JP2001244500A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JP2001244500A JP2001244500A JP2000050979A JP2000050979A JP2001244500A JP 2001244500 A JP2001244500 A JP 2001244500A JP 2000050979 A JP2000050979 A JP 2000050979A JP 2000050979 A JP2000050979 A JP 2000050979A JP 2001244500 A JP2001244500 A JP 2001244500A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 島状半導体層の断面がシリコン基板に近い下
端部でも広がらないような形状にして、島状半導体層と
隣接する島状半導体との間を通る電極配線パターンの縁
部の形状を良好にし、もってこの電極配線パターンで反
射する光の光量がばらつかないようにした半導体発光装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】 単結晶基板上に島状の一導電型半導体層
と逆導電型半導体層をこの一導電型半導体層の一部が露
出するように積層して設け、この一導電型半導体層と逆
導電型半導体層に電極を接続して設け、隣接する一導電
型半導体層または逆導電型半導体層が同じ電極に接続さ
れるように、この一導電型半導体層または逆導電型半導
体層間に電極を接続する配線を設けた半導体発光装置で
あって、上記島状半導体層が並ぶ方向の断面における上
記一導電型半導体層の下端部が逆導電型半導体層の上端
部より幅狭であることを特徴とする。
端部でも広がらないような形状にして、島状半導体層と
隣接する島状半導体との間を通る電極配線パターンの縁
部の形状を良好にし、もってこの電極配線パターンで反
射する光の光量がばらつかないようにした半導体発光装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】 単結晶基板上に島状の一導電型半導体層
と逆導電型半導体層をこの一導電型半導体層の一部が露
出するように積層して設け、この一導電型半導体層と逆
導電型半導体層に電極を接続して設け、隣接する一導電
型半導体層または逆導電型半導体層が同じ電極に接続さ
れるように、この一導電型半導体層または逆導電型半導
体層間に電極を接続する配線を設けた半導体発光装置で
あって、上記島状半導体層が並ぶ方向の断面における上
記一導電型半導体層の下端部が逆導電型半導体層の上端
部より幅狭であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置に関
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられる半導体発光装置に関する。
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられる半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体発光装置を図４から図７に
示す。図４は断面図、図５は平面図、図６は図５のＡ−
Ａ'線断面図、図７は島状半導体層部分を拡大して示す
平面図である。図４において、２１は高抵抗シリコン基
板、２２は一導電型半導体層、２３は逆導電型半導体
層、２４は個別電極、２５は共通電極である。
示す。図４は断面図、図５は平面図、図６は図５のＡ−
Ａ'線断面図、図７は島状半導体層部分を拡大して示す
平面図である。図４において、２１は高抵抗シリコン基
板、２２は一導電型半導体層、２３は逆導電型半導体
層、２４は個別電極、２５は共通電極である。
【０００３】高抵抗シリコン基板２１上に、一導電型半
導体層２２と逆導電型半導体層２３を一導電型半導体層
２２よりも逆導電型半導体層２３が小面積となるように
設けると共に、この一導電型半導体層２２の露出部に共
通電極２５を接続して設け、逆導電型半導体層２３に個
別電極２４を接続して設けている。なお、図４におい
て、２６は窒化シリコン膜などから成る保護膜である。
また、共通電極２５は、図５に示すように、隣接する島
状の一導電型半導体層２２ごとに異なる群に属するよう
に二群に分けて接続して設けられ、隣接する島状の逆導
電型半導体層２３は同じ個別電極２４に接続されてい
る。
導体層２２と逆導電型半導体層２３を一導電型半導体層
２２よりも逆導電型半導体層２３が小面積となるように
設けると共に、この一導電型半導体層２２の露出部に共
通電極２５を接続して設け、逆導電型半導体層２３に個
別電極２４を接続して設けている。なお、図４におい
て、２６は窒化シリコン膜などから成る保護膜である。
また、共通電極２５は、図５に示すように、隣接する島
状の一導電型半導体層２２ごとに異なる群に属するよう
に二群に分けて接続して設けられ、隣接する島状の逆導
電型半導体層２３は同じ個別電極２４に接続されてい
る。
【０００４】このような発光ダイオードアレイでは、個
別電極２４と共通電極２５の組み合わせを選択して電流
を流すことによって、各発光ダイオードを選択的に発光
させることができる。
別電極２４と共通電極２５の組み合わせを選択して電流
を流すことによって、各発光ダイオードを選択的に発光
させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この従来の
半導体発光装置では、島状半導体層２２、２３を島状に
パターンニングする際に、エッチング液の組成によっ
て、島状半導体層２２、２３が並ぶ方向の断面が、図６
に示すように、高抵抗シリコン基板２１に近い下端部が
広がる形状になっており、逆導電型半導体層２３の上端
部よりも一導電型半導体層２２の下端部が幅広な形状と
なっていた。
半導体発光装置では、島状半導体層２２、２３を島状に
パターンニングする際に、エッチング液の組成によっ
て、島状半導体層２２、２３が並ぶ方向の断面が、図６
に示すように、高抵抗シリコン基板２１に近い下端部が
広がる形状になっており、逆導電型半導体層２３の上端
部よりも一導電型半導体層２２の下端部が幅広な形状と
なっていた。
【０００６】そのため、島状半導体２２、２３と隣接す
る島状半導体２２、２３との間を通る電極配線パターン
２４は、パターニングの露光工程において、照射光の不
安定な反射により、図７に示すように、配線パターン２
４の縁部の形状が凹凸にみだれていた。つまり、フォト
リソ工程の露光時にＵＶ光を照射するが、フォトマスク
パターンが真っ直ぐでも、基板側に段差や荒れがあると
ＵＶ光が反射し、形成される配線パターンの縁部に凹凸
ができやすくなる。このような配線パターン２４の縁部
のみだれによって、島状半導体層２２、２３と隣接する
島状半導体２２、２３との間を通る配線パターン２４で
反射する光の光量がばらつき、光プリントヘッドとして
用いた場合に鮮明な画像が得られないという問題があっ
た。
る島状半導体２２、２３との間を通る電極配線パターン
２４は、パターニングの露光工程において、照射光の不
安定な反射により、図７に示すように、配線パターン２
４の縁部の形状が凹凸にみだれていた。つまり、フォト
リソ工程の露光時にＵＶ光を照射するが、フォトマスク
パターンが真っ直ぐでも、基板側に段差や荒れがあると
ＵＶ光が反射し、形成される配線パターンの縁部に凹凸
ができやすくなる。このような配線パターン２４の縁部
のみだれによって、島状半導体層２２、２３と隣接する
島状半導体２２、２３との間を通る配線パターン２４で
反射する光の光量がばらつき、光プリントヘッドとして
用いた場合に鮮明な画像が得られないという問題があっ
た。
【０００７】本発明はこのような従来装置の問題点に鑑
みてなされたものであり、島状半導体層の断面がシリコ
ン基板に近い下端部でも広がらないような形状にして、
島状半導体層と隣接する島状半導体層との間を通る電極
配線パターンの縁部の形状を良好にし、もってこの電極
配線パターンで反射する光の光量がばらつかないように
した半導体発光装置を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、島状半導体層の断面がシリコ
ン基板に近い下端部でも広がらないような形状にして、
島状半導体層と隣接する島状半導体層との間を通る電極
配線パターンの縁部の形状を良好にし、もってこの電極
配線パターンで反射する光の光量がばらつかないように
した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体発光装置では、単結晶基板上に
島状の一導電型半導体層と逆導電型半導体層をこの一導
電型半導体層の一部が露出するように積層して設け、こ
の島状の一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極を
接続して設け、隣接する一導電型半導体層または逆導電
型半導体層が同じ電極に接続されるように、この一導電
型半導体層または逆導電型半導体層間に電極を接続する
配線を設けた半導体発光装置において、前記島状半導体
層が並ぶ方向の断面における前記一導電型半導体層の下
端部が前記逆導電型半導体層の上端部より幅狭であるこ
とを特徴とする。
に、本発明に係る半導体発光装置では、単結晶基板上に
島状の一導電型半導体層と逆導電型半導体層をこの一導
電型半導体層の一部が露出するように積層して設け、こ
の島状の一導電型半導体層と逆導電型半導体層に電極を
接続して設け、隣接する一導電型半導体層または逆導電
型半導体層が同じ電極に接続されるように、この一導電
型半導体層または逆導電型半導体層間に電極を接続する
配線を設けた半導体発光装置において、前記島状半導体
層が並ぶ方向の断面における前記一導電型半導体層の下
端部が前記逆導電型半導体層の上端部より幅狭であるこ
とを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１から図３は本発明に係る半導体発
光装置の一実施形態を示す図であり、図１は島状半導体
層が並ぶ方向と交差する方向における島状半導体層の断
面を示し、図２は島状半導体層が並ぶ方向における島状
半導体層の断面を示し、図３は島状半導体層を平面視し
た状態を示す。図１ないし図３において、１は高抵抗シ
リコン基板、２は一導電型半導体層、３は逆導電型半導
体層、４は個別電極、５は共通電極である。
詳細に説明する。図１から図３は本発明に係る半導体発
光装置の一実施形態を示す図であり、図１は島状半導体
層が並ぶ方向と交差する方向における島状半導体層の断
面を示し、図２は島状半導体層が並ぶ方向における島状
半導体層の断面を示し、図３は島状半導体層を平面視し
た状態を示す。図１ないし図３において、１は高抵抗シ
リコン基板、２は一導電型半導体層、３は逆導電型半導
体層、４は個別電極、５は共通電極である。
【００１０】本発明に係る半導体発光装置では、{１０
０}面を［０１１］方向に２〜７°オフさせた高抵抗単
結晶シリコン基板やサファイア（Ａｌ2Ｏ3）のＣ面基板
などが好適に用いられる。
０}面を［０１１］方向に２〜７°オフさせた高抵抗単
結晶シリコン基板やサファイア（Ａｌ2Ｏ3）のＣ面基板
などが好適に用いられる。
【００１１】一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、
