JP3497740B2 - カーボンナノチューブの製造方法及び電界放出型冷陰極装置の製造方法 - Google Patents
カーボンナノチューブの製造方法及び電界放出型冷陰極装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3497740B2 JP3497740B2 JP25551598A JP25551598A JP3497740B2 JP 3497740 B2 JP3497740 B2 JP 3497740B2 JP 25551598 A JP25551598 A JP 25551598A JP 25551598 A JP25551598 A JP 25551598A JP 3497740 B2 JP3497740 B2 JP 3497740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- carbon nanotubes
- field emission
- magnetic field
- cold cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワーデバイス、
ディスプレイ、陰極線管、エミッタ、ランプ、電子銃等
に用いられ、優れた電流強度安定性を示すカーボンナノ
チューブの製造方法及び電界放出型冷陰極装置の製造方
法に関する。
ディスプレイ、陰極線管、エミッタ、ランプ、電子銃等
に用いられ、優れた電流強度安定性を示すカーボンナノ
チューブの製造方法及び電界放出型冷陰極装置の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路を中心に発達して
きた微細加工技術を用いた微小冷陰極の開発が活発に進
められている。これまでに、超高周波素子、フラット・
デスプレイ、光源、センサなどの応用研究が行われてお
り、その電子源の特徴を生かした、半導体の固体素子の
限界を超えるデバイスの開発への期待が寄せられてい
る。その典型的な例としてはＣ．Ａ．Ｓｐｒｉｎｔによ
り提案された電界放出型冷陰極が知られている。
きた微細加工技術を用いた微小冷陰極の開発が活発に進
められている。これまでに、超高周波素子、フラット・
デスプレイ、光源、センサなどの応用研究が行われてお
り、その電子源の特徴を生かした、半導体の固体素子の
限界を超えるデバイスの開発への期待が寄せられてい
る。その典型的な例としてはＣ．Ａ．Ｓｐｒｉｎｔによ
り提案された電界放出型冷陰極が知られている。
【０００３】この電界放出型冷陰極の一例を図７に示
す。図７に示すように、シリコン基板１上にＳｉＯ2 膜
２が形成され、このＳｉＯ2 膜２上にはゲート層３が形
成されている。そして、このＳｉＯ2 膜２，ゲート層３
を除去することにより露出したシリコン基板１表面には
Ｍｏ等からなるエミッタ１２１が複数設けられている。
エミッタ１２１はその先端部ができるだけ鋭い形状とな
るように、縦断面がほぼ三角となるように形成されてい
る。
す。図７に示すように、シリコン基板１上にＳｉＯ2 膜
２が形成され、このＳｉＯ2 膜２上にはゲート層３が形
成されている。そして、このＳｉＯ2 膜２，ゲート層３
を除去することにより露出したシリコン基板１表面には
Ｍｏ等からなるエミッタ１２１が複数設けられている。
エミッタ１２１はその先端部ができるだけ鋭い形状とな
るように、縦断面がほぼ三角となるように形成されてい
る。
【０００４】一般に、電界放出電流を高めるため、冷陰
極であるエミッタ１２１の先端部は、曲率半径を小さく
して強電界をその部分に集中させる必要がある。また、
エミッタアレイの集積度を上げることも必要とされてい
る。そのため、個々のエミッタ間の距離も小さくなけれ
ばならない。特にパワーデバイスなどの用途には大放出
電流が必要とされている。
極であるエミッタ１２１の先端部は、曲率半径を小さく
して強電界をその部分に集中させる必要がある。また、
エミッタアレイの集積度を上げることも必要とされてい
る。そのため、個々のエミッタ間の距離も小さくなけれ
ばならない。特にパワーデバイスなどの用途には大放出
電流が必要とされている。
【０００５】しかしながら、上述した電界放出型冷陰極
では、エミッタ１２１の先端により電界集中させるた
め、エミッタ１２１先端部形成に際してナノオーダーサ
イズの制御が不可欠であるが、現在の微細加工技術で
は、エミッタ先端部の形状にバラツキが生じ易く、エミ
ッタ間の距離が大きく集積度が低いため、電界放出電流
の低下などの問題が生じていた。
では、エミッタ１２１の先端により電界集中させるた
め、エミッタ１２１先端部形成に際してナノオーダーサ
イズの制御が不可欠であるが、現在の微細加工技術で
は、エミッタ先端部の形状にバラツキが生じ易く、エミ
ッタ間の距離が大きく集積度が低いため、電界放出電流
の低下などの問題が生じていた。
【０００６】そこで、電界放出陰極として安定した大電
流放出の実現に向けた提案のうち、カーボンナノチュー
ブを用いた電子放出の試みがある。カーボンナノチュー
ブとは、円筒状に巻いたグラファイト層が入れ子状にな
ったもので、太さが数十ｎｍ以下という極めて細い径を
有している。このカーボンナノチューブは前述のように
元々先端の曲率半径が小さいため、このような工程を特
に設ける必要がなく、簡便な工程で電子放出効率の高い
電流強度安定性の優れた電資源を作製することができ
る。また、カーボンナノチューブは耐酸化性、耐イオン
衝撃性に優れ、残留ガスのイオン化によるエミッタアレ
イのダメージを抑制できるため、安定した高電流放出の
エミッタアレイとして有望である。さらに、カーボンナ
ノチューブはサイズが極微小なため、エミッタ間隔を狭
くした構造とするのに好適である。
流放出の実現に向けた提案のうち、カーボンナノチュー
ブを用いた電子放出の試みがある。カーボンナノチュー
ブとは、円筒状に巻いたグラファイト層が入れ子状にな
ったもので、太さが数十ｎｍ以下という極めて細い径を
有している。このカーボンナノチューブは前述のように
元々先端の曲率半径が小さいため、このような工程を特
に設ける必要がなく、簡便な工程で電子放出効率の高い
電流強度安定性の優れた電資源を作製することができ
る。また、カーボンナノチューブは耐酸化性、耐イオン
衝撃性に優れ、残留ガスのイオン化によるエミッタアレ
イのダメージを抑制できるため、安定した高電流放出の
エミッタアレイとして有望である。さらに、カーボンナ
ノチューブはサイズが極微小なため、エミッタ間隔を狭
くした構造とするのに好適である。
【０００７】カーボンナノチューブにはこのような利点
があるものの、その製造方法に関し、以下のような問題
点があった。従来法としては、アーク放電法と、金属触
媒を種にしてＣＶＤ法が挙げられる。
があるものの、その製造方法に関し、以下のような問題
点があった。従来法としては、アーク放電法と、金属触
媒を種にしてＣＶＤ法が挙げられる。
【０００８】第１に、アーク放電法を用いて形成した場
合は、カーボンナノチューブのそれぞれの先端の方向が
不揃いになり易く、また束ねて方向をある程度揃えるこ
とができても、ミクロン的に適度な間隔を置いて配置す
ることが難しく、このために個々のカーボンナノチュー
ブに十分な電圧を印加できるような構造にすることが困
難であった。
合は、カーボンナノチューブのそれぞれの先端の方向が
不揃いになり易く、また束ねて方向をある程度揃えるこ
とができても、ミクロン的に適度な間隔を置いて配置す
ることが難しく、このために個々のカーボンナノチュー
ブに十分な電圧を印加できるような構造にすることが困
