KR20120059859A - 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 소자의 광추출 효율을 향상시키는 발광소자 및 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 발광 소자의 광추출 효율을 향상시키는 발광소자 및 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
한편, 이러한 발광소자의 광효율은 발광소자의 성능을 결정하는 매우 중요한 요소로, 광효율을 증가시킬 수 있는 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법이 개발될 필요성이 있다.
본 발명은 발광 소자의 광추출 효율을 향상시키고자 하는 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 제1 전극을 포함하고, 상기 발광 구조물의 적어도 일측면에는 요철 구조가 생성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시에에 따른 발광 소자의 제조 방법은 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물의 적어도 일측면에 요철 구조를 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예에 따른 발광소자는 광추출 효율을 향상시키는 효과가 있다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 발광 구조물의 일측면에 요철 구조를 생성한 발광소자를 상부에서 도시한 평면도,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 발광 구조물의 일측면 및 타측면에 요철 구조를 생성한 발광소자를 상부에서 도시한 평면도,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 소자의 광효율을 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 발명의 발광 소자가 포함된 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 발광 구조물의 일측면에 요철 구조를 생성한 발광소자를 상부에서 도시한 평면도,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 발광 구조물의 일측면 및 타측면에 요철 구조를 생성한 발광소자를 상부에서 도시한 평면도,
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 소자의 광효율을 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 발명의 발광 소자가 포함된 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면이다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
상기의 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 4는 발광소자의 일실시예의 제조공정을 나타낸 도면이다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이 기판(100)을 준비한다. 상기 기판(100)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 그리고 Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
상기 기판(100) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있다. 즉, 주기적 또는 비주기적형태의 요철을 기판(100) 상에 형성한 PSS(Patterned Sapphire Substrate) 또는 LEPS(Lateral Epitaxy on Patterned Substrate)가 사용될 수 있으며, 본 발명은 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(100)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.
그리고, 상기 기판(100) 상에 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)을 형성할 수 있다.
이때, 상기 발광 구조물(120)과 기판(100) 사이에는 버퍼층을 성장시켜서, 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화할 수 있다. 상기 버퍼층(210)은 3족-5족 화합물 반도체로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 위에는 언도프드(undoped) 반도체층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 발광 구조물(120)은, 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)가 주입되어 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 캐리어(Carrier)가 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(124)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/ AlGaN/, InAlGaN/GaN , GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 좁은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(124)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 가질 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(126)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 P형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 N형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(126) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 상기 제 2도전형 반도체층이 P형 반도체층일 경우 N형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물(120)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
실시예에 따라 제2 도전형 반도체층(126) 상에 요철 구조를 형성할 수 있다. 이 때, 요철 구조는, PEC 방법이나 마스크를 형성한 후 에칭을 통하여 형성할 수 있다상기 PEC 방법에서, 식각액(가령, KOH)의 양과 GaN 결정성에 의한 식각 속도 차이 등을 조절함으로써, 미세 크기의 요철의 형상을 조절할 수 있다. 상기 요철 구조는 주기적 도는 비주기적으로 형성될 수 있다.
또한, 실시예에 따라 상기 제2 도전형 반도체층(126) 상으로 제2 전극(110)과의 전기적 접촉을 위해 투명 전극층(130)이 형성될 수 있으며 이에 대해 한정하지 않는다. 상기 투명 전극층(130)을 이루는 물질로는 예를 들어, ITO(indium tin oxide)가 사용될 수 있다.
이어서, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 제2 도전형 반도체층(126)에서 상기 제1 도전형 반도체층(122)의 일부분까지 메사(Mesa) 식각한다.
예를 들어, 사파이어 기판과 같이 절연성 기판을 사용하는 경우 기판 하부에 전극을 형성할 수 없기 때문에, 상기 제2 도전형 반도체층(126)부터 상기 제1 도전형 반도체층(122)의 일부분까지 메사(Mesa) 식각함으로써, 전극을 형성할 수 있는 공간을 확보할 수 있다.
이 때, 식각되는 발광 구조물의 측면(201)에는 적어도 일측면에는 주기적 또는 비주기적 요철 구조가 생성될 수 있다. 요철 구조는 메사(Mesa) 공정시 생성될 수 있으며, 요철 형상은 제한받지 않는다.
예를 들어, 평균 거칠기(roughness)가 1nm 이상인 주기적 또는 비주기적 패턴의 요철 구조가 생성될 수 있으며, 요철 형상은 사각, 반구, 세모, 사다리꼴 등 단일 또는 복합적인 형태의 형상을 모두 포함한다.
