TWI575783B - 光電半導體晶片及製造光電半導體晶片之方法 - Google Patents

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Description

光電半導體晶片及製造光電半導體晶片之方法
本發明涉及一種光電半導體晶片及製造光電半導體晶片之方法。
光電半導體晶片是一種在半導體製程中形成於基板上的層序列。因此，設有一種半導體，例如，III-V半導體。其可以是生長在基板上之磊晶層以作為半導體層序列。該基板例如包括以下的材料：SiC、藍寶石、鍺、矽、GaAs、GaN、或GaP。磊晶層例如具有四元(quaternary)半導體，例如，AlInGaN，以便在可見區中發出藍色或綠色之發射光譜；或AlInGaP以便在可見區中發出綠色至紅色之發射光譜。於此，半導體同樣可在不可見區(例如，紫外線-區域)中具有發射光譜。磊晶層可具有五元(quinternary)半導體，此種半導體例如包括AlGaInAsP，其可用來發出紅外線區域中的輻射。
半導體層序列含有適當的活性區以產生電磁輻射。活性區可包含雙異質結構或量子井結構，例如，單一量子井結構(SQW)或多量子井結構(MQW)，以產生輻射。
發光二極體(LED)中，為了高的效率(即，所發出的電磁輻射相對於所傳送的功率而得之大的比率)、長的壽命和均勻地發出輻射，則在該活性區中(例如，pn-接面處)一種儘可能均勻的電流密度是值得追求的。問題在於：特別是發出光之此側(輻射發出側)之電流供應。電流施加至輻射發出側，這通常是藉由安裝在半導體上之接觸條片來達成。藉由各接觸條片之密佈的網格(net)，可使LED之電性最佳化。然而，就此種組件之光學性質而言，條片有缺點，此乃因其會造成遮蔽或吸收現象。由於光在發出之前在薄膜-LED中會經歷較長的路程，則光會在各接觸條片處被吸收。LED之效率因此下降。
另一問題是由於一接觸條片內部中有限的導電率而發生電壓降所造成。活性區上仍存在的前向電壓因此會在晶片面上發生變化。
本發明的目的是提供一種在發光時效率已改良之光電半導體晶片或此種光電半導體晶片之製造方法。
上述目的藉由申請專利範圍獨立項第1項或第10項之光電半導體晶片或其製造方法來達成。
光電半導體晶片或其製造方法之其它形式和有利的佈置描述在申請專利範圍各附屬項中。
光電半導體晶片之各種實施形式具有一輻射發出側和一接觸端。在輻射發出側上施加一種接觸材料。該光電半導體晶片具有一施加在該接觸材料上且與該接觸端連接之可導電的連接區。
藉由該輻射發出側上之上述構造，可使該接觸端劃分成二種結構。該接觸材料用來將電流施加至該光電半導體晶片之半導體層序列中。該可導電的連接區使該接觸端(例如，底墊或導線)經由一種箔而與該接觸材料相連接。該連接區用來將電流分佈至該輻射發出側。
藉由功能上的劃分，特別是可將半導體層序列之接觸區限制在一些位置上，對該光電半導體晶片之功能而言，在該些位置上是有利的。這例如可藉由下述方式來達成：對該接觸材料進行配置，以儘可能地在該輻射發出側上達成均勻的電流供應。該接觸材料可針對其在該輻射發出側上的接觸電阻而被最佳化。同時，可將該可導電的連接區最佳化，使其具有良好的橫向導電性。該連接區另外可針對其對該光電組件之光學特性之影響而被最佳化。這樣例如可使較少的光學被動區域存在於該輻射發出側上。
換言之，本發明的基本構想是：藉由將半導體晶片之電性接觸功能與電流供應的分配功能相隔開，則可在不同需求之最佳化中允許較大的可變化性。因此，例如可針對均勻的電流施加和低的接觸電阻來使電性接觸最佳化。電流供應特別是可針對低的導線電阻和輻射發出側之小的遮蔽區或由半導體層序列所發出之輻射之小的吸收性而被最佳化。在一實施形式中，該輻射發出側之投影中該接觸材料之面積小於該可導電的連接區之面積。
可考慮高導電性之材料以作為該可導電的連接區之材料。可使用金屬或具有像鋁、銀、金、銅、鈦、鉑等等之材料的金屬合金。亦可使用AuGe之類的合金。同樣，為了使擴散過程減輕，可施加多層式之金屬層以作為可導電的連接區、或可將由TiWN構成之層施加在該輻射發出側上以作為擴散位障。在該擴散位障上例如可施加金層以作為導電材料。
可使用對所發出的輻射具有高反射係數的金屬以作為接觸材料。該接觸材料與光電半導體晶片中所使用之半導體材料之間的良好之接觸電阻亦是重要的。適合用作該接觸材料之材料包括金屬(例如，銀、鈦、鉑、金)、合金(例如，AuGe或AuZn)或透明之導電氧化物(TCO)，例如，氧化銦錫(ITO)。於此，力求該接觸材料良好地黏合至半導體層序列或藉由缺陷發生率的下降而使半導體層序列不會受到影響。適當的措施和多種其它適當的材料已為此領域的專家所知悉。
介電質是導電性很弱或不能導電之非金屬物質，其電荷載體通常不能自由移動。在選取介電質時亦可考慮其它特性。例如，該介電質在該光電半導體發出輻射之波長範圍中可透過輻射時是有利的。在選取介電質時亦與光學折射率有關。該介電質可施加成介電層。例如，光電半導體中可使用以下的材料作為介電質：
-氮化矽；
-二氧化矽；
-氧化氮化矽；
-氧化鋁；
在一實施形式中，該可導電的連接區包括一導線層。因此，可形成各種不同構形，容許就既定分佈供應該輻射發出側之電流。
在一實施形式中，該可導電的連接區包括一透明的導線層。因此，該可導電的連接區對該輻射發出側之輻射發射幾乎不會有影響。通常該透明的導線層包括一透明的導電氧化物(TCO)，例如，ITO。
在一實施形式中，在該可導電的連接區和該輻射發出側之間至少以區段方式而設有介電質。於是，該可導電的連接區與該輻射發出側相隔開。所發出之大部份輻射由於在該介電質處的界面上的全反射而反射回至半導體層序列中。此輻射可經由該輻射發出側之未配置著該可導電的連接區之其它位置而發出。
在一實施形式中，該接觸材料分佈在該輻射發出側上，以便在半導體晶片上達成一種儘可能均勻的電流密度。此種分佈例如須考慮該可導電的連接區中之電壓降。藉由此種分佈，則可對至該輻射發出側之接觸電阻作調整。因此，基於最佳化目的，力求在該輻射發出側上儘可能均勻地施加電流。
在一實施形式中，該接觸材料具有多個相隔開之接觸區，特別是接觸點。於是，可選擇該接觸材料之在該輻射發出側上之適當的分佈形式。
在一實施形式中，各接觸點不均勻地分佈在該輻射發出側上。在一實施形式中，各接觸點具有不同的大小。有二種措施適合用來依據不同的最佳化目的，調整所施加電流在該輻射發出側上的分佈。
光電半導體晶片之製造方法之不同的實施形式包括以下步驟：
-製備半導體層序列，其具有輻射發出側；
-在該輻射發出側上施加一種接觸材料；
-在該接觸材料上施加一可導電的連接區。
在不同的實施形式中，首先在該輻射發出側上施加一介電質層及/或一導電層。有利的方式是使此二層都可供該半導體層序列所產生的輻射透過。在不同的實施形式中，各別施加的層例如可藉由微影程序和蝕刻，依位置形成開口，且該層施加至該接觸材料之開口中，以與該輻射發出側相接觸。
以下將依據圖式來詳述適用於本發明之解決方案之不同實施例。各圖式中一參考符號之第一數字指出一首先使用該參考符號之圖。相同的參考符號在所有圖式中用來表示相同形式或相同作用的元件或特性。
第1圖顯示光電半導體晶片100之第一實施例之俯視示意圖。半導體晶片100具有一輻射發出側102。輻射經由此一輻射發出側102而發出，該輻射產生於該半導體晶片之活性區中。電流亦同樣經由該輻射發出側102而注入，藉由該電流而在該活性區中造成電磁輻射的發出。經由一接觸端104提供該電流，且該電流經由一可導電的連接區106而分佈在該輻射發出側102上。該接觸端104例如以一種接合墊來形成，其可與一接合線相連接。該可導電的連接區106例如是一種施加有金屬層的形式之導線條結構。該可導電的連接區106用來分配該電流，使該電流以儘可能均勻地分佈在該輻射發出側102上的形式而施加至該光電半導體晶片100之半導體層序列中。於此，該可導電的連接區106與該光電半導體晶片100之半導體層序列相連接。此種連接將依據第2圖和第3圖而詳細地描述。
第2圖是第1圖之光電半導體晶片100之半導體層構造之沿著切線A-A之示意圖。光電半導體晶片100在本實施例中形成為薄膜-發光二極體晶片。對此，以下只示意顯示出此種形式。薄膜-發光二極體晶片之基本原理例如已描述在文件[1]中，其已揭示的內容藉由參考而收納於本說明書中。薄膜-發光二極體晶片之其它例子由文件[2]和[3]中已為人所知，其已揭示的內容同樣藉由參考而收納於本說明書中。
半導體晶片100具有可導電的接觸層200。該接觸層200通常包括一種金屬或一由導電材料構成之層序列，例如，該層序列具有一種金屬或多種金屬或TCO。可導電的該接觸層200可施加在第2圖中未顯示之載體，例如，矽酸鹽玻璃、鍺基板或矽酸鹽基板上。如本實施例所示，該接觸層200亦可具有自我承載性，於本實施例中，該接觸層200同樣可在該光電半導體晶片100所發出之輻射之波範圍中具有高的反射性，使該接觸層200亦可用作反射層。同樣，亦可在該接觸層200上施加另一薄的、同樣可導電之反射層。可考慮摻雜之半導體和金屬材料以作為該接觸層200之可能材料。例如，可使用銀層作為該接觸層200。
在該接觸層200上施加一隔離層202。此隔離層202包括介電材料，例如，SiN或SiO2，其將該接觸層200與半導體層序列204隔開。於是，該接觸層200和該半導體層序列204藉由該隔離層202而在電性上互相隔開。在施加電流時，該半導體層序列204中產生電磁輻射。於此，該半導體層序列204可包含pn-接面、雙異質結構或量子井結構，例如，單一量子井結構(SQW)或多重式量子井結構(MQW)，以用來產生輻射。第2圖中顯示一種具有空乏區206之pn-接面。
在半導體層序列204上施加一鈍化層208。該半導體層序列204之活性區中所產生的輻射經由該鈍化層208而發出。該鈍化層208覆蓋該輻射發出側102。在該鈍化層208上施加該接觸端104。該接觸端104藉由該鈍化層208而與該半導體層序列204形成電性隔離。又，該鈍化層208亦具有多種光學功能，例如，去除反射。於是，可有利地使電流不會由該接觸端104流至該半導體層序列204中，該接觸端104之正下方不會產生輻射。該輻射在該接觸端104上的吸收率另外可藉由該鈍化層208上之反射而下降。整體而言可使該光電半導體晶片100之效率提高。
在該鈍化層208上同樣可施加該可導電的連接區106。該鈍化層在該可導電的連接區106下方之一些位置上形成開口。各開口中配置著接觸點210。可導電的連接區106經由該接觸點210而與半導體層序列204形成電性連接。全部的接觸點因此都用來將電流供應至該半導體層序列204中。與此有別的是該可導電的連接區106之功能，其將電流分佈至該輻射發出側102上。
不僅該可導電的連接區106，還有如接觸點210之接觸點都應包含高導電性之材料。例如，該些材料可以是金屬、金屬合金或摻雜的半導體材料。
各接觸點由該可導電的連接區106完全覆蓋，使各接觸點由該連接區106和該鈍化層208所包封著。因此，各接觸點受到保護而不會因外部的影響(例如，氧化)而劣化。
各接觸點之間的距離顯示成固定的相同長度。然而，在其它實施例中各接觸點亦可隨著該輻射發出側102之面積而變化，以使沿著該可導電的連接區106而使電壓降獲得補償，使晶片面上可達成均勻的電流密度。
在一些實施例中，各接觸點的大小不一致，可在該輻射發出側102之面上變化。於是，可確保：一儘可能均勻之電流密度可經由該輻射發出側102之面而施加至半導體層序列204中。
該可導電的連接區106可與各接觸點210共同形成該光電半導體晶片100之第一電極。此電極可以是陽極或陰極，這例如是依據該半導體層序列204中之pn-接面之配置而定。該光電半導體晶片100之第二電極之佈置清楚地顯示在第3圖中。
第3圖是光電半導體晶片100之半導體層構造之沿著切線B-B之示意圖。此半導體層構造基本上與第2圖所示之沿著切線A-A切割而成之層序列相同。然而，與第2圖之沿著切線A-A切割而成之層序列不同之處在於，在沿著切線B-B之示意圖中於該隔離層202中設有多個開口，開口中施加一個連接層300。此連接層300使該接觸層200與該半導體層序列204形成電性連接。該連接層300因此與該接觸層200一起形成光電半導體晶片100之第二電極。在該可導電的連接區106下方且因此亦在接觸點210下方未設有該連接層300，反之，該接觸層200在該處是藉由該隔離層202而與該半導體層序列204形成電性隔離。於是，在該可導電的連接區106下方的半導體層序列204中未產生輻射。輻射因此特別是產生於一些區域中，該些區域中輻射可輕易地經由該輻射發出側102發出。然而，就光學觀點而言，亦可使第一電極最佳化。例如，該可導電的連接區106的大部份可如第1圖至第3圖所示，以該鈍化層208作為襯底。該可導電的連接區106下方或周圍區域中所產生之輻射由於全反射而未到達該可導電的連接區106且在該處未被吸收。因此，光學損耗下降。反之，所反射的輻射反射回到一些區域中，該些區域中該輻射以較高的機率經由輻射發出側102發出。因此，光學損耗下降。藉由各接觸點之材料被選取為對該半導體層序列204中所產生的輻射具有高的反射性，則另外可使光電半導體晶片100之整個光學效率提高。所產生的大部份輻射都經由該輻射發出側102發出。
於此，未必需要設置一隔離層202。該半導體層序列204可完全鄰接於該連接層300或直接鄰接於該接觸層200，此時不必設置該隔離層202或該連接層300。在此種情況下，電流施加至該半導體層序列204之遠離該輻射發出側102之整個側面上。只藉由該輻射發出側102上的此種措施，所產生的效率較習知之光電半導體晶片中者還大。
第4圖顯示光電半導體晶片之第二實施例之俯視示意圖。光電半導體晶片400與第1圖至第3圖之第一實施例之主要不同點在於，在該輻射發出側102上施加一透明之導線層以作為可導電的連接區。在該輻射發出側102上另外施加一接觸端和多個例如接觸點210之接觸點。該導線層之作用方式如第5圖所示。
第5圖顯示第4圖之光電半導體晶片之半導體層構造之沿著切線A-A之示意圖。與第一實施例相比較下，第5圖之構造之不同處特別是在該輻射發出側102。於第5圖所示之第二實施例中，在該半導體層序列204上施加一透明的導線層500。此透明的導線層500用來分配電流且允許發出該半導體層序列204中所產生之電磁輻射。此透明的導線層500在所產生的輻射之區域中是一種透明的導電材料，其可以是無機材料或有機材料。典型的材料是金屬氧化物，例如，ITO。
此導線層500覆蓋該半導體層序列204，其中在該導線層500和該半導體層序列204之間的一部份設有一種例如接觸點210之接觸點形式之接觸材料。各接觸點包括導電性很好的材料，且就像第一實施例一樣，用來將電流供應至該半導體層序列204中。由於各接觸點和半導體層序列之間小的接觸電阻，故可提供該電流的主要部份。電流施加至該半導體層序列204中時的外觀(profile)會受到各接觸點在該輻射發出側上102之密度和分佈以及各接觸點的大小所影響。於此，力求施加一種儘可能均勻之電流，以便在該輻射發出側102上產生均勻的發光圖像。藉由各接觸點，可使電流的施加達到最佳化，同時使電流分佈在透明的導線層500上。
依據各接觸點的大小，由各接觸點所造成的陰影可對發光圖像造成不同的影響。藉由使用一透明的導線，可使較小的接觸點有較密的分佈，以達成儘可能均勻之發光圖像。同樣，在該半導體層序列204之上層，例如，n-摻雜之層中需要一種小很多的電流分佈。因此，特別是可選擇一種層厚度小的半導體。這樣可在半導體層序列之磊晶生長中使直接製造成本下降。
於第6圖中可辨認出光電半導體晶片上之接觸端104。第6圖顯示第4圖之光電半導體晶片之半導體層構造之沿著切線B-B之示意圖。於此，可辨認的是：該接觸端104施加在該透明的導線層500上。因此，該導線層500將該接觸端104與該半導體層序列204相隔開。於是，由該接觸端104直接流至該半導體層序列204中的電流將減少。在該接觸端的下方處，該隔離層202設置在至該接觸層200之此側上。在該接觸端104的下方處因此未產生電致發光。於是，接觸端104上不需要的吸收將下降。光電半導體晶片之效率因此將提高。
第7圖顯示第4圖之光電半導體晶片之半導體層構造之另一形式之沿著切線A-A之示意圖。第7圖之變化例不同於第5圖和第6圖之處是，在該導線層500和半導體層序列204之間設有鈍化層208。鈍化層208中設有多個開口，各開口中分別設有例如接觸點210之接觸點。於是，該導線層500可經由各接觸點而與半導體層序列204形成電性連接。電流經由各接觸點而施加至該輻射發出側102。
又，依據第8圖可明確得知該連接層300將如何變化。當此種變化在第8圖中與第二實施例相關聯而顯示時，其亦可與光電半導體晶片之全部的實施例相關聯。該連接層300在此種變化中以大面積方式將該接觸層200與該半導體層序列204相連接。此種接觸特別是在與透明的導線層500相關聯時特別有利，此乃因這樣可在該輻射發出側102上達成一種均勻且明亮之輻射分佈。
第9圖顯示光電半導體晶片之第三實施例之橫切面示意圖。光電半導體晶片900包含量子井結構以作為半導體層序列中之活性區。這例如顯示成GaN/InGaN/GaN層序列。
光電半導體晶片900含有一接觸層200，其上配置著半導體層序列。此接觸層200用作該光電半導體晶片900之電極。該接觸層200適當地包含一種接觸電阻小的材料，例如，銀之類的金屬。同樣，摻雜的半導體材料亦可。由於光電半導體晶片900之施加有該接觸層200之此側不是用來發出電磁輻射，因此該接觸層可有利地在該光電半導體晶片900所產生的輻射之區域中具有高的反射係數。
在該接觸層200上配置第一半導體材料902。第一半導體材料902例如是p-摻雜的氮化鎵(GaN)。活性區904配置在第一半導體材料902上。活性區904例如由InxGa(1-x)N-半導體，其中0≦x≦1，構成，且含有單一量子井。在活性區904上配置第二半導體材料906。第二半導體材料906以摻雜物質來摻雜，該摻雜物質所具有的極性不同於第一半導體材料之摻雜物質的極性。第二半導體材料906例如是n-摻雜的GaN。
第二半導體材料906具有一遠離該活性區904之側面，其具有粗糙之表面。活性區904中所產生的電磁輻射經由該粗糙的表面而由半導體層序列發出。此半導體層序列包括第一半導體材料902、活性區904和第二半導體材料906。藉由該粗糙的表面，則可特別有效地將該輻射發出。
該粗糙的表面和該半導體層序列之側面是由鈍化層908覆蓋著，且因此受到保護而不受環境的影響。該鈍化層908可由與上述實施例中的鈍化層208相同或類似的材料構成。
為了與第二半導體材料906形成電性接觸，該鈍化層908須在輻射發出側910上形成開口。該開口中施加一種接觸材料912。在該接觸材料912上且在該鈍化層908之一部份上施加一可導電的連接區914。在選擇材料時，須注意小的接觸電阻，且在該接觸材料912的情況下，須注意大的反射率，其中例如可追溯至與其它實施例相關之材料。
該接觸材料912完全由可導電的連接區914所覆蓋，使該接觸材料912由該連接區914和該鈍化層908所包封著。因此，該接觸材料912受到保護而不會因外部的影響(例如，氧化)而劣化。
如先前的實施例所述，該接觸材料912的功能是配置來與半導體層序列形成電性接觸，惟該可導電的連接區914特別是用來將電流分佈至該輻射發出側910。此二種結構可適當地被最佳化。這例如已藉第10圖和第11圖顯示。
第10圖顯示光電半導體晶片900之俯視示意圖。於此，該可導電的連接區914之佈置形式顯示在該輻射發出側910上。該可導電的連接區914與一接觸端1000在電性上相連接。該接觸端1000用來使該光電半導體晶片900與電流供應器相接觸。例如，該接觸端1000形成為結合墊，其可與一結合線相連接。
可導電的連接區914沿著該輻射發出側910而延伸，其中可看到該輻射之儘可能小的遮蔽區。由於該可導電的連接區之功能特別是對經由該接觸端1000所供應之電流進行分配，因此，可在該可導電的連接區之整個空間之延伸區上看出一種儘可能固定之高導電率。
第11圖顯示光電半導體晶片900之示意俯視圖。於此，該接觸材料912之佈置形式顯示在該輻射發出側910上。該接觸材料912之功能特別是經由該輻射發出側910而均勻地施加電流。依據該接觸端100之沿著該可導電的連接區914和該接觸材料912之電位降，使該接觸材料912顯示一較佳的終端，這例如是因為“該接觸材料912之區域離該接觸端1000越遠，則接觸面越大”。這例如可由”該接觸材料912在離開該接觸端1000的方向中變寬”來達成。於是，可使所施加的電流固定，且因此可在該輻射發出側910上達成均勻之發光圖像。
製造方法之實施例
第12圖顯示光電半導體晶片之製造方法的流程圖。此方法可以是包括習知之製造半導體晶片之各步驟的方法之一部份。
在第一步驟1200中，製備一種半導體層序列，其具有一輻射發出側。此半導體層序列可藉由磊晶生長而產生。例如，其可在薄膜-製程之範圍中製備。
於第二步驟1202中，在該輻射發出側上施加一透明之中間層。此中間層之施加可藉由習知方法(例如，濺鍍或CVD-方法)來達成。該中間層可由介電質或導電材料(例如，ITO)構成。
於第三步驟1204中，在該中間層中使一凹入區形成開口。在第四步驟1206中，將一接觸材料施加至該凹入區中。上述各步驟例如可包括微影術、透明之中間層之局部開口、接觸材料之沈積等等的步驟。
於第五步驟中，在該接觸材料上可導電的連接區。
本方法可在習知的步驟範圍中進行。因此，於一實施例中，在晶圓結合之後且在可能需進行的平台(mesa)-蝕刻之後，在晶圓上沈積一種鈍化層形式的中間層。於光學步驟中，該鈍化層中形成開口，且在該開口中施加金屬合金以作為接觸材料。藉由最後所使用的光漆之剝離，可將該開口外部之接觸材料去除。利用另一光學技術，可沈積該可導電的連接區且予以結構化。有利的方式是將一接觸端(例如，結合墊)設置在該鈍化層上，使電流不會直接由該接觸端經由該輻射發出側而流至半導體層序列中。該接觸端上的吸收因此可保持較少。
在本實施例之變化例中，可使用相同的材料於該接觸材料和該可導電的連接區中。在此種情況下，於第一光學步驟中，在該鈍化層形成有開口之後，直接去除該光漆，且在下一光學步驟中，沈積該接觸材料和該可導電的連接區。
在另一實施例中，在該輻射發出側上施加多個接觸點以作為接觸材料。又，在該輻射發出側上施加一接觸端。然後，沈積一透明的導電層。因此，只要該接觸端已施加完成，該透明的導電層即至少在該接觸端之中央區中形成開口。否則，一接觸端應施加在該透明的導電層上。為了使該接觸端和各接觸點下方之電流不會直接流至半導體層序列之與該輻射發出側相對的載體側，該載體側在直接位於該接觸材料下方之區域中須被電性隔離。
可在該輻射發出側上首先施加一鈍化層，然後施加一透明的導電層。
可直接在該輻射發出側上使該接觸材料結構化。同樣，可首先施加一透明的中間層(例如，鈍化層)及/或一導電層，且然後在一凹入區中形成開口，將該接觸材料添加至該開口中。
最後的結論
已依據多個實施例來描述光電半導體晶片及光電半導體晶片的製造方法，以說明本發明的構想。各實施例不限於特定之特徵的組合。當一些特徵和佈置只與一特定實施例或各別的實施例相關聯而描述時，其亦可分別與其它實施例之其它特徵相組合。同樣，在各實施例中各別的特徵或特殊的佈置可省略或加入，只要一般的技術原則保持能實現即可。
當光電半導體晶片之製造方法之各步驟以特定的順序來描述時，則已揭示的各方法之每一方法當然亦能以其它每一種可行的順序來進行，其中一些步驟亦可省略或加入，只要不偏離上述技術原則之基本構想即可。
100．．．光電半導體晶片
102．．．輻射發出側
104．．．接觸端
106．．．可導電的連接區
200．．．接觸層
202．．．隔離層
204．．．半導體層序列
206．．．空乏區
208．．．鈍化層
210．．．接觸點
300．．．連接層
400．．．光電半導體晶片
500．．．透明的導線層
900．．．光電半導體晶片
902．．．第一半導體材料
904．．．活性區
906．．．第二半導體材料
908．．．鈍化層
910．．．輻射發出側
912．．．接觸材料
914．．．可導電的連接區
1000．．．接觸端
第1圖顯示光電半導體晶片之第一實施例之示意俯視圖。
第2圖是第1圖之光電半導體晶片之半導體層構造之沿著切線A-A之示意圖。
第3圖是第1圖之光電半導體晶片之半導體層構造之沿著切線B-B之示意圖。
第4圖顯示光電半導體晶片之第二實施例之示意俯視圖。
第5圖顯示第4圖之光電半導體晶片之半導體層構造之沿著切線A-A之示意圖。
第6圖顯示第4圖之光電半導體晶片之半導體層構造之沿著切線B-B之示意圖。
第7圖顯示第4圖之光電半導體晶片之半導體層構造之另一形式之沿著切線A-A之示意圖。
第8圖顯示第4圖之光電半導體晶片之半導體層構造之另一形式之沿著切線B-B之示意圖。
第9圖顯示光電半導體晶片之第三實施例之半導體層構造之示意圖。
第10圖顯示光電半導體晶片之第三實施例之示意俯視圖。
第11圖顯示光電半導體晶片之第三實施例在省略可導電的連接區和該接觸端時之示意俯視圖。
第12圖顯示光電半導體晶片之製造方法的流程圖。
100．．．光電半導體晶片
102．．．輻射發出側
106．．．可導電的連接區
200．．．接觸層
202．．．隔離層
204．．．半導體層序列
206．．．空乏區
208．．．鈍化層
210．．．接觸點
300．．．連接層

Claims (7)

  1. 一種光電半導體晶片，包括：- 輻射發出側(102，910)；- 接觸端(104，1000)；- 施加在該輻射發出側(102，910)上之接觸材料(210，912)；以及- 可導電的連接區(106，500，914)，其施加在該接觸材料(210，912)上且與該接觸端(104，1000)相連接；- 該可導電的連接區(106，500，914)包括透明的導線層；- 該導線層(106，500，914)包括透明的金屬氧化物；- 該可導電的連接區(106，500，914)和該輻射發出側(102，910)之間至少以區段方式而設有介電質。
  2. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片，其中在該輻射發出側(102，910)上之投影中該接觸材料(210，912)之面積小於該可導電的連接區(106，500，914)之面積。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片，其中該接觸材料(210，912)分佈在該輻射發出側(102，910)上，以在該半導體晶片上達成儘可能均勻的電流密度。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片，其中該接觸材料(210，912)具有多個分離的接觸區。
  5. 如申請專利範圍第4項之光電半導體晶片，其中接觸區是接觸點。
  6. 如申請專利範圍第5項之光電半導體晶片，其中該些接 觸點不均勻地分佈在該輻射發出側(102，910)上。
  7. 如申請專利範圍第5項之光電半導體晶片，其中該些接觸點具有不同的大小。
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