難であった。
【０００９】第２に、Ｆｅ、Ｎｉなどの金属触媒を用い
る場合、これらの金属触媒のあるところに選択的にＣＶ
Ｄ成長することができるが、この場合も、カーボンナノ
チューブが非常に長細く、アスペクト比が高いため、従
来の技術では、生えてきたナノチューブが金属種から任
意の方向に伸びて成長し、垂直に成長させることが不可
能であった。
る場合、これらの金属触媒のあるところに選択的にＣＶ
Ｄ成長することができるが、この場合も、カーボンナノ
チューブが非常に長細く、アスペクト比が高いため、従
来の技術では、生えてきたナノチューブが金属種から任
意の方向に伸びて成長し、垂直に成長させることが不可
能であった。
【００１０】Ｎｉを金属触媒としてＣＶＤ法により成長
させたカーボンナノチューブのＳＥＭ写真を図８に示
す。図８（ａ）に金属触媒となるＮｉの配置を示し、図
８（ｂ）に従来のＣＶＤ法により成長させたカーボンナ
ノチューブを示す。これらのＳＥＭ写真から、ナノチュ
ーブが金属触媒から選択成長するものの、垂直に伸び
ず、任意の方向に配置され、先端の方向が不揃いとなる
ことが明らかである。従って、従来の成長法では、エミ
ッタとして同方向に配列することが困難であり、個々の
エミッタに均等に電界を掛けることが不可能であった。
従って、十分なエミッション電流を得ることが困難であ
った。
させたカーボンナノチューブのＳＥＭ写真を図８に示
す。図８（ａ）に金属触媒となるＮｉの配置を示し、図
８（ｂ）に従来のＣＶＤ法により成長させたカーボンナ
ノチューブを示す。これらのＳＥＭ写真から、ナノチュ
ーブが金属触媒から選択成長するものの、垂直に伸び
ず、任意の方向に配置され、先端の方向が不揃いとなる
ことが明らかである。従って、従来の成長法では、エミ
ッタとして同方向に配列することが困難であり、個々の
エミッタに均等に電界を掛けることが不可能であった。
従って、十分なエミッション電流を得ることが困難であ
った。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
電界放出型冷陰極の構造は、第１にエミッタ先端形状の
制御が難しく、エミッタ間の間隔が大きく、パワーデバ
イス等に適用できるような安定した大放出電流が得られ
ていない。
電界放出型冷陰極の構造は、第１にエミッタ先端形状の
制御が難しく、エミッタ間の間隔が大きく、パワーデバ
イス等に適用できるような安定した大放出電流が得られ
ていない。
【００１２】第２に、カーボンナノチューブの場合、ナ
ノチューブが方向を揃えることが難しく、エミッタアレ
イとして用いる場合、個々のエミッタに十分な電圧印加
が行われていないことが問題であった。従って、十分な
放出電流が得られていない。
ノチューブが方向を揃えることが難しく、エミッタアレ
イとして用いる場合、個々のエミッタに十分な電圧印加
が行われていないことが問題であった。従って、十分な
放出電流が得られていない。
【００１３】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、その目的とするところは、個々のエミッタに
十分な電圧を印加し、安定した大放出電流を得ることが
できる電界放出型冷陰極装置の製造方法を提供すること
にある。また、本発明の別の目的は、上記電界放出型冷
陰極装置に用いられるカーボンナノチューブの製造方法
を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、個々のエミッタに
十分な電圧を印加し、安定した大放出電流を得ることが
できる電界放出型冷陰極装置の製造方法を提供すること
にある。また、本発明の別の目的は、上記電界放出型冷
陰極装置に用いられるカーボンナノチューブの製造方法
を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係るカーボンナ
ノチューブの製造方法は、半導体、金属又は絶縁体の基
板上に選択的に露出した磁性材料からなる金属触媒ドッ
トに、前記基板表面に対して垂直方向に磁界を印加して
カーボンナノチューブを選択的に成長させ、前記金属触
媒ドットを該カーボンナノチューブの先端部に残存させ
ることを特徴とする。
ノチューブの製造方法は、半導体、金属又は絶縁体の基
板上に選択的に露出した磁性材料からなる金属触媒ドッ
トに、前記基板表面に対して垂直方向に磁界を印加して
カーボンナノチューブを選択的に成長させ、前記金属触
媒ドットを該カーボンナノチューブの先端部に残存させ
ることを特徴とする。
【００１５】また、本発明に係る電界放出型冷陰極装置
の製造方法は、半導体又は金属の基板上に絶縁膜及び金
属層を積層して形成する工程と、前記絶縁膜及び前記金
属層をエッチングして開口部を形成する工程とを含む電
界放出型冷陰極の製造方法であって、前記開口部を形成
する前又は後に、磁性材料が露出するように前記基板表
面に磁性材料を形成する工程と、前記基板上に選択的に
露出した磁性材料からなる金属触媒ドットに、前記基板
表面に対して垂直方向に磁界を印加してカーボンナノチ
ューブを選択的に成長させ、該金属触媒ドットを該カー
ボンナノチューブの先端部に残存させる工程とを含むこ
とを特徴とする。
の製造方法は、半導体又は金属の基板上に絶縁膜及び金
属層を積層して形成する工程と、前記絶縁膜及び前記金
属層をエッチングして開口部を形成する工程とを含む電
界放出型冷陰極の製造方法であって、前記開口部を形成
する前又は後に、磁性材料が露出するように前記基板表
面に磁性材料を形成する工程と、前記基板上に選択的に
露出した磁性材料からなる金属触媒ドットに、前記基板
表面に対して垂直方向に磁界を印加してカーボンナノチ
ューブを選択的に成長させ、該金属触媒ドットを該カー
ボンナノチューブの先端部に残存させる工程とを含むこ
とを特徴とする。
【００１６】本発明の望ましい形態を以下に示す。
（１）絶縁膜及び金属層を形成する前に、基板上に磁性
材料からなる薄膜を形成し、絶縁膜及び金属層を選択的
に除去して開口部を形成することにより、あるいは開口
部を形成した後に、磁性材料を成膜し、リフトオフする
ことにより、基板上に選択的に磁性材料を露出させる。 （３）磁性材料としてＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉを用いるのが望
ましいが、強磁性材料であれば何でもよい。 （４）基板表面に対して垂直方向に磁場を印加しながら
電界放出させる。 （５）カーボンナノチューブの成長方向に対して横方向
の磁場印加する動作と縦方向の磁場を印加する動作とに
より、磁場による電界エミッションをスイッチングす
る。
材料からなる薄膜を形成し、絶縁膜及び金属層を選択的
に除去して開口部を形成することにより、あるいは開口
部を形成した後に、磁性材料を成膜し、リフトオフする
ことにより、基板上に選択的に磁性材料を露出させる。 （３）磁性材料としてＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉを用いるのが望
ましいが、強磁性材料であれば何でもよい。 （４）基板表面に対して垂直方向に磁場を印加しながら
電界放出させる。 （５）カーボンナノチューブの成長方向に対して横方向
の磁場印加する動作と縦方向の磁場を印加する動作とに
より、磁場による電界エミッションをスイッチングす
る。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】以下の構成の発明でも本発明と同じ効果が
得られる。 （１）半導体又は絶縁体の基板と、この基板上に形成さ
れた金属層と、この金属層上に選択的に形成されたゲー
ト電極と、前記金属層の露出した表面に同じ方向に配列
し、かつ該金属層から先端が突出した複数のカーボンナ
ノチューブにより形成されるエミッタ電極とを具備して
なる。 （２）半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、選択的
エッチングにより絶縁膜を除去し、露出した半導体基板
に多孔質材料からなる多孔質層を形成する工程と、多孔
質層の細孔の中にナノチューブを同じ方向に配列又は成
長させることによりナノチューブアレイを形成し、かつ
ナノチューブの先端部を突出させる工程と、突出したナ
ノチューブの先端部を包むように金属膜を成膜する工程
と、金属膜にガラス基板を接着することによりナノチュ
ーブアレイをガラス基板に転写する工程と、半導体基板
を所定の膜厚だけ除去し、かつ多孔質層を全部除去する
ことによりカーボンナノチューブの先端部を突出させ、
ゲート付のカーボンナノチューブエミッタアレイを形成
する工程からなる。 （３）（２）において、金属膜を成膜する前に、隣接す
る多孔質層間に形成された基板の表面から多孔質層側面
にかけて基板を酸化させてゲート絶縁膜を形成する。
得られる。 （１）半導体又は絶縁体の基板と、この基板上に形成さ
れた金属層と、この金属層上に選択的に形成されたゲー
ト電極と、前記金属層の露出した表面に同じ方向に配列
し、かつ該金属層から先端が突出した複数のカーボンナ
ノチューブにより形成されるエミッタ電極とを具備して
なる。 （２）半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、選択的
エッチングにより絶縁膜を除去し、露出した半導体基板
に多孔質材料からなる多孔質層を形成する工程と、多孔
質層の細孔の中にナノチューブを同じ方向に配列又は成
長させることによりナノチューブアレイを形成し、かつ
ナノチューブの先端部を突出させる工程と、突出したナ
ノチューブの先端部を包むように金属膜を成膜する工程
と、金属膜にガラス基板を接着することによりナノチュ
ーブアレイをガラス基板に転写する工程と、半導体基板
を所定の膜厚だけ除去し、かつ多孔質層を全部除去する
ことによりカーボンナノチューブの先端部を突出させ、
ゲート付のカーボンナノチューブエミッタアレイを形成
する工程からなる。 （３）（２）において、金属膜を成膜する前に、隣接す
る多孔質層間に形成された基板の表面から多孔質層側面
にかけて基板を酸化させてゲート絶縁膜を形成する。
【００２１】（作用）本発明では
、半導体又は絶縁体の基板上にカーボンナノ
チューブを選択的に成長させる際に、選択的に形成され
た磁性材料を基板上に形成し、この磁性材料に基板表面
に対して垂直方向に磁界を印加して磁性材料を吸引しな
がら行う。これにより、カーボンナノチューブは、基板
表面に対して垂直方向にばらつきなく成長させることが
でき、ミクロン的に適度な間隔をおいて配置することが
可能となる。このように形成されたカーボンナノチュー
ブをエミッタアレイとした電界放出型冷陰極装置を用い
れば、個々のエミッタに均等に電界をかけることが可能
となり、十分なエミッション電流を得ることができる。
チューブを選択的に成長させる際に、選択的に形成され
た磁性材料を基板上に形成し、この磁性材料に基板表面
に対して垂直方向に磁界を印加して磁性材料を吸引しな
がら行う。これにより、カーボンナノチューブは、基板
表面に対して垂直方向にばらつきなく成長させることが
でき、ミクロン的に適度な間隔をおいて配置することが
可能となる。このように形成されたカーボンナノチュー
ブをエミッタアレイとした電界放出型冷陰極装置を用い
れば、個々のエミッタに均等に電界をかけることが可能
となり、十分なエミッション電流を得ることができる。
【００２２】
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。 （第１実施形態）図１〜図３は本発明の第１実施形態に
係る電界放出型冷陰極装置の製造方法を説明するための
図である。図１は本実施形態に係る電界放出型冷陰極装
置の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態で
は、強磁性のＦｅ金属触媒を用い、磁場を印加しながら
ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブを成長させたエミ
ッタアレイである。以下図１に沿って製造工程を説明す
る。
の実施形態を説明する。 （第１実施形態）図１〜図３は本発明の第１実施形態に
係る電界放出型冷陰極装置の製造方法を説明するための
図である。図１は本実施形態に係る電界放出型冷陰極装
置の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態で
は、強磁性のＦｅ金属触媒を用い、磁場を印加しながら
ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブを成長させたエミ
ッタアレイである。以下図１に沿って製造工程を説明す
る。
【００２４】先ず、図１（ａ）に示すように、通常の半
導体ウェハの標準洗浄により表面処理したｎ型のシリコ
ン基板１を用意する。次に、シリコン基板１の上にＳｉ
Ｏ2膜２を熱酸化法またはＣＶＤ法により成膜する。さ
らに、ＳｉＯ2 膜２の上にＣｒからなるゲート層３をス
パッタ法により成膜する。このゲート層３の上にさらに
レジスト４を塗布し、リソグラフィ工程を用いてパター
ニングをする。
導体ウェハの標準洗浄により表面処理したｎ型のシリコ
ン基板１を用意する。次に、シリコン基板１の上にＳｉ
Ｏ2膜２を熱酸化法またはＣＶＤ法により成膜する。さ
らに、ＳｉＯ2 膜２の上にＣｒからなるゲート層３をス
パッタ法により成膜する。このゲート層３の上にさらに
レジスト４を塗布し、リソグラフィ工程を用いてパター
ニングをする。
【００２５】次に、図１（ｂ）に示すように、シリコン
基板１が露出するまでＳｉＯ2 膜２，ゲート層３をエッ
チングする。次に、金属触媒となるＦｅ薄膜５をスパッ
タ法により成膜し、リフトオフによりサブミクロンオー
ダーのＦｅからなるＦｅドット６を露出したシリコン基
板１表面に形成する。
基板１が露出するまでＳｉＯ2 膜２，ゲート層３をエッ
チングする。次に、金属触媒となるＦｅ薄膜５をスパッ
タ法により成膜し、リフトオフによりサブミクロンオー
ダーのＦｅからなるＦｅドット６を露出したシリコン基
板１表面に形成する。
【００２６】次に、図１（ｃ）に示すように、電磁石７
をシリコン基板１に対向配置し、１テスラ以上の強磁場
をシリコン基板１表面に対して垂直方向にかけることに
より、Ｆｅドット６のＦｅのスピン方向を同一方向に揃
える。そして、再び電磁石７を用いて弱磁場をかけなが
ら、該Ｆｅドット６を種にＣＶＤ法によりカーボンナノ
チューブ８を成長させる。具体的には、メタンガスと水
素を供給しながら真空度を１００Ｔｏｒｒに保ち、１０
００℃で２０分間成長させてカーボンナノチューブ８を
形成する。金属触媒となっていたＦｅドット６はカーボ
ンナノチューブ８の成長に伴って、常にナノチューブ８
の先端に上っていく。
をシリコン基板１に対向配置し、１テスラ以上の強磁場
をシリコン基板１表面に対して垂直方向にかけることに
より、Ｆｅドット６のＦｅのスピン方向を同一方向に揃
える。そして、再び電磁石７を用いて弱磁場をかけなが
ら、該Ｆｅドット６を種にＣＶＤ法によりカーボンナノ
