bereitstellen einer strukturierten Halbleiterschichtenfolge, aufweisend – eine einstückig ausgebildete erste Halbleiterschicht mit einer Bodenfläche, einer Haupterstreckungsebene, zumindest einer Vertiefung, insbesondere einer Vielzahl von Vertiefungen, und einer der Bodenfläche abgewandten ersten Deckfläche im Bereich der Vertiefungen, – eine aktive Schicht und – eine zweite Halbleiterschicht an einer der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der aktiven Schicht, wobei – die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht gemeinsam strukturiert sind und zusammen mit der ersten Halbleiterschicht zumindest einen Emissionsbereich bilden,
    • B) gleichzeitiges Aufbringen einer ersten Kontaktschicht auf die erste Deckfläche und einer zweiten Kontaktschicht auf einer der ersten Halbleiterschicht abgewandten zweiten Deckfläche des zumindest einen Emissionsbereichs derart, dass – die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht elektrisch voneinander getrennt sind und – die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zueinander und zur Haupterstreckungsebene verlaufen.
  • Bevorzugt werden die Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht gemeinsam in eine Vielzahl von lateral zueinander beabstandeter Bereichen strukturiert. Jeder Bereich der aktiven Schicht und der zweiten Halbleiterschicht bildet zusammen mit der ersten Halbleiterschicht einen Emissionsbereich. Die Bereiche der aktiven Schicht bzw. der zweiten Halbleiterschicht können insbesondere einstückig ausgebildete Bereiche sein. Jedem Emissionsbereich ist dann ein einstückig ausgebildeter Bereich der aktiven Schicht und ein einstückig ausgebildeter Bereich der zweiten Halbleiterschicht eineindeutig zugeordnet. Mit anderen Worten, die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht können jeweils mehrstückig ausgebildet sein und einstückig ausgebildete Bereiche umfassen, die vorzugsweise in einer Aufsicht einfach zusammenhängend ausgebildet sind.
  • Bei dem vorliegenden Verfahren wird insbesondere die Idee verfolgt, durch ein gleichzeitiges Aufbringen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht mit einem gerichteten Abscheideverfahren ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer hohen Anzahl von Emissionsbereichen zur Verfügung zu stellen. Insbesondere können die lateralen Ausdehnungen der Emissionsbereiche und/oder die Breite der die Emissionsbereiche trennenden Vertiefungen durch dieses Verfahren möglichst klein ausgebildet sein. Durch die Verwendung eines gerichteten Abscheideverfahrens in Verbindung mit der Ausnutzung der räumlichen, und damit elektrischen, Trennung der ersten und der zweiten Kontaktschicht durch die Vertiefungen ist mitunter keine gesonderte Fototechnik für das Aufbringen der ersten und der zweiten Kontaktschicht nötig. Hierdurch entfällt der bei einer Fototechnik nötige Justageaufwand und zudem das Vorhalten von Masken für die Fototechnik. Ferner ist die Ausbildung von Vertiefungen mit einer geringen Breite und/oder von lateral kleinen Emissionsbereichen möglich, da die jeweiligen Ausdehnungen nicht durch Justagetoleranzen der Fototechnik beschränkt sind. Beispielsweise können so Vertiefungen mit einer Breite von höchstens 2 µm und/oder Emissionsbereiche mit einer lateralen Ausdehnung von höchstens 10 µm, bevorzugt höchstens 5 µm und besonders bevorzugt höchstens 2 µm, bereitgestellt werden. Ferner ist es möglich, mit einem solchen Verfahren ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem einstückig ausgebildeten Emissionsbereich mit Vertiefungen anzugeben, deren Breite höchstens 2 µm beträgt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Schritt B) des Verfahrens eine Passivierungsschicht auf alle Seitenflächen der Emissionsbereiche aufgebracht. Die Passivierungsschicht bedeckt die Seitenflächen der Emissionsbereiche vollständig. Hierbei und im Folgenden ist unter dem Begriff „Emissionsbereiche“ auch ein einzelner, einstückig ausgebildeter Emissionsbereich zu verstehen. Beispielsweise ist die Passivierungsschicht mit einem elektrisch isolierenden Material, wie SiO2, SiN, Al2O3, oder einem anderen Metalloxid und/oder Metallnitrid gebildet. Eine Passivierungsschicht ist in der Druckschrift WO 2014/033041 A1 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hiermit ausdrücklich durch Rückbezug aufgenommen wird.
  • Die Passivierungsschicht kann beispielsweise wie folgt aufgebracht werden. Zunächst wird die Passivierungsschicht auf sämtliche der Bodenfläche abgewandte freiliegende Außenflächen aufgebracht. Anschließend wird die Passivierungsschicht unter Verwendung eines gerichteten Ätzverfahrens, beispielsweise eines Trockenätzverfahrens mit einem Plasma, das Chlor, Fluor und/oder Argon enthalten kann, teilweise entfernt. Hierbei werden Bereiche, in denen später die erste und die zweite Kontaktschicht aufgebracht werden, freigelegt. Mit anderen Worten, die erste Deckfläche und die zweite Deckfläche werden zumindest stellenweise freigelegt. Das teilweise Entfernen erfolgt derart, dass lediglich quer zur Haupterstreckungsrichtung verlaufende Bereiche der Passivierungsschicht auf den freiliegenden Außenflächen verbleiben. Beispielsweise sind nach dem teilweisen Entfernen hauptsächlich die Seitenflächen der Emissionsbereiche von der Passivierungsschicht bedeckt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Passivierungsschicht nach dem Schritt B) entfernt. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht mittels Ätzen entfernt werden. Das Ätzen kann beispielsweise unter Verwendung einer gepufferten HF-Lösung (englisch: buffered oxide etching, BOE), H3PO4 oder HF erfolgen. Hierbei wird insbesondere die Idee verfolgt, Material der ersten und zweiten Kontaktschicht, das beim Aufbringen der ersten und zweiten Kontaktschicht auf die Passivierungsschicht abgeschieden wurde, zusammen mit der Passivierungsschicht zu entfernen und damit einen Kurzschluss zwischen der ersten und der zweiten Kontaktschicht aufzuheben. Die Spuren des Materials können beispielsweise durch ein nicht ideal in vertikaler Richtung gerichtetes Abscheiden auf den Seitenflächen abgeschieden worden sein.
