CN106057998A - 一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法 - Google Patents

一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法，由下往上依次为GaAs衬底、GaAs基发光二极管芯片外延层、电流扩展层，在所述电流扩展层上为p电极，在所述p电极正下方对应位置生长有一层具有反射作用的电流阻挡层，位于GaAs基发光二极管芯片外延层和电流扩展层之间，本发明所述具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片生长有一层电流阻挡层，在p电极下方通过电流扩展层将电流更好的扩展，通过电流阻挡层避免电流在p电极下方聚集造成p电极下方结温太高的问题，大大增加了电流扩展，增加了出光效率，提升了GaAs基发光二极管的品质。

Description

一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片 及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子技术领域。
背景技术
LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。
GaAs基发光二极管芯片如何增加出光效率成为现阶段的主要研发方向，如果通过电极实现良好的电流扩展会导致电极下方结温过高，长时间使用寿命得不到保证，且电极所用的金属如Au、Ge等都不能有效增加GaAs基发光二极管芯片的电流扩展，如何既能有效提升出光效率且能使LED寿命得到保证成为现阶段研究的主要方向。
中国专利文献CN 105514226A公开的《一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法》是直接在外延结构上外延生长无掺杂的氮化铝材料。采用氮化铝材料当电流阻挡层，可有效提高P型电极的可靠性，减小P型电极在打线过程容易出现电极开裂，此方法是在外延结构上进行改变，对于外延生长的要求较高，不易规模化生产。
中国专利文献CN 104037279A公开的《一种具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法》该方法是在衬底上生长发光外延层，自下而上依次由N型半导体层、活性层和P型半导体层组成；利用具有遮光图形的耐高温材料的光刻板，结合退火工艺，使遮光图形下方的P型半导体层的镁未活化，从而形成电流阻挡层，此方法是通过对外延结构的变化达到电流阻挡的作用，不适用于GaAs基发光二极管芯片规模化生产。
中国专利文献103066175A公开了《一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制备方法》是通过在P型GaN表面，P电极正下方对应的局部位置上制备一层反射膜，有效反射发光层射向电极下方的光线，反射膜上的电流阻挡层能改善电流在电极下方积聚的现象，具有反射作用的电流阻挡层内的圆柱形空洞内填充ITO导电材料，此方法适用于GaN基LED，不适用于GaAs基发光二极管芯片的制造。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片；
本发明还提供了上述GaAs基发光二极管芯片的制备方法；
本发明所述GaAs基发光二极管的制备方法流程简便、较大程度的提升电流扩展及光效。
术语解释
ITO透明导电材料：氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电材料。
本发明的技术方案为：
一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片，由下往上依次为GaAs衬底、GaAs基发光二极管芯片外延层、电流扩展层，在所述电流扩展层上为p电极，在所述p电极正下方对应位置生长有一层具有反射作用的电流阻挡层，位于GaAs基发光二极管芯片外延层和电流扩展层之间。
本发明生长有一层电流阻挡层，在p电极下方通过电流扩展层将电流更好的扩展，通过电流阻挡层避免电流在p电极下方聚集造成p电极下方结温太高的问题，大大增加了电流扩展，增加了出光效率，提升了GaAs基发光二极管的品质。
现阶段大部分GaAs基发光二极管芯片电极下方均未设计电流阻挡层，部分有电流阻挡层的都是电流阻挡层与电极直接接触，本发明中在电极下方还设置有电流扩展层，避免p电极与电流阻挡层直接接触不能有效的电流扩展的问题。
根据本发明优选的，所述电流阻挡层的横截面面积小于所述p电极的横截面面积。使得电流更集中的通过电流扩展层进行扩展，既不聚集也有少许电流通过，成较好的电流扩展。
根据本发明优选的，所述电流阻挡层的厚度小于所述电流扩展层的厚度。
上述GaAs基发光二极管芯片的制备方法，具体步骤包括：
(1)在所述GaAs衬底上生长所述GaAs基发光二极管芯片外延层；
(2)在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面沉积一层SiO2膜，并在所述SiO2膜表面涂正性光刻胶，通过光刻得所述电流阻挡层图形，去除正性光刻胶，制得所述电流阻挡层；
(3)在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面生长电流扩展层；
(4)在所述电流扩展层上制备负性光刻胶图形；
(5)在所述负性光刻胶图形上制备所述p电极。
本发明中电流阻挡层制备过程采用了最简便的方法，使用正性光刻胶，采用常规光刻的方法制备，利用正性光刻胶，提高了电流阻挡层图形的分辨率高，得到更好的电流阻挡层。
根据本发明优选的，所述步骤(2)中，在200-300℃温度条件下，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面沉积一层SiO2膜。
根据本发明优选的，所述步骤(2)中，所述SiO2膜的厚度为0.05-0.4μm，所述正性光刻胶的厚度为1.5μm-2.5μm。
根据本发明优选的，所述步骤(3)中，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面生长电流扩展层，具体步骤包括：在200-300℃温度条件下，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面上沉积一层ITO薄膜，并进行退火，制备所述电流扩展层。