チューブ８を成長させる。具体的には、メタンガスと水
素を供給しながら真空度を１００Ｔｏｒｒに保ち、１０
００℃で２０分間成長させてカーボンナノチューブ８を
形成する。金属触媒となっていたＦｅドット６はカーボ
ンナノチューブ８の成長に伴って、常にナノチューブ８
の先端に上っていく。
【００２７】図２は、カーボンナノチューブ８の成長の
際の金属触媒Ｆｅドット６のスピン方向を揃えるための
強磁場印加の様子を示す断面図である。図２に示すよう
に、電磁石７によりシリコン基板１に垂直方向に強磁場
を印加することにより、Ｆｅドット６のスピン方向が印
加された磁場に一致し、垂直方向に揃える。その後のＣ
ＶＤ成長に際して、同様な垂直方向の磁場を印加する
と、Ｆｅドット６が磁場に常に吸引され、カーボンナノ
チューブは真っ直ぐに成長することができる。
際の金属触媒Ｆｅドット６のスピン方向を揃えるための
強磁場印加の様子を示す断面図である。図２に示すよう
に、電磁石７によりシリコン基板１に垂直方向に強磁場
を印加することにより、Ｆｅドット６のスピン方向が印
加された磁場に一致し、垂直方向に揃える。その後のＣ
ＶＤ成長に際して、同様な垂直方向の磁場を印加する
と、Ｆｅドット６が磁場に常に吸引され、カーボンナノ
チューブは真っ直ぐに成長することができる。
【００２８】図３は、以上に示した製造方法により製造
されたカーボンナノチューブ８の先端のＴＥＭ写真を示
す。図３から分かるように、金属触媒であるＦｅドット
６はカーボンナノチューブ８の成長に伴い、常にナノチ
ューブ８の先端にあり、製造されたナノチューブ８にお
いてもＦｅドット６がナノチューブ８の先端に位置して
いることが分かる。
されたカーボンナノチューブ８の先端のＴＥＭ写真を示
す。図３から分かるように、金属触媒であるＦｅドット
６はカーボンナノチューブ８の成長に伴い、常にナノチ
ューブ８の先端にあり、製造されたナノチューブ８にお
いてもＦｅドット６がナノチューブ８の先端に位置して
いることが分かる。
【００２９】以上の工程により最終的にはＦｅドット６
を先端にしたカーボンナノチューブアレイが形成され
る。Ｆｅのドットあるいはナノチューブの先端が常に磁
場に吸引されて真っ直ぐに成長したナノチューブアレイ
となり、チューブの方向が揃ったアレイをエミッタアレ
イが得られる。最後に、図１（ｄ）に示すように、アノ
ード電極９をエミッタアレイに対向するように形成し、
またシリコン基板１表面に対して垂直方向に磁場が発生
するように電磁石１０をシリコン基板１に対向して配置
する。
を先端にしたカーボンナノチューブアレイが形成され
る。Ｆｅのドットあるいはナノチューブの先端が常に磁
場に吸引されて真っ直ぐに成長したナノチューブアレイ
となり、チューブの方向が揃ったアレイをエミッタアレ
イが得られる。最後に、図１（ｄ）に示すように、アノ
ード電極９をエミッタアレイに対向するように形成し、
またシリコン基板１表面に対して垂直方向に磁場が発生
するように電磁石１０をシリコン基板１に対向して配置
する。
【００３０】このようにして製造された電界放出型冷陰
極装置の断面構造は、シリコン基板１上にＳｉＯ2 膜２
とゲート層３が設けられ、開口部に垂直となるカーボン
ナノチューブ８で構成されるエミッタアレイが設けら
れ、これらのナノチューブ８の先端部にＦｅドット６が
存在する。このカーボンナノチューブアレイはシリコン
基板1 を通して電力が供給され、電界放出型冷陰極とし
て機能する。電界とともに、磁場を印加することにより
高効率の電界放出電流が得られる。
極装置の断面構造は、シリコン基板１上にＳｉＯ2 膜２
とゲート層３が設けられ、開口部に垂直となるカーボン
ナノチューブ８で構成されるエミッタアレイが設けら
れ、これらのナノチューブ８の先端部にＦｅドット６が
存在する。このカーボンナノチューブアレイはシリコン
基板1 を通して電力が供給され、電界放出型冷陰極とし
て機能する。電界とともに、磁場を印加することにより
高効率の電界放出電流が得られる。
【００３１】以上のようにして、個々の垂直に成長され
たカーボンナノチューブエミッタアレイにゲート電極も
設けられ、磁場を印加しながら電界放出を測定したとこ
ろ、従来のものより低電界、高効率放出電流が得られ
た。
たカーボンナノチューブエミッタアレイにゲート電極も
設けられ、磁場を印加しながら電界放出を測定したとこ
ろ、従来のものより低電界、高効率放出電流が得られ
た。
【００３２】このように本実施形態によれば、従来に比
較して金属触媒となるＦｅの強磁性を利用し、磁場を印
加しながらカーボンナノチューブを成長させることによ
り、エミッタ先端に形状加工することのない、アスペク
ト比の高い、なお且つ垂直に配列されたナノオーダーの
エミッタが得られ、このエミッタアレイに磁場を印加し
ながら電界放出を測定することができ、パワーデバイス
等の安定した大放出電流可能な電界放出型冷陰極装置が
得られる。
較して金属触媒となるＦｅの強磁性を利用し、磁場を印
加しながらカーボンナノチューブを成長させることによ
り、エミッタ先端に形状加工することのない、アスペク
ト比の高い、なお且つ垂直に配列されたナノオーダーの
エミッタが得られ、このエミッタアレイに磁場を印加し
ながら電界放出を測定することができ、パワーデバイス
等の安定した大放出電流可能な電界放出型冷陰極装置が
得られる。
【００３３】（第２実施形態）図４は本発明の第２実施
形態に係る電界放出型冷陰極装置の製造方法を示す工程
断面図である。第１実施形態では、金属触媒となるＦｅ
ドット６はＳｉＯ2 膜２とゲート層３を開口後にリフト
オフにより形成したが、本実施形態では、ＳｉＯ2 膜２
とゲート層３を開口する前にあらかじめＦｅ膜を形成す
る工程による製造方法を示す。以下、第１実施形態と同
じ構成には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
形態に係る電界放出型冷陰極装置の製造方法を示す工程
断面図である。第１実施形態では、金属触媒となるＦｅ
ドット６はＳｉＯ2 膜２とゲート層３を開口後にリフト
オフにより形成したが、本実施形態では、ＳｉＯ2 膜２
とゲート層３を開口する前にあらかじめＦｅ膜を形成す
る工程による製造方法を示す。以下、第１実施形態と同
じ構成には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３４】先ず、図４（ａ）に示すように、図１と同
じシリコン基板１を用意し、このシリコン基板１上にス
パッタ法によりＦｅ薄膜４１を形成する。次に、Ｆｅ薄
膜４１上にＳｉＯ2 膜２とゲート層３を順次積層して形
成する。
じシリコン基板１を用意し、このシリコン基板１上にス
パッタ法によりＦｅ薄膜４１を形成する。次に、Ｆｅ薄
膜４１上にＳｉＯ2 膜２とゲート層３を順次積層して形
成する。
【００３５】次に、図４（ｂ）に示すように、リソグラ
フィ工程及びエッチングによりゲート層３とＳｉＯ2 膜
２を開口し、Ｆｅ薄膜４１を露出させる。従って、開口
部には露出したＦｅドット４２が金属触媒となる。この
Ｆｅドット４２に対してシリコン基板１表面に対して垂
直方向に強磁場をかけることによりＦｅのスピン方向を
揃える。
フィ工程及びエッチングによりゲート層３とＳｉＯ2 膜
２を開口し、Ｆｅ薄膜４１を露出させる。従って、開口
部には露出したＦｅドット４２が金属触媒となる。この
Ｆｅドット４２に対してシリコン基板１表面に対して垂
直方向に強磁場をかけることによりＦｅのスピン方向を
揃える。
【００３６】次に、図４（ｃ）に示すように、第１実施