  • Insbesondere handelt es sich bei den Spuren des Materials um Materialinseln, deren dreidimensionale Ausdehnung so gering ist, dass die Materialinseln zumindest teilweise nicht untereinander verbunden sind. Insbesondere bildet sich kein elektrisch leitender Pfad zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht aus. Bei den Spuren kann es sich um Tropfen, Körner und/oder Partikel des Materials handeln, die beispielsweise eine mittlere Ausdehnung in jeder Raumdimension von höchstens 1/5, bevorzugt höchstens 1/10, der Dicke der zweiten Kontaktschicht und/oder der ersten Kontaktschicht aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das noch nicht fertiggestellte optoelektronische Halbleiterbauteil nach dem Verfahrensschritt B) für eine vorgebbare Zeitspanne in ein Ätzbad getaucht. Hierdurch werden Spuren des Materials der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht von den Seitenflächen der Emissionsbereiche oder den Emissionsbereichen abgewandten Randflächen der Passivierungsschicht entfernt. Aufgrund des Entfernens dieser Spuren kann ein Kurzschluss zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht verhindert und/oder entfernt werden. Beispielsweise erfolgt das Eintauchen in das Ätzbad für eine Zeitspanne vonhöchstens 1/5, bevorzugt höchstens 1/10 und besonders bevorzugt höchstens 1/20, einer Gesamt-Ätzzeit. Bei der Gesamt-Ätzzeit handelt es sich um die Zeit, die für das vollständige Entfernen der ersten bzw. zweiten Kontaktschicht notwendig wäre. Insbesondere kann es sich bei der Gesamt-Ätzzeit um die Zeit handeln, die bei Einsatz derselben Ätzchemie für das Entfernen einer Schicht, die dasselbe Material und/oder dieselbe Dicke wie die erste bzw. die zweite Kontaktschicht aufweist, benötigt werden würde.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden nach dem Verfahrensschritt B) folgende Verfahrensschritte durchgeführt:
    • C) ganzflächiges Aufbringen einer ersten Isolationsschicht auf der ersten Halbleiterschicht abgewandten freiliegende Außenflächen,
    • D) teilweises Entfernen der ersten Isolationsschicht im Bereich der zweiten Kontaktflächen der Emissionsbereiche,
    • E) Aufbringen einer Metallisierung an den Bereichen der zweiten Kontaktflächen an denen die erste Isolationsschicht entfernt wurde.
  • Bei den freiliegenden Außenflächen kann es sich beispielsweise um die erste Kontaktfläche der ersten Kontaktschicht, die zweite Kontaktfläche der zweiten Kontaktschicht, die Seitenflächen der Emissionsbereiche und/oder den Emissionsbereichen abgewandte Außenflächen der Passivierungsschicht handeln.
  • Die erste Isolationsschicht ist mit einem elektrisch isolierenden Material, wie beispielsweise SiO2, SiN oder Al2O3 gebildet. Das ganzflächige Aufbringen kann vorliegend mit einem konform überdeckenden Abscheideverfahren erfolgen. Beispielsweise erfolgt das Aufbringen mit einem Aufdampf-Verfahren oder Sputtern. „Ganzflächiges Aufbringen“ bezeichnet hier und im Folgenden ein Aufbringen derart, dass die freiliegenden Außenflächen vollständig von der ersten Isolationsschicht bedeckt sind. Nach dem ganzflächigen Aufbringen der ersten Isolationsschicht können die erste Halbleiterschicht und die Emissionsbereiche vollständig von der, insbesondere einstückig ausgebildeten, ersten Isolationsschicht bedeckt sein.
  • Das teilweise Entfernen der ersten Isolationsschicht kann beispielsweise unter Verwendung einer Fototechnik erfolgen. Hierbei kann die zweite Kontaktschicht in den Bereichen, in denen die erste Isolationsschicht teilweise entfernt wurde, freigelegt sein.
  • Nach dem teilweisen Entfernen wird die Metallisierung in den freigelegten Bereichen aufgebracht. Für das Aufbringen der Metallisierung kann dieselbe Fototechnik wie für das teilweise Entfernen der ersten Isolationsschicht zum Einsatz kommen. Die Metallisierung steht bevorzugt in direktem elektrischen Kontakt mit der zweiten Kontaktschicht und dient der elektrischen Kontaktierung der zweiten Kontaktschicht. Die zweite Kontaktschicht ist bevorzugt vollständig von der Metallisierung und/oder der ersten Isolationsschicht bedeckt und von außen nicht mehr frei zugänglich und nur über die Metallisierung elektrisch kontaktierbar. Mit anderen Worten, die Metallisierung verkapselt die beim teilweisen Entfernen erzeugten Öffnungen der ersten Isolationsschicht und kann die zweite Kontaktschicht nach außen hin abdichten. Die Metallisierung kann hierbei die erste Isolationsschicht vertikal überragen. Mit anderen Worten, die Metallisierung kann dicker als die erste Isolationsschicht ausgebildet sein.
  • Die Metallisierung weist insbesondere eine hohe Dicke, von beispielsweise wenigstens 0,2 µm auf. Insbesondere kann die Metallisierung eine Dicke aufweisen, die wenigstens dem 5-fachen der Dicke der ersten und der zweiten Kontaktschicht entspricht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden nach dem Schritt E) folgende Verfahrensschritte durchgeführt:
    • F) Aufbringen einer zweiten Isolationsschicht, die zusammen mit der ersten Isolationsschicht ein Dielektrikum bildet, derart, dass das Dielektrikum die Vertiefungen vollständig ausfüllt und die Metallisierung vertikal überragt,
    • E) Abtragen des Dielektrikums derart, dass der ersten Halbleiterschicht abgewandte Metallflächen der Metallisierung bündig mit der ersten Halbleiterschicht abgewandten Endflächen des Dielektrikums abschließen.
  • Die zweite Isolationsschicht ist hierbei bevorzugt aus demselben Material wie die erste Isolationsschicht gebildet.
  • Das Dielektrikum kann die erste Kontaktschicht an ihrer der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite vollständig bedecken. Das Dielektrikum kann ferner die zweite Kontaktschicht, an Stellen die frei von der Metallisierung sind, vollständig bedecken. Das Dielektrikum dient bevorzugt der zusätzlichen elektrischen Isolierung der ersten Kontaktschicht, der zweiten Kontaktschicht und/oder der Metallisierung voneinander und nach außen. Insbesondere kann ein Kurzschluss zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht durch das Dielektrikum erschwert werden.
  • Das Abtragen des Dielektrikums erfolgt beispielsweise mit einem chemischen-mechanischen Polierprozess. Beispielsweise werden bei dem Abtragen auch Bereiche der Metallisierung abgetragen. Nach dem Abtragen schließen die Metallflächen der Metallisierung bündig mit den Endflächen des Dielektrikums ab. Die Metallflächen bilden somit gemeinsam mit den Endflächen bevorzugt eine ebene Fläche. Mit anderen Worten, die Metallflächen überragen und/oder unterragen die Endflächen nicht.
