JP5793292B2 - 半導体発光素子 - Google Patents

半導体発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5793292B2
JP5793292B2 JP2010261646A JP2010261646A JP5793292B2 JP 5793292 B2 JP5793292 B2 JP 5793292B2 JP 2010261646 A JP2010261646 A JP 2010261646A JP 2010261646 A JP2010261646 A JP 2010261646A JP 5793292 B2 JP5793292 B2 JP 5793292B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layer
light emitting
bonding
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010261646A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011192960A (ja
Inventor
孝輔 矢羽田
孝輔 矢羽田
尚嗣 溝渕
尚嗣 溝渕
敬洋 森
敬洋 森
将士 出口
将士 出口
真悟 戸谷
真悟 戸谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2010261646A priority Critical patent/JP5793292B2/ja
Priority to US12/929,796 priority patent/US8552447B2/en
Priority to KR1020110013492A priority patent/KR101238132B1/ko
Priority to CN201110040295.1A priority patent/CN102169940B/zh
Priority to TW100105112A priority patent/TWI431814B/zh
Publication of JP2011192960A publication Critical patent/JP2011192960A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5793292B2 publication Critical patent/JP5793292B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape

Description

本発明は、ワイヤボンディング用の電極を有する半導体発光素子に関する。
従来、半導体発光素子として、サファイアからなる基板上に、バッファ層、ｎ型層、発光層、ｐ型層をこの順序で形成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。ｐ型層及び発光層の一部がエッチングにより除去されて、露出したｎ型層の表面にｎ電極が形成され、ｐ型層の上には透光性を有するｐ電極が形成される。ｐ電極の上には絶縁性膜が形成され、絶縁性膜の一部を開口させてｐ電極の表面を露出させ、露出させたｐ電極にパッド電極を形成している。
特開２０００−７７７１７号公報
ところで、特許文献１に記載の半導体発光素子では、パッド電極の材料は、ｐ電極とオーミック接触する材料を選択する必要があり、発光層から発せられる光の反射率が低いものを選択せざるを得ない場合がある。また、パッド電極は、ボンディングワイヤとの接続を考慮して、比較的広い面積で形成する必要もある。これにより、パッド電極による光の吸収量が大きくなり、素子の光取り出し効率が低下するという問題があった。
したがって、本発明の目的は、ワイヤボンディング用の電極を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させることである。
本発明は、上記目的を達成するため、第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造と、前記第２導電型層にオーミック接触した透明電極と、前記透明電極上に形成された絶縁層と、ボンディングワイヤを接続するための接続部と、前記接続部から延在する線状の延在部を含む、前記絶縁層上に形成された上側電極と、前記透明電極とオーミック接触する第１金属層と、この上に形成され、前記延在部とオーミック接触する第２金属層とを含む下側電極であって、前記絶縁層を貫通し、前記透明電極および前記上側電極の前記延在部との界面においてオーミック接触し、少なくとも、前記第１金属層の材料が、前記上側電極の前記延在部の材料と異なるとともに、前記上側電極の前記接続部よりも面積が小さく、かつ、前記延在部に最先端部を含め複数接続された下側電極と、前記上側電極の前記延在部を除く前記接続部の裏面に形成され、前記上側電極よりも、発光層から発せられる光に対して反射率が高い金属からなる反射部と、を有し、前記発光層の前記第２導電型層側から光を取り出す半導体発光素子が提供される。
上記半導体発光素子において、前記反射部は、前記発光層から発せられた光の反射率が前記下側電極の前記第１金属層よりも高いものであってもよい。
上記半導体発光素子において、前記反射部は、前記下側電極の前記第１金属層よりも前記絶縁層との密着性が高いことが好ましい。
上記半導体発光素子において、前記第１導電型層および前記第２導電型層は、それぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層であり、前記ｎ型半導体層、前記ｐ型半導体層、および前記発光層は、窒化物化合物半導体からなり、前記透明電極は、導電性酸化物からなり、前記上側電極は、前記ｐ型半導体層用の上側ｐ電極であり、前記上側ｐ電極の前記延在部は、前記ｐ型半導体層用の第１および第３の延在部を有し、前記ｎ型半導体層用の上側ｎ電極をさらに有し、前記上側ｎ電極は、ボンディングワイヤを接続するための接続部と、当該接続部から前記第１および第３の延在部の間に延在する第２の延在部を有するものであってもよい。
上記半導体発光素子において、前記第１導電型層および前記第２導電型層は、それぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層であり、前記ｎ型半導体層、前記ｐ型半導体層、および前記発光層は、窒化物化合物半導体からなり、前記透明電極は、導電性酸化物からなり、前記上側電極は、前記ｎ型半導体層用の上側ｎ電極と、前記ｐ型半導体層用の上側ｐ電極を含み、前記上側ｐ電極は、第１および第３の延在部を有し、前記上側ｎ電極は、前記第１および第３の延在部の間に延在する第２の延在部を有するものであってもよい。
本発明によれば、ワイヤボンディング用の電極を有する半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させることができる。
図１は、本発明の第１の実施の形態を示す半導体発光素子の模式断面図である。 図２は、半導体発光素子の模式平面図である。 図３は、第１の実施の形態の変形例を示す半導体発光素子の模式平面図である。 図４は、第１の実施の形態の変形例を示す半導体発光素子の模式平面図である。 図５は、第１の実施の形態の変形例を示す半導体発光素子の模式平面図である。 図６は、第１の実施の形態の変形例を示す半導体発光素子の模式断面図である。 図７は、第２の実施の形態を示す半導体発光素子の模式平面図である。 図８（ａ）、（ｂ）は、図７の半導体発光素子の垂直断面図である。 図９は、延在領域の幅に対する反射膜の幅の割合を横軸、光取り出し量を縦軸とするグラフである。 図１０は、第２の実施の形態の発光素子のボンディング領域近傍の部分拡大図である。 図１１（ａ）、（ｂ）は、第２の実施の形態の変形例を示す半導体発光素子の垂直断面図である。 図１２（ａ）、（ｂ）は、第３の実施の形態を示す半導体発光素子の垂直断面図である。
〔第１の実施の形態〕
図１及び図２は本発明の第１の実施の形態を示し、図１は半導体発光素子の模式断面図である。
この発光素子１は、図１に示すように、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に設けられるバッファ層２０と、バッファ層２０上に設けられるｎ型コンタクト層２２と、ｎ型コンタクト層２２上に設けられるｎ型ＥＳＤ層２３と、ｎ型ＥＳＤ層２３上に形成されるｎ型クラッド層２４と、ｎ側クラッド層２４上に設けられる発光層２５と、発光層２５上に設けられるｐ型クラッド層２６と、ｐ型クラッド層２６上に設けられるｐ型コンタクト層２７とを含む半導体積層構造を備える。また、ｐ型コンタクト層２７からｎ型コンタクト層２２の一部がエッチングにより除去され、ｎ型コンタクト層２２の一部が露出している。
ここで、バッファ層２０と、ｎ型コンタクト層２２と、ｎ型ＥＳＤ層２３と、ｎ型クラッド層２４と、発光層２５と、ｐ型クラッド層２６と、ｐ型コンタクト層２７とはそれぞれ、III族窒化物化合物半導体からなる層である。III族窒化物化合物半導体は、例えば、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の四元系のIII族窒化物化合物半導体を用いることができる。
本実施形態においては、バッファ層２０は、ＡｌＮから形成される。そして、ｎ型コンタクト層２２、ｎ型ＥＳＤ層２３及びｎ型クラッド層２４は、所定量のｎ型ドーパント（例えば、Ｓｉ）をそれぞれドーピングしたｎ−ＧａＮからそれぞれ形成される。また、発光層２５は、複数の井戸層と複数の障壁層とを含んで形成される多重量子井戸構造を有する。井戸層は例えばＧａＮから、障壁層は例えばＩｎＧａＮ若しくはＡｌＧａＮ等から形成される。さらに、ｐ型クラッド層２６及びｐ型コンタクト層２７は、所定量のｐ型ドーパント（例えば、Ｍｇ）をドーピングしたｐ−ＧａＮからそれぞれ形成される。
サファイア基板１０の上に設けられるバッファ層２０からｐ型コンタクト層２７までの各層は、例えば、有機金属化学気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD）、分子線エピタキシー法（Molecular Beam Epitaxy : MBE）、ハライド気相エピタキシー法（Halide Vapor Phase Epitaxy : HVPE）等によって形成することができる。ここで、バッファ層２０がＡｌＮから形成されるものを例示したが、バッファ層２０はＧａＮから形成することもできる。また、発光層２５の量子井戸構造は、多重量子井戸構造でなく、単一量子井戸構造、歪量子井戸構造にすることもできる。
また、発光素子１は、ｐ型コンタクト層２７上に設けられるｐ電極３０と、ｐ電極３０上及び半導体積層構造上に形成される絶縁層４０と、を備えている。さらに、発光素子１は、絶縁層４０を貫通しｐ電極３０とオーミック接触する下側ｐパッド電極５０と、絶縁層４０を貫通しｎ型コンタクト層２２とオーミック接触する下側ｎ電極６０と、を備えている。
ｐ電極３０は、発光層２５から発せられる光に対して透明な導電性酸化物から形成され、本実施形態においてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から形成される。ｐ電極３０は、例えば、真空蒸着法を用いて形成される。なお、ｐ電極３０は、スパッタリング法又はＣＶＤ法等により形成することもできる。本実施形態においては、ｐ電極３０には、後述する上側ｐパッド電極７０の真下に非形成領域３２が存在する。非形成領域３２は、エッチング等により形成することができる。
本実施形態においては、絶縁層４０としてＳｉＯ２が用いられる。尚、絶縁層４０として他の材料を用いてもよく、例えばＳｉＮの他、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、若しくはポリイミド等の電気絶縁性を有する樹脂材料から形成することもできる。絶縁層４０は、例えば真空蒸着法により形成されるが、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition : CVD）により形成することもできる。絶縁層４０におけるｐ電極３０の上側の一部と、ｎ型コンタクト層２２の上側の一部は、下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０を形成するために、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて除去される。
下側ｐパッド電極５０は、ｐ電極３０と接触する第１金属層５２と、この上に形成される第２金属層５４と、を含む。第１金属層５２は、例えばＮｉ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｃｒ等のＩＴＯとオーミック接触する金属からなる。本実施形態においては、第１金属層５２としてＮｉが、第２金属層５４としてＡｕがそれぞれ用いられる。また、下側ｎ電極６０は、ｎ型コンタクト層２２と接触する第１金属層６２と、この上に形成される第２金属層６４と、を含む。第２金属層６２は、例えばＮｉ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｖ、Ｐｔ、Ｃｒ等のｎ型コンタクト層２２とオーミック接触する金属からなる。本実施形態においては、第１金属層６２と第２金属層６４は、下側ｐパッド電極５０の第１金属層５２及び第２金属層６４と同じ材料が用いられる。
