CN103730556A - 发光二极管芯片及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一发光二极管芯片及其制作方法，该发光二极管芯片，包括：外延层，顶层具有若干个凸起部和凹陷部；透光层，介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度，所述孔洞作为电流阻挡层；电流扩展层，其覆盖于透光层的表面以及未掩膜透光层的外延层表面。利用透光层的折射率介于外延层与孔洞的折射率之间，其与外延层存在折射率差异，可以增加发光层发出的光线向上出射时产生散射的概率，如此可以避免光线被电极吸收，从而提高光萃取效率，此外不需要金属薄膜作为反射层，节省了生产成本。

Description

发光二极管芯片及其制作方法
技术领域
本发明涉及半导体器件领域，尤其是涉及一种发光二极管（LED）芯片及其制作方法。
背景技术
发光二极管（LED）具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用，目前逐渐成为电子学领域的研究热点。 
为了获得高亮度的LED，关键要提高器件内外量子效率。芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主因，由于外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大，导致发光层产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。为此，改善LED发光效率的研究较为活跃，主要有：改变芯片的几何外形、采用倒金字塔结构、谐振腔或光子晶体等结构等。可见，芯片结构的设计对提高发光二极管的发光效率至关重要。
专利申请号为200910037641.3的发明专利申请公开了一种具有电流阻挡层的发光二极管，包括衬底，形成于衬底的正面上的N型半导体材料层，形成于N型半导体材料层上的发光层，形成于发光层上的P型半导体材料层，形成于P型半导体材料层上的透明电极层，形成于透明电极层上的阳极金属电极焊线层和形成于N型半导体材料层上阴极金属电极焊线层，形成于阳极金属电极焊线层、阴极金属电极焊线层上的焊线，在透明电极层与P型半导体材料层之间，阳极金属电极焊线层下方对应的局部位置上，形成有电流阻挡层。本发明利用电流阻挡层减少晶片电极下方的电流积聚，减少电极对光的吸收，但由于该电流阻挡层未能充分地把光反射出来，使得出光效率提高有限。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是改进现有技术的上述局限，以进一步改善电流阻挡/扩展性，提高发光二极管芯片的出光效率和亮度，降低生产成本。
本发明解决其技术问题采用以下的技术方案：
本发明提供一种发光二极管芯片，其结构包括：外延层，其从下至上至少包含第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，顶层具有若干个凸起部和凹陷部；透光层，其介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度。
本发明还提供一种发光二极管芯片，其结构包括：外延层，其从下至上至少包含第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，顶层中心部分区域具有若干个凸起部和凹陷部；介质层，介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度；电流扩展层，其覆盖于介质层的表面以及未掩膜介质层的外延层表面；第一电极，形成于电流扩展层之上，其位置在垂直方向上与介质层上下对应。
本发明更提供一种发光二极管芯片的制作方法，包括以下步骤：
（1）提供一基板；
（2）在所述基板上形成外延层，从下至上至少包含第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，顶层具有若干个凸起部和凹陷部；
（3）在所述外延层上形成透光层，其介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度；
（4）在所述透光层的表面以及未掩膜透光层的外延层表面，覆盖连续分布的薄膜结构的电流扩展层。
上述步骤（4）完成后，还可以包括步骤（5）直接制作第一电极和第二电极，其分别设置于部分电流扩展层之上和基板之下；也可以包括步骤（5）先移除部分外延层，使得部分第一型半导体层裸露出来，然后再步骤（6）制作第一电极和第二电极，其分别设置于部分电流扩展层之上和部分第一型半导体层之上。
本发明再提供一种发光二极管芯片的制作方法，包括以下步骤：
（1）提供一基板；
（2）在所述基板上形成外延层，从下至上至少包含第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，顶层中心部分区域具有若干个凸起部和凹陷部；
（3）在所述外延层上形成介质层，其介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度；
（4）在所述介质层的表面以及未掩膜介质层的外延层表面，覆盖连续分布的薄膜结构的电流扩展层。
上述步骤（4）完成后，还可以包括步骤（5）直接制作第一电极和第二电极，其分别设置于部分电流扩展层之上和基板之下；也可以包括步骤（5）先移除部分外延层，使得部分第一型半导体层裸露出来，然后再步骤（6）制作第一电极和第二电极，其分别设置于部分电流扩展层之上和部分第一型半导体层之上。
根据本发明，优选的是，所述相邻的透光层之间具有镂空部。
根据本发明，优选的是，所述透光层呈周期性分布。
根据本发明，优选的是，所述透光层为纳米球或纳米线或纳米柱结构。
根据本发明，优选的是，所述透光层材料为介质层或者导电层或其组合。
根据本发明，优选的是，所述介质层材料选用SiO2或SiNx或Al2O3或TiO2或AlN中的一种或其组合。
根据本发明，优选的是，所述导电层材料选用氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）中的一种或其组合。
根据本发明，优选的是，所述透光层的折射率介于外延层与空气的折射率之间。
根据本发明，优选的是，还包括电流扩展层，其覆盖于透光层的表面以及未掩膜透光层的外延层表面。
根据本发明，优选的是，所述电流扩展层为连续分布的薄膜结构。
根据本发明，优选的是，所述电流扩展层材料选用氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）中的一种或其组合。
根据本发明，优选的是，还包括基板，其与所述外延层相对而设，所述基板为外延基板或导热基板或导电基板或绝缘基板。
根据本发明，优选的是，还包括第一电极和第二电极，其分别设置于部分透光层之上和基板之下。
根据本发明，优选的是，还包括第一电极和第二电极，其分别设置于部分电流扩展层之上和基板之下。
根据本发明，优选的是，还包括第一电极和第二电极，其分别设置于部分透光层之上和部分第一型半导体层之上。
与现有技术相比，本发明的有益效果至少包括：通过控制透光层与具有凹凸微结构的外延层的位置关系，使得透光层介于相邻的外延层凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞结构，该孔洞作为电流阻挡层；透光层为介质层，则具有电流阻挡作用，大大改善芯片电极下方的电流积聚现象；透光层为导电层，则具有电流扩散作用，提高电流的注入效率，降低器件工作电压；利用透光层的折射率介于外延层与孔洞（空气）的折射率之间，其与外延层存在折射率差异，可以增加发光层发出的光线向上出射时产生散射的概率，如此可以避免光线被电极吸收，从而提高光萃取效率，此外不需要金属薄膜作为反射层，节省了生产成本。
附图说明
附图用来提供对本发明进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
101：基板；102：外延层；103：第一半导体层；104：发光层；105：第二半导体层；106：凸起部；107：凹陷部；108：透光层；109：孔洞；110：镂空部；111：电流扩展层；112：P电极；113：N电极； 
201：基板；202：外延层；203：第一半导体层；204：发光层；205：第二半导体层；206：凸起部；207：凹陷部；208：透光层；209：孔洞；210：镂空部；211：电流扩展层；212：P电极；213：N电极； 
301：基板；302：外延层；303：第一半导体层；304：发光层；305：第二半导体层；306：凸起部；307：凹陷部；308：透光层；309：孔洞；310：镂空部；311：电流扩展层；312：P电极；313：N电极； 
401：基板；402：外延层；403：第一半导体层；404：发光层；405：第二半导体层；406：凸起部；407：凹陷部；408：介质层；409：透光层；410：孔洞；411：镂空部；412：电流扩展层；413：P电极；414：N电极； 
501：基板；502：外延层；503：第一半导体层；504：发光层；505：第二半导体层；506：凸起部；507：凹陷部；508：第一透光层；509：第二透光层；510：孔洞；511：镂空部；512：电流扩展层；513：P电极；514：N电极； 
601：基板；602：外延层；603：第一半导体层；604：发光层；605：第二半导体层；606：凸起部；607：凹陷部；608：介质层；609：孔洞；610：电流扩展层；611：P电极；612：N电极； 
701：基板；702：外延层；703：第一半导体层；704：发光层；705：第二半导体层；706：凸起部；707：凹陷部；708：介质层；709：孔洞；710：电流扩展层；711：P电极；712：N电极； 
801：基板；802：外延层；803：第一半导体层；804：发光层；805：第二半导体层；806：凸起部；807：凹陷部；808：介质层；809：孔洞；810：电流扩展层；811：P电极；812：N电极。
图1~5是本发明实施例1制作发光二极管芯片的流程示意剖面图。
图6是本发明实施例2发光二极管芯片的剖面图。
图7是本发明实施例3发光二极管芯片的剖面图。
图8是本发明实施例4发光二极管芯片的剖面图。
图9是本发明实施例5发光二极管芯片的剖面图。
图10~15是本发明实施例6制作发光二极管芯片的流程示意剖面图。
图16是本发明实施例7发光二极管芯片的剖面图。
图17是本发明实施例8发光二极管芯片的剖面图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1
一种发光二极管芯片的制作方法，其制作步骤包括：
第一步：如图1所示，提供一基板101，基板可为外延基板、导热基板、导电基板或绝缘基板，在本实施例中，优选选用硅（Si）基板作为外延基板，在其它实施例中，所述基板可选用蓝宝石（Al2O3）、碳化硅（SiC）基板、氮化镓（GaN）基板、砷化镓（GaAs）基板、磷化镓（GaP）基板、氮化铝（AlN）基板、铜（Cu）基板等。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在所述基板上形成外延层102，外延层从下至上依次堆叠第一半导体层103、发光层104和第二半导体层105，其中第一半导体层103与第二半导体层105的电性相反，当第一半导体层103为N型时，第二半导体层105为P型，反之亦然，在本实施例中，第一半导体层103为N型氮化镓层，第二半导体层105为P型氮化镓层，且发光层104为氮化铟镓/氮化镓组成的多重量子阱（MQW）。第一半导体层103与第二半导体层105及发光层104可为其它已知组成，并不限于上述组成。
第二步：如图2所示，采用蚀刻工艺，使得外延层的顶层形成凹凸微结构，具有若干个凸起部106和凹陷部107，其蚀刻方式不限于干法蚀刻，亦可选用湿法蚀刻。所述凹凸微结构亦可以在外延制程中调整工艺参数形成，不局限于芯片工艺形成。需要指出的是，凹凸微结构不局限于在外延层内部中形成，亦可以通过引入其它凹凸微结构，如周期性阵列状的介质层，在外延层表面上形成。
第三步：如图3所示，采用纳米压印工艺，在外延层102上形成透光层108，其介于相邻的凸起部106顶端之间，与凹陷部107之间形成孔洞109，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度；相邻的透光层之间可以点或线或面接触，也可以不接触，在本实施例，相邻的透光层108不接触，呈周期性分布且间距为200nm，从而形成镂空部110；透光层可为纳米球或纳米线或纳米柱结构，在本实施例中透光层108优选为纳米球结构，纳米球的线径为10~500nm，优选为200nm；透光层108可为介质层或者导电层，在本实施例透光层108优选为导电层，导电层可为氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO），在本实施例导电层优选为氧化铟锡（ITO），其折射率介于外延层与空气的折射率之间。
第四步：如图4所示，在透光层108的表面以及未掩膜透光层108的外延层表面，覆盖连续分布的薄膜结构的电流扩展层111，电流扩展层可为氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO），在本实施例电流扩展层优选为氧化铟锡（ITO），与透光层108相同，可避免发光二极管内部的损伤，在保证发光二极管良好的发光强度的前提下获得较低工作电压。电流扩展层111的形成方式可选用真空蒸镀或电子束蒸镀或射频（RF）或溅射（sputtering）或等离子体化学气相沉积法（PECVD），在本实施例，选用溅射镀膜方式。
第五步：如图5所示，分别在部分电流扩展层111之上和基板101之下制作P电极112和N电极113，需要指出的是，在本实施例由于基板101选用具有导电性的硅基板，所以亦可不需在基板101之下制作N电极113。
如图5所示，上述制得的发光二极管芯片，其结构包括：最底层为硅基板101；具有凹凸微结构的外延层102，形成于硅基板101上，其从下至上依次堆叠第一半导体层103、发光层104和第二半导体层105，其中顶层第二半导体层105表面具有若干个凸起部106和凹陷部107；具有纳米球结构的ITO透光层108，其介于相邻的凸起部106顶端之间，与凹陷部107之间形成孔洞109，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度，相邻的透光层108之间不接触，呈周期性分布，从而形成镂空部110；具有连续分布的薄膜结构的ITO电流扩展层111，其覆盖于ITO透光层108的表面以及未掩膜透光层的外延层102表面；P电极112，形成于部分ITO电流扩展层111之上；N电极113，形成于硅基板101之下。
上述发光二极管芯片结构采用透光层与具有凹凸微结构的外延层结合，使得透光层介于相邻的外延层凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞结构，该孔洞作为电流阻挡层；透光层为导电层，则具有电流扩散作用，提高电流的注入效率，降低器件工作电压，从而提高LED的发光效率和亮度。
实施例2
如图6所示，与实施例1不同的是，本实施例公开了一种同面电极结构的发光二极管芯片。在本实施例，采用蓝宝石基板作为外延基板201，分别在部分电流扩展层211之上和裸露的第一半导体层203之上制作P电极212和N电极213。
实施例3
如图7所示，与实施例2不同的是，本实施例的外延层顶层凹凸微结构，其凹陷部307与第二半导体层305表面位于同一平面，而实施例2的凸起部206与第二半导体层205表面位于同一平面。
实施例4
如图8所示，与实施例2不同的是，本实施例的外延层顶层凹凸微结构是通过设置周期性排列的低折射率介质层408形成，介质层408材料可选用SiO2或SiNx或Al2O3或TiO2或AlN中的一种或其组合，在本实施例选用SiO2。由于透光层409介于相邻的凸起部406顶端之间，与凹陷部407之间形成孔洞结构408，故该孔洞408作为电流阻挡层，此外作为凹凸微结构的介质层408同样具有电流阻挡作用，如此二者结合，可大大改善芯片电极下方的电流积聚现象。
实施例5
如图9所示，与实施例3不同的是，本实施例的透光层由第一透光层和第二透光层组成，其中第一透光层508选用介质层，位于外延层的顶层凹凸微结构上，第二透光层509选用导电层，位于外延层的第二半导体层505表面上。由于第一透光层508介于相邻的凸起部506顶端之间，与凹陷部507之间形成孔洞结构510，故该孔洞510作为电流阻挡层，此外第一透光层508选用介质层，同样具有电流阻挡作用，如此二者结合，可大大改善芯片电极下方的电流积聚现象。
实施例6
第一步：如图10所示，提供一蓝宝石（Al2O3）基板601，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在所述基板上形成外延层602，外延层从下至上依次堆叠第一半导体层603、发光层604和第二半导体层605。
第二步：如图11所示，通过蚀刻工艺，使得外延层的顶层中心部分区域形成凹凸微结构，具有若干个凸起部606和凹陷部607。
第三步：如图12所示，采用纳米压印工艺，在外延层602上形成介质层608，其介于相邻的凸起部606顶端之间，与凹陷部607之间形成孔洞609，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度；介质层608可为SiO2或SiNx或Al2O3或TiO2或AlN中的一种或其组合，在本实施例介质层优选为SiO2，其折射率介于外延层与空气的折射率之间。
第四步：如图13所示，在介质层608的表面以及未掩膜介质层608的外延层表面，覆盖连续分布的薄膜结构的电流扩展层610，电流扩展层可为氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO），在本实施例电流扩展层优选为氧化锌（ZnO）。
第五步：如图14所示，由于本实施例基板601选用绝缘的蓝宝石（Al2O3）基板，需要制作同面电极，故采用干法蚀刻工艺，从电流扩展层610蚀刻至第一半导体层603，使得部分第一半导体层603平台裸露出来，用以后续制作N电极。
需要指出的是，在本实施例裸露的第一半导体层平台是在第五步中形成，而应当知道，裸露的第一半导体层可以在形成电流扩展层之前进行，其蚀刻方式也不限于干法蚀刻，亦可选用湿法蚀刻。
第六步：如图15所示，分别在部分电流扩展层610之上和裸露的第一半导体层603之上制作P电极611和N电极612。
如图15所示，上述制得的发光二极管芯片，其结构包括：最底层为蓝宝石基板601；具有凹凸微结构的外延层602，形成于蓝宝石基板601上，其从下至上依次堆叠第一半导体层603、发光层604和第二半导体层605，其中顶层第二半导体层605表面具有若干个凸起部606和凹陷部607；具有纳米球结构的SiO2介质层608，其介于相邻的凸起部606顶端之间，与凹陷部607之间形成孔洞609，其横向尺寸大于相邻的凸起部606顶端之间的宽度，相邻的介质层608之间接触，呈周期性分布；具有连续分布的薄膜结构的ZnO电流扩展层111，其覆盖于介质层608的表面以及未掩膜介质层608的外延层102表面；P电极611，形成于部分电流扩展层610之上，其位置在垂直方向上与介质层608上下对应；N电极612，形成于裸露的第一半导体层603之上。
如图15中所示的光路径图，上述发光二极管芯片结构利用设置在垂直方向上位于P电极下方的介质层，其折射率介于外延层与孔洞的折射率之间，其与外延层存在折射率差异，可以增加发光层发出的光线向上出射时产生散射的概率，如此可以避免光线被金属电极吸收，从而提高光萃取效率，而且不需要金属薄膜作为反射层，节省了生产成本。此外，由于介质层介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞结构，故该孔洞作为电流阻挡层，而介质层本身具有电流阻挡作用，如此二者结合，可大大改善芯片电极下方的电流积聚现象。
实施例7
如图16所示，与实施例6不同的是，本实施例的介质层708中掺杂散射材料，进一步增强其散射效果。由于掺杂散射材料后的介质层708兼具阻挡层和反射层的作用，与孔洞709搭配形成的组合结构，更进一步增强了其在垂直方向上位于P电极下方的阻挡与反射作用，从而改善电流分布均匀性，最大限度地提高光萃取效率。
实施例8
如图17所示，与实施例6不同的是，本实施例公开了一种垂直结构的发光二极管芯片。在本实施例，采用铜（Cu）基板作为散热基板801，N电极812形成于散热基板801的背面，构成了垂直结构的LED器件结构。本实施例的光路径图与图15类似，在此不做赘述。
应当理解的是，上述具体实施方案为本发明的优选实施例，本发明的范围不限于该实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.发光二极管芯片，包括：外延层，其从下至上至少包含第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，顶层具有若干个凸起部和凹陷部；透光层，其介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述相邻的透光层之间具有镂空部。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述透光层呈周期性分布。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述透光层为纳米球或纳米线或纳米柱结构。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述透光层材料为介质层或者导电层或其组合。
6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述介质层材料为SiO2或SiNx或Al2O3或TiO2或AlN中的一种或其组合。
7.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述导电层材料为氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）中的一种或其组合。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述透光层的折射率介于外延层与空气的折射率之间。
9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：还包括电流扩展层，其覆盖于透光层的表面以及未掩膜透光层的外延层表面。
10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述电流扩展层为连续分布的薄膜结构。
11.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述电流扩展层材料为氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）中的一种或其组合。
12.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于：还包括第一电极，形成于所述电流扩展层之上，其位置在垂直方向上与所述透光层上下对应，所述透光层为介质层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述外延层顶层中心部分区域具有若干个凸起部和凹陷部。
14.发光二极管芯片的制作方法，包括以下步骤：
（1）提供一基板；
（2）在所述基板上形成外延层，从下至上至少包含第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，顶层具有若干个凸起部和凹陷部；
（3）在所述外延层上形成透光层，其介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度；
（4）在所述透光层的表面以及未掩膜透光层的外延层表面，覆盖连续分布的薄膜结构的电流扩展层。
15.发光二极管芯片的制作方法，包括以下步骤：
（1）提供一基板；
（2）在所述基板上形成外延层，从下至上至少包含第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，顶层中心部分区域具有若干个凸起部和凹陷部；
（3）在所述外延层上形成介质层，其介于相邻的凸起部顶端之间，与凹陷部之间形成孔洞，其横向尺寸大于相邻的凸起部顶端之间的宽度；
（4）在所述介质层的表面以及未掩膜介质层的外延层表面，覆盖连续分布的薄膜结构的电流扩展层。
16.根据权利要求14或15所述的发光二极管芯片，其特征在于：还包括步骤（5）制作第一电极和第二电极，其分别设置于部分电流扩展层之上和基板之下。
17.根据权利要求14或15所述的发光二极管芯片，其特征在于：还包括步骤（5）移除部分外延层，使得部分第一型半导体层裸露出来。
18.根据权利要求17所述的发光二极管芯片，其特征在于：还包括步骤（6）制作第一电极和第二电极，其分别设置于部分电流扩展层之上和部分第一型半导体层之上。
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