  • Es wird ferner ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das optoelektronische Halbleiterbauteil ist bevorzugt mit einem hier beschriebenen Verfahren herstellbar. Sämtliche für das Verfahren offenbarte Merkmale sind somit auch für das optoelektronische Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses die strukturierte Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst die erste Halbleiterschicht mit der Bodenfläche, der Haupterstreckungsebene, der zumindest einen Vertiefung, insbesondere der Vielzahl von Vertiefungen, und der der Bodenfläche abgewandten ersten Deckfläche im Bereich der Vertiefungen. Die Halbleiterschichtenfolge weist ferner die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht an einer der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der aktiven Schicht auf.
  • Die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht sind gemeinsam strukturiert. Bevorzugt sind die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht gemeinsam in eine Vielzahl lateral zueinander beabstandeter Bereiche strukturiert. Jeder Bereich der zweiten Halbleiterschicht und der aktiven Schicht bildet zusammen mit der ersten Halbleiterschicht einen der Emissionsbereiche.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses die erste Kontaktschicht, die auf der ersten Deckfläche der ersten Halbleiterschicht aufgebracht ist, und die zweite Kontaktschicht, die auf der der Bodenfläche abgewandten zweiten Deckfläche der Emissionsbereiche aufgebracht ist.
  • Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht sind elektrisch voneinander getrennt. Mit anderen Worten, die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht sind nicht elektrisch leitend miteinander verbunden. Beispielsweise ist die Dicke der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht geringer als die Tiefe der jeweils zugehörigen Vertiefung. Bei der Tiefe einer Vertiefung handelt es sich beispielsweise um die strukturierte Tiefe der Vertiefung.
  • Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht laufen im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zueinander und zur Haupterstreckungsebene. Ferner weisen die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht dieselbe Dicke auf. Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht sind aus demselben Material gebildet. An der gleichen Dicke und der Bildung aus dem gleichen Material ist die gleichzeitige Herstellung der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht am fertig gestellten Bauteil erkennbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses eine strukturierte Halbleiterschichtenfolge aufweisend eine einstückig ausgebildete erste Halbleiterschicht mit einer Bodenfläche, einer Haupterstreckungsebene, zumindest einer Vertiefung, insbesondere einer Vielzahl von Vertiefungen, und einer der Bodenfläche abgewandte erste Deckfläche im Bereich der Vertiefungen. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil eine aktive Schicht und eine zweite Halbleiterschicht an einer der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der aktiven Schicht. Die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht sind gemeinsam in Bereiche strukturiert, insbesondere in eine Vielzahl von lateral zueinander beabstandeter Bereiche, und jeder Bereich bildet zusammen mit der ersten Halbleiterschicht einen Emissionsbereich. Auf der ersten Deckfläche der ersten Halbleiterschicht ist eine erste Kontaktschicht aufgebracht. Auf der der Bodenfläche abgewandten zweiten Deckfläche der Emissionsbereiche ist eine zweite Kontaktschicht aufgebracht. Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht sind nicht elektrisch leitend miteinander verbunden, verlaufen im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zueinander und zur Haupterstreckungsebene, weisen dieselbe Dicke auf und sind aus demselben Material gebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils sind alle quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Seitenflächen der Emissionsbereiche vollständig mit der Passivierungsschicht bedeckt. Bei der Passivierungsschicht handelt es sich um eine elektrisch isolierende Schicht. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht direkt an die Seitenbereiche der Emissionsbereiche grenzen. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht direkt an die aktive Schicht, die erste Halbleiterschicht und/oder die zweite Halbleiterschicht angrenzen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weisen die Seitenflächen der Emissionsbereiche oder, falls die Passivierungsschicht auf die Seitenflächen aufgebracht ist, den Emissionsbereichen abgewandte Außenflächen der Passivierungsschicht Spuren des Materials der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht auf. Diese Spuren des Materials können bei der gerichteten Abscheidung der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht auf die Seitenflächen der Emissionsbereiche oder die Außenflächen der Passivierungsschicht aufgebracht worden sein. An den Spuren des Materials kann somit das Herstellungsverfahren direkt nachgewiesen werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die erste Kontaktschicht einstückig ausgebildet und umschließt die Emissionsbereiche jeweils rahmenartig. „Rahmenartig“ heißt hierbei und im Folgenden nicht, dass die Emissionsbereiche an vier rechteckig zueinander angeordneten Seitenflächen umschlossen sein müssen. Vielmehr können die Emissionsbereiche in einer Aufsicht beispielsweise auch dreieckig, vieleckig, oval oder rund ausgebildet sein und werden von der ersten Kontaktschicht entsprechend umschlossen. Mit anderen Worten, in einer Aufsicht ist die erste Kontaktschicht mehrfach zusammenhängend ausgebildet. In einer Aufsicht würde die erste Kontaktschicht dann als Gitter oder als Netz erscheinen, wobei die Emissionsbereiche von einzelnen Maschen des Gitters oder des Netzes umschlossen sind. Diese zusammenhängende Ausbildung der ersten Kontaktschicht ermöglicht insbesondere eine einfache elektrische Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht mittels einer einzigen ersten Kontaktschicht. Beispielsweise kann die erste Kontaktschicht für eine elektrische Kontaktierung am Rand des optoelektronischen Halbleiterbauteils nach außen verlängert werden oder zumindest stellenweise am Rand des optoelektronischen Halbleiterbauteils freigelegt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die zweite Kontaktschicht mehrstückig ausgebildet, wobei jedem Emissionsbereich ein einstückig ausgebildeter Bereich der zweiten Kontaktschicht eineindeutig zugeordnet ist. Bevorzugt ist jeder einstückig ausgebildete Bereich der zweiten Kontaktschicht in einer Aufsicht einfach zusammenhängend ausgebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die zweite Kontaktschicht einstückig ausgebildet und die erste Kontaktschicht mehrstückig ausgebildet, wobei jeder Vertiefung ein einstückig ausgebildeter Bereich der ersten Kontaktschicht eineindeutig zugeordnet ist. Die zweite Kontaktschicht umschließt die erste Kontaktschicht rahmenartig.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils erscheinen die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht in einer Aufsicht als durchgehende Metallschicht. Mit anderen Worten, es existiert stets eine Ebene die parallel zur Haupterstreckungsebene durch eine Metallschicht verläuft.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist auf der zweiten Kontaktschicht die Metallisierung mit den Emissionsbereichen abgewandten Metallflächen aufgebracht. Die Metallisierung ist mehrstückig ausgebildet und jedem Emissionsbereich ist ein einstückig ausgebildeter Bereich der Metallisierung eineindeutig zugeordnet. Hierbei kann jeder einstückige Bereich der Metallisierung eine geringere laterale Ausdehnung als der ihr eineindeutig zugeordnete Emissionsbereich aufweisen. Mit anderen Worten, die Metallisierung ist in Aufsicht kleiner als die Emissionsbereiche ausgebildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist zwischen den Emissionsbereichen das Dielektrikum angeordnet. Die Metallflächen der Metallisierung schließen hierbei bündig mit der ersten Halbleiterschicht abgewandten Endflächen des Dielektrikums ab.
  • Die erste Kontaktschicht ist an ihrer der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite vollständig von dem Dielektrikum bedeckt. Das Dielektrikum isoliert die erste Kontaktschicht somit elektrisch. Ferner bedeckt das Dielektrikum die zweite Kontaktschicht an Stellen, die nicht von der Metallisierung bedeckt sind, vollständig. Die zweite Kontaktschicht ist somit auch durch das Dielektrikum elektrisch isoliert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die erste Deckfläche der ersten Halbleiterschicht stellenweise von dem Dielektrikum und/oder von der Passivierungsschicht bedeckt. Beispielsweise wurde die Passivierungsschicht während des Herstellungsverfahrens zunächst auf die Seitenflächen der Emissionsbereiche aufgebracht und anschließend wieder entfernt. Die erste Deckfläche kann dann in den Bereichen, in denen zuvor die Passivierungsschicht angeordnet war, freigelegt worden sein. Das Dielektrikum ist dann an diesen Stellen aufgebracht und grenzt an die erste Deckfläche.
  • Die Bereiche der zweiten Kontaktschicht überragen den jeweils zugeordneten Emissionsbereich stellenweise lateral. Mit andere Worten, die zweite Kontaktschicht kann lateral eine größere Ausdehnung als die Emissionsbereiche aufweisen. An diesem lateralen Überragen kann ebenfalls ein Entfernen der zuvor vorhandenen Passivierungsschicht nachgewiesen werden. So wird beim Aufbringen der ersten und der zweiten Kontaktschicht auch die der ersten Deckfläche abgewandte obere Außenfläche der Passivierungsschicht mit dem Material der zweiten Kontaktschicht bedeckt. Beim Entfernen der Passivierungsschicht überragt dieses zusätzliche Material die Emissionsbereiche lateral.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die erste Deckfläche der ersten Halbleiterschicht vollständig von der ersten Kontaktschicht bedeckt. Beispielsweise ist während des Herstellungsverfahrens keine Passivierungsschicht verwendet worden, wodurch die erste Deckfläche vor dem Aufbringen der ersten Kontaktschicht freigelegen ist. Hierdurch kann die erste Deckfläche vollständig mit der ersten Kontaktschicht bedeckt sein.
  • Im Folgenden werden das hier beschriebene Verfahren sowie das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteil anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
  • Die 1A bis 1J zeigen ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens anhand schematischer Schnittdarstellungen.
  • Die 2, 3 zeigen Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils anhand schematischer Schnittdarstellungen.
  • Die 4A und 4B zeigen ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Verfahrens anhand schematischer Schnittdarstellungen.
  • Die 4C zeigt ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils anhand einer schematischen Schnittdarstellung.
  • Die 5 und 6 zeigen Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils anhand schematischer Aufsichten.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 1A ist ein erster Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Auf einem Aufwachssubstrat 1 wird eine Halbleiterschichtenfolge 21, 22, 23 bereitgestellt. Beispielsweise basiert das Material der Halbleiterschichtenfolge 21, 22, 23 auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial. Die Halbleiterschichtenfolge 21, 22, 23 weist eine erste Halbleiterschicht 21 mit einer dem Aufwachssubstrat 1 zugewandten Bodenfläche 21c auf. An der der Bodenfläche abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht 21 sind eine aktive Schicht 23 und eine zweite Halbleiterschicht 22 aufgebracht.
  • An einer der Bodenfläche 21c abgewandten oberen Fläche 22a der zweiten Halbleiterschicht 22 ist eine strukturierte Maskenschicht 71 aufgebracht. Die Strukturierung der Maskenschicht 71 kann unter Verwendung einer Fototechnik erfolgen. Beispielsweise kann hierzu die Maskenschicht 71 zunächst ganzflächig auf die zweite Halbleiterschicht 22 aufgebracht werden und anschließend unter Einsatz eines strukturierten Fotolacks nasschemisch mit BOE und/oder trockenchemisch mit einem Fluor- oder Argon-Plasma geätzt werden.
  • Beispielsweise kann die Maskenschicht 71 mit SiN gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann die Maskenschicht 71 mit einem transparenten leitfähigen Oxid, wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid, gebildet sein. In diesem Fall ist es möglich, dass die Maskenschicht 71 in den nachfolgenden Verfahrensschritten nicht abgelöst wird und am Halbleiterbauteil verbleibt. Die Maskenschicht 71 kann dann als Schutzkontakt verwendet werden.
  • Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 1B ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. In diesem Verfahrensschritt wird die Halbleiterschichtenfolge 21, 22, 23 strukturiert. Hierbei werden die zweite Halbleiterschicht 22 und die aktive Schicht 23 in den Bereichen, die nicht von der Maskenschicht 71 bedeckt sind, vollständig entfernt. Ferner wird die erste Halbleiterschicht 21 in diesen Bereichen teilweise entfernt. Das vollständige bzw. teilweise Entfernen erfolgt bevorzugt mit einem trockenchemischen Ätzverfahren. Hierbei kann beispielsweise ein Chlor- und/oder ein Argon-Plasma Verwendung finden.
  • Nach dem teilweisen Entfernen liegt eine strukturierte Halbleiterschichtenfolge 21, 22, 23 vor. Die strukturierte Halbleiterschichtenfolge 21, 22, 23 weist die einstückig ausgebildete erste Halbleiterschicht 21 auf, die in den Bereichen, die nicht von der Maskenschicht 71 bedeckt sind, Vertiefungen 211 aufweist. Die erste Halbleiterschicht 21 weist in dem Bereich der Vertiefungen 211 eine der Bodenfläche 21c abgewandte erste Deckfläche 21a auf.
  • Ferner umfasst die strukturierte Halbleiterschichtenfolge 21, 22, 23 die aktive Schicht 23 und die zweite Halbleiterschicht 22, die gemeinsam in eine Vielzahl von lateral zueinander beabstandeter Bereiche 221, 231 strukturiert sind. Jeder der Bereiche 221, 231 bildet zusammen mit der ersten Halbleiterschicht 21 einen Emissionsbereich 3. Die Emissionsbereiche 3 sind durch die Vertiefungen 211 lateral voneinander getrennt. Ferner sind die Emissionsbereiche 3 lediglich durch die erste Halbleiterschicht 21 miteinander verbunden. Jeder Emissionsbereich 3 weist quer zur Haupterstreckungsebene der ersten Halbleiterschicht 21 verlaufende Seitenflächen 3b auf. Zudem weisen die Emissionsbereiche 3 eine zweite Deckfläche 3a auf, die nicht zusammenhängend ausgebildet ist. Vor der Entfernung der Maskenschicht 71 kann optional eine dünne elektrische Leitschicht, die beispielsweise mit einem leitfähigen Oxid gebildet ist, abgeschieden werden. Eine solche Leitschicht dient der Senkung der Einsatzspannung des Bauteils.
  • In zumindest einem Ausführungsbespiel erfolgt das Strukturieren bzw. das teilweise Entfernen derart, dass einander zugewandte Seitenflächen 3b benachbarter Emissionsbereiche 3 höchstens 5 µm, bevorzugt höchstens 2 µm, voneinander beabstandet sind. Mit anderen Worten, die Vertiefungen 211 weisen eine Breite von höchstens 5 µm, bevorzugt höchstens 2 µm, auf.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1C ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. In diesem Verfahrensschritt wird auf die quer zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Seitenflächen 3b der Emissionsbereiche 3 eine Passivierungsschicht 72 aufgebracht. Die Passivierungsschicht 72 bedeckt die Seitenflächen 3b der Emissionsbereiche 3 bevorzugt vollständig und grenzt direkt an die Bereiche der aktiven Schicht 231 und der zweiten Halbleiterschicht 221 an. Die Passivierungsschicht 72 kann damit der Kapselung der aktiven Schicht 23 und damit der Vermeidung von Kurzschlüssen dienen. Die Passivierungsschicht 72 ist hierzu mit einem isolierenden Material, wie beispielsweise SiO2, SiN, Al2O3 gebildet. Ferner kann die Passivierungsschicht 72 an die erste Deckfläche 21a der ersten Halbleiterschicht 21 angrenzen.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1D ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. In dem gezeigten Verfahrensschritt wird die Maskenschicht 71 entfernt. Es ist jedoch, anders als gezeigt, ebenfalls möglich, dass die Maskenschicht 71 auf den Bereichen 221 der zweiten Halbleiterschicht 22 verbleibt. In diesem Fall kann die Maskenschicht 71 beispielsweise mit einem transparenten leitfähigen Oxid und/oder einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein. Das Entfernen der Maskenschicht 71 kann beispielsweise mit H3PO4 und/oder einem Fluor-Plasma erfolgen. Bevorzugt erfolgt das Entfernen der Maskenschicht 71 mit einer Ätzchemie, die eine hohe Selektivität bezüglich der Passivierungsschicht 72 aufweist. Mit anderen Worten, die Passivierungsschicht 72 wird bevorzugt nicht durch die Ätzchemie entfernt. Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1E ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. In dem gezeigten Verfahrensschritt werden die erste Kontaktschicht 41 und die zweite Kontaktschicht 42 in einem gleichzeitigen Verfahrensschritt aufgebracht. Das Aufbringen der ersten Kontaktschicht 41 und der zweiten Kontaktschicht 42 erfolgt beispielsweise mit einem gerichteten Abscheideverfahren, wie beispielsweise Bedampfen. Hierdurch werden lediglich Flächen, die parallel zur Haupterstreckungsrichtung der ersten Halbleiterschicht 21 verlaufen, mit der ersten Kontaktschicht 41 und der zweiten Kontaktschicht 42 bedeckt.
  • Die erste Kontaktschicht 41 ist nach dem Aufbringen auf der ersten Deckfläche 21a der ersten Halbleiterschicht 21 angeordnet. Die erste Kontaktschicht 41 ist einstückig und in Aufsicht mehrfach zusammenhängend ausgebildet. Die erste Kontaktschicht 41 umschließt die Emissionsbereiche 3 rahmenartig.
  • Ferner ist die zweite Kontaktschicht 42 nach dem Aufbringen auf der zweiten Deckfläche 3a der Emissionsbereiche 3 angeordnet und bedeckt diese bevorzugt vollständig. Die zweite Kontaktschicht 42 ist vorliegend mehrstückig ausgebildet, wobei einstückig ausgebildete Bereiche 421 der zweiten Kontaktschicht 42 jeweils eineindeutig einem Emissionsbereich 3 zugeordnet sind. Anders als in den 1A bis 1J gezeigt, kann alternativ auch die erste Kontaktschicht 41 mehrstückig ausgebildet sein und die zweite Kontaktschicht 42 einstückig. In diesem Fall sind dann einstückig ausgebildete Bereiche der ersten Kontaktschicht 41 jeweils einer Vertiefung 211 eineindeutig zugeordnet.
  • Die Dicke der ersten Kontaktschicht 41 und der zweiten Kontaktschicht 42 ist kleiner als die Tiefe der Vertiefungen 211 gewählt. Die Dicke der beiden Kontaktschichten 41, 42 kann beispielsweise durch die Dauer des Bedampfens eingestellt werden. Dies ermöglicht die elektrische Trennung der ersten Kontaktschicht 41 und der zweiten Kontaktschicht 42 durch eine räumliche Trennung.