オーミックコンタクト層２ｂ、および電子の注入層２ｃ
で構成される。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚み
に形成され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜
１．０μｍ程度の厚みに形成され、電子の注入層２ｃは
０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ
層２ａとオーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素な
どで形成され、電子の注入層２ｃはアルミニウムガリウ
ム砒素などで形成される。オーミックコンタクト層２ｂ
はシリコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜
１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、電子の注入層２
ｃもシリコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16
〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有する。バッファ層
２ａは高抵抗シリコン基板１と半導体層との格子定数の
不整合に基づくミスフィット転位を防止するために設け
るものであり、半導体不純物を含有させる必要はない。
オーミックコンタクト層２ｂ、および電子の注入層２ｃ
で構成される。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚み
に形成され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜
１．０μｍ程度の厚みに形成され、電子の注入層２ｃは
０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ
層２ａとオーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素な
どで形成され、電子の注入層２ｃはアルミニウムガリウ
ム砒素などで形成される。オーミックコンタクト層２ｂ
はシリコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜
１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、電子の注入層２
ｃもシリコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16
〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有する。バッファ層
２ａは高抵抗シリコン基板１と半導体層との格子定数の
不整合に基づくミスフィット転位を防止するために設け
るものであり、半導体不純物を含有させる必要はない。
【００１２】逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、クラ
ッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト層３ｃ
で構成される。発光層３ａとクラッド層３ｂは０．２〜
４μｍ程度の厚みに形成され、第２のオーミックコンタ
クト層３ｃは０．０１μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成さ
れる。発光層３ａとクラッド層３ｂはアルミニウムガリ
ウム砒素などから成り、第２のオーミックコンタクト層
３ｃはガリウム砒素などから成る。
ッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト層３ｃ
で構成される。発光層３ａとクラッド層３ｂは０．２〜
４μｍ程度の厚みに形成され、第２のオーミックコンタ
クト層３ｃは０．０１μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成さ
れる。発光層３ａとクラッド層３ｂはアルミニウムガリ
ウム砒素などから成り、第２のオーミックコンタクト層
３ｃはガリウム砒素などから成る。
【００１３】発光層３ａとクラッド層３ｂは、電子の閉
じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミニウム
砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶
比を異ならしめる。発光層３ａおよびクラッド層３ｂは
亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０16
〜１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、第２のオーミ
ックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純
物を１×１０19〜１０ 21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有す
る。
じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミニウム
砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶
比を異ならしめる。発光層３ａおよびクラッド層３ｂは
亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０16
〜１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、第２のオーミ
ックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純
物を１×１０19〜１０ 21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有す
る。
【００１４】絶縁膜６は窒化シリコンなどから成り、厚
み３０００Å程度に形成される。個別電極４と共通電極
５は金／クロム（Ａｕ／Ｃｒ）などから成り、厚み１μ
ｍ程度に形成される。
み３０００Å程度に形成される。個別電極４と共通電極
５は金／クロム（Ａｕ／Ｃｒ）などから成り、厚み１μ
ｍ程度に形成される。
【００１５】本発明の半導体発光装置でも、図５の従来
例に示すように、一導電型半導体層２（２２）と逆導電
型半導体層３（２３）から成る島状半導体層２（２
２）、３（２３）を基板１（２１）上に一列状に並べ
て、隣接する島状半導体層２（２２）、３（２３）毎に
同じ個別電極４（２４）に接続し、同じ個別電極４（２
４）に接続された下の一導電型半導体層２（２２）が異
なる共通電極５（２５）に接続されるように複数群に分
けて接続される。個別電極４（２４）を選択して電流を
流すことによってページプリンタ用感光ドラムの露光用
光源として用いられる。
例に示すように、一導電型半導体層２（２２）と逆導電
型半導体層３（２３）から成る島状半導体層２（２
２）、３（２３）を基板１（２１）上に一列状に並べ
て、隣接する島状半導体層２（２２）、３（２３）毎に
同じ個別電極４（２４）に接続し、同じ個別電極４（２
４）に接続された下の一導電型半導体層２（２２）が異
なる共通電極５（２５）に接続されるように複数群に分
けて接続される。個別電極４（２４）を選択して電流を
流すことによってページプリンタ用感光ドラムの露光用
光源として用いられる。
【００１６】本発明に係る半導体発光装置の島状半導体
層が並ぶ方向における断面を図２に示す。一般的にガリ
ウム砒素のウエットエッチングでは、Ｈ2ＳＯ4（９８
％）／Ｈ2Ｏ2（３０％）／Ｈ2Ｏを適当な比で混合した
液が用いられ、異方性エッチングによって、｛１００｝
面のエッチングで[１１０]方向に順メサ形状、[１−１
０]方向に逆メサ形状を得ることが知られているが、ガ
リウム砒素の上にアルミニウムガリウム砒素が積層され
ていると、アルミニウムガリウム砒素のエッチングレー
トがガリウム砒素のそれより大きいため、アルミニウム
ガリウム砒素層での逆メサ形状が支配的となり、下層の
ガリウム砒素はそこだけ見れば必ずしも逆メサ形状には
ならない。よって、液組成によっては図６に示すような
形状になるが、エッチング液のＨ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2
Ｏの内、Ｈ2Ｏ2比により島状半導体層が並ぶ方向におけ
る島状半導体層の断面形状を変化させることができる。
層が並ぶ方向における断面を図２に示す。一般的にガリ
ウム砒素のウエットエッチングでは、Ｈ2ＳＯ4（９８
％）／Ｈ2Ｏ2（３０％）／Ｈ2Ｏを適当な比で混合した
液が用いられ、異方性エッチングによって、｛１００｝
面のエッチングで[１１０]方向に順メサ形状、[１−１
０]方向に逆メサ形状を得ることが知られているが、ガ
リウム砒素の上にアルミニウムガリウム砒素が積層され
ていると、アルミニウムガリウム砒素のエッチングレー
トがガリウム砒素のそれより大きいため、アルミニウム
ガリウム砒素層での逆メサ形状が支配的となり、下層の
ガリウム砒素はそこだけ見れば必ずしも逆メサ形状には
ならない。よって、液組成によっては図６に示すような
形状になるが、エッチング液のＨ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2
Ｏの内、Ｈ2Ｏ2比により島状半導体層が並ぶ方向におけ
る島状半導体層の断面形状を変化させることができる。
【００１７】例えば上層がアルミニウム（０．３）ガリ
ウム（０．７）砒素の場合、Ｈ2Ｏ2（３０重量％）５０
容量ｗ％（Ｈ2Ｏ2単独で１５容量％）程度で逆導電型半
導体層３の上端と一導電型半導体層２の下端が基板１に
対してほぼ垂直線上になる。このＨ2Ｏ2比を小さくする
と一導電型半導体層２の下端が逆導電型半導体層３の上
端より幅広になり、図６に示したように、基板１（１
１）付近で長く裾を引く形になるが、Ｈ2Ｏ2比を大きく
すると、図２に示すように、一導電型半導体層２の下端
部を逆導電型半導体層３の上端部より幅狭にして内側に
することができる。
ウム（０．７）砒素の場合、Ｈ2Ｏ2（３０重量％）５０
容量ｗ％（Ｈ2Ｏ2単独で１５容量％）程度で逆導電型半
導体層３の上端と一導電型半導体層２の下端が基板１に
対してほぼ垂直線上になる。このＨ2Ｏ2比を小さくする
と一導電型半導体層２の下端が逆導電型半導体層３の上
端より幅広になり、図６に示したように、基板１（１
１）付近で長く裾を引く形になるが、Ｈ2Ｏ2比を大きく
すると、図２に示すように、一導電型半導体層２の下端
部を逆導電型半導体層３の上端部より幅狭にして内側に
することができる。
【００１８】また、一導電型半導体層２の下端部を逆導
電型半導体層３の上端部より幅狭にする別の方法とし
て、同量のＨ2Ｏ2比の場合、Ｈ2ＳＯ4比を上げることで
も一導電型半導体層２の下端部の裾を抑えることができ
る。つまり、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝２０：２５：
４５の場合、一導電型半導体層２の下端部は逆導電型半
導体層３の上端部とほぼ同じ幅か若干幅広になるが、Ｈ
2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：２５：７４にすると、一
導電型半導体層２の下端部は逆導電型半導体層３の上端
部よりも幅狭になる。
電型半導体層３の上端部より幅狭にする別の方法とし
て、同量のＨ2Ｏ2比の場合、Ｈ2ＳＯ4比を上げることで
も一導電型半導体層２の下端部の裾を抑えることができ
る。つまり、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝２０：２５：
４５の場合、一導電型半導体層２の下端部は逆導電型半
導体層３の上端部とほぼ同じ幅か若干幅広になるが、Ｈ
2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：２５：７４にすると、一
導電型半導体層２の下端部は逆導電型半導体層３の上端
部よりも幅狭になる。
【００１９】こうして一導電型半導体層２の下端部が逆
導電型半導体層３の上端部より幅狭になって内側になれ
ば、その後の電極形成工程において、島状半導体層２、
３と隣接する島状半導体層２、３との間を通る配線パタ
ーン４に対し、露光時の光の乱反射等が抑えられ、良好
なパターンを形成することができる。このようにしてで
きあがった半導体発光装置では、島状半導体層２、３と
隣接する島状半導体層２、３との間を通る電極配線パタ
ーン４で反射する光の光量を均一化することができる。
導電型半導体層３の上端部より幅狭になって内側になれ
ば、その後の電極形成工程において、島状半導体層２、
３と隣接する島状半導体層２、３との間を通る配線パタ
ーン４に対し、露光時の光の乱反射等が抑えられ、良好
なパターンを形成することができる。このようにしてで
きあがった半導体発光装置では、島状半導体層２、３と
隣接する島状半導体層２、３との間を通る電極配線パタ
ーン４で反射する光の光量を均一化することができる。
【００２０】なお、用いるエッチング液はＨ2ＳＯ4／Ｈ
2Ｏ2／Ｈ2Ｏ系に限らず、酸においてはＨ2ＳＯ4の代わ
りにＨＣｌ（ａｑ）、ＨＦ（ａｑ）等でもよい。
2Ｏ2／Ｈ2Ｏ系に限らず、酸においてはＨ2ＳＯ4の代わ
りにＨＣｌ（ａｑ）、ＨＦ（ａｑ）等でもよい。
【００２１】また、上記実施形態では、個別電極４が島
状半導体層２、３間を通る例について述べたが、共通電
極５が島状半導体層２、３間を通る場合も同様な作用・
効果が得られる。
状半導体層２、３間を通る例について述べたが、共通電
極５が島状半導体層２、３間を通る場合も同様な作用・
効果が得られる。
【００２２】次に、上述のような半導体発光装置の製造
方法を説明する。まず、高抵抗シリコン単結晶基板１上
に、一導電型半導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣ
ＶＤ法などで順次積層して形成する。
方法を説明する。まず、高抵抗シリコン単結晶基板１上
に、一導電型半導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣ
ＶＤ法などで順次積層して形成する。
【００２３】この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（Ｃ
Ｈ3）3Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2Ｈ5） 3Ｇａ）、アルシン
（ＡｓＨ3）、ＴＭＡ（（ＣＨ3）3Ａｌ）、ＴＥＡ
（（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御す
るためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化
水素（Ｈ2Ｓｅ）、ＤＭＺ（（ＣＨ3）2Ｚｎ）などが用
いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられ
る。
Ｈ3）3Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2Ｈ5） 3Ｇａ）、アルシン
（ＡｓＨ3）、ＴＭＡ（（ＣＨ3）3Ａｌ）、ＴＥＡ
（（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御す
るためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化
水素（Ｈ2Ｓｅ）、ＤＭＺ（（ＣＨ3）2Ｚｎ）などが用
いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられ
る。
【００２４】次に、隣接する素子同志が電気的に分離さ
れるように、半導体層２、３を島状にパターニングす
る。その際、例えばＨ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ系のＨ2Ｏ
2比の大きい液を用い、一導電型半導体層２の下端が逆
導電型半導体層３の上端より幅狭になるようにする。
れるように、半導体層２、３を島状にパターニングす
る。その際、例えばＨ2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ系のＨ2Ｏ
2比の大きい液を用い、一導電型半導体層２の下端が逆
導電型半導体層３の上端より幅狭になるようにする。
【００２５】次に、一導電型半導体層２の一端部側の一
部が露出し、且つ逆導電型半導体層３の上端部が一導電
型半導体層２の下端部よりも幅広に形成されるように、
一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３とをエッチン
グする。このエッチングもＨ 2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ系
の液を用いたウェットエッチングで行なったり、ＣＣｌ
2Ｆ2ガスを用いたドライエッチングなどで行なう。
部が露出し、且つ逆導電型半導体層３の上端部が一導電
型半導体層２の下端部よりも幅広に形成されるように、
一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３とをエッチン
グする。このエッチングもＨ 2ＳＯ4／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ系
の液を用いたウェットエッチングで行なったり、ＣＣｌ
2Ｆ2ガスを用いたドライエッチングなどで行なう。
【００２６】次に、プラズマＣＶＤ法で、シランガス
（ＳｉＨ4）とアンモニアガス（ＮＨ3）を用いて窒化シ
リコンから成る絶縁膜６を形成してパターニングする。
最後に、クロムと金を蒸着法やスパッタリング法で形成
してパターニングすることにより完成する。
（ＳｉＨ4）とアンモニアガス（ＮＨ3）を用いて窒化シ
リコンから成る絶縁膜６を形成してパターニングする。
最後に、クロムと金を蒸着法やスパッタリング法で形成
してパターニングすることにより完成する。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
装置によれば、島状半導体層が並ぶ方向の断面におい
て、一導電型半導体層の下端部が逆導電型半導体層の上
端部より幅狭であることから、島状半導体層と隣接する
島状半導体層との間を通る電極配線パターンを正確な形
状に形成でき、もって島状半導体層と隣接する島状半導
体層との間を通る電極配線パターンで反射する光量のば
らつきを極力低減でき、光プリントヘッドに用いた場
合、鮮明な画像を得ることができる。
装置によれば、島状半導体層が並ぶ方向の断面におい
て、一導電型半導体層の下端部が逆導電型半導体層の上
端部より幅狭であることから、島状半導体層と隣接する
島状半導体層との間を通る電極配線パターンを正確な形
状に形成でき、もって島状半導体層と隣接する島状半導
体層との間を通る電極配線パターンで反射する光量のば
らつきを極力低減でき、光プリントヘッドに用いた場
合、鮮明な画像を得ることができる。
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示
す島状半導体層の配列方向と交差する方向における断面
図である。
す島状半導体層の配列方向と交差する方向における断面
図である。
【図２】本発明に係る半導体発光装置の島状半導体層の
配列方向における断面図である。
配列方向における断面図である。
【図３】本発明に係る半導体発光装置の島状半導体層部
分の拡大平面図である。
分の拡大平面図である。
【図４】従来の半導体発光装置の島状半導体層の配列方
向と交差する方向における断面図である。
向と交差する方向における断面図である。
【図５】従来の半導体発光装置を示す平面図である。
【図６】従来の半導体発光装置の島状半導体層の配列宝
庫における断面図である。
庫における断面図である。
【図７】従来の半導体発光装置の島状半導体層部分を拡
大して示す平面図である。
大して示す平面図である。
１：基板、２：一導電型半導体層、３：逆導電型半導体
層、４：個別電極、５：共通電極配線、６：絶縁膜
層、４：個別電極、５：共通電極配線、６：絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶基板上に島状の一導電型半導体層
と逆導電型半導体層をこの一導電型半導体層の一部が露
出するように積層して設け、この一導電型半導体層と逆
導電型半導体層に電極を接続して設け、隣接する一導電
型半導体層または逆導電型半導体層が同じ電極に接続さ
れるように、この島状の一導電型半導体層または逆導電
型半導体層間に電極を接続する配線を設けた半導体発光
装置において、前記島状半導体層が並ぶ方向の断面にお
ける前記一導電型半導体層の下端部が前記逆導電型半導
体層の上端部より幅狭であることを特徴とする半導体発
光装置。 - 【請求項２】 前記一導電型半導体層の一部および逆導
電型半導体層の一部がアルミニウムガリウム砒素層から
成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050979A JP4587515B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000050979A JP4587515B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244500A true JP2001244500A (ja) | 2001-09-07 |
| JP4587515B2 JP4587515B2 (ja) | 2010-11-24 |
Family
ID=18572697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000050979A Expired - Fee Related JP4587515B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 半導体発光装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4587515B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003050888A1 (fr) * | 2001-12-13 | 2003-06-19 | Nippon Sheet Glass Co.,Ltd. | Microcircuit integre a reseau d'elements electroluminescents a balayage automatique |
| WO2017065545A1 (en) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Compact light emitting diode chip and light emitting device including the same |
| US9851056B2 (en) | 2015-10-16 | 2017-12-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Compact light emitting diode chip and light emitting device having a slim structure with secured durability |
| US10126831B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-11-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Compact light emitting diode chip, light emitting device and electronic device including the same |
| WO2021213009A1 (zh) * | 2020-04-22 | 2021-10-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214480A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオ−ドアレイ |
| JPH06196752A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-07-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光装置 |
| JPH10190049A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-07-21 | Kyocera Corp | 発光ダイオードアレイおよびその製造方法 |
-
2000
- 2000-02-28 JP JP2000050979A patent/JP4587515B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7259397B2 (en) | 2001-12-13 | 2007-08-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Self-scanning light-emitting element array chip |
| WO2017065545A1 (en) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Compact light emitting diode chip and light emitting device including the same |
| US9851056B2 (en) | 2015-10-16 | 2017-12-26 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Compact light emitting diode chip and light emitting device having a slim structure with secured durability |
| US10107458B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-10-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Compact light emitting diode chip and light emitting device including the same |
| US10126831B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-11-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Compact light emitting diode chip, light emitting device and electronic device including the same |
| US10359153B2 (en) | 2015-10-16 | 2019-07-23 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having a small area and slim thickness, light emitting device and electronic device including the same |
| WO2021213009A1 (zh) * | 2020-04-22 | 2021-10-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 |
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|---|---|
| JP4587515B2 (ja) | 2010-11-24 |
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