本发明中在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面上沉积一层ITO薄膜，此ITO薄膜覆盖整个芯片表面，电流能更好的扩展到整个芯片；通过退火使ITO薄膜与GaAs基发光二极管芯片外延层形成了良好的欧姆接触，大大降低了芯片的电压。
现有技术中，GaAs基发光二极管芯片沉积的ITO薄膜，都需要将电极下方的部分ITO薄膜去除掉，确保电流扩展及欧姆接触，但会影响到出光效果，本发明设置了电流阻挡层无需进行此步骤且不会影响出光效果。
根据本发明优选的，所述ITO薄膜的厚度为0.1-0.4μm。
根据本发明优选的，所述步骤(3)中，在400-500℃下进行退火。
根据本发明优选的，所述步骤(4)中，在所述电流扩展层上制备负性光刻胶图形；具体步骤包括：在步骤(2)制备的电流扩展层表面涂厚度为2.8-3.8μm的负性光刻胶，通过常规光刻得到电极图形。电极图形大于电流阻挡层图形。
根据本发明优选的，所述步骤(5)中，在所述负性光刻胶图形上制备所述p电极，具体步骤如下：
a、所述负性光刻胶图形上表面镀上一层厚度为1.5-2.5μm的Au膜；
b、通过常规剥离的方法将所述p电极外的Au膜剥离掉，制得到所述p电极。
本发明中p电极下方设置了电流扩展层及电流阻挡层，GaAs基发光二极管芯片常规电极制备方法-腐蚀法中的腐蚀液能对电流扩展层及电流阻挡层腐蚀，本发明通过负性光刻胶剥离制备电极的方法，避免了对电流扩展层及电流阻挡层的损伤且电极图形更易焊线。
本发明的有益效果为：
1、本发明所述具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片，生长有一层电流阻挡层且电流阻挡层图形小于P电极图形，在p电极下方通过电流扩展层将电流更好的扩展，通过电流阻挡层避免电流在p电极下方聚集造成p电极下方结温太高的问题，既不影响P电极下方的电流扩展且能避免电流聚集造成结温高的问题，大大增加了电流扩展，增加了出光效率，提升了GaAs基发光二极管的品质。
2、本发明所述具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片的制备方法，其制备方法都能通过常规设备及常规方法实现，通过两次沉积、两次光刻即可实现，流程简便适合规模化生产。
附图说明
图1为本发明所述GaAs基发光二极管芯片的结构示意图；
图2为实施例1中步骤(2)制得的GaAs基发光二极管芯片的剖视图；
图3为实施例1中步骤(3)制得的GaAs基发光二极管芯片的剖视图；
图4为实施例1中步骤(4)制得的GaAs基发光二极管芯片的剖视图；
1、GaAs衬底，2、GaAs基发光二极管芯片外延层，3、电流阻挡层，4、电流扩展层，5、负性光刻胶，6、P电极。
具体实施方式
下面结合实施例和说明书附图对本发明做详细的说明，但不限于此。
实施例1
一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片，由下往上依次为GaAs衬底1、GaAs基发光二极管芯片外延层2、电流扩展层4，在所述电流扩展层4上为p电极6，在所述p电极6正下方对应位置生长有一层具有反射作用的电流阻挡层3，位于GaAs基发光二极管芯片外延层2和电流扩展层4之间。如图1所示。
GaAs基发光二极管芯片生长有一层电流阻挡层3，在p电极6下方通过电流扩展层4将电流更好的扩展，通过电流阻挡层3避免电流在p电极6下方聚集造成p电极6下方结温太高的问题，大大增加了电流扩展，增加了出光效率，提升了GaAs基发光二极管的品质。
本发明中在p电极6下方还设置有电流扩展层4，避免p电极6与电流阻挡层3直接接触不能有效电流扩展的问题。
所述电流阻挡层3的横截面面积小于所述p电极6的横截面面积。使得电流更集中的通过电流扩展层4进行扩展，既不聚集也有少许电流通过，成较好的电流扩展。
所述电流阻挡层3的厚度小于所述电流扩展层4的厚度。
实施例2
实施例1所述GaAs基发光二极管芯片的制备方法，具体步骤包括：
(1)在所述GaAs衬底1上生长所述GaAs基发光二极管芯片外延层2；
(2)在200-300℃温度条件下，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层2表面沉积一层厚度为0.05-0.4μm的SiO2膜，并在所述SiO2膜表面涂厚度为1.5μm-2.5μm的正性光刻胶，通过光刻得所述电流阻挡层图形，去除正性光刻胶，制得所述电流阻挡层3；如图2所示；
(3)在200-300℃温度条件下，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层2表面上沉积一层厚度为0.1-0.4μm的ITO薄膜，并在400-500℃下，进行退火，制备所述电流扩展层4；如图3所示；
(4)在步骤(2)制备的电流扩展层4表面涂厚度为2.8-3.8μm的负性光刻胶，通过常规光刻得到P电极图形；如图4所示；
(5)在所述负性光刻胶图形上制备所述p电极6，具体步骤包括：
a、所述负性光刻胶图形上表面镀上一层厚度为1.5-2.5μm的Au膜；
b、通过常规剥离的方法将所述p电极6外的Au膜剥离掉，制得到所述p电极6。
本实施例中，电流阻挡层3制备过程采用了最简便的方法，使用正性光刻胶，采用常规光刻的方法制备，利用正性光刻胶，提高了电流阻挡层图形的分辨率高，得到更好的电流阻挡层3。
本实施例中，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层2表面上沉积一层ITO薄膜，此ITO薄膜覆盖整个芯片表面，电流能更好的扩展到整个芯片；通过退火使ITO薄膜与GaAs基发光二极管芯片外延层2形成了良好的欧姆接触，大大降低了芯片的电压。
现有技术中，GaAs基发光二极管芯片沉积的ITO薄膜，都需要将电极下方的部分ITO薄膜去除掉，确保电流扩展及欧姆接触，但会影响到出光效果，本实施例中，设置了电流阻挡层3，无需进行此步骤且不会影响出光效果。
