JP4116985B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
図17は従来の発光装置の断面図を示し、基板101の表面にn型層102と発光層103とp型層104が積層されており、これら基板101とn型層102と発光層103とp型層104とから発光部105が構成されている。
さらに、バンプ109によりそれぞれの電極106,107はサブマウント110に電気的に接続されている。
そして、発光素子108と反射器113とから発光装置115が構成されている。
本発明はこのような従来の課題を解決したもので、より発光効率の高い発光装置を実現することを目的とする。
また、発光素子の主発光面以外に光吸収部を有する構成とすることにより、発光部から放射された光が光吸収部によって遮断されないので、均一な配光分布を得ることができる。
また、光吸収部の少なくとも接続部を露出させることにより、光吸収部と外部接続部とが直接接続される。このような構成とすることにより、光吸収部が熱伝導率の高い材料である場合には光吸収部の放熱性のよさを維持させることができる。また、光吸収部が延展性の良い材料である場合には光吸収部と外部接続部との密着性の良さを維持させることができる。さらに、保護膜が絶縁材料である場合にはバンプ等の外部接続部と光吸収部とが保護膜により絶縁されることを防ぐことができる。
そして、p側ボンディング層7bの下面においてサブマウント10のバンプ11aと接している部分を接続部12とすると、接続部12以外のp側ボンディング層7bの下面の全面にRhからなる厚さ100nmの反射部8が設けられている。
さらに、SiO2からなる厚さ500nmの保護膜9が接続部12以外の反射部8の下面の全面に設けられている。
そして、基板1の裏面が上に向くように発光素子13と接続されたサブマウント10がカップ15の中に置載されている。なお、ここでいう上とは、図1のa方向とは逆の方向である。カップ15は底から開口部にかけて半径が徐々に大きくなる有底筒状であり、開口部が上、底が下になるように設けられている。カップ15は表面が銀メッキされたFeやCu等からなるカップ光反射部14cを反射部8と面する面に有している。
また、これら発光素子13と反射部8と保護膜9と反射器16とから発光装置17が構成されている。
反射部8をp側ボンディング層7bの接続部12以外の下面に設けることにより、発光部5から放射された光が反射器16に反射されて、反射部8に入射するが、反射部8によって反射され、最終的に反射器16の開口部から取り出される。よって、反射器16の開口部から取り出される光量が増加するので、発光装置17の発光効率が向上する。
図1において、基板1は、サファイア、SiC、窒化ガリウム系化合物半導体(InaAlbGa1−a−bN(但し、0≦a≦1、0≦b≦1、0≦a+b≦1))等が用いられるが、特に窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが望ましい。基板1とn型層2とが同じ窒化ガリウム系化合物となるので、基板1とn型層2との格子定数差、熱膨張係数差が小さくなり、n型層2の結晶性が向上するからである。この為、n型層2の下に積層されている発光層3やp型層4の結晶性も向上し、発光効率が向上する。窒化ガリウム系化合物半導体の中でも特に、良好な結晶性が得られやすいAlcGa1−cN(但し、0≦c≦1)が望ましい。中でも製造が比較的容易で、かつ最も良好な結晶性が得られるGaNを使用することが最も好ましい。基板1にはSiやGe等のn型不純物がドープされなくてもよいが、ドープされていた方が素子抵抗を小さくすることができる。ドープする際には、その電子濃度を1×1017cm-3以上で1×1020cm-3以下とすることが望ましい。電子濃度が1×1017cm-3以上であると、抵抗率を低くすることができ、基板1に注入された電子が基板1で広がりやすくなるからであり、1×1020cm-3以下であると、基板1の結晶性を良好な状態に保つことができるからである。また、より良好な結晶性を得る為に基板1をアンドープとしても構わない。また、基板1の厚さは50μm〜300μmが望ましい。50μmよりも厚い場合は、基板1を薄くするための研磨加工の際の割れ等を防止することができるからであり、300μm以下であるときは基板1の透光性を確保できるからである。
p型層4は、発光層3よりもバンドギャップの大きいp型の窒化ガリウム系化合物半導体が用いられる。p型層4には、GaN、AlGaN、InGaN、InAlGaN等の単層、又はこれらの層を積層したものを用いることができる。特に、発光層3に近い側のp型層4としてAlGaNを用いると、発光層3への電子の閉じ込めを効率的に行うことができ、発光効率を高くすることができるので好ましい。
p型層4に比較的高い濃度のp型不純物をドープする際は、p型不純物の発光層3への過剰な拡散を抑制する為に、発光層3とp型層4との間に中間層を導入することもできる(図示せず)。この中間層には、InAlGaNを用いることができるが、特に、GaNやAlGaNを用いると、発光層3との界面の結晶性を良好に保つことができるので好ましい。中間層は、発光層3の方向に拡散するp型不純物の吸収層としての役目を果たす為に、アンドープであることが好ましい。中間層の層厚は、1nm以上で50nm以下の範囲であることが望ましい。1nmよりも厚いとp型不純物の発光層3への拡散を抑制する効果を十分に得ることができ、50nmよりも薄いと発光層3への正孔の注入効率の低下を抑制し、発光効率の低下を防ぐことができるからである。
まず、n側電極6について説明する。
n側電極6は、上述したように、p型層4の発光層3と接している面の裏面側からp型層4と発光層3とn型層2の一部を除去させて露出されたn型層2の下に設けられている。このように発光素子13の主発光面の反対側にn側電極6を形成することにより、主発光面において発光部5から放射された光が遮断されないので、均一な面発光が得られる。
p側ボンディング層7bはn側ボンディング層6bと同様に、Au、Cu、Ni、Pt等の単体金属、又はそれらを含む合金、又はそれらを含む積層構造が好適に用いられる。また、p側ボンディング層7bの厚さは100nm〜5000nmが望ましい。100nm以上であればボンディング時の耐衝撃性を十分に得ることができ、5000nm以下であれば層の形成に必要となる原料が少なくて済むと共に、不必要に長くならなくて済むからである。
また、図6に示すように、反射部8は接続部12以外のp側ボンディング層7bの下面の全面ではなく一部に設けられていても構わない。つまり、p側ボンディング層7bの下面の一部が露出していてもよい。そのような構成とすることにより、反射部8が設けられている部分のp側ボンディング層7bによる光の吸収を抑制することができる。
反射器16は反射部8と面する面に発光部5から放射された光を反射させる光反射部14を有している。図1においては、光反射部14はサブマウント10のn側光反射部14a,p側光反射部14bとカップ15のカップ光反射部14cとから構成されている。
また、発光層3から主発光面とは逆の方向に放射された光を反射させ、主発光面に取り出す為に、発光部5内において発光層3よりも下にDBR(Distributed Bragg Reflectors)層を設けても構わない(図示せず)。DBR層は、AlN等からなる低屈折率層とGaN等からなる高屈折率層との積層周期構造である。DBR層として反射率を高める為には、低屈折率層と高屈折率層の積層周期構造を少なくとも1周期以上、好ましくは5周期以上とする。なお、DBR層は、発光素子13の抵抗率を低くする為に、不純物がドープされていても構わないし、DBR層の結晶性を高める為に、アンドープであっても構わない。
サブマウント10が設けられていない例として、図14に示すような構成が挙げられる。図14において、発光素子13とカップ15とがAuからなるバンプ11c,11dを介して接続されており、それぞれのバンプ11c,11dはカップの底15aの上に設けられたAlからなる光反射部14d,14eの上に設けられている。なお、カップの底15aを絶縁物で構成し、光反射部14dと14eとの間に溝を設けることにより、光反射部14dと14eとは絶縁されている。なお、それぞれの構成要素については、図1においての説明と同じであるので省略する。サブマウント10を設けないことにより、サブマウント10の製造コストを省くことができると共に、サブマウント10の高さ分だけ発光装置17のサイズを低くすることができる。
また、発光部5から放射される光の波長が約200nm〜550nm以外の領域、例えば、赤色光や黄色光などの可視光領域、又は赤外領域、又は遠紫外領域、又は極遠紫外領域等であっても構わない。
なお、発光層3がなくともn型層2とp型層4により発光する。つまり、基板1とn型層2とp型層4とから発光部5が構成され得る。発光層3を設けることにより、キャリアの再結合の確率が向上するので、発光効率を向上させることができる。
p側電極7からn側電極6に電流が流れる、つまり、順バイアスとなるように電流が流れると、発光層3でp−n接合におけるキャリアの再結合による発光が起こる。例えば図1中の矢印Aのように、基板1側へ放射された光は、そのまま外部へと放出される。また、例えば図1中の矢印Bのように、p側電極7側へ放射された光は、反射層7aで反射されて基板1側に向かい、反射器16の開口部から外部へ放出される。また、例えば図1中の矢印Cのように、反射器16に入射した光は、反射器16で反射されて、反射器16の開口部から外部へ放出される。また、例えば、図1中の矢印Dのように、反射器16によって反射された後に反射部8に入射した光は、反射部8によって反射され、さらに反射器16によって反射され、反射器16の開口部から外部へ放出される。
以下、本発明の発光装置17の製造方法について簡潔に説明する。
以下の説明では、主として有機金属気相成長法を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を示すものであるが、成長方法はこれに限定されるものではなく、分子線エピタキシー法や有機金属分子線エピタキシー法等を用いることも可能である。
このようにして、4層の井戸層からなるMQWを形成する。
このようにして形成した窒化ガリウム系化合物半導体からなる積層構造に対して、別途アニールを施すことなく、その表面上にCVD法によりSiO2膜を堆積させた後、フォトリソグラフィーとウェットエッチングにより略方形状にパターンニングしてエッチング用のSiO2マスクを形成させる。そして、反応性イオンエッチング法により、p型層4と中間層と発光層3とクラッド層とn型層2の一部とを約500nmの深さで積層方向と逆の方向に向かって除去させて、n型層2の表面を露出させる。
また、パターニングの際は、図16に示すように、n側バンプ11aと接続する接続部12のp側ボンディング層7bが露出するように、レジストを塗布する。
この後、基板1の裏面を研磨して100μm程度の厚さに調整し、スクライブによりチップ状に分離する。
この後、図13に示すように、発光素子13が接続されたサブマウント10を、ステム19a上に設けられたカップ15の上にAgペーストにより載置する。このような構成において、カップ15として導電性のものを用いることより、サブマウント10のn型半導体10aとステム19aとを電気的に接続する。そして、サブマウント10上のp側光反射部14bを他方のステム19bにワイヤ20で結線し、その後、発光素子13及びサブマウント10を樹脂18でモールドして照明器具を作製した。
2 n型層
3 発光層
4 p型層
5 発光部
6 n側電極
6a コンタクト層
6b n側ボンディング層
7 p側電極
7a 反射層
7b p側ボンディング層
8 反射部
9 保護膜
10 サブマウント
10a n型半導体
10b p型半導体
11 バンプ
11a n側バンプ
11b p側バンプ
12 接続部
13 発光素子
14 光反射部
14a n側光反射部
14b p側光反射部
14c カップ光反射部
15 カップ
15a カップの底
16 反射器
17 発光装置
18 樹脂
19a ステム
19b ステム
20 ワイヤ
Claims (18)
- 基板と、
前記基板の下に少なくともn型層とp型層とを有する発光部と、
前記発光部の下に、単体金属、それらを含む合金、又はそれらを含む積層構造から構成され、前記発光部から発光される下向きの光を反射する反射層と、
前記反射層の下に、単体金属、それらを含む合金、又はそれらを含む積層構造から構成され、ボンディング時の耐衝撃性を得ることができ、前記発光部から発光される光と同じ波長の光を吸収する特性を持つボンディング層と、
前記ボンディング層の少なくとも一部の下面に設けられ、前記ボンディング層よりも、前記波長の光に対する反射率の高い反射部と、
を有する発光素子を備え、
前記反射部は、透光性の物質を無視した場合に、前記発光素子の最外郭に設けられていること
を特徴とする発光装置。 - 基板と、
前記基板の下に少なくともn型層とp型層とを有する発光部と、
前記発光部の下に、単体金属、それらを含む合金、又はそれらを含む積層構造から構成され、前記発光部から発光される下向きの光を反射する反射層と、
前記発光部の前記反射層と反対側の面を主発光面とし、
前記反射層の下に、単体金属、それらを含む合金、又はそれらを含む積層構造から構成され、ボンディング時の耐衝撃性を得ることができ、前記発光部から発光される光と同じ波長の光を吸収する特性を持つボンディング層と、
前記ボンディング層の少なくとも一部の下面に設けられ、前記ボンディング層よりも、前記波長の光に対する反射率の高い反射部と、
を有する発光素子と、
前記発光素子が、その上面に置載されているサブマウントと、
底から開口部にかけて径が徐々に大きくなる有底筒状であり、前記サブマウントが、その中に置載され、前記発光部から四方八方に放射された光を、前記主発光面側に効率よく放射させるカップとを備え、
前記反射部は、透光性の物質を無視した場合に、前記発光素子の最外郭に設けられ、
前記反射部の少なくとも一部が、前記サブマウントの上面に面し、
前記サブマウントの上面の少なくとも一部に、前記発光部から放射され下向きになった光を主発光面側へ反射する光反射部を有すること
を特徴とする発光装置。 - 基板と、
前記基板の下に少なくともn型層と発光層とp型層とを有する発光部と、
前記発光部の下に、単体金属、それらを含む合金、又はそれらを含む積層構造から構成され、前記発光部から発光される下向きの光を反射する反射層と、
前記発光部の前記反射層と反対側の面を主発光面とし、
前記発光部の下に、それぞれ前記n型層と前記p型層とに電気的に接続され、単体金属、それらを含む合金、又はそれらを含む積層構造から構成され、ボンディング時の耐衝撃性を得ることができ、前記発光部から発光される光と同じ波長の光を吸収する特性を持つ2つのボンディング層と、
前記ボンディング層の少なくとも一部の下面に設けられ、前記ボンディング層よりも、前記波長の光に対する反射率の高い反射部と、
を有する発光素子と、
前記発光素子が、その上面に置載されているサブマウントと、
底から開口部にかけて径が徐々に大きくなる有底筒状であり、前記サブマウントが、その中に置載され、前記発光部から四方八方に放射された光を、前記主発光面側に効率よく放射させるカップとを備え、
前記反射部は、透光性の物質を無視した場合に、前記発光素子の最外郭に設けられ、
前記反射部の少なくとも一部が、前記サブマウントの上面に面し、
前記サブマウントの上面の少なくとも一部に、前記発光部から放射され下向きになった光を主発光面側へ反射する光反射部を有すること
を特徴とする発光装置。 - 前記ボンディング層は電極の少なくとも一部である請求項1から3のいずれか一つに記載の発光装置。
- 前記ボンディング層は、Au、Cu、Ni、Ptのうち少なくとも一つの単体金属を含む構成とする請求項1から3のいずれか一つに記載の発光装置。
- 前記発光部から放射される光の波長が200nm〜550nmである請求項1から5のいずれか一つに記載の発光装置。
- 前記発光素子は、さらに、
前記反射部の少なくとも一部を覆い、反射部に傷がつくことを防ぐ透光性の物質を有する請求項1から6のいずれか一つに記載の発光装置。 - 前記ボンディング層は、
前記発光素子の下面においてサブマウントのバンプと接する部分を接続部とすると、当該接続部以外の前記ボンディング層に前記反射部を有する請求項1から7のいずれか一つに記載の発光装置。 - 前記ボンディング層の少なくとも前記接続部が露出している前記発光素子を有する請求項8に記載の発光装置。
- 前記反射部がAg、Pt、Mg、Al、Zn、Rh、Ru、Pd、Cuのいずれか一つ、又はいずれか一つを含む合金である請求項1から9のいずれか一つに記載の発光装置。
- 前記透光性の物質がSiOx、SiNx、SiOxNyのいずれか一つを含む請求項7に記載の発光装置。
- 請求項1から11のいずれか一つに記載の発光装置を備えた照明機器。
- 請求項1から11のいずれか一つに記載の発光装置を備えた表示機器。
- 請求項1から11のいずれか一つに記載の発光装置を備えた医療機器。
- 請求項1から11のいずれか一つに記載の発光装置を備えた通信機器。
- 請求項1から11のいずれか一つに記載の発光装置を備えた撮影機器。
- 請求項1から11のいずれか一つに記載の発光装置を備えた携帯電話。
- 請求項1から11のいずれか一つに記載の発光装置を備えた殺菌装置。
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