KR102091844B1 - 정전방전에 강한 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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Abstract

정전방전에 강한 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지가 개시된다. 이 발광 다이오드 칩은, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 발광 다이오드부; 상기 기판 상에 위치하며, 상기 발광 다이오드부에 역병렬 연결된 역병렬 다이오드부; 상기 역병력 다이오드부의 적어도 일부를 덮는 반사기를 포함한다. 발광 다이오드 칩 내에 발광 다이오드부와 함께 역병렬 다이오드부를 배치함으로써, 정전 방전에 강한 발광 다이오드 칩을 제공할 수 있으며, 또한 반사기를 배치함으로써 발광 다이오드 칩의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

정전방전에 강한 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지{LED CHIP ROBUST TO ESD AND LED PACKAGE HAVING THE SAME}
본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정전 방전에 강한 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, GaN 계열의 화합물 반도체는 결정결함의 발생을 줄이기 위해 결정구조 및 격자상수가 유사한 사파이어 기판 상에 에피택셜 성장된다. 그러나 사파이어 기판 상에 성장된 에피층들은 V-피트, 실전위(threading dislocation) 등의 많은 결정 결함을 내포하고 있다. 외부에서 고전압의 정전기가 인가될 때, 전류가 에피층 내의 결정결함에 집중되어 다이오드의 항복(Breakdown)이 쉽게 발생된다.
최근 LED TV의 백라이트 유닛(Back Light Unit)은 물론이고, 조명, 자동차, 전광판, 기간 시설 등에 고휘도-고출력 발광다이오드(LED)의 적용이 확대되고 있다. 이에 따라 발광 소자에 대해 정전기에 대한 보호 성능이 더욱 높게 요구되고 있다.
LED는 전기적으로 신뢰성이 우수한 정전기 보호 소자를 이용하여 반영구적으로 수명을 보장할 필요가 있다. 정전기인 ESD(Electrostatic Discharge), 스위치에서 발생하는 스파크인 EFT(Electrical Fast Transient), 공기 중의 낙뢰인 라이팅 서지(Lightning Surge)에 대해 LED의 신뢰성을 확보하는 일은 매우 중요하다.
일반적으로, 발광 다이오드를 패키징할 때, 정전 방전을 방지하기 위해 별개의 제너 다이오드를 발광 다이오드와 함께 장착하여 사용하고 있다. 그러나 제너 다이오드는 값이 비싸고, 제너 다이오드를 실장하는 공정들의 추가로 인해 발광 다이오드 패키징 공정수 및 제조 비용이 증가된다. 더욱이, 제너 다이오드가 LED 패키지 내에서 발광 다이오드 근처에 실장되므로, 제너 다이오드에 의한 광 흡수에 기인하여 패키지의 발광 효율이 낮아지며, 이에 따라 LED 패키지의 수율이 떨어진다.
한편, 최근에는 발광 다이오드 칩 내의 에피층의 적층 구조를 이용하여 ESD에 강한 발광 다이오드 칩을 제공하려는 시도가 있다. 이러한 시도의 하나로, n형 반도체층과 활성층 사이에 초격자층을 배치하는 기술이 있다. 초격자층에 의해 활성층 내에 생성되는 결정결함을 감소시킬 수 있어 ESD에 강한 발광 다이오드 칩을 제공할 수 있으나, 아직 양호한 수율을 달성하지는 못하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 칩 레벨에서 정전 방전에 강한 내성을 갖는 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 발광 다이오드 칩의 광 출력 감소나 순방향 전압 증가의 문제를 유발하지 않으면서 정전 방전에 강한 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 정전 방전에 강한 내성을 가짐과 아울러 칩 레벨 및/또는 패키지 레벨에서의 발광 효율을 개선할 수 있는 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드 칩은, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 발광 다이오드부; 상기 기판 상에 위치하며, 상기 발광 다이오드부에 역병렬 연결된 역병렬 다이오드부; 및 상기 역병렬 다이오드부의 적어도 일부를 덮는 반사기를 포함한다. 발광 다이오드 칩 내에 발광 다이오드부와 함께 역병렬 다이오드부를 배치함으로써, 정전 방전에 강한 발광 다이오드 칩을 제공할 수 있으며, 또한, 역병별 다이오드부를 덮는 반사기를 배치함으로써 발광 다이오드 칩의 발광 효율을 개선할 수 있다.
상기 기판은 질화물계 반도체층을 성장할 수 있는 성장 기판일 수 있으며, 예컨대, 패터닝된 사파이어 기판(PSS)일 수 있다. 또한, 상기 반사기는 분포 브래그 반사기(DBR)일 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드부 및 상기 역병렬 다이오드부는 각각, 제1 도전형 질화물계 반도체층; 제2 도전형 질화물계 반도체층; 및 상기 제1 도전형 질화물계 반도체층과 상기 제2 도전형 질화물계 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함할 수 있다. 발광 다이오드부와 역병렬 다이오드부는 동일한 적층 구조를 가질 수 있으며, 따라서, 이들 다이오드부들은 동일한 성장 공정을 통해 함께 성장된 에피층들을 이용하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 발광 다이오드부의 제2 도전형 질화물계 반도체층과 상기 역병렬 다이오드부의 제2 도전형 질화물계 반도체층은 두께가 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 역병렬 다이오드부의 제2 도전형 질화물계 반도체층이 발광 다이오드부의 제2 도전형 질화물계 반도체층보다 얇을 수 있다. 따라서, 역병렬 다이오드부가 발광 다이오드부보다 낮은 높이를 가질 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩은 또한, 제1 전극 패드; 및 제2 전극 패드를 더 포함할 수 있으며, 이때, 상기 제1 전극 패드는 상기 역병렬 다이오드부 상에 위치하고, 상기 제2 전극 패드는 상기 발광 다이오드부 상에 위치할 수 있다. 제1 전극 패드가 역병렬 다이오드부 상에 위치하기 때문에, 제1 전극 패드를 발광 다이오드부에 형성하는 경우에 비해, 활성 영역을 넓게 확보할 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드 칩은, 상기 제1 전극 패드에서 연장된 제1 연장부; 및 상기 제2 전극 패드에서 연장된 제2 연장부를 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 연장부는 상기 발광 다이오드부의 제1 도전형 질화물계 반도체층에 전기적으로 접속될 수 있고, 상기 제2 연장부는 상기 역병렬 다이오드부의 제1 도전형 질화물계 반도체층에 전기적으로 접속될 수 있다.
나아가, 상기 반사기의 적어도 일부는 상기 발광 다이오드부로 연장되어 상기 제2 연장부를 상기 발광 다이오드부의 측면으로부터 절연시킬 수 있다. 즉, 상기 반사기는 제2 연장부와 상기 발광 다이오드부의 측면 사이에 위치할 수 있다. 나아가, 상기 반사기는 상기 발광 다이오드부의 제2 도전형 반도체층 상부로 연장할 수 있다.
또한, 상기 반사기의 적어도 일부는 상기 발광 다이오드부로 연장되어 상기 제1 연장부를 상기 발광 다이오드부로부터 절연시킬 수 있다. 상기 제1 연장부는 상기 반사기에 의해 상기 발광 다이오드부의 제2 도전형 반도체층으로부터 절연될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 반사기는 상기 제1 전극 패드를 둘러싸도록 상기 역병렬 다이오드부를 덮되, 상기 제2 연장부가 접속되는 제1 도전형 질화물계 반도체층을 노출시키는 개구부를 가질 수 있다. 상기 반사기는 상기 제1 전극 패드 영역 및 상기 개구부를 제외하고 상기 역병렬 다이오드부의 거의 전 영역을 덮을 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극 패드와 상기 제2 연장부는 수평적으로 이격될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극 패드의 일부는, 상기 역병렬 다이오드부의 제1 도전형 질화물계 반도체층에 전기적으로 접속된 상기 제2 연장부 상에 위치할 수 있다. 나아가, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 제1 전극 패드와 상기 제2 연장부를 절연시키는 절연층을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 제1 전극 패드와 상기 역병렬 다이오드부의 제2 도전형 질화물계 반도체층 사이에 위치하는 제2 투명 전극층을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 투명 전극층은 상기 제1 전극 패드가 제2 도전형 질화물계 반도체층에 전기적으로 접속하는 것을 돕는다. 다만, 상기 제1 전극 패드와 제2 도전형 질화물계 반도체층이 전기적으로 접속하는 경우, 제2 투명 전극층은 생략될 수도 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 발광 다이오드부의 제2 도전형 질화물계 반도체층 상에 접속하는 제1 투명 전극층을 더 포함하고, 상기 제2 전극 패드는 상기 제1 투명 전극층 상에 위치할 수 있다. 나아가, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 제2 전극 패드 하부의 제1 투명 전극층 영역 아래에 위치하는 전류 블록층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 제2 연장부 아래의 상기 제1 투명 전극층 영역 아래에 위치하는 전류 블록층을 더 포함할 수 있다.
상기 전류 블록층은 분포 브래그 반사기일 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 연장부 및 제2 연장부 중 적어도 하나는 상부에 반사 금속층을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따른 발광 다이오드 칩은, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 발광 다이오드부; 상기 기판 상에 위치하는 역병렬 다이오드부; 상기 역병렬 다이오드부 상에 위치하는 제1 전극 패드; 상기 발광 다이오드부 상에 위치하는 제2 전극 패드; 상기 제1 전극 패드로부터 연장되어 상기 발광 다이오드부에 접속하는 제1 연장부; 상기 제2 전극 패드로부터 연장되어 상기 역병렬 다이오드부에 접속하는 제2 연장부; 및 상기 제2 연장부의 적어도 일부 영역 아래에 위치하는 반사기를 포함하고, 상기 역병렬 다이오드부는 상기 발광 다이오드부에 역병렬로 연결될 수 있다.
제1 전극 패드가 형성되는 영역에 역병렬 다이오드부를 형성함으로써, 발광 영역이 감소하는 것을 방지하면서 정전 방전에 강한 발광 다이오드 칩을 제공할 수 있다.
상기 발광 다이오드부 및 역병렬 다이오드부는 질화갈륨계 반도체층으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 역병렬 다이오드부 상에 위치하는 투명 전극층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 전극 패드는 상기 투명 전극층에 접속될 수 있다.
나아가, 상기 제1 전극 패드의 일부는 상기 제2 연장부 상에 위치할 수도 있다.
한편, 상기 반사기는 상기 제2 연장부를 상기 발광 다이오드부의 측면으로부터 절연시킬 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 제1 연장부의 일부 영역 아래에 위치하는 반사기를 더 포함할 수 있다.
나아가, 상기 제1 연장부 및 제2 연장부 중 적어도 하나는 상부에 금속 반사층을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양에 따른 발광 다이오드 패키지는, 발광 다이오드 칩 실장면을 갖는 칩 실장부; 및 상기 칩 실장면 상에 실장된 위에서 설명된 발광 다이오드 칩을 포함한다. 나아가, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드 칩을 덮는 몰딩부를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광의 파장을 변환하는 파장변환기를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 발광 다이오드부와 역병렬 다이오드부를 동일 기판 상에 형성함으로써, 정전 방전에 강한 발광 다이오드 칩을 제공할 수 있으며, 따라서, 별도의 제너 다이오드와 같은 정전기 보호 소자를 필요로 하지 않는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.
나아가, 상기 역병렬 다이오드부를 제1 전극 패드 영역에 형성함으로써 발광 면적이 감소되는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 역병렬 다이오드를 채택하면서도 발광 다이오드 칩의 광 출력 감소나 순방향 전압 증가를 방지할 수 있다.
더욱이, 제1 전극 패드의 일부를 제2 연장부 상에 위치시킴으로써 전극 패드의 크기를 줄이지 않고도 역병렬 다이오드부의 크기를 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 역병렬 다이오드부 채택에 따른 발광 다이오드부의 발광 면적 감소를 더욱 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1의 절취선 B-B를 따라 취해진 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 1의 절취선 C-C를 따라 취해진 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩의 회로도를 나타낸다.
도 6 (a) 및 (b)는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 7은 종래 기술 및 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩의 I-V 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 부분 평면도이다.
도 10은 도 9의 절취선 D-D를 따라 취해진 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 부분 평면도이다.
도 12는 도 10의 절취선 E-E를 따라 취해진 단면도이다.
도 13은 도 10의 절취선 F-F를 따라 취해진 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 또한 각 도면들은 정확하게 축적에 맞도록 도시되어 있지는 않음에 유의해야 한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 2, 도 3 및 도 4는 각각 도 1의 절취선 A-A, 절취선 B-B 및 절취선 C-C를 따라 취해진 개략적인 단면도들이다.
도 1, 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 발광 다이오드 칩은 기판(21), 발광 다이오드부(Ld) 및 역병렬 다이오드부(Rd)를 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드 칩은, 제1 투명 전극층(31a), 제2 투명 전극층(31b), 전류 블록층(33a), 절연층(33b), 제1 전극 패드(35), 제2 전극 패드(37), 제1 연장부(35a), 제2 연장부(37a), 및 제1 연장부의 단부(37b)를 포함할 수 있다.
상기 기판(21)은 반도체 에피층을 성장시킬 수 있는 기판이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 패터닝된 사파이어 기판일 수 있다. 도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 패터닝된 사파이어 기판은 표면에 돌출부 패턴을 가지며 돌출부에서 광을 산란시켜 광 추출 효율을 향상시킨다.
한편, 발광 다이오드부(Ld)는 제1 도전형 질화물계 반도체층(25a), 활성층(27a) 및 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)을 포함할 수 있으며, 역병렬 다이오드부(Rd)는 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b), 활성층(25b) 및 제2 도전형 질화물계 반도체층(29b)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드부(Ld) 및 역병렬 다이오드부(Rd)는 서로 전기적으로 분리된 질화물계 적층 영역들로서 질화물계 반도체층들로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드부(Ld)는 역병렬 다이오드부(Rd)와 동일 기판의 동일면 상에 위치할 수 있다.
제1 도전형 질화물계 반도체층(25a, 25b)은 예컨대 n형 GaN을 포함할 수 있으며, 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a, 29b)은 예컨대 p형 GaN을 포함할 수 있으나, n형과 p형은 서로 뒤바뀔 수 있다. 활성층(27a, 27b)은 제1 도전형 질화물계 반도체층(25a, 25b)과 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a, 29b) 사이에 위치하며, 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있다.
발광 다이오드부(Ld)와 역병렬 다이오드부(Rd)는 동일한 성장 공정, 예컨대 MOCVD, MBE 등을 이용하여 성장된 질화물계 반도체층들을 패터닝하여 이격시킴으로써 형성된다. 따라서, 제1 도전형 질화물계 반도체층(25a), 활성층(27a) 및 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)은 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b), 활성층(27b) 및 제2 도전형 질화물계 반도체층(29b)과 동일 공정에서 형성되어 동일한 조성 및 동일한 불순물 농도를 가질 수 있다. 다만, 특정 실시예에 있어서, 상기 제2 도전형 질화물계 반도체층(29b)은 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)보다 두께가 얇을 수 있다. 예를 들어, 제2 도전형 질화물계 반도체층(29b)은 건식 식각에 의해 얇아진 층일 수 있다. 이에 따라, 역병렬 다이오드부(Rd)가 발광 다이오드부(Ld)보다 작은 높이를 가질 수 있으며, 따라서, 제1 전극 패드(35)에 의한 광 흡수를 감소시킬 수 있다.
한편, 도 1에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드부(Ld)는 역병렬 다이오드부(Rd)에 비해 상대적으로 넓은 면적을 갖는다. 역병렬 다이오드부(Rd)는 종래의 수평형 발광 다이오드에서 n-전극 패드가 형성되는 좁은 영역을 이용하여 형성된다. 따라서, 역병렬 다이오드부(Rd) 생성에 따른 발광 면적 감소가 실질적으로 발생되지 않으며, 이에 따라, 역병렬 다이오드부(Rd)를 단일 칩 내에 배치하면서도 광 출력 감소나 순방향 전압이 증가되는 것을 억제할 수 있다.
제1 투명 전극층(31a)은 발광 다이오드부(Ld) 상에 위치한다. 제1 투명 전극층(31a)은 발광 다이오드부(Ld) 상부면을 덮는다. 제1 투명 전극층(31a)은 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)과 전기적 접촉을 위해 채택되며, 또한, 발광 다이오드부(Ld)의 넓은 영역에 걸쳐 전류를 분산시킨다. 한편, 제2 투명 전극층(31b)은 역병렬 다이오드부(Rd) 상에 위치한다. 제2 투명 전극층(31b)은 제2 도전형 질화물계 반도체층(29b)에 전기적으로 접촉한다. 제2 투명 전극층(31b)은 생략될 수도 있으나, 제2 투명 전극층(31b)을 생략한 경우에 비해 제2 투명 전극층(31b)을 사용한 경우에 정전 방전 특성이 더욱 양호하다. 상기 제1 투명 전극층(31a) 및 제2 투명 전극층(31b)은 동일 공정을 이용하여 예컨대 ITO, FTO, ZnO 등과 같은 투명 전도성 산화물이나 Ni/Au와 같은 투명 금속층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 더욱이, 제2 투명 전극층(31b)은 제1 투명 전극층(31a)과 다른 재료로 형성될 수 있으며, 또한, 제2 투명 전극층(31b) 대신 제2 도전형 질화물계 반도체층(29b)에 오믹 콘택하는 불투명 전극층이 형성될 수도 있다.
제1 전극 패드(35)는 역병렬 다이오드부(Rd) 상에 위치하여 제2 도전형 질화물계 반도체층(29b)에 전기적으로 접속한다. 한편, 제2 전극 패드(37)는 발광 다이오드부(Ld) 상에 위치하여 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)에 전기적으로 접속한다. 제1 전극 패드(35) 및 제2 전극 패드(37)는 발광 다이오드 칩에 전류를 주입하기 위해 본딩 와이어를 접속할 수 있도록 상대적으로 넓은 면적으로 형성된다. 예를 들어, 제1 전극 패드(35) 및 제2 전극 패드(37)는 제1 연장부(35a)나 제2 연장부(37a)에 비해 상대적으로 넓은 폭을 갖는다.
한편, 제1 연장부(35a)는 제1 전극 패드(35)에서 연장하여 발광 다이오드부(Ld)의 제1 도전형 질화물계 반도체층(25a)에 전기적으로 접속한다. 제1 연장부(35a)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 지점(도 1에서는 6개의 지점이 도시됨)에서 제1 도전형 질화물계 반도체층(25a)에 접속할 수 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 지점은 각각 제1 도전형 반도체층(25a)을 노출시키도록 제2 도전형 반도체층(29a) 및 활성층(27a)의 가장자리에 형성된 복수의 만입부들 내에 위치할 수 있다. 절연층(33b)은 상기 복수의 지점에서 제1 도전형 반도체층(25a)을 노출시키는 개구부들을 갖는다. 제1 연장부(35a)는 또한 발광 다이오드부(Ld) 상부, 즉 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a) 상부를 지나갈 수 있으며, 절연층(33b)에 의해 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)으로부터 절연될 수 있다. 이와 달리, 제1 연장부(35a)는 제1 도전형 질화물계 반도체층(29a) 상에 선형적으로 접속할 수도 있다. 예를 들어, 메사 식각을 통해 발광 다이오드부(Ld)의 측면에 제1 도전형 질화물계 반도체층(25a)을 연속적으로 노출시키고, 노출된 제1 도전형 질화물계 반도체층(29a) 상에 제1 연장부(35a)를 형성할 수 있다. 상기 제1 연장부(35a)는 또한 역병렬 다이오드부(Rd)의 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b)으로부터 절연층에 의해 절연된다.
절연층(33b)은 제1 연장부(35a)를 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)으로부터 전기적으로 절연시키기 위해 제1 연장부(35a)와 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a) 사이에 위치한다. 나아가, 절연층(33b)은 발광 다이오드부(Ld) 및 역병렬 다이오드부(Rd)의 측면을 덮도록 투명 전극층들(31a, 31b)에 인접하여 위치할 수 있으며, 이에 따라, 제1 연장부(35a) 및 제2 연장부(37a)를 발광 다이오드부(Ld)의 측면 및 역병렬 다이오드부(Rd)의 측면으로부터 절연시킬 수 있다.
제2 연장부(37a)는 제2 전극 패드(37)에서 연장된다. 제2 연장부(37a)는 발광 다이오드부(Ld)의 넓은 영역에 걸쳐 전류를 분산시킨다. 이를 위해, 제2 연장부(37a)는 제1 연장부(35a)와 마주보도록 평행하게 연장될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 방식으로 연장할 수 있다. 한편, 제2 연장부(37a)는 또한, 역병렬 다이오드부(Rd)로 연장되어 그 단부(37b)가 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b)에 전기적으로 접속한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제2 연장부의 단부(37b)는 역병렬 다이오드부(Rd)의 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b)에 전기적으로 접속한다. 단부(37b)는 메사 식각에 의해 노출된 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b) 상에 위치할 수 있다. 이와 달리, 역병렬 다이오드부(Rd)의 측면이 전체적으로 경사지게 형성되고, 단부(37b)는 역병렬 다이오드부(Rd)의 경사면에 노출된 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b)에 접속할 수도 있다. 이 경우, 메사 식각 공정을 생략할 수 있어 공정을 단순화할 수 있다.
한편, 도 2에 도시한 바와 같이, 제2 전극 패드(37) 하부에 전류 블록층(33a)이 위치할 수 있다. 또한, 전류 블록층(33a)은 제1 투명 전극층(31a)과 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a) 사이에 위치한다. 상기 전류 블록층(33a)은 실리콘 산화물이나 실리콘 질화물 등의 절연 물질로 형성될 수 있다. 상기 전류 블록층(33a)은 제2 전극 패드(37)로부터 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)으로 직접 전류가 흐르는 것을 방지하여 전류를 분산시킨다. 한편, 상기 전류 블록층(33a)은 연장되어 제2 연장부(37a) 하부에도 위치할 수 있다. 나아가, 전류 블록층(33a)은 역병렬 다이오드부(Rd) 측으로 연장하여 제2 연장부(37a)를 발광 다이오드부(Ld)의 측면에 노출된 제1 도전형 질화물계 반도체층(25a)으로부터 절연시킬 수 있다. 이와 달리, 전류 블록층(33a)으로부터 이격된 절연층이 제2 연장부(37a)를 발광 다이오드부(Ld)의 측면에 노출된 제1 도전형 질화물계 반도체층(25a)으로부터 절연시킬 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 전극 패드(35)가 형성되는 영역에 역병렬 다이오드부(Rd)를 형성함으로써 발광 면적 감소를 억제하면서 발광 다이오드 칩의 정전 방전 특성을 개선할 수 있다. 또한, 제1 연장부(35a)와 제2 연장부(35b)를 이용하여 도 5에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드부(Ld)와 역병렬 다이오드부(Rd)가 서로 역병렬된 회로가 단일의 발광 다이오드 칩 내에 구성된다.
도 6 (a) 및 (b)는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다. 도면을 간략하게 하기 위해 지시번호는 생략하며, 도 1의 지시번호를 사용하여 설명한다.
도 6(a)를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 칩은, 도 1의 발광 다이오드 칩과 대체로 유사하며, 다만, 제1 전극 패드(35)와 제2 전극 패드(37)의 상대적인 위치 및 제1 연장부(35a)와 제2 연장부(37a)의 설계상의 차이가 있다. 즉, 도 1의 발광 다이오드 칩에서 제1 전극 패드(35)와 제2 전극 패드(37)는 발광 다이오드 칩의 제1 가장자리 측(제2 연장부(37a)가 가까운 측)에 배치되고, 제1 연장부(35a)가 제1 전극 패드(35)로부터 제1 가장자리에 대향하는 제2 가장자리 측으로 연장한다. 이에 반해, 본 실시예에 있어서, 제1 전극 패드(35)와 제2 전극 패드(37)는 서로 대각 방향으로 배치되며, 제2 연장부(37a)가 상대적으로 발광 다이오드부(Ld)의 내측에서 연장한다. 한편, 제2 연장부의 단부(37b)가 "T"자 형으로 형성된다.
도 6(b)를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 칩은 제1 연장부(35a)가 제1 도전형 반도체층(25a)에 선형적으로 접속하는 것을 제외하면, 도 6(a)의 발광 다이오드 칩과 유사하다. 즉, 본 실시예에 있어서, 제1 연장부(35a)는 제2 도전형 반도체층(29a) 및 활성층(27a)이 메사 식각에 의해 제거된 선형 영역에 위치하여 연속적으로 제1 도전형 반도체층(25a)에 접속한다.
제1 전극 패드(35) 및 제2 전극 패드(37)의 상대적인 위치 및 제1 연장부(35a)와 제2 연장부(37a)의 위치, 형상 및 구조는 다양하게 변형할 수 있다.
도 1의 실시예(P1) 및 도 6(a)의 실시예(P2)에 따른 발광 다이오드 칩을 제작하여 종래의 발광 다이오드 칩(Ref)과 함께 전기적 및 광학적 특성을 측정하였으며, 도 7은 이들 발광 다이오드 칩들의 I-V 특성을 나타낸다.
도 7을 참조하면, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 칩(Ref)은 역방향 전압이 인가될 경우, 전류가 거의 흐르지 않는다. 그래프에 나타나 있지 않지만, 역방향 전압이 10V 이상 증가될 경우, 항복(break-down)이 발생한다.
한편, 도 1의 실시예(P1) 및 도 6(a)의 실시예(P2)의 경우, 역방향 전압이 증가함에 따라, 역병렬 다이오드부(Rd)가 턴온되어 전류가 흐르는 것을 확인할 수 있다.
한편, 표 1에 위 발광 다이오드 칩들(Ref, P1, P2)의 순방향 전압(@20mA), 광 출력(@20mA) 및 역방향 전압 3kV의 정전 방전(ESD) 수율 결과를 요약하였다. 일반적인 에피층 구조를 갖는 발광 다이오드 칩 및 ESD 강화를 위해 활성층과 제1 도전형 질화물계 반도체층 사이에 초격자층을 추가한 ESD 강화 발광 다이오드 칩에 대해 종래의 발광 다이오드 칩(Ref), 제1 실시예의 발광 다이오드 칩(P1) 및 제2 실시예의 발광 다이오드 칩(P2)을 제작하여 위 측정 결과들을 얻었다.
에피 구조 칩 구조 순방향 전압 V(@20 mA) 광 출력 W(@20 mA) ESD 수율(@3 kV)

일반 에피
 Ref 2.93 77.3 4%
P1 2.94 76.8 99%
P2 2.92 75.9 100%

ESD 강화 에피
 Ref 2.90 80.4 83%
P1 2.93 79.2 99%
P2 2.90 78.9 99%
표 1을 참조하면, 종래의 발광 다이오드 칩에 비해 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩(P1, P2)은 순방향 전압에서 큰 변화를 나타내지 않으며, 광출력 또한 크게 감소하지 않았다. 이에 반해, ESD 수율면에서 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩(P1, P2)은 종래의 발광 다이오드 칩(Ref)에 비해 월등히 향상된 결과를 보여주었다. 일반 에피 구조 및 ESD 강화 에피 구조 모두에서 ESD 수율이 대폭 향상되었으며, 특히 ESD에 취약한 일반 에피에서도 99% 이상의 높은 ESD 수율을 나타내었다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 단면도이다. 참고로, 도 8은 도 1의 절취선 C-C를 따라 취해진 단면도(도 4)에 대응한다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 칩은 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩과 대체로 유사하나, 제1 전극 패드(35)의 일부가 제1 연장부의 단부(37b) 상에 위치하는 것에 차이가 있다. 즉, 역병렬 다이오드부(Rd)에서 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b)에 전기적으로 접속하는 제1 연장부의 단부(37b)의 적어도 일부가 제1 전극 패드(35) 아래에 위치한다. 상기 제1 연장부의 단부(37b)는 절연층(39)에 의해 제1 전극 패드(35)로부터 절연된다.
본 실시예에 따르면, 제1 전극 패드(35)와 단부(37b)를 수평 방향으로 이격시킬 필요가 없으므로, 앞서 설명한 실시예들과 동일한 면적의 제1 전극 패드(35)를 가지면서도 상대적으로 작은 크기의 역병렬 다이오드부(Rd)를 갖는 발광 다이오드 칩을 제공할 수 있다. 또한, 도 4와 도 8을 대비하면 알 수 있듯이, 역병렬 다이오드부(Rd)의 크기를 감소시킴에 따라 발광 다이오드부(Ld)의 크기를 증가시킬 수 있다. 따라서, 단일 발광 다이오드 칩 내에 역병렬 다이오드부(Rd)를 형성하면서도 발광 다이오드부(Ld)의 발광 면적 감소를 최소화할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 개략적인 부분 평면도이고 도 10은 도 9의 절취선 D-D를 따라 취해진 단면도이다. 도 9의 평면도는 도 1의 역병렬 다이오드부(Rd) 및 그 주위의 발광 다이오드부(Ld)의 일부를 확대하여 보여주고 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 칩은 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩과 대체로 유사하나, 반사기(133a, 133b)를 포함하는 것에 차이가 있다.
반사기(133a, 133b)는 절연층으로 형성된 분포 브래그 반사기일 수 있다. DBR 구조는 굴절률이 서로 다른 유전층을 교대로 적층함으로써 형성될 수 있으며, 예를 들어 TiO2/SiO2, Nb2O5/SiO2 또는 HfO2/SiO2를 반복 적층하여 형성할 수 있다. 또한, DBR 구조는 반사하고자 하는 광의 스펙트럼 분포를 고려하여 중심 파장에 맞추어 박막 설계를 함으로써 반사 효과를 극대화할 수 있으며, 이에 따라, SiO2 등의 단일막을 사용함으로써 발생하는 광 흡수에 의한 광 손실을 방지할 수 있다.
반사기(133a)는 제2 연장부(37a)와 발광 다이오드부(Ld) 사이에 위치하여 제2 연장부(37a)를 발광 다이오드부(Ld)의 측면으로부터 절연시킨다. 또한, 반사기(133a)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 바와 같은 전류 블록층(33a)으로서 기능할 수 있다. 예컨대, 반사기(133a)는 전류 블록층(33a)과 유사하게 제2 전극 패드(37) 및 제2 연장부(37a) 아래에서 제1 투명 전극층(31a)과 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a) 사이에 위치할 수 있다. 나아가, 상기 반사기(133a)는 역병렬 다이오드부(Rd)의 일부를 덮을 수 있다. 예컨대, 도 9에 도시한 바와 같이, 반사기(133a)는 역병렬 다이오드부(Rd)의 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b)의 일부를 덮을 수 있다.
달리 말해, 반사기(133a)는 역병렬 다이오드부(Rd)의 일부를 덮으며, 또한 발광 다이오드부(Ld)로 연장하여 제2 연장부(37a)를 발광 다이오드부(Ld)의 측면으로부터 절연시킬 수 있다.
한편, 반사기(133b)는 역병렬 다이오드부(Rd)의 일부를 덮으며 발광 다이오드부(Ld)로 연장하여 제1 연장부(35a)를 발광 다이오드부(Ld)의 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a)으로부터 절연시킨다. 즉, 제1 연장부(35a)가 발광 다이오드부(Ld) 상부를 지나갈 경우, 반사기(133b)가 제1 연장부(35a)와 제2 도전형 질화물계 반도체층(29a) 사이에 위치하여 제1 연장부(35a)와 제2 도전형 질화물 반도체층(29a)이 단락되는 것을 방지한다. 제1 연장부(35a)는 또한 제1 투명 전극층(31a)으로부터 전기적으로 절연된다.
또한, 반사기(133b)는 도 9에 도시한 바와 같이, 역병렬 다이오드부(Rd) 및 발광 다이오드부(Ld)의 측면을 덮어 제1 연장부(35a)를 역병렬 다이오드부(Rd)의 측면 및 발광 다이오드부(Ld)의 측면으로부터 절연시킨다. 반사기(133a)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 절연층(33b)으로 기능할 수 있다.
상기 반사기(133a, 133b)는 발광 다이오드부(Ld)에서 방출된 광이 제1 연장부(35a) 및 제2 연장부(37a)에 흡수되어 손실되는 것을 방지한다. 즉, 발광 다이오드부(Ld)에서 방출된 광의 일부는 제1 연장부(35a) 및 제2 연장부(37a)를 향해 진행하며, 상기 반사기(133a, 133b)에 의해 반사되어 발광 다이오드부(Ld) 내부로 되돌아간다. 그 후, 반사된 광은 발광 다이오드부(Ld)의 다른 부분을 통해 외부로 방출될 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 제1 연장부(35a) 및/또는 제2 연장부(37a)는 상부에 금속 반사층(137)을 더 포함할 수 있다. 금속 반사층(137)은 제1 연장부(35a) 및/또는 제2 연장부(37a)의 상부로 입사되는 광을 반사시켜 광 손실을 줄인다. 예를 들어, 발광 다이오드부(Ld)에서 방출된 광이 역병렬 다이오드부(Rd) 상에 위치하는 제1 연장부(35a) 및/또는 제2 연장부(37a)로 입사될 경우, 상기 금속 반사층(137)에 의해 광을 반사시킬 수 있다. 금속 반사층(137)은 예컨대, Ni, Al, Ag, Rh 또는 Pt 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 칩을 설명하기 위한 부분 평면도이고, 도 12 및 도 13은 각각 도 11의 절취선 E-E 및 F-F를 따라 취해진 단면도들이다.
도 11, 도 12 및 도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 칩은 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩과 대체로 유사하나, 반사기(133r)를 더 포함하는 것에 차이가 있다. 반사기(133r)는 반사기(133a, 133b)와 동일 물질로 동일 공정에서 형성될 수 있다.
반사기(133r)는 제1 전극 패드(35)를 둘러싸도록 역병렬 다이오드부(Rd)를 덮는다. 반사기(133r)는 다만 제2 연장부(37a)의 단부(37b)가 접속되는 제1 도전형 질화물계 반도체층(25b)을 노출시키는 개구부(133h)를 갖는다.
반사기(133r)는, 도 13에 도시한 바와 같이, 제1 전극 패드(35) 주위의 제2 도전형 질화물계 반도체층(29b)의 거의 전 영역을 덮을 수 있다. 또한, 반사기(133r)는 역병렬 다이오드부(Rd)의 측면을 덮을 수 있다.
반사기(133r)는 발광 다이오드부(Ld)에서 방출되어 역병렬 다이오드부(Rd)로 향하는 광을 반사시킬 수 있으며, 따라서 광이 역병렬 다이오드부(Rd) 내로 재입사되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 반사기(133r)는 뒤에서 설명하지만, 패키지의 몰딩부나 형광체 등으로부터 역병렬 다이오드부(Rd)로 입사되는 광을 반사시킬 수 있어 패키지의 발광 효율을 개선할 수 있다.
도 14는 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 14를 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 칩 실장면을 갖는 칩 실장 부재(110) 및 발광 다이오드 칩(100)을 포함한다. 나아가 상기 발광 다이오드 패키지는, 적어도 두 개 이상의 리드들(111, 113), 본딩 와이어들(115) 및 몰딩부(117)를 포함할 수 있으며, 파장변환기를 포함할 수 있다.
칩 실장 부재(110)는 발광 다이오드 칩(100)을 실장할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 리드 프레임 타입 패키지 본체, 인쇄회로보드 등 다양하다. 한편, 발광 다이오드 칩(100)은 앞서 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩, 도 6을 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩 또는 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩 또는 도 11 내지 도 13을 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩일 수 있으며, 상세한 설명은 생략한다.
상기 발광 다이오드 칩의 제1 전극 패드(35) 및 제2 전극 패드(37)가 본딩 와이어들(115)을 통해 리드들(111, 113)에 전기적으로 접속한다.
한편, 몰딩부(117)는 발광 다이오드 칩(100)을 덮는다. 몰딩부(117)는 형광체를 함유할 수 있으며, 따라서, 파장변환기로서 기능할 수 있다. 이와 달리, 몰딩부(117)와 별개의 파장변환기가 몰딩부(117) 상에 또는 발광 다이오드 칩(100) 상에 위치할 수도 있다. 상기 파장변환기는 발광 다이오드 칩(100)에서 방출된 광의 파장을 변환시킨다.
한편, 발광 다이오드 칩(100)에서 방출된 광은 몰딩부(117) 내로 입사되며, 몰딩부(117) 내로 입사된 광의 일부는 다시 발광 다이오드 칩(100)을 향해 진행한다. 특히, 형광체와 같은 파장변환기가 사용된 경우, 파장변환기에서 변환된 광의 일부가 발광 다이오드 칩(100)을 향해 진행할 수 있다. 이 경우, 도 11 내지 도 13을 참조하여 설명한 발광 다이오드 칩은 역병렬 다이오드부(Rd)의 거의 전 영역을 덮는 반사기(133r)에 의해 광을 반사시킬 수 있어 패키지의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩(100)이 역병렬 다이오드부(Rd)를 포함하기 때문에, 정전 방전을 방지하기 위한 별개의 보호 소자, 예컨대 제너 다이오드를 패키지에 실장할 필요가 없다. 따라서, 제너 다이오드 실장 공정을 생략할 수 있어 공정을 간소화할 수 있으며, 또한 제너 다이오드에 의한 광 흡수를 방지할 수 있어 패키지의 광 효율을 향상시킬 수 있다. 나아가, 반사기(133r)를 채택함으로써 발광 다이오드 칩(100)에 재흡수되는 광을 줄일 수 있어 발광 효율을 증가시킬 수 있다.
앞서 발광 다이오드 칩들에 대해 다향한 실시예들을 설명하였다. 이들 실시예들 중 어느 하나의 실시예에서 설명된 구성요소는 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 다른 실시예에도 적용될 수 있을 것이다. 또한, 발명은 이들 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.

Claims (24)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하며, 제1 도전형 질화물계 반도체층, 제2 도전형 질화물계 반도체층, 및 상기 제1 도전형 질화물계 반도체층과 상기 제2 도전형 질화물계 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 다이오드부;
    제1 전극 패드; 및
    상기 제1 전극 패드에서 연장된 제1 연장부를 포함하되,
    상기 제1 연장부는 복수의 지점에서 제1 도전형 반도체층에 접속하며,
    상기 복수의 지점은 각각 상기 제1 도전형 질화물계 반도체층을 노출시키도록 상기 제2 도전형 질화물계 반도체층 및 활성층의 가장자리에 형성된 복수의 만입부들 내에 위치하는 발광 다이오드 칩.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 상에 위치하며, 상기 발광 다이오드부에 역병렬 연결된 역병렬 다이오드부; 및
    상기 역병렬 다이오드부의 적어도 일부를 덮는 반사기를 더 포함하며,
    상기 반사기는 분포 브래그 반사기인 발광 다이오드 칩.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 역병렬 다이오드부는,
    제1 도전형 질화물계 반도체층;
    제2 도전형 질화물계 반도체층; 및
    상기 제1 도전형 질화물계 반도체층과 상기 제2 도전형 질화물계 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광 다이오드 칩.
  4. 청구항 2에 있어서,
    제2 전극 패드를 더 포함하되,
    상기 제1 전극 패드는 상기 역병렬 다이오드부 상에 위치하고,
    상기 제2 전극 패드는 상기 발광 다이오드부 상에 위치하는 발광 다이오드 칩.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제2 전극 패드에서 연장된 제2 연장부를 더 포함하되,
    상기 제1 연장부는 상기 발광 다이오드부의 제1 도전형 질화물계 반도체층에 전기적으로 접속되고,
    상기 제2 연장부는 상기 역병렬 다이오드부의 제1 도전형 질화물계 반도체층에 전기적으로 접속된 발광 다이오드 칩.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 반사기의 적어도 일부는 상기 발광 다이오드부로 연장되어 상기 제2 연장부를 상기 발광 다이오드부의 측면으로부터 절연시키는 발광 다이오드 칩.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 반사기의 적어도 일부는 상기 발광 다이오드부로 연장되어 상기 제1 연장부를 상기 발광 다이오드부로부터 절연시키는 발광 다이오드 칩.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 반사기는 상기 제1 전극 패드를 둘러싸도록 상기 역병렬 다이오드부를 덮되, 상기 제2 연장부가 접속되는 제1 도전형 질화물계 반도체층을 노출시키는 개구부를 갖는 발광 다이오드 칩.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 전극 패드의 일부는, 상기 역병렬 다이오드부의 제1 도전형 질화물계 반도체층에 전기적으로 접속된 상기 제2 연장부 상에 위치하는 발광 다이오드 칩.
  10. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 전극 패드와 상기 역병렬 다이오드부의 제2 도전형 질화물계 반도체층 사이에 위치하는 제2 투명 전극층을 더 포함하는 발광 다이오드 칩.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 발광 다이오드부의 제2 도전형 질화물계 반도체층 상에 접속하는 제1 투명 전극층을 더 포함하고, 상기 제2 전극 패드는 상기 제1 투명 전극층 상에 위치하는 발광 다이오드 칩.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제2 전극 패드 하부의 제1 투명 전극층 영역 아래에 위치하는 전류 블록층을 더 포함하는 발광 다이오드 칩.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제2 연장부 아래의 상기 제1 투명 전극층 영역 아래에 위치하는 전류 블록층을 더 포함하는 발광 다이오드 칩.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 전류 블록층은 분포 브래그 반사기를 포함하는 발광 다이오드 칩.
  15. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 연장부 및 제2 연장부 중 적어도 하나는 상부에 반사 금속층을 포함하는 발광 다이오드 칩.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 연장부는 상기 제2 도전형 질화물계 반도체층의 상부를 지나는 발광 다이오드 칩.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 도전형 질화물계 반도체층을 덮는 절연층을 더 포함하되,
    상기 절연층은 상기 복수의 지점에서 상기 제1 도전형 질화물계 반도체층을 노출시키는 복수의 개구부들을 갖는 발광 다이오드 칩.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 지점은 상기 제2 도전형 질화물계 반도체층에 의해 서로 이격된 발광 다이오드 칩.
  19. 발광 다이오드 칩 실장면을 갖는 칩 실장부; 및
    상기 칩 실장면 상에 실장된 청구항 1 내지 청구항 18의 어느 한 항에 기재된 발광 다이오드 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩을 덮는 몰딩부를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광의 파장을 변환하는 파장변환기를 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
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