CN104638077A - 一种光输出增强的发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

一种光输出增强的发光器件，包括：透明衬底，第一发光功能层，其中，所述第一发光功能层包括第一导电类型的第一半导体层、第一有源层和第二导电类型的第二半导体层，所述第一源层被设置在所述第一半导体层和第二半导体层之间，第二发光功能层，其中，所述第二发光功能层包括第二导电类型的第三半导体层、第二有源层和第一导电类型的第四半导体层，所述第二源层被设置在所述第三半导体层和第四半导体层之间，以及所述第一发光功能层和第二发光功能层互相叠置，以及第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极被设置在该发光器件的同一侧面上。进一步还提供了一种该发光器件的方法。该发光器件不但能够在最佳电流密度下工作，增强光输出，而且能节约生产成本，从而得到性价比高的发光器件。

Description

一种光输出增强的发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种光输出增强的发光器件及其制造方法，属于光电子技术领域。

背景技术

发光二极管(LED)是用于将电能转换为光能的半导体发光器件。

通常导电衬底的发光二极管器件，因其衬底导电，一般制成垂直电极结构，其正负电极设置在器件的上下表面，但由于电极挡光，出光面电极面积不能太大，通过电极注入的电流横向扩展不充分，产生横向电阻，注入的电流不可能均匀垂直流动，因而有源区平面各部分发光不均匀，光电性能差。且由于出光面电极的遮挡，有源区发射出的光会有部分损失，而无法射出器件体外，降低了器件的光效。进一步，现有上下电极结构的发光二极管也使其在某些应用领域(如平面显示等)组装不便，造成器件性价比低。

具有绝缘衬底的发光二极管器件，如蓝宝石衬底GaN基的发光二极管器件，其器件正负电极在同一侧，具有横向双电极结构，注入的电流在器件内部横向流动，横向电阻大，且注入的电流从正电极流经有源区到达负电极的距离不相等，造成器件有源区中的电流密度不均匀，器件发热不均匀，因而有源区各点发光不均匀，波长不一致，发光品质差，大电流大功率下易在光电流密度大的区域发生光电损毁，降低器件可靠性。

进一步地，通常结构的发光二极管，一般没有内反光层，有源区发出的光射到侧壁，特别是表面时，往往会有损失，相当一部分光在器件内部和内表面被损耗或被材料吸收，造成器件发热严重，出光效率低。

进一步地，通常横向双电极结构的发光二极管，由于需要刻蚀出台面结构以制备电极，都会损失一部分有源区，减少了发光面积，降低了光电品质和性价比。并且，在器件损失的部分，往往会形成一些缺陷，进而降低器件的发光效率。

进一步地，发光二极管器件在工作时，会有一个最佳的工作电流密度，在现有技术中，为了保持发光器件在最佳电流密度下工作并得到大光强输出，通常做法是增加芯片面积，此外，从电路上来说，可将多个管芯或芯片并联或串联，以上做法可保证芯片的电流密度最佳，且输出光强增大。然而，无论是将单个芯片面积增大或将多个管芯或芯片串并联，为了保证最佳电流密度下光强的成倍增加，都需成倍的增加芯片面积或管芯数目，这就降低了器件的产量和产能，因而，增大器件输出光能而又不减少器件产能是当前技术无法解决的矛盾。

针对上述问题，我们提出了一种在最佳电流密度下工作、输出光能增加同时又不减少产量甚至增加产量和产值的新型高品质多有源区发光、电流垂直流动、不损失芯片面积电极在同一侧的发光二极管器件的结构与制造工艺技术。

发明内容

本发明的一目的是提供一种多有源区发光、电流垂直流动、不损失芯片面积且同侧双电极的发光器件。

本发明的另一目的是提供一种在外延片上并联的发光器件。

本发明又一目的是提供一种包含第一等电位层、第二准等电位层、第三等电位层的发光器件。

本发明的又一目的是提供一种同侧电极便于压焊封装的发光器件。

本发明的又一目的是提供一种包含第一等电位层、第二准等电位层、第三等电位层、电流近似垂直流动的发光器件的制备方法。

本发明的又一目的是提供一种同侧双电极，同时上表面出光，侧面和下表面全内反光的发光器件及其制造方法。

本发明又一目的是提供一种同侧双电极，同时又不损失有源区的发光器件及其制造方法。

为达上述目的以及其它目的，根据本发明的一个方面，本发明提供一种光输出增强的发光器件，包括：透明衬底；第一发光功能层，其中，所述第一发光功能层包括第一导电类型的第一半导体层、第一有源层和第二导电类型的第二半导体层，所述第一源层被设置在所述第一半导体层和第二半导体层之间；第二发光功能层，其中，所述第二发光功能层包括第二导电类型的第三半导体层、第二有源层和第一导电类型的第四半导体层，所述第二源层被设置在所述第三半导体层和第四半导体层之间；所述第一发光功能层和第二发光功能层互相叠置；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极被设置在该发光器件的同一侧面上。

该发光器件还包括第一等电位层，第一等电位层设置在所述透明衬底与所述第一发光功能层之间，所述第一等电位层由具有第一导电类型的第一重掺接触层和第一透明导电薄膜构成；和/或第二准等电位层，所述第二准等电位层设置在所述第一发光功能层和所述第二发光功能层之间，所述第二准等电位层由具有第二导电类型的厚第二重掺接触层构成；和/或第三等电位层，所述第三等电位层设置在第二发光功能层下表面，所述第三等电位层由具有第一导电类型的第三重掺接触层和第二透明导电薄膜构成。

所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型；或者，所述第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型。

所述第一等电位层、第二准等电位层和第三等电位层三者平行对置。

在所述透明衬底与第一重掺接触层之间进一步设置有透明介质键合层。

所述透明衬底，可以是蓝宝石、GaP、SiC、ZnO、InP、AlGaN、ZnO、AlN、GaN、AlGaInP及其复合物和玻璃等透明材料。

所述透明介质键合层，可以透明绝缘材料或透明导电材料。

所述透明绝缘材料是SOG、环氧树脂、BCB胶、聚酰亚胺。

所述透明导电材料是ITO、透明导电胶、导电玻璃。

所述第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜材料是由从纳米银丝网线、石墨烯、氧化铟锡(ITO)，高掺杂氧化锌(ZnO)、碳化硅(SiC)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GaIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化镁(MgO)、In₄Sn₃O₁₂、以及氧化锌镁(Zn_1-xMg_xO，0≤x≤1)、NiAu构成的组中选出的至少一种。

所述第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜可以是同一种材料，或者也可以是不同种材料。

所述发光器件的侧面具有倾斜表面。

所述倾斜表面从与透明衬底垂直的面为基准面以10°～80°的角度倾斜。

所述发光器件还包括透明绝缘层，所述透明绝缘层被布置在所述侧面和所述第三等电位层的下表面的一部分上。

所述透明绝缘层可以是低折射率的透明绝缘材料。

进一步地，当有源区发出的光波长为λ时，所述透明绝缘层的厚度应被设置为λ/4的整数倍。

所述有源层包括pn结结构、单异质结结构、双异质结结构、单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构或量子点结构。

所述透明绝缘层可以由金属氧化物或者树脂材料形成。

所述第一电极被布置在所述绝缘层的下表面并与所述绝缘层的侧表面上的导电薄膜连通，所述第二电极被布置在所述透明绝缘层的下表面并与所述绝缘层的侧表面上的导电薄膜连通。

所述第一电极和所述第二电极包括高反射率的导电材料。

所述高反射率的导电材料为Al、Ag、Au及其合金。

所述布置于发光器件侧面上的透明绝缘层与第一等电位层重合之处具有暴露所述第一等电位层的第一环形开口，该环形开口围绕所述侧面。

所述布置于发光器件侧面上的透明绝缘层与第二准等电位层重合之处具有暴露所述第二准等电位层的第二环形开口，该环形开口围绕所述侧面。

所述布置于发光器件的第三等电位层上的透明绝缘层具有至少一个过孔，所述第二电极未覆盖该过孔，但所述第一电极覆盖该过孔，并通过该过孔与第三等电位层电连接。

所述第一电极覆盖于下表面所述透明绝缘层上，并通过所述透明绝缘层上的导电薄膜和第一环形开口与第一等电位层电连接，且通过所述覆盖于第三等电位层上的过孔与第三等电位层电连接。

所述第二电极覆盖于下表面所述透明绝缘层上，并通过所述透明绝缘层上的 导电薄膜和第二环形开口与第二准等电位层电连接。

所述第一电极为正电极，所述第二电极为负电极，反之亦可。

根据本发明的第二个方面，本发明还提供一种光输出增强的发光器件的制造方法，包括以下步骤：

在原始生长衬底上生长发光器件的外延层，该外延层包括第一导电类型的第一重掺接触层，第一发光功能层，第二导电类型的厚第二重掺接触层，第二发光功能层和第一导电类型的第三重掺接触层，其中，第一发光功能层由第一导电类型的限制层，第一有源层，第二导电类型的限制层构成；第二发光功能层由第一导电类型的限制层，第二有源层和第二导电类型的限制层构成；

所述第二导电类型的厚第二重掺接触层构成第二准等电位层；

在所述第一导电类型的第一重掺接触层上形成第一透明导电薄膜，该第一导电类型的第一重掺接触层和第一透明导电薄膜形成第一等电位层；

在透明衬底上覆盖一层透明介质键合层；

将覆盖有透明介质键合层的透明衬底与所述发光器件的外延层键合在一起。进一步，去除原始生长衬底；

在所述第一导电类型的第三重掺接触层上形成第二透明导电薄膜，该第一导电类型的第三重掺接触层和第二透明导电薄膜构成第三等电位层；以第一等电位层为蚀刻停止层，采用湿法或干法工艺刻蚀出侧面为斜面的发光器件，该侧面不具有台阶，该倾斜侧面从与透明衬底垂直的面为基准面以10°～80°的角度倾斜；

在该发光器件侧面和下表面沉积第一透明绝缘层；

图案化所述第一透明绝缘层，去除其与第二准等电位层重合之处，形成第一环形开口，该环形开口成环状围绕在该发光器件侧面；

在该发光器件侧面和下表面形成第一导电薄膜，该导电薄膜覆盖于已图案化的第一透明绝缘层和第一环形开口上且通过第一环形开口与第二准电位层电接触，进一步地，利用光刻工艺，图案化所述第一导电薄膜，形成第二电极；

在该发光器件侧面及下表面沉积第二透明绝缘层，该第二透明绝缘层覆盖于已图案化的第一透明绝缘层和第二电极之上，图案化所述第二透明绝缘层和第一透明绝缘层，使二者与第一等电位层重合之处，形成第二环形开口，该环形开口成环状围绕在该发光器件侧面；

图案化覆盖于所述器件下表面的所述第一透明绝缘层和第二透明绝缘层，形成过孔，该过孔可以是一个，也可以是多个；

在该发光器件侧面和下表面形成第二金属薄膜，该第二金属薄膜覆盖于已腐蚀出第二环形开口的第二透明绝缘层上与第一等电位层电连接，以及该第二金属薄膜覆盖于已腐蚀出过孔的第二透明绝缘层上与第三等电位层电连接，图案化该 第二金属薄膜，形成第一电极；

图案化该发光器件下表面的所述第二透明绝缘层，暴露出第二电极；

本发明具有以下效果：

第一、当给本发明的发光器件上施加电压时，本发明相当于多个发光二极管器件的并联，但芯片面积并未增加，据此可保证发光器件在最佳电流密度下工作，且器件光强成倍增加，同时可节约生产成本，提高发光二极管器件的性价比。

第二、当给本发明的发光器件之间施加电压时，由于第一等电位层、第二准等电位层和第三等电位层具有很高的导电率，相当于三个平板电极，电流能均匀注入到有源层，使得电流可以在其内部近似垂直流动。因而可以改善有源区发光的均匀度，得到高品质的发光器件。

第三、本发明的发光器件的第一电极和第二电极都位于该发光器件的下表面，取光面没有电极的遮挡，因此，不但提高了光的提取效率，且无需使用金线进行压焊，使用方便，据此可实现无金线压焊封装，从而得到性价比高的发光器件。

第四、本发明的发光器件包括全内反光镜结构，据此可改变有源区发出的射向侧壁和下表面的光线，缩短光在发光器件内部反射的路程，减小半导体材料对光的吸收，因此，进一步可以提高出光效率。

说明附图

图1为本发明第一实施例涉及的双发光功能层发光器件的剖面示意图。

图2A-2I为本发明第二实施例涉及的双发光功能层发光器件的制造方法的截面图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围内。

在附图中，为了描述的清楚和方便，各层的厚度或者尺寸被夸大、省略或者示意性地示出。因此，各个元件的尺寸没有整体上反映其实际尺寸。通篇相同的附图标记表示相同的构成要素。

将理解，当记载为一个层位于另一层“上”或“下”时，这表示可在所述另一层上或下直接形成或者在它们之间也有可能夹设有第三层。术语“直接地”意味着不存在中间层或元件。还将理解，在本说明书中，上侧、上(部)、上面等方向性的表述可以理解成下侧、下(部)、下面等的意思。即，关于空间上的方向的表述应当被理解为相对的方向，不能如表示绝对方向那样限定地理解。

另外，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等表述并不是要对构成要素 进行何种限定的，而是应当被理解为仅用于区别构成要素的术语。因此，在不偏离本发明的教导的情况下，下文讨论的第一半导体、电极、层或部分可以被称为第二半导体、电极、层或部分。

实施例一

如图1所示，一种光输出增强的发光器件00，包括：透明衬底111，设置在透明衬底表面上的第一等电位层115，第二准等电位层116和第三等电位层117，以及夹在第一等电位层115和第二准等电位层116之间的第一发光功能层102，夹在第二准等电位层116和第三等电位层117之间的第二发光功能层104；第一电极121，所述第一电极121连接到所述第一等电位层115和所述第三等电位层117；第二电极122，所述第二电极122连接到所述第二准等电位层116；第一发光功能层102由第一导电类型的第一限制层，第一有源层，第二导电类型的第二限制层构成；第二发光功能层由第一导电类型的第三限制层，第二有源层，第二导电类型的第四限制层构成。

在所示实施例中，该发光器件00包括两个发光功能层，其可发出相同或不同波长的光。可以理解的是，在另一实施例中，该发光器件00可以包括多个发光功能层，例如三个或以上的发光功能层，其可以发出相同和/或不同波长的光。

在所示实施例中，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。

所述透明衬底111，可以是蓝宝石、GaP、SiC、ZnO、InP、AlGaN、ZnO、AlN、GaN、AlGaInP及其复合物和玻璃等透明材料。在所述透明衬底111与第一等电位层115之间进一步可设置透明介质键合层112，所述透明介质键合层，可以是是SOG、环氧树脂、BCB胶、聚酰亚胺等透明绝缘材料，也可以是ITO、透明导电胶、导电玻璃等透明导电材料。

所述第一等电位层115由具有第一导电类型的第一重掺杂接触层101和第一透明导电薄膜106构成，所述第二准等电位层116由具有第二导电类型的厚重掺接触层103构成，所述第三等电位层117由第一导电类型的第三重掺杂接触层105和第二透明导电薄膜107构成。所述第一等电位层115，第二准等电位层116和第三等电位层117平行对置。

所述第一透明导电薄膜106和第二透明导电薄膜107是由从纳米银丝网线、石墨烯、氧化铟锡(ITO)，高掺杂氧化锌(ZnO)、碳化硅(SiC)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GaIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化镁(MgO)、In₄Sn₃O₁₂、以及氧化锌镁(Zn_1-xMg_xO，0≤x≤1)、NiAu构成的组中选出的至少一种，所述第一透明导电薄膜106和第二透明导电薄膜107可以是同一种材料，当然，也可以是不同种材料。

所述发光器件00的侧面具有倾斜表面，该倾斜表面从与透明衬底垂直的面为基准面以10°～80°的角度倾斜。

所述发光器件00还包括第一透明绝缘层113，所述第一透明绝缘层113被布置在所述侧面和所述第三等电位层的下表面的一部分之上。进一步地，所述第一透明绝缘层113与第二准等电位层116重合之处具有暴露所述第二准等电位层116的第一环形开口10，该环形改口围绕所述侧面。所述第二电极122被布置在所述第一透明绝缘层113之上，并通过所述第一环形开口10和位于第一透明绝缘层113上的第一导电薄膜201与所述第二准等电位层116电连接。

进一步地，该发光器件00还包括第二透明绝缘层114，所述第二透明绝缘层114被布置在所述侧面和所述第一透明绝缘层113的下表面的一部分之上，所述第二透明绝缘层114和所述第一透明绝缘层113与所述第一等电位层115重合之处具有暴露出第一等电位层115的第二环形开口11。进一步地，所述位于该发光器件00下表面的第一透明绝缘层113和第二透明绝缘层114具有过孔12，该过孔数量可为1个或多个。所述第二电极122未覆盖该过孔12，但所述第一电极121覆盖该过孔12，并通过该过孔12与第三等电位层117电连接。进一步地，与所述第一电极121一体形成的导电薄膜202被布置在所述器件侧面的第二透明绝缘层114之上，并通过第二环形开口11于所述第一等电位层115电连接。

在所示实施例中，优选地，第三等电位层117，第一透明绝缘层113，第二透明绝缘层114，第一电极121和第二电极122共同构成该发光器件00下表面的全内反光镜。优选地，发光器件00的侧面，第一透明绝缘层113，第二透明绝缘层114，布置在所述第一透明绝缘层113上的第一导电薄膜201和布置在第二透明绝缘层114上的第二导电薄膜202共同构成该发光器件00侧面的全内反光镜。可选地，所述全内反光镜，分布于发光器件00的侧面、下表面或其两者上，由半导体-透明绝缘薄膜-金属薄膜构成，所述半导体，为该发光二极管自身的半导体材料。因此，在一实施例中，具有所述全内反光镜的发光器件00可以改变射向侧壁和下表面的光线，缩短光在发光器件内部反射的路程，减小半导体材料对光的吸收，提高发光器件的出光效率。

在本实施例中，所述第一电极121为负电极，所述第二电极122为正电极，反之亦可。当在第一电极121与第二电极122之间施加电压时，由于第一等电位层115，第二准等电位层116和第三等电位层117具有很高的导电率，相当于三个平板电极，电流能均匀注入到发光功能层102和发光功能层104，使得电流可以在其内部近似垂直流动。因而可以改善有源区发光的均匀度，得到光品质高的发光器件。

进一步地，由于所述第一电极121和所述第二电极122都位于与发光器件00的取光面相对的同一下表面，因此，减少了电极对光的遮挡，提高了光的提取效率，且无需使用金球进行压焊，使用方便，据此可实现无金线压焊封装，从而得到性价比高的发光器件。

进一步地，由于可采用所述全内反光镜结构，据此可改变有源区发出的射向侧壁和下表面的光线，缩短光在发光器件内部反射的路程，减小半导体材料对光的吸收，进一步提高出光效率。

进一步地，当在第一电极121和第二电极122之间施加电压时，该发光器件00相当于两个发光二极管并联，因而可提高器件发光强度，得到高效率的发光器件。

实施例二

以下，参照图2A-2I对本发明的实施例一涉及的一种高品质发光器件00的制造方法进行详细说明。为简洁起见，实施例一中已详细介绍的材料、结构或参数在本实施例中不再介绍。可理解的是，一些不是本发明必须的、且为本领域技术人员所熟知的工艺、方法、手段或材料在本实施例中也不再介绍，但并不意味着本发明排斥该些工艺、方法、手段或材料，其可以包括在本实施例中。

参照图2A，在原始生长衬底100上生长发光器件的外延层，该外延层包括n型重掺接触层101，第一发光功能层102，厚p型重掺接触层103，第二发光功能层104和n型重掺接触层105，可以理解的是，在本实施例中，掺杂(或导电)类型n、p可互换。厚p型重掺接触层103构成第二准等电位层116。进一步，在n型重掺接触层101上形成第一透明导电薄膜106，n型重掺接触层101和第一透明导电薄膜106构成第一等电位层115，

参照图2B，在透明衬底111上覆盖一层透明介质键合层112。

参照图2C，将覆盖有透明介质键合层112的透明衬底111与所述发光器件的外延层键合在一起。进一步，去除原始生长衬底100，在n型重掺接触,105上覆盖第二透明导电薄膜107，n型重掺接触层105和第二透明导电薄膜107构成第三等电位层。

参照图2D，以第一等电位层115为蚀刻停止层，采用湿法或干法工艺刻蚀出侧面为斜面的发光器件，该倾斜侧面从与透明衬底垂直的面为基准面以10°～80°的角度倾斜。在该发光器件侧面和下表面沉积第一透明绝缘层113。

参照图2E，图案化所述第一透明绝缘层113，去除与所述侧面第二准等电位层116重合之处，形成第一环形开口10，该环形开口10成环状围绕在该发光器件侧面。

参照图2F，形成第一导电薄膜201，形成该第一导电薄膜201的工艺为本领域技术人员所熟知，包括但不限于蒸发、溅射或电镀工艺。该第一导电薄膜201覆盖于已腐蚀出第一环形开口10的第一透明绝缘层113上，并通过第一环形开口10与第二准等电位层116电连接，进一步地，利用光刻工艺，图案化所述第一导电薄膜201，形成p型电极122；

参照图2G，在该发光器件侧面及下表面淀积第二透明绝缘层114，所述第二 透明绝缘层114覆盖所述p型电极122。接着，图案化所述第二透明绝缘层114和第一透明绝缘层113，在所述侧面二者与第一等电位层层115重合之处，形成第二环形开口11；进一步，图案化所述覆盖于该发光器件下表面的第二透明绝缘层114和第一透明绝缘层113，形成过孔12。其中，该环形开口11成环状围绕在该发光器件侧面；该过孔12形成在所述第一透明绝缘层113和第二透明绝缘层114之中，可以是一个，也可以是多个。

参照图2H，形成第二导电薄膜202，该第二导电薄202覆盖于该器件侧面上的第二透明绝缘层114上，并通过所述第二环形开口11与第一等电位层115电连接，并且覆盖于该器件下表面的第二透明绝缘层114上，且通过所述过孔12与第三等电位层117电连接。进一步，图案化该第二导电薄膜202，形成n型电极121。

参照图2I，图案化所述第二透明绝缘层114，暴露出p型电极122，切割该透明衬底111，形成单个发光器件00。

Claims (11)

1.一种光输出增强的发光器件，包括：

透明衬底；

第一发光功能层，其中，所述第一发光功能层包括第一导电类型的第一半导体层、第一有源层和第二导电类型的第二半导体层，所述第一源层被设置在所述第一半导体层和第二半导体层之间；

第二发光功能层，其中，所述第二发光功能层包括第二导电类型的第三半导体层、第二有源层和第一导电类型的第四半导体层，所述第二源层被设置在所述第三半导体层和第四半导体层之间；以及

所述第一发光功能层和第二发光功能层互相叠置；

以及

第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极被设置在该发光器件的同一侧面上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于：所述发光器件可以包括两个以上的发光功能层，其可以发出相同和/或不同波长的光。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于：其还包括第一等电位层，所述第一等电位层设置在所述透明衬底与所述第一发光功能层之间，所述第一等电位层由具有第一导电类型的第一重掺接触层和第一透明导电薄膜构成；和/或第二准等电位层，所述第二准等电位层设置在所述第一发光功能层和所述第二发光功能层之间，所述第二准等电位层由具有第二导电类型的厚第二重掺接触层构成；和/或第三等电位层，所述第三等电位层设置在第二发光功能层下表面，所述第三等电位层由具有第一导电类型的第三重掺接触层和第二透明导电薄膜构成。

4.根据权利要求1-3任一项所述的发光器件，其特征在于：所述发光器件的侧面具有倾斜表面，所述倾斜表面从与透明衬底垂直的面为基准面以10°～80°的角度倾斜。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于：其还包括第一透明绝缘层和第二透明绝缘层，所述第一透明绝缘层被布置在所述侧面和所述第三等电位层的下表面的一部分上，所述第二透明绝缘层被布置在所述侧面和所述下表面的第一透明绝缘层的一部分之上。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于：所述第一电极被布置在所述第一透明绝缘层的下表面，所述第二电极被布置在所述第二绝缘层的下表面。

7.根据权利要求5或6所述的发光器件，其特征在于：所述侧面上的所述第一透明绝缘层与所述第二准等电位层重合之处具有暴露所述第二准等电位层的第一环形开口，该环形开口围绕所述侧面，所述第二电极通过所述第一环形开口与所述第二准等电位层电连接；和/或所述侧面上的所述第一透明绝缘层和第二透明绝缘层与所述第一等电位层重合之处具有暴露所述第一等电位层的第二环形开口，该环形开口围绕所述侧面，所述第一电极通过所述第二环形开口与所述第一等电位层电连接。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于：布置于所述第三等电位层上的第一透明绝缘层和第二透明绝缘层具有至少一个过孔，所述第二电极未覆盖该过孔，但所述第一电极覆盖该过孔，并通过该过孔与第三等电位层电连接。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于：所述第三等电位层、第一透明绝缘层、第二透明绝缘层、第一电极和第二电极共同构成该发光器件下表面的全内反光镜；所述发光器件的侧面、所述侧面上的第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和布置在所述第一透明绝缘层上和第二透明绝缘层上的导电薄膜共同构成该发光器件侧面的全内反光镜。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于：所述第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型；或者，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。

11.一种如权利要求1-10任一项所述的发光器件的制造方法，包括以下步骤：

在原始生长衬底上生长发光器件的外延层，该外延层包括第一导电类型的第一重掺接触层，第一发光功能层，第二导电类型的厚第二重掺接触层，第二发光功能层和第一导电类型的第三重掺接触层；

在所述第一导电类型的第一重掺接触层上形成第一透明导电薄膜，该第一导电类型的第一重掺接触层和第一透明导电薄膜形成第一等电位层；

在透明衬底上覆盖一层透明介质键合层；

将覆盖有透明介质键合层的透明衬底与所述发光器件的外延层键合在一起；

去除原始生长衬底；

在所述第一导电类型的第三重掺接触层上形成第二透明导电薄膜，该第一导电类型的第三重掺接触层和第二透明导电薄膜构成第三等电位层；

以第一等电位层为蚀刻停止层，采用湿法或干法工艺刻蚀出侧面为斜面的发光器件，该侧面不具有台阶，该倾斜侧面从与透明衬底垂直的面为基准面以10°～80°的角度倾斜；

在该发光器件侧面和下表面沉积第一透明绝缘层；

图案化所述第一透明绝缘层，去除其与所述第二准等电位层重合之处，形成第一环形开口，该环形开口成环状围绕在该发光器件侧面；

在该发光器件侧面和下表面形成第一导电薄膜，该导电薄膜覆盖于已图案化的第一透明绝缘层和第一环形开口上且通过第一环形开口与第二准电位层电接触；

利用光刻工艺，图案化所述第一导电薄膜，形成第二电极；

在该发光器件侧面及下表面沉积第二透明绝缘层，该第二透明绝缘层覆盖于已图案化的第一透明绝缘层和第二电极之上；

图案化所述第二透明绝缘层和第一透明绝缘层，在二者与第一等电位层重合之处，形成第二环形开口，该环形开口成环状围绕在该发光器件侧面；

图案化覆盖于所述器件下表面的所述第一透明绝缘层和第二透明绝缘层，形成过孔；

在该发光器件侧面和下表面形成第二导电薄膜，该第二导电薄膜覆盖于已腐蚀出第二环形开口的第二透明绝缘层上与第一等电位层电连接，以及该第二导电薄膜覆盖于已腐蚀出过孔的第二透明绝缘层上与第三等电位层电连接；

图案化该第二导电薄膜，形成第一电极；

图案化该发光器件下表面的所述第二透明绝缘层，暴露出第二电极。