JP2661420B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2661420B2 JP2661420B2 JP20130591A JP20130591A JP2661420B2 JP 2661420 B2 JP2661420 B2 JP 2661420B2 JP 20130591 A JP20130591 A JP 20130591A JP 20130591 A JP20130591 A JP 20130591A JP 2661420 B2 JP2661420 B2 JP 2661420B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- electrode
- compound semiconductor
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。
系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとしてＧaＮ
系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧ
aＮ 系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効
率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色と
すること等から注目されている。このようなＧaＮ 系の
化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイヤ基
板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を
介在させて、ｎ導電型のＧaＮ 系の化合物半導体から成
るｎ層を成長させ、そのｎ層の上にｐ型不純物を添加し
てｉ型のＧaＮ 系の化合物半導体から成るｉ層を成長さ
せた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公
報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧ
aＮ 系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効
率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色と
すること等から注目されている。このようなＧaＮ 系の
化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイヤ基
板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を
介在させて、ｎ導電型のＧaＮ 系の化合物半導体から成
るｎ層を成長させ、そのｎ層の上にｐ型不純物を添加し
てｉ型のＧaＮ 系の化合物半導体から成るｉ層を成長さ
せた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公
報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図８に示すよ
うに、発光ダイオード６０のｉ層の電極６７はｉ層上に
直接、又、ｎ層の電極６８はｉ層の一部に設けられた孔
内を利用してＡl などの金属をそれぞれ蒸着して形成
し、その後、ｉ層からサファイア基板までの全厚さ分を
ダイシング等を行いファイア基板を切断して素子分離を
行うという複雑な工程を経ている。 又、上記ｎ層の電極
６８を形成するための孔は、ｉ層上をＳiＯ2などで覆
い、そのＳiＯ2によって覆われていない部位のｉ層とそ
の下のｎ層の一部を、ドライエッチングした後、ｉ層上
に残っているＳiＯ2をフッ酸で除去して形成される。
上述したように、上記孔の形成手順としては、ＳiＯ2な
どでマスキングし、ＲＩＥ（Ｒeactive Ｉon Ｅtchin
g：反応性イオンエッチング）装置などを用いたドライ
エッチングなど複雑な工程を経て行われる。上記ＲＩＥ
装置のエッチング速度は、エッチング条件、材料などに
より異なるが、通常１分間に数百Åから数千Å程度であ
り速いとされる。しかし、上記孔など途中の層部分まで
のエッチングではエッチング終点を時間管理するしかな
く、エッチングガスなどのエッチング条件が少し変化す
るとエッチング量が極端に変化してしまうという困難を
伴うものであった。又、実際のエッチングに要する時間
に段取り時間を加算した時間は相当なものとなってい
た。
うに、発光ダイオード６０のｉ層の電極６７はｉ層上に
直接、又、ｎ層の電極６８はｉ層の一部に設けられた孔
内を利用してＡl などの金属をそれぞれ蒸着して形成
し、その後、ｉ層からサファイア基板までの全厚さ分を
ダイシング等を行いファイア基板を切断して素子分離を
行うという複雑な工程を経ている。 又、上記ｎ層の電極
６８を形成するための孔は、ｉ層上をＳiＯ2などで覆
い、そのＳiＯ2によって覆われていない部位のｉ層とそ
の下のｎ層の一部を、ドライエッチングした後、ｉ層上
に残っているＳiＯ2をフッ酸で除去して形成される。
上述したように、上記孔の形成手順としては、ＳiＯ2な
どでマスキングし、ＲＩＥ（Ｒeactive Ｉon Ｅtchin
g：反応性イオンエッチング）装置などを用いたドライ
エッチングなど複雑な工程を経て行われる。上記ＲＩＥ
装置のエッチング速度は、エッチング条件、材料などに
より異なるが、通常１分間に数百Åから数千Å程度であ
り速いとされる。しかし、上記孔など途中の層部分まで
のエッチングではエッチング終点を時間管理するしかな
く、エッチングガスなどのエッチング条件が少し変化す
るとエッチング量が極端に変化してしまうという困難を
伴うものであった。又、実際のエッチングに要する時間
に段取り時間を加算した時間は相当なものとなってい
た。
【０００４】又、発光ダイオード６０の発光強度を向上
させるには、その発光領域がｉ層の電極６７の上部及び
その近傍に位置していることから、ｉ層の電極６７の電
極面積をなるべく大きくすれば良いことが知られてい
る。ところで、上述の理由により発光ダイオード６０の
ｉ層の電極６７の電極面積が大きく取られるため、ｉ層
の電極６７とｎ層の電極６８との電極間距離が発光領域
の部位により大きく違ってしまうことになる。そして、
発光ダイオード６０の電極６７，６８は、はんだバンプ
を介してリードフレーム７０のリード部材７１，７２な
どにボンディングされ接合されている。すると、上記リ
ードフレーム７０のリード部材７１，７２にて発光ダイ
オード６０に供給される電流は、ｉ層の電極６７とｎ層
の電極６８との電極間距離が近い抵抗の少ない部分をよ
り多く流れることになる。従って、発光ダイオード６０
は発光領域において発光ムラが生じることになる。この
ような発光ダイオード６０の発光状態においては、ｉ層
の電極６７の電極面積を大きく形成したにも拘わらず余
り発光強度が向上しないという問題があった。
させるには、その発光領域がｉ層の電極６７の上部及び
その近傍に位置していることから、ｉ層の電極６７の電
極面積をなるべく大きくすれば良いことが知られてい
る。ところで、上述の理由により発光ダイオード６０の
ｉ層の電極６７の電極面積が大きく取られるため、ｉ層
の電極６７とｎ層の電極６８との電極間距離が発光領域
の部位により大きく違ってしまうことになる。そして、
発光ダイオード６０の電極６７，６８は、はんだバンプ
を介してリードフレーム７０のリード部材７１，７２な
どにボンディングされ接合されている。すると、上記リ
ードフレーム７０のリード部材７１，７２にて発光ダイ
オード６０に供給される電流は、ｉ層の電極６７とｎ層
の電極６８との電極間距離が近い抵抗の少ない部分をよ
り多く流れることになる。従って、発光ダイオード６０
は発光領域において発光ムラが生じることになる。この
ような発光ダイオード６０の発光状態においては、ｉ層
の電極６７の電極面積を大きく形成したにも拘わらず余
り発光強度が向上しないという問題があった。
【０００５】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体の発光ダイオードの製造方法において、
同一面側の正負一対の電極形成における工程の簡略化を
図ることである。又、同時に、ＧaＮ 系の化合物半導体
の発光ダイオードの青色の発光領域の部位における発光
ムラをなくし、その発光強度を向上させることである。
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体の発光ダイオードの製造方法において、
同一面側の正負一対の電極形成における工程の簡略化を
図ることである。又、同時に、ＧaＮ 系の化合物半導体
の発光ダイオードの青色の発光領域の部位における発光
ムラをなくし、その発光強度を向上させることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の請求項１の発明の構成は、サファイア基板上に形成さ
れた窒化ガリウム系化合物半導体から成る第１層と、窒
化ガリウム系化合物半導体から成る第２層とを少なくと
も有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方
法であって、第１層と第２層との層構造を有するウェー
ハを形成し、該ウェーハに第２層側から第１層が露出す
るように格子状の凹部を形成した後、露出した第１層及
び第２層の表面に電極層を形成し、その後、凹部の部分
で分離して個片とすることを特徴とする。又、請求項２
の発明は、凹部は太い刃物を用いたダイシングによる切
り込みにより形成され、凹部の部分は太い刃物よりも細
い刃物で切断されることを特徴とする。さらに、請求項
３の発明は、第２層は絶縁性の窒化ガリウム系化合物半
導体から成り、第１層に対する電極を第１層の側壁周囲
に形成したことを特徴とする。
の請求項１の発明の構成は、サファイア基板上に形成さ
れた窒化ガリウム系化合物半導体から成る第１層と、窒
化ガリウム系化合物半導体から成る第２層とを少なくと
も有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方
法であって、第１層と第２層との層構造を有するウェー
ハを形成し、該ウェーハに第２層側から第１層が露出す
るように格子状の凹部を形成した後、露出した第１層及
び第２層の表面に電極層を形成し、その後、凹部の部分
で分離して個片とすることを特徴とする。又、請求項２
の発明は、凹部は太い刃物を用いたダイシングによる切
り込みにより形成され、凹部の部分は太い刃物よりも細
い刃物で切断されることを特徴とする。さらに、請求項
３の発明は、第２層は絶縁性の窒化ガリウム系化合物半
導体から成り、第１層に対する電極を第１層の側壁周囲
に形成したことを特徴とする。
【０００７】
【作用及び効果】請求項１の発明では、第１層と第２層
との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに第
２層側から第１層が露出するように格子状の凹部を形成
した後、露出した第１層及び第２層の表面に電極層を形
成し、その後、凹部の部分で分離して個片としているの
で、電極形成と分離のための両凹部形成工程を同時にで
きる結果、製造工程が簡素化される。
との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに第
２層側から第１層が露出するように格子状の凹部を形成
した後、露出した第１層及び第２層の表面に電極層を形
成し、その後、凹部の部分で分離して個片としているの
で、電極形成と分離のための両凹部形成工程を同時にで
きる結果、製造工程が簡素化される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示
し、図１(a) は縦断面図、図１(b) は電極側から見た平
面図である。図１(a) において、発光ダイオード１０
は、サファイヤ基板１を有しており、そのサファイヤ基
板１に 500ÅのＡlＮ のバッファ層２が形成されてい
る。そのバッファ層２の下には、順に、膜厚 2.2μm の
ＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm
のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されてお
り、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の下に膜厚 0.1μm の
ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層
５の中央部に接続するアルミニウムから成る電極７が形
成されている。又、図１(b) に示すように、電極７の周
囲で電極間距離をほぼ等しくして高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に側面から接続するアルミニウムから成る電極８が形
成されている。
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示
し、図１(a) は縦断面図、図１(b) は電極側から見た平
面図である。図１(a) において、発光ダイオード１０
は、サファイヤ基板１を有しており、そのサファイヤ基
板１に 500ÅのＡlＮ のバッファ層２が形成されてい
る。そのバッファ層２の下には、順に、膜厚 2.2μm の
ＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm
のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されてお
り、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の下に膜厚 0.1μm の
ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層
５の中央部に接続するアルミニウムから成る電極７が形
成されている。又、図１(b) に示すように、電極７の周
囲で電極間距離をほぼ等しくして高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に側面から接続するアルミニウムから成る電極８が形
成されている。
【０００９】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造工程について、図２、図３及び図４を参照して説明す
る。上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成
長法( 以下、ＭＯＶＰＥと記す）による気相成長により
製造された。用いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガス
Ｈ2 とトリメチルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭ
Ｇと記す）とトリメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)
（以下、ＴＭＡと記す）とシラン（ＳiＨ4）とジエチル
亜鉛（以下、ＤＥＺと記す）である。先ず、有機洗浄及
び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサフ
ァイヤ基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサ
セプタに装着する。次に、常圧でＨ2 を流速２ l／分で
反応室に流しながら温度1100℃でサファイヤ基板１を気
相エッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭＡを 1.8
×10-5モル／分で供給して 500Åの厚さのＡlＮ から成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l
／分、ＴＭＧを 1.7×10-4モル／分、Ｈ2 で0.86ppm ま
で希釈したシラン（ＳiＨ4）を 200ml／分の割合で30分
間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018／cm
3 のＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成し
た。続いて、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持
し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3を10 l／分、ＴＭＧを1.7
×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm、
キャリヤ濃度 1×1015／cm3 のＧaＮ から成る低キャリ
ヤ濃度ｎ層４を形成した。次に、サファイヤ基板１を 9
00℃にして、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭ
Ｇを 1.7×10-4モル／分、ＤＥＺを 1.5×10-4モル／分
の割合で１分間供給して、膜厚 0.1μm のＧaＮ から成
るｉ層５を形成した。このようにして、図２(a) に示す
ような多層構造が得られた。次に、図２(b) に示すよう
に、図２(a) の多層構造のウェーハに対して太い刃物
（例えば、 250μm 厚）を用いたダイシングによりｉ層
５から低キャリヤ濃度ｎ層４、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３、バッファ層２、サファイヤ基板１の上面一部まで格
子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れる。次に、
図２(c) に示すように、試料の上全面及び側面（垂直
面）に、試料の回転を伴うアルミニウムの蒸着によりＡ
l 層１１を 0.3μm の厚さに形成した。そして、そのＡ
l 層１１の上にフォトレジスト１２を塗布して、フォト
リソグラフィにより、そのフォトレジスト１２が高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層３及びｉ層５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。
造工程について、図２、図３及び図４を参照して説明す
る。上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成
長法( 以下、ＭＯＶＰＥと記す）による気相成長により
製造された。用いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガス
Ｈ2 とトリメチルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭ
Ｇと記す）とトリメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)
（以下、ＴＭＡと記す）とシラン（ＳiＨ4）とジエチル
亜鉛（以下、ＤＥＺと記す）である。先ず、有機洗浄及
び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサフ
ァイヤ基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサ
セプタに装着する。次に、常圧でＨ2 を流速２ l／分で
反応室に流しながら温度1100℃でサファイヤ基板１を気
相エッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭＡを 1.8
×10-5モル／分で供給して 500Åの厚さのＡlＮ から成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l
／分、ＴＭＧを 1.7×10-4モル／分、Ｈ2 で0.86ppm ま
で希釈したシラン（ＳiＨ4）を 200ml／分の割合で30分
間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018／cm
3 のＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成し
た。続いて、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持
し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3を10 l／分、ＴＭＧを1.7
×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm、
キャリヤ濃度 1×1015／cm3 のＧaＮ から成る低キャリ
ヤ濃度ｎ層４を形成した。次に、サファイヤ基板１を 9
00℃にして、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭ
Ｇを 1.7×10-4モル／分、ＤＥＺを 1.5×10-4モル／分
の割合で１分間供給して、膜厚 0.1μm のＧaＮ から成
るｉ層５を形成した。このようにして、図２(a) に示す
ような多層構造が得られた。次に、図２(b) に示すよう
に、図２(a) の多層構造のウェーハに対して太い刃物
（例えば、 250μm 厚）を用いたダイシングによりｉ層
５から低キャリヤ濃度ｎ層４、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３、バッファ層２、サファイヤ基板１の上面一部まで格
子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れる。次に、
図２(c) に示すように、試料の上全面及び側面（垂直
面）に、試料の回転を伴うアルミニウムの蒸着によりＡ
l 層１１を 0.3μm の厚さに形成した。そして、そのＡ
l 層１１の上にフォトレジスト１２を塗布して、フォト
リソグラフィにより、そのフォトレジスト１２が高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層３及びｉ層５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。
【００１０】次に、図３(d) に示すように、フォトレジ
スト１２をマスクとして下層のＡl層１１の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１２
をアセトンで除去し、ｉ層５の電極７を形成した。尚、
図４は、この工程完了状態におけるウェーハを上から見
た平面図を示す。次に、図３(e) に示すように、細い刃
物（例えば、 150μm 厚）を用いたダイシングによりＡ
l 層１１が蒸着されたサファイヤ基板１を切り離して個
片とし、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８を形成した。
このようにして、図１に示すＭＩＳ（Ｍetal Ｉnsulat
or Ｓemiconductor）構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。上述したように、本発明に係る
発光ダイオードは、従来のｎ層の電極を形成するための
孔形成工程と素子分離のための凹部形成工程とを同時に
行うことができるために、製造工程が簡素化される。
スト１２をマスクとして下層のＡl層１１の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１２
をアセトンで除去し、ｉ層５の電極７を形成した。尚、
図４は、この工程完了状態におけるウェーハを上から見
た平面図を示す。次に、図３(e) に示すように、細い刃
物（例えば、 150μm 厚）を用いたダイシングによりＡ
l 層１１が蒸着されたサファイヤ基板１を切り離して個
片とし、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８を形成した。
このようにして、図１に示すＭＩＳ（Ｍetal Ｉnsulat
or Ｓemiconductor）構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。上述したように、本発明に係る
発光ダイオードは、従来のｎ層の電極を形成するための
孔形成工程と素子分離のための凹部形成工程とを同時に
行うことができるために、製造工程が簡素化される。
【００１１】そして、発光ダイオード１０は電極７，８
に形成されたはんだバンプを介して、図５に示すよう
に、リードフレーム２０のリード部材２１，２２に接合
される。この時、ｉ層５の電極７はその周囲に形成され
た高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８との電極間距離がほ
ぼ等しいことになる。即ち、発光ダイオード１０の電極
間を流れる電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じと
することができる。従って、発光ダイオード１０は青色
の発光領域における発光ムラをなくすことができると共
に発光強度を向上させることができた。又、本実施例の
発光ダイオード１０においては、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に接続するようにアルミニウムにて側面を覆って電極
８が形成されている。このため、ｉ層の電極７の上部及
びその近傍に位置している発光領域から側面側に逃げよ
うとする光が上方に反射されることになり、更に、発光
ダイオード１０の発光強度が向上される。
に形成されたはんだバンプを介して、図５に示すよう
に、リードフレーム２０のリード部材２１，２２に接合
される。この時、ｉ層５の電極７はその周囲に形成され
た高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８との電極間距離がほ
ぼ等しいことになる。即ち、発光ダイオード１０の電極
間を流れる電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じと
することができる。従って、発光ダイオード１０は青色
の発光領域における発光ムラをなくすことができると共
に発光強度を向上させることができた。又、本実施例の
発光ダイオード１０においては、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に接続するようにアルミニウムにて側面を覆って電極
８が形成されている。このため、ｉ層の電極７の上部及
びその近傍に位置している発光領域から側面側に逃げよ
うとする光が上方に反射されることになり、更に、発光
ダイオード１０の発光強度が向上される。
【００１２】図６は、上述の実施例における図３(d) の
工程完了状態におけるウェーハを上から見た平面図であ
る図４に対応した他の実施例の平面図を示す。尚、同じ
構造から成る部分については上述の実施例と同じ符号を
付してその説明を省略する。上述の実施例では図２(b)
に示す工程で図２(a) の多層構造のウェーハに対して格
子状に切り込みが入れられているが、本実施例では、縦
方向のみに同様の切り込みが入れられている。そして、
ｉ層５の電極７とｎ層の電極となるＡl 層１１とをウェ
ーハの周辺に示す縦のカッティングラインＬ1〜Ｌ5及び
横のカッティングラインＷ1〜Ｗ5より切り離して個片と
される。図７は、上述の実施例における図３(e) に対応
し、個片とされ高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８が形成
された状態を示す縦断面図である。このようにして、上
述の実施例と同様のＭＩＳ構造の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子が製造される。本実施例における発光ダ
イオードにおいても、従来のｎ層の電極のための孔形成
工程と素子分離のための凹部形成工程とを同時に行うこ
とができるため、素子の製造が簡素化される。
工程完了状態におけるウェーハを上から見た平面図であ
る図４に対応した他の実施例の平面図を示す。尚、同じ
構造から成る部分については上述の実施例と同じ符号を
付してその説明を省略する。上述の実施例では図２(b)
に示す工程で図２(a) の多層構造のウェーハに対して格
子状に切り込みが入れられているが、本実施例では、縦
方向のみに同様の切り込みが入れられている。そして、
ｉ層５の電極７とｎ層の電極となるＡl 層１１とをウェ
ーハの周辺に示す縦のカッティングラインＬ1〜Ｌ5及び
横のカッティングラインＷ1〜Ｗ5より切り離して個片と
される。図７は、上述の実施例における図３(e) に対応
し、個片とされ高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８が形成
された状態を示す縦断面図である。このようにして、上
述の実施例と同様のＭＩＳ構造の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子が製造される。本実施例における発光ダ
イオードにおいても、従来のｎ層の電極のための孔形成
工程と素子分離のための凹部形成工程とを同時に行うこ
とができるため、素子の製造が簡素化される。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドを示した構成図である。
ドを示した構成図である。
【図２】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した縦断面図である。
した縦断面図である。
【図３】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した図２に続く縦断面図である。
した図２に続く縦断面図である。
【図４】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程の途
中におけるウェーハの状態を示した平面図である。
中におけるウェーハの状態を示した平面図である。
【図５】同実施例に係る発光ダイオードとリードフレー
ムとの接合状態を示した部分縦断面図である。
ムとの接合状態を示した部分縦断面図である。
【図６】本発明に係る発光ダイオードの他の実施例にお
ける製造工程の途中におけるウェーハの状態を示した平
面図である。
ける製造工程の途中におけるウェーハの状態を示した平
面図である。
【図７】本発明に係る発光ダイオードの他の実施例にお
ける製造工程の最終段階を示した縦断面図である。
ける製造工程の最終段階を示した縦断面図である。
【図８】従来の発光ダイオードとリードフレームとの接
合状態を示した部分縦断面図である。
合状態を示した部分縦断面図である。
１−サファイヤ基板 ２−バッファ層 ３−高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極
１０−発光ダイオード
リヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極
１０−発光ダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−93544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−150880（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 サファイア基板上に形成された 窒化ガリ
ウム系化合物半導体から成る第１層と、窒化ガリウム系
化合物半導体から成る第２層とを少なくとも有する窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、 前記第１層と前記第２層との層構造を有するウェーハを
形成し、該ウェーハに前記第２層側から前記第１層が露
出するように格子状の凹部を形成した後、露出した前記
第１層及び前記第２層の表面に電極層を形成し、その
後、前記凹部の部分で分離して個片とすることを特徴と
する半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記凹部は太い刃物を用いたダイシング
による切り込みにより形成され、前記凹部の部分は前記
太い刃物よりも細い刃物で切断されることを特徴とする
請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記第２層は絶縁性の窒化ガリウム系化
合物半導体から成り、前記第１層に対する電極を前記第
１層の側壁周囲に形成したことを特徴とする請求項１に
記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20130591A JP2661420B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20130591A JP2661420B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521845A JPH0521845A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2661420B2 true JP2661420B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=16438802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20130591A Expired - Lifetime JP2661420B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661420B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578839A (en) * | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP4051208B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-02-20 | ユニ・チャーム株式会社 | パンツ型の使い捨て着用物品 |
| JP4057307B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2008-03-05 | ユニ・チャーム株式会社 | パンツ型の使い捨て着用物品 |
| US6828596B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-12-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices |
| JP5356312B2 (ja) | 2010-05-24 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| JP5343040B2 (ja) | 2010-06-07 | 2013-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031620A (en) * | 1997-05-01 | 2000-02-29 | Impact Systems, Inc. | Gloss sensor resistant to tilting and shifting paper and with improved calibration |
| JP2007198825A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Olympus Corp | 外観検査装置 |
| JP2010210235A (ja) * | 2007-07-03 | 2010-09-24 | Asahi Glass Co Ltd | 雨滴検出システム |
| JP2011085521A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Kaneka Corp | シート状物の表面欠陥検査装置 |
| JP5850390B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2016-02-03 | 株式会社リコー | 光学センサ及び画像形成装置 |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP20130591A patent/JP2661420B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521845A (ja) | 1993-01-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10600933B2 (en) | Vertical structure LEDs | |
| US6033927A (en) | Method for separating a substrate of a group III nitride semiconductor light-emitting device | |
| JP2698796B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| EP0579897B1 (en) | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor | |
| JP5859053B2 (ja) | 金属支持膜を使用した縦方向デバイスの製作方法 | |
| US6156584A (en) | Method of manufacturing a semiconductor light emitting device | |
| JP3423328B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH10114600A (ja) | 発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法 | |
| JPH05129658A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP3136672B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP2010147163A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2932769B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3727106B2 (ja) | ３族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 | |
| JP2661420B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2658009B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH11126923A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPH07131068A (ja) | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 | |
| JP2000031540A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP3262087B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH11126924A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法 | |
| JP3727091B2 (ja) | ３族窒化物半導体素子 | |
| TWI817264B (zh) | 垂直式發光二極體及其製造方法 | |
| JP2661009B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| KR101012638B1 (ko) | 수직형 질화물계 발광소자의 제조방법 | |
| JPH10173229A (ja) | ３族窒化物半導体発光素子の製造方法 |