本实施例中，p电极6下方设置了电流扩展层4及电流阻挡层3，GaAs基发光二极管芯片常规电极制备方法-腐蚀法中的腐蚀液能对电流扩展层4及电流阻挡层3腐蚀，本发明通过负性光刻胶剥离制备电极的方法，避免了对电流扩展层4及电流阻挡层3的损伤且电极图形更易焊线。

Claims (10)

1.一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片，其特征在于，由下往上依次为GaAs衬底、GaAs基发光二极管芯片外延层、电流扩展层，在所述电流扩展层上为p电极，在所述p电极正下方对应位置生长有一层具有反射作用的电流阻挡层，位于GaAs基发光二极管芯片外延层和电流扩展层之间。
2.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的横截面面积小于所述p电极的横截面面积。
3.根据权利要求1所述的一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度小于所述电流扩展层的厚度。
4.权利要求1-3任一所述的GaAs基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：
(1)在所述GaAs衬底上生长所述GaAs基发光二极管芯片外延层；
(2)在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面沉积一层SiO2膜，并在所述SiO2膜表面涂正性光刻胶，通过光刻得所述电流阻挡层图形，去除正性光刻胶，制得所述电流阻挡层；
(3)在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面生长电流扩展层；
(4)在所述电流扩展层上制备负性光刻胶图形；
(5)在所述负性光刻胶图形上制备所述p电极。
5.根据权利要求4所述的GaAs基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，在200-300℃温度条件下，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面沉积一层厚度为0.05-0.4μm的SiO2膜，所述正性光刻胶的厚度为1.5μm-2.5μm。
6.根据权利要求4所述的GaAs基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面生长电流扩展层，具体步骤包括：在200-300℃温度条件下，在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面上沉积一层ITO薄膜，并进行退火，制备所述电流扩展层。
7.根据权利要求4所述的GaAs基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述ITO薄膜的厚度为0.1-0.4μm。
8.根据权利要求4所述的GaAs基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，在400-500℃下进行退火。
9.根据权利要求4所述的GaAs基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，在所述电流扩展层上制备负性光刻胶图形；具体步骤包括：在步骤(2)制备的电流扩展层表面涂厚度为2.8-3.8μm的负性光刻胶，通过常规光刻得到电极图形。
10.根据权利要求4所述的GaAs基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，在所述负性光刻胶图形上制备所述p电极，具体步骤如下：
a、所述负性光刻胶图形上表面镀上一层厚度为1.5-2.5μm的Au膜；
b、通过常规剥离的方法将所述p电极外的Au膜剥离掉，制得到所述p电极。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111987201A (zh) * 2019-05-22 2020-11-24 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基发光二极管芯片的制备方法
CN113284997A (zh) * 2021-05-13 2021-08-20 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 倒装led芯片及其制备方法

Citations (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4864370A (en) * 1987-11-16 1989-09-05 Motorola, Inc. Electrical contact for an LED
CN1192057A (zh) * 1997-02-28 1998-09-02 夏普公司 半导体发光元件及其制造方法
CN1222769A (zh) * 1998-01-06 1999-07-14 中国科学院半导体研究所 高效发光二极管及其制造方法
CN1996629A (zh) * 2006-12-29 2007-07-11 北京工业大学 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
CN101009353A (zh) * 2007-01-26 2007-08-01 北京工业大学 电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管
CN201060869Y (zh) * 2006-12-29 2008-05-14 北京工业大学 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
CN101341604A (zh) * 2005-12-23 2009-01-07 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 具有电流扩展层的发光二极管芯片及其制备方法
CN101388431A (zh) * 2008-11-07 2009-03-18 沈光地 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法
