KR100712890B1 - 발광소자와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 발광 소자는 기판 상에 각각 제1반도체층과, 제1반도체층의 일 영역 상에 형성된 제2반도체층 및 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 개재된 활성층을 가지는 복수개의 발광셀과, 제1반도체층 상에 형성된 전극과 제2반도체층 상에 형성된 투명전극으로 이루어진 전극들과, 전극들을 제외한 각 발광셀의 노출된 외면과, 인접한 발광셀들 사이의 노출된 기판 상에 형성된 투명 절연막 및 전극들 및 투명 절연막 상에 형성되며 인접한 두개의 상기 발광셀들 중 하나의 발광셀의 제1반도체층과 다른 하나의 발광셀의 제2반도체층을 전기적으로 연결하되, 각 발광셀에서는 제1반도체층과 제2반도체층을 단절시키는 불연속부를 갖는 반사막을 포함하므로, 활성층에서 발생된 광이 반사될 수 있는 공간을 넓게 하여 광추출 효율이 증대될 수 있다

발광 소자, 발광 셀, 투명전극, 반사층, 반사막

Description

발광소자와 그 제조방법 { Luminous device and the method therefor }

도 1은 본 발명에 따른 발광셀을 도시한 단면도,

도 2는 본 발명에 따른 반사막을 도시한 단면도,

도 3a 내지 도 3f은 본 발명에 따른 발광소자의 제조과정을 도시한 도면이다.

< 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 >

100 : 발광 셀 110 : 기판

120 : 버퍼층 130 : 제1반도체층

140 : 활성층 150 : 제2반도체층

160 : 투명 절연막 170 : 반사막

175 : 불연속부 181,183 : 금속범프

200 : 서브 마운트 기판

본 발명은 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플립 칩(Flip chip) 형태의 발광 소자와 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드는 반도체의 p-n접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)을 만들어 내고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭한다. 이러한 발광 다이오드는 표시 소자 및 백라이트로 이용되고 있으며, 최근 일반 조명용도로 이를 적용하기 위해 활발한 연구가 진행중이다.

이는 발광 다이오드가 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소비전력이 수 내지 수 십분의 1에 불과하고, 수명이 수 내지 수십배에 이르러, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 월등하기 때문이다.

발광 소자가 조명용으로 사용되기 위해서는 가정용 전원에서 구동할 수 있어야 하고, 이러한 발광 소자에서 생성되는 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있어야 한다.

그런데, 발광 다이오드는 교류 전원하에서 전류의 방향에 따라 온/오프를 반복한다. 따라서, 발광 다이오드를 교류 전원에 직접 연결하여 사용할 경우, 발광 다이오드가 연속적으로 빛을 방출하지 못하며, 역방향 전류에 의해 쉽게 파손되는 문제점이 있다.

이러한 발광 다이오드의 문제점을 해결하여 고전압 교류 전원에 직접 연결하여 사용할 수 있는 발광 다이오드가 국제공개번호 WO 2004-023568호 (명칭: 발광 성분을 갖는 발광 소자 (Light-emitting Device having Light-emitting elements))에 개시된 바 있다.

WO 2004-023568호에 따르면, LED들(발광셀들)은 절연성 기판 상에 2차원적으로 직렬 연결된 LED 어레이를 형성한다. 이러한 LED 어레이들은 기판 상에 역병렬로 연결된다. 따라서, LED 어레이들은 AC 파워 서플라이에 의해 서로 교대로 온/오프를 반복하여 광을 방출한다.

그런데, 이러한 종래의 발광소자는 LED 어레이들이 교류 전원하에서 교대로 동작하므로 발광셀들이 동시에 동작하는 경우에 비해 광출력이 제한적이다. 따라서 최대 광출력을 증가시키기 위해 각 발광셀들의 광추출 효율을 개선시킬 필요가 있다.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해소시키기 위해 안출된 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 목적은 교류전원에 의해 구동 가능하며, 발광셀들의 광추출 효율이 증대되는 발광소자를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는 교류전원에 의해 구동 가능하며, 발광셀들의 광추출 효율을 증대시킬 수 있는 발광 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판 상에 각각 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 일 영역 상에 형성된 제2반도체층 및 상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층 사이에 개재된 활성층을 가지는 복수개의 발광셀과. 상기 제1반 도체층 상에 형성된 전극과 상기 제2반도체층 상에 형성된 투명전극으로 이루어진 전극들과, 상기 전극들을 제외한 각 발광셀의 노출된 외면과, 인접한 발광셀들 사이의 노출된 기판 상에 형성된 투명 절연막 및 상기 전극들 및 상기 투명 절연막 상에 형성되며 인접한 두개의 상기 발광셀들 중 하나의 발광셀의 제1반도체층과 다른 하나의 발광셀의 제2반도체층을 전기적으로 연결하되, 각 발광셀에서는 제1반도체층과 제2반도체층을 단절시키는 불연속부를 갖는 반사막을 포함하는 발광소자를 제공한다.

상기 투명 전극은 파장/(4×굴절율)의 홀수배가 되는 두께로 형성되며, 상기 굴절율은 상기 반도체층들과 상기 반사막의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다.

상기 투명 전극은 ITO이거나 ITO의 산화물인 것이 바람직하다.

상기 반사막은 Al이나 Ag로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 반사막은 투과성으로 서로 다른 굴절율을 갖는 층이 교대로 2층 이상 적층된 형태로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 반사막의 각 층은 파장/(4×굴절율)의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 반사막의 불연속부는 상기 투명 절연막과 상기 제1반도체층 상의 전극 사이 경계면과 제2반도체층 상의 투명전극 사이 경계면 중 어느 하나의 경계면에 형성되는 것이 바람직하다.

상기 발광셀은 에지부가 경사면을 이루도록 형성된 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은 기판을 준비하고, 상기 기판 상에 버퍼층, 제1반도체층, 활 성층, 제2반도체층을 적층하고, 제1반도체층 상에 전극 그리고, 제2반도체층 상에 투명전극을 형성하여, 복수의 발광셀들을 형성하고, 상기 전극들을 제외한 각 발광셀의 노출된 외면과, 인접한 발광셀들 사이의 노출된 상기 기판 상에 투명 절연막을 형성하고, 상기 전극들 그리고, 상기 투명 절연막 상에 인접한 발광셀들을 전기적으로 연결하기 위한 반사막을 형성하고, 각 발광셀에서는 제1반도체층과 제2반도체층이 단절되도록 상기 반사막의 일부를 제거하는 것을 포함하는 발광소자의 제조방법을 제공한다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 발광 소자의 일실시예를 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 발광셀를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반사막을 도시한 단면도이며, 도 3a 내지 도 3f은 본 발명에 따른 발광소자의 제조과정을 도시한 도면이다.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 발광소자는 플립칩용으로서, 발광 셀(100)은 기판(110) 상에 형성된 버퍼층(120)과, 상기 버퍼층(120) 상의 제1반도체층(130)과, 상기 제1반도체층(130)의 일부에 형성된 활성층(140) 그리고, 상기 활성층(140) 상에 형성된 제2반도체층(150)을 포함한다.

상기 제1반도체층(130)은 N형 반도체층이고, 상기 제2반도체층(150)은 P형 반도체층인 것이 바람직하다. 이와 같은 발광 셀(100)들은 기판(110) 상에 정렬되어 배치된다.

상기 기판(110)은 발광 다이오드를 제작하기 위한 통상의 웨이퍼로서, Al₂O₃, SiC, ZnO, Si, GaAs, GaP, LiAl₂O₃, BN, AIN 및 GaN 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다. 이러한 기판(110)은 그 위에 형성될 반도체층의 격자상수를 고려하여 선택된다. 즉, 상기 기판(110)상에 GaN 계열의 반도체층이 형성될 경우, 사파이어로 제조될 수 있다.

상기 기판(110) 상에는 N형 반도체층(130) 형성시 완충역할을 하는 버퍼층(120)을 형성하였다. 상기 버퍼층(120)은 결정 성장시에 기판(110)과 후속층들의 격자 부정합을 줄이기 위한 것으로서, 반도체 재료인 질화갈륨을 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 버퍼층(120)은 셀 단위로 서로 이격될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 절연 물질 또는 반절연(Semi-insulating) 물질로 형성되는 경우 서로 연속적일 수 있다. 그러나, 상기 버퍼층(120)은 형성되지 않을 수도 있으므로, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다.

상기 제1 반도체층(130; 이하 'N형 반도체층'으로 칭함.)은 전자가 생성되는 층으로 N형 화합물 반도체층과 N형 클래드층으로 형성된다. 이때, 상기 N형 반도체층(130)은 N형 불순물이 주입된 GaN막을 사용하는 것이 바람직하다. 그러나 이에 한정되지 않고 다양한 반도체 성질의 물질층이 가능하다. 본 실시예에서는 N형 Al_xGa_{1 - x}N(0≤x≤1)막을 포함하는 N형 반도체층(130)을 형성한다.

상기 제2반도체층(150; 이하 'P형 반도체층'으로 칭함.)은 정공이 생성되는 층으로 P형 클래드층과 P형 화합물 반도체층으로 형성된다. 이때, 상기 P형 반도체 층(150)은 P형 불순물이 주입된 AlGaN을 사용한다. 본 실시예에서는 P형 Al_xGa_{1 - x}N(0≤x≤1)막을 포함하는 P형 반도체층(150)을 형성한다. 뿐만 아니라 P형 반도체층 막으로 InGaN막을 사용할 수 있다.

그리고, 상기 N형 반도체층(130) 및 P형 반도체층(150)은 다층막으로 형성할 수도 있다.

상기 활성층(140)은 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, 상기 N형 반도체층(130) 위에 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 형성된 다층막이 사용될 수 있다. 상기 양자 우물층과 장벽층은 2원 화합물인 GaN, InN, Al 등을 사용할 수 있고, 3원 화합물 In_xGa_1-xN(0≤x≤1), Al_xGa_{1 - x}N(0≤x≤1)등을 사용할 수 있고, 4원 화합물 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)을 사용할 수 있다. 물론, 상기 2원 내지 4원 화합물에 소정의 불순물을 주입하여 N형 반도체층(130) 및 P형 반도체층(150)을 형성할 수도 있다. 여기서, 상기 활성층(140)은 이를 이루는 물질의 종류에 따라 전자 및 정공이 결합하여 발생하는 발광 파장이 변화된다. 따라서, 활성층(140)은 목표로 하는 파장에 따라 구성물질을 조절하는 것이 바람직하다.

이러한 활성층(140)은 N형 반도체층(130) 일부 영역상에 위치하며, 활성층(140)상에 P형 반도체층(150)이 위치한다. 이에 따라, 상기 N형 반도체층(130)의 일부는 활성층(140) 및 P형 반도체층(150)에 의해 상부면이 덮히고, 나머지 일부는 노출된다.

상기 P형 반도체층(150) 상에는 P형 반도체층(150)의 저항을 줄이기 위해 별 도의 투명전극(151)을 더 형성한다. 상기 투명전극(151)은 두께가 활성층(140)에서 발생된 (발광 파장)/(4×굴절율)의 홀수배가 되도록 형성된다. 이때, 굴절율은 반도체층들(130,150)과 후술될 반사막(170)의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다. 또한, 상기 투명전극(151)은 투명 전도체로서 ITO(인디움-틴 산화막)이거나 ITO산화물이 될 수 있다.

또한, 상기 N형 반도체층(130) 상에도 전극(131)을 더 포함할 수 있다. 그리고, N형 반도체층(130)과 P형 반도체층(150) 상에는 접합 저항을 줄여 전류의 공급을 원활하게 하기 위해 별도의 오믹 금속층을 더 형성할 수 있다. 이때, 전극(131)은 투명하게 형성되어도 무방하다.

여기서, 상술한 버퍼층(120), N형 반도체층(130), 활성층(140) 그리고, P형 반도체층(150)이 적층된 발광셀(100)의 에지부는 경사면을 이루도록 형성된다. 이것은 발광셀(100) 중 활성층(140)에서 360도로 방출되는 빛은 매질의 굴절율에 따라 일부의 빛만이 외부로 방출된다. 이를 테면, GaN층의 굴절율은 2.5이고, 공기의 굴절율은 1.0이다. 이때 임계각은 23.6도이므로 한쪽 평면으로 방출되는 빛의 양은 4%가 된다. 따라서, 발광셀(100)의 에지부를 경사면으로 형성하면 임계각이 변화되므로 외부로 방출되는 빛의 양이 증대되는 것이다.

한편, 각 발광셀(100)은 투명전극(151) 및 전극(131)을 제외한 노출된 외면 전체에 투명 절연막(160)이 형성된다. 또한, 인접한 발광셀(100) 사이의 노출된 기판(100) 상에도 투명 절연막(160)이 형성된다. 상기 투명 절연막(160)은 SiO₂나 Si₃N₄로 형성될 수 있다. 이러한 투명 절연막(160)은 후술될 반사막(170)과 N형 반도체층(130) 및 P형 반도체층(150) 사이를 절연함은 물론이다.

상기 투명전극(151) 상에는 반사막(170)이 형성되는 것이 좋다. 상기 반사막(170)은 활성층(140)에서 발생된 발광 파장이 투명전극(151)을 통해 방출되는 광효율을 증대시키기 위한 것으로서, Al이나 Ag 중 적어도 하나의 원소를 포함하여 형성된다. 또한, 상기 반사막(170)은 투광성으로 서로 다른 두께로 굴절율이 높은 재료(171)와 굴절율이 낮은 재료(173)가 적어도 2층 이상 적층된 형태로 형성된 것이 바람직하다.

즉, 반사막(170)은 도 2에 도시된 바와 같이, 서로 다른 굴절율을 갖는 재료가 적층됨으로서, 굴절율에 따라 발광파장이 더 넓어지도록 할 수 있다. 반사막(170)의 두께(d)는 파장/(4×굴절율)로 형성된 것이 바람직하다. 반사막(170)은 활성층(140)에서 방출된 광이 투명전극(151)을 투과한 후 다시 기판(110) 방향으로 반사시켜 광효율을 증가시킴과 동시에 하나의 발광셀과 인접한 다른 하나의 발광셀을 전기적으로 연결하는 역할을 한다.

따라서, 상기 반사막(170)은 N형 반도체층(130)의 전극(131)과 P형 반도체층(150)의 투명 전극(151) 그리고, 투명 절연막(160) 상에 형성되어, 인접한 두개의 발광셀들 중 하나의 발광셀의 P형 반도체층(150)과 다른 하나의 발광셀의 N형 반도체층(130)을 전기적으로 연결하되, 반사막(170)은 각 발광셀(100)에서는 P형 반도체층(150)과 N형 반도체층(130) 사이를 단절시키도록 불연속부(175)를 갖도록 형성된다. 상기 불연속부(175)는 투명 절연막(160)과 N형 반도체층(130) 상의 전극(131) 사이 경계면이나, 투명 절연막(160)과 P형 반도체층(150) 상의 투명 전극 (151) 사이 경계면에 형성될 수 있다.

이하에서는 상술한 구조를 갖는 본 발명의 발광소자의 제조 방법을 설명한다.

도 3a를 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(120), N형 반도체층(130), 활성층(140) 그리고, P형 반도체층(150)을 순차적으로 적층시킨다. 이때, 상술한 물질들은 유기금속 화학증착법(MOCVD), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy;MBE), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy;HVPE) 등 다양한 증착 및 성장 방법을 통해 형성할 수 있다.

다음, 도 3b에 도시된 바와 같이 상술한 것들이 적층된 기판(110)은 감광액을 도포한 후, 전기적으로 분리된 발광셀(100)을 형성하기 위해 마스크 패턴(미도시)대로 노광한다. 이때, 감광액은 적어도 5~50um의 두께를 갖도록 도포한다. 노광이 끝나면, 현상 작업을 실시하여 마스크 패턴대로 식각된다. 그러면, 현상된 면은 경사면으로 이루어진다.

상기 경사면은 노광작업을 실시한 후, 노광된 기판을 고온에서 가열하여 노광된 마스크 패턴을 고정시키는 하드 베이크(Hard bake)작업을 실시하지 않는다. 따라서, 하드 베이크 작업이 실시되지 않고 현상작업을 실시하면, 마스크 패턴의 내측이 감광액에 의해 일부 식각되어 발광셀(100)의 에지부가 경사면으로 형성된다.

상기 공정으로 기판(110) 상에는 다수의 패턴이 형성된 발광 셀(100)이 형성 된다. 버퍼층(120)이 절연 또는 반절연 물질로 형성된 경우 버퍼층(120)의 식각을 생략할 수 있다.

다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 식각공정으로 P형 반도체층(150)의 일부와 N형 반도체층(130) 및 활성층(140)의 일부를 제거하여 N형 반도체층(130)의 일부를 노출한다.

즉, P형 반도체층(150) 상에는 식각 마스크 패턴을 형성한 후, 건식/습식 식각공정으로 노출된 영역의 P형 반도체층(150) 및 활성층(140)을 제거하여 N형 반도체층(130)을 노출시킨다.

그 후, 발광셀(100)의 N형 반도체층(130)과 P형 반도체층(150) 상에는 전극(131)과 투명전극(151)을 형성한다. 상기 전극(131)과 투명전극(151)은 리프트-오프(Lift-off) 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 여기서, N형 반도체층(130) 상의 전극(131)은 투명하게 형성되어도 무방하므로 투명 전극(151)이 형성될 때 동시에 형성되어 공정과정을 줄일 수 있다.

투명 전극(151)의 형성은 전체 구조상에 감광막을 도포한 다음, 마스크를 이용한 사진식각 공정을 실시하여 P형 반도체층(150)을 노출시킬 제1감광막 패턴(미도시)을 형성한다. 그 후, 전체 구조상에 투명 전극(151)을 형성하고, 제1감광막 패턴을 제거하여 형성한다. 전극(131) 역시 이와 같은 방법으로 형성될 수 있다.

다음, 도 3d에 도시된 바와 같이, 기판(110)에는 투명 절연막(160)을 도포한다. 도포된 투명 절연막(160)은 패터닝하여 P형 반도체층(150) 상의 투명 전극(151)과 N형 반도체층(130) 상의 전극(131) 부분을 제거하고 투명 전극(151)과 전 극(131)을 노출시킨다. 따라서, 투명 절연막(160)은 전극(131)과 투명 전극(151) 사이의 노출된 외면과 각 발광셀의 노출된 외면 및 인접한 발광셀 사이의 노출된 기판(110) 상에 형성된다.

다음, 기판(110)에는 Al이나 Ag를 포함하는 반사막(170)을 도포한다. 도포된 반사막(170)은 투명 절연막(160) 상에 형성되며, 인접한 발광셀들 중 하나의 발광셀의 N형 반도체층(130)과 다른 하나의 발광셀의 P형 반도체층(150)을 전기적으로 연결한다. 상기 반사막(170)은 하나의 발광셀(100)에서 N형 반도체층(130)과 P형 반도체층(150)을 단절시키도록 반사막(170)의 일부를 제거하여 불연속부(175)를 형성한다. 상기 불연속부(175)는 도 3e에 도시된 바와 같이, 투명 절연막(160)과 N형 반도체층(130) 상의 전극(131) 사이의 경계면이다. 상기 투명 절연막(160)과 P형 반도체층(150) 상의 투명 전극(151) 사이의 경계면에 형성된 반사막(170)을 제거하여 형성할 수 있다. 따라서, 반사막(170)은 하나의 발광셀과 인접한 다른 발광셀을 전기적으로 연결하는 연결전극이 될 수 있다.

다음, 도 3f에 도시된 바와 같이, 반사막(170)이 형성된 투명전극(151)과 전극(131)에는 금속범프들(181,183)을 형성한 후, 서브 마운트 기판(200)을 플립본딩하여 발광소자를 제작한다.

본 실시예에 따르면, P형 반도체층(150)에는 투명전극(151)이 형성되지 않은 부분에도 투명 절연막(160)과 반사막(170)이 적층됨으로서, 활성층(140)에서 발생된 광이 반사될 수 있는 공간이 넓어지므로 광추출 효율이 증대될 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 발광소자는 P형 반도체층에서 투명전극이 형성되지 않은 부분에도 투명 절연막과 반사막을 형성하여 활성층에서 발생된 광이 반사될 수 있는 공간을 넓게 하여 광추출 효율이 증대될 수 있다

또한, 반사막은 하나의 발광셀의 P형 반도체층과 인접한 다른 발광셀의 N형 발광셀을 연결하도록 형성되므로 별도의 연결전극을 필요하지 않아 공정이 단순해지는 이점이 있다.

Claims (16)

1. 기판 상에 각각 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 일 영역 상에 형성된 제2반도체층 및 상기 제1반도체층과 상기 제2반도체층 사이에 개재된 활성층을 가지는 복수개의 발광셀;

   상기 제1반도체층 상에 형성된 전극과 상기 제2반도체층 상에 형성된 투명전극으로 이루어진 전극들;

   상기 전극들을 제외한 각 발광셀의 노출된 외면과, 인접한 발광셀들 사이의 노출된 기판 상에 형성된 투명 절연막; 및

   상기 각 발광셀 내에서 제1반도체층과 제2반도체층을 단절시키는 불연속부를 갖고 상기 전극들 및 상기 투명 절연막 상에 형성되며, 인접한 두개의 상기 발광셀들 중 하나의 발광셀의 제1반도체층과 다른 하나의 발광셀의 제2반도체층을 전기적으로 연결하는 반사막을 포함하는 발광소자.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 투명 전극은 파장/(4×굴절율)의 홀수배가 되는 두께로 형성되며, 상기 굴절율은 상기 반도체층들과 상기 반사막의 굴절율보다 작은 것을 특징으로 하는 발광소자.
3. 청구항 2에 있어서,

   상기 투명 전극은 ITO 전극인 것을 특징으로 하는 발광소자.
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 반사막은 Al이나 Ag로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 반사막은 투과성으로 서로 다른 굴절율을 갖는 층이 교대로 2층 이상 적층된 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자.
6. 청구항 5에 있어서,

   상기 반사막의 각 층은 파장/(4×굴절율)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자.
7. 청구항 1에 있어서,

   상기 반사막의 불연속부는 상기 투명 절연막과 상기 제1반도체층 상의 전극 사이 경계면과 제2반도체층 상의 투명전극 사이 경계면 중 어느 하나의 경계면에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자.
8. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광셀은 에지부가 경사면을 이루도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자.
9. 기판을 준비하고,

   상기 기판 상에 버퍼층, 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을 순차적으로 적층하고, 상기 제1반도체층 상에 전극들과, 제2반도체층 상에 투명전극들을 형성하여, 복수의 발광셀들을 형성하고,

   상기 전극들을 제외한 각 발광셀의 노출된 외면과, 인접한 발광셀들 사이의 노출된 상기 기판 상에 투명 절연막을 형성하고,

   상기 전극들과 상기 투명 절연막 상에 상기 인접한 발광셀들을 전기적으로 연결하기 위한 반사막을 형성하고,

   상기 각 발광셀 내에서 상기 제1반도체층과 제2반도체층이 단절되도록 상기 반사막의 일부를 제거하는 것을 포함하는 발광소자의 제조방법.
10. 청구항 9에 있어서,

    상기 투명 전극은 파장/(4×굴절율)의 홀수배가 되는 두께로 형성되며, 상기 굴절율은 상기 반도체층들과 상기 반사막의 굴절율보다 작은 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
11. 청구항 10에 있어서,

    상기 투명 전극은 ITO 전극인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
12. 청구항 9에 있어서,

    상기 반사막은 Al이나 Ag로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
13. 청구항 9에 있어서,

    상기 반사막은 투과성으로 서로 다른 두께를 갖는 굴절율이 높은 재료와 굴 절율이 낮은 재료가 적어도 2층 이상 적층된 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
14. 청구항 13에 있어서,

    상기 반사막의 각 층은 파장/(4×굴절율)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
15. 청구항 9에 있어서,

    상기 반사막의 불연속부는 상기 투명 절연막과 상기 제1반도체층 상의 전극 사이 경계면과 제2반도체층 상의 투명전극 사이 경계면 중 어느 하나의 경계면에 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조방법.
16. 청구항 9에 있어서,

    상기 발광셀은 에지부가 경사면을 이루도록 식각하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.

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