JP3439955B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3439955B2 JP3439955B2 JP23314697A JP23314697A JP3439955B2 JP 3439955 B2 JP3439955 B2 JP 3439955B2 JP 23314697 A JP23314697 A JP 23314697A JP 23314697 A JP23314697 A JP 23314697A JP 3439955 B2 JP3439955 B2 JP 3439955B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ohmic contact
- light emitting
- contact layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子とそ
の製造方法に関し、特にページプリンタ用感光ドラムの
露光源などに用いられる半導体発光素子とその製造方法
に関する。
の製造方法に関し、特にページプリンタ用感光ドラムの
露光源などに用いられる半導体発光素子とその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体発光素子を図７及び図８に
示す。図７及び図８において、２１は半導体基板、２２
はＧｓＡｓから成るバッファ層、２３はｎ+ −ＧａＡｓ
から成るオーミックコンタクト層、２４はｎ−ＡｌＧａ
Ａｓから成る第１のクラッド層、２５はｐ−ＡｌＧａＡ
ｓから成る発光層、２６はｐ−ＡｌＧａＡｓから成る第
２のクラッド層、２７はｐ+ −ＧａＡｓから成る第２の
オーミックコタンクト層、２８は保護膜、２９はアノー
ド電極、３０はカソード電極である。
示す。図７及び図８において、２１は半導体基板、２２
はＧｓＡｓから成るバッファ層、２３はｎ+ −ＧａＡｓ
から成るオーミックコンタクト層、２４はｎ−ＡｌＧａ
Ａｓから成る第１のクラッド層、２５はｐ−ＡｌＧａＡ
ｓから成る発光層、２６はｐ−ＡｌＧａＡｓから成る第
２のクラッド層、２７はｐ+ −ＧａＡｓから成る第２の
オーミックコタンクト層、２８は保護膜、２９はアノー
ド電極、３０はカソード電極である。
【０００３】各半導体層２２〜２７は、積層して島状に
形成されている。ｎ−ＡｌＧａＡｓ層２４とｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ層２５とで半導体接合部が形成され、ｐ+ −Ｇａ
Ａｓ層２７にアノード電極２９が、またｎ+ −ＧａＡｓ
層２３にカソード電極３０がそれぞれ接続して形成され
ている。ｎ+ −ＧａＡｓ層２３の一部が露出するように
上層の各半導体層２４〜２７が形成され、このｎ+ −Ｇ
ａＡｓ層２３の露出部にカソード電極３０が接続され
る。
形成されている。ｎ−ＡｌＧａＡｓ層２４とｐ−ＡｌＧ
ａＡｓ層２５とで半導体接合部が形成され、ｐ+ −Ｇａ
Ａｓ層２７にアノード電極２９が、またｎ+ −ＧａＡｓ
層２３にカソード電極３０がそれぞれ接続して形成され
ている。ｎ+ −ＧａＡｓ層２３の一部が露出するように
上層の各半導体層２４〜２７が形成され、このｎ+ −Ｇ
ａＡｓ層２３の露出部にカソード電極３０が接続され
る。
【０００４】このような各半導体層２２〜２７、アノー
ド電極２９、およびカソード電極３０で構成される半導
体発光素子が、図８に示すように、半導体基板２１上に
列状に形成される。また、カソード電極３０（３０ａ、
３０ｂ）をｎ+ −ＧａＡｓ層２３の露出部に接続して設
けると、アノード電極２９とカソード電極３０（３０
ａ、３０ｂ）とを半導体基板２１の同一面側に形成する
ことができ、二種類の電極を同じ工程で形成することが
できるようになると共に、外部回路との接続作業も容易
に行うことができるようになる。
ド電極２９、およびカソード電極３０で構成される半導
体発光素子が、図８に示すように、半導体基板２１上に
列状に形成される。また、カソード電極３０（３０ａ、
３０ｂ）をｎ+ −ＧａＡｓ層２３の露出部に接続して設
けると、アノード電極２９とカソード電極３０（３０
ａ、３０ｂ）とを半導体基板２１の同一面側に形成する
ことができ、二種類の電極を同じ工程で形成することが
できるようになると共に、外部回路との接続作業も容易
に行うことができるようになる。
【０００５】図９にアノード電極２９とカソード電極３
０部分を拡大して示す。発光部３１がアノード電極２９
で覆われているところは遮光されるため、図８（ａ）に
示すように、アノード電極２９を発光部３１の中央部に
設けると、発光ドットの中で発光強度の分布ができる。
このような発光強度の分布を解消するためには、図８
（ｂ）に示すように、アノード電極２９とカソード電極
３０を発光部３１の両側に対峙させて設けることが有効
である。また、図８に示すように、２個の発光素子ごと
に１つのカソード電極を設けたデュアル構造の発光ダイ
オードアレイでは、電流の流れに方向性があるため、発
光強度のばらつき対策としても、アノード電極２９とカ
ソード電極３０を発光部３１の両側に接続して設けるこ
とが有効である。さらに、アノード電極２９とカソード
電極３０を発光部３１の両側に対峙させて設けると、電
極２９とオーミックコンタクト層２３とのコンタクト面
積が増え、駆動電圧の低電圧化を図ることができる。こ
のように発光部３１の両側にアノード電極２９とカソー
ド電極３０を対峙させて形成する場合において、島状発
光部３１の上方からより多くの光を取り出すためには、
島状発光部３１の側壁部Ｙをアノード電極２９で被覆す
ることが望ましい。
０部分を拡大して示す。発光部３１がアノード電極２９
で覆われているところは遮光されるため、図８（ａ）に
示すように、アノード電極２９を発光部３１の中央部に
設けると、発光ドットの中で発光強度の分布ができる。
このような発光強度の分布を解消するためには、図８
（ｂ）に示すように、アノード電極２９とカソード電極
３０を発光部３１の両側に対峙させて設けることが有効
である。また、図８に示すように、２個の発光素子ごと
に１つのカソード電極を設けたデュアル構造の発光ダイ
オードアレイでは、電流の流れに方向性があるため、発
光強度のばらつき対策としても、アノード電極２９とカ
ソード電極３０を発光部３１の両側に接続して設けるこ
とが有効である。さらに、アノード電極２９とカソード
電極３０を発光部３１の両側に対峙させて設けると、電
極２９とオーミックコンタクト層２３とのコンタクト面
積が増え、駆動電圧の低電圧化を図ることができる。こ
のように発光部３１の両側にアノード電極２９とカソー
ド電極３０を対峙させて形成する場合において、島状発
光部３１の上方からより多くの光を取り出すためには、
島状発光部３１の側壁部Ｙをアノード電極２９で被覆す
ることが望ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】ところが、メサ形の
半導体発光素子では、アノード電極２９の引き出し部の
壁Ｘがメサ形状になるように島状半導体層３１の結晶の