CN201349018Y (zh) * 2008-11-07 2009-11-18 沈光地 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管
CN101714605A (zh) * 2009-11-25 2010-05-26 山东华光光电子有限公司 带电流调整层的AlGaInP系LED芯片及其制备方法
CN101834249A (zh) * 2010-04-23 2010-09-15 沈光地 薄膜型发光二极管中的电流输运结构及其制备方法
CN201699049U (zh) * 2010-04-23 2011-01-05 沈光地 双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管
CN102044607A (zh) * 2009-10-21 2011-05-04 Lg伊诺特有限公司 发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明系统
CN102054912A (zh) * 2009-11-04 2011-05-11 大连路美芯片科技有限公司 一种发光二极管及其制造方法
CN102214743A (zh) * 2011-06-09 2011-10-12 中国科学院半导体研究所 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
CN102420280A (zh) * 2010-09-25 2012-04-18 亚威朗光电(中国)有限公司 半导体发光二极管
CN102437263A (zh) * 2011-12-16 2012-05-02 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102468382A (zh) * 2010-11-15 2012-05-23 大连美明外延片科技有限公司 一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法
CN102683540A (zh) * 2012-06-06 2012-09-19 安徽三安光电有限公司 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
CN103066175A (zh) * 2011-10-20 2013-04-24 山东浪潮华光光电子有限公司 一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制备方法
CN103094449A (zh) * 2013-01-23 2013-05-08 厦门市三安光电科技有限公司 氮化镓基发光二极管及其制作方法
CN103730556A (zh) * 2013-12-31 2014-04-16 安徽三安光电有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
CN104037279A (zh) * 2014-07-01 2014-09-10 厦门市三安光电科技有限公司 一种具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法
CN104064642A (zh) * 2014-07-04 2014-09-24 映瑞光电科技(上海)有限公司 垂直型led的制作方法
CN104617193A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 华灿光电(苏州）有限公司 一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法
CN105449065A (zh) * 2015-11-23 2016-03-30 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种提高GaAs基发光二极管电流扩展和出光效率的电极制备方法
CN105576108A (zh) * 2014-10-29 2016-05-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN105742437A (zh) * 2016-03-02 2016-07-06 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管芯片及其制备方法
CN105789404A (zh) * 2016-03-16 2016-07-20 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法
CN105932131A (zh) * 2016-06-22 2016-09-07 扬州乾照光电有限公司 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法

Patent Citations (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4864370A (en) * 1987-11-16 1989-09-05 Motorola, Inc. Electrical contact for an LED
CN1192057A (zh) * 1997-02-28 1998-09-02 夏普公司 半导体发光元件及其制造方法
CN1222769A (zh) * 1998-01-06 1999-07-14 中国科学院半导体研究所 高效发光二极管及其制造方法
CN101341604A (zh) * 2005-12-23 2009-01-07 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 具有电流扩展层的发光二极管芯片及其制备方法
CN1996629A (zh) * 2006-12-29 2007-07-11 北京工业大学 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
CN201060869Y (zh) * 2006-12-29 2008-05-14 北京工业大学 一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
