CN105576108B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件。公开一种发光器件，包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层；有源层；以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，该第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在发光结构上以被相互分离；透光导电层，该透光导电层被布置在第一电流阻挡层和第二电流阻挡层和发光结构上；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电耦合到第一导电半导体层和第二导电半导体层；以及绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极和第一电流阻挡层之间以及第二电极和第二电流阻挡层之间。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年10月29日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2014-0147926的优先权，其通过引用被整体合并在此，如在本文中完全阐述一样。
技术领域
实施例涉及一种发光器件。
背景技术
诸如GaN、AlGaN等等的III-V族化合物半导体材料具有诸如宽、可容易调节的能带隙的各种优点，并且因此已经被广泛地用于光电领域中的电子设备。
具体地，使用III-V或者II-VI族化合物半导体材料的发光器件，诸如发光二极管或者激光二极管，随着薄膜生长技术和器件材料的发展具有它们可以被用于实现诸如红、绿、蓝、以及紫光(UV)色的各种颜色，并且通过利用荧光材料或者组合颜色也可以被用于实现高效白光束，并且与诸如荧光等、白炽灯等等的传统光源相比较可以具有低功耗、半持久寿命、快速响应时间、安全、以及环保。
因此，发光器件已经被日益增加地应用于用于光学通信系统的发射器模块、替换组成用于液晶显示器(LCD)设备的背光单元的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光单元发光，能够更换荧光灯或者白炽灯的白色发光二极管照明、车辆头灯以及交通灯。
图1是示出传统的发光器件的图。
发光器件100包括由蓝宝石等等形成的衬底110、被布置在衬底110上并且包括第一导电半导体层122的发光结构120、有源层124、以及第二导电半导体层126、以及分别被布置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层126上的第一电极160和第二电极170。
通过第一导电半导体层122注入的电子和通过第二到达半导体层126注入的空穴在有源层124处被组合，发光器件100发射具有通过被用于形成有源层124的材料的先天能带确定的能量的光。取决于形成有源层124的材料的组成，从有源层124发射的光可以具有变化的颜色。在这样的情况下，光可以包括蓝光、UV或者深的UV射线等等。
发光器件100可以被布置在发光器件封装中。在这样的情况下，具有从发光器件100发射的第一波长区域的光可以激励荧光体，当通过具有第一波长区域的光激励荧光体时其然后可以发射具有第二波长区域的光。在此，荧光体可以被包括在包围发光器件100的成型部分中，或者可以以荧光体膜的形式布置。
然而，在上面描述的传统的发光器件具有下述缺点。
在从有源层124发射的光中，朝着第二电极170行进的光可以被吸收到第二电极170中，导致发光器件100的光效率被降低。
发明内容
实施例提供一种具有改进的光效率的发光器件。
在一个实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层；有源层；以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，该第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在发光结构上以被相互分离；透光导电层，该透光导电层被布置在第一电流阻挡层、第二电流阻挡层以及发光结构上；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电耦合到第一导电半导体层和第二导电半导体层；通孔，该通孔通过透光导电层、第二导电半导体层以及有源层被形成到第一导电半导体层的一部分；以及通过电极，该通过电极被布置在通孔的内部，其中通过电极在垂直方向中不与第一电流阻挡层重叠。
发光器件可以进一步包括绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极和第一电流阻挡层之间以及在第二电极和第二电流阻挡层之间。
可以通过绝缘层形成通孔。
通过电极和第一电流阻挡层可以被线性地布置在水平方向中。
绝缘层可以被布置在通孔中以在通过电极的周围延伸。
第一电极可以包括第一结合焊盘和第一分支指形电极。
第一结合焊盘可以被布置在发光器件的第一边缘区域处。
第一分支指形电极的至少一部分可以在垂直方向中与通过电极和第一电流阻挡层重叠。
通过电极可以具有比在相邻的通过电极之间的距离小的长度。
第二电极可以包括第二结合焊盘和第二分支指形电极。
第二结合焊盘可以被布置在发光器件的第二边缘区域处。
第二分支指形电极的一部分可以在垂直方向中与第二电流阻挡层重叠。
绝缘层的一部分可以被打开以形成敞开的区域，以及透光导电层可以通过敞开的区域被暴露。
透光导电层和第二电极可以在敞开的区域处被直接接触。
敞开的区域和通过电极可以被交替地布置在水平方向中。
第一电流阻挡层和第二电流阻挡层中的至少一个可以是分布布拉格反射器(DBR)或者全方位反射器(ODR)。
在另一实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，该第一电流阻挡层和第二电流阻挡层具有DBR或者ODR结构并且被布置在发光结构上以彼此分离；透光导电层，该透光导电层被布置在第一电流阻挡层、第二电流阻挡层以及发光结构上并且在分别对应于第一电流阻挡层和第二电流阻挡层的区域处具有最小厚度；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电耦合到第一导电半导体层和第二导电半导体层；通孔，该通孔通过透光导电层、第二导电半导体层、以及有源层被形成到第一导电半导体层的一部分；以及通过电极，该通过电极被布置在通孔中。
第一电流阻挡层可以具有被布置为彼此分开的多个部分。
通孔可以通过透光导电层、第二导电半导体层、以及有源层被形成到第一导电半导体层的一部分，发光器件可以进一步包括通过电极，该通过电极被布置在通孔中，并且在组成第一电流阻挡层的部分之间的间距可以与通孔的长度相同。
在又一实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，该第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在发光结构上以彼此分离；透光导电层，该透光导电层被布置在第一电流阻挡层、第二电流阻挡层以及发光结构上；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别被电耦合到第一导电半导体层和第二导电半导体层；以及绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极和第一电流阻挡层之间以及第二电极和第二电流阻挡层之间，其中通孔通过绝缘层、透光导电层、第二导电半导体层、以及有源层被形成到第一导电半导体层的一部分，通孔在垂直方向中与第一电流阻挡层不重叠，绝缘层的一部分被打开以形成敞开的区域，并且透光导电层通过敞开的区域被暴露，并且敞开的区域和通过电极被交替地布置在水平方向中。
附图说明
参考下面的附图可以详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记指的是相同的元件并且其中：
图1是示出传统的发光器件的图；
图2A和图2B是示出发光器件的一个实施例的截面图；
图3A至图3Q是示出制造发光器件的方法的一个实施例的截面图；
图4A至图4H是示出制造发光器件的方法的另一实施例的图；
图5A和图5B是示出发光器件的电流阻挡层的一个实施例的图；
图6A和图6B示出其中在确定的波长区域中模拟和测量根据实施例的发光器件的光学功率的模拟和测量结果；
图7A和图7B分别是示出从根据一个实施例的发光器件和传统的发光器件发射的光的波长分布和光学功率的图；以及
图8是示出具有被布置在其中的上述发光器件的发光器件封装的一个实施例的图。
具体实施方式
在下文中，参考附图将会描述实施例。
将会理解的是，当元件被称为是在另一元件“上”或者“下”时，其能够直接地在另一元件上或者下，并且也可以存在一个或者多个中间元件。当元件被称为是在“上”或者“下”时，基于元件“在元件下”以及“在元件上”能够被包括。
图2A和图2B是示出发光器件的一个实施例的截面图。
图2A和图2B是如在不同的方向中看到的一个发光器件200的截面图。
如在图2A中所示的发光器件200包括衬底210、发光结构220、第一电流阻挡层232、第二电流阻挡层236、透光导电层240、绝缘层250、第一电极260、以及第二电极270。
衬底210可以是由适合于半导体材料的生长的材料或者载体晶圆形成，并且也可以是由示出优异的导热性的材料形成。在这样的情况下，衬底210可以包括导电衬底，或者绝缘衬底。例如，衬底210可以是由从由蓝宝石(Al2O3)、SiO2、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、以及Ga203组成的组中选择的至少一个形成。
当衬底210是由蓝宝石等等形成，并且包括GaN或者AlGaN的发光结构220被布置在衬底210上时，在GaN或者AlGaN和蓝宝石之间的晶格错配非常大，并且在GaN或者AlGaN和蓝宝石之间的热膨胀系统中的差显著地高，这导致引起结晶性减少的混乱、回烧、裂缝以及深坑的发生、内部表面形态等等。因此，缓冲层(未示出)可以是由AIN等等形成。
因为图案被形成在如在附图中所示的衬底210的表面上，所以从发光器件220发射以朝着衬底210行进的光可以在图案上被反射。
发光结构220可以包括第一导电半导体层222、有源层224、以及第二导电半导体层226。
第一导电半导体层222可以使用III-V族和II-VI族化合物半导体材料等等被实现，并且可以被掺杂有第一导电掺杂物。第一导电半导体层222可以是由从由具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的成分表达的半导体材料，例如，AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的至少一个形成。
当第一导电半导体层222是n型半导体层时，第一导电掺杂物可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se、Te等等的n型掺杂物。第一导电半导体层222可以被形成为单层或者多层结构，但是本公开不限于此。
有源层224可以被布置在第一导电半导体层222和第二导电半导体层226之间，并且可以具有从由单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、以及量子线结构组成的组中选择的一个结构。
使用III-V族化合物半导体材料，有源层224可以被形成在阱层和阻挡层的至少一对结构，例如，AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs、以及GaP(InGaP)/AlGaP中。
阱层可以是由具有比阻挡层低的能带隙的材料形成。
第二导电半导体层226可以是由半导体化合物形成。第二导电半导体层226可以使用III-V族和II-VI族化合物半导体材料等等被实现，并且可以被掺杂有第二导电掺杂物。第二导电半导体层226可以是，例如，由从由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的成分表达的半导体材料，例如，AlGaN、GaNAlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP的组中选择的至少一个形成。例如，第二导电半导体层226可以是由AlxGa(1-x)N形成。
当第二导电半导体层226是p型半导体层时，第二导电掺杂物可以包括诸如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等等的p型掺杂物。第二导电半导体层226可以被形成为单层或者多层结构，但是本公开不限于此。
虽然未被示出，但是电子阻挡层可以被布置在有源层224和第二导电半导体层226之间。电子阻挡层可以被形成为超晶格结构。在超晶格结构中，例如，被掺杂有第二导电掺杂物的AlGaN可以被布置，并且由GaN形成并且具有铝的不同构成比的多个层也可以被交替地布置。
第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236可以被布置在第二导电半导体层226上以被相互分开。在这样的情况下，第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236可以被选择性地布置在第二导电半导体层226的一部分上，并且可以是由绝缘材料制成。
透光导电层240可以被布置在第二导电半导体层226、第一电流阻挡层232、以及第二电流阻挡层236上。在这样的情况下，透光导电层240可以是由氧化铟锡(ITO)等等制成。然而，因为第二导电半导体层226具有差的电流扩展特性，所以透光导电层240可以从第二电极270接收电流。
透光导电层240可以具有恒定的厚度t1，并且与其的其他区域相比较透光导电层240的高度在与第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236相对应的区域处可能较大。
绝缘层250可以被布置在透光导电层240上。在这样的情况下，绝缘层250的一部分可以被打开使得透光导电层240通过第二电流阻挡层236的上区域被暴露。绝缘层250可以是由氧化物或者氮化物制成。具体地，绝缘层250可以被形成为氧化硅(SiO2)层、氮氧化物层、或者氧化铝层。
另外，因为绝缘层250可以以恒定的厚度t2被形成在除了上述敞开的区域之外的区域处，所以与其的其他区域相比在与第一电流阻挡层232相对应的区域处绝缘层250的高度可能较大。
第一电极260和第二电极270可以被布置在绝缘层250上以彼此分开。在这样的情况下，第一电极260和第二电极270可以分别被布置在与第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236相对应的区域上。
绝缘层250可以被布置在第一电极260和透光导电层240之间，或者第二电极270和透光导电层240可以直接接触绝缘层250的上述敞开的区域。
图2A是沿着发光器件200的线A-A’截取的截面图，并且图2B是沿着发光器件200的线B-B’截取的截面图。
衬底210和发光结构220具有与如在图2A中所示的发光器件200相同的结构，但是与发光器件200的不同在于，第一电流阻挡层232没有被布置在沿着线B-B’截取的方向中。
第二电流阻挡层236可以被布置在第二导电半导体层226上，并且透光导电层240可以被布置在第二导电半导体层226和第二电流阻挡层236上。
透光导电层240可以具有恒定的厚度t1，并且与其的其他区域相比在与第二电流阻挡层236相对应的区域处透光导电层240的高度能较大。
绝缘层250可以被布置在透光导电层240上。在这样的情况下，绝缘层250可以具有恒定的厚度t2，并且因此与其的其他区域相比在垂直方向中在与第二电流阻挡层236相对应的区域处绝缘层250的高度可能较大。
另外，第二电极270可以被布置在绝缘层250上。在这样的情况下，第二电极270可以被布置以在垂直方向中对应于第二电流阻挡层236。另外，透光导电层240和第二电极270可以不直接接触，不同于在图2A中。
另外，从第一电极260向下形成通孔，如在图2B中所示。可以通过透光导电层240、第二导电半导体层226、以及有源层224形成通孔，使得通孔从绝缘层250跨越到第一导电半导体层222的一部分。
此外，绝缘层250可以被布置在通孔的内侧墙上以延伸到内侧墙。第一电极260被形成在通孔上。在这样的情况下，因为第一电极260被布置在通孔中以延伸到通孔的内部分，所以第一导电半导体层222和第一电极260可以在通孔的底表面处直接电接触。在此，被布置在通孔的内部的第一电极260的一部分可以被称为通过电极。
图3A至图3P是示出制造发光器件的方法的一个实施例的图。
如在图3A中所示，第一发光器件220被允许在衬底210上生长。
衬底210可以是由如上所述的蓝宝石形成，并且，尽管未被示出，但是上述缓冲层(未示出)可以被允许在发光结构220的生长之前生长。
第一导电半导体层222可以被允许以使用诸如化学汽相淀积(CVD)、分子束外延(MBE)、溅射或者氢化物汽相外延(HVPE)的方法生长。第一导电半导体层222具有与在上面描述的相同的成分，并且在近似于1,000℃的温度处包括诸如三甲基镓气(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)以及镁(Mg)的p型杂质的双(乙基环戊二烯基)镁((EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2})可以被注入到腔室以形成p型GaN层，但是本公开不限于此。
另外，有源层224被允许以在第一导电半导体层222上生长。对于有源层224，例如，在近似于700℃至800℃的温度处三甲基镓气(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)以及三甲基铟气(TMIn)可以被注入以形成MQW结构，但是本公开不限于此。
另外，第二导电半导体层226被允许以在有源层224上生长。在这样的情况下，第二导电半导体层226可以具有与在上面描述的相同的成分。
第二导电半导体层226被允许以通过在近似于500℃的温度处供应Zn和O2生长，并且可以被掺杂有n型掺杂物。例如，第二导电半导体层226可以被掺杂有Si、Ge、Sn、Se、Te等等。使用诸如金属有机(MO)-CVD、等离子体增强(PE)-CVD、或者溅射的方法可以形成第二导电半导体层226，并且Al、Fe以及Ga可以被添加到其。
另外，如在图3B和图3C中所示，第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236可以被允许以在第二导电半导体层226上生长。
第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236可以是由绝缘材料形成。具体地，第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236可以是分布布拉格反射器(DBR)或者全方位反射器(ODR)，并且因此其具体配置在下面将会描述。
可以使用掩膜选择性地形成第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236，或者可以通过在第二导电半导体层226的整个表面上形成一个电流阻挡层并且选择性地去除电流阻挡层可以形成。
在图3B中示出第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236的截面。在此，第一电流阻挡层232的宽度d1和第二电流阻挡层236的宽度d2可以是彼此相同的或者不同。另外，第一电流阻挡层232可以被形成以具有图案。在这样的情况下，被形成以具有图案的第一电流阻挡层232的一部分的长度d3可以大于在第一电流阻挡层232的各自的部分之间的间距d4，但是本公开没有被特别地限于此。在此，在第一电流阻挡层232的各自的部分之间的间距d4可以是通孔或者通过电极的长度。
在图3C中示出沿着图3B中的线A-A’截取的截面。在此，第一电流阻挡层232的宽度w1和第二电流阻挡层236的宽度w2可以彼此相同或者不同。
另外，如在图3D至3F中所示，透光导电层240可以被形成在第二导电半导体层226上，在第二导电半导体层226上第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236被形成。
在图3E中示出沿着图3D中的线A-A’截取的截面，并且在图3F中示出沿着图3D中的线B-B’截取的截面。
如在图3E中所示，因为透光导电层240可以被布置在第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236上使得透光导电层240具有恒定的厚度t1，所以与其的其他区域相比在与第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236相对应的区域处透光导电层240的高度可能较大。
第二电流阻挡层236可以被完整地布置，并且第一电流阻挡层232可以具有以恒定的间隔隔开的多个部分，如在图3B和图3D中所示。另外，如在图3F中所示，第二电流阻挡层236可以被形成在第二导电半导体层226上，但是第一电流阻挡层232可以不被形成在第二导电半导体层226上，如从从沿着图3D中的线B-B’截取的截面中看到的。
另外，如在图3G和图3H中所示，通过第二导电半导体层226和有源层224可以形成通孔使得通孔从透光导电层240横越到第一导电半导体层222的一部分。
如在图3G中所示，通孔可以被形成在第一电流阻挡层232之间的区域处。在图3H中示出沿着图3G中的线B-B’截取的截面。在这样的情况下，因为通孔没有被形成，所以沿着图3G中的线A-A’截取的截面可以与图3E中的相同。
另外，如在图3I至图3K中所示，绝缘层250可以被形成在透光导电层240上。
如在图3I中所示，绝缘层250可以被形成在透光导电层240上使得绝缘层250具有恒定的厚度。沿着图3I中的线A-A’截取的截面在图3J中被示出。在此，因为绝缘层250被形成在透光导电层240上使得绝缘层250具有恒定的厚度t2，所以与其的其他区域相比在与第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236相对应的区域处绝缘层250的高度可能较大。
在图3K中示出沿着图3I中的线B-B’截取的截面。在此，绝缘层250可以被布置在通孔的内侧上以延伸到通孔的内侧。在这样的情况下，第一导电半导体层222可以通过通孔的底表面被暴露。
如在图3J和图3K中所示，通孔在垂直方向中与第一电流阻挡层232不重叠。在这样的情况下，应看到，因为通孔和第一电流阻挡层232被线性地布置在水平方向中，所以通孔和第一电流阻挡层232的形状与在图3N中示出的第一电极260相似，如在水平方向中所看到的。
另外，如在图3L和图3M中所示，敞开的区域被形成在第一绝缘层250中的第二电流阻挡层236上。在此，在没有面向通孔或者通过电极的情况下在水平方向中上述敞开的区域可以被交替地布置有通孔或者通过电极，如在图3L中所示。
如稍后将会描述的图3L和图3N中所示，为了方便描述第二电流阻挡层236没有被示出以对应于敞开的区域，但是透光导电层240和第二电流阻挡层236可以实际布置在敞开的区域下方。
如在图3L中所示，敞开的区域中的一个的长度d6，和在通过其第二电流阻挡层236被暴露的各自的敞开的区域之间的长度d5可以彼此相同或者不同。
图3M是沿着图3L中的线A-A’截取的截面图。在此，因为使用诸如蚀刻的方式在垂直方向中从与第二电流阻挡层236相对应的区域去除绝缘层250，所以透光导电层240可以被暴露。在这样的情况下，沿着图3L中的线B-B’截取的截面可以与图3K中的相同。
另外，如在图3N中所示，使用诸如汽相淀积的方法第一电极260和第二电极270可以被布置。第一电极260和第二电极270可以被形成为单层或者多层结构以包括从由铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、以及金(Au)组成的组中选择的至少一个。
第一电极260可以包括第一结合焊盘262和第一分支指形电极266，并且第二电极270可以包括第二结合焊盘272并且第二分支指形电极276。
第一结合焊盘262和第二结合焊盘272可以分别被布置在发光器件的第一和第二边缘区域上，并且借助于电线被结合到第一和第二边缘区域。在这样的情况下，第一和第二边缘区域可以是面向拐角的区域，如在图3N中所示。
另外，如在图3N中所示，第一分支指形电极266可以被布置在重叠垂直方向中的通孔(通过电极)和第一电流阻挡层232的区域上。
使用诸如汽相淀积的方法第一电极260和第二电极270可以是由在上面列出的材料形成。在这样的情况下，第一电极260和第二电极270可以被淀积以分别对应于第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236。
如在图3N中所示，第二分支指形电极267的一部分可以被布置以在垂直方向中与第二电流阻挡层236重叠。
在图3O、图3P、以及图3Q中示出沿着被完成的发光器件的线A-A’、B-B’、以及C-C’截取的截面图。在此，在图3O和图3P中示出的发光器件与在图2A和图2B中示出的发光器件200相同。
