KR20120031358A - 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

발광구조물 상에 탄소 나노 튜브(Carbon NanoTube)를 재료로 하는 투명 전극을 갖는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 상기 반도체 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및 상기 p형 반도체층 상면에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 투명 전극을 포함할 수 있다.

Description

반도체 발광 소자 및 그 제조방법 {Semiconductor Light Emitting Device and Manufacturing Method Thereof}
본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광구조물 상에 탄소 나노 튜브(Carbon NanoTube)를 재료로 하는 투명 전극을 갖는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
이러한 발광 다이오드는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있어 광원으로 사용할 수 있는 반도체 발광소자이다.
또한, 발광 다이오드는 필라멘트에 기초한 광원에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 III족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
이러한 III족 질화물 반도체를 이용한 발광소자는 기판 상에 n형 및 p형 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층을 구비하는 발광구조물을 성장시킴으로써 얻어진다. 며, III족 질화물 반도체를 이용한 발광소자는 발광구조물의 표면에는 광을 통과시킬 수 있는 투광성을 가지면서 동시에 전극으로 작용할 수 있도록 도전성을 갖는 투명 전극이 형성된다.
이러한 투명 전극을 형성하기 위한 재료로서 종래에는 주로 산화인듐주석(ITO) 박막이 주로 사용되었다. 상기 산화인듐주석(ITO)는 높은 수준의 도전성과 투광성을 갖는 것을 알려져 있으나, 원료가 되는 인듐의 생산량이 감소되면서 인듐 가격이 상승함으로써 반도체 발광소자의 생산 단가를 상승시키게 되고, 인듐 자원이 고갈되어 감에 따라 앞으로 인듐의 가격은 더욱 더 상승할 것으로 예측된다. 더하여, 산화인듐주석은 유연성이 부족하여 쉽게 부스러지는 단점을 갖는 한편, 저항이 크다는 단점이 있었다.
또한, 상기 산화인듐주석(ITO)와 같은 투명전극을 사용하는 경우, 투명전극과 플라스틱 기판간의 소재차이에 의한 열팽창계수차이에 의해서 발광소자를 제조하는 공정 및 발광소자가 발광하는 중에 기판이 변형되는 문제점이 있었다.
따라서, 당 기술 분야에서는 산화인듐주석을 대체할 수 있는 새로운 반도체 발광소자의 투명 전극 재료의 개발이 절실히 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 광효율이 높고, 제조공정을 단순화하면서 기판변형을 최소화하고, 소재간 접착이 안정적으로 유지될 수 있도록 탄소나노튜브를 투명 전극으로 사용한 반도체 발광소자 및 제조방법을 제공하고자 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 구체적인 수단으로서 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및
상기 p형 반도체층 상면에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 투명 전극을 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
바람직하게, 상기 투명 전극은 탄소 나노튜브 및 투광성 접착제를 혼합한 재료로 형성될 수 있다.
바람직하게, 상기 투명 전극은, 상기 p형 반도체층 상면과 접촉하며, 탄소 나노튜브로 이루어진 제1 전극층 및 상기 제1 전극층의 적어도 일부를 커버하도록 상기 제1 전극층 및 상기 p형 반도체층 상면과 접촉하며, 산화인듐주석(ITO)로 이루어진 제2 전극층을 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 투명 전극은, 상기 p형 반도체층 상면의 적어도 일부와 접촉하며, 상기 p형 반도체층 상면을 노출시키는 노출영역을 갖도록 형성되며, 산화인듐주석(ITO)로 이루어진 제1 전극층; 상기 노출영역의 적어도 일부에 형성되어 상기 p형 반도체층 상면의 적어도 일부와 접촉하며, 탄소 나노튜브로 이루어진 제2 전극층 및 상기 제2 전극층의 적어도 일부를 커버하도록 형성된 투광성 접착층을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계; 및 상기 p형 반도체층 상에 탄소 나노튜브를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공한다.
바람직하게, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는, 탄소 나노튜브와 투광성 접착제를 혼합하는 단계 및 상기 탄소 나노튜브와 투광성 접착제를 혼합된 재료를 이용하여 상기 p형 반도체층 상에 박막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는, 상기 p형 반도체층 상에, 상기 p형 반도체층 상면을 노출시키는 노출영역과 상면을 커버하는 차단영역이 패터닝된 마스크층을 형성하는 단계; 상기 노출영역 상에 탄소 나노튜브로 이루어진 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 마스크층을 제거하는 단계; 및 상기 제1 전극층의 적어도 일부를 커버하도록 상기 제1 전극층 및 상기 p형 반도체층 상면과 접촉하며, 산화인듐주석(ITO)로 이루어진 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 투명 전극을 형성하는 단계는, 상기 p형 반도체층 상에, 상기 p형 반도체층 상면을 노출시키는 노출영역과 상면을 커버하는 차단영역이 패터닝된 마스크층을 형성하는 단계; 상기 노출영역 상에 산화인듐주석(ITO)로 이루어진 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 마스크층을 제거하는 단계; 상기 마스크층이 제거되어 노출된 p형 반도체층 상면에 탄소 나노튜브로 이루어진 제2 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 전극층의 적어도 일부를 커버하도록 형성된 투광성 접착층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판상에 구비되는 발광구조물의 p형 반도체층 상면에 탄소 나노튜브를 포함하는 투명 전극을 형성함으로써, 종래의 투명전극을 갖는 반도체 발광소자에 비해 제조 비용이 저렴한 효과가 있다.
또한, p형 반도체층과 탄소 나노튜브와의 접착력을 향상시켜 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 저항이 낮고, 투과도가 높은 탄소 나노튜브로 인해 전기 전도도의 균일성이 우수하며, 가시광선 영역에서 우수한 투과도를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 4(a) 내지 도 4(c)는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 공정순으로 도시한 공정별 단면도이다.
도 5(a) 내지 도 5(d)는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 공정순으로 도시한 공정별 단면도이다.
도 6(a) 내지 도 6(e)는 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 공정순으로 도시한 공정별 단면도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 첨부된 도면을 따라 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도로서, 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 발광소자(100)는 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(110)의 상면에 순차적으로 n형 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)이 적층된다.
그리고, 투명 전극(150)이 p형 반도체층(140)과 전기적으로 접촉되도록 형성되며, n형 전극이 n형 반도체층(120) 상에 형성된다. 도시하지는 않았지만, 투명 전극(150)의 상면에는 p형 전극이 더 형성될 수 있다.
상기 기판(110)은 질화물 반도체층의 성장을 위해 제공되는 성장용 기판으로서, 고저항성 기판이며 주로 사파이어 기판을 사용할 수 있다.
이러한 사파이어 기판은 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a축 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다. 하지만, 본 실시예에서 기판(110)은 사파이어 기판으로 제한되는 것은 아니며, 사파이어 기판 대신 SiC, Si, GaN, AlN 등으로 이루어진 기판도 사용 가능하다.
그리고, n형 반도체층(120) 및 p형 반도체층(140)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖고, 각각 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 대표적으로, GaN, AlGaN, InGaN이 있다.
또한, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 또는 C 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn 또는 Be 등이 대표적이다.
상기 n형 및 p형 반도체층(120, 140)은 질화물 반도체층 성장에 관하여 공지된 공정을 이용할 수 있으며, 예컨대, 유기금속 기상증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 및 하이드라이드 기상증착법(HVPE) 등이 이에 해당한다.
그리고, 도시하지는 않았지만, 기판(110)과 n형 반도체층(120) 사이의 격자부정합을 완화하기 위해 버퍼층(미도시)이 기판(110) 상에 형성될 수 있으며, 이러한 버퍼층은 III-V족 질화물계 화합물 반도체로 이루어진 n형 물질층 또는 언도프(undoped) 물질층으로서, AlN 또는 n-GaN을 포함하는 저온핵성장층일 수 있다.
그리고, 상기 활성층(130)은 전자-정공의 캐리어 재결합에 의해 광방출이 일어나는 물질층으로서, 복수개의 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 적층된 다중양자우물 구조(Multi Quantum Well: MQW)를 갖는 GaN 계열의 III-V족 질화물계 화합물 반도체층이 바람직하며, 그 중에서도 양자장벽층은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0<y≤1, 0<x+y≤1)으로 이루어질 수 있으며, 양자우물층은 InzGa(1-z)N(0≤z≤1)으로 이루어질 수 있다. 이때, 양자장벽층은 p형 반도체층(140)으로부터 주입되는 정공이 터널링가능한 두께를 갖는 초격자구조로 이루어질 수 있다.
이러한 활성층(130)에서 생성된 빛은 p형 반도체층(140) 또는 기판(110)을 통해 반도체 발광소자의 외부로 방출될 수 있다. 특히 p형 반도체층(140)를 통해 반도체 발광소자의 외부로 빛이 방출되는 구조에서, p형 반도체층(140)과의 오믹 접촉을 형성하면서 방출되는 빛의 손실을 막기 위해 도전성을 갖는 투명 전극(150)이 p형 반도체층(140)의 상면에 형성된다.
본 발명의 제1실시예에서, 상기 투명 전극(150)은 탄소 나노튜브(Carbon NanoTube)를 포함하는 특징을 갖는다.
즉, 탄소들이 벌집처럼 연결되어 다발 형태를 이루는 탄소 나노튜브는 1나노미터의 크기로, 강철보다 100배 강하고 구리보다 1천 배 우수한 전기 전도성을 가지며, 적외선 영역 및 가시광선 영역에서 우수한 광 투과성을 갖는다.
이러한 탄소 나노튜브는 완벽한 구조와 더불어 기계적?물리적?전기적 및 열적 특성을 갖고 있으며, 전기전자?정보통신 등 폭넓은 분야에서 응용 가능성이 제시되면서 차세대 전자소자 소재로 주목 받고 있다.
한편, 상기 탄소 나노튜브는 p형 반도체층(140)과의 접착이 강하게 이루어지지 못하는 단점이 있는데, 이러한 단점을 해소하기 위해, 본 발명에서는 탄소 나노튜브 및 투광성 접착제를 혼합한 재료로 투명 전극(150)을 형성한다. 이를 통해 투광성을 유지하면서 전기적으로 우수한 특성을 갖는 탄소 나노튜브로 이루어진 투명전극을 형성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다. 도 1과 비교할 때, 도 2에 도시된 본 발명의 제2실시형태는, 투명 전극의 구조에서 차이점을 갖는다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 발광소자(100a)는, 탄소 나노튜브로 이루어진 제1 전극층(150a)과 이를 커버하는 산화인듐주석으로 이루어진 제2 전극층(150b)를 포함하는 구조로 형성될 수 있다.
이와 같이, 도 2의 실시예에서, 접착력이 약한 탄소 나노튜브로 이루어진 제1 전극층(150a)을 산화인듐주석(ITO)으로 이루어진 제2 전극층(150b)이 덮어 커버함으로써 탄소 나노튜브의 약한 접착성을 보완할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도로서, 도 1 및 도 2과 비교할 때, 도 3에 도시된 본 발명의 제3실시예 역시 투명 전극의 구조에서 차이점을 갖는다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 반도체 발광소자(100c)는, 산화인듐주석(ITO)으로 이루어진 제1 전극층(150c)과 탄소 나노튜브로 이루어진 제2 전극층(150d) 및 투광성 접착층(150e)을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 이와 같이, 도 2의 제2실시예와 유사하게, 접착력이 약한 탄소 나노튜브로 이루어진 제2 전극층(150d)을 투광성 접착층(150e)로 덮어 커버함으로써 탄소 나노튜브의 약한 접착성을 보완할 수 있는 것이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 공정순으로 도시한 공정별 단면도이다.
먼저, 도 4(a)를 참조하면, 기판(110) 상에 n형 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)을 순차 적층하여 발광구조물을 형성한다.
이어서, 도 4(b)에 도시한 것과 같이, 도 4(a)에서 얻어진 구조물에서 p형 반도체층(140) 및 활성층(130)의 일부 영역을 식각하여 n형 반도체층(120)을 노출시킨다.
이어, 도 4(c)에 도시한 것과 같이, 도 4(b)에서 얻어진 구조물에서, p형 반도체층(140)의 상면에 접촉하도록 탄소 나노튜브를 포함하는 투명 전극(150)을 형성한다. 도 4(c)에 도시된 실시형태는, 탄소 나노튜브를 포함하는 투명 전극(150)을 형성하기 이전에 탄소 나노튜브와 투광성 접착제를 혼합하는 과정을 포함한다.
이와 같이, 투광성 접착제가 혼한됩 탄소 나노튜브는 CVD공정 및 스프레이공정을 이용하여 p형 반도체층(140)상에 형성될 수 있다. 투광성 접착제와 탄소 나노튜브를 혼합한 재료를 사용함으로써, 투광성을 유지하면서도 접착성이 떨어지는 탄소 나노튜브의 단점을 보완할 수 있다.
다음으로 도 5는 도 2에 도시된 제2실시예에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 공정순으로 도시한다. 발광구조물을 형성하고 메사식각을 진행하는 공정은 도 4(a)와 4(b)에 도시된 공정과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 5(a)에 도시한 바와 같이, p형 반도체층(140)의 상면에 p형 반도체층(140)의 상면을 노출시키는 마스크층(170)을 형성한다. 상기 마스크층(170)이 형성하는 p 형 반도체층(140)의 노출영역은 특정 패턴을 갖도록 패터닝될 수 있다.
이어서, 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 상기 마스크층(170)이 형성한 노출영역에 탄소 나노튜브를 충진하여 탄소 나노튜브로 이루어진 제1 전극층(150a)을 형성한다.
이어서, 도 5(c)에 도시한 바와 같이, 상기 마스크층(170)을 제거하고, 최종적으로 도 5(d)에 도시한 바와 같이, 상기 제1 전극층(150a)을 커버하는 형태로 산화인듐주석을 재료로 하는 제2전극층(150b)을 형성할 수 있다.
이와 같이, 도 5의 제2실시예에서는 접착력이 부족한 탄소 나노튜브로 이루어진 제1 전극층(150a)을 산화인듐주석으로 이루어진 제2 전극층(150b)이 덮어 커버하는 구조를 가짐으로써, 제2 전극층(150)에 의해 탄소 나노튜브의 약한 접착성을 보완할 수 있다.
다음으로 도 6은 도 3에 도시된 제3실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조방법을 공정순으로 도시한다. 발광구조물을 형성하고 메사식각을 진행하는 공정은 도 4(a)와 4(b)에 도시된 공정과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 6(a)에 도시한 바와 같이, p형 반도체층(140)의 상면에 p형 반도체층(140)의 상면을 노출시키는 마스크층(180)을 형성한다. 상기 마스크층(180)이 형성하는 p 형 반도체층(140)의 노출영역은 특정 패턴을 갖도록 패터닝될 수 있다.
이어서, 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 마스크층(180)이 형성한 노출영역에 산화인듐주석으로 이루어진 제1 전극층(150c)을 형성한다.
이어서, 도 6(c)에 도시한 바와 같이, 마스크층(180)을 제거하고, 도 6의 (d)에 도시한 바와 같이, 마스크층(180)이 제거됨으로써 노출된 p형 반도체층(140)의 상면에 상기 제1 전극층(150c)과 유사한 레벨로 제2 전극층(150d)을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극층(150d)는 탄소 나노튜브를 충진함으로써 형성될 수 있다. 이 공정에서 제1 전극층(150c)은 제2 전극층(150d)를 형성하기 위한 마스크로서 작용할 수 있다.
이어서, 도 6(e)에 도시한 바와 같이, 산화인듐주석으로 이루어진 제1 전극층(150c)과 탄소 나노튜브로 이루어진 제2 전극층(150d)을 커버하도록 투광성 접착층(150e)을 형성한다.
이와 같이, 도 6에 도시된 실시형태는, 접착력이 약한 탄소 나노튜브로 이루어진 제2 전극층(150d)을 투광성 접착층(150e)으로 덮어 커버함으로써 투광성을 유지하면서 탄소 나노튜브가 갖는 약한 접착성을 보완할 수 있다. 더하여, 매우 한정된 부분에만 산화인듐주석을 사용하여 인듐사용량을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다.
110: 기판 120: n형 반도체층
130: 활성층 140: p형 반도체층
150: 투명 전극 150e: 투광성 접착층

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및
    상기 p형 반도체층 상면에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 투명 전극
    을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전극은 탄소 나노튜브 및 투광성 접착제를 혼합한 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전극은,
    상기 p형 반도체층 상면과 접촉하며, 탄소 나노튜브로 이루어진 제1 전극층; 및
    상기 제1 전극층의 적어도 일부를 커버하도록 상기 제1 전극층 및 상기 p형 반도체층 상면과 접촉하며, 산화인듐주석(ITO)로 이루어진 제2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전극은,
    상기 p형 반도체층 상면의 적어도 일부와 접촉하며, 상기 p형 반도체층 상면을 노출시키는 노출영역을 갖도록 형성되며, 산화인듐주석(ITO)로 이루어진 제1 전극층;
    상기 노출영역의 적어도 일부에 형성되어 상기 p형 반도체층 상면의 적어도 일부와 접촉하며, 탄소 나노튜브로 이루어진 제2 전극층 및
    상기 제2 전극층의 적어도 일부를 커버하도록 형성된 투광성 접착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계; 및
    상기 p형 반도체층 상에 탄소 나노튜브를 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 투명 전극을 형성하는 단계는,
    탄소 나노튜브와 투광성 접착제를 혼합하는 단계; 및
    상기 탄소 나노튜브와 투광성 접착제를 혼합된 재료를 이용하여 상기 p형 반도체층 상에 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 투명 전극을 형성하는 단계는,
    상기 p형 반도체층 상에, 상기 p형 반도체층 상면을 노출시키는 노출영역과 상면을 커버하는 차단영역이 패터닝된 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 노출영역 상에 탄소 나노튜브로 이루어진 제1 전극층을 형성하는 단계;
    상기 마스크층을 제거하는 단계; 및
    상기 제1 전극층의 적어도 일부를 커버하도록 상기 제1 전극층 및 상기 p형 반도체층 상면과 접촉하며, 산화인듐주석(ITO)로 이루어진 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 투명 전극을 형성하는 단계는,
    상기 p형 반도체층 상에, 상기 p형 반도체층 상면을 노출시키는 노출영역과 상면을 커버하는 차단영역이 패터닝된 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 노출영역 상에 산화인듐주석(ITO)로 이루어진 제1 전극층을 형성하는 단계;
    상기 마스크층을 제거하는 단계;
    상기 마스크층이 제거되어 노출된 p형 반도체층 상면에 탄소 나노튜브로 이루어진 제2 전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극층의 적어도 일부를 커버하도록 형성된 투광성 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
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