  • Es ist möglich, dass Außenflächen 72e der Passivierungsschicht 72 beim Aufbringen der ersten Kontaktschicht 41 und der zweiten Kontaktschicht 42 mit Spuren des Materials 44 der beiden Kontaktschichten 41, 42 bedeckt werden. Diese Spuren des Materials 44 weisen jedoch eine deutlich geringere mittlere Dicke als die erste Kontaktschicht 41 und die zweite Kontaktschicht 42 auf.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1F ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. In dem hier gezeigten Verfahrensschritt werden die Spuren des Materials 44 beispielsweise mittels eines kurzen Eintauchens in eine Chemie entfernt und/oder mittels eines längeren Eintauchens in eine stark verdünnte Chemie. Alternativ ist es auch möglich, dass das gerichtete Abscheideverfahren für die beiden Kontaktschichten 41, 42 keine Spuren des Materials 44 hinterlässt und somit ein Eintauchen in ein Ätzbad nicht nötig ist.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1G ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. In dem hier gezeigten Verfahrensschritt wird eine Isolationsschicht 73 ganzflächig auf der ersten Halbleiterschicht 21 abgewandte freiliegende Außenflächen aufgebracht. Bei den freiliegenden Außenflächen kann es sich vorliegend um eine der ersten Halbleiterschicht 21 abgewandte erste Kontaktfläche 41a der ersten Kontaktschicht 41 und der ersten Halbleiterschicht 21 abgewandte zweite Kontaktflächen 42a der zweiten Kontaktschicht 42 handeln. Ferner können auch den Emissionsbereichen 3 abgewandte Außenflächen 72e der Passivierungsschicht 72 von der Isolationsschicht 73 bedeckt sein. Bevorzugt sind alle freiliegenden Außenflächen vollständig von der Isolationsschicht 73 bedeckt. Bei der Isolationsschicht 73 kann es sich vorliegend um eine dielektrische Schicht, die beispielsweise mit SiO2, SiN oder Al2O3 gebildet sein kann, handeln.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1H ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Bei dem gezeigten Verfahrensschritt wird die erste Isolationsschicht 73 im Bereich der Emissionsbereiche 3 teilweise entfernt. Bevorzugt werden hierbei die zweiten Kontaktflächen 42a zumindest stellenweise freigelegt. Die freigelegten Bereiche 81, in denen die zweiten Kontaktierungsfläche 42a freigelegt ist, weisen bevorzugt eine geringere laterale Ausdehnung als die Emissionsbereiche 3 auf.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1I ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. An den freigelegten Bereichen 81 wird eine Metallisierung 43 auf die zweiten Kontaktflächen 42a aufgebracht. Die Metallisierung 43 füllt die freigelegten Bereiche 81 bevorzugt vollständig aus. Die Metallisierung 43 ist mehrstückig ausgebildet, wobei einstückig ausgebildete Bereiche 431 der Metallisierung 43 jeweils einem Emissionsbereich 3 eineindeutig zugeordnet sind.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 1J ist ein weiterer Verfahrensschritt eines hier beschriebenen Verfahrens näher erläutert. Bei dem dargestellten Verfahrensschritt wird eine zweite Isolationsschicht 74 aufgebracht, die zusammen mit der ersten Isolationsschicht 73 ein Dielektrikum 73, 74 bildet. Bevorzugt füllt das Dielektrikum 73, 74 die Vertiefungen 211 vollständig aus. Die zweite Isolationsschicht 74 wird bevorzugt derart aufgebracht, dass das Dielektrikum 73, 74 die Vertiefungen 211 vollständig ausfüllt und die der Bodenfläche 21c abgewandten Endflächen 74a des Dielektrikums 74 bündig mit der Metallfläche 43a der Metallisierung 43 abschließen. Hierzu wird beispielsweise die zweite Isolationsschicht 74 zunächst derart aufgebracht, dass sie die Metallisierung 43 in vertikaler Richtung zumindest stellenweise überragt und die Metallfläche 43a zumindest stellenweise bedeckt. Mittels chemisch-mechanischem Polierens (chemical mechanical polishing, CMP) kann das Dielektrikum 73, 74 teilweise entfernt werden, so dass ein bündiger Abschluss zwischen der Endfläche 74a und der Metallfläche 43a entsteht.
  • Der Verbund aus der strukturierten Halbleiterschichtenfolge 21, 22, 23, der Passivierungsschicht 72, der ersten Kontaktschicht 41, der zweiten Kontaktschicht 42, dem Dielektrikum 73, 74 und der Metallisierung 43 bildet dann ein kompaktes optoelektronisches Halbleiterbauteil.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 2 ist ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil näher erläutert. Im Vergleich zu dem letzten Verfahrensschritt der 1J ist das Aufwachssubstrat 1 abgelöst und an der der Bodenfläche 21c abgewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist ein Aktivmatrixelement 6 angebracht. Dieses Aktivmatrixelement 6 dient der elektrischen Kontaktierung der Bereiche der zweiten Halbleiterschicht 221 der Emissionsbereiche 3 unter Verwendung der Metallisierungen 43. Insbesondere können die Bereiche 221 der zweiten Halbleiterschicht 22 individuell angesteuert werden. Beispielsweise ist hierzu jedem Emissionsbereich 3 eine Steuereinheit 61, die beispielsweise zumindest einen Transistor umfassen kann, in dem Aktivmatrixelement 6 zugeordnet.
  • Ferner ist die erste Halbleiterschicht 21 an ihrer Bodenfläche 21c teilweise entfernt, so dass die erste Kontaktschicht 41 an diesen seitlichen Öffnungen 212 teilweise frei zugänglich ist. An den seitlichen Öffnungen 212 kann die erste Kontaktschicht 41 elektrisch kontaktiert werden.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Das dargestellte optoelektronische Halbleiterbauteil unterscheidet sich von dem der 2 dadurch, dass in den Bereichen der Vertiefungen keine Passivierungsschicht 72 vorhanden ist. Diese wurde beispielsweise während des Herstellungsverfahrens entfernt. Die zweite Kontaktschicht 42 überragt die Emissionsbereiche 3 lateral. An diesem lateralen Überragen ist erkennbar, dass während des Herstellungsverfahrens eine Passivierungsschicht 72 Verwendung gefunden hat, wobei die Passivierungsschicht 72 entfernt wurde.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 4A ist ein alternatives Verfahren zur Herstellung eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils näher erläutert. Bei dem gezeigten Verfahrensschritt sind die erste Kontaktschicht 41 und die zweite Kontaktschicht 42 bereits aufgebracht. Im Gegensatz zu dem Verfahren der 1A bis 1J ist keine Passivierungsschicht 72 vorgesehen. Hierdurch entfällt der Verfahrensschritt des Aufbringens der Passivierungsschicht 72, wodurch die Breite der Vertiefungen 211 reduziert werden kann, da diese nicht durch die endliche Ausdehnung der Passivierungsschicht 72 limitiert ist.
  • Aufgrund der fehlenden Passivierungsschicht 72 grenzt die erste Kontaktschicht 41 direkt an die Seitenflächen 3b der Emissionsbereiche 3 an. Die erste Kontaktschicht 41 bedeckt in dem gezeigten Ausführungsbeispiel die erste Deckfläche 21a vollständig. Die zweite Kontaktschicht 42 weist eine laterale Ausdehnung auf, die der lateralen Ausdehnung der Emissionsbereiche 3 entspricht. Mit anderen Worten, die zweite Kontaktschicht 42 überragt die Emissionsbereiche 3 in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel nicht lateral.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 4B ist ein weiterer Verfahrensschritt näher erläutert. In dem hier gezeigten Verfahrensschritt wird die erste Isolationsschicht 73 aufgebracht. Diese grenzt direkt an die Seitenflächen 3b der Emissionsbereiche 3 an und bedeckt die erste Kontaktfläche 41a vollständig.
  • Gemäß der schematischen Schnittdarstellung der 4C ist ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil näher erläutert. Gezeigt ist das mit dem Verfahren der 4A und 4B hergestellte optoelektronische Halbleiterbauteil vor der Abtrennung des Aufwachssubstrats 1. Hierbei ist das Dielektrikum 73, 74 und die Metallisierung 43 wie in dem Verfahren der 1A bis 1K aufgebracht worden. Das Dielektrikum 73, 74 grenzt direkt an die Seitenflächen 3b der Emissionsbereiche 3 an. Die erste Deckfläche 21a der ersten Halbleiterschicht 21 ist vollständig von der ersten Kontaktschicht 41 bedeckt.
  • Gemäß der schematischen Draufsicht der 5 wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil näher erläutert. Gezeigt sind vier Emissionsbereiche 3, die lateral voneinander beabstandet sind. Die Emissionsbereiche 3 sind durch die Vertiefungen 211 getrennt, die mit der ersten Kontaktschicht 41 bedeckt sind. Die erste Kontaktschicht 41 umschließt die Emissionsbereiche 3 rahmenartig. An den Seitenflächen 3b der Emissionsbereiche 3 ist eine Passivierungsschicht 72 angebracht. Die Emissionsbereiche 3 sind von der zweiten Kontaktschicht 42, die in einstückig ausgebildete Bereiche 421 unterteilt ist, bedeckt. Die zweite Kontaktschicht ist von der Metallisierung 43, die die Metallflächen 43a aufweist, bedeckt.
  • Gemäß der schematischen Draufsicht der 6 wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil näher erläutert. Das optoelektronische Halbleiterbauteil der 6 weist einen einzigen einstückig ausgebildeten Emissionsbereich 3 auf. Der Emissionsbereich 3 ist strukturiert. Die Strukturierung erfolgt durch die Vielzahl von Vertiefungen 211. Die Vertiefungen 211 sind mit der ersten Kontaktschicht 41 bedeckt. Die erste Kontaktschicht 41 ist mehrstückig ausgebildet und umschließt die Vertiefungen 211 rahmenartig. Die Seitenflächen 3b des Emissionsbereichs 3 sind jeweils von einer Passivierungsschicht 72 bedeckt. Der Emissionsbereich 3 ist von der zweiten Kontaktschicht 42 und der Metallisierung 43 mit der Metallfläche 43a bedeckt.
  • Die Vertiefungen 211 dienen vorliegend der vereinfachten elektrischen Kontaktierung der von der zweiten Halbleiterschicht 22 bedeckten ersten Halbleiterschicht 21. Insbesondere kann die in den Vertiefungen 211 eingebrachte erste Kontaktschicht 41 beispielsweise an der ersten Kontaktfläche 41a elektrisch kontaktiert werden. Hierzu kann die erste Kontaktfläche 41a zumindest stellenweise frei zugänglich und/oder elektrisch kontaktierbar sein. Die Vertiefungen 211 können in diesem Fall die Funktion von Durchkontaktierungen und/oder Durchführungen aufweisen.
  • Bei dem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteil beziehungsweise bei dem hier beschriebenen Verfahren werden insbesondere die Ideen verfolgt, durch ein gleichzeitiges Abscheiden der ersten Kontaktschicht 41 und der zweiten Kontaktschicht 42 ein einfach herstellbares optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer geringen Breite der Vertiefungen 211 zwischen den Emissionsbereichen 3 zur Verfügung zu stellen. Durch tief ausgebildete 211 Vertiefungen zwischen den Emissionsbereichen 3 kann insbesondere eine elektrische Trennung der ersten Kontaktschicht 41 und der zweiten Kontaktschicht 42 ohne zusätzliche Isolationsschichten bewirkt werden. Hierdurch können die Abstände zwischen den Emissionsbereichen 3 besonders gering ausgebildet sein.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Aufwachssubstrat
    21, 22
    erste bzw. zweite Halbleiterschicht
    23
    aktive Schicht
    211
    Vertiefungen
    212
    seitliche Öffnung
    221
    Bereiche der zweiten Halbleiterschicht
    231
    Bereiche der aktiven Schicht
    21a
    erste Deckfläche
    21c
    Bodenfläche der ersten Halbleiterschicht
    3
    Emissionsbereiche
    3a
    zweite Deckflächen der Emissionsbereiche
    3b
    Seitenflächen der Emissionsbereiche
    41, 42
    erste bzw. zweite Kontaktschicht
    41a, 42a
    erste bzw. zweite Kontaktfläche
    421
    einstückige Bereiche der zweiten Kontaktschicht
    43
    Metallisierung
    431
    einstückige Bereiche der Metallisierung
    6
    Aktivmatrixelement
    61
    Steuereinheit
    71
    Maskenschicht
    72
    Seitenpassivierung
    72e
    Außenflächen der Seitenpassivierung
    73, 74
    erste bzw. zweite Isolationsschicht, Dielektrikum
    81
    Öffnung der ersten Isolationsschicht
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2013/092304 A1 [0002]
    • WO 2014/033041 A1 [0024]

Claims (17)

  1. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen einer strukturierten Halbleiterschichtenfolge (21, 22, 23) aufweisend – eine einstückig ausgebildete erste Halbleiterschicht (21) mit einer Bodenfläche (21c), einer Haupterstreckungsebene, zumindest einer Vertiefung (211), insbesondere einer Vielzahl von Vertiefungen (211), und einer der Bodenfläche (21c) abgewandten ersten Deckfläche (21a) im Bereich der Vertiefungen (211), – eine aktive Schicht (23) und – eine zweite Halbleiterschicht (22) an einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (23), wobei – die aktive Schicht (23) und die zweite Halbleiterschicht (22) gemeinsam strukturiert sind und zusammen mit der ersten Halbleiterschicht (21) zumindest einen Emissionsbereich (3) bildet, B) Gleichzeitiges Aufbringen einer ersten Kontaktschicht (41) auf der ersten Deckfläche (21a) und einer zweiten Kontaktschicht (42) auf der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten zweiten Deckflächen (3a) der Bildpunkte (3) derart, dass – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) elektrisch voneinander getrennt sind und – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zueinander und zur Haupterstreckungsebene verlaufen.
  2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei die aktive Schicht (23) und die zweite Halbleiterschicht (22) in eine Vielzahl von lateral zueinander beabstandeter Bereiche (221, 231) strukturiert sind und jeder Bereich (221, 231) zusammen mit der ersten Halbleiterschicht (21) einen Emissionsbereich (3) bildet.
  3. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei vor Schritt B) eine Passivierungsschicht (72) auf alle quer zur Haupterstreckungsebene verlaufende Seitenflächen (3b) der Emissionsbereiche (3) aufgebracht wird, wobei die Passivierungsschicht (72) die Seitenflächen (3b) vollständig bedeckt.
  4. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Passivierungsschicht (72) nach Schritt B) entfernt wird.
  5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das noch nicht fertig gestellte optoelektronische Halbleiterbauteil nach Schritt B) für eine vorgebbare Zeitspanne in ein Säurebad getaucht wird derart, dass Spuren (44) des Materials der ersten Kontaktschicht (41) und der zweiten Kontaktschicht (42) von den Seitenflächen (3b) der Emissionsbereiche (3) oder den Emissionsbereichen (3) abgewandten Außenflächen (72e) der Passivierungsschicht (72) entfernt werden.
  6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei nach Schritt B) folgende Verfahrensschritte durchgeführt werden: C) ganzflächiges Aufbringen einer ersten Isolationsschicht (73) auf der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandte freiliegende Außenflächen, D) teilweises Entfernen der ersten Isolationsschicht (73) im Bereich von den Emissionsbereichen abgewandten zweiten Kontaktflächen (41a) der zweiten Kontaktschicht (41), E) Aufbringen einer Metallisierung (43) an den Bereichen (81) der zweiten Kontaktflächen (41a) an denen die erste Isolationsschicht (73) entfernt wurde.
  7. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei nach Schritt E) folgende Verfahrensschritte durchgeführt werden F) Aufbringen einer zweiten Isolationsschicht (74) die zusammen mit der ersten Isolationsschicht (73) ein Dielektrikum (73, 74) bildet derart, dass das Dielektrikum die Vertiefungen (211) vollständig ausfüllt und die Metallisierung (43) in vertikaler Richtung überragt, E) Abtragen des Dielektrikums (73, 74) derart, dass der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandte Metallflächen (43a) der Metallisierung (43) bündig mit der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Endflächen (74a) des Dielektrikums (73, 74) abschließen.
  8. Optoelektronisches Halbleiterbauteil, umfassend – eine strukturierte Halbleiterschichtenfolge (21, 22, 23) aufweisend – eine einstückig ausgebildete erste Halbleiterschicht (21) mit einer Bodenfläche (21c), einer Haupterstreckungsebene, zumindest einer Vertiefung (211), insbesondere einer Vielzahl von Vertiefungen (211), und einer der Bodenfläche (21c) abgewandten ersten Deckfläche (21a) im Bereich der Vertiefungen (211), – eine aktive Schicht (23) und – eine zweite Halbleiterschicht (22) an einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (23), wobei – die aktive Schicht (23) und die zweite Halbleiterschicht (22) gemeinsam in Bereiche (221, 231), insbesondere in eine Vielzahl von lateral zueinander beabstandete Bereiche (221, 231), strukturiert sind und jeder Bereich (221, 231) zusammen mit der ersten Halbleiterschicht (21) einen Emissionsbereich (3) bildet, – eine erste Kontaktschicht (41), die auf der ersten Deckfläche (21a) aufgebracht ist, und – eine zweite Kontaktschicht (42), die auf einer der Bodenfläche (21c) abgewandten zweiten Deckfläche (3a) der Emissionsbereiche (3) aufgebracht ist, wobei – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) nicht elektrisch leitend miteinander verbunden sind, im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zueinander und zur Haupterstreckungsebene verlaufen, dieselbe Dicke aufweisen und aus demselben Material gebildet sind.
  9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem alle quer zur Haupterstreckungsebene verlaufende Seitenflächen (3b) der Emissionsbereiche (3) vollständig mit einer Passivierungsschicht (72) bedeckt sind.
  10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Seitenflächen (3b) der Emissionsbereiche (3) oder den Emissionsbereichen (3) abgewandte Außenflächen der Passivierungsschicht (72) Spuren (44) des Materials der ersten Kontaktschicht (41) und der zweiten Kontaktschicht (42) aufweisen.
  11. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – die erste Kontaktschicht (41) einstückig ausgebildet ist und die Emissionsbereiche (3) jeweils rahmenartig umschließt, und – die zweite Kontaktschicht (42) mehrstückig ausgebildet ist, wobei jedem Emissionsbereich (3) ein einstückig ausgebildeter Bereich der zweiten Kontaktschicht (421) eineindeutig zugeordnet ist.
  12. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – die erste Kontaktschicht (41) mehrstückig ausgebildet ist, wobei jeder Vertiefung (211) ein einstückig ausgebildeter Bereich der ersten Kontaktschicht (41) eineindeutig zugeordnet ist, und – die zweite Kontaktschicht (42) einstückig ausgebildet ist, und die Vertiefungen (211) rahmenartig umschließt, wobei jedem Emissionsbereich (3) ein einstückig ausgebildeter Bereich der zweiten Kontaktschicht (421) eineindeutig zugeordnet ist.
  13. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) in einer Aufsicht von einer der Bodenfläche (21c) der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite als durchgehende Metallschicht erscheinen.
  14. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem auf der zweiten Kontaktschicht (41) eine Metallisierung (43) mit der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Metallflächen (43a) aufgebracht ist, wobei – die Metallisierung (43) mehrstückig ausgebildet ist, wobei jedem Emissionsbereich (3) ein einstückig ausgebildeter Bereich der Metallisierung (431) eineindeutig zugeordnet ist und – jeder einstückige Bereich der Metallisierung (431) eine geringere laterale Ausdehnung als der ihr eineindeutig zugeordnete Emissionsbereich (3) aufweist.
  15. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach dem vorherigen Anspruch, bei dem zwischen den Emissionsbereichen (3) ein Dielektrikum (73, 74) angeordnet ist, wobei – die Metallflächen (43a) der Metallisierung (43) bündig mit der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Endflächen (74a) des Dielektrikums (73, 74) abschließen, – das Dielektrikum (73, 74) die erste Kontaktschicht (41) an ihrer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite vollständig bedeckt und – das Dielektrikum (73, 74) die zweite Kontaktschicht (42) an Stellen, die nicht von der Metallisierung (43) bedeckt sind vollständig bedeckt.
  16. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem – die erste Deckfläche (21a) der ersten Halbleiterschicht (21) stellenweise von dem Dielektrikum (73, 74) und/oder von der Passivierungsschicht bedeckt ist und – die Bereiche der zweiten Kontaktschicht (421) den jeweils zugeordneten Emissionsbereich (3) stellenweise lateral überragen.
  17. Optoelektronisches Halbleiterbauteil nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die erste Deckfläche (21a) der ersten Halbleiterschicht (21) vollständig von der ersten Kontaktschicht (41) bedeckt ist.
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