在根据一个实施例的发光器件200中，当透光导电层240是在敞开的区域中时，第二电流阻挡层236、透光导电层240、以及绝缘层250可以被布置在第二导电半导体层226和第二电极270之间，并且第二电流阻挡层236和透光导电层240可以被布置在第二导电半导体层226和第二电极270之间。
另外，第一电极260可以通过被形成在与第一导电半导体层222相对应的区域处的通孔直接电接触第一导电半导体层222。可替选地，第一电流阻挡层232、透光导电层240、绝缘层250、以及第一电极260可以被布置在其中通孔没有被形成的区域中的第一电流阻挡层232上。
在图3Q中示出沿着发光器件的线C-C’截取的截面图。在图3Q中示出的第一电极260的相邻的区域的截面与在图3P中示出的截面相似，并且第二电极270的相邻的区域的截面与在图3O中示出的截面相似。
图4A至图4H是示出制造发光器件的方法的另一实施例的图。在下文中，为了清楚起见将会主要地描述根据不同于上述实施例的一个实施例的制造发光器件的方法的配置。
透光导电层240可以被形成在在其上形成第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236的第二导电半导体层226上。在图4A中示出沿着线A-A’截取的截面，并且在图4B中示出沿着线B-B’截取的截面。
如在图4A中所示，因为透光导电层240被布置在第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236上使得透光导电层240具有厚度t3。在此，厚度t3可以与在图3E中示出的厚度t1相同或者不同。不同于在上面描述的实施例，因为透光导电层240被形成以彼此齐平，所以透光导电层240可以不具有恒定的厚度。因此，上述厚度t3可以是在其上没有布置第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236的透光导电层240的区域的厚度。
另外，透光导电层240可以在垂直方向中在与第一电流阻挡层232和第二电流阻挡层236相对应的区域处具有最小厚度。
另外，如在图4C中所示，通过第二导电半导体层226和有源层224可以形成通孔，使得通孔从透光导电层240横越到第一导电半导体层222的一部分。
在图4C中示出沿着发光器件的线B-B’截取的截面图。在此，通孔不可以被形成在沿着发光器件的线A-A’截取的截面中。
另外，如在图4D和图4E中所示，绝缘层250可以被形成在透光导电层240上。
在图4D中示出沿着发光器件的线A-A’截取的截面。在此，绝缘层250可以被形成在透光导电层240上使得绝缘层250具有恒定的厚度t4。在这样的情况下，厚度t4可以与根据上述实施例的绝缘层250的厚度t2相同或者不同。
在图4E中示出沿着发光器件的线B-B’截取的截面。在此，绝缘层250可以被布置在通孔的内侧上以延伸到通孔的内侧。在这样的情况下，第一导电半导体层222可以通过通孔的底表面被暴露。
另外，如在图4F中所示，敞开的区域被形成在与第二电流阻挡层236相对应的绝缘层250的区域中。在此，在水平方向中在没有面向通孔或者通过电极的情况下上述敞开的区域可以被交替地布置有通孔或者通过电极(参见图3L)。
在图4G和图4H中分别示出沿着被完成的发光器件的线A-A’和B-B’截取的截面图。
如在图4G中所示，因为第二电极270被布置在绝缘层250的上述敞开的区域上，所以第二电极270的底表面接触透光导电层240，并且第二电极270的侧面中的一些接触绝缘层250。在这样的情况下，因为第一电极260被布置在绝缘层250的表面上，所以第一电极260可以与透光导电层240电隔离。
如在图4H中所示，因为第二电极270被布置在绝缘层250的表面上，所以第二电极270可以与透光导电层240电隔离，并且经由通孔第一电极260可以直接电接触第一导电半导体层222。
图5A和图5B是示出发光器件的电流阻挡层的一个实施例的图。
电流阻挡层300a可以是第一电流阻挡层232或者第二电流阻挡层236。电流阻挡层300a可以是DBR或者ODR。在此，当多个绝缘层被交替地布置时，电流阻挡层300a可以是DBR，当绝缘层和导电层被交替地布置时电流阻挡层300a可以是ODR。在这样的情况下，在上面描述的导电层可以是由金属制成。
如在图5A中所示，电流阻挡层300a可以包括交替地布置在其中的第一层310和第二层320。第一层310和第二层320中的每一个可以包括绝缘材料。通过示例，第一层310和第二层320中的每一个可以包括TiO2、SiO2等等。
例如，具有2.4至3.0的折射率的TiO2可以在第一层310中使用，并且具有1.4至1.45的折射率的SiO2可以在第二层320中使用。
第一层310和第二层320可以被布置以包括除了上述组合之外的SiO2、SixOy、AlAs、GaAs、AlxInyP、GaxInyP等等。
如在图5B中所示，电流阻挡层300a可以包括被交替地布置在其中的第一层310、第二层320以及第三层330。第一层310、第二层320、以及第三层330中的每一个可以包括GaN、GaP、SiO2、RuO2、Ag等等。例如，GaP可以在第一层310中使用，SiO2可以在第二层320中使用，并且Ag可以在第三层330中使用。在这样的情况下，电流阻挡层300a可以用作ODR。
在上述发光器件中，第一电流阻挡层和第二电流阻挡层可以被形成为诸如DBR或者ODR的反射层以发射从有源层发射并且朝着第一电极或者电极行进的光，从而防止光被吸收到第一或者第二电极中。
另外，如在图2A中所示，绝缘层被布置在第一电流阻挡层上，如从沿着发光器件的线A-A’截取的截面中看到的，并且绝缘层被布置在第二电流阻挡层上，如从沿着线B-B’截取的截面中看到的。这样的结构可以防止光学功率在确定的波长区域中减少。
图6A和图6B示出其中在确定的波长区域中模拟和测量根据实施例的发光器件的光学功率的模拟和测量结果。
能够看到，在通过图6A和图6B中的深线指示的传统的发光器件中在近似于450nm的波长区域中剧烈地降低光学功率，但是在通过浅线指示的发光器件中没有剧烈地降低光学功率。
根据一个实施例的发光器件可以具有点接触结构，其中，在通孔和敞开的区域处，第一电极和第二电极接触第一导电半导体层和透光导电层。在这样的情况下，DBR或者ODR可以被用作电流阻挡层。因为绝缘层被布置在除了通孔和敞开的区域之外的区域处，所以与传统的发光器件相比较，在DBR或ODR上反射的光，具体地，在蓝色波长区域内的光的吸收的程度可以被减少。
图7A和图7B是分别示出从根据一个实施例的发光器件和传统的发光器件发射的光的波长分布和光学功率的图。
图7A的左半圆区域是示出其中电流阻挡层是由氧化硅(SiO2)形成的发光器件的波长分布的图，并且图7A的右半圆区域是示出根据一个实施例的其中电流阻挡层是由DBR形成的发光器件的波长分布的图。
在图7A的左半圆区域中的发光器件具有450.9nm的平均波长分布，并且在图7A的右半圆区域中的发光器件具有450.4nm的平均波长分布。根据这些结果，应看到，与传统的发光器件相比较，在从根据一个实施例的发光器件发射的光的波长分布中不存在大的不同。
图7B的左半圆区域是示出其中电流阻挡层是由氧化硅(SiO2)形成的发光器件的光学功率，并且图7B的右半圆区域是示出根据一个实施例的其中电流阻挡层是由DBR形成的发光器件的光学功率的图。
在图7B的左半圆区域中的发光器件具有122.3mW的光学功率，并且图7B的右半圆区域中的发光器件具有124.5mW的光学功率。根据这些结果，与传统的发光器件相比较，应看到根据一个实施例的发光器件的光学功率被改进。
图8是示出具有被布置在其中的上述发光器件的发光器件封装的一个实施例的图。
根据一个实施例的发光器件封装400包括主体410，该主体410包括腔体；第一和第二引线框架421和422，该第一和第二引线框架421和422被安装在主体410处；根据一个实施例的上述发光器件200被安装在主体410处并且被电耦合到第一和第二引线框架421和422；以及成型部件460，该成型部件460被形成在腔体中。
主体410可以被形成以包括硅材料、合成树脂材料、或者金属材料。虽然未示出，当主体410是由诸如金属材料的导电材料制成时，主体410的表面被涂覆有绝缘层以防止在第一和第二引线框架421和422之间的电短路。腔体可以被形成在封装主体410中，并且发光器件200可以被布置在腔体的底表面上。
第一引线框架421和第二引线框架422被相互电隔离以将电流供应到发光器件200。另外，第一和第二引线框架421和422可以反射在发光器件200处产生的光以改进光效率，并且可以辐射在发光器件200处产生的热。
根据上述实施例可以配置发光器件200，并且因此其可以借助于电线440被电耦合到第一引线框架421和第二引线框架422。
使用导电膏(未示出)发光器件200可以被固定在封装主体410的底表面中，并且通过覆盖发光器件200成型部件460可以保护发光器件200。在这样的情况下，因为荧光体470被包括在成型部件460中，所以荧光体470可以通过从发光器件200发射的具有第一波长区域的光激励，以发射具有第二波长区域的光。
根据上述实施例的一个或者多个发光器件可以被安装在发光器件封装400上，但是本公开不限于此。
上述发光器件和发光器件封装可以被用作用于照明系统的光源。通过示例，发光器件和发光器件封装可以在诸如用于图像显示设备的背光单元、照明设备等等的发光设备中被使用。
当发光器件和发光器件封装在用于图像显示设备中的背光单元中被使用时，发光器件和发光器件封装可以被用作边缘型背光单元或者直接型背光单元。另一方面，当发光器件和发光器件封装在照明设备中被使用时，发光器件和发光器件封装可以被用作泛光灯或者灯泡型光源。
如从上面的描述中显然的是，根据一个实施例的发光器件可以具有其中在通孔和敞开的区域处第一电极和第二电极分别接触第一导电半导体层和透光导电层的点接触结构。在这样的情况下，DBR或者ODR可以被用作电流阻挡层。因为绝缘层被布置在除了通孔和敞开的区域之外的区域处，所以与传统的发光器件相比较，在DBR或者ODR上反射的光，特别地在蓝色波长区域内的光的吸收的程度可以被减少。
因此，与传统的发光器件相比较，根据一个实施例的从发光器件发射的光的波长分布没有显著地不同于传统的发光器件的波长分布，并且因此可以改进光学功率。
虽然已经参考其多个说明性实施例而描述了本发明的实施例，但是应当理解，本领域内的技术人员可以设计落在本公开的原理的精神和范围内的多个其他变型和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中，各个变化和修改是可能的。除了在组成部件和/或布置中的变化和修改之外，替代的应用对于本领域内的技术人员也是显而易见的。

Claims (21)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括在垂直方向中布置的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；
透光导电层，所述透光导电层被布置在所述发光结构上；
多个第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述多个第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在所述发光结构与所述透光导电层之间；
绝缘层，所述绝缘层被布置在所述透光导电层上；
第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极被布置在所述绝缘层上；
多个通孔，所述多个通孔通过所述透光导电层、所述第二导电半导体层以及所述有源层被形成到所述第一导电半导体层的一部分；以及
通过电极，所述通过电极被布置在所述多个通孔中的每个的内部，
其中，所述多个第一电流阻挡层中的每个重叠所述第一电极，
其中，所述第二电流阻挡层重叠所述第二电极，
其中，所述绝缘层包括多个敞开的区域，
其中，所述第二电极接触所述绝缘层的多个敞开的区域中的每个中的透光导电层，
其中，所述通过电极直接地接触所述第一电极，
其中，所述多个第一电流阻挡层中的每个以恒定的间隔彼此隔开，以及
其中，所述多个通孔和所述多个第一电流阻挡层被交替地布置在相同方向中。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述绝缘层的所述多个敞开的区域和所述第二电流阻挡层彼此重叠。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述绝缘层的所述多个敞开的区域和所述多个通孔被交替地设置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，所述通过电极和所述第一电流阻挡层被交替地设置在相同方向中。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件，其中，所述第一电极包括第一结合焊盘和第一分支指形电极，以及所述第一结合焊盘被布置在所述发光器件的第一边缘区域处。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一分支指形电极的至少一部分在所述垂直方向中与所述通过电极和所述第一电流阻挡层重叠。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述通过电极具有比在相邻的通过电极之间的距离小的长度。
8.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第二电极包括第二结合焊盘和第二分支指形电极，以及所述第二分支指形电极的一部分在垂直方向中与所述第二电流阻挡层重叠。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述通孔和所述第一电流阻挡层的形状与所述第一电极的形状相似。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，在水平方向中所述敞开的区域和所述通过电极被交替地布置。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述通孔被布置在所述第一电流阻挡层的多个部分之间。
12.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述绝缘层被布置在所述通孔中以在所述通过电极的周围延伸。
13.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述第二结合焊盘被布置在所述发光器件的第二边缘区域处。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述第一和第二边缘区域是分别面向所述发光器件的第一和第二拐角的区域，以及
其中，所述第一和第二拐角对角线地彼此面对。
15.根据权利要求9所述的发光器件，其中，除了在所述敞开的区域处之外，所述绝缘层具有恒定的厚度，并且与其他区域相比，在所述垂直方向中，在与所述第一电流阻挡层相对应的区域处所述绝缘层的高度较大。
16.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述通孔与所述第一电极垂直地重叠，并且所述敞开的区域与所述第二电极垂直地重叠。
17.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电流阻挡层或所述第二电流阻挡层中的至少一个是分布布拉格反射器(DBR)或者全方位反射器(ODR)。
18.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；
第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层和第二电流阻挡层具有DBR或者ODR结构并且被布置在所述发光结构上以被相互分离，其中所述第一电流阻挡层和第二电流阻挡层直接地接触所述第二导电半导体层的顶表面；
透光导电层，所述透光导电层被布置在所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层以及所述发光结构上并且在分别对应于所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层的区域处具有最小厚度；
第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别被电耦合到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层；
通孔，所述通孔通过所述透光导电层、所述第二导电半导体层以及所述有源层被形成到所述第一导电半导体层的一部分；以及
通过电极，所述通过电极被布置在所述通孔的内部，
其中，所述第二电流阻挡层被完整地布置，并且所述第一电流阻挡层具有以恒定的间隔隔开的多个部分，以及
其中，所述通孔在垂直方向中与所述第一电流阻挡层不重叠，并且所述通孔和所述第一电流阻挡层被线性地布置在水平方向中使得所述通孔和所述第一电流阻挡层的形状与所述第一电极的形状相似。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中，所述第一电流阻挡层具有被布置为彼此分开的多个部分。
20.根据权利要求19所述的发光器件，其中，在组成所述第一电流阻挡层的部分之间的间距与所述通孔的长度相同。
21.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括在垂直方向中布置的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；
第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层和第二电流阻挡层被布置在所述发光结构上以被相互分离，其中所述第一电流阻挡层和第二电流阻挡层直接地接触所述第二导电半导体层的顶表面；
透光导电层，所述透光导电层被布置在所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层以及所述发光结构上；
第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别被电耦合到所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层；以及
绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一电极和所述第一电流阻挡层之间以及在所述第二电极和所述第二电流阻挡层之间，
通孔，所述通孔通过所述绝缘层、所述透光导电层、所述第二导电半导体层以及所述有源层被形成到所述第一导电半导体层的一部分；以及
其中，所述第一电极在所述垂直方向中与所述第一电流阻挡层重叠，
其中，所述绝缘层的一部分被打开以形成敞开的区域，以及所述透光导电层通过所述敞开的区域被暴露，
其中，所述敞开的区域和所述通孔被交替地布置在水平方向中，
其中，所述第二电流阻挡层被完整地布置，并且所述第一电流阻挡层具有以恒定的间隔隔开的多个部分，以及
其中，所述通孔在垂直方向中与所述第一电流阻挡层不重叠，并且所述通孔和所述第一电流阻挡层被线性地布置在水平方向中使得所述通孔和所述第一电流阻挡层的形状与所述第一电极的形状相似。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102239625B1 (ko) * 2014-10-29 2021-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN110993765A (zh) 2015-02-17 2020-04-10 新世纪光电股份有限公司 具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法
CN106486572B (zh) 2015-09-02 2020-04-28 新世纪光电股份有限公司 发光二极管芯片
KR102519668B1 (ko) * 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN106057998A (zh) * 2016-08-10 2016-10-26 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法
KR20180081371A (ko) * 2017-01-06 2018-07-16 서울바이오시스 주식회사 전류 차단층을 가지는 발광 소자
TWI702737B (zh) * 2017-01-24 2020-08-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
DE102017117164A1 (de) * 2017-07-28 2019-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Hochvolthalbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US10693042B2 (en) 2017-11-23 2020-06-23 Lg Display Co., Ltd. Light-emitting device and display device using the same
JP2020167373A (ja) * 2019-03-28 2020-10-08 ウシオオプトセミコンダクター株式会社 赤外ｌｅｄ素子
WO2020196739A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 ウシオオプトセミコンダクター株式会社 赤外ｌｅｄ素子
CN110010738A (zh) * 2019-04-28 2019-07-12 福建兆元光电有限公司 半导体发光元件及其制造方法
TWI741854B (zh) * 2020-10-26 2021-10-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體元件
CN113707779A (zh) * 2021-08-30 2021-11-26 安徽三安光电有限公司 发光二极管及发光装置
CN114050209B (zh) * 2021-10-26 2024-01-09 厦门三安光电有限公司 发光二极管

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2482345A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-01 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721147B1 (ko) * 2005-11-23 2007-05-22 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
KR100723150B1 (ko) * 2005-12-26 2007-05-30 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP4882792B2 (ja) * 2007-02-25 2012-02-22 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
DE112011103819T5 (de) * 2010-11-18 2013-08-22 Seoul Opto Device Co., Ltd. Lichtemittierender Diodenchip mit Elektrodenfeld
KR101762787B1 (ko) * 2010-12-20 2017-07-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명 시스템
KR101873503B1 (ko) 2011-10-24 2018-07-02 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR101883842B1 (ko) * 2011-12-26 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR101916140B1 (ko) * 2012-05-14 2018-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
WO2014098510A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
KR102239625B1 (ko) * 2014-10-29 2021-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2482345A1 (en) * 2011-01-27 2012-08-01 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device

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