CN113284997B - 倒装led芯片及其制备方法 - Google Patents

倒装led芯片及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113284997B
CN113284997B CN202110524308.6A CN202110524308A CN113284997B CN 113284997 B CN113284997 B CN 113284997B CN 202110524308 A CN202110524308 A CN 202110524308A CN 113284997 B CN113284997 B CN 113284997B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
led chip
metal layer
electrolytic
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110524308.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113284997A (zh
Inventor
赵进超
马新刚
李士涛
吴珊
曹亚楠
田文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd filed Critical Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co Ltd
Priority to CN202110524308.6A priority Critical patent/CN113284997B/zh
Publication of CN113284997A publication Critical patent/CN113284997A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113284997B publication Critical patent/CN113284997B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，电极引出端包括种子金属层及电解金属层，利用种子金属层和电解反应即可制备出较厚的电解金属层，较厚的电解金属层可以保证倒装LED芯片的电极引出端与封装基板上的金属层充分互溶，弥补封装基板的凹凸不平，使倒装LED芯片的电极引出端与封装基板的金属层充分接触，增加二者之间的粘附性，达到均匀焊接的效果，进而可以增加倒装LED芯片的推力，降低了封装异常率，提升了器件的可靠性。

Description

倒装LED芯片及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。
背景技术
倒装芯片封装技术就是直接将芯片翻转，电极朝下，利用凸点将电极互联到基板、载体或电路板上，整个结构又被称为倒装芯片(Flip chip)。由于倒装芯片具有优越的电学及热学性能、高I/O引脚数、封装尺寸小及结构稳定等优点，在如今的市场上，倒装芯片的普及范围越来越广。
倒装LED芯片重要的一个应用是Mini/Micro微显示技术。相比于传统LED显示屏显示技术，Mini/Micro LED芯片拥有亮度高、发光效率高、能耗低、响应速率快、寿命高及对比度高等优势，是一项十分理想的显示技术。Mini/Micro LED芯片的尺寸基本维持在200um以下，随着芯片尺寸缩减，芯片的电极引出端之间的距离相应缩小，由于倒装LED芯片封装端的封装基板表面存在高低误差，封装端焊接后容易出现焊接不良以及推力不足异常。
发明内容
本发明的目的在于提供一种倒装LED芯片及其制备方法，以解决现有的倒装LED芯片封装端焊接后容易出现焊接不良以及推力不足异常的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种倒装LED芯片，包括：
衬底；
外延层，包括依次堆叠于所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
绝缘反射层，位于所述外延层上；以及，
两个电极引出端，位于所述绝缘反射层上，穿过所述绝缘反射层并分别与所述第一半导体层及所述第二半导体层电性连接，每个所述电极引出端均包括依次堆叠于所述绝缘反射层上的种子金属层及电解金属层。
可选的，所述电解金属层通过电解反应生成，在生成所述电解金属层时，所述种子金属层作为导电的种子层，以触发电解反应的进行。
可选的，所述电解金属层的材料为金、锡或银中的一种或多种。
可选的，所述电解金属层的厚度为5um～100um。
可选的，所述种子金属层为钛层，所述钛层的厚度为500埃～5000埃。
可选的，所述种子金属层为铜层，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
可选的，所述种子金属层为钛层和位于钛层上的铜层，所述钛层的厚度为500埃～5000埃，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
可选的，所述电极引出端还包括位于所述种子金属层与所述电解金属层之间的金属阻挡层。
可选的，所述电解金属层及所述金属阻挡层均通过电解反应生成，在生成所述金属阻挡层时，所述种子金属层作为导电的种子层，以触发生成所述金属阻挡层的电解反应的进行；在生成所述电解金属层时，所述金属阻挡层作为导电的种子层，以触发生成所述电解金属层的电解反应的进行。
可选的，所述金属阻挡层的厚度为0.5um～10um。
可选的，所述金属阻挡层的材料为镍、铜及铂中的一种或多种。
可选的，所述绝缘反射层内具有两个贯穿的开口，所述电极引出端的至少部分填充在对应的所述开口内。
可选的，所述种子金属层覆盖对应的所述开口的内壁并延伸覆盖所述绝缘反射层的部分表面，所述电解金属层覆盖所述种子金属层并填充对应的所述开口。
可选的，所述电极引出端还包括电极层，所述电极层填充对应的所述开口并延伸覆盖所述绝缘反射层的部分表面，所述种子金属层及所述电解金属层依次堆叠于所述电极层上。
可选的，所述外延层中具有凹槽，所述凹槽贯穿所述第二半导体层及所述发光层并暴露出所述第一半导体层；以及，
所述倒装LED芯片还包括两个第一层电极，一个所述第一层电极位于所述凹槽底部的第一半导体层上并与所述第一半导体层电性连接，另一个所述第一层电极位于所述第二半导体层上并与所述第二半导体层电性连接，两个所述电极引出端穿过所述绝缘反射层并分别与两个所述第一层电极电性连接。
可选的，还包括：
电流阻挡层，位于所述第二半导体层上并覆盖部分所述第二半导体层；以及，
电流扩展层，位于所述第二半导体层上并覆盖所述电流阻挡层及部分所述第二半导体层；
其中，一个所述第一层电极位于所述电流扩展层上。
可选的，所述倒装LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
本发明还提供了一种倒装LED芯片的制备方法，包括：
提供衬底；
形成外延层于所述衬底上，所述外延层包括依次设置于所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
形成绝缘反射层于所述外延层上；以及，
形成两个电极引出端于所述绝缘反射层上，两个所述电极引出端穿过所述绝缘反射层并分别与所述第一半导体层及所述第二半导体层电性连接，每个所述电极引出端均包括依次堆叠于所述绝缘反射层上的种子金属层及电解金属层。
可选的，形成两个所述电极引出端于所述绝缘反射层上的步骤包括：
刻蚀所述绝缘反射层以形成贯穿所述绝缘反射层的两个开口；
形成种子金属层于所述绝缘反射层上，所述种子金属层覆盖所述绝缘反射层及所述开口的内壁；
形成图形化的光刻胶层于所述种子金属层上，所述图形化的光刻胶层至少露出所述种子金属层覆盖所述开口的内壁的部分；
通过电解反应形成所述电解金属层于露出的所述种子金属层上；以及，
去除所述图形化的光刻胶层及所述图形化的光刻胶层覆盖的所述种子金属层，所述种子金属层及所述电解金属层对应每个所述开口的部分构成一个所述电极引出端。
可选的，形成两个所述电极引出端于所述绝缘反射层上的步骤包括：
刻蚀所述绝缘反射层以形成贯穿所述绝缘反射层的两个开口；
形成电极层于所述开口内，所述电极层至少填充所述开口；
形成种子金属层于所述绝缘反射层上，所述种子金属层覆盖所述绝缘反射层及所述电极层；
形成图形化的光刻胶层于所述种子金属层上，所述图形化的光刻胶层至少露出所述种子金属层覆盖所述开口的内壁的部分；
通过电解反应形成所述电解金属层于露出的所述种子金属层上；以及，
去除所述图形化的光刻胶层及所述图形化的光刻胶层覆盖的所述种子金属层，所述种子金属层、所述电解金属层及所述电极层对应每个所述开口的部分构成一个所述电极引出端。
所述图形化的光刻胶层还露出所述种子金属层的边缘部分。
可选的，所述图形化的光刻胶层露出的所述种子金属层的边缘部分横向宽度为1mm～6mm。
可选的，在形成所述图形化的光刻胶层之后，形成所述电解金属层之前，还包括：
通过电解反应形成金属阻挡层于露出的所述种子金属层上。
可选的，所述金属阻挡层的厚度为0.5um～10um。
可选的，所述金属阻挡层的材料为镍、铜及铂中的一种或多种。
可选的，形成所述绝缘反射层于所述外延层上之前，还包括：
刻蚀所述外延层以形成凹槽，所述凹槽贯穿所述第二半导体层及所述发光层并暴露出所述第一半导体层；
分别形成两个第一层电极于所述凹槽底部的第一半导体层上及所述第二半导体层上；以及，
形成两个所述电极引出端之后，两个所述电极引出端穿过所述绝缘反射层并分别与两个所述第一层电极电性连接。
可选的，在形成两个所述第一层电极之前，还包括：
形成电流阻挡层于所述第二半导体层上，所述电流阻挡层覆盖部分所述第二半导体层；
形成电流扩展层于所述第二半导体层上，所述电流扩展层覆盖所述电流阻挡层及部分所述第二半导体层；以及，
形成两个所述第一层电极之后，其中一个所述第一层电极位于所述电流扩展层上。
可选的，所述电解金属层的材料为金、锡或银中的一种或多种。
可选的，所述电解金属层的厚度为5um～100um。
可选的，所述种子金属层为钛层，所述钛层的厚度为500埃～5000埃。
可选的，所述种子金属层为铜层，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
可选的，所述种子金属层为钛层和位于钛层上的铜层，所述钛层的厚度为500埃～5000埃，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
可选的，所述倒装LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
在本发明提供的倒装LED芯片及其制备方法中，电极引出端包括种子金属层及电解金属层，利用种子金属层和电解反应即可制备出较厚的电解金属层，较厚的电解金属层可以保证倒装LED芯片的电极引出端与封装基板上的金属层充分互溶，弥补封装基板的凹凸不平，使倒装LED芯片的电极引出端与封装基板的金属层充分接触，增加二者之间的粘附性，达到均匀焊接的效果，进而可以增加倒装LED芯片的推力，降低了封装异常率，提升了器件的可靠性。
附图说明
图1为本发明实施例一提供倒装LED芯片的制备方法的流程图；
图2a～图2l为本发明实施例一提供的倒装LED芯片的制备方法的相应步骤对应的结构示意图，其中，图2l为本发明实施例一提供的倒装LED芯片的结构示意图；
图2m为将倒装LED芯片键合至封装基板上的示意图；
图3a～图3f为本发明实施例二提供的倒装LED芯片的制备方法的部分步骤对应的结构示意图，其中，图3f为本发明实施例二提供的倒装LED芯片的结构示意图；
其中，附图标记为：
100-衬底；110-封装基板；111-N焊盘；112-P焊盘；200-外延层；201-第一半导体层；202-发光层；203-第二半导体层；200a-凹槽；300-电流阻挡层；400-电流扩展层；501-第一层N电极；502-第一层P电极；600-绝缘反射层；701-N型开口；702-P型开口；801-种子金属层；802-金属阻挡层；803-电解金属层；804-电极层；810-N电极引出端；820-P电极引出端；900-图形化的光刻胶层。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一
图2l为本实施例提供的倒装LED芯片的结构示意图。如图2l所示，所述倒装LED芯片包括衬底100、外延层200、电流阻挡层300、电流扩展层400、绝缘反射层600、两个第一层电极及两个电极引出端。
本实施例中，所述衬底100为高透光蓝宝石衬底(Al2O3)，作为可选实施例，所述衬底100还可以是硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)或氧化锌(ZnO)等衬底。进一步地，所述衬底100为图形化衬底(Patterned Sapphire Substrates，PSS)，例如是微米级/纳米级图形化蓝宝石衬底。
请参阅图2l，所述外延层200位于所述衬底100上，所述外延层200包括由下向上依次设置的第一半导体层201、发光层202和第二半导体层203。所述外延层200中具有一凹槽200a，所述凹槽200a从所述第二半导体层203的顶表面贯穿所述第二半导体层203和所述发光层202，并暴露出所述第一半导体层201，所述凹槽200a位于所述外延层200的边缘，仅有一个侧壁，所述凹槽200a类似于一个台阶，台阶的上台阶面为所述第二半导体层203，下台阶面为所述第一半导体层201，上台阶面和下台阶面之间连接形成台阶侧面。
本实施例中，所述第一半导体层201的材料为N-GaN；所述发光层202位于所述第一半导体层201的上方，所述发光层202为多周期量子阱层(MQWS)，量子阱层的材料为AlN、GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN中的任意一种或几种的结合；所述第二半导体层203位于所述发光层202的上方，所述第二半导体层203的材料为P-GaN。
请继续参阅图2l，所述电流阻挡层300位于所述第二半导体层203上，所述电流阻挡层300覆盖部分所述第二半导体层203，所述电流阻挡层300具有良好的电流引导效应，以减少电流垂直传输，增加横向传输。所述电流扩展层400位于所述第二半导体层203上，所述电流扩展层400在垂直于厚度方向上的宽度大于所述电流阻挡层300的宽度，以使所述电流扩展层400不仅完全覆盖所述电流阻挡层300，还覆盖部分所述第二半导体层203，从而有利于将电流横向扩展。
本实施例中，所述电流阻挡层300及所述电流扩展层400均是透明的膜层，从而不会对出光效率及出光强度造成不良影响。所述电流阻挡层300的材料可以是氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝或钙钛型电子陶瓷(ABO3)等；所述电流扩展层400则为ITO或AZO等材料。本实施例中，所述电流阻挡层300是单层氧化硅层，而所述电流扩展层400的材料则为ITO。
两个第一层电极分别为第一层N电极501和第一层P电极502。所述第一层N电极501及所述第一层P电极502分别形成于所述凹槽200a底部以及形成于所述电流扩展层400上。其中，所述第一层N电极501位于所述凹槽200a的底部并与所述第一半导体层201电性连接，在垂直于厚度方向上，所述第一层N电极501的宽度小于所述凹槽200a的宽度，且所述第一层N电极501与所述凹槽200a的侧壁之间具有间隙，以便于所述第一层N电极501及所述第一层P电极502之间实现电气绝缘；所述第一层P电极502位于所述电流扩展层400上，并通过所述电流扩展层400与所述第二半导体层203电性连接。
进一步地，所述第一层P电极502与所述电流阻挡层300的位置对应，且所述电流阻挡层300的面积大于所述第一层P电极502的面积，所述电流阻挡层300可以减小因所述第一层P电极502吸收光/挡光而造成的光损失，并且减少电流垂直传输，增加电流横向传输。
请继续参阅图2l，所述绝缘反射层600填充所述凹槽200a并延伸覆盖所述第二半导体层203，也即是说，所述绝缘反射层600共形地覆盖整面芯片。本实施例中，所述绝缘反射层600具有反光作用，可以充当反射镜，可将所述发光层202发出的光中射向所述绝缘反射层600的那部分光反射回去，由于所述绝缘反射层600是整面覆盖的，面积较大，反光的效果更好。
进一步地，所述绝缘反射层600中具有两个开口，分别为N型开口701和P型开口702。所述N型开口701和所述P型开口702均贯穿所述绝缘反射层600。所述N型开口701位于所述凹槽200a中并暴露出所述凹槽200a底部的第一层N电极501，所述N型开口701在垂直于厚度方向上的横向宽度小于所述凹槽200a的横向宽度，以使所述凹槽200a的侧壁上覆盖有所述绝缘反射层600；所述P型开口702位于所述电流扩展层400上，所述P型开口702暴露出所述第二半导体层203。
可选的，所述绝缘反射层600的材料包括氧化硅、氧化钛、氧化铝或氮化硅中的两种或两种以上，本实施例中，所述反射镜层是由至少两层高、低折射率的膜层交替蒸镀而成的，但不以此为限。
请继续参阅图2l，两个电极引出端分别为N电极引出端810和P电极引出端820。所述N电极引出端810位于所述N型开口701中，填充所述N型开口701的内壁并延伸覆盖所述绝缘反射层600的部分表面，如此一来，所述N电极引出端810可以通过所述第一层N电极501与所述N型半导体层201实现电性连接；所述P电极引出端820位于所述P型开口702中，填充所述P型开口702并延伸覆盖所述绝缘反射层600的部分表面，如此一来，所述P电极引出端820可以通过第一层P电极502及所述电流扩展层400与所述第二半导体层203实现电性连接。
进一步地，所述N电极引出端810和P电极引出端820之间需要相隔一定的距离实现电性隔离。
本实施例中，所述N电极引出端810和P电极引出端820不仅分别填充所述N型开口701及所述P型开口702，还延伸覆盖所述绝缘反射层600的部分表面，使得所述N电极引出端810和P电极引出端820的面积增大，增强器件的导通性能；但在其他实施例中，所述N电极引出端810和P电极引出端820也可以仅填充所述N型开口701及所述P型开口702，而不延伸至所述绝缘反射层600的表面上。
请继续参阅图2l，所述N电极引出端810和P电极引出端820均包括种子金属层801、金属阻挡层802及电解金属层803，具体而言，所述种子金属层801、金属阻挡层802及电解金属层803对应所述N型开口701的部分构成所述N电极引出端810；所述种子金属层801、金属阻挡层802及电解金属层803对应所述P型开口702的部分构成所述P电极引出端820。对于所述N电极引出端810或P电极引出端820来说，所述种子金属层801、金属阻挡层802及电解金属层803依次堆叠于所述绝缘反射层600上。其中，所述种子金属层801及所述金属阻挡层802堆叠后覆盖所述N型开口701或所述P型开口702的内壁并延伸至覆盖所述绝缘反射层600的部分表面，而所述电解金属层803位于所述金属阻挡层802上，并填充所述N型开口701或所述P型开口702。
应理解，由于所述N电极引出端810和P电极引出端820均包括所述种子金属层801及所述电解金属层803，利用所述种子金属层801和电解反应即可制备出较厚的所述电解金属层803，较厚的所述电解金属层803可以增加倒装LED芯片的推力，降低了封装异常率，提升了器件的可靠性。其中，推力是指施加在倒装LED芯片上直至倒装LED芯片与封装基板发生分离的力。
具体而言，图2m为将倒装LED芯片键合至封装基板上的示意图。如图2m所示，所述封装基板110上具有N焊盘111及P焊盘112，将所述倒装LED芯片键合至封装基板110上时，所述N电极引出端810与所述N焊盘111对准，所述P电极引出端820与所述P焊盘11对准。由于所述N电极引出端810与所述P电极引出端820较厚，一方面可以增加所述倒装LED芯片的推力，另一方面，回流焊时所述N电极引出端810与N焊盘111以及所述P电极引出端820与所述P焊盘11也可以长时间接触并充分融合，从而弥补所述N焊盘111及所述P焊盘112表面的凹凸不平，实现均匀焊接的目的，进而增加焊接的稳定性。
本实施例中，所述电解金属层803可以采用电解反应生成，因此，所述电解金属层803的材料可以是金(Au)、锡(Sn)或银(Ag)中的一种或多种，且所述电解金属层803的厚度为5um～100um。
本实施例中，所述种子金属层801具有两个堆叠的金属膜层，两个金属膜层分别为钛层和位于钛层上的铜层，当通过电解反应生成所述电解金属层803时，所述种子金属层801可以作为种子层，所述种子金属层801具有导电性，可触发电解反应的进行。
本实施例中，所述钛层的厚度为500埃～5000埃，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
当然，作为可选实施例，所述种子金属层801也可以具有一层或两层以上的金属膜层，例如所述金属膜层也可以是钛(Ti)层或铜(Cu)层，单个所述钛层的厚度为500埃～5000埃，或单个所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
本实施例中，所述金属阻挡层802可以阻挡所述电解金属层803进一步扩散至所述倒装LED芯片的其他区域，导致所述倒装LED芯片的其他功能膜层损伤。因此，所述金属阻挡层802的材料可以是镍(Ni)、铜(Cu)及铂(Pt)中的一种或多种，且所述金属阻挡层802的厚度为0.5um～10um。
作为可选实施例，所述金属阻挡层802也可以通过电解反应生成，在生成所述金属阻挡层802时，所述种子金属层801可以作为导电的种子层，触发生成所述金属阻挡层802时的电解反应的进行，在生成所述电解金属层803时，所述金属阻挡层802可以作为导电的种子层，触发生成所述电解金属层803的电解反应的进行。
作为可选实施例，所述倒装LED芯片可以是Mini LED芯片或Micro LED芯片。
基于此，本实施例还提供了一种倒装LED芯片的制备方法，图1为所述倒装LED芯片的制备方法的流程图。如图1所示，所述倒装LED芯片的制备方法包括：
步骤S100：提供衬底；
步骤S200：形成外延层于所述衬底上，所述外延层包括依次设置于所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
步骤S300：形成绝缘反射层于所述外延层上；以及，
步骤S400：形成两个电极引出端于所述绝缘反射层上，两个所述电极引出端穿过所述绝缘反射层并分别与所述第一半导体层及所述第二半导体层电性连接，每个所述电极引出端均包括依次堆叠于所述绝缘反射层上的种子金属层及电解金属层。
图2a至图2l为本实施例提供的倒装LED芯片的制备方法的相应步骤的结构示意图。接下来，将结合图2a至图2l对所述倒装LED芯片的制备方法进行详细说明。
如图2a所示，提供衬底100，在所述衬底100上形成外延层200，所述外延层200包括由下向上依次设置的第一半导体层201、发光层202和第二半导体层203。
形成所述衬底100及所述外延层200的方式例如是：使用标准的光刻工艺在所述衬底100的表面刻蚀出图形，然后利用ICP(感应等离子耦合刻蚀设备)刻蚀所述衬底100以对所述衬底100的表面进行图案化，用来提高发光效率。进一步地，可以通过诸如金属化学气相沉积、激光辅助分子束外延、氢化物气相外延、蒸镀等任意一种外延技术在所述衬底100上制作所述外延层200。
如图2b所示，对所述外延层200进行部分刻蚀以形成凹槽200a，所述凹槽200a贯穿所述第二半导体层203和所述发光层202并延伸至所述第一半导体层201中。具体而言，形成所述凹槽200a的步骤包括：通过光刻工艺，制作出发光区MESA图形，用ICP对所述外延层200进行刻蚀以形成所述凹槽200a，刻蚀的深度需要超过所述发光层202，并暴露出所述第一半导体层201，从侧面来看是蚀刻出平台(MESA)，形成台阶，台阶包括上台阶面和下台阶面，其中，上台阶面为第二半导体层203，下台阶面为第一半导体层201，上台阶面和下台阶面之间连接形成台阶侧面。
如图2c所示，在所述第二半导体层203上形成电流阻挡层300。所述电流阻挡层的形成步骤可以是：通过沉积工艺全面沉积电流阻挡材料(图2c中未示出)，然后采用光刻胶制作出掩模，然后用刻蚀工艺、去胶工艺去除部分电流阻挡材料以及掩模，所述第二半导体层203上的部分电流阻挡材料得以保留，剩余的电流阻挡材料构成所述电流阻挡层300。
如图2d所示，在所述第二半导体层203上形成电流扩展层400。形成所述电流扩展层400的步骤包括：通过沉积工艺全面沉积电流扩展材料(图2d中未示出)，然后采用光刻胶制作出掩模，然后用刻蚀工艺、去胶工艺去除部分电流扩展材料以及掩模，所述第二半导体层203上的部分电流扩展材料以及所述电流阻挡层300上的全部电流扩展材料得以保留，剩余的电流扩展材料构成所述电流扩展层400。
如图2e所示，在所述凹槽200a及所述电流扩展层400上分别形成一个第一层电极，其中，在所述凹槽200a底部形成第一层N电极501，在所述电流扩展层400上形成第一层P电极502。形成所述第一层N电极501和所述第一层P电极502的步骤可以是：在所述电流扩展层400上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义出需要形成第一层N电极501和第一层P电极502的图案，然后通过诸如溅射等工艺形成第一层电极材料，最后剥离图形化的光刻胶并同时将图形化的光刻胶上的第一层电极材料去除，剩余的第一层电极材料即可构成所述第一层N电极501和所述第一层P电极502。
如图2f所示，在所述第二半导体层203上全面沉积蒸镀绝缘反射层600，所述绝缘反射层600填充所述凹槽200a并延伸覆盖所述第二半导体层203。
如图2g所示，刻蚀所述绝缘反射层600，以形成N型开口701及P型开口702，所述N型开口701及所述P型开口702均贯穿所述绝缘反射层600并分别露出所述第一层N电极501和所述第一层P电极502的顶表面。
如图2h所示，通过诸如物理气相沉积工艺(PVD)在所述绝缘反射层600上全面沉积种子金属层801，所述种子金属层801共形覆盖所述绝缘反射层600的表面并延伸覆盖所述N型开口701及所述P型开口702的内壁。
如图2i所示，在所述种子金属层801上涂布光刻胶，并通过曝光、显影等工艺制作图案，形成图形化的光刻胶层900。所述图形化的光刻胶层900至少露出所述N型开口701及所述P型开口702所在的区域，以使所述N型开口701及所述P型开口702内壁上覆盖的所述种子金属层801露出。
应理解，所述图形化的光刻胶层900可以仅露出所述N型开口701及所述P型开口702，也可以露出所述N型开口701及所述P型开口702周围的所述绝缘反射层600的部分表面。
本实施例中，所述图形化的光刻胶层900还露出所述种子金属层801的边缘部分，也即，露出晶圆边缘的一圈种子金属层801，从而后续执行电解反应时通过种子金属层801的边缘向所述种子金属层801施加电压。本实施例中，所述图形化的光刻胶层900露出的所述种子金属层801的边缘部分的横向宽度为1mm～6mm，但不应以此为限。
如图2j所示，通过电解反应在所述种子金属层801露出的部分上形成所述金属阻挡层802。所述金属阻挡层802较薄，也仅是覆盖所述N型开口701及所述P型开口702的内壁上的种子金属层801，并未填充所述N型开口701及所述P型开口702。
通过电解反应形成金属阻挡层802的步骤可以是：将整个晶圆浸泡在电解设备的电解槽中，电解槽中容置所述金属阻挡层802的金属盐溶液，以所述晶圆边缘露出的一圈种子金属层801为阴极，电解设备中的金属电极为阳极，施加直流电，在所述种子金属层801露出的部分上形成所述金属阻挡层802。所述图形化的光刻胶层900的表面绝缘，所述金属阻挡层802不会覆盖所述图形化的光刻胶层900的表面。
当然，作为可选实施例，所述金属阻挡层802也可以通过诸如物理气相沉积工艺形成，此处不再一一举例说明。
如图2k所示，通过电解反应在所述金属阻挡层802上形成电解金属层803，所述电解金属层803较厚，会覆盖所述金属阻挡层802并填充所述N型开口701及所述P型开口702。
通过电解反应形成所述电解金属层803的步骤可以是：将整个晶圆浸泡在电解设备的电解槽中，电解槽中容置所述电解金属层803的金属盐溶液，以所述晶圆边缘露出的一圈种子金属层801为阴极，电解设备中的金属电极为阳极，施加直流电，在所述金属阻挡层802上形成所述电解金属层803。类似的，所述图形化的光刻胶层900的表面绝缘，所述电解金属层803不会覆盖所述图形化的光刻胶层900的表面。
如图2l所示，去除所述图形化的光刻胶层900，并采用特定金属腐蚀液将所述种子金属层801露出的部分去除。应理解，此时所述种子金属层801露出的部分实际上是被所述图形化的光刻胶层900覆盖的部分，当所述图形化的光刻胶层900被去除后即可露出；但是，由于所述种子金属层801还有一部分被所述金属阻挡层802及所述电解金属层803覆盖，所述特定金属腐蚀液并不会腐蚀所述种子金属层801被所述金属阻挡层802及所述电解金属层803覆盖的部分，因而，所述种子金属层801被所述金属阻挡层802及所述电解金属层803覆盖的部分得以保留。
本实施例中，由于所述种子金属层801具有钛层和铜层两个金属膜层，所述特定金属腐蚀液也可以具有两种，当然，可以根据所述种子金属层801的材料选择所述特定金属腐蚀液。
请继续参阅图2l，去除所述图形化的光刻胶层900及露出的所述种子金属层801之后，所述种子金属层801、所述金属阻挡层802及所述电解金属层803对应所述N型开口701的部分构成N电极引出端810，所述种子金属层801、所述金属阻挡层802及所述电解金属层803对应所述P型开口702的部分构成P电极引出端820。
实施例二
图3f为本实施例提供的倒装LED芯片的结构示意图。与实施例一的区别在于，本实施例中，所述N电极引出端810和P电极引出端820均包括电极层804、种子金属层801、金属阻挡层802及电解金属层803。
具体而言，所述电极层804、种子金属层801、金属阻挡层802及电解金属层803对应所述N型开口701的部分构成所述N电极引出端810；所述电极层804、种子金属层801、金属阻挡层802及电解金属层803对应所述P型开口702的部分构成所述P电极引出端820。对于所述N电极引出端810或P电极引出端820来说，所述电极层804、种子金属层801、金属阻挡层802及电解金属层803依次堆叠在所述绝缘反射层600上。其中，所述电极层804填充所述N型开口701或所述P型开口702并延伸至覆盖所述绝缘反射层600的部分表面，所述种子金属层801、所述金属阻挡层802及所述电解金属层803依次堆叠在所述电极层804上。
本实施例中，所述电极层804的材料可以是钛(Ti)、铂(Pt)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)或金锡合金(AuSn)等金属。
图3a至图3f为本实施例提供的倒装LED芯片的制备方法的部分步骤的结构示意图。接下来，将结合图3a至图3f为对所述倒装LED芯片的制备方法进行详细说明。
首先，按照图2a～图2g的步骤制备出图2g所述的半导体结构。
接着，如图3a所示，在形成所述N型开口701及所述P型开口702之后，在所述N型开口701及所述P型开口702中填充电极材料，所述电极材料还延伸覆盖所述绝缘反射层600的表面。接着剥离所述绝缘反射层600的表面的部分所述电极材料，保留所述N型开口701及所述P型开口702中的导电材料以及所述N型开口701及所述P型开口702周围的部分电极材料构成所述电极层804。
如图3b所示，在所述绝缘反射层600上全面沉积种子金属层801，所述种子金属层801共形覆盖所述绝缘反射层600的表面及所述电极层804的表面。
如图3c所示，在所述种子金属层801上涂布光刻胶，并通过曝光、显影等工艺制作图案，形成图形化的光刻胶层900。所述图形化的光刻胶层900至少露出所述电极层804所在的区域，以使所述电极层804上覆盖的所述种子金属层801露出。
如图3d所示，通过电解反应在所述种子金属层801露出的部分上形成所述金属阻挡层802。
通过电解反应形成金属阻挡层802的步骤可以是：将整个晶圆浸泡在电解设备的电解槽中，电解槽中容置所述金属阻挡层802的金属盐溶液，以所述晶圆边缘露出的一圈种子金属层801为阴极，电解设备中的金属电极为阳极，施加直流电，在所述种子金属层801露出的部分上形成所述金属阻挡层802。所述图形化的光刻胶层900的表面绝缘，所述金属阻挡层802不会覆盖所述图形化的光刻胶层900的表面。
当然，作为可选实施例，所述金属阻挡层802也可以通过诸如化学气相沉积或物理气相沉积工艺形成，此处不再一一举例说明。
如图3e所示，通过电解反应在所述金属阻挡层802上形成电解金属层803，所述电解金属层803覆盖所述金属阻挡层802。
通过电解反应形成所述电解金属层803的步骤可以是：将整个晶圆浸泡在电解设备的电解槽中，电解槽中容置所述电解金属层803的金属盐溶液，以所述晶圆边缘露出的一圈种子金属层801为阴极，电解设备中的金属电极为阳极，施加直流电，在所述金属阻挡层802上形成所述电解金属层803。类似的，所述图形化的光刻胶层900的表面绝缘，所述电解金属层803不会覆盖所述图形化的光刻胶层900的表面。
如图3f所示，去除所述图形化的光刻胶层900，并采用特定金属腐蚀液将所述种子金属层801露出的部分去除。应理解，此时所述种子金属层801露出的部分实际上是被所述图形化的光刻胶层900覆盖的部分，当所述图形化的光刻胶层900被去除后即可露出；但是，由于所述种子金属层801还有一部分被所述金属阻挡层802及所述电解金属层803覆盖，所述特定金属腐蚀液并不会腐蚀所述种子金属层801被所述金属阻挡层802及所述电解金属层803覆盖的部分，因而，所述种子金属层801被所述金属阻挡层802及所述电解金属层803覆盖的部分得以保留。
请继续参阅图3f，去除所述图形化的光刻胶层900及露出的所述种子金属层801之后，所述电极层804、种子金属层801、所述金属阻挡层802及所述电解金属层803对应所述N型开口701的部分构成N电极引出端810，所述电极层804、种子金属层801、所述金属阻挡层802及所述电解金属层803对应所述P型开口702的部分构成P电极引出端820。
相较于实施例一来说，本实施例不会改变常规的倒装LED芯片的制备工艺，仅是在常规的倒装LED芯片的制备工艺之后增加一些工艺，增加的工艺可供制备厂商选配，应用范围更广。
综上，在本发明实施例提供的倒装LED芯片及其制备方法中，电极引出端包括种子金属层及电解金属层，利用种子金属层和电解反应即可制备出较厚的电解金属层，较厚的电解金属层可以保证倒装LED芯片的电极引出端与封装基板上的金属层充分互溶，弥补封装基板的凹凸不平，使倒装LED芯片的电极引出端与封装基板的金属层充分接触，增加二者之间的粘附性，达到均匀焊接的效果，进而可以增加倒装LED芯片的推力，降低了封装异常率，提升了器件的可靠性。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (32)

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
外延层，包括依次堆叠于所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
绝缘反射层，位于所述外延层上；以及，
两个电极引出端，位于所述绝缘反射层上，穿过所述绝缘反射层并分别与所述第一半导体层及所述第二半导体层电性连接，每个所述电极引出端均包括依次堆叠于所述绝缘反射层上的种子金属层及电解金属层；
所述电极引出端还包括位于所述种子金属层与所述电解金属层之间的金属阻挡层。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电解金属层通过电解反应生成，在生成所述电解金属层时，所述种子金属层作为导电的种子层，以触发电解反应的进行。
3.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电解金属层的材料为金、锡或银中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电解金属层的厚度为5um～100um。
5.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述种子金属层为钛层，所述钛层的厚度为500埃～5000埃。
6.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述种子金属层为铜层，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
7.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述种子金属层为钛层和位于钛层上的铜层，所述钛层的厚度为500埃～5000埃，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
8.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电解金属层及所述金属阻挡层均通过电解反应生成，在生成所述金属阻挡层时，所述种子金属层作为导电的种子层，以触发生成所述金属阻挡层的电解反应的进行；在生成所述电解金属层时，所述金属阻挡层作为导电的种子层，以触发生成所述电解金属层的电解反应的进行。
9.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属阻挡层的厚度为0.5um～10um。
10.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属阻挡层的材料为镍、铜及铂中的一种或多种。
11.如权利要求1～10中任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘反射层内具有两个贯穿的开口，所述电极引出端的至少部分填充在对应的所述开口内。
12.如权利要求11所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述种子金属层覆盖对应的所述开口的内壁并延伸覆盖所述绝缘反射层的部分表面，所述电解金属层覆盖所述种子金属层并填充对应的所述开口。
13.如权利要求11所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电极引出端还包括电极层，所述电极层填充对应的所述开口并延伸覆盖所述绝缘反射层的部分表面，所述种子金属层及所述电解金属层依次堆叠于所述电极层上。
14.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层中具有凹槽，所述凹槽贯穿所述第二半导体层及所述发光层并暴露出所述第一半导体层；以及，
所述倒装LED芯片还包括两个第一层电极，一个所述第一层电极位于所述凹槽底部的第一半导体层上并与所述第一半导体层电性连接，另一个所述第一层电极位于所述第二半导体层上并与所述第二半导体层电性连接，两个所述电极引出端穿过所述绝缘反射层并分别与两个所述第一层电极电性连接。
15.如权利要求14所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括：
电流阻挡层，位于所述第二半导体层上并覆盖部分所述第二半导体层；以及，
电流扩展层，位于所述第二半导体层上并覆盖所述电流阻挡层及部分所述第二半导体层；
其中，一个所述第一层电极位于所述电流扩展层上。
16.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
17.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
形成外延层于所述衬底上，所述外延层包括依次设置于所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
形成绝缘反射层于所述外延层上；以及，
形成两个电极引出端于所述绝缘反射层上，两个所述电极引出端穿过所述绝缘反射层并分别与所述第一半导体层及所述第二半导体层电性连接，每个所述电极引出端均包括依次堆叠于所述绝缘反射层上的种子金属层及电解金属层；
所述电极引出端还包括位于所述种子金属层与所述电解金属层之间的金属阻挡层。
18.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，形成两个所述电极引出端于所述绝缘反射层上的步骤包括：
刻蚀所述绝缘反射层以形成贯穿所述绝缘反射层的两个开口；
形成种子金属层于所述绝缘反射层上，所述种子金属层覆盖所述绝缘反射层及所述开口的内壁；
形成图形化的光刻胶层于所述种子金属层上，所述图形化的光刻胶层至少露出所述种子金属层覆盖所述开口的内壁的部分；
通过电解反应形成所述电解金属层于露出的所述种子金属层上；以及，
去除所述图形化的光刻胶层及所述图形化的光刻胶层覆盖的所述种子金属层，所述种子金属层及所述电解金属层对应每个所述开口的部分构成一个所述电极引出端。
19.如权利要求18所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述图形化的光刻胶层还露出所述种子金属层的边缘部分。
20.如权利要求19所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述图形化的光刻胶层露出的所述种子金属层的边缘部分的横向宽度为1mm～6mm。
21.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，形成两个所述电极引出端于所述绝缘反射层上的步骤包括：
刻蚀所述绝缘反射层以形成贯穿所述绝缘反射层的两个开口；
形成电极层于所述开口内，所述电极层至少填充所述开口；
形成种子金属层于所述绝缘反射层上，所述种子金属层覆盖所述绝缘反射层及所述电极层；
形成图形化的光刻胶层于所述种子金属层上，所述图形化的光刻胶层至少露出所述种子金属层覆盖所述开口的内壁的部分；
通过电解反应形成所述电解金属层于露出的所述种子金属层上；以及，
去除所述图形化的光刻胶层及所述图形化的光刻胶层覆盖的所述种子金属层，所述种子金属层、所述电解金属层及所述电极层对应每个所述开口的部分构成一个所述电极引出端。
22.如权利要求18或21所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，在形成所述图形化的光刻胶层之后，形成所述电解金属层之前，还包括：
通过电解反应形成所述金属阻挡层于露出的所述种子金属层上。
23.如权利要求22所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属阻挡层的厚度为0.5um～10um。
24.如权利要求22所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属阻挡层的材料为镍、铜及铂中的一种或多种。
25.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘反射层于所述外延层上之前，还包括：
刻蚀所述外延层以形成凹槽，所述凹槽贯穿所述第二半导体层及所述发光层并暴露出所述第一半导体层；
分别形成两个第一层电极于所述凹槽底部的第一半导体层上及所述第二半导体层上；以及，
形成两个所述电极引出端之后，两个所述电极引出端穿过所述绝缘反射层并分别与两个所述第一层电极电性连接。
26.如权利要求25所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，在形成两个所述第一层电极之前，还包括：
形成电流阻挡层于所述第二半导体层上，所述电流阻挡层覆盖部分所述第二半导体层；
形成电流扩展层于所述第二半导体层上，所述电流扩展层覆盖所述电流阻挡层及部分所述第二半导体层；以及，
形成两个所述第一层电极之后，其中一个所述第一层电极位于所述电流扩展层上。
27.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述电解金属层的材料为金、锡或银中的一种或多种。
28.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述电解金属层的厚度为5um～100um。
29.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述种子金属层为钛层，所述钛层的厚度为500埃～5000埃。
30.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述种子金属层为铜层，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
31.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述种子金属层为钛层和位于钛层上的铜层，所述钛层的厚度为500埃～5000埃，所述铜层的厚度为500埃～5000埃。
32.如权利要求17所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述倒装LED芯片为Mini LED芯片或Micro LED芯片。
CN202110524308.6A 2021-05-13 2021-05-13 倒装led芯片及其制备方法 Active CN113284997B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110524308.6A CN113284997B (zh) 2021-05-13 2021-05-13 倒装led芯片及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110524308.6A CN113284997B (zh) 2021-05-13 2021-05-13 倒装led芯片及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113284997A CN113284997A (zh) 2021-08-20
CN113284997B true CN113284997B (zh) 2022-07-29

Family

ID=77278929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110524308.6A Active CN113284997B (zh) 2021-05-13 2021-05-13 倒装led芯片及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113284997B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI806571B (zh) * 2022-04-25 2023-06-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體結構與微型發光二極體顯示裝置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016048779A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 Jsr株式会社 ３次元配線を有する回路装置、３次元配線の形成方法、および３次元配線用の金属膜形成用組成物
CN106057998A (zh) * 2016-08-10 2016-10-26 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法
CN107731981A (zh) * 2017-09-13 2018-02-23 厦门市三安光电科技有限公司 一种氮化物半导体发光元件
CN108321276A (zh) * 2018-01-31 2018-07-24 湘能华磊光电股份有限公司 一种改善电极环粘附性的pv膜层及粘附性改善方法
CN111433921A (zh) * 2019-12-16 2020-07-17 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管
WO2020223130A1 (en) * 2019-05-01 2020-11-05 Lam Research Corporation Protection of seed layers during electrodeposition of metals in semiconductor device manufacturing

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100365643B1 (ko) * 2000-10-09 2002-12-26 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 다마신 배선 형성 방법 및 그에 의해형성된 다마신 배선 구조체
JP5143382B2 (ja) * 2006-07-27 2013-02-13 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置及びその製造方法
JP5782823B2 (ja) * 2011-04-27 2015-09-24 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US9105628B1 (en) * 2012-03-29 2015-08-11 Valery Dubin Through substrate via (TSuV) structures and method of making the same
US9437783B2 (en) * 2012-05-08 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) contact structures and process for fabricating the same
TWI681447B (zh) * 2017-09-26 2020-01-01 穩懋半導體股份有限公司 耐高溫之化合物半導體基板之背面金屬改良結構

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016048779A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 Jsr株式会社 ３次元配線を有する回路装置、３次元配線の形成方法、および３次元配線用の金属膜形成用組成物
CN106057998A (zh) * 2016-08-10 2016-10-26 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法
CN107731981A (zh) * 2017-09-13 2018-02-23 厦门市三安光电科技有限公司 一种氮化物半导体发光元件
CN108321276A (zh) * 2018-01-31 2018-07-24 湘能华磊光电股份有限公司 一种改善电极环粘附性的pv膜层及粘附性改善方法
WO2020223130A1 (en) * 2019-05-01 2020-11-05 Lam Research Corporation Protection of seed layers during electrodeposition of metals in semiconductor device manufacturing
CN111433921A (zh) * 2019-12-16 2020-07-17 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管

Also Published As

Publication number Publication date
CN113284997A (zh) 2021-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10062810B2 (en) Light-emitting diode module having light-emitting diode joined through solder paste and light-emitting diode
EP3767688B1 (en) Light emitting diode
US8384118B2 (en) LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate
US20100283070A1 (en) Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
TW202220234A (zh) 發光元件
CN102593275A (zh) 制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件
CN102054927B (zh) 发光二极管封装体
CN111433921B (zh) 一种发光二极管
CN111509097A (zh) 一种大功率半导体发光器件及其制备方法
WO2014012323A1 (zh) 一种倒装焊发光二极管的制造方法
KR20180066379A (ko) 반도체 발광 소자
CN113284997B (zh) 倒装led芯片及其制备方法
CN212750919U (zh) 倒装led芯片
KR101203138B1 (ko) 발광소자와 그 제조방법
CN114464710B (zh) 一种led芯片及其制备方法
CN114864777B (zh) Led芯片及其制备方法
CN212750918U (zh) 倒装led芯片
JP2005268642A (ja) 金属ベースを有する発光ダイオードの形成方法
CN115472729A (zh) 一种小型发光二极管结构及其制作方法
CN103531689A (zh) 发光器件
CN109616564B (zh) 一种倒装led芯片及其制作方法
CN114093988A (zh) 一种倒装Mini LED芯片及其制造方法
CN109638125B (zh) 一种倒装led芯片及其制作方法
CN113644180B (zh) 倒装led芯片及其制备方法
CN116885084B (zh) 一种自带封装基板的led芯片及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant