JP3638413B2 - 半導体発光装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体発光装置に関し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源などに用いられる半導体発光装置とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体発光装置を図3および図4に示す。図4は、図3のA−A線断面図である。図3および図4において、21は半導体基板、22は島状半導体層、23は個別電極、24は共通電極である。
【0003】
半導体基板21は、例えばシリコン(Si)やガリウム砒素(GaAs)などの単結晶半導体基板などから成る。島状半導体層22は、ガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素などの化合物半導体層などから成り、一導電型不純物を含有する層22aと逆導電型不純物を含有する層22bから成る。一導電型不純物を含有する層22aと逆導電型不純物を含有する層22bの界面部分で半導体接合部が形成される。この島状半導体層22は、例えばMOCVD(有機金属化学気相成長)法やMBE(電子ビームエピタキシ)法でガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素などから成る単結晶半導体層を形成した後に、メサエッチングなどによって島状に形成される。
【0004】
島状半導体層22の表面部分には、例えば窒化シリコン膜(Six Ny )などから成る保護膜25が形成されており、この保護膜25の表面部分には、例えば金(Au)などから成る個別電極23が形成されている。この個別電極23は、保護膜25に形成されたスルーホールを介して逆導電型不純物を含有する半導体層22bに接続されている。この個別電極23は、島状半導体層22のうちの逆導電型不純物を含有する層22bの上面部分から壁面部分を経由して、半導体基板21の端面近傍まで、隣接する島状半導体層22ごとに交互に他の端面側に延在するように形成されている。また、半導体基板21の裏面側のほぼ全面には共通電極24が形成されている。
【0005】
島状半導体層22、個別電極23および共通電極24で個々の発光ダイオードが構成され、この発光ダイオードは半導体基板21上に一列状に並ぶように形成される。この場合、例えば個別電極23が発光ダイオードのアノード電極となり、共通電極24がカソード電極となる。なお、個別電極23はその幅広部分において外部回路とボンディングワイヤなどで接続される。
【0006】
このような半導体発光装置では、例えば個別電極23から共通電極24に向けて順方向に電流を流すと、逆導電型不純物を含有する層22bには電子が注入され、一導電型不純物を含有する層22aには正孔が注入される。これらの少数キャリアの一部が多数キャリアと発光再結合することによって光を生じる。また、列状に形成された発光素子のいずれかの個別電極23を選択して電流を流して発光させることにより、例えばぺ一ジプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用いられる。
【0007】
ところが、この従来の半導体発光装置では、半導体基板21の表面側に形成した島状半導体層22上に、個別電極23を設けると共に、半導体基板21の裏面側に共通電極24を設けていることから、個別電極23と共通電極24の形成工程が2回になり、製造工程が煩雑になるという問題があった。また、個別電極23と共通電極24が半導体基板21の表裏両面にあると、ワイヤボンディング法などによって外部回路と接続する際に、その接続作業が困難であるという問題もあった。
【0008】
そこで、本願発明者等は特願平7−192857号において、図5および図6に示すように、半導体基板21上に、一導電型不純物を含有する下層半導体層22aを設けると共に、この下層半導体層22a上に逆導電型不純物を含有する上層半導体層22bを下層半導体層22aよりも小面積となるように設け、下層半導体層22aの露出部分に共通電極24a、24bを接続して設け、上層半導体層22bに個別電極23を接続して設けることを提案した。
【0009】
このように構成すると、半導体基板21の同じ側に個別電極23と共通電極24a、24bを設けることができ、個別電極23と共通電極24a、24bを一回の工程で同時に形成できることから半導体発光装置の製造工程が簡略化されると共に、個別電極23と共通電極24a、24bが同じ側に位置することからワイヤボンディング法などによる外部回路との接続作業も容易になる。なお、図6中、25は窒化シリコン膜などから成る絶縁膜である。
【0010】
また、図6に示すように、共通電極24a、24bは隣接する島状半導体層22ごとに異なる群に属するように二群に分けて設けられ、個別電極23は隣接する島状半導体層22が同じ個別電極23で接続されるように設けられている。
【0011】
このように共通電極24a、24bを二群に分けて設け、隣接する島状半導体層22が同じ個別電極23に接続されるように個別電極23を設けると、電極パターンが簡素化され、電極の短絡などを防止できると共に、発光ダイオードを高精細化させても、これら電極23と外部回路との接続面積を大きくとることができるという利点がある。
【0012】
このような半導体発光装置では、個別電極23と共通電極24a、24bの組み合わせを選択して電流を流すことによって、各発光ダイオードを選択的に発光させる。
【0013】
ところが、この従来の半導体発光装置では、隣接する発光ダイオードの電気的な分離が十分でなく、特に二群に分けて設けられた共通電極24a、24b間でリーク電流が発生するという問題があった。二群に分けて設けられた共通電極24a、24b間でリーク電流が発生すると、個別電極(アノード)23に電圧を印加して発光素子を発光させた場合、同じ個別電極23に接続された隣接する発光素子も薄く発光するという問題があった。
【0014】
そこで、従来は、同じ個別電極23に接続された隣接する発光素子の共通電極23に接続された隣接する発光素子の共通電極24a又は24bに1V以下の逆バイアス電圧を印加して薄く発光することを防止していたが、駆動回路の制御が複雑になると共に、発光素子の信頼性や発光ばらつきの面からも問題であった。
【0015】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、製造工程が煩雑化して外部回路との接続作業が困難になることを解消すると共に、隣接する発光ダイオード間でリーク電流が発生することを解消した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に係る半導体発光装置によれば、基板上に、バッファ層、一導電型半導体層、及び逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極をそれぞれ接続して設けた半導体発光装置において、前記バッファ層の中間部分に逆導電型を呈する半導体層を設けた。
【0017】
また、請求項2に係る半導体発光装置の製造方法によれば、基板上に、有機金属化学気相成長法でバッファ層、一導電型半導体層、及び逆導電型半導体層を形成して、島状にパターニングした後、前記一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極を接続して設ける半導体発光装置の製造方法において、前記バッファ層を形成する途中で、III族元素とV族元素を含有する原料ガス中の前記V族元素とIII族元素のモル比が10以下となるように前記原料ガスの流量を設定して逆導電型を呈する半導体層を形成する。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、請求項1および請求項2に係る発明の一実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は、請求項1に係る半導体発光装置の一実施形態を示す図であり、1は基板、2はバッファ層、3は一導電型半導体層、4は逆導電型半導体層、5は共通電極、6は個別電極、7は保護膜である。
【0019】
基板1は、例えばシリコン(Si)やガリウム砒素(GaAs)などの単結晶半導体基板や、サファイア(Al2 O3 )などの単結晶絶縁基板から成る。本発明に係る半導体発光装置では、半導体基板を用いる場合、一導電型半導体基板、逆導電型半導体基板、或いは高抵抗半導体基板のいずれも用いることができるが、隣接する発光素子の素子分離を完全に行うには、1〜2×103 Ω・cm程度の高抵抗半導体基板を用いることが望ましい。
【0020】
請求項1に係る半導体発光装置における各半導体層の層構成を図2に示す。バッファ層2は、基板1と一導電型半導体層3との格子定数の相違に基づくミスフィット転位を防止するために設ける。
【0021】
バッファ層2は、例えば0.1μm程度の厚みを有する第1のGaAs層2a、0.01〜0.2μm程度の厚みを有するp型GaAs層2b、2.4μm程度の厚みを有する第2のGaAs層2c、0.15μm程度の厚みを有するInGaAs層2d、0.2μm程度の厚みを有する第3のGaAs層2eから成る。なお、InGaAs層2dは、GaAsとは格子定数を若干変化させてバッファ層2中の転位を不連続とするために設けるものである。
【0022】
このバッファ層2の少なくとも一部には、逆導電型を呈する半導体層2bが形成されるように設ける。この逆導電型を呈する半導体層2bは、例えば亜鉛(Zn)などのp型不純物を含有させたり、GaAs層2bを形成する際の原料ガスの流量比を所定範囲に設定して形成する。
【0023】
一導電型半導体層3は、0.8μm程度の厚みを有するn+ 型GaAs層3aと0.4μm程度の厚みを有するn−AlGaAs層3bから成る。この一導電型半導体層3は、シリコン(Si)などのn型半導体不純物を1×1016〜1021atoms・cm-3程度含有する。
【0024】
逆導電型半導体層4は、0.4μm程度の厚みを有する第1のp−AlGaAs層4a、0.4μm程度の厚みを有する第2のp−AlGaAs層4b、0.4μm程度の厚みを有する第3のp−AlGaAs層4c、0.016μm程度の厚みを有するp+ −GaAs層4dから成る。この逆導電型半導体層4は、亜鉛(Zn)などのp型半導体不純物を1×1016〜1021atoms・cm-3程度含有する。なお、第1のp−AlGaAs層4aから第3のp−AlGaAs層4cは電子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を勘案して、AlAsとGaAsの混晶比が異なるように形成される。
【0025】
逆導電型半導体層4は、一導電型半導体層3の一部が露出するように一導電型半導体層3よりも小面積に形成される。バッファ層2、一導電型半導体層3、および逆導電型半導体層4は、それぞれ島状に形成され、全体が例えば窒化シリコン(SiNx )などから成る保護膜7で被覆される。また、一導電型半導体層3の露出部には共通電極6が接続して設けられ、この露出部と対峙する逆導電型半導体層4の端部には、個別電極5が接続して設けられる。
【0026】
次に、請求項3に係る半導体発光装置の製造方法を説明する。
各半導体層2〜4は、MOCVD法やMBE法などで形成される。すなわち、基板1として例えばシリコン基板を用いる場合、表面の自然酸化膜を800〜1000℃の高温で除去し、次に450℃以下の低温で核となるアモルファスガリウム砒素膜を100〜500Åの厚みに成長させた後に500〜700℃まで昇温して、ガリウム砒素単結晶膜を形成する(二段階成長法)。このガリウム砒素膜中で成長を中断し、750〜1000℃の高温アニールと600℃以下への冷却を繰り返す(熱サイクル法)ことにより、転位などの結晶欠陥を低減させる。次いで、残りの各バッファ層2を所定厚みになるまで連続して形成する。
【0027】
MOCVD法で形成する場合、ガリウム(Ga)の原料ガスとしてはトリメチルガリウム((CH3 )3 Ga)などが用いられ、砒素(As)の原料ガスとしてはアルシン(AsH3 )などが用いられ、インジウム(In)の原料ガスとしてはトリメチルインジウジウム((CH3 )3 In)などが用いられる。
【0028】
この場合、逆導電型を呈するGaAs層2bは、トリメチルガリウム((CH3 )3 Ga)とアルシン(AsH3 )中のAsとGaのモル比が10以下となるように原料ガスを流しながら形成する。すなわち、トリメチルガリウム((CH3 )3 Ga)の恒温槽の圧力を74.74mmHgに設定して80sccm流すとすると、アルシンの濃度が20%であれば、そのアルシンを437sccm以下となるように設定して逆導電型を呈するGaAs層2bを形成する。なお、第1のGaAs層2aはV族元素とIII 族元素のモル比が例えば21.5となるように原料ガスの流量比を設定して形成され、また、第2のGaAs層2cはV族元素とIII 族元素のモル比が例えば43となるように原料ガスの流量比を設定して形成される。このように形成すると、トリメチルガリウム((CH3 )3 Ga)とアルシン(AsH3 )の流量比を変えるだけでバッファ層中に逆導電型を呈するGaAs層2bを形成することができる。
【0029】
このバッファ層2上に形成される各化合物半導体層3〜4もMOCVD法やMBE法で形成される。導電型を制御するn型半導体不純物としてはシラン(SiH4 )などがあり、p型半導体不純物としてはジメチルジンク((CH3 )2 Zn)などがある。
【0030】
このように、基板1の全面もしくは一部にバッファ層2、一導電型半導体層3、及び逆導電型半導体層4を順次積層して形成した後に、エッチングなどによって島状に形成し、次に、島状部上にレジストマスク12を塗布して、一導電型半導体層3の一部が露出するように、それより上部の半導体層の一部をエッチングすることによって形成される。
【0031】
一導電型半導体層3には接触しない箇所に逆導電型を呈する半導体層2b、2dを設けることが肝要である。一導電型半導体層3に接触する部分で逆導電型を呈する半導体層2b、2dを形成すると、隣接する発光素子を発光させる際に、薄く発光してしまう。また、GaAs層で発光した光ができるだけ外へ漏れないようにするために、逆導電型を呈する半導体層2b、2dはバッファ層2の中間のできるだけ基板1側に設けることが望ましい。つまり、バッファ層2中に、逆導電型を呈する半導体層2bを入れたときに、上下の層2a、2cはn型となっているために、一導電型半導体層3bと逆導電型半導体層4aの半導体接合部以外に、例えば第2のGaAs層2cと逆導電型を呈する半導体層2bでも半導体接合部が形成される。したがって、この逆導電型を呈する半導体層2bを表面から下げて、上層の各層で第2のGaAs層2cと逆導電型を呈する半導体層2bで発光した光を吸収させる。
【0032】
【発明の効果】
以上のように、請求項1に係る半導体発光装置によれば、一導電型半導体層と逆導電型半導体層の下部に位置するバッファ層の中間部分に逆導電型を呈する半導体層を設けたことから、隣接する発光素子間で電流がリークすることを極力低減でき、隣接する発光素子が薄く発光することを防止できる。もって、隣接する発光素子に従来装置のような逆バイアス電圧を印加する必要がなくなり、駆動の制御が容易になる。特に、隣接する発光素子に同一のアノード電極を設けた半導体発光装置に有効である。
【0033】
また、請求項2に係る半導体発光装置の製造方法によれば、一導電型半導体層と逆導電型半導体層の下部に位置するバッファ層を形成する途中で、III族元素とV族元素を含有する原料ガス中のV族元素とIII族元素のモル比が10以下となるように原料ガスの流量を設定して逆導電型を呈する半導体層を形成することから、隣接する発光素子間のリーク電流を極力低減できる半導体発光装置を極めて容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示す断面図である。
【図2】本発明に係る半導体発光装置の層構成を示す図である。
【図3】従来の半導体発光装置を示す平面図である。
【図4】図3中のA−A線断面図である。
【図5】従来の他の半導体発光装置を示す平面図である。
【図6】図5中のA−A線断面図である。
【符号の説明】
1‥‥‥基板、2‥‥‥バッファ層、3‥‥‥一導電型半導体層、4‥‥‥逆導電型半導体層、5‥‥‥共通電極、6‥‥‥個別電極
Claims (2)
- 基板上に、バッファ層、一導電型半導体層、及び逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極をそれぞれ接続して設けた半導体発光装置において、前記バッファ層の中間部分に逆導電型を呈する半導体層を設けたことを特徴とする半導体発光装置。
- 基板上に、有機金属化学気相成長法でバッファ層、一導電型半導体層、及び逆導電型半導体層を形成して、島状にパターニングした後、前記一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極を接続して設ける半導体発光装置の製造方法において、前記バッファ層を形成する途中で、III族元素とV族元素を含有する原料ガス中の前記V族元素とIII族元素のモル比が10以下となるように前記原料ガスの流量を設定して逆導電型を呈する半導体層を形成することを特徴とする。
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