下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０は、例えば真空蒸着法を用いて形成される。本実施形態において、下側ｐパッド電極５０を構成する材料と、下側ｎ電極６０を構成する材料とは、同一材料であり、電極材料を同時に真空蒸着することにより各電極５０，６０が形成される。尚、下側ｐパッド電極５０と下側ｎ電極６０を異なる材料としてもよく、この場合は同時でなく別々に形成される。また、下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０を、スパッタリング法により形成することもできる。
また、発光素子１は、絶縁層４０上に形成され、下側ｐパッド電極５０とオーミック接触する上側ｐパッド電極７０を備えている。上側ｐパッド電極７０は、平面視にて、下側ｐパッド電極５０よりも大きく形成される。上側ｐパッド電極７０は、絶縁層４０及び下側ｐパッド電極５０と接触する第１金属層７２と、この上に形成され実装時にボンディングワイヤ（図示せず）が接続される第２金属層７４と、を含む。第１金属層７２は、第２金属層７４よりも、発光層２５から発せられる光に対して反射率が高い金属からなる。また、第２金属層７４は、ボンディングワイヤとの接合に適した金属が選択される。本実施形態においては、第１金属層７２としてＡｌが、第２金属層７４としてＡｕがそれぞれ用いられる。尚、第１金属層７２は、Ａｌ以外の材料を用いることができ、例えばＡｇから形成することもできるし、Ａｌ又はＡｇを主成分として含む合金から形成することもできる。
また、発光素子１は、絶縁層４０上に形成され、下側ｎ電極６０とオーミック接触する上側ｎ電極８０を備えている。上側ｎ電極８０は、平面視にて、下側ｎ電極６０よりも大きく形成される。上側ｎ電極８０は、絶縁層４０及び下側ｎ電極６０と接触する第１金属層８２と、この上に形成され実装時にボンディングワイヤ（図示せず）が接続される第２金属層８４と、を含む。第１金属層８２は、第２金属層８４よりも、発光層２５から発せられる光に対して反射率が高い金属からなる。また、第２金属層８４は、ボンディングワイヤとの接合に適した金属が選択される。本実施形態においては、第１金属層８２及び第２金属層８４は、上側ｐパッド電極７０の第１金属層７２及び第２金属層７４と同じ材料が用いられる。
上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０は、ボンディングワイヤのボール径に応じた面積となっており、下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０よりも大きな面積で形成される。これに対し、下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０は、ｐ電極３０及びｎ型コンタクト層２２とのオーミック接触を主目的としていることから、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０よりも小さな面積で形成される。本実施形態においては、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０の直径は６０μｍ〜９０μｍであり、下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０の直径は５μｍ〜３０μｍである。
また、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０の第１金属層７２，８２は、下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０の第１金属層５２，６２よりも、絶縁層４０との密着性が高い材料が選択されている。さらに、下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０の第１金属層５２，６２には、上側ｐパッド電極７０及び下側ｎ電極８０の第１金属層７２，８２よりもｐ電極３０及びｎ型コンタクト層２２とのオーミック抵抗が小さい材料が用いられる。また、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０の第１金属層７２，８２は、下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０の第１金属層５２，６２よりも反射率の高い材料が用いられる。
上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０は、例えば真空蒸着法を用いて形成される。本実施形態において、上側ｐパッド電極７０を構成する材料と、上側ｎ電極８０を構成する材料とは、同一材料であり、電極材料を同時に真空蒸着することにより各電極７０，８０が形成される。尚、上側ｐパッド電極７０と上側ｎ電極８０を異なる材料としてもよく、この場合は同時でなく別々に形成される。また、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０を、スパッタリング法により形成することもできる。尚、特に図示していないが、下側ｐパッド電極５０と上側ｐパッド電極７０の間にバリア層を形成してもよい。
図２は、半導体発光素子の模式平面図である。
図２に示すように、発光素子１は平面視にて略四角形状に形成される。発光素子１の平面寸法は、例えば、縦寸法及び横寸法がそれぞれ略３５０μｍである。本実施形態においては、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０は、対辺状に配置されている。また、上側ｐパッド電極７０の真下には、ｐ電極３０が形成されていない非形成領域３２が存在する。
以上のように構成された発光素子１によれば、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０にボンディングワイヤが接続される。そして、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０に順方向の電圧を印加すると、発光層２５から青色領域の波長の光が発せられる。例えば、発光素子１は、順電圧が３Ｖ程度で、順電流が２０ｍＡの場合に、ピーク波長が４５５ｎｍ程度の光を発する。
発光層２５から発せられた光のうち、下側ｐパッド電極５０へ入射する光は、ｐ電極３０とオーミック接触している第１層５２にて比較的大きく吸収される。しかしながら、本実施形態の発光素子１によれば、下側ｐパッド電極５０がワイヤボンディングに必要な面積を有する上側ｐパッド電極７０より小さく形成されているので、第１層５２への入射量が比較的小さくなっている。また、上側ｐパッド電極７０へ入射する光の殆どは、絶縁層４０上に形成されている反射率の高い第１層７２にて反射され、光の吸収が比較的大きい第２層７４まで到達することはない。
このように、ｐ電極３０上に絶縁層４０を形成し、ｐ電極３０とオーミック接触する下側ｐパッド電極５０と、ワイヤボンディング用の上側ｐパッド電極７０とを別個に形成したので、パッド電極における光の吸収量を小さくするとともに、効率よく光を反射させることができ、発光素子１からの光取り出し量を向上させることができる。
さらに、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０における絶縁層４０と接触する第１層７２，８２に、絶縁層４０と密着性の高い材料を選択することができ、パッド電極の剥がれ等の不具合を抑制することができ、実用に際して極めて有利である。
また、上側ｐパッド電極７０の真下に、ｐ電極３０が形成されていない非形成領域３２を設けたので、発光層２５における上側ｐパッド電極７０の真下の領域には電流が比較的流れない状態となり、発光が抑制されることとなる。このように、上側ｐパッド電極７０の近傍での発光が抑制されるようにして、上側ｐパッド電極７０で吸収される光量を減じることができる。さらに、発光層２５から発せられた光の一部が、非形成領域３２を通過することにより、導電性酸化物からなるｐ電極３０において光が吸収されることはなく、素子の光取り出し効率をさらに向上させることができる。
また、ｐ側とｎ側で電極に同じ材料を用いたので、ｐ側とｎ側の電極を同時に形成することができ、製造コストの低減を図ることができる。
尚、前記実施形態においては、平面視が略正方形状の発光素子１を例示したが、例えば図３及び図４に示すように、略長方形状であってもよいことは勿論である。図３及び図４の発光素子１０１，２０１は、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０が、ボンディングワイヤとの接続部７０ａ，８０ａと、接続部７０ａ，８０ａから延在する延在部７０ｂ，８０ｂと、を有する。そして、延在部７０ｂ，８０ｂに下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０が接続されている。尚、図３及び図４においては、延在部７０ｂ，８０ｂは、前述の第２層７４，８４のみにより形成されている。
図３の発光素子１０１においては、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０の延在部７０ｂ，８０ｂが、平面視にて、対向する発光素子１の辺部に沿って延びている。図４の発光素子２０１においては、平面視にて、一方の延在部８０ｂが発光素子１の中央を所定方向へ延び、他方の２つの延在部７０ｂが一方の延在部８０ｂを挟むように辺部に沿って延びている。図３及び図４の発光素子１０１，２０１は、いずれも、延在部７０ｂ，８０ｂに複数の下側ｐパッド電極５０及び下側ｎ電極６０が接続されており、効率よく電流が拡散されるようになっている。
また、前記実施形態においては、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０が対辺状に配置されるものを示したが、電極の配置は任意である。例えば、一方の電極が中央側に配置され、他方の電極が外縁側に配置されるようにしてもよいし、図５の発光素子３０１のように上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０が対角状に配置されるものであってもよい。
また、前記実施形態においては、上側ｐパッド電極７０及び上側ｎ電極８０の高さが異なるものを示したが、例えば図６に示すように、上側ｎ電極８０側の絶縁層４０を厚くすることにより、同じ高さとすることも可能である。この場合、ワイヤを形成する高さが同じ高さとなるので、発光素子１の実装時に極めて便利である。
また、前記実施形態においては、ｐ電極３０に非形成領域３２を設けたものを示したが、非形成領域３２を設けずともよいことは勿論である。この場合、非形成領域３２を設けるためのエッチング工程等を省略することができる。
また、前記実施形態においては、ｐ側とｎ側の両方に本発明の電極を適用したものを示したが、いずれか一方であってもよいことは勿論である。さらに、発光素子１が青色領域にピーク波長を有するＬＥＤであるものを示したが、紫外領域、緑色領域等にピーク波長を有するＬＥＤであってもよいことは勿論である。
また、前記実施形態においては、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子１について述べたが、ＧａＡｌＡｓやＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｌＰ等の化合物半導体を用いた発光素子に対しても、本発明の思想を逸脱しない範囲内で適用することが可能である。
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態では、発光層２５から発せられる光に対する反射率が高い金属からなる反射部として、第１の実施の形態の第１金属層７２の代わりに、ボンディング用電極から独立した反射膜を用いる。なお、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略または簡略化する。
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る発光素子２の模式平面図である。図８（ａ）は、図７の線分Ａ−Ａに沿った発光素子２の垂直断面図であり、図８（ｂ）は、図７の線分Ｂ−Ｂに沿った発光素子２の垂直断面図である。
発光素子２は、第１の実施の形態の発光素子１と同様に、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に設けられるバッファ層２０と、バッファ層２０上に設けられるｎ型コンタクト層２２と、ｎ型コンタクト層２２上に設けられるｎ型ＥＳＤ層２３と、ｎ型ＥＳＤ層２３上に形成されるｎ型クラッド層２４と、ｎ側クラッド層２４上に設けられる発光層２５と、発光層２５上に設けられるｐ型クラッド層２６と、ｐ型クラッド層２６上に設けられるｐ型コンタクト層２７とを含む半導体積層構造を備える。また、ｐ型コンタクト層２７からｎ型コンタクト層２２の一部がエッチングにより除去され、ｎ型コンタクト層２２の一部が露出している。半導体積層構造の各部の材料や製法は、第１の実施の形態の発光素子１と同様である。
