KR101722623B1 - 발광소자 및 발광소자 패키지 - Google Patents

발광소자 및 발광소자 패키지 Download PDF

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Abstract

실시 예에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지는, 발광소자에서 방출되는 광의 파장을 변화시켜 발광소자에 재흡수되는 것을 방지하기 용이한 구조를 갖도록, 실시 예는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 발광구조물의 일면에서 상기 기판 방향으로 배치된 전극, 상기 기판과 상기 발광구조물 사이에 배치되며, 상기 전극과 본딩되는 범프를 포함하는 반사층 및 상기 발광구조물과 상기 반사층 사이에 배치되며, 상기 발광구조물에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 형광체를 포함하는 접착층을 포함하는 발광소자를 제공한다.

Description

발광소자 및 발광소자 패키지{Light-emitting element and Light-emitting element package}
실시 예는 발광소자 및 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 발광소자에서 방출되는 광의 파장을 변화시켜 발광소자에 재흡수되는 것을 방지하기 용이한 구조를 갖는 발광소자 및 발광소자 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체 발광소자의 하나인 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 전자와 홀의 재결합을 기초로 발광하는 반도체소자로서, 광통신, 전자기기 등에서 광원으로 널리 사용되는 것이다.
발광 다이오드에 있어서, 발광하는 광의 주파수(혹은 파장)은 반도체소자에 사용되는 재료의 밴드 갭 함수로서, 작은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 낮은 에너지와 긴 파장의 광자가 발생하고, 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체 재료를 사용하는 경우 짧은 파장의 광자가 발생한다.
예를 들어, AlGaInP 물질은 적색 파장의 광을 발생시키고, 실리콘 카바이드(SiC)와 Ⅲ족 질화물계 반도체, 특히 GaN는 청색 또는 자외선 파장의 광을 발생시킨다.
그 중에서, 질화물 발광다이오드는 GaN의 벌크 단결정체를 형성할 수 없기 때문에, GaN 결정의 성장에 적합한 기판을 사용하여야 하며, 대표적으로 사파이어 기판이 사용된다.
최근에는 질화물 반도체 발광소자를 조명광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위하여 전류를 균일하게 확산시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광소자를 제작하기 위한 연구가 진행 중에 있다.
실시 예의 목적은, 발광소자에서 방출되는 광의 파장을 변화시켜 발광소자에 재흡수되는 것을 방지하기 용이한 구조를 갖는 발광소자 및 발광소자 패키지를 제공함에 있다.
제1 실시 예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 발광구조물의 일면에서 상기 기판 방향으로 배치된 전극, 상기 기판과 상기 발광구조물 사이에 배치되며, 상기 전극과 본딩되는 범프를 포함하는 반사층 및 상기 발광구조물과 상기 반사층 사이에 배치되며, 상기 발광구조물에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 형광체를 포함하는 접착층을 포함한다.
제2 실시 예에 따른 발광소자는, 투광성 기판, 상기 투광성 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 발광구조물의 일면에 배치되며 상기 투광성 기판 방향으로 배치된 전극, 상기 투광성 기판을 관통하며, 상기 전극과 통전되는 범프 및 상기 발광구조물과 상기 투광성 기판 사이에 배치되며, 상기 발광구조물에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 형광체를 포함하는 접착층을 포함한다.
제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 투광성 기판, 상기 투광성 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 발광구조물의 일면에 배치되며 상기 투광성 기판 방향으로 배치된 전극, 상기 투광성 기판을 관통하며, 상기 전극과 통전되는 범프 및 상기 발광구조물과 상기 투광성 기판 사이에 배치되는 제1 접착층을 포함하는 발광소자, 상기 발광소자가 실장되며, 상기 범프와 통전되는 리드전극을 포함하는 몸체 및 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 배치되는 제2 접착층을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지는, 발광소자와 몸체 사이에 형광체를 포함하는 형광 필름을 배치함으로써, 발광소자에서 방출되는 광의 파장 보다 장파장으로 변환하여 발광소자에서의 재흡수율을 저하시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 및 발광소자 패키지는, 형광필름으로 형성함에 따라 형광체가 균일하게 분포되어 광 추출 효율이 증가되는 이점이 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자의 구조 및 동작에 대한 제1 실시 예를 나타내는 개념도이다.
도 3 및 도 4는 도 1에 나타낸 발광소자의 구조 및 동작에 대한 제2, 3 실시 예를 나타내는 개념도이다.
도 5는 제2 실시 예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 6은 제3 실시 예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 7은 제4 실시 예에 따른 발광소자를 나나태는 단면도이다.
도 8은 제5 실시 예에 따른 발광소자을 나타내는 단면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
실시 예에 대한 설명에 앞서, 실시 예에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시 예에서 발광소자 및 발광소자 패키지의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 질화물 반도체 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110) 위에 배치되는 반사층(120), 반사층(120) 상에 배치되며, 반사층(120) 방향으로 배치된 전극(135)을 포함하는 발광구조물(130)을 포함할 수 있다.
여기서, 기판(110)은 열전도성이 우수한 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 또한 전도성 물질로 형성할 수 있는데, 금속 물질 또는 전도성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 기판(110)은 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있다.
즉, 기판(110)은 예를 들어 Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt, Cr중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다.
기판(110)은 발광소자(100)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(100)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(미도시)이 적층될 수 있으며, 이에 상기 버퍼층은 전류 인가중에 전극(135)의 원자가 전기장에 의해 이동하는 일렉트로마이그레이션(electromigration) 현상을 최소화하기 위해 형성한다. 또한, 상기 버퍼층은 하부 물질과의 접착력이 우수한 금속 물질을 이용하여 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 확산 방지막(미도시)을 더 형성할 수 있다.
상기 버퍼층으로 이용되는 접착력이 우수한 금속 물질로는 In, Sn, Ag, Nb, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나이며, 상기 확산 방지막은 Pt, Pd, W, Ni, Ru, Mo, Ir, Rh, Ta, Hf, Ta, Zr, Nb, V중 적어도 하나 또는 둘 이상의 합금을 이용할 수 있으며, 단층 또는 다층 구조로 형성할 수 있다.
반사층(120)은 발광 구조물(130)에서 발생한 광 중 일부가 기판(110)으로 향하는 경우, 발광소자(100)의 상부를 향하도록 이를 반사하여 발광소자(100)의 광 추출효율을 향상시킬 수 있다. 따라서 반사층(120)은 Ag, Al, Pt, Rh 등의 광반사도가 높은 재질로 형성하는 것이 바람직하다.
전극(135)는 Ni, Pt, Ru, Ir, Rh, Ta, Mo, Ti, Ag, W, Cu, Cr, Pd, V, Co, Nb, Zr, ITO, AZO, IZO 중 어느 하나 또는 이들의 합금 형태로 이용할 수 있다.
이때, 전극(135)는 발광구조물(130)에서 반사층(120) 방향으로 돌출되어 배치될 수 있다.
또한, 반사층(120)은 전극(135)과 본딩되어 통전되는 범프(bump, 125)가 배치될 수 있다.
이때, 범프(125)는 전극(135)과 동일한 폭으로 형성될 수 있으며, 전극(135)의 폭보다 크게 형성될 수 있다.
발광구조물(130)은 제1 반도체층(131), 활성층(132) 및 제2 반도체층(133)을 포함할 수 있으며, 제1 반도체층(131)과 제2 반도체층(133) 사이에 활성층(132)이 개재된 구성으로 이루어질 수 있다.
제1 반도체층(131)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AiInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, C 및 Sn 등의 n형 도펀트(dopent)가 도핑될 수 있다.
한편, 제1 반도체층(131) 상부에는 니켈(Ni) 등으로 전극패드(140)가 형성될 수 있고, 전극패드(140)가 형성되지 않은 제1 반도체층(121)의 표면 일부 영역 또는 전체 영역에 대해 소정의 식각 방법으로 광 추출효율을 향상시키기 위한 요철을 형성해 줄 수 있다. 또한, 전극패드(140)의 하부에는 요철이 형성될 수도 있다.
제1 반도체층(131)의 아래에는 활성층(132)이 형성될 수 있다. 활성층(132)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.
활성층(132)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다.
따라서, 더 많은 전자가 양자우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가 되어 발광효과가 향상될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
활성층(132) 아래에는 제2 반도체층(133)이 형성될 수 있다. 제2 반도체층(133)은 p형 반도체층으로 구현되어, 활성층(132)에 정공을 주입할 수 있다. 예를 들어 p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
또한 제2 반도체층(133)의 아래에는 제3 반도체층(미도시)을 형성할 수도 있다. 여기서 제3 반도체층은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다.
한편, 상술한 제1 반도체층(131), 활성층(132) 및 제2 반도체층(133)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상술한 바와는 달리 실시예에서 제1 반도체층(131)이 p형 반도체층으로 구현되고, 제2 반도체층(133)이 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.
발광 구조물(130)의 단면은 수직으로 형성될 수 있으며, 또한 경사지게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
그리고, 접착층(150)은 발광구조물(130)과 기판(110)을 본딩시킬 수 있다.
즉, 접착층(150)은 발광구조물(130)과 반사층(120) 및 전극(135)과 범프(125)를 접착함과 아울러 활성층(132)에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 제2 파장의 광을 방출하는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다.
여기서, 접착층(150)은 상기 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장을 갖는 상기 제2 파장의 광을 방출함으로써, 활성층(132)에서 상기 제2 파장의 광을 흡수하지 않음으로써 재흡수율을 저하시킬 수 있다.
또한, 접착층(150)은 상기 형광체를 포함하는 형광필름(미도시) 및 접착제 또는 접착시트를 포함할 수 있다.
상술한 접착층(150)에 대한 자세한 설명은 도 2에서 설명하기로 한다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자의 구조 및 동작에 대한 제1 실시 예를 나타내는 개념도이다.
도 2를 참조하면, 발광소자(100)는 활성층(132)에서 반사층(120) 방향으로 방출되는 제1 파장(s1)의 광을 접착층(150)에 포함된 형광체(h)가 흡수하여 제2 파장(s2)의 광을 방출하여 반사층(120)에 의해 반사되어 발광소자(100)의 상면으로 방출되도록 한다.
이때, 제2 파장(s2)의 광은 활성층(132)에서 방출되는 제1 파장(s1)의 광보다 장파장이며, 활성층(132)에서 재흡수 되지 않을 수 있다.
예를 들어, 발광소자(100)에서 백색 광을 방출하고자 하는 경우, 발광구조물(130)의 활성층(132)에서 방출되는 광이 청색광이라고 가정할 때, 접착층(150)의 형광체(h)는 적색, 녹색 및 황색 형광체 중 적어도 하나일 수 있다.
만일, 발광구조물(130)의 활성층(132)에서 자외선을 방출하는 경우, 접착층(130)은 적색, 녹색, 청색 형광체를 모두 포함하여야 하며, 적색, 녹색, 청색 형광체의 고르게 분포하는 형태일 수 있다.
이와 같이, 접착층(150)은 발광구조물(130)과 반사층(120) 및 전극(135)과 범프(125)를 서로 본딩시킬 수 있는 접착 능력을 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4는 도 1에 나타낸 발광소자의 구조 및 동작에 대한 제2, 3 실시 예를 나타내는 개념도이다.
도 3 및 도 4는 도 2에서 설명한 바와 같이, 동일한 동작을 가능하게 하며 구조가 변경된 것으로, 동일한 설명에 대한 내용은 삭제하거나 간략하게 설명한다.
도 3을 참조하면, 발광소자(100)의 접착층(150)은 형광체(h)를 포함하는 제1 층(152) 및 발광구조물(130)과 반사층(120)을 접착하는 제2 층(154)을 포함할 수 있다.
즉, 제1 층(152)는 형광체(h)의 분포가 균일한 형광필름으로 형성될 수 있으며, 제2 층(154)은 제1 층(152)을 코팅하며, 발광구조물(130)과 반사층(120)을 접착하며 전극(135)과 범프(125)를 본딩하도록 할 수 있다.
여기서, 제1 층(152)은 발광구조물(130), 즉 제2 반도체층(133)에 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면, 발광소자(100)의 접착층(150)은 형광체(h)를 포함하는 제1 층(152) 및 발광구조물(130)과 반사층(120)을 접착하는 제2 층(154)을 포함할 수 있으며, 도 3에 나타낸 바와 다르게 제1 층(152)이 반사층(120) 상에 배치되며, 제2 층(154)이 제1 층(152) 상에서 발광구조물(100)과 반사층(120)을 접착할 수 있다.
도 3 및 도 4에 나타낸 제1 층(152)은 복수의 층을 형성할 수 있으며, 도 1에서 설명한 바와 같이, 색상이 다른 복수의 형광체가 하나의 형광필름에 분포될 수 있으며, 각각 다른 형광필름에 하나의 색상을 갖는 형광체가 분포될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 도 3 및 도 4에 나타낸 제1 층(152)은 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film)일 수 있으며, 도 2 내지 도 4에 나타낸 접착층(150)은 광확산재(미도시)를 포함할 수 있을 것이다.
도 5는 제2 실시 예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이고, 도 6은 제3 실시 예에 따른 발광소자를 나타내는 단면도이고, 도 7은 제4 실시 예에 따른 발광소자를 나나태는 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 도 1 내지 도 4와 중복되는 내용에 대한 설명을 생략하거나, 간략하게 설명한다.
도 5를 참조하면, 발광소자(200)는 기판(210), 기판(210) 위에 배치되는 반사층(220), 반사층(220) 상에 배치되며, 반사층(220) 방향으로 배치된 제1, 2 전극(234, 235)을 포함하는 발광구조물(230)을 포함할 수 있다.
여기서, 발광구조물(230)은 제1 반도체층(231), 제2 반도체층(233) 및 제1, 2 반도체층(231, 233) 사이에 활성층(232)을 포함할 수 있다.
그리고, 발광구조물(230)의 일측면에는 패시베이션(245)이 배치될 수 있으며, 제1 반도체층(231) 상에는 전극패드(240)가 배치될 수 있다.
여기서, 제1, 2 전극(234, 235)은 제2 반도체층(233)에서 반사층(220) 방향으로 돌출되도록 형성되어, 반사층(220)에 배치된 범프(225)와 각각 통전되도록 본딩될 수 있다.
즉, 제1 전극(234)은 패시베이션(245)의 일측면을 통하여 전극패드(240)와 본딩됨에 따라 제1 반도체층(231)과 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.
여기서, 패시베이션(245)은 절연물질이므로, 제1 전극(234)는 제2 반도체층(233) 및 활성층(232)와 절연될 수 있다.
제2 전극(235)은 제2 반도체층(233)과 전기적으로 연결될 수 있다.
그리고, 반사층(220)과 발광구조물(230) 사이에는 접착층(250)이 배치될 수 있으며, 접착층(250)은 형광체(미도시) 및 광확산재(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
접착층(250)에 대한 구조는 도 2 내지 도 4에서 설명한 바와 동일할 수 있을 것이며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 6을 참조하면, 발광소자(300)는 기판(310), 기판(310) 상에 배치되며 범프(325)가 배치되는 반사층(320) 및 제1, 2 반도체층(331, 333) 및 제1, 2 반도체층(331, 333) 사이에 활성층(332)을 포함하며, 반사층(320) 방향으로 배치된 제1, 2 전극(334, 335)을 포함하는 발광구조물(330)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 전극(334)는 활성층(332) 및 제2 반도체층(333)을 관통하며, 내측에 절연부재(347)가 도포된 홀(미도시)을 통하여 제1 반도체층(331)과 연결된다.
즉, 제1 전극(334)는 상기 홀의 내측에 도포된 절연부재(347)에 의해 활성층(332) 및 제2 반도체층(333)과 절연될 수 있으며, 제1 반도체층(331)으로 전자를 제공할 수 있다.
이와 같이, 제1, 2 전극(334, 335)는 제2 반도체층(333) 상에 배치될 수 있을 것이다.
또한, 접착층(350)은 형광체(미도시) 및 광확산재(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 접착층(350)은 상기 형광체를 포함하는 제1 층(미도시) 및 접착시트 또는 접착제로 형성된 제2 층(미도시)을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
접착층(350)에 대한 구조는 도 2 내지 도 4에서 설명한 바와 동일할 수 있을 것이며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 7을 참조하면, 발광소자(400)은 기판(410), 기판(410) 위에 배치되는 반사층(420), 반사층(420) 상에 배치되며, 반사층(420) 방향으로 배치된 제1, 2 전극(434, 435)을 포함하는 발광구조물(430)을 포함할 수 있다.
여기서, 발광구조물(430)은 제1 반도체층(431), 제2 반도체층(433) 및 제1, 2 반도체층(431, 433) 사이에 활성층(432)을 포함할 수 있다.
그리고, 제1 반도체층(431) 상에는 전극패드(440)가 배치될 수 있다.
여기서, 제1 전극(434)는 발광구조물(430)을 관통하며, 내측에 절연부재(347)가 도포된 홀(미도시)을 통하여 전극패드(440)과 통전되어, 제1 반도체층(431)과 연결된다.
또한, 접착층(450)은 형광체(미도시) 및 광확산재(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 접착층(450)은 상기 형광체를 포함하는 제1 층(미도시) 및 접착시트 또는 접착제로 형성된 제2 층(미도시)을 포함할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
접착층(450)에 대한 구조는 도 2 내지 도 4에서 설명한 바와 동일할 수 있을 것이며, 이에 한정을 두지 않는다.
또한, 도 5 내지 도 7에 나타낸 반사층(220, 320, 420)은 2개로 이격 분리되어, 제1, 2 반도체층 각각과 통전되는 전극들 간의 단락을 방지할 수 있다.
도 8은 제5 실시 예에 따른 발광소자을 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 1 내지 도 7 에 나타낸 발광소자의 기판은 전도성 지지기판이지만, 도 8에 나타낸 기판은, 투광성 기판으로 설명한다.
또한, 도 8은 도 1 내지 도 7과 중복되는 내용의 설명을 생략하거나, 또는 간략하게 설명한다.
도 8을 참조하면, 발광소자(500)는 투광성 기판(510), 투광성 기판(510) 상에 배치되며 투광성 기판(510) 방향으로 배치된 제1, 2 전극(534, 535)을 포함하는 발광구조물(530)을 포함할 수 있다.
이때, 발광소자(500)는 투광성 기판(510)을 관통하는 범프(525)가 배치될 수 있다.
그리고, 투광성 기판(510)과 발광구조물(530) 사이에는 형광체(미도시)를 포함하는 접착층(550)이 배치될 수 있다.
접착층(550)에 대한 구조 및 설명은 도 2 내지 도 4에서 설명한 바과 동일할 수 있을 것이며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 9는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 9에 나타낸 발광소자 패키지(600)는 캐비티(611)가 형성된 몸체(610) 및 캐비티(611) 내에 실장되는 발광소자(620)를 포함할 수 있다.
여기서, 몸체(610)에는 발광소자(620)가 실장되는 리드프레임(612)을 포함할 수 있으며, 리드프레임(612)은 발광소자(620)가 실장되는 제1 리드프레임(613) 및 제1 리드프레임(613)과 이격된 제2 리드프레임(614)을 포함할 수 있다.
제1, 2 리드프레임(613, 614)은 금속 또는 도전성 재질로 형성될 수 있으며, 예를들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 리드프레임(10)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1, 2 리드프레임(613, 614)은 발광소자(620)와 다이 본딩으로 연결되며, 외부 전원(미도시)의 양(+)극및 음(-)극에 각각 연결될 때, 발광소자(620)로 전원을 공급할 수 있다.
여기서, 제1, 2 리드프레임(613, 614)에는 몸체(610)의 경사면을 따라 형성될 수 있으며, 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(620)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(620)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(620)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.
발광소자(620)는 발광 다이오드일 수 있다. 상기 발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 상기 발광 다이오드는 한개 이상 실장 될 수 있을 것이다.
그리고, 발광소자 패키지(600)는 캐비티(611)를 밀봉하는 봉지재(630)를 포함할 수 있다.
봉지재(630)는 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
여기서, 봉지재(630)는 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 또한 형광체 및 광확산재를 포함하지 않는 투광성재질이 사용될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
여기서, 발광소자(620)는 투광성 기판(710), 투광성 기판(710) 상에 배치되며, 제1 반도체층(731), 제2 반도체층(733) 및 제1, 2 반도체층(731, 733) 사이에 활성층(732)을 포함하는 발광구조물(730), 발광구조물(730)에서 투광성 기판(710) 방향으로 배치된 제1, 2 전극(734, 735) 및 투광성 기판(710)을 관통하며, 일측이 제1, 2 전극(734, 735)와 각각 본딩되며 타측이 제1, 2 리드프레임(613, 614)와 각각 본딩되는 덤프(725)를 포함할 수 있다.
발광 구조물(730)의 단면은 수직으로 형성될 수 있으며, 또한 경사지게 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
그리고, 발광소자(620)는 발광구조물(730)과 투광성 기판(710) 사이에 제1 접착층(750)이 배치될 수 있다.
여기서, 제1 접착층(750)은 발광구조물(730)과 투광성 기판(710)을 본딩시킬 수 있으며, 제1, 2 전극(734, 735)과 범프(725)를 본딩시킬 수 있다.
다시 도 9를 참조하면, 발광소자 패키지(600)는 발광소자(620)와 제1, 2 리드프레임(613, 614) 사이에 제2 접착층(760)이 배치될 수 있다.
이때, 제2 접착층(760)은 발광소자(600)의 활성층(732)에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 제2 파장의 광을 방출하는 형광체(미도시)를 포함하는 제1 층(762) 및 제1 층(762)과 제1, 2 리드프레임(613, 614) 사이에 배치되어, 발광소자(620)과 제1, 2 리드프레임(613, 614)를 본딩(접착)하는 제2 층(764)를 포함할 수 있다.
여기서, 제1, 2 층(762, 764)는 서로 반대로 배치될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 9에 나타낸 발광소자 패키지(600)에서는 제2 접착층(760)에 상기 형광체를 포함하는 것으로 설명하였으나, 제1 접착층(750)에도 형광체가 포함될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
즉, 제1, 2 접착층(750, 760) 중 적어도 하나는 형광체 및 광확산재를 포함할 수 있으며, 활성층(732)에서 방출되는 상기 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장이 광보다 장파장인 상기 제2 파장의 광을 방출하도록 함으로써, 발광소자(620)에서 재흡수되는 광을 줄일 수 있는 이점이 있다.
상기 발광소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예들의 발광소자 중 적어도 하나를 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 회로기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치, 지시장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명시스템은 램프, 가로등 등을 포함할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (23)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;
    상기 발광구조물의 일면에서 상기 기판 방향으로 배치된 전극;
    상기 기판과 상기 발광구조물 사이에 배치되며, 상기 전극과 본딩되는 범프를 포함하는 반사층; 및
    상기 발광구조물과 상기 반사층 사이에 배치되며, 상기 발광구조물에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 형광체를 포함하는 접착층;을 포함하며,
    상기 접착층은 상기 형광체를 포함하는 제1 층 및 상기 발광구조물과 상기 반사층 사이에 배치되는 제2 층을 포함하고,
    상기 제1 층은 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film)인 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전극은,
    상기 제2 반도체층 상에 배치되는 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 전극은,
    적어도 하나인 발광소자.
  4. 삭제
  5. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;
    상기 발광구조물의 일면에서 상기 기판 방향으로 배치된 전극;
    상기 기판과 상기 발광구조물 사이에 배치되며, 상기 전극과 본딩되는 범프를 포함하는 반사층; 및
    상기 발광구조물과 상기 반사층 사이에 배치되며, 상기 발광구조물에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 형광체를 포함하는 접착층;을 포함하며,
    상기 전극은 상기 제2 반도체층 상에 배치되며,
    상기 전극은 적어도 하나이며,
    상기 전극은 상기 제1 반도체층과 통전되는 제1 전극 및 상기 제2 반도체층과 통전되는 제2 전극을 포함하며,
    상기 제1 전극은 상기 제2 반도체층 및 상기 활성층을 관통하며, 내벽에 절연부재가 도포된 홀을 통하여 상기 제1 반도체층과 통전되는 발광소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 반도체층 상에 배치되며, 상기 제1 전극과 통전되는 전극패드;를 포함하는 발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 전극은,
    상기 발광구조물을 관통하며, 내벽에 절연부재가 도포된 홀을 통하여 상기 전극패드와 통전되는 발광소자.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 전극은,
    상기 발광구조물의 측면에 배치된 패시베이션 상에 배치되어 상기 전극패드와 통전되는 발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 범프는,
    전도성 재질인 발광소자.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 층은,
    접착제 또는 접착시트인 발광소자.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 층은, 상기 발광구조물의 일면에 배치되며,
    상기 제2 층은, 상기 제1 층과 상기 반사층 사이에 배치되는 발광소자.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 층은, 상기 반사층에 배치되며,
    상기 제2 층은, 상기 제1 층과 상기 발광구조물 사이에 배치되는 발광소자.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 층은,
    적색, 녹색, 청색 및 백색 형광체 중 적어도 하나
    의 형광체를 포함하는 발광소자.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 층은,
    서로 다른 파장대의 광을 방출하는 복수의 층을 포함하는 발광소자.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 층은,
    광확산재를 포함하는 발광소자.
  18. 투광성 기판;
    상기 투광성 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물;
    상기 발광구조물의 일면에 배치되며 상기 투광성 기판 방향으로 배치된 전극;
    상기 투광성 기판을 관통하며, 상기 전극과 통전되는 범프; 및
    상기 발광구조물과 상기 투광성 기판 사이에 배치되며, 상기 발광구조물에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 형광체를 포함하는 접착층;을 포함하며,
    상기 접착층은 상기 형광체를 포함하는 제1 층 및 상기 발광구조물과 상기 투광성 기판 사이에 배치되는 제2 층을 포함하고,
    상기 제1 층은 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film)인 발광소자.
  19. 투광성 기판, 상기 투광성 기판 상에 배치되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물, 상기 발광구조물의 일면에 배치되며 상기 투광성 기판 방향으로 배치된 전극, 상기 투광성 기판을 관통하며, 상기 전극과 통전되는 범프 및 상기 발광구조물과 상기 투광성 기판 사이에 배치되는 제1 접착층을 포함하는 발광소자;
    상기 발광소자가 실장되며, 상기 범프와 통전되는 리드전극을 포함하는 몸체; 및
    상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 배치되는 제2 접착층;을 포함하며,
    상기 제2 접착층은 상기 발광구조물에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 형광체를 포함하는 제1 층 및 상기 투광성 기판과 상기 몸체 사이에 배치되는 제2 층을 포함하고,
    상기 제1 층은 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film)인 발광소자 패키지.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 제1 접착층은
    상기 발광구조물에서 방출되는 제1 파장의 광을 흡수하여 상기 제1 파장의 광보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.
  21. 삭제
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 제1 층은, 상기 투광성 기판에 배치되며,
    상기 제2 층은, 상기 제1 층과 상기 몸체 사이에 배치되는 발광소자 패키지.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 제1 층은, 상기 몸체 상에 배치되며,
    상기 제2 층은, 상기 제1 층과 상기 투광성 기판 사이에 배치되는 발광소자 패키지.

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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209852A (ja) 2004-01-22 2005-08-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光デバイス
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