方位を設定して形成すると、図１０に示すように、島状
発光部３１の側壁Ｙは逆メサ構造になり、島状発光部３
１の側壁Ｙの中央部は窪んだ形状になる。この状態で島
状発光部３１の側壁Ｙも被覆されるようにアノード電極
２９を形成すると、この窪んだ部分には電極材料が被着
しなかったり、リフトオフ法で電極パターンを形成する
場合は、この窪んだ部分にレジスト材料（不図示）が残
って電極材料がこのレジスト材料と一緒に剥離し、逆メ
サ部Ｙには電極材料のないものが発生するという問題が
あった。
半導体発光素子では、アノード電極２９の引き出し部の
壁Ｘがメサ形状になるように島状半導体層３１の結晶の
方位を設定して形成すると、図１０に示すように、島状
発光部３１の側壁Ｙは逆メサ構造になり、島状発光部３
１の側壁Ｙの中央部は窪んだ形状になる。この状態で島
状発光部３１の側壁Ｙも被覆されるようにアノード電極
２９を形成すると、この窪んだ部分には電極材料が被着
しなかったり、リフトオフ法で電極パターンを形成する
場合は、この窪んだ部分にレジスト材料（不図示）が残
って電極材料がこのレジスト材料と一緒に剥離し、逆メ
サ部Ｙには電極材料のないものが発生するという問題が
あった。
【０００７】島状発光部３１の側壁Ｙが電極材料で被覆
されない場合、この部分から光漏れが発生し、発光素子
の上方へ照射される発光強度が弱くなり、発光ドットご
とに発光強度や発光パターンがばらつくという問題を誘
発する。
されない場合、この部分から光漏れが発生し、発光素子
の上方へ照射される発光強度が弱くなり、発光ドットご
とに発光強度や発光パターンがばらつくという問題を誘
発する。
【０００８】また、島状発光部３１の側壁部Ｙから光漏
れが発生するとドット露光時の指向性が悪くなり、印画
品質が悪化するという問題があった。
れが発生するとドット露光時の指向性が悪くなり、印画
品質が悪化するという問題があった。
【０００９】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、島状発光部の側面の側壁が
電極材料で被覆されない事態が発生することを極力低減
すると共に、発光ドットごとの発光強度や発光パターン
のばらつきを極力低減した半導体発光素子を提供するこ
とを目的とする。
鑑みてなされたものであり、島状発光部の側面の側壁が
電極材料で被覆されない事態が発生することを極力低減
すると共に、発光ドットごとの発光強度や発光パターン
のばらつきを極力低減した半導体発光素子を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る半導体発光素子では、基板上に、バ
ッファ層と第１のオーミックコンタクト層を島状に形成
し、この第１のオーミックコンタクト層上に、この第１
のオーミックコンタクト層の一部が露出するように、第
１のクラッド層、発光層、第２のクラッド層、及び第２
のオーミックコンタクト層を順次積層して形成し、前記
第１のオーミックコンタクト層の露出部から前記基板上
にかけて第１の電極を形成し、前記第２のオーミックコ
ンタクト層から前記基坂上にかけて第２の電極を形成し
た半導体発光素子において、前記第１のオーミックコン
タクト層の露出部と対向する部分が前記第１のクラッド
層、発光層、第２のクラッド層、及び第２のオーミック
コンタクト層よりも幅広となるように形成し、この幅広
部分の側壁部が被覆されるように前記第２の電極を形成
した。
に、請求項１に係る半導体発光素子では、基板上に、バ
ッファ層と第１のオーミックコンタクト層を島状に形成
し、この第１のオーミックコンタクト層上に、この第１
のオーミックコンタクト層の一部が露出するように、第
１のクラッド層、発光層、第２のクラッド層、及び第２
のオーミックコンタクト層を順次積層して形成し、前記
第１のオーミックコンタクト層の露出部から前記基板上
にかけて第１の電極を形成し、前記第２のオーミックコ
ンタクト層から前記基坂上にかけて第２の電極を形成し
た半導体発光素子において、前記第１のオーミックコン
タクト層の露出部と対向する部分が前記第１のクラッド
層、発光層、第２のクラッド層、及び第２のオーミック
コンタクト層よりも幅広となるように形成し、この幅広
部分の側壁部が被覆されるように前記第２の電極を形成
した。
【００１１】また、請求項２に係る半導体発光素子の製
造方法では、基板上に、バッファ層、第１のオーミック
コンタクト層、第１のクラッド層、発光層、第２のクラ
ッド層、及び第２のオーミックコンタクト層を順次積層
して形成し、前記第１のオーミックコンタクト層の一部
が露出するように、前記第１のクラッド層、発光層、第
２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層を
エッチングして、前記第１のオーミックコンタクト層の
露出部に第１の電極を接続して形成すると共に、前記第
２のオーミックコンタクト層に第２の電極を接続して形
成する半導体発光素子の形成方法において、前記第１の
クラッド層、発光層、第２のクラッド層、及び第２のオ
ーミックコンタクト層の一部をエッチング除去する際
に、前記第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向
する部分が前記第１のクラッド層、発光層、第２のクラ
ッド層、及び第２のオーミックコンタクト層よりも幅広
となるように、前記第１のオーミックコンタクト層の露
出部と対向する部分上の前記第１のクラッド層、発光
層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタク
ト層をエッチング除去する。
造方法では、基板上に、バッファ層、第１のオーミック
コンタクト層、第１のクラッド層、発光層、第２のクラ
ッド層、及び第２のオーミックコンタクト層を順次積層
して形成し、前記第１のオーミックコンタクト層の一部
が露出するように、前記第１のクラッド層、発光層、第
２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層を
エッチングして、前記第１のオーミックコンタクト層の
露出部に第１の電極を接続して形成すると共に、前記第
２のオーミックコンタクト層に第２の電極を接続して形
成する半導体発光素子の形成方法において、前記第１の
クラッド層、発光層、第２のクラッド層、及び第２のオ
ーミックコンタクト層の一部をエッチング除去する際
に、前記第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向
する部分が前記第１のクラッド層、発光層、第２のクラ
ッド層、及び第２のオーミックコンタクト層よりも幅広
となるように、前記第１のオーミックコンタクト層の露
出部と対向する部分上の前記第１のクラッド層、発光
層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタク
ト層をエッチング除去する。
【００１２】さらに、請求項３に係る半導体発光素子で
は、基板上に、バッファ層と第１のオーミックコンタク
ト層を島状に形成し、この第１のオーミックコンタクト
層上に、この第１のオーミックコンタクト層の一部が露
出するように、第１のクラッド層、発光層、第２のクラ
ッド層、及び第２のオーミックコンタクト層を順次積層
して形成し、前記第１のオーミックコンタクト層の露出
部から前記基板上にかけて第１の電極を形成し、前記第
２のオーミックコンタクト層から前記基板上にかけて第
２の電極を形成した半導体発光素子において、前記第１
のオーミックコンタクト層の露出部と対向する部分の前
記発光層と第２のクラッド層を徐々に幅狭となるように
形成し、この幅狭部分の側壁部を前記第２の電極で被覆
した。
は、基板上に、バッファ層と第１のオーミックコンタク
ト層を島状に形成し、この第１のオーミックコンタクト
層上に、この第１のオーミックコンタクト層の一部が露
出するように、第１のクラッド層、発光層、第２のクラ
ッド層、及び第２のオーミックコンタクト層を順次積層
して形成し、前記第１のオーミックコンタクト層の露出
部から前記基板上にかけて第１の電極を形成し、前記第
２のオーミックコンタクト層から前記基板上にかけて第
２の電極を形成した半導体発光素子において、前記第１
のオーミックコンタクト層の露出部と対向する部分の前
記発光層と第２のクラッド層を徐々に幅狭となるように
形成し、この幅狭部分の側壁部を前記第２の電極で被覆
した。
【００１３】
【作用】請求項１に係る半導体発光素子では、第１のオ
ーミックコンタクト層を第１のクラッド層、発光層、第
２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層よ
りも幅広に形成すると、この島状半導体層の側壁部が階
段状になり、この側壁部のくぼみ量が小さくなる。した
がって、この側壁部に電極材料が被着しなかったり、リ
フトオフ法におけるレジストが残ることが極力低減でき
る。
ーミックコンタクト層を第１のクラッド層、発光層、第
２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層よ
りも幅広に形成すると、この島状半導体層の側壁部が階
段状になり、この側壁部のくぼみ量が小さくなる。した
がって、この側壁部に電極材料が被着しなかったり、リ
フトオフ法におけるレジストが残ることが極力低減でき
る。
【００１４】また、請求項２に係る半導体発光素子の製
造方法では、第１のクラッド層、発光層、第２のクラッ
ド層、及び第２のオーミックコンタクト層の一部をエッ
チング除去する際に、第１のオーミックコンタクト層の
露出部と対向する部分が第１のクラッド層、発光層、第
２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層よ
りも幅広となるように、第１のオーミックコンタクト層
の露出部と対向する部分上の第１のクラッド層、発光
層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタク
ト層をエッチング除去すると、工程を煩雑化させること
なく、島状半導体層の側壁部に電極材料が被着しなかっ
たり、この側壁部にリフトオフ法におけるレジスト材料
が残ることを低減できる。
造方法では、第１のクラッド層、発光層、第２のクラッ
ド層、及び第２のオーミックコンタクト層の一部をエッ
チング除去する際に、第１のオーミックコンタクト層の
露出部と対向する部分が第１のクラッド層、発光層、第
２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層よ
りも幅広となるように、第１のオーミックコンタクト層
の露出部と対向する部分上の第１のクラッド層、発光
層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタク
ト層をエッチング除去すると、工程を煩雑化させること
なく、島状半導体層の側壁部に電極材料が被着しなかっ
たり、この側壁部にリフトオフ法におけるレジスト材料
が残ることを低減できる。
【００１５】さらに、請求項３に係る半導体発光素子で
は、第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向する
部分の前記発光層と第２のクラッド層を徐々に幅狭とな
るように形成したことから、この発光層と第２のクラッ
ド層の側壁部の切り立ち角度は緩やかになり、この側壁
部を第２の電極でより一層被覆し易くなり、この部分か
らの発光漏れを極力低減できる。
は、第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向する
部分の前記発光層と第２のクラッド層を徐々に幅狭とな
るように形成したことから、この発光層と第２のクラッ
ド層の側壁部の切り立ち角度は緩やかになり、この側壁
部を第２の電極でより一層被覆し易くなり、この部分か
らの発光漏れを極力低減できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づき詳細に説明する。図１は請求項１に係る半導
体発光素子の一実施形態を示す断面図であり、１は基
板、２はバッファ層、３は第１のオーミックコンタクト
層、４は第１のクラッド層、５は発光層、６は第２のク
ラッド層、７は第２のオーミックコンタクト層、８は保
護膜、９はアノード電極（第２の電極）、１０はカソー
ド電極（第１の電極）である。
面に基づき詳細に説明する。図１は請求項１に係る半導
体発光素子の一実施形態を示す断面図であり、１は基
板、２はバッファ層、３は第１のオーミックコンタクト
層、４は第１のクラッド層、５は発光層、６は第２のク
ラッド層、７は第２のオーミックコンタクト層、８は保
護膜、９はアノード電極（第２の電極）、１０はカソー
ド電極（第１の電極）である。
【００１７】基板１は、例えば単結晶シリコンやガリウ
ム砒素などから成る。この基板１としては、（１００）
面から（０１１）面方向へ２〜７°オフさせた単結晶基
板などが用いられる。
ム砒素などから成る。この基板１としては、（１００）
面から（０１１）面方向へ２〜７°オフさせた単結晶基
板などが用いられる。
【００１８】バッファ層２は、基板１上に格子定数の異
なる化合物半導体層を形成するためのバッファ層として
機能し、例えばガリウム砒素膜などから成り、２μｍ程
度の厚みを有する。
なる化合物半導体層を形成するためのバッファ層として
機能し、例えばガリウム砒素膜などから成り、２μｍ程
度の厚みを有する。
【００１９】第１のオーミックコンタクト層３は、半導
体不純物を高濃度に含有するガリウム砒素膜などから成
り、０．１〜２．０μｍ程度の厚みを有する。
体不純物を高濃度に含有するガリウム砒素膜などから成
り、０．１〜２．０μｍ程度の厚みを有する。
【００２０】第１のクラッド層４は、ｎ型半導体不純物
を含有するアルミニウムガリウム砒素（ｎ−Ａ１x Ｇａ
1-x Ａｓ）層から成り、アルミニウム組成ｘは０．３程
度に設定される。発光層５は例えばｐ型半導体不純物を
含有するアルミニウムガリウム砒素（ｐ−Ａ１y Ｇａ
1-y Ａｓ）層から成る。第２のクラッド層６は例えばｐ
型半導体不純物を含有するアルミニウムガリウム砒素
（ｐ−Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ）層から成り、アルミニウム
組成ｚは例えば０．３程度に設定される。第１のクラッ
ド層４および発光層５はそれぞれ０．４μｍ程度の厚み
に、第２のクラッド層６は０．８μｍ程度の厚みに形成
される。
を含有するアルミニウムガリウム砒素（ｎ−Ａ１x Ｇａ
1-x Ａｓ）層から成り、アルミニウム組成ｘは０．３程
度に設定される。発光層５は例えばｐ型半導体不純物を
含有するアルミニウムガリウム砒素（ｐ−Ａ１y Ｇａ
1-y Ａｓ）層から成る。第２のクラッド層６は例えばｐ
型半導体不純物を含有するアルミニウムガリウム砒素
（ｐ−Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓ）層から成り、アルミニウム
組成ｚは例えば０．３程度に設定される。第１のクラッ
ド層４および発光層５はそれぞれ０．４μｍ程度の厚み
に、第２のクラッド層６は０．８μｍ程度の厚みに形成
される。
【００２１】発光層５のアルミニウム組成ｙは、必要な
発光波長となるように適宜選択して決定される。すなわ
ち、この発光層５のアルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）の混晶比（アルミニウム組成
ｙ）を０〜０．４の範囲で変化させることにより６５０
〜８８０ｎｍの光を発光する発光ダイオードとすること
ができる。第１のクラッド層４および第２のクラッド層
６のアルミニウム組成ｘ、ｚは、発光効率を高めるため
に、いわゆるダブルヘテロ構造となるように発光層５の
アルミニウム組成ｙよりも大きくする。こうすること
で、発光層５からの正孔の拡散を禁制帯幅の広い第１の
クラッド層４が阻止し、発光層５における電子と正孔の
再結合効率を向上させ、発光効率が向上する。また、発
光層５よりも禁制帯幅の広い透明な第２のクラッド層６
が上層側に存在するため、発光層５で発光した光を効率
よく外部へ取り出すことができる。オーミックコンタク
ト層７は、ｐ型半導体不純物を多量に含有するガリウム
砒素（ｐ+ −ＧａＡｓ）層などで構成され、１６０Å程
度の厚みを有する。
発光波長となるように適宜選択して決定される。すなわ
ち、この発光層５のアルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）の混晶比（アルミニウム組成
ｙ）を０〜０．４の範囲で変化させることにより６５０
〜８８０ｎｍの光を発光する発光ダイオードとすること
ができる。第１のクラッド層４および第２のクラッド層
６のアルミニウム組成ｘ、ｚは、発光効率を高めるため
に、いわゆるダブルヘテロ構造となるように発光層５の
アルミニウム組成ｙよりも大きくする。こうすること
で、発光層５からの正孔の拡散を禁制帯幅の広い第１の
クラッド層４が阻止し、発光層５における電子と正孔の
再結合効率を向上させ、発光効率が向上する。また、発
光層５よりも禁制帯幅の広い透明な第２のクラッド層６
が上層側に存在するため、発光層５で発光した光を効率
よく外部へ取り出すことができる。オーミックコンタク
ト層７は、ｐ型半導体不純物を多量に含有するガリウム
砒素（ｐ+ −ＧａＡｓ）層などで構成され、１６０Å程
度の厚みを有する。
【００２２】バッファ層２はＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法な
どで形成される。すなわち、シリコン基板１表面の自然
酸化膜を８００〜１０００℃の高温で除去し、次に４５
０℃以下の低温で核となるアモルファスガリウム砒素膜
を１００〜５００Åの厚みに成長させた後に５００〜７
００℃まで昇温して、ガリウム砒素単結晶膜を形成する
（二段階成長法）。このガリウム砒素膜中で成長を中断
し、７５０〜１０００℃の高温アニールと６００℃以下
への冷却を繰り返す（熱サイクル法）ことにより、転位
などの結晶欠陥を低減させる。次いで、残りのバッファ
層２を所定厚みになるまで連続して形成する。
どで形成される。すなわち、シリコン基板１表面の自然
酸化膜を８００〜１０００℃の高温で除去し、次に４５
０℃以下の低温で核となるアモルファスガリウム砒素膜
を１００〜５００Åの厚みに成長させた後に５００〜７
００℃まで昇温して、ガリウム砒素単結晶膜を形成する
（二段階成長法）。このガリウム砒素膜中で成長を中断
し、７５０〜１０００℃の高温アニールと６００℃以下
への冷却を繰り返す（熱サイクル法）ことにより、転位
などの結晶欠陥を低減させる。次いで、残りのバッファ
層２を所定厚みになるまで連続して形成する。
【００２３】このバッファ層２上に形成される各化合物
半導体層３〜７もＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法で形成され
る。各化合物半導体層３〜７をＭＯＣＶＤ法で形成する
場合は、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａ１）、イ
ンジウム（Ｉｎ）の原料としては、トリメチルガリウム
（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、トリメチルアルミニウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ａ１）、トリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3
Ｉｎ）などが用いられ、Ａｓの原料としてはアルシン
（ＡｓＨｓ3 ）など用いられる。導電型を制御するｎ型
半導体不純物としてはシラン（ＳｉＨ4 ）などがあり、
ｐ型半導体不純物としてはジメチルジンク（（ＣＨ3 ）
2 Ｚｎ）などがある。
半導体層３〜７もＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法で形成され
る。各化合物半導体層３〜７をＭＯＣＶＤ法で形成する
場合は、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａ１）、イ
ンジウム（Ｉｎ）の原料としては、トリメチルガリウム
（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、トリメチルアルミニウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ａ１）、トリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3
Ｉｎ）などが用いられ、Ａｓの原料としてはアルシン
（ＡｓＨｓ3 ）など用いられる。導電型を制御するｎ型
半導体不純物としてはシラン（ＳｉＨ4 ）などがあり、
ｐ型半導体不純物としてはジメチルジンク（（ＣＨ3 ）
2 Ｚｎ）などがある。
【００２４】図１のような島状構造は、図５（ａ）に示
すように、シリコン基板１の全面もしくは一部にバッフ
ァ層２、第１のオーミックコンタクト層３、発光層５を
含む多層膜４〜６、第２のオーミックコンタクト層７を
順次積層して形成した後に、エッチングなどによって島
状に形成され、次に、図５（ｂ）に示すように、島状部
上にレジストマスク１２を塗布して、第１のオーミック
コンタクト層３の一部が露出するようにそれより上部の
半導体層４〜７の一部をエッチングすることによって、
図５（ｃ）に示すように、側壁部が階段状になるように
形成される。
すように、シリコン基板１の全面もしくは一部にバッフ
ァ層２、第１のオーミックコンタクト層３、発光層５を
含む多層膜４〜６、第２のオーミックコンタクト層７を
順次積層して形成した後に、エッチングなどによって島
状に形成され、次に、図５（ｂ）に示すように、島状部
上にレジストマスク１２を塗布して、第１のオーミック
コンタクト層３の一部が露出するようにそれより上部の
半導体層４〜７の一部をエッチングすることによって、
図５（ｃ）に示すように、側壁部が階段状になるように
形成される。
【００２５】一導電型半導体層である第１のオーミック
コンタクト層３の一部が露出するように第１のクラッド
層及び逆導電型半導体層４〜７の一部をエッチングする
際には、図３に示すように、電極接続部の第１のクラッ
ド層及び逆導電型半導体層４〜７の両側もエッチングす
る。このように電極接続部の第１のクラッド層及び逆導
電型半導体層４〜７の両側もエッチングすると、図３に
示すように、島状半導体層の側壁部Ｙは、バッファ層２
と第１のオーミックコンタクト層の側壁Ｙ1 と第１のク
ラッド層及び逆導電型半導体層４〜７の側壁Ｙ2 で形成
される階段状になり、島状半導体層の側壁部の窪みは小
さくなる。したがって、島状半導体層の側壁部に電極が
被着しないことやレジスト材料が残ることが回避され
る。
コンタクト層３の一部が露出するように第１のクラッド
層及び逆導電型半導体層４〜７の一部をエッチングする
際には、図３に示すように、電極接続部の第１のクラッ
ド層及び逆導電型半導体層４〜７の両側もエッチングす
る。このように電極接続部の第１のクラッド層及び逆導
電型半導体層４〜７の両側もエッチングすると、図３に
示すように、島状半導体層の側壁部Ｙは、バッファ層２
と第１のオーミックコンタクト層の側壁Ｙ1 と第１のク
ラッド層及び逆導電型半導体層４〜７の側壁Ｙ2 で形成
される階段状になり、島状半導体層の側壁部の窪みは小
さくなる。したがって、島状半導体層の側壁部に電極が
被着しないことやレジスト材料が残ることが回避され
る。
【００２６】第１のオーミックコンタクト層が第１のク
ラッド層及び逆導電型半導体層４〜７よりも幅広になる
ようにエッチングするには、図４に示すようなレジスト
マスクス１２を使用してエッチングすればよい。図４
中、ａは第１のオーミックコンタクト層３にカソード電
極１０を接続するために、第１のオーミックコンタクト
層３を露出させる領域であり、ｂは発光部になる領域で
あり、ｃは第１のクラッド層及び逆導電型半導体層４〜
７にアノード電極９が接続して形成される領域である。
したがって、第１のオーミックコンタクト層３を露出さ
せるためのレジストマスク１２のマスクパターンで島状
半導体層を階段状に形成できる。
ラッド層及び逆導電型半導体層４〜７よりも幅広になる
ようにエッチングするには、図４に示すようなレジスト
マスクス１２を使用してエッチングすればよい。図４
中、ａは第１のオーミックコンタクト層３にカソード電
極１０を接続するために、第１のオーミックコンタクト
層３を露出させる領域であり、ｂは発光部になる領域で
あり、ｃは第１のクラッド層及び逆導電型半導体層４〜
７にアノード電極９が接続して形成される領域である。
したがって、第１のオーミックコンタクト層３を露出さ
せるためのレジストマスク１２のマスクパターンで島状
半導体層を階段状に形成できる。
【００２７】このアノード電極９を形成する部分の第１
のクラッド層及び逆導電型半導体層４〜７は少なくとも
第１のオーミックコンタクト層３よりも幅狭となるよう
に形成すればよいが、エッチングマスク１１の精度か
ら、第１のオーミックコンタクト層３よりも１〜５μｍ
程度幅狭となるように形成すればよい。
のクラッド層及び逆導電型半導体層４〜７は少なくとも
第１のオーミックコンタクト層３よりも幅狭となるよう
に形成すればよいが、エッチングマスク１１の精度か
ら、第１のオーミックコンタクト層３よりも１〜５μｍ
程度幅狭となるように形成すればよい。
【００２８】図１に示すように、化合物半導体層２〜７
の表面部分には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮx ）膜な
どからなる保護膜８が形成されており、この保護膜８の
表面部分には、例えばＡｕ−Ｃｒから成るアノード電極
９が形成され、保護膜８に形成されたスルーホールを介
して第２のオーミックコンタクト層７に接続されてい
る。また、第１のオーミックコンタクト層３にはカソー
ド電極１０として例えばＡｕ−Ｃｒなどの層が形成され
る。
の表面部分には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮx ）膜な
どからなる保護膜８が形成されており、この保護膜８の
表面部分には、例えばＡｕ−Ｃｒから成るアノード電極
９が形成され、保護膜８に形成されたスルーホールを介
して第２のオーミックコンタクト層７に接続されてい
る。また、第１のオーミックコンタクト層３にはカソー
ド電極１０として例えばＡｕ−Ｃｒなどの層が形成され
る。
【００２９】このように構成された半導体発光素子は、
アノード電極９からカソード電極１０へ順方向に電流を
流すと、第１のクラッド層４から発光層５へ電子が注入
され、これら少数キャリアと発光層５中の多数キャリア
である正孔が発光再結合することにより発光する。
アノード電極９からカソード電極１０へ順方向に電流を
流すと、第１のクラッド層４から発光層５へ電子が注入
され、これら少数キャリアと発光層５中の多数キャリア
である正孔が発光再結合することにより発光する。
【００３０】図６（ａ）（ｂ）は、請求項３に係る半導
体発光素子の一実施形態を示す図である。図６（ｂ）は
発光部を平面視した図であり、図６（ａ）は図６（ｂ）
中のＡ−Ａ線断面図である。図６（ａ）（ｂ）におい
て、１は基板、２はバッファ層、３は第１のオーミック
コンタクト層、４は第１のクラッド層、５は発光層、６
は第２のクラッド層、７は第２のオーミックコンタクト
層、８は保護膜、９は第２の電極である。第１のオーミ
ックコンタクト層３と第１のクラッド層４が一導電型半
導体層であり、発光層５、第２のクラッド層６、第２の
オーミックコンタクト層７が逆導電型半導体層である。
体発光素子の一実施形態を示す図である。図６（ｂ）は
発光部を平面視した図であり、図６（ａ）は図６（ｂ）
中のＡ−Ａ線断面図である。図６（ａ）（ｂ）におい
て、１は基板、２はバッファ層、３は第１のオーミック
コンタクト層、４は第１のクラッド層、５は発光層、６
は第２のクラッド層、７は第２のオーミックコンタクト
層、８は保護膜、９は第２の電極である。第１のオーミ
ックコンタクト層３と第１のクラッド層４が一導電型半
導体層であり、発光層５、第２のクラッド層６、第２の
オーミックコンタクト層７が逆導電型半導体層である。
【００３１】第１のオーミックコンタクト層３は、その
一部が他の半導体層４〜７から露出するように形成され
ている。この第１のオーミックコンタクト層３の露出部
分には、コンタクトホールＣ1 を介して第１の電極１０
が接続されている。この第１のオーミックコンタクト層
３の露出部分と対向する第１のクラッド層４、発光層
５、及び第２のクラッド層６は、徐々に幅狭となるよう
に、先細り状に形成されている。この先細り部分にコン
タクトホールＣ2 が形成されている。
一部が他の半導体層４〜７から露出するように形成され
ている。この第１のオーミックコンタクト層３の露出部
分には、コンタクトホールＣ1 を介して第１の電極１０
が接続されている。この第１のオーミックコンタクト層
３の露出部分と対向する第１のクラッド層４、発光層
５、及び第２のクラッド層６は、徐々に幅狭となるよう
に、先細り状に形成されている。この先細り部分にコン
タクトホールＣ2 が形成されている。
【００３２】第１のクラッド層４、発光層５、及び第２
のクラッド層６の先端部Ｓの幅Ｗ2は、第２の電極９の
断線を防止するために、１０μｍ以上あることが望まし
いが、第２の電極９の本来の幅Ｗ1 が例えば２２μｍ
で、幅狭になる長さＬが例えば１８μｍであるとする
と、幅狭になる角度θは、ｔａｎθ＝（（２２−１０）
／２）／１８で、θ＝１８．４３となり、角度θ＜１９
°であることが望ましい。また、第１のクラッド層４、
発光層５、及び第２のクラッド層６の先端部の幅Ｗ2 を
５μｍにできれば、角度θ＜２５°まで広げることがで
きる。
のクラッド層６の先端部Ｓの幅Ｗ2は、第２の電極９の
断線を防止するために、１０μｍ以上あることが望まし
いが、第２の電極９の本来の幅Ｗ1 が例えば２２μｍ
で、幅狭になる長さＬが例えば１８μｍであるとする
と、幅狭になる角度θは、ｔａｎθ＝（（２２−１０）
／２）／１８で、θ＝１８．４３となり、角度θ＜１９
°であることが望ましい。また、第１のクラッド層４、
発光層５、及び第２のクラッド層６の先端部の幅Ｗ2 を
５μｍにできれば、角度θ＜２５°まで広げることがで
きる。
【００３３】この先細り部分の半導体層上から、側壁部
分にかけて第２の電極９が被着形成され、コンタクトホ
ールＣ2 を介して、第２のオーミックコンタクト層７を
介して第２のクラッド層６に第２の電極９が接続されて
いる。なお、第２のオーミックコンタクト層７は、コン
タクトホールＣ2 の形状にそって形成してもよいし、第
２の電極９で被覆される部分から第２のクラッド層６と
同様に徐々に先細り状となるように形成してもよい。
分にかけて第２の電極９が被着形成され、コンタクトホ
ールＣ2 を介して、第２のオーミックコンタクト層７を
介して第２のクラッド層６に第２の電極９が接続されて
いる。なお、第２のオーミックコンタクト層７は、コン
タクトホールＣ2 の形状にそって形成してもよいし、第
２の電極９で被覆される部分から第２のクラッド層６と
同様に徐々に先細り状となるように形成してもよい。
【００３４】このように、第１のクラッド層４、発光層
５、及び第２のクラッド層６が徐々に幅狭となるように
形成すると、この第１のクラッド層４、発光層５、及び
第２のクラッド層６の壁面Ｙは、結晶の面方位の関係か
ら側壁部Ｙの切り立ち角度が緩やかになり、この第１の
クラッド層４、発光層５、及び第２のクラッド層６の壁
面部Ｙを第２の電極９でより確実に被覆できるようにな
る。もって、この部分からの発光漏れを極力低減でき
る。
５、及び第２のクラッド層６が徐々に幅狭となるように
形成すると、この第１のクラッド層４、発光層５、及び
第２のクラッド層６の壁面Ｙは、結晶の面方位の関係か
ら側壁部Ｙの切り立ち角度が緩やかになり、この第１の
クラッド層４、発光層５、及び第２のクラッド層６の壁
面部Ｙを第２の電極９でより確実に被覆できるようにな
る。もって、この部分からの発光漏れを極力低減でき
る。
【００３５】なお、上記実施形態では、第１のクラッド
層４、発光層５、及び第２のクラッド層６を先細り状に
形成していることから、第１のオーミックコンタクト層
３の一部を露出させる際に同時に、先細り状にパターニ
ングできて有利であるが、この実施形態に限らず、最低
限、発光層５と第２のクラッド層６だけが先細り状であ
ればよく、全ての半導体層２〜７を先細り状としたり、
第１のオーミックコンタクト層３よりも上の層を先細り
状とすればよい。
層４、発光層５、及び第２のクラッド層６を先細り状に
形成していることから、第１のオーミックコンタクト層
３の一部を露出させる際に同時に、先細り状にパターニ
ングできて有利であるが、この実施形態に限らず、最低
限、発光層５と第２のクラッド層６だけが先細り状であ
ればよく、全ての半導体層２〜７を先細り状としたり、
第１のオーミックコンタクト層３よりも上の層を先細り
状とすればよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る半導体発
光素子によれば、第１のオーミックコンタクト層を第１
のクラッド層、発光層、第２のクラッド層、及び第２の
オーミックコンタクト層よりも幅広となるように形成す
ると、この島状半導体層の側壁部が階段状になり、この
側壁部のくぼみ量が小さくなる。したがって、この側壁
部に電極材料が被着しなかったり、リフトオフ法におけ
るレジストが残ることが極力低減でき、発光強度のばら
つきが防止できる。
光素子によれば、第１のオーミックコンタクト層を第１
のクラッド層、発光層、第２のクラッド層、及び第２の
オーミックコンタクト層よりも幅広となるように形成す
ると、この島状半導体層の側壁部が階段状になり、この
側壁部のくぼみ量が小さくなる。したがって、この側壁
部に電極材料が被着しなかったり、リフトオフ法におけ
るレジストが残ることが極力低減でき、発光強度のばら
つきが防止できる。
【００３７】また、請求項２に係る半導体発光素子の製
造方法によれば、第１のクラッド層、発光層、第２のク
ラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層の一部を
エッチング除去する際に、第１のオーミックコンタクト
層の露出部と対向する部分が第１のクラッド層、発光
層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタク
ト層よりも幅広となるように、第１のオーミックコンタ
クト層の露出部と対向する部分上の第１のクラッド層、
発光層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコン
タクト層をエッチング除去すると、工程を煩雑化させる
ことなく、島状半導体層の側壁部に電極材料が被着しな
かったり、この側壁部にリフトオフ法におけるレジスト
材料が残ることを低減できる。
造方法によれば、第１のクラッド層、発光層、第２のク
ラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層の一部を
エッチング除去する際に、第１のオーミックコンタクト
層の露出部と対向する部分が第１のクラッド層、発光
層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタク
ト層よりも幅広となるように、第１のオーミックコンタ
クト層の露出部と対向する部分上の第１のクラッド層、
発光層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコン
タクト層をエッチング除去すると、工程を煩雑化させる
ことなく、島状半導体層の側壁部に電極材料が被着しな
かったり、この側壁部にリフトオフ法におけるレジスト
材料が残ることを低減できる。
【００３８】さらに、請求項３に係る半導体発光素子に
よれば、第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向
する部分の発光層と第２のクラッド層が徐々に幅狭とな
るように形成したことから、幅狭部分の側壁部の切り立
ちが緩やかになり、この側壁部をより完全に被覆するこ
とができ、もってこの幅狭部分から光漏れが発生すると
ことが極力低減でき、ドット露光時の指向性がよくなっ
て印画品質が向上する。
よれば、第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向
する部分の発光層と第２のクラッド層が徐々に幅狭とな
るように形成したことから、幅狭部分の側壁部の切り立
ちが緩やかになり、この側壁部をより完全に被覆するこ
とができ、もってこの幅狭部分から光漏れが発生すると
ことが極力低減でき、ドット露光時の指向性がよくなっ
て印画品質が向上する。
【図１】請求項１に係る半導体発光素子の一実施形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】請求項１に係る半導体発光素子の一実施形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】請求項１に係る半導体発光素子の一製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図４】請求項１に係る半導体発光素子の一製造工程の
マスクパターンを示す図である。
マスクパターンを示す図である。
【図５】請求項２に係る半導体発光素子の製造方法を示
す図である。
す図である。
【図６】請求項３に係る半導体発光素子の一実施形態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図７】従来の半導体発光素子を示す断面図である。
【図８】従来の半導体発光素子を示す平面図である。
【図９】従来の半導体発光素子における電極部分を拡大
して示す平面図である。
して示す平面図である。
【図１０】従来の半導体発光素子における島状発光部の
側壁部を示す断面図である。
側壁部を示す断面図である。
ｌ・・・基板、２・・・バッファ層、３・・・第１のオ
ーミックコンタクト層、４・・・第１のクラッド層、５
・・・発光層、６・・・第２のクラッド層、７・・・第
２のオーミックコンタクト層、８・・・保護膜、９・・
・第２の電極（アノード電極）、１０・・・第１の電極
（カソード電極）
ーミックコンタクト層、４・・・第１のクラッド層、５
・・・発光層、６・・・第２のクラッド層、７・・・第
２のオーミックコンタクト層、８・・・保護膜、９・・
・第２の電極（アノード電極）、１０・・・第１の電極
（カソード電極）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−274374（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−140666（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−95134（ＪＰ，Ａ)
実開 昭60−169855（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、バッファ層と第１のオーミッ
クコンタクト層を島状に形成し、この第１のオーミック
コンタクト層上に、この第１のオーミックコンタクト層
の一部が露出するように、第１のクラッド層、発光層、
第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層
を順次積層して形成し、前記第１のオーミックコンタク
ト層の露出部から前記基板上にかけて第１の電極を形成
し、前記第２のオーミックコンタクト層から前記基板上
にかけて第２の電極を形成した半導体発光素子におい
て、前記第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向
する部分が前記第１のクラッド層、発光層、第２のクラ
ッド層、及び第２のオーミックコンタクト層よりも幅広
となるように形成し、この幅広部分の側壁部が被覆され
るように前記第２の電極を形成したことを特徴とする半
導体発光素子。 - 【請求項２】 基板上に、バッファ層、第１のオーミッ
クコンタクト層、第１のクラッド層、発光層、第２のク
ラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層を順次積
層して形成し、前記第１のオーミックコンタクト層の一
部が露出するように、前記第１のクラッド層、発光層、
第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層
をエッチングして、前記第１のオーミックコンタクト層
の露出部に第１の電極を接続して形成すると共に、前記
第２のオーミックコンタクト層に第２の電極を接続して
形成する半導体発光素子の形成方法において、前記第１
のクラッド層、発光層、第２のクラッド層、及び第２の
オーミックコンタクト層の一部をエッチング除去する際
に、前記第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向
する部分が前記第１のクラッド層、発光層、第２のクラ
ッド層、及び第２のオーミックコンタクト層よりも幅広
となるように、前記第１のオーミックコンタクト層の露
出部と対向する部分上の前記第１のクラッド層、発光
層、第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタク
ト層をエッチング除去することを特徴とする半導体発光
素子。 - 【請求項３】 基板上に、バッファ層と第１のオーミッ
クコンタクト層を島状に形成し、この第１のオーミック
コンタクト層上に、この第１のオーミックコンタクト層
の一部が露出するように、第１のクラッド層、発光層、
第２のクラッド層、及び第２のオーミックコンタクト層
を順次積層して形成し、前記第１のオーミックコンタク
ト層の露出部から前記基板上にかけて第１の電極を形成
し、前記第２のオーミックコンタクト層から前記基板上
にかけて第２の電極を形成した半導体発光素子におい
て、前記第１のオーミックコンタクト層の露出部と対向
