TWI483381B - 具有多個發光單元的發光二極體及其製造方法 - Google Patents

具有多個發光單元的發光二極體及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI483381B
TWI483381B TW098128710A TW98128710A TWI483381B TW I483381 B TWI483381 B TW I483381B TW 098128710 A TW098128710 A TW 098128710A TW 98128710 A TW98128710 A TW 98128710A TW I483381 B TWI483381 B TW I483381B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
dielectric layer
light
emitting diode
dielectric
Prior art date
Application number
TW098128710A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201025558A (en
Inventor
Dae-Sung Kal
Dae-Won Kim
Won-Cheol Seo
Kyung-Hee Ye
Joo-Woong Lee
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Publication of TW201025558A publication Critical patent/TW201025558A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI483381B publication Critical patent/TWI483381B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82909—Post-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/82951—Forming additional members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Description

具有多個發光單元的發光二極體及其製造方法
本發明是有關於一種發光二極體與其製造方法，且特別是有關於一種發光二極體具有多個發光單元，和導線連接各發光單元間，和保護發光單元的介電層，以及其製造方法。
自從GaN基體的藍光發光二極體被發展出來後，許多不同的嘗試要改善發光二極體的發光效能，並且提出不同的結構改良於不同的應用中。GaN基體的藍光或紫外光發光二極體被廣泛地應用在許多領域，像是自然色發光二極體裝置、發光二極體交通號誌板、白光發光二極體等，並且被期望用來取代在一般發光領域中的白光螢光燈。
一般來說，發光二極體藉由施加順正向電流，以及需要供應直流電流，就可以發光。考量發光二極體之正向電流操作特性，一些具有多個互相逆向並聯的發光單元，或是藉由一交流電源而使用橋式整流器來操作的發光二極體就被研發出來。此外，還有一些發光二極體被發展出來，這些發光二極體具有多個發光單元，被形成在一單基板上，並且彼此被串聯連接且並聯連接，以藉由高電壓直流電流電源，而發出具有高輸出和高效能的光。在這些發光二極體中，這些發光單元都被形成在一單基板上，並且透過導線彼此連接，以藉由交流或直流電流電源，而發出具有高輸出和高效能的光。
Sakai等人所發表「具有發光元件之發光裝置」的專利(WO 2004/023568A1)，揭露了具有連接至高壓交流或直流電流電源之多個發光單元的發光二極體的實例。
這些發光單元藉由空橋導線(Air-bridge Wires)彼此連接，從而提供一發光二極體，可以藉由交流或直流電流電源來操作。
然而，發光單元間藉由空橋導線的互相連接，可能會導致導線之可靠度的下降，這個問題，是因為導線的絕緣，或是由於外部潮濕或撞擊而增加了導線的電阻。為了避免這些問題，因此採用以階段覆蓋製程(Step-cover Process)為基礎的導線連接技術。所謂的階段覆蓋製程，是在覆蓋發光單元之介電層上形成導線的製程。如此一來，由於導線是放置在介電層上，會比空橋導線還穩定。
然而，由階段覆蓋製程形成的導線，仍舊會暴露在外界，並且還是會受到潮氣或外部撞擊而導致絕緣。在具有多個發光單元的發光二極體中包含一些導線，若是其中一條導線變成絕緣，則該發光二極體將無法被使用。此外，由於發光二極體中使用數條導線，使得潮氣會沿著這些導線侵入發光單元，因此將會損害發光單元的發光效率。
另外一方面，當發光二極體被用於實際的應用中，像是一般傳統的光源或是類似的光源時，需要有認知一些色彩的多樣性，像是白光透過紫外光的轉換，或是藍光藉由螢光材料而變為具有更高波長的光。傳統上，環氧化物包含上述的螢光材料，其在封裝中，覆蓋在可以發出短波長 光的發光二極體上。對於這些白光發光二極體而言，可以在封裝製程中可以形成一具有螢光材料的色彩轉換層，而此製程與發光二極體晶片的製程是互相獨立的，這使得封裝製程變得更複雜，並且導致在封裝製程中產生高失敗率。而在封裝製程期間發生的錯誤所導致成本損失，明顯地高於在發光二極體晶片製程期間發生錯誤所導致的成本損失。
本發明是用來解決上述習知技術的和其它問題，並且本發明的一個觀點就是提供一種發光二極體，其可以防止由潮氣的侵入或外部撞擊，而導致導線的斷開、導線的電阻增加或是發光單元的效率降低，並且也提供此發光二極體的製造方法。
本發明的另一觀點，是提供一種發光二極體，其包括一介電層，以保護導線和發光單元，並且具有強化在介電層和在介電層下方形成之下層間的接合力，以及此發光二極體的製造方法。
本發明再一觀點，是提供一種發光二極體，其包括一螢光材料，可以轉換在晶片級之發光單元所發出之光的波長，以及此發光二極體的製造方法。
依照其中一觀點，一種發光二極體，包括：彼此分離配置在一單基板上的多個發光單元，而每一發光單元包括一下半導體層和一上半導體層，該上半導體層位於下半導體層的一區域上，及一主動層位於上半導體層和下半導體 層之間；一第一介電層覆蓋在發光單元的整個表面，並且具有多個開口，形成在下半導體層其它的區域上和上半導體層上；多個導線形成在第一介電層上，並且透過開口而將相鄰之發光單元彼此電性連接；以及一第二介電層覆蓋在第一介電層和導線上。在此，第一介電層和第二介電層是由相同的材料所形成，並且第一介電層的厚度比第二介電層還厚。
由於第二介電層覆蓋導線和發光單元，因此可以保護導線和發光單元免於潮氣的侵入，或是從外部來的撞擊。此外，由於第一介電層和第二介電層是由相同的材料所形成，因此就可以改善第一介電層和第二介電層之間的接合力，而避免第二介電層產生裂痕。另外，由於第一介電層的厚度比第二介電層厚，因此可以避免第二介電層產生分離。
第一介電層具有4500Å~1μm的厚度，並且第二介電層的厚度高於500Å。若是第一介電層的厚度低於4500Å，則在導線和發光單元之間就可能發生電斷路。另一方面，雖然在導線和發光單元之間的電斷路，可以簡單地以增加第一介電層的厚度來避免，但是若是第一介電層過厚，就會損害光的傳導，而降低發光效率。因此，第一介電層較佳是不超過1μm的厚度。相對地，若是第二介電層的厚度小於500Å，就很難保護發光二極體避免從外部來的潮氣侵入。
在此，第一介電層和第二介電層的厚度，可以參照當 第一介電層和第二介電層在一平面基板上形成的厚度，但是並不限於此。通常，在發光二極體中第一介電層和第二介電層實際的厚度，會比上述的厚度還薄。
第一介電層和第二介電層可以利用電漿增強CVD而形成的氧化矽層或氮化矽層。氧化矽層或氮化矽層可以在200~300℃之間的溫度進行沉積。
特別的是，第二介電層是在第一介電層之沉積溫度的-20~+20%之間的溫度範圍內進行沉積。在電漿增強CVD中，沉積層的品質依據沉積溫度而有明顯的變化。因此，第一介電層和第二介電層可以在大致相同的溫度下進行沉積，以改善第一介電層和第二介電層之間的接合力。
另一方面，導線可以具有多層結構，其包括連接第一介電層的一下層，以及連接第二介電層的一上層。下層可以是Cr層或Ti層，而上層也可以是Cr層或Ti層。特別的是，當第一介電層是氧化物層或氮化物層時，Cr層或Ti層就可以很強地接合在第一介電層上。另外，將Cr層或Ti層進行加熱處理，也可以改善接合力。此外，在上層和下層之間可以配置Au層、Au/Ni層或是Au/Al層。
第一介電層和第二介電層可以利用聚合物來形成，例如旋制氧化矽(Spin-on-glass,SOG)或苯環丁烯(BCB)。由於這些層可以採用旋轉塗布來形成，因此該層可以使用非常簡單的製程來製作。另外，第二介電層可以在至少一部分區域中含有一磷光劑。因此，在晶片級就可以獲得白光或其它的色光。
選擇性地，磷光層可以形成在第二介電層上。磷光層也可以藉由例如樹脂和磷光劑的混合物，或是藉由電泳的施加，而塗布在第二介電層。
另一方面，透明電極層可以配置在第一介電層和上半導體層之間。透明電極層可以藉由銦錫氧化物(ITO)或透明金屬來形成。當透明電極層是由透明金屬所形成時，其可以從至少包括Au、Ni、Pt、Al、Cr和Ti的組合中選擇出來的一種金屬。
導線可以通過透明電極層電性連接到上半導體層。透明電極層可以具有多個開口，而上半導體層透過這些開口而被暴露出來，並且這些開口則被導線填滿。
從本發明另一觀點來看，一種發光二極體的製造方法，包括：在一單基板上，形成多個彼此分離的發光單元，而每一發光單元包括一下半導體層、和一上半導體層位於下半導體層的一區域上，及一主動層位於上半導體層和下半導體層之間；形成一第一介電層，覆蓋發光單元的整個表面，並且在下半導體層其它的區域上和上半導體層上形成多個開口；在第一介電層上形成多個導線，並且透過開口將相鄰的發光單元彼此電性連接；以及形成一第二介電層，覆蓋在第一介電層和導線上。第一介電層和第二介電層是由相同的材料所形成，並且第一介電層的厚度比第二介電層的厚度還厚。
因此，本發明可以保護導線和發光單元免於受到外部潮氣或撞擊的影響，並且可以改善第一介電層和第二介電 層之間的接合力。
第一介電層具有4500Å~1μm的厚度，並且第二介電層的厚度大於500Å。第一介電層和第二介電層是氧化矽層或氮化矽層，其利用電漿增強CVD法而在200~300℃之間的溫度進行沉積。此外，第二介電層是在第一介電層之沉積溫度的-20~+20%之間的溫度範圍內進行沉積。
另一方面，導線包括連接第一介電層的一下層，以及連接第二介電層的一上層。在此，下層可以是Cr層或Ti層，而上層也可以是Cr層或Ti層。此外，在形成第二介電層之前，導線可以進行熱處理，以改善導線與第一介電層之間的介面接合特性。在此，導線可以在300~500℃之間的溫度進行加熱處理。
在揭露的一些實施例中，第一介電層和第二介電層可以由聚合物所形成。此外，第二介電層可以含有磷光劑。
在揭露的其他實施例中，在第二介電層上可以形成一磷光層。磷光層也可以藉由電泳的施加，而塗布在第二介電層，或例如使用樹脂和磷光劑的混合物，該混合物是由磷光劑分散於樹脂而成。
形成多個發光單元的步驟，包括形成透明電極層在上半導體層上。透明電極層是在500~800℃之間的溫度進行加熱處理。透明電極層具有開口，而上半導體層可以透過該開口而被暴露出來，並且該開口中被填滿導線。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下的敘述，將參考附圖而對本發明作一詳細的介紹。以下的實施例所述，提供給本發明領域之技藝者，能夠完全認識本發明。應當知道很明顯的，在不離開本發明所揭露的領域，本發明的系統、製程或是機具是可變更的。另外需要注意的是，圖式的繪製並非按照精準的尺寸，並且一些尺寸是被放大，以使圖式的敘述能夠清楚。此外，在說明書和圖式中，類似的元件被註記成類似的元件符號。
圖1繪示為依照本發明之一實施例的一種發光二極體的剖面圖。
請參照圖1，本實施例所提供發光二極體，包括基板51、多個發光單元56、第一介電層63、導線65和第二介電層67，並且另外包括緩衝層53、透明電極層61和磷光層69。基板51可以是一絕緣基板，例如是藍寶石基板。
多個發光單元56彼此分離的配置在單基板51上。每一發光單元56，包括一下半導體層55、一配置在下半導體層55部分區域上的上半導體層59和介於上下半導體層之間的主動層57。該上半導體層59和下半導體層55可以分別是n型和p型半導體層，或為相反的配置。
下半導體55、主動層57和上半導體層59可以由Ga-N基體的材料，也就是(Al,In,Ga)N所形成。主動層57的組成，決定發出來的光具有需要的波長，例如紫外光或藍光。下和上半導體層55和59的材料需要具有比主動層57還高的能帶隙(band gap energy)。
下半導體層55和/或上半導體層59可以形成如圖所示的單層結構，或是形成多層結構。此外，主動層57可以具有單個或多個量子井結構。
緩衝層53可以置於發光單元56和基板51之間。緩衝層53是用來紓減基板51和下半導體層55之間的晶格錯置。
第一介電層63覆蓋整個發光單元56的表面。第一介電層63具有多個開口，形成在下半導體層55的其它區域上，而這些區域是相鄰於具有上半導體層59之下半導體層55的區域，另有多個開口形成在上半導體層59上。這些開口都互相分離，使得發光單元56的側壁會被第一介電層63覆蓋。第一介電層63也覆蓋在發光單元56之間基板51的區域上。第一介電層63可以是矽氧化層(SiO2 )或氮氧化層，並且可以在200~300℃由電漿增強的CVD所形成。在此，第一介電層63具有4500Å~1μm的厚度。若是第一介電層63的厚度低於4500Å，則由於層覆蓋的特性，第一介電層63的厚度會在發光單元的低側相對減少，並且電的絕緣會在發光單元56和形成在第一介電層63上的導線65之間發生。另一方面，雖然利用增加第一介電層63的厚度可以輕易地避免導線65和發光單元56之間電的絕緣，但是第一介電層63太厚會損害光的傳導，因而降低了發光效率。因此，第一介電層的厚度較佳不要超過1μm。
另一方面，第一介電層63上形成導線65。導線65透過開口可以電性連接下和上半導體層55和59。此外，導 線65還可以將相鄰之發光單元56的下半導體層55和上半導體層59互相連接，以形成發光單元56的串聯陣列。多個串聯陣列可以形成，並互相連接成反向並聯，利用交流電源操作。另外，一橋式整流器(未繪示)可形成連接至發光單元56的串聯陣列，使橋式整流器可藉由交流電源來驅動這些發光單元56。橋式整流器可以藉由連接多個相同結構的發光單元56而形成，而這些發光單元藉由導線65而彼此連接。
導線65可以選擇連接彼此相鄰之發光單元的下半導體層55或上半導體層59。如此一來，多個發光單元56可以彼此連接成串聯或是並聯形式。
導線65可以由導電材料形成，此導電材料例如是金屬或是矽摻雜材料，像是多晶矽材料。特別的是，導線65可以形成多層結構，並且可以包括Cr或Ti的下層65a，以及Cr或Ti的上層65c。此外，Au、Au/Ni或Au/Al的中間層65b，則配置在下層65a和上層65c之間。
另一方面，透明電極層61可以配置於上半導體層59和第一介電層63之間。透明電極層61可以透過形成在上半導體層59上的開口而暴露出來。透明電極層61允許從主動層57所產生的光穿透，並且可以分散地供應電流給上半導體層59。導線65可以連接透過開口暴露出來透明電極層61，以電性連接上半導體層59。此外，透明電極層61可以具有開口，而透過此開口，上半導體層59可以顯露出來，並且導線65則填滿透明電極層61中的開口。
第二介電層67覆蓋導線65和第一介電層63。第二介電層67保護導線65不受到潮氣和類似因素的影響，並且也保護導線65和發光單元56不受到外部撞擊的損壞。
第二介電層67可以由氧化矽(SiO2 )或氮化矽所形成，其是與第一介電層63使用相同的材料。而如同第一介電層63，第二介電層67也可以在200~300℃的溫度條件中，利用電漿增強的CVD來形成。當第一介電層63利用電漿增強的CVD形成時，第二介電層67可以在第一介電層63沉積溫度的-20~+20%之範圍內的溫度被形成。較佳地，第二介電層67的沉積溫度，是與第一介電層63的沉積溫度相同。
這可以由圖2獲得證實，圖2繪示為依據第一和第二介電層之沉積溫度下取樣之樣本的通過率可靠度測試的圖表。在可靠度測試中，是在250℃沉積氧化矽層作為第一介電層63來製作樣本，而當沉積的溫度改變時，沉積另外的氧化矽層作為第二介電層67。可靠度測試進行1000小時。在此次測試中，利用第二介電層67不同的沉積溫度製作了20個樣本，而每一樣本都是在潮濕的條件下進行測試。請參照圖2，當第二介電層67是在第一介電層63之沉積溫度(250℃)之-20~+20%的溫度範圍內的溫度被沉積時，此樣本會顯現較佳的可靠度。另一方面，當第二介電層67的沉積溫度超過上述的範圍，則可靠度會快速下降。此外，當第一和第二介電層63、67沉積在相同的溫度下時，則成功率為100%，這是最高的可靠度。
另外，第二介電層67的厚度比第一介電層63薄，其具有500Å以上的厚度。由於第二介電層67比第一介電層63薄，因此第二介電層67可以避免從第一介電層63產生分離。若是第二介電層67的厚度低於500Å，則就無法在外部撞擊和潮溼影響下保護導線和發光單元。
磷光層69可以含有分布在樹脂中或是在電泳中沉積。磷光層69覆蓋第二介電層67，並且轉換發光單元56所發出之光的波長。
圖3到圖9繪示為依照本發明之一實施例的一種發光二極體之製程方法的剖面圖。
請參照圖3，下半導體層55、主動層57和上半導體層59被形成在基板51上。此外，在形成下半導體層55之前，還可以在基板51上形成緩衝層53。
基板51的材料可以包括，但不限定於藍寶石(Al2 O3 )、碳化矽(SiC)、氧化鋅(ZnO)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、鋰鋁化合物(LiAl2 O3 )、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、或氮化鎵(GaN)，以及可以依據形成在其上的半導體層而選用其它的材料。
緩衝層53是形成來紓解基板51和半導體層55之間的晶格錯置，並且可以由例如氮化鎵(GaN)或氮化鋁(AlN)來形成。若是基板51是一導電基板，則緩衝層53可以由絕緣或半絶緣層來形成，並且可以由AlN或半絕緣GaN來形成。
下半導體層55、主動層57和上半導體層59可以由 GaN基體的材料，也就是(Al,In,Ga)N來形成。下半導體層55、上半導體層59和主動層57可以間歇地或連續地由有機金屬氣相化學沉積法(MOCVD)、分子束磊晶法、混合氣相磊晶(HVPE)或類似的方法來長成。
在此，上和下半導體層59、55可以分別是n型和p型半導體層，或為相反的配置。在GaN基體的合成半導體層中，n型半導體層可以由異質摻雜來形成，例如摻雜Si，而p型半導體層也可以由異質摻雜來形成，例如摻雜Mg。
請參照圖4，發光單元56藉由圖案化上半導體層59、主動層57和下半導體層55，而彼此分離形成。在此步驟中，上半導體層59是位於下半導體層55的一區域上，而下半導體層55其它的區域則暴露出來。另外，發光單元56之間的緩衝層53則被移除，以將基板51暴露出來。
請參照圖5，在發光單元56之上半導體層59上方，形成透明電極層61。透明電極層61可以利用氧化金屬，像是ITO或是透明金屬來形成。以透明金屬來說，透明電極層61可以從至少包括Au、Ni、Pt、Al、Cr和Ti的組合中選擇其中之一，或其合金。
透明電極層61可以具有一開口61a，而上半導體層59則可以透過開口61a而暴露出來。雖然透明電極層61可以藉由沉積而形成在發光單元56上，但是透明電極層61可以在發光單元56的形成之前，就形成在上半導體層59上，並且接著在圖案化上半導體層59之前先被圖案化。
透明電極層61可以藉由加熱到500~800℃，而與上半 導體層59形成歐姆接觸。
請參照圖6，形成第一介電層63覆蓋在具有發光單元56的基板51上。第一介電層63覆蓋發光單元56的側壁和上表面，並且覆蓋基板51在發光單元56之間區域的上表面。第一介電層63可以例如，藉由電漿增強CVD形成氧化矽層或是氮化矽層。在此狀況下，第一介電層63可以在200~300℃之間沉積，並且具有4500Å~1μm的厚度。
接著，圖案化第一介電層63，以在上半導體層59上形成開口63a，並且在下半導體層55的其它區域上形成開口63b。當形成透明電極層61時，透明電極層61會透過開口63a暴露出來。當透明電極層61具有開口61a時，透明電極層61的開口61a就透過第一介電層63的開口63a暴露出來。
請參照圖7，具有開口63a的第一介電層63上則形成導線65。導線65透過開口63a和63b電性連接至下半導體層55和上半導體層59，並且將相鄰的發光單元56彼此連接。
導線65可以藉由電鍍、一般電子束沉積、CVD或物理氣相沉積(PVD)所形成。
此外，導線65可以由導電材料，例如金屬或是矽摻雜材料，像是多晶矽來形成。特別的是，導線65可以形成多層結構，並且可以包括例如Cr或Ti的下層65a，以及Cr或Ti的上層65c(如圖1所示)。此外，在下層65a和上層65c之間還配置有Au、Au/Ni、或是Au/Al的中層65b(如 圖1所示)。導線65可以在300~500℃間進行加熱處理，以加強導線65和第一介電層63之間的接合力。
請參照圖8，第二介電層67被形成覆蓋在基板51，並且基板51有導線65形成在其上。第二介電層67覆蓋導線65和第一介電層63。第二介電層67的材料可以與第一介電層63相同，像是氧化矽(SiO2 )或氮化矽，並且第二介電層67可以藉由電漿增強CVD而在200~300℃之間形成。特別的是，第二介電層67是在第一介電層63之沉積溫度的-20~+20%之間的溫度範圍內被形成。
請參照圖9，在第二介電層67上可以形成磷光層69。磷光層69可以採用樹脂和磷光劑的混合物而塗布在第二介電層67上，其中上述的混合物可以藉由散布磷光劑到樹脂中或是由電泳來調製。結果配置成晶片級的具有螢光材料的發光二極體。
圖10繪示為依照本發明另一實施例之發光二極體的剖面圖。在此發光二極體中，聚合物被用來作為第一和第二介電層。
請參照圖10，發光二極體可以包括基板51、多個發光單元56、一第一介電層83、導線85和第二介電層87，並且更可以包括緩衝層53和透明電極層61。其中，基板51、發光單元56和透明電極層61都與上述的實施例相同，因此以下將會省略敘述。
第一介電層83可以由SOG、BCG或是其它透明的聚合物所形成，以填滿發光單元56之間的空間。第一介電層 83覆蓋下半導體層55其它的區域。在此實施例中，第一介電層83具有多個開口，而透過這些開口就可以顯露下半導體層55。另外，第一介電層83還暴露出上半導體層59或是透明電極層61。而發光單元56的側壁則被第一介電層83所覆蓋。
在第一介電層83上則形成導線85，其電性連接下半導體層55和上半導體層59。導線85係透過上述的開口而電性連接至下半導體層55和上半導體層59。此外，導線85還將相鄰之發光單元56的下半導體層55和上半導體層59互相連接，以形成發光單元56的串聯陣列。可形成多個串聯陣列，並且將彼此連接成反向並聯，以透過交流電源來操作。另外，發光單元56的串聯陣列還連接一橋式整流器(未繪示)，因此發光單元56可以由橋式整流器透過交流電源來驅動。橋式整流器可以藉由連接多個發光單元而形成，而這些發光單元具有相同的結構，即各發光單元56藉由導線85而彼此連接。
選擇性地，導線85可以彼此連接相鄰之發光單元56的下半導體層55或上半導體層59。如此一來，發光單元56可以彼此連接成串聯或是並聯形式。
導線85可以由導電材料所形成，其例如是金屬，或是矽摻雜材料，像是多晶矽。特別的是，導線85可以形成多層結構。
第二介電層87覆蓋導線85和第一介電層83。第二介電層87利用與第一介電層83相同的聚合物來形成。因此， 可以增加第一介電層83和第二介電層87之間的接合力。此外，第二介電層87可以比第一介電層83更薄，該第一介電層填滿發光單元56之間的空間。
另一方面，第二介電層87可以含有磷光劑。因此，能提供發光二極體具有晶片級之轉換波長的能力。
在本實施例中，由於第一介電層是由聚合物所形成，因此導線85和第二介電層87就可以在相對平坦的第一介電層83上形成，藉此可以增進導線的可靠度。
圖11到圖13繪示為依照本發明另一實施例之發光二極體之製程方法的剖面圖。
請參照圖11，在基板51上，可以形成多個彼此分離的發光單元56和透明電極層61，就如以上圖3到圖5中所述。而每一發光單元56包括下半導體層55、主動層57、和上半導體層59。透明電極層61具有多個開口61a，而上半導體層59可以透過這些開口61a而暴露出來。
請參照圖12，形成第一介電層83覆蓋在發光單元56和透明電極層61上。第一介電層83是用聚合物來形成，並且當覆蓋發光單元56整個表面時，填滿發光單元56之間的空間。
請參照圖13，第一介電層83利用蝕刻移除部分並且將透明電極層61裸露出來。接著，在第一介電層83和發光單元56上形成導線85。導線85可以利用前述圖7所敘述的任何材料來形成。
接著，第二介電層87(如圖10所繪示)形成覆蓋在導 線85和第一介電層83上。第二介電層87利用與第一介電層83相同的聚合物來形成，並且可以含有磷光劑。
另一方面，當第二介電層87比第一介電層83還厚時，會降低光穿透度，並且在外部撞擊時，第一介電層83或第二介電層87會從發光單元56開始形成分離。因此，第二介電層87需要比第一介電層83還薄(在此，第一介電層83的厚度是在發光單元56之間的空間)。
在本實施例中，是將磷光劑加入第二介電層87中，但是也可以加入第一介電層83中。另外，在第二介電層87上，還可以形成增加的磷光層。
依照所揭露的本實施例，第一和第二介電層是用相同的材料來形成，並且第一介電層會形成比第二介電層還厚，藉此來增強第一和第二介電層之間的接合力，以防止第二介電層的產生分裂。此外，第二介電層覆蓋了導線和發光單元，藉以保護發光二極體的潮氣侵入，並且在外部撞擊時可以保護導線和發光單元。
此外，提供來作為導線的下層和上層的Cr層或Ti層，與對應之介電層之間展現了高度的接合力，還可以增進導線與介電層之間的接合力，藉此在保護第二介電層發生分裂。
另外，第二介電層含有磷光劑，或是在第二介電層上形成磷光層，以在晶片級獲得白光或是其它的顏色的光，藉此使封裝製程單純化。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
51‧‧‧基板
53‧‧‧緩衝層
55、59‧‧‧半導體層
56‧‧‧發光單元
57‧‧‧主動層
61‧‧‧透明電極層
61a、63a、63b‧‧‧開口
63、67、83、87‧‧‧介電層
65、85‧‧‧導線
65a‧‧‧下層
65b‧‧‧中層
65c‧‧‧上層
69‧‧‧磷光層
圖1繪示為依照本發明之一實施例的一種發光二極體的剖面圖。
圖2繪示為第一和第二介電層之沉積溫度與可靠度通過率的可靠性測試。
圖3到圖9繪示為依照本發明之一實施例的一種發光二極體之製程方法的剖面圖。
圖10繪示為依照本發明另一實施例之發光二極體的剖面圖。
圖11到圖13繪示為依照本發明另一實施例之發光二極體之製程方法的剖面圖。
51‧‧‧基板
53‧‧‧緩衝層
55、59‧‧‧半導體層
56‧‧‧發光單元
57‧‧‧主動層
61‧‧‧透明電極層
63、67‧‧‧介電層
65‧‧‧導線
65a‧‧‧下層
65b‧‧‧中層
65c‧‧‧上層
69‧‧‧磷光層

Claims (28)

  1. 一種發光二極體，包括：多個發光單元，彼此分離配置在一單基板上，而每一發光單元包括一下半導體層和一上半導體層，而該上半導體層位於該下半導體層的一區域上，以及一主動層則位於該上半導體層和該下半導體層之間；一第一介電層，覆蓋該些發光單元的整個表面，並具有多個開口形成在該下半導體層的其它區域上和上半導體層上；多個導線，形成在該第一介電層上，並透過該些開口，而將相鄰之發光單元彼此電性連接；以及一第二介電層，覆蓋在該第一介電層和該些導線上，其中該第一介電層和該第二介電層是由相同的材料所形成，且該第一介電層的厚度比該第二介電層的厚度還厚。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該第一介電層具有4500Å~1μm的厚度，且該第二介電層的厚度大於500Å。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體，其中該第一介電層和該第二介電層是氧化矽層，其利用電漿增強CVD而在200~300℃之間的溫度進行沉積。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體，其中該第二介電層是在該第一介電層之沉積溫度的-20~+20%之間的溫度範圍內進行沉積。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體，其中該些導線具有一多層結構，其包括連接該第一介電層的一下層，以及連接該第二介電層的一上層，而該上層和該下層為Cr層或Ti層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體，其中在該上層和該下層之間更配置一Au層、一Au/Ni層或一Au/Al層。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體，其中該第一介電層和該第二介電層是由氮化矽所形成。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該第一介電層和該第二介電層是由聚合物所形成。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體，其中該第二介電層至少在其一部分區域中含有一磷光劑。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該第二介電層上更配置一磷光層。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中在該第一介電層和該上半導體層之間更配置多個透明電極層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中該些透明電極層是由ITO所形成。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中該些透明電極層包括至少一種金屬，其是由Au、Ni、Pt、Al、Cr和Ti之組合中選擇出來。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中 該些透明電極層具有多個開口，而該上半導體層係透過該些透明電極層的開口而被暴露出來，且該些導線則填滿該些透明電極層的開口。
  15. 一種發光二極體的製造方法，包括下列步驟：形成多個發光單元，彼此分離配置在一單基板上，而每一發光單元包括一下半導體層、和一上半導體層，而該上半導體層位於該下半導體層的一區域上以及一主動層則位於該上半導體層和該下半導體層之間；形成一第一介電層，覆蓋該些發光單元的整個表面，並具有多個開口形成在該下半導體層的其它區域上和上半導體層上；在該第一介電層上形成多個導線，透過該些開口，而將相鄰之發光單元彼此電性連接；以及形成一第二介電層，覆蓋在該第一介電層和該些導線上，其中該第一介電層和該第二介電層是由相同的材料所形成，且該第一介電層的厚度比該第二介電層的厚度還厚。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體的製造方法，其中該第一介電層具有4500Å~1μm的厚度，且該第二介電層的厚度大於500Å。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體的製造方法，其中該第一介電層和該第二介電層是氧化矽層，其利用電漿增強CVD而在200~300℃之間的溫度進行沉 積。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光二極體的製造方法，其中該第二介電層是在該第一介電層之沉積溫度的-20~+20%之間的溫度範圍內進行沉積。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體的製造方法，其中該些導線具有一多層結構，其包括連接該第一介電層的一下層，以及連接該第二介電層的一上層，而該上層和該下層為Cr層或Ti層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之發光二極體的製造方法，更包括在形成該第二介電層之前，將該些導線加熱處理，以增進該些導線和該第一介電層之間的接合特性。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之發光二極體的製造方法，其中該些導線在300~500℃之間的溫度進行加熱處理。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體的製造方法，其中該第一介電層和該第二介電層是利用電漿增強CVD所形成的氧化矽層。
  23. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體的製造方法，其中該第一介電層和該第二介電層是由聚合物所形成。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之發光二極體的製造方法，其中該第二介電層含有磷光劑。
  25. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體的製造方法，更包括在該第二介電層上形成一磷光層。
  26. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體的製造方法，其中形成多個發光單元的步驟，包括形成一透明電極層在該上半導體層上。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體的製造方法，其中該透明電極層是在500~800℃之間的溫度進行加熱處理。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體的製造方法，其中該透明電極層具有開口，而該上半導體層係透過該透明電極層的開口而被暴露出來，且該些導線填滿該透明電極層的開口。
TW098128710A 2008-12-17 2009-08-26 具有多個發光單元的發光二極體及其製造方法 TWI483381B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080128522A KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2008-12-17 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201025558A TW201025558A (en) 2010-07-01
TWI483381B true TWI483381B (zh) 2015-05-01

Family

ID=41683199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098128710A TWI483381B (zh) 2008-12-17 2009-08-26 具有多個發光單元的發光二極體及其製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7709849B1 (zh)
EP (2) EP2200085B1 (zh)
JP (2) JP4663810B2 (zh)
KR (1) KR20100076083A (zh)
CN (1) CN101752399B (zh)
TW (1) TWI483381B (zh)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9142740B2 (en) 2003-07-04 2015-09-22 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
KR101017395B1 (ko) * 2008-12-24 2011-02-28 서울옵토디바이스주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101557362B1 (ko) * 2008-12-31 2015-10-08 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP5195452B2 (ja) * 2009-01-22 2013-05-08 ソニー株式会社 発光素子
EP2367203A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
WO2011145794A1 (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
US8193546B2 (en) * 2010-06-04 2012-06-05 Pinecone Energies, Inc. Light-emitting-diode array with polymer between light emitting devices
KR20120013827A (ko) 2010-08-06 2012-02-15 삼성전자주식회사 색 정합 오차 보상을 수행하는 컨트롤러 칩 및 화상형성장치와 그 방법들
CN102376864B (zh) * 2010-08-10 2014-12-31 晶元光电股份有限公司 发光元件
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101142965B1 (ko) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN102110705B (zh) * 2010-12-14 2013-03-20 武汉迪源光电科技有限公司 一种交流发光二极管
CN102623480A (zh) * 2011-02-01 2012-08-01 绿种子能源科技股份有限公司 发光二极管阵列及其制造方法
US10243121B2 (en) * 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
KR101791175B1 (ko) 2011-06-30 2017-10-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
CN103650171B (zh) * 2011-07-15 2018-09-18 亮锐控股有限公司 将半导体装置结合到支持衬底的方法
CN102916028B (zh) 2011-08-05 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管阵列及其制造方法
EP3364467B1 (en) 2011-09-16 2020-02-26 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
JP5902908B2 (ja) 2011-10-19 2016-04-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および車両用灯具
DE102011056220A1 (de) * 2011-12-09 2013-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
CN103208489A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 华夏光股份有限公司 发光二极管数组及其制造方法
JP5992695B2 (ja) 2012-02-29 2016-09-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
TWI549278B (zh) * 2012-03-12 2016-09-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
WO2013168929A1 (en) * 2012-05-11 2013-11-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having plurality of light emitting elements and method of fabricating the same
CN203277380U (zh) * 2012-05-29 2013-11-06 璨圆光电股份有限公司 发光组件及其发光装置
US9166116B2 (en) 2012-05-29 2015-10-20 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting device
KR102160072B1 (ko) * 2014-05-26 2020-10-15 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
US10804316B2 (en) * 2012-08-07 2020-10-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US10388690B2 (en) 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
CN103579431A (zh) * 2012-08-07 2014-02-12 华夏光股份有限公司 半导体发光结构及其制造方法
KR101892213B1 (ko) * 2012-08-07 2018-08-28 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
CN104521012B (zh) * 2012-08-07 2018-04-24 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列及其制造方法
KR101949505B1 (ko) * 2012-08-28 2019-02-18 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
US20140042470A1 (en) 2012-08-09 2014-02-13 Epistar Corporation Method of making light emitting device and light emitting device made thereof
US20140048824A1 (en) 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
US9356070B2 (en) 2012-08-15 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device
JP2014038989A (ja) * 2012-08-20 2014-02-27 Toshiba Corp 半導体発光装置および照明装置
CN103681723A (zh) * 2012-08-30 2014-03-26 旭明光电股份有限公司 发光二极管
DE112013003887T5 (de) * 2012-09-07 2015-05-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiodenarray auf Wafer-Ebene
CN103681725A (zh) * 2012-09-11 2014-03-26 旭明光电股份有限公司 发光二极管
KR20140073351A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US8963121B2 (en) * 2012-12-07 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers and high voltage solid-state transducers having buried contacts and associated systems and methods
CN107768399B (zh) * 2012-12-21 2022-02-18 首尔伟傲世有限公司 发光二极管
US9356212B2 (en) 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
WO2014106306A1 (zh) * 2013-01-05 2014-07-10 海立尔股份有限公司 高压覆晶led结构及其制造方法
CN103915530A (zh) * 2013-01-05 2014-07-09 海立尔股份有限公司 高压覆晶led结构及其制造方法
JP2016512443A (ja) 2013-02-06 2016-04-28 カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー 小型化された埋め込み型電気化学センサデバイス
DE102013101260A1 (de) 2013-02-08 2014-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
TWI532215B (zh) * 2013-12-26 2016-05-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體元件
JP2015188039A (ja) * 2014-03-27 2015-10-29 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
DE102014112750A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9620559B2 (en) * 2014-09-26 2017-04-11 Glo Ab Monolithic image chip for near-to-eye display
CN106328798B (zh) * 2015-06-15 2023-12-22 晶宇光电（厦门）有限公司 一种发光二极管芯片
US10157960B2 (en) * 2014-12-16 2018-12-18 Episky Corporation (Xiamem) Ltd Light-emitting device with electrode extending layer
CN104538522B (zh) * 2014-12-31 2017-08-29 杭州士兰明芯科技有限公司 一种高压芯片led结构及其制作方法
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
TW201631808A (zh) * 2015-02-25 2016-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片封裝體
KR102323250B1 (ko) * 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
US9653435B2 (en) 2015-07-14 2017-05-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having short circuit (VLED) die, lens support dam and same side electrodes and method of fabrication
US10368788B2 (en) 2015-07-23 2019-08-06 California Institute Of Technology System and methods for wireless drug delivery on command
CN105679886A (zh) * 2016-01-20 2016-06-15 杨秀静 一种发光二极管的制造方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR20170127841A (ko) * 2016-05-13 2017-11-22 주식회사 루멘스 발광 다이오드
KR101852343B1 (ko) * 2016-06-10 2018-06-12 주식회사 옵토웰 병렬 적층 구조를 가지는 레이저 다이오드 및 이의 제조 방법
TWI646651B (zh) * 2017-01-26 2019-01-01 宏碁股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN111933771B (zh) * 2018-07-28 2023-02-17 厦门三安光电有限公司 微发光二极管及其显示装置
KR102122847B1 (ko) * 2019-02-11 2020-06-15 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이
JPWO2020174949A1 (zh) * 2019-02-26 2020-09-03
JP7431110B2 (ja) 2020-06-11 2024-02-14 新光電気工業株式会社 発光装置
TWI736334B (zh) 2020-06-23 2021-08-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093929A1 (en) * 2003-11-05 2005-05-05 Xerox Corporation Ink jet apparatus
TW200717846A (en) * 2005-10-20 2007-05-01 Epistar Corp Light emitting device and method of forming the same
TW200746477A (en) * 2006-04-21 2007-12-16 Philips Lumileds Lighting Co Semiconductor light emitting device with integrated electronic components
US20080083929A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 Iii-N Technology, Inc. Ac/dc light emitting diodes with integrated protection mechanism

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US725248A (en) * 1902-09-23 1903-04-14 Bourne Henry Engineering Company Ltd Washing-machine.
JPS55124274A (en) * 1980-02-04 1980-09-25 Sanyo Electric Co Ltd Solar battery
JPH03284886A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Kyocera Corp 半導体素子およびその形成方法
DE19640003B4 (de) 1996-09-27 2005-07-07 Siemens Ag Halbleitervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
JPH11312824A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Kyocera Corp 半導体発光装置
JP2001102626A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Canon Inc Ｌｅｄチップ、ｌｅｄアレイチップ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像形成装置
US6547249B2 (en) 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
US7067916B2 (en) 2001-06-20 2006-06-27 International Business Machines Corporation Extension of fatigue life for C4 solder ball to chip connection
JP2003031840A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
US6635902B1 (en) 2002-05-24 2003-10-21 Para Light Electronics Co., Ltd. Serial connection structure of light emitting diode chip
EP2290715B1 (en) 2002-08-01 2019-01-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same
ATE500616T1 (de) 2002-08-29 2011-03-15 Seoul Semiconductor Co Ltd Lichtemittierendes bauelement mit lichtemittierenden dioden
US6957899B2 (en) 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7213942B2 (en) 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
TWI220798B (en) 2003-03-07 2004-09-01 Hitachi Cable Light-emitting diode array
WO2005008792A1 (ja) 2003-07-18 2005-01-27 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光ダイオード
JP2005064104A (ja) 2003-08-08 2005-03-10 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
JP4160881B2 (ja) * 2003-08-28 2008-10-08 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
JP2007511065A (ja) * 2003-11-04 2007-04-26 松下電器産業株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法
US7285801B2 (en) 2004-04-02 2007-10-23 Lumination, Llc LED with series-connected monolithically integrated mesas
KR100961483B1 (ko) * 2004-06-30 2010-06-08 서울옵토디바이스주식회사 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치
JP4841550B2 (ja) * 2004-06-30 2011-12-21 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置
TW200501464A (en) 2004-08-31 2005-01-01 Ind Tech Res Inst LED chip structure with AC loop
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
US7535028B2 (en) * 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
US7474681B2 (en) 2005-05-13 2009-01-06 Industrial Technology Research Institute Alternating current light-emitting device
DE112006002927B4 (de) * 2006-01-09 2010-06-02 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR100758542B1 (ko) 2006-03-14 2007-09-13 서울옵토디바이스주식회사 Ⅰｔｏ층을 갖는 교류용 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100721515B1 (ko) * 2006-01-09 2007-05-23 서울옵토디바이스주식회사 Ⅰｔｏ층을 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100757800B1 (ko) 2006-06-30 2007-09-11 서울옵토디바이스주식회사 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법
JP5008911B2 (ja) 2006-07-04 2012-08-22 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
KR101239853B1 (ko) * 2007-03-13 2013-03-06 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광 다이오드
KR100974923B1 (ko) 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093929A1 (en) * 2003-11-05 2005-05-05 Xerox Corporation Ink jet apparatus
TW200717846A (en) * 2005-10-20 2007-05-01 Epistar Corp Light emitting device and method of forming the same
TW200746477A (en) * 2006-04-21 2007-12-16 Philips Lumileds Lighting Co Semiconductor light emitting device with integrated electronic components
US20080083929A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 Iii-N Technology, Inc. Ac/dc light emitting diodes with integrated protection mechanism

Also Published As

Publication number Publication date
US7709849B1 (en) 2010-05-04
US20100151604A1 (en) 2010-06-17
CN101752399B (zh) 2013-05-22
EP2200086B1 (en) 2015-02-25
TW201025558A (en) 2010-07-01
KR20100076083A (ko) 2010-07-06
US7846755B2 (en) 2010-12-07
EP2200086A1 (en) 2010-06-23
JP5706082B2 (ja) 2015-04-22
EP2200085A1 (en) 2010-06-23
JP2010147462A (ja) 2010-07-01
JP2010147463A (ja) 2010-07-01
EP2200085B1 (en) 2014-07-16
CN101752399A (zh) 2010-06-23
JP4663810B2 (ja) 2011-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI483381B (zh) 具有多個發光單元的發光二極體及其製造方法
US10340309B2 (en) Light emitting device
KR101115535B1 (ko) 확장된 금속 반사층을 갖는 플립 본딩형 발광다이오드 및그 제조방법
KR100635346B1 (ko) 색변환 물질층을 갖는 교류용 발광 다이오드 칩 및 그것을제조하는 방법
KR100757800B1 (ko) 절연보호막을 갖는 교류용 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법
KR20140060474A (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101040140B1 (ko) 반도체 발광 소자 어레이 및 그 제조방법
KR101761856B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101601073B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101456270B1 (ko) 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR100599014B1 (ko) 이형 반도체 반복층을 갖는 발광소자 및 그 제조 방법
KR100823089B1 (ko) 파장변환 물질층을 갖는 발광 다이오드 제조방법
KR101165255B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP2012009625A (ja) 発光素子
KR20140081638A (ko) 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법