KR100663043B1 - 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 및 그제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 모기판 위에 에피층 기판을 성장시킨 후 상기 모기판을 제거하고, 상기 에피층 기판 일면에 반절연층을 형성한 후 반절연층 위에 복수개의 발광셀을 형성하여 열전도율이 좋고 발광특성이 좋은 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

이를 위하여 본 발명은 모기판 위에 기상 성장법(vapor phase epitaxy, VPE)을 이용하여 성장된 후, 상기 모기판으로부터 분리된 에피층 기판; 상기 에피층 기판 위에 형성된 반절연층; 상기 반절연층 위에 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 포함하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자를 제공한다.

기상 성장법, 반절연층, 에피층 기판, 이온 주입법

Description

에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법 {light emitting element having semi-insulating layer formed on epi-layer substrate and method for fabricating the same}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 발광셀을 갖는 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 발광셀을 갖는 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단명도이다.

<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>

50: 모기판 100: 에피층 기판

200: 반절연층 300: 발광셀들

310: N형 반도체층 320: 활성층

330: P형 반도체층 400: 투명전극층

500a,500b: 전극패드 600: 금속배선들

본 발명은 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 및 그 제조방 법에 관한 것으로, 특히 모기판 위에 에피층 기판을 성장시킨 후 상기 모기판을 제거하고, 상기 에피층 기판 일면에 반절연층을 형성한 후 반절연층 위에 복수개의 발광셀을 형성하여 열전도율이 좋고 발광특성이 좋은 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드는 다수 캐리어가 전자인 N형 반도체와 다수 캐리어가 정공인 P형 반도체가 서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 이들 전자와 정공의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산한다. 이러한 발광 다이오드는 표시소자 및 백라이트로 이용되고 있으며, 기존의 백열전구 및 형광등을 대체하여 일반 조명용도로 사용되고 있다.

발광 다이오드는 기존의 전구 또는 형광등과 같은 종래의 조명장치에 비해 소모 전력은 수 내지 수십분의 1에 불과하고, 수명은 수 내지 수십배이다. 따라서, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 매우 우수하다.

발광 다이오드는 교류 전원 하에서 전류의 방향에 따라 온/오프를 반복한다. 따라서, 발광 다이오드를 교류 전원에 직접 연결하여 사용할 경우, 발광 다이오드가 연속적으로 빛을 방출하지 못하여, 역방향 전류에 의해 쉽게 파손되는 문제점이 있다.

이러한 발광 다이오드의 문제점을 해결하여, 고전압 교류 전원에 직접 연결하여 사용할 수 있는 발광 다이오드가 국제공개번호 WO 2004/023568(A1)호에 "발광 성분들을 갖는 발광소자"(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS)라는 제목으로 사카이(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있다.

상기 WO 2004/023568(A1)호에 따르면, LED들(발광셀들)이 사파이어 기판과 같은 절연성 기판 상에 2차원적으로 직렬 연결되어 LED 어레이를 형성하고, 이러한 두 개의 LED 어레이들이 상기 사파이어 기판 상에서 역병렬로 연결됨으로써, 파워 서플라이에 의해 구동될 수 있는 단일 칩 발광 소자로 제작된다.

그러나, 사파이어 기판은 가격이 비싸며 열전도율이 상대적으로 낮아 열 방출이 원활하지 않다. 이러한 열방출의 한계는 상기 발광장치의 최대 광출력의 한계로 이어진다. 따라서, 고전압 교류전원 하에서 최대 광출력을 증가시키기 위해 열방출 특성이 좋은 기판을 사용해야 한다.

그러나 열방출 특성이 좋은 기판은 전도성을 띄는 소재로 이루어지며 이러한 전도성 기판을 사용할 경우 발광 다이오드의 발광셀들을 전기적으로 분리하기 위해 절연성 버퍼층을 기판과 발광셀들 사이에 개재시켜야 한다. 그러나, 절연성 버퍼층은 일반적인 판상의 전도성 기판 상에서는 성장이 잘 되지 않는 문제점이 있다.

또한, 일반적인 절연성 버퍼층 상에서 발광셀들을 성장시키는 경우 소재가 달라 발광셀들의 결함밀도가 커서 광특성이 떨어지는 문제점이 있다.

본 발명의 목적은, 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 열전도성이 우수하며 가격이 저렴한 전도성 기판, 예를 들어 GaN 기판을 사용하여 교류 전원에 의해 구동되는 복수개의 발광셀을 갖는 발광소자를 제공하고자 함에 있다.

본 발명의 다른 목적은, 기상 성장법에 의해 성장한 발광셀과 유사한 소재로 이루어지고 결함밀도가 낮은 에피층 기판을 사용하여 광특성이 우수한 발광소자를 제공할 수 있도록 함에도 있다.

본 발명의 또 다른 목적은, 상기 발광 소자를 제조하는 방법을 제공 함에도 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 발광소자는, 모기판 위에 기상 성장법(vapor phase epitaxy, VPE)을 이용하여 성장된 후, 상기 모기판으로부터 분리된 에피층 기판; 상기 에피층 기판 위에 형성된 반절연층; 상기 반절연층 위에 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 포함한다.

바람직하게는 상기 모기판은 광투광성 기판이고, 상기 에피층 기판은 레이저를 조사하여 상기 모기판으로부터 분리된다.

더욱 바람직하게는 상기 에피층 기판은 상기 모기판을 식각하여 분리된다.

더욱 바람직하게는 상기 에피층 기판의 두께는 5μm 내지 500μm이다.

더욱 바람직하게는 상기 반절연층은 상기 에피층 기판의 표면에서 소정의 깊이로 이온을 주입하여 형성된다.

더욱 바람직하게는 상기 이온이 주입되는 깊이는 1μm 내지 10μm이다.

더욱 바람직하게는 상기 이온은 Mg 또는 Fe이다.

더욱 바람직하게는 상기 발광셀들 각각은 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하고, 상기 발광셀들은 인접한 발광셀들의 N형 반도체층들과 P형 반도체층들이 금속배선들에 의해 각각 전기적으로 직렬 연결된다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 발광소자 제조방법 은 먼저, 모기판 상에 기상 성장법(vapor phase epitaxy, VPE)을 이용하여 에피층 기판을 형성한다. 상기 모기판을 상기 에피층 기판으로부터 분리한 후 상기 에피층 기판 일면에 반절연층을 형성한다. 상기 반절연층 위에 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 형성한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되게 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 발광셀을 갖는 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 1을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 발광셀을 갖는 발광 다이오드는 에피층 기판(100), 반절연층(200), 발광셀들(300), 투명전극(400), 전극패드(500a, 500b), 금속배선들(600)을 포함한다.

상기 에피층 기판(100)은 모기판(50) 위에 상기 발광셀들(300)과 유사한 소재, 예를 들어 GaN를 사용하여 형성한 후 상기 모기판(50)을 상기 에피층 기판(100)으로부터 분리하는 방법으로 생성한다. 이에 따라 상기 발광셀들(300)을 상기 반절연층(200) 상에 성장시킴에 있어 격자부정합에 의한 전위 결함의 발생을 줄일 수 있다.

상기 에피층 기판(100) 상부에 서로 이격되어 위치하는 복수개의 발광셀들(300)이 위치한다. 상기 발광셀들(300) 각각은 N형 반도체층(310), 활성층(320) 및 P형 반도체층(330)이 연속적으로 적층된 구조를 이룬다. 상기 활성층(320)은 상기 N형 반도체층(310)의 일부 영역 상에 형성되며, 상기 활성층(320) 위로는 상기 P형 반도체층(330)이 형성된다. 따라서, 상기 N형 반도체층(310)의 상면 일부 영역은 상기 활성층(320)과 접합되어 있으며, 상면의 나머지 일부 영역은 외부로 노출된다.

상기 N형 반도체층(310)은 N형 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)으로 형성될 수 있으며, N형 클래드층을 포함할 수 있다. 상기 N형 반도체층(310)은 실리콘(Si)을 도우핑하여 형성할 수 있다.

상기 활성층(320)은 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, InGaN을 포함하여 이루어진다. 상기 활성층(320)을 이루는 물질의 종류에 따라 발광셀에서 방출되는 발광 파장이 결정된다. 상기 활성층(320)은 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 형성된 다층막일 수 있다. 상기 장벽층과 우물층은 일반식 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2원 내지 4원 화합물 반도체층일 수 있다.