발광 구조물의 측면에 형성되는 상기 요철 구조는 드라이 에칭 공정을 사용하거나, 드라이 에칭 및 습식 에칭 공정을 사용하여 형성할 수 있다. 이 때, 마스크를 형성한 후 에칭을 통하여 요철 형상을 조정할 수 도 있다.
상기 드라이 에칭 방법은 플래즈머 에칭, 스퍼터 에칭, 이온 에칭 등이 사용될 수 있으며, 습식 에칭 공정은 PEC(Photo Chemical Wet-etching) 공정 등이 사용될 수 있다. 이 때, PEC 공정의 경우, 식각액(가령, KOH)의 양과 GaN 결정성에 의한 식각 속도 차이 등을 조절함으로써, 미세 크기의 요철의 형상을 조절할 수 있다.
상기 요철 구조는 주기적 또는 비주기적으로 형성될 수 있다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 도전형 반도체층(122) 표면의 식각되어 노출된 영역에 제1 전극(200)을 형성할 수 있다.
상기 제1 전극(200)은, 예를 들어, 몰리브덴, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 바나듐(V), 텅스텐(W), 납(Pd), 구리(Cu), 로듐(Rh) 및 이리듐(Ir) 중에서 선택된 어느 하나의 금속 또는 상기 금속들의 합금으로 이루어진다. 상기 제2 전극(110)은 상기 제2 도전형 반도체층(126)의 일부 상에 구비되게, 마스크를 이용하여 형성할 수 있다.
그리고, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2 도전형 반도체층(126) 표면에 제2 전극(190)을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극(110)의 재료는 상술한 제1 전극(200)의 재료와 같다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 발광 구조물의 일측면에 요철 구조를 생성한 발광소자를 상부에서 도시한 평면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이 발광 구조물의 측면(201)에는 주기적 또는 비주기적 요철 구조가 생성될 수 있다. 요철 구조는 메사(Mesa) 공정시 생성될 수 있으며, 요철 형상은 제한받지 않음은 이미 설명한 바와 같다.
예를 들어, 평균 거칠기(roughness)가 1nm 이상인 주기적 또는 비주기적 패턴의 요철 구조가 생성될 수 있으며, 요철 형상은 사각, 반구, 세모, 사다리꼴 등 단일 또는 복합적인 형태의 형상을 모두 포함한다.
이 때, 요철 구조가 생성되는 발광 구조물의 일측면(201)은 발광 구조물(120) 의 양측면 중 제1 전극(200)에 근접하는 면일 수 있다.
따라서, 본 발명은 수평형 발광 소자에 포함된 발광 구조물의 측면 메사 식각 시 요철 구조를 생성함으로써, 활성층(124)에서 발광하는 빛 중 제1 전극(200)으로 입사되는 빛의 양을 감소시켜, 발광 소자의 광효율을 증가시키는 효과가 있다.
제1 전극(200) 및 제2 전극(190)은 다양한 형태로 구성이 가능하며, 이에 제한 받지 않는다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 발광 구조물의 일측면 및 타측면에 요철 구조를 생성한 발광소자를 상부에서 도시한 평면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이 발광 구조물의 일측면(201) 및 타측면(202)에는 주기적 또는 비주기적 요철 구조가 생성될 수 있다. 요철 구조는 메사(Mesa) 공정시 생성될 수 있으며, 요철 형상은 제한받지 않음은 이미 설명한 바와 같다.
예를 들어, 평균 거칠기(roughness)가 1nm 이상인 주기적 또는 비주기적 패턴의 요철 구조가 생성될 수 있으며, 요철 형상은 사각, 반구, 세모, 사다리꼴 등 단일 또는 복합적인 형태의 형상을 모두 포함한다.
이 때, 요철 구조가 생성되는 발광 구조물의 일측면(201)은 발광 구조물(120) 중 제1 전극(200)에 근접하는 면이고, 타측면(202)은 발광 구조물 중 제1 전극(200)에 근접하지 않는 면으로 구분될 수 있다.
따라서, 본 발명은 수평형 발광 소자에 포함된 발광 구조물의 일측면 및 타측면의 메사 식각 시 요철 구조를 생성함으로써, 활성층(124)에서 발광하는 빛 중 제1 전극(200)으로 입사되는 빛의 양을 감소시키고, 발광 구조물 내부에서 캡쳐되는 빛의 양을 감소시켜, 발광 소자의 광효율을 증가시키는 효과가 있다.
제1 전극(200) 및 제2 전극(190)은 다양한 형태로 구성이 가능하며, 이에 제한 받지 않음은 이미 설명한 바와 같다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 소자의 광효율을 설명하기 위한 도면이다.
도 7의 경로 1(701)을 참조하면, 본 발명의 발광 소자의 활성층(124)에서 발광된 빛이 기판(100)으로 입사되는 경우, 기판(100) 상에 형성된 요철 구조에서 반사되어 광효율이 개선된다. 또한, 활성층(124)에서 발광되거나, 기판(100)에서 반사되는 빛이 발광 구조물의 측면(202)로 입사되는 경우, 발광 구조물의 측면(202)에 형성된 요철 구조에서 반사되어 광효율이 개선된다.
도 7의 경로 2(702)를 참조하면, 본 발명의 발광 소자의 활성층(124)에서 발광된 빛이 투명전극층(130)으로 입사되는 경우, 투명 전극층(130)은 광을 반사할 수 있다. 투명 전극층에서 반사된 빛이 발광 구조물의 측면(201)으로 입사되는 경우, 발광 구조물의 측면(201)에서 형성된 요철 구조에서 반사되어 제1 전극(200)으로 입사되는 빛의 양을 감소시켜, 발광 소자의 광효율을 증가시키는 효과가 있다.
도 8은 본 발명의 발광 소자가 포함된 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면이다.
도시된 바와 같이, 상술한 실시예들에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(520)와, 상기 패키지 몸체(520)에 설치된 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)과, 상기 패키지 몸체(520)에 설치되어 상기 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(500)와, 상기 발광 소자(500)를 포위하는 충진재(540)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(520)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(500)의 주위에 경사면이 형성되어 광추출 효율을 높일 수 있다.
상기 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(500)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)은 상기 발광 소자(500)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(500)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(500)는 상기 패키지 몸체(520) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(511) 또는 제2 전극층(512) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(500)는 상기 제1 전극층(511) 및 제2 전극층(512)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 충진재(540)는 상기 발광 소자(500)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 충진재(540)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(500)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 기판 120 : 발광구조물
122 : 제1 도전형 반도체층 124 : 활성층
126 : 제2 도전형 반도체층 130 : 투명전극층
190 : 제1 전극 200 : 제2 전극
500 : 발광소자 511 : 제1 전극층
512 : 제2 전극층 520 : 패키지 바디
540 : 충진재
122 : 제1 도전형 반도체층 124 : 활성층
126 : 제2 도전형 반도체층 130 : 투명전극층
190 : 제1 전극 200 : 제2 전극
500 : 발광소자 511 : 제1 전극층
512 : 제2 전극층 520 : 패키지 바디
540 : 충진재
Claims (13)
- 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및
상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되는 제1 전극
을 포함하고,
상기 발광 구조물의 적어도 일측면에는 요철 구조가 생성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 발광 구조물의 측면을 식각하여 노출된 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 형성되고, 상기 요철 구조는 상기 발광 구조물 양측면 중 상기 제1 전극과 근접한 일측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제2항에 있어서,
상기 요철 구조는 상기 발광 구조물의 양측면 중 상기 제1 전극과 근접하지 않는 타측면의 적어도 일부에도 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 발광 구조물은 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상에는 요철 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층의 표면 상으로 요철 구조가 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 상으로 형성되는 투명 전극층; 및
상기 투명 전극층 상으로 형성되는 제2 전극
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;
상기 발광 구조물의 적어도 일측면에 요철 구조를 형성하는 단계; 및
상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 제1 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 발광 구조물의 적어도 일측면에 요철 구조를 형성하는 단계는,
상기 발광 구조물의 측면 식각 시, 상기 요철 구조를 형성하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 제1 전극을 형성하는 단계는,
상기 발광 구조물의 측면을 식각하여 노출된 상기 제1 도전형 반도체층의 적어도 일부 상에 상기 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 요철 구조는 상기 발광 구조물 양측면 중 상기 제1 전극과 근접한 일측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 요철 구조는 상기 발광 구조물의 양측면 중 상기 제1 전극과 근접하지 않은 타측면의 적어도 일부에도 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 발광 구조물은 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상에는 요철 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층의 표면 상으로 요철 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층 상으로 투명 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 투명 전극층 상으로 제2 전극을 형성하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법.
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