する部分の前記発光層と第２のクラッド層を徐々に幅狭
となるように形成し、この幅狭部分の側壁部を前記第２
の電極で被覆したことを特徴とする半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23314697A JP3439955B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-08-28 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10796397 | 1997-04-24 | ||
| JP9-107963 | 1997-04-24 | ||
| JP23314697A JP3439955B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-08-28 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118412A JPH118412A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3439955B2 true JP3439955B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=26447933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23314697A Expired - Fee Related JP3439955B2 (ja) | 1997-04-24 | 1997-08-28 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3439955B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3413759B2 (ja) | 1998-07-17 | 2003-06-09 | 株式会社ケンウッド | Ｂｓディジタル放送受信機 |
| JP5427585B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2014-02-26 | 昭和電工株式会社 | フリップチップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-28 JP JP23314697A patent/JP3439955B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH118412A (ja) | 1999-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5701321A (en) | Semiconductor laser producing short wavelength light | |
| US6239033B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US7485902B2 (en) | Nitride-based semiconductor light-emitting device | |
| US6855959B2 (en) | Nitride based semiconductor photo-luminescent device | |
| US5093696A (en) | Semiconductor heterojunction device made by an epitaxial growth technique | |
| JP2800666B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 | |
| JPH07176788A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3439955B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2911751B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH0327577A (ja) | 発光ダイオ―ドアレイ | |
| US5432810A (en) | Semiconductor layer having first and second cladding layers and an active layer formed of a II-VI group compound and a current confinement layer comprising a metal oxide | |
| US20060208265A1 (en) | Light emitting diode and light emitting diode array | |
| US5006907A (en) | Crosstalk preventing laser diode array | |
| JP3638413B2 (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
| JP4126448B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP3236649B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4295380B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置 | |
| JPH11135837A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2001244500A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3740269B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP4417635B2 (ja) | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 | |
| JP3426834B2 (ja) | 発光ダイオードアレイの製造方法 | |
| JP4184521B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR100289730B1 (ko) | 반도체레이저소자의제조방법 | |
| JP3667208B2 (ja) | 光プリンタ用ｌｅｄアレイ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100613 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130613 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |