KR100599013B1 - 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자 및 그것을 제조하는방법 - Google Patents
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- 사파이어 기판 보다 열전도율이 높은 제 1 기판과,상기 제 1 기판의 상부에 위치하는 직렬 연결된 복수개의 발광셀들과,상기 제 1 기판보다 열전도율이 높으며 상기 제 1 기판과 상기 발광셀들 사이에 개재된 제 2 기판과,상기 제 2 기판과 상기 발광셀들 사이에 개재되며 반도체 성장의 격자 불일치를 완화시키기 위한 절연성의 제 3 기판을 포함하는 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 제 1 기판은 실리콘(Si) 기판 또는 게르마늄(Ge) 기판인 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 제 2 기판은 탄화실리콘(SiC)인 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 제 3 기판은 AlN 또는 절연 GaN인 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 발광셀들 각각은 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하고,상기 발광셀들은 인접합 발광셀들의 N형 반도체층들과 P형 반도체층들이 금속배선들에 의해 각각 전기적으로 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자.
- 사파이어 기판 보다 열전도율이 높은 제 1 기판을 준비하고,상기 제 1 기판 상에 상기 제 1 기판보다 열전도율이 높은 제 2 기판을 형성하고,상기 제 2 기판상에 반도체 성장의 격자 불일치를 완화시키기 위한 절연성의 제 3 기판을 형성하고,제 3 기판상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 형성하고,상기 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 패터닝하여 각각 N형 반도체층의 일부가 노출된 복수개의 발광셀들을 형성하고,상기 각 발광셀의 N형 반도체층과 그것에 인접한 발광셀의 P형 반도체층을 연결하여 상기 발광셀들을 직렬연결하는 금속배선들을 형성하는 것을 포함하는 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 제 1 기판은 실리콘(Si) 기판 또는 게르마늄(Ge) 기판인 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 제조방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 제 2 기판은 탄화실리콘(SiC)인 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 6에 있어서,상기 제 3 기판은 AlN 또는 절연 GaN인 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자 제조방법.
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KR1020050057945A KR100599013B1 (ko) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자 및 그것을 제조하는방법 |
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KR1020050057945A KR100599013B1 (ko) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광소자 및 그것을 제조하는방법 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102631A (ja) * | 1995-10-04 | 1997-04-15 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光モジュール |
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KR20020035819A (ko) * | 2002-04-25 | 2002-05-15 | 주식회사 포스기술 | 방수, 방진 구조를 가진 방열판 겸용 반사면을 구비한발광소자 매트릭스 모듈 및 그 형성방법 |
KR20060038755A (ko) * | 2004-11-01 | 2006-05-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 램프 |
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2005
- 2005-06-30 KR KR1020050057945A patent/KR100599013B1/ko active IP Right Grant
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