상기 P형 반도체층(330)은 P형 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)으로 형성될 수 있으며, P형 클래드층을 포함할 수 있다. 상기 P형 반도체층(330)은 아연(Zn) 또는 마그네슘(Mg)을 도우핑하여 형성할 수 있다.

상기 에피층 기판(100)과 상기 발광셀들(300) 사이에 반절연층(200)이 개재된다. 상기 반절연층(200)은 상기 에피층 기판(100) 표면 상에 이온 임플란트(ion implant) 기술에 의해 이온이 주입되어, 상기 에피층 기판(100) 표면이 변환된 반절연층이다. 상기 발광셀들(300)은 상기 반절연층(200)에 의해 상기 에피층 기판(100)으로부터 전기적으로 절연된다.

상기 에피층 기판(100)이 GaN인 경우, 상기 이온은 알칼리 금속이온, 알칼리 토금속이온 또는 전이금속이온 등일 수 있으며, 상기 반절연층(200)은 상기 N형 반도체층에 비해 상대적으로 저항이 높은 반절연(semi-insulating) GaN이다.

상기 투명전극(400)은 상기 P형 반도체층(330) 위에 형성된다. 상기 투명전극(400)은 판상 형태로서 상기 활성층(320)에서 방출되는 빛을 외부로 투과시킨다. 상기 투명전극(400)은 Ni/Au 또는 인디움틴산화막(ITO)와 같은 투명물질로 형성될 수 있다. 상기 투명전극(400)은 상기 전극패드(500a, 500b)를 통해 입력되는 전류를 골고루 분산시켜 발광효율을 높이는 역할도 수행한다.

상기 전극패드(500a, 500b)는 상기 투명전극(400) 위 및 상기 N형 반도체층(310)의 노출면 위에 형성된다. 상기 투명전극(400)이 상기 P형 반도체층(330) 위에 형성되지 않는 경우, 상기 전극패드(500b)는 상기 P형 반도체층(330) 위에 형성된다.

상기 금속배선들(600)은 상기 발광셀들(300)을 전기적으로 연결한다. 즉, 상기 금속배선들(600)은 상기 전극패드(500b)와 다른 상기 전극패드(500a)를 연결하여, 인접한 발광셀들(300)의 P형 반도체층(330)과 N형 반도체층(310)을 전기적으로 연결한다. 상기 금속배선들(600)에 의해 상기 발광셀들(300)은 직렬 연결된 발광셀들의 어레이들이 형성될 수 있으며, 이 어레이들이 서로 역병렬로 연결되어 교류 전원에 의해 구동될 수 있다.

본 실시예에 따른 발광소자들은 상기 반절연층(200)에 의해 사파이어 기판에 비해 열전도율이 좋은 전도성인 상기 에피층 기판(100), 예를 들어 GaN 기판으로부터 절연된 발광셀들을 갖는다. 따라서, 상기 에피층 기판(100)에 의해 상기 발광셀들(300)이 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 발광셀을 갖는 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명한다.

도 2를 참조하면, 모기판(50)을 준비하고 상기 모기판(50) 위에 기상 성장법(Vapor Phase Epitaxy, VPE)을 이용하여 에피층 기판(100)을 성장시킨다. 상기 에피층 기판(100)은 전도성 기판, 예를 들어 반도체성 질화갈륨(GaN) 기판일 수 있으며 두께는 5μm 내지 500μm 일 수 있다.

상기 에피층 기판(100)의 두께가 증가할수록 상기 에피층 기판(100)의 결함밀도는 줄어들어 상기 에피층 기판(100)의 일면에 형성되는 반절연층(200) 위에 형성되는 발광셀들(400)의 결함밀도를 줄일 수 있다.

그 후 상기 모기판(50) 쪽에서 레이저를 조사한다. 상기 레이저는 예컨대 KrF(248nm) 레이저일 수 있다. 상기 모기판(50)은 사파이어 기판과 같은 투광성 기 판이므로, 상기 레이저는 상기 모기판(50)을 통과하고, 상기 에피층 기판(100)에 의해 흡수된다. 이에 따라, 상기 에피층 기판(100)과 상기 모기판(50)의 계면에서 상기 흡수된 방사 에너지에 의해 상기 에피층 기판(100)이 분해(decomposition)되어, 상기 모기판(50)이 상기 에피층 기판(100)으로부터 분리된다.

한편, 상기 레이저를 조사하지 않고 건식 식각 등의 식각 방법으로 상기 모기판(50)을 식각하여 상기 모기판(50)을 상기 에피층 기판(100)으로부터 제거할 수도 있다. 상기 식각 방법에 의해 상기 모기판(50)을 제거하는 경우, 상기 모기판(50)은 투광성 기판이지 않아도 된다.

도 3을 참조하면, 상기 모기판(50)이 상기 에피층 기판(100)으로부터 분리된 후, 상기 에피층 기판(100)의 일면에 불순물 이온들을 주입하여 기판 표면을 절연층으로 변환시킨다. 상기 이온들은 이온 임플란트 기술을 사용하여 주입될 수 있으며, 기판 표면으로부터 소정의 깊이, 예를 들어 1μm 이상, 특히 1μm 내지 10μm 주입될 수 있다. 상기 이온의 종류는 상기 에피층 기판(100)의 구성물질들에 따라 선택된다.

예를 들어, 상기 에피층 기판(100)이 N형 GaN인 경우, 전자수용체(acceptor)를 이온 주입하여 반절연층으로 변환시킬 수 있다. 상기 전자 수용체는, 알칼리 금속, 알칼리 토금속 또는 전이금속일 수 있다. 예컨대, 상기 전자수용체는 Mg 이온 또는 Fe 이온 등일 수 있다.

도 4를 참조하면, 상기 에피층 기판(100) 일면에 반절연층(200)이 형성된 후에, 상기 반절연층(200) 상에 N형 반도체층(310), 활성층(320) 및 P형 반도체층 (330)을 차례로 형성한다. 상기 반도체층들(310, 320, 330)은 금속유기 화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(MBE) 또는 수소화물 기상 성장(HVPE) 방법 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 반도체층들(310, 320, 330)은 동일한 공정챔버에서 연속적으로 형성될 수 있다.

상기 에피층 기판(100)이 GaN 기판인 경우, 상기 반절연층(200)도 상기 에피층 기판(100)과 유사한 소재로 이루어지게 되고, 이는 상기 발광셀들(300)의 소재와 유사하다. 따라서, 상기 반절연층(200) 상부에 상기 반도체층들(310, 320, 330)을 성장시킬 경우, 상기 반도체층들(310, 320, 330)은 사파이어 기판에서 성장한 경우 보다 격자부정합에 의한 결함 발생이 적게 된다.

도 5를 참조하면, 상기 P형 반도체등(330)이 형성된 후, 사진 및 식각 공정을 사용하여 상기 P형 반도체층(330), 상기 활성층(320) 및 상기 N형 반도체층(310)을 차례로 패터닝하여 서로 이격된 발광셀들(300)을 형성한다. 이때, 상기 N형 반도체층(310) 상부의 일부 영역이 노출되도록 한다. 상기 식각시, 적어도 상기 반절연층(200)이 드러나도록 식각하여 상기 이격된 발광셀들(300)이 전기적으로 분리되도록 해야 한다.

도 6을 참조하면, 상기 발광셀들(300)이 형성된 후에, 상기 발광셀들(300)의 P형 반도체층(330) 위에 투명전극(400)을 형성한다. 그리고, 상기 노출된 N형 반도체층(310) 위에 전극패드(500b)를 형성한다. 상기 전극패드(500b)는 리프트-오프(lift-off)법을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 투명전극(400) 위에 전극패드(500a)를 형성한다.

그 후, 인접한 발광셀들(300)의 N형 반도체층(310)과 P형 반도체층(330)을 전기적으로 연결하는 금속배선들(600)을 형성하여 도 6의 발광 다이오드가 완성된다. 상기 금속배선들(600)은 인접한 발광셀들(300)의 전극패드들(500a, 500b)을 연결한다. 상기 금속배선들(600)은 에어 브리지(air bridge) 공정 또는 스텝 커버(step cover) 공정을 사용하여 형성될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 전도성 에피층 기판(100)을 반절연층으로 변환시켜 상기 발광셀들(300)을 상기 에피층 기판(100)으로부터 전기적으로 절연시킬 수 있다. 따라서, 상기 에피층 기판(100)은 사파이어 기판에 비해 열전도성이 뛰어나고 GaN 기판 상에 복수개의 발광셀들을 형성할 수 있다. 또한 상기 제조방법에 의하면, 가격이 비싼 모기판(50), 예를 들어 사파이어 기판이 상기 에피층 기판(100)을 형성하는데 재활용할 수 있다는 장점이 있다.

또한, 본 실시예에 따르면, 상기 발광셀들(300)과 유사한 소재로 이루어진 상기 반절연층(200) 위에서 상기 발광셀들(300)을 성장 및 형성함에 따라 결함밀도가 적고 광특성이 우수한 발광셀들을 얻을 수 있다.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

상기와 같은 본 발명에 따르면 열전도성이 우수한 전도성 기판, 예를 들어 GaN 기판을 사용하여 교류 전원에 의해 구동되는 복수개의 발광셀을 갖는 발광 소 자를 제공할 수 있는 효과가 있다.

또한, 상기와 같은 본 발명에 따르면 기상 성장법에 의해 성장한 발광셀과 유사한 소재로 이루어지고 결함밀도가 낮은 에피층 기판을 사용하여 광특성이 우수한 발광소자를 제공할 수 있는 효과도 있다.

또한, 상기와 같은 본 발명에 따르면 상기 발광 소자를 제조하는 방법을 제공할 수 있는 효과도 있다.

Claims (16)

1. 모기판 위에 기상 성장법(vapor phase epitaxy, VPE)을 이용하여 성장된 후, 상기 모기판으로부터 분리된 에피층 기판;

   상기 에피층 기판 위에 형성된 반절연층;

   상기 반절연층 위에 직렬 연결된 복수개의 발광셀들;

   을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자.
2. 청구항 1에 있어서, 상기 모기판은 광투광성 기판이고, 상기 에피층 기판은 레이저를 조사하여 상기 모기판으로부터 분리된 것임을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자.
3. 청구항 1에 있어서, 상기 에피층 기판은 상기 모기판을 식각하여 분리된 것임을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자.
4. 청구항 1에 있어서, 상기 에피층 기판의 두께는 5μm 내지 500μm인 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자.
5. 청구항 1에 있어서, 상기 반절연층은 상기 에피층 기판의 표면에서 소정의 깊이로 이온을 주입하여 형성된 것임을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자.
6. 청구항 5에 있어서, 상기 이온이 주입되는 깊이는 1μm 내지 10μm 인 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자.
7. 청구항 5에 있어서, 상기 이온은 Mg 또는 Fe인 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자.
8. 청구항 1에 있어서, 상기 발광셀들 각각은 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하고,

   상기 발광셀들은 인접한 발광셀들의 N형 반도체층들과 P형 반도체층들이 금속배선들에 의해 각각 전기적으로 직렬 연결된 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자.
9. 모기판 상에 기상 성장법(vapor phase epitaxy, VPE)을 이용하여 에피층 기판을 형성하고,

   상기 모기판을 상기 에피층 기판으로부터 분리한 후 상기 에피층 기판 일면에 반절연층을 형성하고,

   상기 반절연층 위에 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 형성하는 것을 포함하 는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 제조 방법.
10. 청구항 9에 있어서, 상기 모기판은 광투광성 기판이고, 상기 에피층 기판은 상기 기판에 레이저를 조사하여 상기 모기판으로부터 분리된 것임을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 제조 방법.
11. 청구항 9에 있어서, 상기 에피층 기판은 상기 모기판을 식각하여 분리된 것임을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 제조 방법.
12. 청구항 9에 있어서, 상기 에피층 기판의 두께는 5μm 내지 500μm인 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 제조 방법.
13. 청구항 9에 있어서, 상기 반절연층은 상기 에피층 기판의 표면에서 소정의 깊이로 이온을 주입하여 형성된 것임을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 제조 방법.
14. 청구항 13에 있어서, 상기 이온이 주입되는 깊이는 1μm 내지 10μm인 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 제조 방법.
15. 청구항 13에 있어서, 상기 이온은 Mg 또는 Fe인 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 제조 방법.
16. 청구항 9에 있어서, 상기 발광셀들 각각은 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하고,

    상기 발광셀들은 인접한 발광셀들의 N형 반도체층들과 P형 반도체층들이 금속배선들에 의해 각각 전기적으로 직렬 연결된 것을 특징으로 하는 에피층 기판 위에 형성된 반절연층을 갖는 발광소자 제조 방법.

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