CN101009353A (zh) * 2007-01-26 2007-08-01 北京工业大学 电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管
CN201349018Y (zh) * 2008-11-07 2009-11-18 沈光地 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管
CN101388431A (zh) * 2008-11-07 2009-03-18 沈光地 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法
CN102044607A (zh) * 2009-10-21 2011-05-04 Lg伊诺特有限公司 发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明系统
CN102054912A (zh) * 2009-11-04 2011-05-11 大连路美芯片科技有限公司 一种发光二极管及其制造方法
CN101714605A (zh) * 2009-11-25 2010-05-26 山东华光光电子有限公司 带电流调整层的AlGaInP系LED芯片及其制备方法
CN101834249A (zh) * 2010-04-23 2010-09-15 沈光地 薄膜型发光二极管中的电流输运结构及其制备方法
CN201699049U (zh) * 2010-04-23 2011-01-05 沈光地 双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管
CN102420280A (zh) * 2010-09-25 2012-04-18 亚威朗光电(中国)有限公司 半导体发光二极管
CN102468382A (zh) * 2010-11-15 2012-05-23 大连美明外延片科技有限公司 一种GaAs衬底AlGaInP发光二极管的制备方法
CN102214743A (zh) * 2011-06-09 2011-10-12 中国科学院半导体研究所 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
CN103066175A (zh) * 2011-10-20 2013-04-24 山东浪潮华光光电子有限公司 一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制备方法
CN102437263A (zh) * 2011-12-16 2012-05-02 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102683540A (zh) * 2012-06-06 2012-09-19 安徽三安光电有限公司 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
CN103094449A (zh) * 2013-01-23 2013-05-08 厦门市三安光电科技有限公司 氮化镓基发光二极管及其制作方法
CN103730556A (zh) * 2013-12-31 2014-04-16 安徽三安光电有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
CN104037279A (zh) * 2014-07-01 2014-09-10 厦门市三安光电科技有限公司 一种具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法
CN104064642A (zh) * 2014-07-04 2014-09-24 映瑞光电科技(上海)有限公司 垂直型led的制作方法
CN105576108A (zh) * 2014-10-29 2016-05-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104617193A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 华灿光电(苏州）有限公司 一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法
CN105449065A (zh) * 2015-11-23 2016-03-30 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种提高GaAs基发光二极管电流扩展和出光效率的电极制备方法
CN105742437A (zh) * 2016-03-02 2016-07-06 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管芯片及其制备方法
CN105789404A (zh) * 2016-03-16 2016-07-20 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法
CN105932131A (zh) * 2016-06-22 2016-09-07 扬州乾照光电有限公司 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111987201A (zh) * 2019-05-22 2020-11-24 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基发光二极管芯片的制备方法
CN113284997A (zh) * 2021-05-13 2021-08-20 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 倒装led芯片及其制备方法
CN113284997B (zh) * 2021-05-13 2022-07-29 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 倒装led芯片及其制备方法

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