また、発光素子２は、ｐ型コンタクト層２７上に設けられるｐ電極３０と、ｐ電極３０上及び半導体積層構造上に形成される絶縁層４０と、を備えている。ｐ電極３０及び絶縁層４０の材料や製法は、第１の実施の形態と同様である。
さらに、発光素子２は、パッド電極９１を介してｐ電極３０とオーミック接触するボンディング用ｐ電極９０と、パッド電極９５を介してｎ型コンタクト層２２とオーミック接触するボンディング用ｎ電極９４と、を備えている。
ボンディング用ｐ電極９０及びボンディング用ｎ電極９４は、それぞれ第１の実施の形態の反射率が高い金属からなる第１金属層７２、８２に相当する反射部を含まない。
また、ボンディング用ｐ電極９０は、第１の実施の形態の上側ｐパッド電極７０に対応し、パッド電極９１は、第１の実施の形態の下側ｐパッド電極５０に対応する。
また、ボンディング用ｎ電極９４は、第１の実施の形態の上側ｎ電極８０に対応し、パッド電極９５は、第１の実施の形態の下側ｎ電極６０に対応する。
ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４は、平面視にて、それぞれパッド電極９１およびパッド電極９５よりも大きく形成される。すなわち、ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４は、それぞれパッド電極９１およびパッド電極９５よりも面積が大きい。
また、ボンディング用ｐ電極９０は、ボンディングワイヤ（図示しない）を接続するためのボンディング領域９０３と、ボンディング領域９０３から延在する線上の延在領域９０４を有する。パッド電極９１は延在領域９０４下に設けられる。延在領域９０４下に複数のパッド電極９１が設けられることにより、ｐ電極３０に効率よく電流を拡散させることができる。
ボンディング用ｎ電極９４は、ボンディングワイヤを接続するためのボンディング領域９４３と、ボンディング領域９４３から延在する線上の延在領域９４４を有する。パッド電極９５は延在領域９４４下に設けられる。延在領域９４４下に複数のパッド電極９５が設けられることにより、ｎ型コンタクト層２２に効率よく電流を拡散させることができる。
ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４の材料として、ボンディングワイヤとの接合に適した金属、例えば、Ａｕが用いられる。ボンディング用ｐ電極９０とボンディング用ｎ電極９４の材料は同一であってもよい。
ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４は、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成される。ボンディング用ｐ電極９０とボンディング用ｎ電極９４の材料が同一である場合、ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４を同時に形成することができる。
ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４に順方向の電圧を印加すると、発光層２５から青色領域の波長の光が発せられる。例えば、発光素子２は、順電圧が３Ｖ程度で、順電流が２０ｍＡの場合に、ピーク波長が４５５ｎｍ程度の光を発する。
反射膜９２は、ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４よりも、発光層２５から発せられる光に対して反射率が高い金属、例えば、Ａｌ、Ａｇ、またはこれらの少なくとも一方を主成分とする合金からなる。
ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４は、発光層２５から発せられた光に対する反射率が比較的低いため、この光が吸収されやすい。しかしながら、本実施形態の発光素子２によれば、ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４の方向へ進む光の殆どは、絶縁層４０中の反射膜９２により反射され、ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４の方向まで到達することはない。このように、反射膜９２により光を反射させ、発光素子２からの光取り出し量を向上させることができる。
反射膜９２は、少なくともボンディング用ｐ電極９０の下方に、ボンディング用ｐ電極９０の形状に対応した形状に形成される。これにより、ｐ電極３０のボンディング用ｐ電極９０に接しない領域を透過した光の少なくとも一部を反射することができる。
より好ましくは、反射膜９２は、ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４の下方に、これらの形状に対応した形状に形成される。これにより、発光素子２からの光取り出し量をより向上させることができる。
反射膜９２が、ボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４の形状に対応した形状に形成されるのは、発光層２５からボンディング用ｐ電極９０およびボンディング用ｎ電極９４の方向へ進む光を反射し、それ以外の方向へ進む光をそのまま外部へ取り出すためである。
例えば、ボンディング用ｐ電極９０の線状の延在領域９０４の下方の反射膜９２の領域は、延在領域９０４の幅Ｗ１となるべく近い幅Ｗ２を有する、延在領域９０４の長さ方向に沿った線状の領域であることが好ましい。この反射膜９２の線状の領域の長さ方向の中心線は、延在領域９０４の直下の領域内にある。
同様に、ボンディング用ｎ電極９４の線状の延在領域９４４の下方の反射膜９２の領域は、延在領域９４４の幅となるべく近い幅を有する、延在領域９０４の長さ方向に沿った線状の領域であることが好ましい。この反射膜９２の線状の領域の長さ方向の中心線は、延在領域９４４の直下の領域内にある。
ここで、延在領域９０４、９４４の幅に対するその下方の反射膜９２の領域の幅と、発光素子２の光取り出し量との関係の一例を図９を用いて示す。この例において、ボンディング用ｐ電極９０及びボンディング用ｎ電極９４はＡｕからなり、反射膜９２はＡｌからなる。延在領域９０４、９４４の幅は、１０μｍである。
図９は、延在領域９０４、９４４の幅に対する反射膜９２の幅の割合を横軸、光取り出し量の相対値［％］を縦軸とするグラフである。相対値［％］は、反射膜９２を形成しない場合の値を１００％とする光取り出し量の相対値である。
図９から分かるように、延在領域９０４、９４４の幅と反射膜９２の幅が等しいときに光取り出し量が最大になり、幅の差が広がるほど光取り出し量が減少する。光取り出し量増加の効果を得る、すなわち光取り出し量の相対値が１００％を超えるためには、延在領域９０４、９４４の幅に対する反射膜９２の幅の割合は０％より大きく、およそ２３０％より小さいことが求められる。また、より多くの光を取り出すために、延在領域９０４、９４４の幅に対する反射膜９２の幅の割合は約２５％〜２００％であることが好ましく、約４０％〜１６０％であることがより好ましい。
また、反射膜９２は、絶縁層４０中に、ｐ電極３０およびボンディング用ｐ電極９０と接触しないように形成される。一般に、反射率が高い金属は、エレクトロマイグレーションが発生しやすいものが多い。そのため、第１の実施の形態の第１金属層７２、８２のような、他の導電部材に接続される部材に反射率が高い金属を用いる場合、材料の選択の幅が狭くなるという問題が生じる。しかし、本実施の形態の反射膜９２は、全面が絶縁層４０に覆われ、他の導電部材と接触しないため、エレクトロマイグレーションが発生した場合であっても、発光素子２の電気的特性を損なうおそれがない。そのため、反射膜９０の材料の選択の幅は、第１金属層７２、８２等のそれよりも広い。すなわち、反射膜９０を用いることにより、発光層２５から発せられる光に対する高い反射率を有する反射部の材料の選択の幅を広げることができる。
パッド電極９１は、例えばＮｉ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｃｒ等のＩＴＯとオーミック接触する金属からなる。パッド電極９５は、例えばＮｉ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｖ、Ｐｔ、Ｃｒ等のｎ型コンタクト層２２とオーミック接触する金属からなる。パッド電極９１とパッド電極９５の材料は同一であってもよい。
パッド電極９１、９５は、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて形成される。パッド電極９１とパッド電極９５の材料が同一である場合、パッド電極９１、９５を同時に形成することができる。
図１０は、発光素子２のボンディング領域９０３近傍の部分拡大図である。図１０に示すように、ボンディング用ｐ電極９０は多層構造を有してもよい。多層構造は、例えば、Ｔｉからなる第１層９００ａ、Ｎｉからなる第２層９００ｂ、Ａｕからなる第３層９００ｃ、Ａｌからなる第４層９００ｄを順に積層した構造である。このような多層構造においては、ボンディング領域９０３で電気抵抗の低いＡｕ層を露出させてボンディングワイヤを接続することにより、ボンディングワイヤとボンディング用ｐ電極９０とのコンタクト抵抗を小さくすることができる。また、最下層にＴｉ層を設けることにより、ＳｉＯ２等からなる絶縁層４０との密着性を向上させることができる。なお、ボンディング用ｐ電極９０と同様に、ボンディング用ｎ電極９４もこのような多層構造を有してもよい。
図１１（ａ）、（ｂ）は、本実施の形態の発光素子２の変形例である発光素子３の垂直断面図である。発光素子３は、パッド電極９１、９５が形成されない点において、発光素子２と異なる。
発光素子３のボンディング用ｐ電極９０５は、パッド電極９１に対応する下側電極９０１と、ボンディング用ｐ電極９０に対応する上側電極９０２を有する。また、発光素子３のボンディング用ｐ電極９４５は、パッド電極９５に対応する下側電極９４１と、ボンディング用ｐ電極９４に対応する上側電極９４２を有する。下側電極９０１と上側電極９０２は一体に形成され、下側電極９４１と上側電極９４２は一体に形成される。
この様に、ボンディング用ｐ電極（多層構造を有する場合はその最下層）がｐ電極３０と適切にコンタクトできる材料からなる場合は、パッド電極９１の形成を省略することができる。また、ボンディング用ｎ電極（多層構造を有する場合はその最下層）がｎ型コンタクト層２２と適切にコンタクトできる材料からなる場合は、パッド電極９５の形成を省略することができる。
〔第３の実施の形態〕
第３の実施の形態は、発光層２５から発せられる光に対する高い反射率を有する反射部を、反射膜９２の代わりにボンディング用ｐ電極及びボンディング用ｎ電極の下部（積層構造の最下層）として設ける点において第２の実施の形態と異なる。なお、第２の実施の形態と同様の点については、説明を省略または簡略化する。
図１２（ａ）、（ｂ）は、第３の実施の形態の発光素子４の垂直断面図である。なお、ボンディング用ｐ電極及びボンディング用ｎ電極のレイアウトは、第２の実施の形態の発光素子２と同様である。
ボンディング用ｐ電極１１０は、反射部としての下層膜１１１と下層膜１１１上の上層膜１１２を有する。上層膜１１２の材料として、ボンディングワイヤとの接合に適した金属、例えば、Ａｕが用いられる。下層膜１１１は、上層膜１１２よりも、発光層２５から発せられる光に対して反射率が高い金属、例えば、Ａｌ、Ａｇ、またはこれらの少なくとも一方を主成分とする合金からなる。
また、下層膜１１１がＮｉ膜であり、上層膜１１２がＡｕ膜とＡｌ膜の積層膜である構成であってもよい。
ボンディング用ｎ電極１１３は、反射部としての下層膜１１４と下層膜１１４上の上層膜１１５を有する。上層膜１１５の材料として、ボンディングワイヤとの接合に適した金属、例えば、Ａｕが用いられる。下層膜１１４は、上層膜１１５よりも、発光層２５から発せられる光に対して反射率が高い金属、例えば、Ａｌ、Ａｇ、またはこれらの少なくとも一方を主成分とする合金からなる。
下層膜１１１、１１４は、発光層２５から発せられて上層膜１１２、１１５の方向へ進む光を反射することができる。これにより、発光素子４の光取り出し量を増加させることができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、上記に記載した実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
例えば、上記の各実施の形態においては、半導体積層構造のｎ型の層とｐ型の層が逆であってもよい。すなわち、ｎ型コンタクト層２２、ｎ型ＥＳＤ層２３、およびｎ型クラッド層２４から構成されるｎ型半導体層の代わりにｐ型半導体層が形成され、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７から構成されるｐ型半導体層の代わりにｎ型半導体層が形成されてもよい。
１ 発光素子
２ 発光素子
３ 発光素子
４ 発光素子
１０ 基板
２２ ｎ型コンタクト層
２５ 発光層
３０ ｐ電極
３２ 非形成領域
４０ 絶縁層
５０ 下側ｐパッド電極
６０ 下側ｎ電極
７０ 上側ｐパッド電極
８０ 上側ｎ電極
９０ ボンディング用ｐ電極
９０１ 下側電極
９０２ 上側電極
９０３ ボンディング領域
９０４ 延在領域
９０５ ボンディング用ｐ電極
９１ パッド電極
９２ 反射膜
１０１ 発光素子
２０１ 発光素子
３０１ 発光素子
４０１ 発光素子

Claims (4)

  1. 第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造と、
    前記第２導電型層にオーミック接触した透明電極と、
    前記透明電極上に形成された絶縁層と、
    ボンディングワイヤを接続するための接続部と、前記接続部から延在する線状の延在部を含む、前記絶縁層上に形成された上側電極と、
    前記透明電極とオーミック接触する第１金属層と、この上に形成され、前記延在部とオーミック接触する第２金属層とを含む下側電極であって、前記絶縁層を貫通し、前記透明電極および前記上側電極の前記延在部との界面においてオーミック接触し、少なくとも、前記第１金属層の材料が、前記上側電極の前記延在部の材料と異なるとともに、前記上側電極の前記接続部よりも面積が小さく、かつ、前記延在部に最先端部を含め複数接続された下側電極と、
    前記上側電極の前記延在部を除く前記接続部の裏面に形成され、前記上側電極よりも、発光層から発せられる光に対して反射率が高い金属からなる反射部と、
    を有し、
    前記発光層の前記第２導電型層側から光を取り出す半導体発光素子。
  2. 前記反射部は、前記発光層から発せられた光の反射率が前記下側電極の前記第１金属層よりも高い、
    請求項１に記載の半導体発光素子。
  3. 前記反射部は、前記下側電極の前記第１金属層よりも前記絶縁層との密着性が高い、
    請求項１あるいは２に記載の半導体発光素子。
  4. 前記第１導電型層および前記第２導電型層は、それぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層であり、
    前記ｎ型半導体層、前記ｐ型半導体層、および前記発光層は、窒化物化合物半導体からなり、
    前記透明電極は、導電性酸化物からなり、
    前記上側電極は、前記ｐ型半導体層用の上側ｐ電極であり、
    前記上側ｐ電極の前記延在部は、前記ｐ型半導体層用の第１および第３の延在部を有し、
    前記ｎ型半導体層用の上側ｎ電極をさらに有し、
    前記上側ｎ電極は、ボンディングワイヤを接続するための接続部と、当該接続部から前記第１および第３の延在部の間に延在する第２の延在部を有する、
    請求項１に記載の半導体発光素子。
JP2010261646A 2010-02-17 2010-11-24 半導体発光素子 Active JP5793292B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010261646A JP5793292B2 (ja) 2010-02-17 2010-11-24 半導体発光素子
US12/929,796 US8552447B2 (en) 2010-02-17 2011-02-16 Semiconductor light-emitting element
KR1020110013492A KR101238132B1 (ko) 2010-02-17 2011-02-16 반도체 발광 소자
CN201110040295.1A CN102169940B (zh) 2010-02-17 2011-02-16 半导体发光元件
TW100105112A TWI431814B (zh) 2010-02-17 2011-02-16 半導體發光元件

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010032427 2010-02-17
JP2010032427 2010-02-17
JP2010261646A JP5793292B2 (ja) 2010-02-17 2010-11-24 半導体発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011192960A JP2011192960A (ja) 2011-09-29
JP5793292B2 true JP5793292B2 (ja) 2015-10-14

Family

ID=44369031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010261646A Active JP5793292B2 (ja) 2010-02-17 2010-11-24 半導体発光素子

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8552447B2 (ja)
JP (1) JP5793292B2 (ja)
KR (1) KR101238132B1 (ja)
CN (1) CN102169940B (ja)
TW (1) TWI431814B (ja)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2629590A1 (en) * 2008-06-17 2013-08-21 Hitachi Ltd. An organic light-emitting device
US10074778B2 (en) 2011-03-22 2018-09-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode package and method for manufacturing the same
US9269878B2 (en) 2011-05-27 2016-02-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting apparatus
WO2013051326A1 (ja) * 2011-10-05 2013-04-11 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
KR101888604B1 (ko) * 2011-10-28 2018-08-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101883842B1 (ko) * 2011-12-26 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
CN103946994B (zh) * 2012-01-13 2016-10-12 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
JP2013179183A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
CN103367591B (zh) * 2012-04-09 2016-02-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管芯片
JP6211057B2 (ja) 2012-04-16 2017-10-11 センサー エレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド 不均一多重量子井戸構造
JP5768759B2 (ja) * 2012-04-27 2015-08-26 豊田合成株式会社 半導体発光素子
KR101916144B1 (ko) 2012-05-16 2018-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
US8969198B2 (en) 2012-06-04 2015-03-03 Sensor Electronic Technology, Inc. Ohmic contact to semiconductor layer
US9660043B2 (en) 2012-06-04 2017-05-23 Sensor Electronic Technology, Inc. Ohmic contact to semiconductor layer
US9793439B2 (en) 2012-07-12 2017-10-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Metallic contact for optoelectronic semiconductor device
KR101291088B1 (ko) * 2012-07-18 2013-08-01 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101403630B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101370575B1 (ko) * 2012-07-30 2014-03-07 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101403636B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101363495B1 (ko) * 2012-07-18 2014-02-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101405449B1 (ko) * 2012-09-12 2014-06-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101378948B1 (ko) * 2013-01-10 2014-04-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
CN108598230A (zh) 2012-07-18 2018-09-28 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
KR101363496B1 (ko) * 2012-07-18 2014-02-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자의 제조 방법
KR101371545B1 (ko) * 2012-07-30 2014-03-07 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
EP2782147B1 (en) * 2012-07-18 2020-03-11 Semicon Light Co. Ltd. Method for manufacturing semiconductor light-emitting element
KR101403632B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101364246B1 (ko) * 2012-07-18 2014-02-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101370576B1 (ko) * 2012-07-30 2014-03-07 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
US9530941B2 (en) 2012-07-18 2016-12-27 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101403639B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101378946B1 (ko) * 2013-01-10 2014-04-04 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자의 제조 방법
JP6011116B2 (ja) * 2012-07-30 2016-10-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
CN103579438A (zh) * 2012-08-02 2014-02-12 东莞市正光光电科技有限公司 发光元件及其制作方法
JP5514274B2 (ja) * 2012-09-03 2014-06-04 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR101378950B1 (ko) * 2013-01-10 2014-04-17 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR101403641B1 (ko) * 2013-01-10 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
CN104471727B (zh) * 2013-04-30 2018-01-05 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
KR102070088B1 (ko) 2013-06-17 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US9666779B2 (en) * 2013-11-25 2017-05-30 Yangzhou Zhongke Semiconductor Lighting Co., Ltd. Semiconductor light emitting diode chip with current extension layer and graphical current extension layers
JP2015109332A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 シャープ株式会社 半導体発光素子
CN106463578B (zh) 2014-05-08 2019-11-22 Lg伊诺特有限公司 发光器件
TWI625868B (zh) 2014-07-03 2018-06-01 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
CN112510131A (zh) * 2014-07-10 2021-03-16 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
KR20160017905A (ko) * 2014-08-07 2016-02-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
DE102014112750A1 (de) 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP6210434B2 (ja) * 2014-09-17 2017-10-11 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
KR20160051394A (ko) * 2014-11-03 2016-05-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
US9905729B2 (en) * 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
US9614126B2 (en) 2015-04-27 2017-04-04 Nichia Corporation Light emitting device
USD845920S1 (en) * 2015-08-12 2019-04-16 Epistar Corporation Portion of light-emitting diode unit
JP2017059752A (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 豊田合成株式会社 発光装置とその製造方法
DE102016112587A1 (de) 2016-07-08 2018-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
EP3528296B1 (en) 2018-02-16 2020-06-03 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device
CN109904285B (zh) * 2019-03-11 2022-04-05 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法
CN110600597A (zh) * 2019-08-21 2019-12-20 云谷（固安）科技有限公司 微led芯片、显示面板和显示面板的制备方法
JP7118227B2 (ja) 2019-12-18 2022-08-15 晶元光電股▲ふん▼有限公司 光電部品
TWD219684S (zh) * 2021-07-09 2022-07-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體之部分
CN117613165A (zh) * 2021-12-03 2024-02-27 泉州三安半导体科技有限公司 紫外发光二极管及发光装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303460A (ja) 1997-02-27 1998-11-13 Toshiba Corp 半導体素子およびその製造方法
JP3322300B2 (ja) * 1997-11-14 2002-09-09 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子と受光素子
JP2000077717A (ja) 1998-09-02 2000-03-14 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光素子とその製造方法
KR100902109B1 (ko) * 2001-04-12 2009-06-09 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자
CN100461561C (zh) * 2004-01-07 2009-02-11 浜松光子学株式会社 半导体发光元件及其制造方法
JP4330476B2 (ja) * 2004-03-29 2009-09-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子
US7268369B2 (en) * 2004-07-06 2007-09-11 Fujifilm Corporation Functional device and method for producing the same
KR100631969B1 (ko) * 2005-02-28 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
JP4882792B2 (ja) * 2007-02-25 2012-02-22 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
CN102779918B (zh) * 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
JP2008218440A (ja) * 2007-02-09 2008-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp ＧａＮ系ＬＥＤ素子および発光装置
JP5045336B2 (ja) * 2007-04-16 2012-10-10 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JP5012187B2 (ja) * 2007-05-09 2012-08-29 豊田合成株式会社 発光装置
CN101689587B (zh) * 2007-06-15 2012-04-25 罗姆股份有限公司 半导体发光元件
US7847312B2 (en) * 2007-09-14 2010-12-07 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light-emitting device
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8115222B2 (en) * 2008-01-16 2012-02-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method for the semiconductor light emitting device
JP2009295611A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP5057398B2 (ja) * 2008-08-05 2012-10-24 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101238132B1 (ko) 2013-02-28
KR20110095177A (ko) 2011-08-24
TWI431814B (zh) 2014-03-21
US20110198641A1 (en) 2011-08-18
TW201143142A (en) 2011-12-01
JP2011192960A (ja) 2011-09-29
CN102169940A (zh) 2011-08-31
CN102169940B (zh) 2015-08-05
US8552447B2 (en) 2013-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5793292B2 (ja) 半導体発光素子
JP5494005B2 (ja) 半導体発光素子
US9142729B2 (en) Light emitting element
JP5333382B2 (ja) 発光素子
US9117973B2 (en) Semiconductor light emitting element
JP4875361B2 (ja) ３族窒化物発光素子
US9024342B2 (en) Semiconductor light emitting element
JP4889193B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2005277372A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP5326957B2 (ja) 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2012204373A (ja) 半導体発光素子
TW201505211A (zh) 發光元件
JP2011071444A (ja) 発光素子
US20140138731A1 (en) Semiconductor light emitting element
JP5151758B2 (ja) 発光素子
JP5045001B2 (ja) 半導体発光素子
JP5543164B2 (ja) 発光素子
JP5381822B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
KR101373765B1 (ko) 반도체 발광소자
JP6686913B2 (ja) 発光素子
JP5991348B2 (ja) 半導体発光素子
KR20130135632A (ko) 신뢰성이 향상된 전극구조를 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법
KR20130125609A (ko) 광추출 효율이 향상된 발광다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140128

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140319

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140617

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140908

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20140916

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20141003

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150623

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150810

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5793292

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150