JP2000031540A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法Info
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- JP2000031540A JP2000031540A JP11172170A JP17217099A JP2000031540A JP 2000031540 A JP2000031540 A JP 2000031540A JP 11172170 A JP11172170 A JP 11172170A JP 17217099 A JP17217099 A JP 17217099A JP 2000031540 A JP2000031540 A JP 2000031540A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧaＮ 系の化合物半導体を用いた青色の発光
ダイオードにおいて、側壁側へ漏れる光を光取り出し方
向に導いて発光効率を上昇させること。 【構成】 発光ダイオード１０はｉ層５の電極形成部分
を残しそのｉ層５側から高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極
形成面までエッチングを施して光取り出し方向に沿った
断面形状を上記ｉ層５の電極７部分を上底とするメサ
（台形）形状とする。そして、光取り出し方向と反対側
でｉ層５の電極７及び高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８
部分を除いて上記ｉ層５、上記高キャリヤ濃度ｎ+ 層３
及び上記メサ部分の表面に絶縁性反射膜９が形成され
る。これにより、発光ダイオード１０は光取り出し方向
と大きく異なる側壁側への光漏れがなくなり、即ち、絶
縁性反射膜９により光の取り出し効率が上昇する。
ダイオードにおいて、側壁側へ漏れる光を光取り出し方
向に導いて発光効率を上昇させること。 【構成】 発光ダイオード１０はｉ層５の電極形成部分
を残しそのｉ層５側から高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極
形成面までエッチングを施して光取り出し方向に沿った
断面形状を上記ｉ層５の電極７部分を上底とするメサ
（台形）形状とする。そして、光取り出し方向と反対側
でｉ層５の電極７及び高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８
部分を除いて上記ｉ層５、上記高キャリヤ濃度ｎ+ 層３
及び上記メサ部分の表面に絶縁性反射膜９が形成され
る。これにより、発光ダイオード１０は光取り出し方向
と大きく異なる側壁側への光漏れがなくなり、即ち、絶
縁性反射膜９により光の取り出し効率が上昇する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、青色発光の窒化ガリウ
ム系化合物半導体発光素子に関する。
ム系化合物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとして窒化ガ
リウム(ＧaＮ）系の化合物半導体を用いたものが知られ
ている。そのＧaＮ 系の化合物半導体は直接遷移である
ことから発光効率が高いこと、光の３原色の１つである
青色を発光色とすること等から注目されている。図４に
示したように、ＧaＮ 系の化合物半導体を用いた発光ダ
イオード４０は、サファイヤ基板４１上に窒化アルミニ
ウム(ＡlＮ）から成るバッファ層４２が形成されてい
る。そのバッファ層４２上には、順に、ＧaＮ から成る
高キャリヤ濃度ｎ+ 層４３とＧaＮ から成る低キャリヤ
濃度ｎ層４４及びＧaＮ から成るｉ層４５が形成されて
いる。そして、ｉ層４５に接続するアルミニウム（Ａl)
で形成された電極４７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層４３に接
続するアルミニウムで形成された電極４８とが形成され
た構造をとっている。
リウム(ＧaＮ）系の化合物半導体を用いたものが知られ
ている。そのＧaＮ 系の化合物半導体は直接遷移である
ことから発光効率が高いこと、光の３原色の１つである
青色を発光色とすること等から注目されている。図４に
示したように、ＧaＮ 系の化合物半導体を用いた発光ダ
イオード４０は、サファイヤ基板４１上に窒化アルミニ
ウム(ＡlＮ）から成るバッファ層４２が形成されてい
る。そのバッファ層４２上には、順に、ＧaＮ から成る
高キャリヤ濃度ｎ+ 層４３とＧaＮ から成る低キャリヤ
濃度ｎ層４４及びＧaＮ から成るｉ層４５が形成されて
いる。そして、ｉ層４５に接続するアルミニウム（Ａl)
で形成された電極４７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層４３に接
続するアルミニウムで形成された電極４８とが形成され
た構造をとっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上述の発光ダ
イオード４０はその側壁側への光漏れが多く、例え、サ
ファイヤ基板４１側に隣接させ集光レンズを配設したと
してもその集光率が低いという問題があった。しかも、
発光ダイオード４０のダイシングされた側壁側はチッピ
ングが多く、例え、反射膜を施しても乱反射するだけで
発光効率を上昇させるには至らなかった。
イオード４０はその側壁側への光漏れが多く、例え、サ
ファイヤ基板４１側に隣接させ集光レンズを配設したと
してもその集光率が低いという問題があった。しかも、
発光ダイオード４０のダイシングされた側壁側はチッピ
ングが多く、例え、反射膜を施しても乱反射するだけで
発光効率を上昇させるには至らなかった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体を用いた青色の発光ダイオードにおい
て、側壁側へ漏れる光を光取り出し方向に導いて発光効
率を上昇させることである。
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体を用いた青色の発光ダイオードにおい
て、側壁側へ漏れる光を光取り出し方向に導いて発光効
率を上昇させることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、基板上部にｎ型の窒化ガリウム系化合
物半導体層（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）を形成する
工程と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半
導体層（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）を形成する工程
と、第１電極が形成されるｐ型不純物を添加した窒化ガ
リウム系化合物半導体層の側から、第２電極が形成され
るｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層の面が露出する
までエッチングする工程と、ｐ型不純物を添加した窒化
ガリウム系化合物半導体層の上に第１電極を、ｎ型の窒
化ガリウム系化合物半導体層の上に第２電極を形成する
工程と、エッチングにより形成された側壁面を含み、第
１電極、第２電極を除く面上に、光を反射させる絶縁性
反射膜を形成する工程とを有することを特徴とする窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法である。
の発明の構成は、基板上部にｎ型の窒化ガリウム系化合
物半導体層（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）を形成する
工程と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半
導体層（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）を形成する工程
と、第１電極が形成されるｐ型不純物を添加した窒化ガ
リウム系化合物半導体層の側から、第２電極が形成され
るｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層の面が露出する
までエッチングする工程と、ｐ型不純物を添加した窒化
ガリウム系化合物半導体層の上に第１電極を、ｎ型の窒
化ガリウム系化合物半導体層の上に第２電極を形成する
工程と、エッチングにより形成された側壁面を含み、第
１電極、第２電極を除く面上に、光を反射させる絶縁性
反射膜を形成する工程とを有することを特徴とする窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法である。
【０００６】他の発明の構成は、エッチングは、光取り
出し方向に沿った断面形状が、ｐ型不純物を添加した窒
化ガリウム系化合物半導体層上の第１電極が形成される
面を上底とするメサ（台形）形状になるように行うこと
を特徴とする。
出し方向に沿った断面形状が、ｐ型不純物を添加した窒
化ガリウム系化合物半導体層上の第１電極が形成される
面を上底とするメサ（台形）形状になるように行うこと
を特徴とする。
【０００７】又、他の発明の構成は、絶縁性反射膜を、
基板の側に光を反射させるように形成することを特徴
し、他の発明の構成は、絶縁性反射膜を、ＴiＯ2 又は
／及びＳiＯ2 で形成することを特徴とし、他の発明の
構成は、絶縁性反射膜を、ＴiＯ 2 膜とＳiＯ2 膜とを交
互に積層した膜で形成することを特徴とする。さらに、
他の発明の構成は、第１電極と、第２電極の上に、はん
だバンプを形成することを特徴とし、さらに、他の発明
の構成は、第２電極は、アルミニウムで形成することを
特徴とする。
基板の側に光を反射させるように形成することを特徴
し、他の発明の構成は、絶縁性反射膜を、ＴiＯ2 又は
／及びＳiＯ2 で形成することを特徴とし、他の発明の
構成は、絶縁性反射膜を、ＴiＯ 2 膜とＳiＯ2 膜とを交
互に積層した膜で形成することを特徴とする。さらに、
他の発明の構成は、第１電極と、第２電極の上に、はん
だバンプを形成することを特徴とし、さらに、他の発明
の構成は、第２電極は、アルミニウムで形成することを
特徴とする。
【０００８】
【作用及び効果】ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系
化合物半導体層の第１電極が形成される電極部分を残し
そのｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体
層側からｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層上の第２
電極が形成される電極面までエッチングを施す。次に、
ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層の
上に第１電極を、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層
の露出面の上に第２電極を形成する。そして、エッチン
グにより形成された側壁面を含み、第１電極、第２電極
を除く面上に、光を反射させる絶縁性反射膜を形成す
る。これにより、高輝度の発光素子を得ることができ
る。このようにして形成された発光ダイオードは光取り
出し方向と大きく異なる側壁側への光漏れがなくなり、
即ち、絶縁性反射膜により光の取り出し効率（素子の光
強度）を上昇させることができた。又、エッチングを、
光取り出し方向に沿った断面形状が、上記ｐ型不純物を
添加した窒化ガリウム系化合物半導体層の電極部分を上
底とするメサ形状とすることで、側壁方向に向かう光を
絶縁性反射膜の作用により基板側に反射させることがで
きるので、素子の光強度を向上させることができる。
化合物半導体層の第１電極が形成される電極部分を残し
そのｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体
層側からｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層上の第２
電極が形成される電極面までエッチングを施す。次に、
ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層の
上に第１電極を、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層
の露出面の上に第２電極を形成する。そして、エッチン
グにより形成された側壁面を含み、第１電極、第２電極
を除く面上に、光を反射させる絶縁性反射膜を形成す
る。これにより、高輝度の発光素子を得ることができ
る。このようにして形成された発光ダイオードは光取り
出し方向と大きく異なる側壁側への光漏れがなくなり、
即ち、絶縁性反射膜により光の取り出し効率（素子の光
強度）を上昇させることができた。又、エッチングを、
光取り出し方向に沿った断面形状が、上記ｐ型不純物を
添加した窒化ガリウム系化合物半導体層の電極部分を上
底とするメサ形状とすることで、側壁方向に向かう光を
絶縁性反射膜の作用により基板側に反射させることがで
きるので、素子の光強度を向上させることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示し
た縦断面図である。発光ダイオード１０は、サファイヤ
基板１を有しており、そのサファイヤ基板１に 500Åの
ＡlＮ のバッファ層２が形成されている。そのバッファ
層２の上には、順に、ｎ層である膜厚 2.2μm のＧaＮ
から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm のＧa
Ｎ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されており、
更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の上に膜厚 0.1μm のＧa
Ｎ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層５
に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリ
ヤ濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成された電
極８とが形成されている。更に、光取り出し方向と反対
側でｉ層５の電極７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８
部分を除いてｉ層５、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及びメサ
（台形）形状部分の表面に絶縁性反射膜９が形成されて
いる。
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示し
た縦断面図である。発光ダイオード１０は、サファイヤ
基板１を有しており、そのサファイヤ基板１に 500Åの
ＡlＮ のバッファ層２が形成されている。そのバッファ
層２の上には、順に、ｎ層である膜厚 2.2μm のＧaＮ
から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm のＧa
Ｎ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されており、
更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の上に膜厚 0.1μm のＧa
Ｎ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層５
に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリ
ヤ濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成された電
極８とが形成されている。更に、光取り出し方向と反対
側でｉ層５の電極７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８
部分を除いてｉ層５、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及びメサ
（台形）形状部分の表面に絶縁性反射膜９が形成されて
いる。
【００１０】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造工程について、図２及び図３を参照して説明する。用
いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガスＨ2 とトリメチ
ルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭＧと記す）とト
リメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭＡと
記す）とシラン(ＳiＨ4)とジエチル亜鉛（以下、ＤＥＺ
と記す）である。先ず、有機洗浄及び熱処理により洗浄
したａ面を主面とする単結晶のサファイヤ基板１をＭＯ
ＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。
次に、常圧でＨ2 を流速２ l/minで反応室に流しながら
温度1100℃でサファイヤ基板１を気相エッチングした。
次に、サファイヤ基板１の温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l/min、ＮＨ3 を10 l/min、ＴＭＡを18μ
mol/min で２分間供給して 500Åの厚さのＡlＮから成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を10 l/min、ＮＨ3 を５ l
/min、ＴＭＧを 367μmol/min 、Ｈ2 で1.3ppmまで希釈
したシラン(ＳiＨ4)ガスを320 ml/minの割合で10分間供
給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×10 18/cm3のＧ
aＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成した。続い
て、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を
20 l/min、ＮＨ3を10 l/min、ＴＭＧを1835μmol/min
の割合で30分間供給し、膜厚 1.5μm 、キャリヤ濃度 1
×1015/cm3のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４を形
成した。次に、サファイヤ基板１の温度を 900℃にし
て、Ｈ2 を20 l/min、ＮＨ3 を10l/min、ＴＭＧを 146.
8μmol/min 、ＤＥＺを 377.3μmol/min の割合で80秒
間供給して、膜厚 0.1μm のＧaＮ から成るｉ層５を形
成した。このようにして、図２(a) に示したような多層
構造が得られた。
造工程について、図２及び図３を参照して説明する。用
いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガスＨ2 とトリメチ
ルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭＧと記す）とト
リメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭＡと
記す）とシラン(ＳiＨ4)とジエチル亜鉛（以下、ＤＥＺ
と記す）である。先ず、有機洗浄及び熱処理により洗浄
したａ面を主面とする単結晶のサファイヤ基板１をＭＯ
ＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。
次に、常圧でＨ2 を流速２ l/minで反応室に流しながら
温度1100℃でサファイヤ基板１を気相エッチングした。
次に、サファイヤ基板１の温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l/min、ＮＨ3 を10 l/min、ＴＭＡを18μ
mol/min で２分間供給して 500Åの厚さのＡlＮから成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を10 l/min、ＮＨ3 を５ l
/min、ＴＭＧを 367μmol/min 、Ｈ2 で1.3ppmまで希釈
したシラン(ＳiＨ4)ガスを320 ml/minの割合で10分間供
給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×10 18/cm3のＧ
aＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成した。続い
て、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を
20 l/min、ＮＨ3を10 l/min、ＴＭＧを1835μmol/min
の割合で30分間供給し、膜厚 1.5μm 、キャリヤ濃度 1
×1015/cm3のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４を形
成した。次に、サファイヤ基板１の温度を 900℃にし
て、Ｈ2 を20 l/min、ＮＨ3 を10l/min、ＴＭＧを 146.
8μmol/min 、ＤＥＺを 377.3μmol/min の割合で80秒
間供給して、膜厚 0.1μm のＧaＮ から成るｉ層５を形
成した。このようにして、図２(a) に示したような多層
構造が得られた。
【００１１】ここで、発光ダイオード１０の発光領域
は、ｉ層５の電極の上部及びその近傍に位置している。
図２(b) に示したように、この発光領域となるｉ層５上
にのみにＳiＯ2から成るマスク１１を5000Åの厚さに形
成した。次に、図２(c) に示したように、ＲＩＥ(React
ive Ion Etching:反応性イオンエッチング法）によりｉ
層５側から高キャリヤ濃度ｎ+ 層３に到達するまでエッ
チングを実施した。尚、この場合、発光領域となる部分
をメサ型に形成するためには等方性エッチングが良い。
次に、図３(d) に示したように、マスク１１を除去し、
真空度８×10-7Torr、サファイヤ基板１の温度を 225℃
に保持し、試料の上全面に、蒸着によりＡl 層１２を30
00Åの厚さに形成した。次に、図３(e) に示したよう
に、Ａl 層１２の上にフォトレジスト１３を塗布して、
フォトリソグラフィにより、そのフォトレジスト１３が
高キャリヤ濃度ｎ + 層３及びｉ層５に対する電極部が残
るように、所定形状にパターン形成した。
は、ｉ層５の電極の上部及びその近傍に位置している。
図２(b) に示したように、この発光領域となるｉ層５上
にのみにＳiＯ2から成るマスク１１を5000Åの厚さに形
成した。次に、図２(c) に示したように、ＲＩＥ(React
ive Ion Etching:反応性イオンエッチング法）によりｉ
層５側から高キャリヤ濃度ｎ+ 層３に到達するまでエッ
チングを実施した。尚、この場合、発光領域となる部分
をメサ型に形成するためには等方性エッチングが良い。
次に、図３(d) に示したように、マスク１１を除去し、
真空度８×10-7Torr、サファイヤ基板１の温度を 225℃
に保持し、試料の上全面に、蒸着によりＡl 層１２を30
00Åの厚さに形成した。次に、図３(e) に示したよう
に、Ａl 層１２の上にフォトレジスト１３を塗布して、
フォトリソグラフィにより、そのフォトレジスト１３が
高キャリヤ濃度ｎ + 層３及びｉ層５に対する電極部が残
るように、所定形状にパターン形成した。
【００１２】上述の製造工程の後、図３(f) に示したよ
うに、フォトレジスト１３によって覆われていないＡl
層１２の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングし、
フォトレジスト１３をアセトンで除去し、高キャリヤ濃
度ｎ+ 層３の電極８、ｉ層５の電極７を形成した。更
に、発光ダイオード１０の光取り出し方向と反対側の上
記電極７，８以外の表面部分に（ＴiＯ2/ＳiＯ2)3 から
成る６層の絶縁性反射膜９を各膜厚(ＴiＯ2,ＳiＯ2）が
それぞれ 600Å,822Åとなるように蒸着により形成し
た。このようにして、図１に示したＭＩＳ(Metal Insul
ator Semiconductor) 構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。この後、電極７，８上にはんだ
バンプを形成し、樹脂封止が実施される。
うに、フォトレジスト１３によって覆われていないＡl
層１２の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングし、
フォトレジスト１３をアセトンで除去し、高キャリヤ濃
度ｎ+ 層３の電極８、ｉ層５の電極７を形成した。更
に、発光ダイオード１０の光取り出し方向と反対側の上
記電極７，８以外の表面部分に（ＴiＯ2/ＳiＯ2)3 から
成る６層の絶縁性反射膜９を各膜厚(ＴiＯ2,ＳiＯ2）が
それぞれ 600Å,822Åとなるように蒸着により形成し
た。このようにして、図１に示したＭＩＳ(Metal Insul
ator Semiconductor) 構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。この後、電極７，８上にはんだ
バンプを形成し、樹脂封止が実施される。
【００１３】上述したように、発光ダイオード１０の発
光領域は、ｉ層５の電極７の上部及びその近傍に位置し
ている。このｉ層５の電極７の上部及びその近傍から発
光された青色光は、ｉ層５、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及
びメサ形状部分の表面に形成された絶縁性反射膜９、主
として、メサ形状部分の表面に形成された絶縁性反射膜
９により光取り出し方向に反射される。これにより、発
光ダイオード１０は光取り出し方向と大きく異なる側壁
側への光漏れがなくなり、光の取り出し効率が上昇す
る。
光領域は、ｉ層５の電極７の上部及びその近傍に位置し
ている。このｉ層５の電極７の上部及びその近傍から発
光された青色光は、ｉ層５、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３及
びメサ形状部分の表面に形成された絶縁性反射膜９、主
として、メサ形状部分の表面に形成された絶縁性反射膜
９により光取り出し方向に反射される。これにより、発
光ダイオード１０は光取り出し方向と大きく異なる側壁
側への光漏れがなくなり、光の取り出し効率が上昇す
る。
【００１４】尚、上記実施例において、ＧａＮから成る
高キャリヤ濃度ｎ+ 層３はｎ型の窒化ガリウム系化合物
半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）の一例である。
ＧａＮから成るｉ層５はｐ型不純物を添加した窒化ガリ
ウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）の
一例でもあり、ｐ型不純物を添加したｉ型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）の一
例でもある。電極７は第１電極に、電極８は第２電極に
該当する。
高キャリヤ濃度ｎ+ 層３はｎ型の窒化ガリウム系化合物
半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）の一例である。
ＧａＮから成るｉ層５はｐ型不純物を添加した窒化ガリ
ウム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）の
一例でもあり、ｐ型不純物を添加したｉ型の窒化ガリウ
ム系化合物半導体（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）の一
例でもある。電極７は第１電極に、電極８は第２電極に
該当する。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドの断面構造を示した模式図である。
ドの断面構造を示した模式図である。
【図２】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程にお
ける断面構造を示した模式図である。
ける断面構造を示した模式図である。
【図３】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程にお
ける断面構造を示した図２に続く模式図である。
ける断面構造を示した図２に続く模式図である。
【図４】従来の発光ダイオードの断面構造を示した模式
図である。
図である。
１−サファイヤ基板 ２−バッファ層 ３−高キャリヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極 ９−絶縁性反射膜 １０−発光ダイオード（窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子）
光素子）
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上部にｎ型の窒化ガリウム系化合物
半導体層（ＡlXＧa1 -XＮ；Ｘ＝０を含む）を形成する工
程と、 ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）を形成する工程と、 第１電極が形成される前記ｐ型不純物を添加した窒化ガ
リウム系化合物半導体層の側から、第２電極が形成され
る前記ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層の面が露出
するまでエッチングする工程と、 前記ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体
層の上に第１電極を、前記ｎ型の窒化ガリウム系化合物
半導体層の上に第２電極を形成する工程と、 エッチングにより形成された側壁面を含み、前記第１電
極、前記第２電極を除く面上に、光を反射させる絶縁性
反射膜を形成する工程とを有することを特徴とする窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記エッチングは、光取り出し方向に沿
った断面形状が、前記ｐ型不純物を添加した窒化ガリウ
ム系化合物半導体層が形成される面を上底とするメサ
（台形）形状になるように行うことを特徴とする請求項
１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造
方法。 - 【請求項３】 前記絶縁性反射膜は、基板の側に光を反
射させるように形成されることを特徴とする請求項１又
は請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子の製造方法。 - 【請求項４】 前記絶縁性反射膜を、ＴiＯ2 又は／及
びＳiＯ2 で形成することを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁性反射膜を、ＴiＯ2 膜とＳiＯ
2 膜とを交互に積層した膜で形成することを特徴とする
請求項１乃至請求項３に記載の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１電極と、前記第２電極の上に、
はんだバンプを形成することを特徴とする請求項１乃至
請求項５のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記第２電極は、アルミニウムで形成す
ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１
項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造
方法。
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|---|---|---|---|
| JP11172170A JP2000031540A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
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| JP11172170A JP2000031540A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
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|---|---|
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