形態と同様に電磁石７をシリコン基板１に対向して配置
し、磁場をかけながらＣＶＤ法によりＦｅドット４２を
種にカーボンナノチューブ８を成長させてエミッタアレ
イを形成する。この場合も第１実施形態と同様に、Ｆｅ
ドット４２はカーボンナノチューブ８の成長に伴い常に
ナノチューブ８の先端に上がっていく。
形態と同様に電磁石７をシリコン基板１に対向して配置
し、磁場をかけながらＣＶＤ法によりＦｅドット４２を
種にカーボンナノチューブ８を成長させてエミッタアレ
イを形成する。この場合も第１実施形態と同様に、Ｆｅ
ドット４２はカーボンナノチューブ８の成長に伴い常に
ナノチューブ８の先端に上がっていく。
【００３７】次に、図４（ｄ）に示すように、エミッタ
アレイに対してアノード電極９を形成し、電磁石１０を
シリコン基板１に対向して配置する。そして、第１実施
形態と同様に磁場を印加すると、電界放出エミッション
を得る。本実施形態の場合も第１実施形態と同様にアス
ペクト比が高くかつ垂直に配列されたナノオーダーのエ
ミッタアレイが得られ、電界放出型冷陰極装置として用
いた場合に安定した大放出電流が得られる。
アレイに対してアノード電極９を形成し、電磁石１０を
シリコン基板１に対向して配置する。そして、第１実施
形態と同様に磁場を印加すると、電界放出エミッション
を得る。本実施形態の場合も第１実施形態と同様にアス
ペクト比が高くかつ垂直に配列されたナノオーダーのエ
ミッタアレイが得られ、電界放出型冷陰極装置として用
いた場合に安定した大放出電流が得られる。
【００３８】以上、第１，２実施形態で強磁性のＦｅ金
属触媒を用いて磁場を印加することにより垂直にカーボ
ンナノチューブを成長させることができ、先端方向の揃
ったナノチューブアレイを形成することができる。これ
らにより、従来の先端形状加工エミッタ、また従来の先
端の揃わなかったカーボンナノチューブエミッタアレイ
に比べて、はるかに高効率の電界放出電流が得られてい
る。
属触媒を用いて磁場を印加することにより垂直にカーボ
ンナノチューブを成長させることができ、先端方向の揃
ったナノチューブアレイを形成することができる。これ
らにより、従来の先端形状加工エミッタ、また従来の先
端の揃わなかったカーボンナノチューブエミッタアレイ
に比べて、はるかに高効率の電界放出電流が得られてい
る。
【００３９】（第３実施形態）図５は本発明の第３実施
形態に係るカーボンナノチューブを用いたスイッチング
素子の製造方法を示す工程断面図である。
形態に係るカーボンナノチューブを用いたスイッチング
素子の製造方法を示す工程断面図である。
【００４０】先ず、図５（ａ）に示すように、シリコン
基板１の上にＦｅ薄膜を形成し、このＦｅ薄膜をリソグ
ラフィ工程を用いたパターニングを行うことにより、金
属触媒となるＦｅドット５１を形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、電磁石７を用いてシリコン基板１
表面に対して垂直方向に強磁場を印加しながらＣＶＤ法
によりカーボンナノチューブ５２をシリコン基板１表面
に対して垂直方向に成長させてカーボンナノチューブア
レイを形成する。そして、ナノチューブアレイに対向す
るようにアノード電極９を形成する。
基板１の上にＦｅ薄膜を形成し、このＦｅ薄膜をリソグ
ラフィ工程を用いたパターニングを行うことにより、金
属触媒となるＦｅドット５１を形成する。次に、図５
（ｂ）に示すように、電磁石７を用いてシリコン基板１
表面に対して垂直方向に強磁場を印加しながらＣＶＤ法
によりカーボンナノチューブ５２をシリコン基板１表面
に対して垂直方向に成長させてカーボンナノチューブア
レイを形成する。そして、ナノチューブアレイに対向す
るようにアノード電極９を形成する。
【００４１】本実施形態に係るカーボンナノチューブア
レイのスイッチング素子の動作を図６を用いて説明す
る。図６（ａ）に示すように、電磁石７をシリコン基板
１表面に対して垂直方向に配置し、基板１表面に対して
垂直方向に磁場を印加しながらアノード電極９及びシリ
コン基板１間に電圧を印加する。これにより、安定した
電界放出エミッションを得る。
レイのスイッチング素子の動作を図６を用いて説明す
る。図６（ａ）に示すように、電磁石７をシリコン基板
１表面に対して垂直方向に配置し、基板１表面に対して
垂直方向に磁場を印加しながらアノード電極９及びシリ
コン基板１間に電圧を印加する。これにより、安定した
電界放出エミッションを得る。
【００４２】一方、図６（ｂ）に示すように電磁石７を
シリコン基板１の側面に配置し、シリコン基板１表面に
対して平行に磁場を印加することにより、カーボンナノ
チューブ５２の先端のＦｅが吸引されて、カーボンナノ
チューブ５２が横に向き、アノード電極９に電圧を印加
してもエミッションが得られないこととなる。このよう
に、エミッションする際に、シリコン基板１表面に対し
て平行の向きに磁場を制御することにより、エミッタの
先端の向きを変え、エミッションのスイチングを制御す
ることができる。従って、電気的なゲート電極の代わり
に、磁場の制御による電界放出がスイチングできるた
め、ゲート電極を設ける必要がない。
シリコン基板１の側面に配置し、シリコン基板１表面に
対して平行に磁場を印加することにより、カーボンナノ
チューブ５２の先端のＦｅが吸引されて、カーボンナノ
チューブ５２が横に向き、アノード電極９に電圧を印加
してもエミッションが得られないこととなる。このよう
に、エミッションする際に、シリコン基板１表面に対し
て平行の向きに磁場を制御することにより、エミッタの
先端の向きを変え、エミッションのスイチングを制御す
ることができる。従って、電気的なゲート電極の代わり
に、磁場の制御による電界放出がスイチングできるた
め、ゲート電極を設ける必要がない。
【００４３】本発明は上記第１〜３実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態における金属触媒は強磁
性をもつＦｅのみならず、Ｃｏ，Ｎｉその他の金属材料
を用いることができる。
るものではない。上記実施形態における金属触媒は強磁
性をもつＦｅのみならず、Ｃｏ，Ｎｉその他の金属材料
を用いることができる。
【００４４】また、ナノサイズの細線の製法として、強
磁性材料の微小ドットを触媒に用い、磁場を印加しなが
らＣＶＤまたはその他の製法により微細の細線を成長さ
せることができる。
磁性材料の微小ドットを触媒に用い、磁場を印加しなが
らＣＶＤまたはその他の製法により微細の細線を成長さ
せることができる。
【００４５】また、磁場を印加しながらカーボンナノチ
ューブを成長させる場合を示したが、カーボンナノチュ
ーブの成長の際には磁場の印加を停止し、カーボンナノ
チューブが成長した後に磁場を印加し、カーボンナノチ
ューブの形状を垂直形状にして同じ方向に配列する場合
でもよい。
ューブを成長させる場合を示したが、カーボンナノチュ
ーブの成長の際には磁場の印加を停止し、カーボンナノ
チューブが成長した後に磁場を印加し、カーボンナノチ
ューブの形状を垂直形状にして同じ方向に配列する場合
でもよい。
【００４６】また、電界放出型冷陰極装置の動作の際に
は磁場を印加しながら電圧を印加してエミッションを得
る場合を示したが、磁場の印加なしに電圧のみを印加す
る場合であってもエミッションが得られることはもちろ
んである。
は磁場を印加しながら電圧を印加してエミッションを得
る場合を示したが、磁場の印加なしに電圧のみを印加す
る場合であってもエミッションが得られることはもちろ
んである。
【００４７】さらに、シリコン基板１の代わりに他の材
料からなる半導体基板を用いてもよいし、金属、絶縁体
からなる基板を用いてもよい。
料からなる半導体基板を用いてもよいし、金属、絶縁体
からなる基板を用いてもよい。
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、カ
ーボンナノチューブからなる電界放出型のエミッタアレ
イを同じ方向に配列して形成するため、先端を揃えるこ
とができ、安定した高電界放出電流を得ることができ
る。
ーボンナノチューブからなる電界放出型のエミッタアレ
イを同じ方向に配列して形成するため、先端を揃えるこ
とができ、安定した高電界放出電流を得ることができ
る。
【図１】本発明の第１実施形態に係る電界放出型冷陰極
装置の製造方法を示す工程断面図。
装置の製造方法を示す工程断面図。
【図２】同実施形態に係るＦｅドットのスピン方向を揃
えるための強磁場印加の様子を示す図。
えるための強磁場印加の様子を示す図。
【図３】同実施形態に係る製造方法により製造されたカ
ーボンナノチューブの顕微鏡写真。
ーボンナノチューブの顕微鏡写真。
【図４】本発明の第２実施形態に係る電界放出型冷陰極
装置の製造方法を示す工程断面図。
装置の製造方法を示す工程断面図。
【図５】本発明の第３実施形態に係るカーボンナノチュ
ーブアレイのスイッチング素子の製造方法を示す工程断
面図。
ーブアレイのスイッチング素子の製造方法を示す工程断
面図。
【図６】同実施形態に係るカーボンナノチューブアレイ
のスイッチング素子の動作を説明するための図。
のスイッチング素子の動作を説明するための図。
【図７】従来の電界放出型冷陰極の全体構成を示す横断
面図。
面図。
【図８】従来のカーボンナノチューブの構成を示す顕微
鏡写真。
鏡写真。
１…シリコン基板
２…ＳｉＯ2 膜
３…ゲート層
４…レジスト
５…Ｆｅ薄膜
６，４２，５１…Ｆｅドット
７…電磁石
８，５２，７２…カーボンナノチューブ
９…アノード
４１…Ｆｅ薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 佐久間 尚志
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝研究開発センター内
(56)参考文献 特開 平４−332423（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−12124（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−220619（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−124740（ＪＰ，Ａ)
Ｗ．Ｚ．ＬＩ， ｅｔ ａｌ，Ｌａｒ
ｇｅ−Ｓｃａｌｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ
ｏｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃａｒｂｏｎ
Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ＳＣＩＥＮＣ
Ｅ，1996年12月 ６日，Ｖｏｌ．274,
ｐ．1701−1703
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C01B 31/02
D01F 9/08 - 9/32
C23C 16/00 - 16/56
H01J 1/30
H01J 9/02
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)
ＷＥＢ ＯＦ ＳＣＩＥＮＣＥ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体、金属又は絶縁体の基板上に選択的
に露出した磁性材料からなる金属触媒ドットに、前記基
板表面に対して垂直方向に磁界を印加してカーボンナノ
チューブを選択的に成長させ、前記金属触媒ドットを該
カーボンナノチューブの先端部に残存させることを特徴
とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 【請求項２】半導体又は金属の基板上に絶縁膜及び金属
層を積層して形成する工程と、前記絶縁膜及び前記金属
層をエッチングして開口部を形成する工程とを含む電界
放出型冷陰極の製造方法であって、 前記開口部を形成する前又は後に、磁性材料が露出する
ように前記基板表面に磁性材料を形成する工程と、前記
基板上に選択的に露出した磁性材料からなる金属触媒ド
ットに、前記基板表面に対して垂直方向に磁界を印加し
てカーボンナノチューブを選択的に成長させ、該金属触
媒ドットを該カーボンナノチューブの先端部に残存させ
る工程とを含むことを特徴とする電界放出型冷陰極装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25551598A JP3497740B2 (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | カーボンナノチューブの製造方法及び電界放出型冷陰極装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25551598A JP3497740B2 (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | カーボンナノチューブの製造方法及び電界放出型冷陰極装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000086216A JP2000086216A (ja) | 2000-03-28 |
| JP3497740B2 true JP3497740B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=17279832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25551598A Expired - Fee Related JP3497740B2 (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | カーボンナノチューブの製造方法及び電界放出型冷陰極装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3497740B2 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3595233B2 (ja) | 2000-02-16 | 2004-12-02 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 電子放出源及びその製造方法 |
| JP4579372B2 (ja) * | 2000-05-01 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示素子 |
| US6512235B1 (en) * | 2000-05-01 | 2003-01-28 | El-Mul Technologies Ltd. | Nanotube-based electron emission device and systems using the same |
