JP2009004625A

JP2009004625A - 半導体発光装置

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Publication number: JP2009004625A
Application number: JP2007165261A
Authority: JP
Inventors: Tetsuji Matsuo; 哲二松尾; Shiro Takeda; 四郎武田
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 2007-06-22
Filing date: 2007-06-22
Publication date: 2009-01-08
Also published as: KR100950137B1; TW200913318A; US8120049B2; US20080315232A1; KR20080112947A; TWI365548B

Abstract

【課題】半導体発光装置に発光効率の向上及び均一の指向性が要求されている。
【解決手段】半導体発光装置は、光を吸収する材料で形成されている基板１と、発光半導体領域２と、第１の電極３と、第２の電極４と、光透過性を有し且つ基板１及び発光半導体領域２を覆っている包囲体５と、光反射層６と、金属支持板７と、端子８と、接続導体９とを備えている。基板１の側面に凹凸面１３が形成されている。基板１の側面に凹凸面１３の上に光反射層６が形成されている。光反射層６に光散乱用の凹凸面２３が形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光効率又は指向性が改善された半導体発光装置に関する。

従来の典型的な半導体発光素子は、基板と、この基板の一方の主面上の配置された発光半導体領域と、この発光半導体領域の一方の主面に電気的に接続された一方の電極と、発光半導体領域の他方の主面に電気的に接続された他方の電極と、基板及び前記発光半導体領域を包囲し且つ光透過性を有している包囲体とから成る。

半導体発光素子の基板は光透過性が良いサファイア等の絶縁材料、又はシリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）系化合物半導体、ガリウムリン（ＧａＰ）系化合物半導体等の導電性材料で形成される。導電性基板は半導体発光素子の駆動電流の通路として使用できる点、及び安価である点でサファイア基板よりも優れている。しかし、導電性基板は比較的大きな光吸収性を有する点でサファイア基板よりも劣っている。比較的大きい光吸収性を有する基板を使用して半導体発光素子を形成すると、発光半導体領域から基板側に放射された光の大部分が基板で吸収され、発光効率が低下する。

この問題を解決するために発光半導体領域と基板との間に光反射層を介在させ、発光半導体領域から基板側に放射された光を光反射層で反射させて発光半導体領域の光取り出し面側に戻して発光効率を向上させる方法が例えば特開２００５―２７７３７２号公報等で知られている。

ところで、Ｓｉ基板等の光吸収率の大きい基板を使用した半導体発光装置において、発光半導体領域から包囲体内に放射された光の一部が包囲体内で反射し、しかる後、基板に入射し、基板で吸収され、発光効率の低下を招くことが判明した。この現象による発光効率の低下は特許文献１の方法で抑制することができない。

半導体発光装置には、発光効率の向上の他に、指向性の均一化（均一の指向性）も要求される。指向性の均一化とは、所定の照明範囲において光強度のバラツキを少なくすることを意味している。指向性の均一化は、半導体発光素子を特に照明装置又はこれに類似の装置に使用する場合に要求される。特許文献１の方法では均一の指向性を得ることができない。

光透過性を有するサファイア基板を使用した半導体発光素子の発光効率を向上させるために、発光半導体領域から発生した光を、サファイア基板を介して外に取り出すように半導体発光素子を構成し、サファイア基板の側面からの光の漏れを防ぐためにサファイア基板の外縁近傍にＶ字状溝を形成し、このＶ字状の溝の中に反射膜を配置し、光の取り出し量を増大させる方法が特開２００４―５５８１６号公報（特許文献２）に開示されている。
しかし、この特許文献２に開示されている技術は、発光半導体領域及び基板内の光の側方への放出を阻止して発光効率を向上させることに関するものであって、包囲体内で反射した光が基板で吸収することを防ぐものではない。
特開２００５―２７７３７２号公報特開２００４―５５８１６号公報

本発明が解決しょうとする課題は、光吸収性を有する基板を使用した半導体発光装置において、発光効率の向上及び／又は均一の指向性が要求されていることであり、本発明の目的は、この要求に応えることができる半導体発光装置を提供することである。

上記課題を解決するための本発明は、
一方の主面と他方の主面と側面とを有している基板と、
前記基板の前記一方の主面上に配置された発光半導体領域と、
前記発光半導体領域に電気的に接続された第１及び第２の電極と、
前記基板及び前記発光半導体領域を包囲し且つ光透過性を有している包囲体と、
前記包囲体で包囲されている前記基板の表面の少なくとも一部に配置され、且つこの配置位置が前記発光半導体領域から前記包囲体内に放射された光の一部が入射することが可能な位置に決定されている光反射層と
を備えていることを特徴とする半導体発光装置に係わるものである。

なお、請求項２に示すように、前記光反射層の表面に光散乱用の凹凸が形成されていることが望ましい。
また、請求項３に示すように、前記基板の露出面に凹凸が形成され、前記光反射層は前記基板の凹凸を有する面上に配置され且つ表面に光散乱用の凹凸を有していることが望ましい。
また、請求項４に示すように、前記光反射層は前記基板の前記側面の少なくとも一部に配置されていることが望ましい。
また、請求項５に示すように、前記光反射層は、前記基板の前記一方の主面の少なくとも一部に配置されていることが望ましい。
また、請求項６に示すように、前記光反射層は前記基板の前記側面の少なくとも一部と前記基板の一方の主面の少なくとも一部との両方に配置されていることが望ましい。
また、請求項７に示すように、前記基板の前記側面が傾斜面であることが望ましい。
また、請求項８に示すように、更に、前記基板と前記発光半導体領域との間に配置された別の光反射層を有していることが望ましい。
また、請求項９に示すように、前記基板の前記一方の主面上に複数の発光半導体領域が配置されていることが望ましい。
また、請求項１０に示すように、前記基板は導電性を有し、
前記第１の電極は前記発光半導体領域の一方の主面に接続され、前記第２の電極は前記基板に接続されていることが望ましい。
また、請求項１１に示すように、前記発光半導体領域は少なくとも第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とを有し、前記第１の電極は前記第１導電型半導体層に接続され、前記第２の電極は前記第２導電型半導体層に接続されていることが望ましい。
また、請求項１２に示すように、前記基板は第１及び第２の導体層を有し、前記第１及び第２の電極は前記第１及び第２の導体層に電気的及び機械的に結合されていることが望ましい。

基板に設けられた光反射層は、包囲体から基板に向う光を反射させる。これにより、基板による光吸収が抑制され、発光効率が向上する。また、光反射層も光源の一部のように機能するために指向性の均一化が達成される。このような指向性の均一化が達成されると、照明の均一性が向上する。
また、本発明の好ましい具体例に従って光反射層に凹凸（粗面）を形成すると、光の散乱が生じ、指向性の均一化が更に改善される。

次に、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。

図１に概略的に示す実施例１に従う半導体発光装置は、基板１と、発光半導体領域２と、第１の電極３と、第２の電極４と、光透過性を有している包囲体５と、本発明に従う光反射層６と、金属支持板７と、端子８と、接続導体９とを備えている。以下、これ等を詳しく説明する。

基板１は、発光半導体領域２の機械的支持基板、及び発光半導体領域２の成長基板の機能を有し、一方の主面１０と他方の主面１１とこれ等の間の側面１２とを備え、全体として四角柱状に形成されている。なお、もし、ウエーハを分割して基板１を得る時に側面１２が傾斜すれば、基板１は四角錐台状になる。また、基板１を円柱状又は円錐台状又は四角形以外の角柱状又は角錐台状等に変形することができる。この実施例では、半導体発光装置のコストの低減を図るため及び基板１を電流通路として使用するために、基板１が導電性を有するシリコンで形成されている。シリコンは既に説明したようにサファイアよりも大きい光吸収率を有する。なお、基板１をシリコン以外のＧａＡｓ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、金属、又は絶縁物で形成することができる。要するに、基板１が発光半導体領域２から放射された光を吸収する材料で形成されている全ての半導体発光装置に本発明を適用することができる。
本実施例では、基板１の側面１２に図１で概略的に示す凹凸面（粗面）１３が形成されている。この凹凸面１３の詳細は追って説明する。

基板１の一方の主面１０上に配置された発光半導体領域２はエピタキシャル成長領域又は主半導体領域と呼ぶこともできるものであって、バッファ層１４とｎ型半導体層１５と活性層１６とｐ型半導体層１７とを有する。
バッファ層１４は、基板１の上にAlNとGaNとを交互に複数回エピタキシャル成長させた多層構造バッファである。勿論、AlN及びGaNの代りに別の窒化物半導体を使用して多層構造バッファを構成すること、又はバッファ層１４をＡｌＮ等の窒化物半導体の単層バッファ層にすること、又はバッファ層１４を省き、基板１の上にｎ型半導体層１５を直接に形成することもできる。また、バッファ層１４を発光半導体領域２の中に含めないで独立に示すこともできる。
ｎ型半導体層１５はn型クラッド層又は第１導電型半導体層と呼ぶこともできるものであって、バッファ層１４の上に例えばn型窒化物半導体（例えばn型GaN）をエピタキシャル成長させることによって形成されている。
活性層１６はダブルへテロ接合型半導体発光素子を構成するためのものであって、ｎ型半導体層１５の上に例えば不純物が添加されていない窒化物半導体（例えばInGaN）をエピタキシャル成長させることによって形成されている。図１では図示を簡略化するために活性層１６が１つの層で示されているが、実際には周知の多重量子井戸構造を有している。勿論、活性層１６を単一の半導体層とすることもできる。また、ダブルへテロ接合型半導体発光素子が要求されない場合には、活性層１６を省いてｎ型半導体層１５にｐ型半導体層１７を直接に接触させることもできる。
ｐ型半導体層１７はｐ型クラッド層又は第２導電型半導体層と呼ぶこともできるものであって、活性層１６の上に例えばｐ型窒化物半導体（例えばp型GaN）をエピタキシャル成長させることによって形成されている。なお、ｐ型半導体層１７の上に、更に、例えばｐ型窒化物半導体層（例えばｐ型GaN）から成る周知の電流分散層又はオーミックコンタクト層を配置することもできる。

発光半導体領域２は活性層１６から発生した光の大部分を外部に取り出すための一方の主面１８と基板１の一方の主面１０に接触している他方の主面１９と側面２０とを有する。この実施例では活性層１６から発生した光は発光半導体領域２の一方の主面１８のみでなく、発光半導体領域２の側面２０を通しても外部に取り出される。

第１の電極３はアノード電極として機能するものであって、発光半導体領域２の一方の主面１８の中央に形成され、接続導体９によって端子８に接続されている。第２の電極４はカソード電極として機能するものであって、基板１の他方の主面１１に形成され、導電性接合材２１によって金属支持板７に電気的及び機械的に結合されている。金属支持板７は、基板１及び発光半導体領域２の機械的支持機能を有する他に、電気的接続機能及び放熱機能を有する。なお、金属支持板７は、絶縁体２２によって端子８から電気的に分離されている。

鎖線で示す包囲体５は例えば１．５程度の光屈折率を有する光透過性保護樹脂（例えばエポキシ樹脂）から成り、基板１、発光半導体領域２、及び光反射層６を包囲している。

基板１の側面１２の凹凸面（粗面）１３はこの上に形成される光反射層６の凹凸面（粗面）２３を得るためのものであり、多数の凹凸部を有する。基板１の側面１２の凹凸面（粗面）１３及び光反射層６の凹凸面（粗面）２３における凹部は、光の散乱のために１００ｎｍ〜１０μｍの深さ、２００ｎｍ〜２０μｍの幅を有していることが望ましく、光の散乱効果をより大きく得るために０．５〜１．０μｍの深さ、０．７〜１．５μｍの幅を有していることがより望ましい。なお、光反射層６に光の散乱が要求されない場合は、基板１の側面１２及び光反射層６の表面を平坦面とすることができる。

図１に示す基板１及び発光半導体領域２はウエーハを切断することによって形成されている。即ち、図１に示す発光素子チップを得る時には、図１に示す基板１及び発光半導体領域２を複数個得ることができるウエーハを用意し、先ず、広い面積を有する発光半導体領域をエッチング（ドライエッチング又はウエットエッチング）によって複数の発光半導体領域２に分離する。次に、比較的太い幅（例えば４０〜６０μｍ）のブレード（刃）でウエーハの基板をハーフダイシングする。ウエーハの基板をブレード（刃）でダイシングすると、特別な粗面加工を伴わないで図１の基板１の側面１２に概略的に示す凹凸面（粗面）１３が得られる。凹凸面１３における凹凸は１００ｎｍ〜１０μｍの深さ、２００ｎｍ〜２０μｍの幅を有する。図１においては図示を簡単にするために、凹凸面１３を無視した場合における側面１２の角度（平均角度）がほぼ垂直に示されているが、実際には例えば８０〜８５度の傾斜を有する。ハーフダイシングのためにウエーハの基板に例えば５０〜１００μｍ程度の未切断部分即ち残存部分が生じる。この残存部分は図１の光反射層６の形成工程後に、比較的細い幅（例えば３０μｍ以下）のブレードで切断される。基板の残存部分を、周知のブレーキング法で切断することもできる。

図１に説明的（概略的）に示す光反射層６は、基板１よりも反射率が大きい材料から成る。この光反射層６は、Ａｌ又はＡｌ合金，Ａｇ又はＡｇ合金，Ｔｉ又はＴｉ合金等の金属又は合金単層膜、又はこれらの多層膜、又は酸化物多層膜（例えば酸化ケイ素と酸化ジルコニアの多層膜）であることが望ましい。
この実施例では、ウエーハの基板をハーフダイシングした状態で、ウエーハの露出面に光反射材料を被着（例えば蒸着）し、しかる後フォトリソグラフィ工程で被着膜を選択的に除去することによって図１に示す光反射層６が形成されている。基板１の側面１２の凹凸面１３の上に光反射材料を被着すると、光反射層６にも基板１の側面１２の凹凸面１３に対応した光散乱用の凹凸面２３が得られる。光反射層６における光散乱用の凹凸面２３の凹凸の深さ及びピッチは基板１の側面１２の凹凸面１３の凹凸の深さ及びピッチとほぼ同一である。光反射層６の配置位置は、発光半導体領域２から包囲体５内に取り出され光の一部が、包囲体５の外周面（空気との界面）等で反射し、光反射層６に入射する位置に決定されている。
光反射層６の形成工程後に、ウエーハの基板の残存部分を切断して、図１に示す発光素子チップを得る。

本実施例によれば次の効果が得られる。
（１）図１において鎖線５０で説明的に示すように発光半導体領域２から包囲体５内に取り出され、包囲体５の外周面（空気との界面）で反射し、光反射層６に至った光は、基板１の中に入り込まないで、光反射層６で反射され、包囲体５の中に戻され、外に取り出される。この結果、基板１における光吸収による損失が低減し、発光効率（光取り出し効率）が向上する。
（２）光反射層６が、見かけ上、光源のように機能するので、指向性の均一性が向上する。
（３）光反射層６に凹凸面２３が形成されているので、この凹凸面２３において光散乱が生じ、指向性の均一性が更に向上する。これにより、照明装置に好適な半導体発光装置を提供することができる。
（４）ブレードよるハーフダイシング時に生じる凹凸を利用して光反射層６の凹凸面２３を形成するので、凹凸面２３を容易に得ることができる。

次に、図２に示す実施例２の半導体発光装置を説明する。但し、図２及び後述する図３〜図７において図１と実質的に同一の部分には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。図２に示す実施例２の半導体発光装置は、変形された光反射層６ａを有する点を除いて、図１の実施例１の半導体発光装置と同一に形成されている。

図２の光反射層６ａは基板１の側面１２の一部のみでなく上方から見て露出した基板１の一方の主面１０の一部上にも形成され、基板１の凹凸面１３に対応した凹凸面２３を有する。図２の光反射層６ａは基板１の一方の主面１０の一部にも形成されているので、図１の光反射層６よりも広い反射面積を有する。また、基板１の一方の主面１０に図１に示す包囲体５から入射する光を基板１の上方に反射させることができる。従って、図２に示す実施例２の半導体発光装置によれば、前述の実施例１の効果（１）〜（４）を得らことができ、更に発光効率及びな指向性の均一化を改善することができる。

図３に示す実施例３の半導体発光装置は、変形された発光半導体領域２ａが設けられている点、追加の光反射層２４が設けられている点及び、張り合わせ層２５，２６によって光反射層２４を伴った発光半導体領域２ａが基板１に張り合わせられている点を除いて、図１の実施例１の半導体発光装置と同一に形成されている。

発光半導体領域２ａは、図１の発光半導体領域２からバッファ層１４を除いたものに相当する。追加の光反射層２４は発光半導体領域２の他方の主面１９に電気的及び機械的に結合されており、例えばＡｌ，Ａｇ等の金属層で形成され、基板１よりも大きい光反射率を有する。この光反射層２４は第１及び第２の張り合わせ層２５、２６を介して基板１に結合されている。第１及び第２の張り合わせ層２５、２６は例えばＡｕ等の金属から成る。

図３に示す実施例３の半導体発光装置によれば、前述の実施例１の効果（１）〜（４）が得られるのみでなく、発光効率を更に向上させる効果も得られる。即ち、追加の光反射層２４を有するので、活性層１６から放射されて基板１に向う光が光反射層２４で反射されて発光半導体領域２側に戻され、基板１で吸収されない。従って、発光効率が更に向上する。

図４に示す実施例４の半導体発光装置は、基板１が傾斜側面１２ａを有する点を除いて、図１の実施例１の半導体発光装置と同一に形成されている。傾斜側面１２ａは、傾斜の強い（例えば４５〜８０度）のブレードを使用してウエーハ（基板）をハーフダイシング又はフルダイシングすることによって得られる。勿論、基板１の傾斜側面１２ａをエッチング等の別の方法で形成することもできる。基板１の傾斜側面１２ａを覆う光反射層６は、基板１の傾斜側面１２ａの凹凸面１３に対応する凹凸面２３を有し、基板１の側面１２が垂直の場合に比べて光を上方に良好に反射する。この図４に示す実施例４によっても図１の実施例１と同様な効果を得ることができる。なお、図２及び図３の基板１が側面１２を図４と同様な傾斜側面に変形することもできる。

図５は実施例５の半導体発光装置の製造方法を示す。この実施例５では、エッチングによって基板１及び発光半導体領域２を含むウエーハ３０にＶ字状溝３１が形成されている。このＶ字状溝３１の壁面に光散乱用の凹凸面（粗面）を得るために多数の開口３３を有するレジストマスク３２がＶ字状溝３１の側壁及び発光半導体領域２の主面に形成されている。図５に示すものにドライエッチング（例えばプラズマエッチング）又はウエットエッチングを施すと、レジストマスク３２の開口３３を通して基板１がエッチングされ、図１に示した凹凸面（粗面）１３と同様なものが基板１のＶ字状溝３１の壁面に得られる。しかる後、図１の光反射層６と同様なものを形成し、ウエーハ３０を個別チップに分割する。これにより、図１の実施例１と同様な効果を有する半導体発光装置を提供することができる。なお、図５のＶ字状溝３１をブレードで形成することもできる。また、図３の光反射層２４に相当するものを図５の半導体発光装置に設けることができる。

図６は実施例６の半導体発光装置の製造方法を示す。この実施例６では、図５と同様にＶ字状溝３１を形成した後に、Ａｇ（銀）の凝集を利用してＶ字状溝３１の側壁及び発光半導体領域２の主面に多数の粒状体（凝集体）４１を形成し、この多数の粒状体（凝集体）４１をマスクとして使用してエッチング（ドライエッチング）することによってＶ字状溝３１の側壁及び発光半導体領域２の主面に凹凸面（粗面）を形成する。この凝集体を使用して凹凸面（粗面）を形成する方法の詳細を次に説明する。

図６のＡｇの粒状体（凝集体）４１を形成するために、先ず、ウエーハ３０の一方の主面即ちＶ字状溝３１の側壁及び発光半導体領域２の主面１８に熱処理によって粒状化即ち凝集し易い金属材料であるAgを例えば真空蒸着装置を使用して被着させる。図６では発光半導体領域２の主面１８及び側面２０にも粒状体（凝集体）４１が形成されているが、発光半導体領域２に凹凸面（粗面）を形成することが不要の場合には、基板１の溝３１の側壁以外をレジストで覆うことができる。Ａｇ膜の好ましい厚みは２〜１００nm（２０〜１０００Å）、より好ましい厚みは１０〜３０nmであり、この実施例における厚みは２０nmである。Ａｇ膜の厚みは目標とする粒子の大きさによって調整される。Ａｇ膜の厚みが１００nmよりも厚くなると、粒状体（凝集体）と粒状体（凝集体）とが繋がるような凝集不良が多くなり、また２nmよりも薄くなると、目標とする大きさの粒子を得ることが困難になる。なお、Ag膜の代わりにAg合金、又はAl(アルミニウム)、又はCu（銅）、又はAu（金）、又はこれらの合金から成る膜を形成することもできる。また、Ａｇ膜を周知のスパッタリング方法、電子ビーム蒸着方法、塗布等の別の方法で形成することもできる。

この実施例では真空蒸着法でＡｇ膜を形成する時のウエーハ３０の温度を室温としたが、室温〜１５０℃位にすることもできる。また、Ａｇ膜を形成する時のウエーハ３０の温度をＡｇ膜が凝集する温度（例えば１５０〜５００℃）とし、Ａｇ膜形成と同時に凝集させることができる。
次に、Ａｇ膜を伴ったウエーハ３０を半導体の分野で一般に使用されている熱処理炉に入れて、Ａｇ膜を伴ったウエーハ３０に対して大気中で例えば３００℃の熱処理を施してＡｇ膜を図３に概略的に示す多数の粒状体（凝集体）４１に変化させる。熱処理でAgを凝集させるための好ましい温度は２５０〜３５０℃である。

多数の粒状体４１は、溝３１の側壁及び発光半導体領域２の主面１８上に不規則に分布する。粒状体４１の粒径はＡｇ膜の厚みに比例的に変化する。Ag膜の厚みが２０nmの場合には、粒径は５０〜２００nmの範囲であり、平均粒径は約１３０nmである。もし、Ag膜の厚みが５０nmよりも厚くなると、凝集のための加熱処理を施しても独立した多数の粒状体４１を形成することが困難になり、粒状体４１の相互間の繋がりが生じ、Agが網目状に分布した状態が生じる。また、Aｇ膜の厚みが１００nmよりも厚い時には、熱処理を施した時にウエーハ３０の主面上にAgの厚い部分が網目状に生じ、この厚い部分以外が薄いAgで覆われ、マスクとして使用可能な粒状体（凝集体）が得られない。従って、Ag膜の好ましい厚みの範囲は前述した２〜１００nmである。厚み２０nmのAg膜の凝集に基づく粒状体４１の１μm²当たりの個数は４〜１５である。粒状体４１の単位面積当たりの個数はＡｇ膜の厚みに対して反比例的に変化する。粒状体４１はウエーハ３０の表面上に不規則に分布するが、ウエーハ３０の表面全体で見ると、比較的均一性のよい状態で分布する。

図３に示すように粒状体（Ag粒）４１は、ウエーハ３０の選択的エッチングのマスクとしての機能を有する。即ち、粒状体４１をマスクとしてウエーハ３０の露出面を選択的エッチングすることができる。そこで、本実施例では、周知のドライエッチング（プラズマエッチング）法でウエーハ３０の粒状体４１で覆われていない部分を１０〜３０min程度の時間エッチングして図１に説明的に示す凹凸面１３に相当するものを形成する。図６の方法では発光半導体領域２の主面１８及び側面２０にも凹凸面が生じる。この凹凸面は発光半導体領域２と包囲体５との間の全反射を抑制し、発光効率を向上するために寄与する。
次に、ドライエッチング後のAgから成る粒状体４１を、Agのためのエッチング液、例えば、塩化水素（HCｌ）と水とからなるエッチング液、又は水酸化アンモニウム（NH₄OH）と過酸化水素（H₂O₂）と水（H₂O）とから成るエッチング液によって室温で２分間エッチング処理して除去する。

図１に説明的（概略的）に示す光反射層６を得る時には、図６に示すウエーハ３０における基板１及び発光半導体領域２の露出面に光反射材料を被着（例えば蒸着）し、しかる後フォトリソグラフィ工程で被着膜を選択的に除去する。基板１の側面１２に凹凸面１３が形成されているので、図１に示す光反射層６と同様なものにも基板１の側面１２に凹凸面１３に対応した光散乱用の凹凸面２３が得られる。しかる後、ウエーハ３０を溝３１で分断し、複数のチップを得る。
図６の実施例６は、図１の実施例１と同様な効果を有する他に、粒状体（凝集体）４１を使用して光反射層に凹凸面を容易に形成できるという効果も有する。

図７に示す実施例７の半導体発光装置は、１つの基板１の上に複数の発光半導体領域２を有する点、及び基板１の主面１０に凹凸面５１を有し、この凹凸面５１の上に光散乱用の凹凸面５２を有する光反射層６ｅを有する点を除いて、図１の実施例１の半導体発光装置と同一に形成されている。なお、基板１の側面１２及び基板１の主面に延在する部分に図２と同様に光散乱用の凹凸面２３を有する光反射層６ｄが形成されている。
図７に示す実施例７は、図１及び図２の実施例１及び２と同様な効果を有する他に、複数の発光半導体領域２の相互間の光反射層６ｅによって光散乱効果が更に良くなり、光の指向性の均一化が更に良くなるという効果を有する。

図８に示す実施例８の半導体発光装置は、変形された発光半導体領域２ｂを設けた点、第２の電極４の形成位置を変えた点、絶縁性基板１ａを設けた点を除いて図１の実施例１の半導体発光装置と同様に形成されている。発光半導体領域２ｂは段部１５ａを有する。この段部１５ａはｎ型半導体領域１５及びバッファ層１４を、活性層１６及びｐ型半導体層１７よりも横方向に突出させることによって形成されている。第２の電極４は段部１５ａに配置され、ｎ型半導体層１５に接続されている。発光半導体領域２ｂは絶縁性基板１ａ上に配置されている。
なお、バッファ層１４に段部１５ａと同様なものを形成し、ここに第２の電極４を接続することもできる。また、基板１ａを導電性基板とすることもできる。
図８の実施例８においても基板１ａの側面１２に光反射層６が図１と同様に形成されているので、実施例１と同様な効果を得ることができる。また、第１及び第２の電極３，４が同一方向に露出しているので、外部回路への接続が容易になる。また、ｎ型半導体層１５に第２の電極４を接続したので、第１及び第２の電極３，４間の抵抗値が小さくなる。
なお、図２〜図７の実施例２〜７にも図８の第２の電極４の配置を適用することができる。

図９に示す実施例９の半導体発光装置は、変形された発光半導体領域２ｃを設けた点、絶縁性基板１ｂを設けた点、及び発光半導体領域２ｃと基板１ｂとの接続形態を変えた点を除いて図１と同様に形成されている。
図９の発光半導体領域２ｃは、段部１５ａを有する点、及びバッファ層１４を有さない点で図１の発光半導体領域２と相違している。第２の電極４は発光半導体領域２ｃの段部１５ａに設けられている。絶縁性基板１ｂの一方の主面１０に第１及び第２の導体層６１，６２が設けられている。発光半導体領域２ｃの一方の主面１８の第１の電極３はバンプ電極６３を介して基板１ｂの第１の導体層６１に電気的及び機械的に結合されている。発光半導体領域２ｃの段部１５ａの第２の電極４はバンプ電極６４を介して基板１ｂの第２の導体層６２に電気的及び機械的に結合されている。図９の半導体発光装置においては、発光半導体領域２ｃの他方の主面１９側から包囲体（図示せず）中に光が取り出される。
発光半導体領域２ｃの一方の主面１８及び側面２０に絶縁膜６５が設けられている。基板１ｂの一方の主面１０にも選択的に絶縁膜６６が設けられている。図９の実施例９の半導体発光装置においては、基板１ｂの側面１２の全部に光反射層６が設けられている。
なお、発光半導体領域２ｃの他方の主面１９に鎖線で示すように光透過性基板６７を設けることができる。

図９の実施例９の半導体装置は、実施例１と同様な光反射層６を有するので、実施例１と同様な効果を得ることができる。なお、図２〜７の実施例２〜７にも図９のバンプ電極６３、６４による結合構造を適用できる。

本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なものである。
（１）発光半導体領域２，２ａを、ＡｌＧａＩｎＰ，ＡｌＧａＡＳ，ＧａＰ等の別の材料にすることができる。
（２）発光半導体領域２，２ａの一方の主面１８上に例えばITOからなる光透過性導電膜を設け、光透過性導電膜の表面に全反射防止用の粗面を形成することができる。
（３）図３に示す追加に光反射層２４を図２、図４〜図９の実施例２，４〜９にも適用することができる。
（４）ウエーハをハーフダイシングする代わりにフルダイシングすることができる。なお、ウエーハ（基板）をフルダイシングする時には、フルダイシング後にウエーハが複数のチップに分離されることを防ぐためにウエーハの下面にダイシングテープ（粘着テープ）を貼り付けておくことが望ましい。
（５）基板１の側面１２に凹凸面１３を形成するために例えばフッ酸と硝酸と水から成る液で基板１の側面１２をウェットエッチングすることができる。

本発明の実施例１に従う半導体発光装置を示す断面図である。本発明の実施例２に従う半導体発光装置の一部を示す断面図である。本発明の実施例３に従う半導体発光装置の一部を示す断面図である。本発明の実施例４に従う半導体発光装置の一部を示す断面図である。本発明の実施例５に従う半導体発光装置の製造中の状態を示す断面図である。本発明の実施例６に従う半導体発光装置の製造中の状態を示す断面図である。本発明の実施例７に従う半導体発光装置の一部を示す断面図である。本発明の実施例８に従う半導体発光装置の一部を示す断面図である。本発明の実施例９に従う半導体発光装置の一部を示す断面図である。

符号の説明

１基板
２発光半導体領域
６光反射層
２３凹凸面

Claims

一方の主面と他方の主面と側面とを有している基板と、
前記基板の前記一方の主面上に配置された発光半導体領域と、
前記発光半導体領域に電気的に接続された第１及び第２の電極と、
前記基板及び前記発光半導体領域を包囲し且つ光透過性を有している包囲体と、
前記包囲体で包囲されている前記基板の表面の少なくとも一部に配置され、且つこの配置位置が前記発光半導体領域から前記包囲体内に放射された光の一部が入射することが可能な位置に決定されている光反射層と
を備えていることを特徴とする半導体発光装置。
前記光反射層の表面に光散乱用の凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
前記基板の露出面に凹凸が形成され、前記光反射層は前記基板の凹凸を有する面上に配置され且つ表面に光散乱用の凹凸を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
前記光反射層は前記基板の前記側面の少なくとも一部に配置されていることを特徴とする請求項１又は２又は３記載の半導体発光装置。
前記光反射層は、前記基板の前記一方の主面の少なくとも一部に配置されていることを特徴とする請求項１又は２又は３記載の半導体発光装置。
前記光反射層は前記基板の前記側面の少なくとも一部と前記基板の一方の主面の少なくとも一部との両方に配置されていることを特徴とする請求項１又は２又は３記載の半導体発光装置。
前記基板の前記側面が傾斜面であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに１つに記載の半導体発光装置。
更に、前記基板と前記発光半導体領域との間に配置された別の光反射層を有していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記基板の前記一方の主面上に複数の発光半導体領域が配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記基板は導電性を有し、
前記第１の電極は前記発光半導体領域の一方の主面に接続され、前記第２の電極は前記基板に接続されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記発光半導体領域は少なくとも第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とを有し、前記第１の電極は前記第１導電型半導体層に接続され、前記第２の電極は前記第２導電型半導体層に接続されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
前記基板は第１及び第２の導体層を有し、前記第１及び第２の電極は前記第１及び第２の導体層に電気的及び機械的に結合されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１つに記載の半導体発光装置。