| EP1296890B1 (en) * | 2000-06-16 | 2012-02-22 | The Penn State Research Foundation | Method for producing carbon fibers |
| US7449081B2 (en) | 2000-06-21 | 2008-11-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
| KR100506078B1 (ko) * | 2000-08-03 | 2005-08-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 탄소나노튜브와 절연물을 이용한 ｍｉｃ형 전계 방출 소자 |
| JP2002056770A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Futaba Corp | 電界放出カソード及びその製造方法 |
| JP5055655B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2012-10-24 | 日本電気株式会社 | エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置 |
| WO2002041348A1 (fr) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Nec Corporation | Film cnt et cathode froide a emission de champ comportant ce film |
| JP2003016954A (ja) * | 2001-04-25 | 2003-01-17 | Sony Corp | 電子放出装置及びその製造方法、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法 |
| US7276844B2 (en) | 2001-06-15 | 2007-10-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
| US7351604B2 (en) * | 2002-01-15 | 2008-04-01 | International Business Machines Corporation | Microstructures |
| KR100451084B1 (ko) * | 2002-04-11 | 2004-10-02 | 학교법인 선문학원 | 탄소나노튜브 가스센서의 제조방법 |
| KR100492509B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-05-31 | 학교법인 포항공과대학교 | 양극 산화 공정을 이용한 일체형 3극 구조 전계방출 소자및 제조방법 |
| US7554255B2 (en) | 2002-07-30 | 2009-06-30 | Postech Foundation | Electric field emission device having a triode structure fabricated by using an anodic oxidation process and method for fabricating same |
| JP3998241B2 (ja) | 2002-10-18 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | カーボンファイバーが固定された基体の製造方法 |
| JP2004202602A (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Sony Corp | 微小構造体の製造方法、及び型材の製造方法 |
| JP2004228084A (ja) | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Samsung Sdi Co Ltd | 電界放出素子 |
| KR100522692B1 (ko) * | 2003-07-02 | 2005-10-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 소자 및, 그것의 제조 방법 |
| US7201627B2 (en) | 2003-07-31 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Method for manufacturing ultrafine carbon fiber and field emission element |
| WO2005083751A2 (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-09 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Semiconductor device and method using nanotube contacts |
| KR100695124B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 카본나노튜브의 수평성장방법 |
| WO2006115453A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Smoltek Ab | Controlled growth of a nanostructure on a substrate, and electron emission devices based on the same |
| EP1890810A2 (en) * | 2005-06-17 | 2008-02-27 | Inter-Universitair Microelektronica Centrum | Formation of metal-containing nanoparticles for use as catalysts in carbon nanotube synthysis |
| US7777291B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-08-17 | Smoltek Ab | Integrated circuits having interconnects and heat dissipators based on nanostructures |
| JP2007250247A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、画像表示装置、及びテレビジョン装置 |
| CN101827782B (zh) | 2007-09-12 | 2014-12-10 | 斯莫特克有限公司 | 使用纳米结构连接和粘接相邻层 |
| CN105441903B (zh) | 2008-02-25 | 2018-04-24 | 斯莫特克有限公司 | 纳米结构制造过程中的导电助层的沉积和选择性移除 |
| EP2425486A4 (en) | 2009-04-30 | 2017-05-03 | University of Florida Research Foundation, Inc. | Single wall carbon nanotube based air cathodes |
| KR101744931B1 (ko) | 2010-09-24 | 2017-06-09 | 서울바이오시스 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
| CN103403935B (zh) | 2010-12-17 | 2016-08-24 | 佛罗里达大学研究基金会有限公司 | 基于碳膜的氢的氧化和产生 |
| SG193937A1 (en) | 2011-04-04 | 2013-11-29 | Univ Florida | Nanotube dispersants and dispersant free nanotube films therefrom |
| JP5158224B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2013-03-06 | 日本電気株式会社 | エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置 |
| JP5708213B2 (ja) | 2011-05-09 | 2015-04-30 | 住友電気工業株式会社 | カーボンナノ構造体の製造装置およびカーボンナノ構造体の製造方法 |
| JP6209059B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2017-10-04 | 川研ファインケミカル株式会社 | カーボンナノファイバーの集合体、カーボンナノファイバーの集合体の製造方法、及び磁性体 |
| CN105764838B (zh) | 2013-11-20 | 2019-03-01 | 佛罗里达大学研究基金会有限公司 | 含碳材料上的二氧化碳还原 |
-
1998
- 1998-09-09 JP JP25551598A patent/JP3497740B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｗ．Ｚ．ＬＩ， ｅｔ ａｌ，Ｌａｒｇｅ−Ｓｃａｌｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ，ＳＣＩＥＮＣＥ，１９９６年１２月 ６日，Ｖｏｌ．２７４，ｐ．１７０１−１７０３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000086216A (ja) | 2000-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3497740B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法及び電界放出型冷陰極装置の製造方法 | |
| US6472802B1 (en) | Triode-type field emission device having field emitter composed of emitter tips with diameter of nanometers and method for fabricating the same | |
| US6097138A (en) | Field emission cold-cathode device | |
| US6538367B1 (en) | Field emitting device comprising field-concentrating nanoconductor assembly and method for making the same | |
| EP1511058B1 (en) | Carbon-nano tube structure, method of manufacturing the same, and field emitter and display device each adopting the same | |
| US6780075B2 (en) | Method of fabricating nano-tube, method of manufacturing field-emission type cold cathode, and method of manufacturing display device | |
| JP4648807B2 (ja) | カーボンナノチューブエミッタ及びその製造方法とそれを応用した電界放出素子及びその製造方法 | |
| US6504292B1 (en) | Field emitting device comprising metallized nanostructures and method for making the same | |
| KR100480773B1 (ko) | 카본 나노 튜브를 이용한 3극 전계방출소자의 제작방법 | |
| JP3436219B2 (ja) | カーボン材料とその製造方法、及びそれを用いた電界放出型冷陰極 | |
| JPH0595140A (ja) | ドープされた半導体材料から成る導電性先端の製造方法 | |
| JP2002530805A (ja) | カーボンナノチューブの自己配向性束及びその製造方法 | |
| KR101121195B1 (ko) | 캐소드 기판 및 그 제작 방법 | |
| JP4792625B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法及び電子デバイス | |
| EP1455376B1 (en) | Electron-emitting device, electron source, and image display apparatus | |
| KR101908188B1 (ko) | 박막을 이용한 고성능 전자방출 에미터 제조방법 및 그 에미터 | |
| JPH1040805A (ja) | 冷陰極素子及びその製造方法 | |
| US20070200478A1 (en) | Field Emission Device | |
| JP4590631B2 (ja) | フィールドエミッタアレイ及びその製造方法 | |
| EP1003196A1 (en) | Carbon material, method for manufacturing the same material, field-emission type cold cathode using the same material and method for manufacturing the same cathode | |
| KR100372168B1 (ko) | 삼극형 탄소나노튜브의 전계 방출 표시소자의 제조방법 | |
| JP2002539580A (ja) | 電界放出素子および利用方法 | |
| JP3594850B2 (ja) | 冷陰極の製造方法 | |
| JP2000251616A (ja) | 電界放出型冷陰極装置およびその製造方法 | |
| KR100286454B1 (ko) | 전계방출 이미터 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071128 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081128 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091128 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |