JPH0521845A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法Info
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- JPH0521845A JPH0521845A JP20130591A JP20130591A JPH0521845A JP H0521845 A JPH0521845 A JP H0521845A JP 20130591 A JP20130591 A JP 20130591A JP 20130591 A JP20130591 A JP 20130591A JP H0521845 A JPH0521845 A JP H0521845A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧaＮ 系の化合物半導体の発光ダイオードの
製造方法における同一面側の正負一対の電極形成におけ
る工程の簡略化を図ると共に発光ダイオードの青色の発
光領域の部位における発光ムラをなくし、その発光強度
を向上すること。 【構成】 発光ダイオード１０はｉ層５上の中央部にｉ
層５の電極７とその周囲にｉ層５上から高キャリヤ濃度
ｎ+ 層３の側面に接続するように高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３の電極８が形成されている。これにより、発光ダイオ
ードは、従来の電極を形成するための孔が廃止でき、そ
の製造工程が簡素化される。又、発光ダイオード１０の
電極７，８は電極間距離をほぼ等しくして電極間を流れ
る電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じとすること
が可能である。すると、発光ダイオード１０は青色の発
光領域における発光ムラがなくなり発光光度が向上され
る。
製造方法における同一面側の正負一対の電極形成におけ
る工程の簡略化を図ると共に発光ダイオードの青色の発
光領域の部位における発光ムラをなくし、その発光強度
を向上すること。 【構成】 発光ダイオード１０はｉ層５上の中央部にｉ
層５の電極７とその周囲にｉ層５上から高キャリヤ濃度
ｎ+ 層３の側面に接続するように高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３の電極８が形成されている。これにより、発光ダイオ
ードは、従来の電極を形成するための孔が廃止でき、そ
の製造工程が簡素化される。又、発光ダイオード１０の
電極７，８は電極間距離をほぼ等しくして電極間を流れ
る電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じとすること
が可能である。すると、発光ダイオード１０は青色の発
光領域における発光ムラがなくなり発光光度が向上され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。
系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとしてＧaＮ
系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧ
aＮ 系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効
率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色と
すること等から注目されている。このようなＧaＮ 系の
化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイヤ基
板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を
介在させて、ｎ導電型のＧaＮ 系の化合物半導体から成
るｎ層を成長させ、そのｎ層の上にｐ型不純物を添加し
てｉ型のＧaＮ 系の化合物半導体から成るｉ層を成長さ
せた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公
報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧ
aＮ 系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効
率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色と
すること等から注目されている。このようなＧaＮ 系の
化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイヤ基
板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を
介在させて、ｎ導電型のＧaＮ 系の化合物半導体から成
るｎ層を成長させ、そのｎ層の上にｐ型不純物を添加し
てｉ型のＧaＮ 系の化合物半導体から成るｉ層を成長さ
せた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公
報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図８に示すよ
うに、発光ダイオード６０のｉ層の電極６７はｉ層上に
直接、又、ｎ層の電極６８はｉ層の一部に設けられた孔
内を利用してＡl などの金属をそれぞれ蒸着して形成さ
れている。上記ｎ層の電極６８を形成するための孔は、
ｉ層上をＳiＯ2などで覆い、そのＳiＯ2によって覆われ
ていない部位のｉ層とその下のｎ層の一部を、ドライエ
ッチングした後、ｉ層上に残っているＳiＯ2をフッ酸で
除去して形成される。上述したように、上記孔の形成手
順としては、ＳiＯ2などでマスキングし、ＲＩＥ（Ｒea
ctive Ｉon Ｅtching：反応性イオンエッチング）装置
などを用いたドライエッチングなど複雑な工程を経て行
われる。上記ＲＩＥ装置のエッチング速度は、エッチン
グ条件、材料などにより異なるが、通常１分間に数百Å
から数千Å程度であり速いとされる。しかし、上記孔な
ど途中の層部分までのエッチングではエッチング終点を
時間管理するしかなく、エッチングガスなどのエッチン
グ条件が少し変化するとエッチング量が極端に変化して
しまうという困難を伴うものであった。又、実際のエッ
チングに要する時間に段取り時間を加算した時間は相当
なものとなっていた。
うに、発光ダイオード６０のｉ層の電極６７はｉ層上に
直接、又、ｎ層の電極６８はｉ層の一部に設けられた孔
内を利用してＡl などの金属をそれぞれ蒸着して形成さ
れている。上記ｎ層の電極６８を形成するための孔は、
ｉ層上をＳiＯ2などで覆い、そのＳiＯ2によって覆われ
ていない部位のｉ層とその下のｎ層の一部を、ドライエ
ッチングした後、ｉ層上に残っているＳiＯ2をフッ酸で
除去して形成される。上述したように、上記孔の形成手
順としては、ＳiＯ2などでマスキングし、ＲＩＥ（Ｒea
ctive Ｉon Ｅtching：反応性イオンエッチング）装置
などを用いたドライエッチングなど複雑な工程を経て行
われる。上記ＲＩＥ装置のエッチング速度は、エッチン
グ条件、材料などにより異なるが、通常１分間に数百Å
から数千Å程度であり速いとされる。しかし、上記孔な
ど途中の層部分までのエッチングではエッチング終点を
時間管理するしかなく、エッチングガスなどのエッチン
グ条件が少し変化するとエッチング量が極端に変化して
しまうという困難を伴うものであった。又、実際のエッ
チングに要する時間に段取り時間を加算した時間は相当
なものとなっていた。
【０００４】又、発光ダイオード６０の発光強度を向上
させるには、その発光領域がｉ層の電極６７の上部及び
その近傍に位置していることから、ｉ層の電極６７の電
極面積をなるべく大きくすれば良いことが知られてい
る。ところで、上述の理由により発光ダイオード６０の
ｉ層の電極６７の電極面積が大きく取られるため、ｉ層
の電極６７とｎ層の電極６８との電極間距離が発光領域
の部位により大きく違ってしまうことになる。そして、
発光ダイオード６０の電極６７，６８は、はんだバンプ
を介してリードフレーム７０のリード部材７１，７２な
どにボンディングされ接合されている。すると、上記リ
ードフレーム７０のリード部材７１，７２にて発光ダイ
オード６０に供給される電流は、ｉ層の電極６７とｎ層
の電極６８との電極間距離が近い抵抗の少ない部分をよ
り多く流れることになる。従って、発光ダイオード６０
は発光領域において発光ムラが生じることになる。この
ような発光ダイオード６０の発光状態においては、ｉ層
の電極６７の電極面積を大きく形成したにも拘わらず余
り発光強度が向上しないという問題があった。
させるには、その発光領域がｉ層の電極６７の上部及び
その近傍に位置していることから、ｉ層の電極６７の電
極面積をなるべく大きくすれば良いことが知られてい
る。ところで、上述の理由により発光ダイオード６０の
ｉ層の電極６７の電極面積が大きく取られるため、ｉ層
の電極６７とｎ層の電極６８との電極間距離が発光領域
の部位により大きく違ってしまうことになる。そして、
発光ダイオード６０の電極６７，６８は、はんだバンプ
を介してリードフレーム７０のリード部材７１，７２な
どにボンディングされ接合されている。すると、上記リ
ードフレーム７０のリード部材７１，７２にて発光ダイ
オード６０に供給される電流は、ｉ層の電極６７とｎ層
の電極６８との電極間距離が近い抵抗の少ない部分をよ
り多く流れることになる。従って、発光ダイオード６０
は発光領域において発光ムラが生じることになる。この
ような発光ダイオード６０の発光状態においては、ｉ層
の電極６７の電極面積を大きく形成したにも拘わらず余
り発光強度が向上しないという問題があった。
【０００５】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体の発光ダイオードの製造方法において、
同一面側の正負一対の電極形成における工程の簡略化を
図ることである。又、同時に、ＧaＮ 系の化合物半導体
の発光ダイオードの青色の発光領域の部位における発光
ムラをなくし、その発光強度を向上させることである。
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体の発光ダイオードの製造方法において、
同一面側の正負一対の電極形成における工程の簡略化を
図ることである。又、同時に、ＧaＮ 系の化合物半導体
の発光ダイオードの青色の発光領域の部位における発光
ムラをなくし、その発光強度を向上させることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型
不純物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有す
る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であ
って、前記ｎ層と前記ｉ層との層構造を有するウェーハ
を形成し、該ウェーハに前記ｉ層側から前記ｎ層が露出
するように切り込みを入れた後、前記ｉ層及び切り込ま
れた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、
該金属層をエッチングして前記ｉ層上に前記ｉ層及び前
記ｎ層の電極を形成した後、前記ｉ層及び前記ｎ層の一
対の電極をそれぞれ有するように完全に切り離し個片と
することを特徴とする。
の発明の構成は、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型
不純物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有す
る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であ
って、前記ｎ層と前記ｉ層との層構造を有するウェーハ
を形成し、該ウェーハに前記ｉ層側から前記ｎ層が露出
するように切り込みを入れた後、前記ｉ層及び切り込ま
れた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、
該金属層をエッチングして前記ｉ層上に前記ｉ層及び前
記ｎ層の電極を形成した後、前記ｉ層及び前記ｎ層の一
対の電極をそれぞれ有するように完全に切り離し個片と
することを特徴とする。
【０００７】
【作用及び効果】ｉ層上にｉ層の電極とその周囲に上記
ｉ層上からｎ層の側面に接続するｎ層の電極との一対の
電極が形成される。これにより、発光ダイオードは同一
面側にｉ層の電極とｎ層の電極とを有する構造であって
も、ｎ層の電極のための孔を不要とすることができた。
即ち、発光ダイオードは、孔を形成するためのエッチン
グが廃止でき、その製造工程が簡素化される。
ｉ層上からｎ層の側面に接続するｎ層の電極との一対の
電極が形成される。これにより、発光ダイオードは同一
面側にｉ層の電極とｎ層の電極とを有する構造であって
も、ｎ層の電極のための孔を不要とすることができた。
即ち、発光ダイオードは、孔を形成するためのエッチン
グが廃止でき、その製造工程が簡素化される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示
し、図１(a) は縦断面図、図１(b) は電極側から見た平
面図である。図１(a) において、発光ダイオード１０
は、サファイヤ基板１を有しており、そのサファイヤ基
板１に 500ÅのＡlＮ のバッファ層２が形成されてい
る。そのバッファ層２の下には、順に、膜厚 2.2μm の
ＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm
のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されてお
り、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の下に膜厚 0.1μm の
ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層
５の中央部に接続するアルミニウムから成る電極７が形
成されている。又、図１(b) に示すように、電極７の周
囲で電極間距離をほぼ等しくして高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に側面から接続するアルミニウムから成る電極８が形
成されている。
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示
し、図１(a) は縦断面図、図１(b) は電極側から見た平
面図である。図１(a) において、発光ダイオード１０
は、サファイヤ基板１を有しており、そのサファイヤ基
板１に 500ÅのＡlＮ のバッファ層２が形成されてい
る。そのバッファ層２の下には、順に、膜厚 2.2μm の
ＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm
のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されてお
り、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の下に膜厚 0.1μm の
ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層
５の中央部に接続するアルミニウムから成る電極７が形
成されている。又、図１(b) に示すように、電極７の周
囲で電極間距離をほぼ等しくして高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に側面から接続するアルミニウムから成る電極８が形
成されている。
【０００９】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造工程について、図２、図３及び図４を参照して説明す
る。上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成
長法( 以下、ＭＯＶＰＥと記す）による気相成長により
製造された。用いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガス
Ｈ2 とトリメチルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭ
Ｇと記す）とトリメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)
（以下、ＴＭＡと記す）とシラン（ＳiＨ4）とジエチル
亜鉛（以下、ＤＥＺと記す）である。先ず、有機洗浄及
び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサフ
ァイヤ基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサ
セプタに装着する。次に、常圧でＨ2 を流速２ l／分で
反応室に流しながら温度1100℃でサファイヤ基板１を気
相エッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3を10 l／分、ＴＭＡを 1.8
×10-5モル／分で供給して 500Åの厚さのＡlＮ から成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l
／分、ＴＭＧを 1.7×10-4モル／分、Ｈ2 で0.86ppm ま
で希釈したシラン（ＳiＨ4）を 200ml／分の割合で30分
間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018／cm
3 のＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成し
た。続いて、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持
し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭＧを1.7
×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm、
キャリヤ濃度 1×1015／cm3 のＧaＮ から成る低キャリ
ヤ濃度ｎ層４を形成した。次に、サファイヤ基板１を 9
00℃にして、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭ
Ｇを 1.7×10-4モル／分、ＤＥＺを 1.5×10-4モル／分
の割合で１分間供給して、膜厚 0.1μmのＧaＮ から成
るｉ層５を形成した。このようにして、図２(a) に示す
ような多層構造が得られた。次に、図２(b) に示すよう
に、図２(a) の多層構造のウェーハに対して太い刃物
（例えば、 250μm 厚）を用いたダイシングによりｉ層
５から低キャリヤ濃度ｎ層４、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３、バッファ層２、サファイヤ基板１の上面一部まで格
子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れる。次に、
図２(c) に示すように、試料の上全面及び側面（垂直
面）に、試料の回転を伴うアルミニウムの蒸着によりＡ
l 層１１を 0.3μm の厚さに形成した。そして、そのＡ
l 層１１の上にフォトレジスト１２を塗布して、フォト
リソグラフィにより、そのフォトレジスト１２が高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層３及びｉ層５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。
造工程について、図２、図３及び図４を参照して説明す
る。上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成
長法( 以下、ＭＯＶＰＥと記す）による気相成長により
製造された。用いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガス
Ｈ2 とトリメチルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭ
Ｇと記す）とトリメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)
（以下、ＴＭＡと記す）とシラン（ＳiＨ4）とジエチル
亜鉛（以下、ＤＥＺと記す）である。先ず、有機洗浄及
び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサフ
ァイヤ基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサ
セプタに装着する。次に、常圧でＨ2 を流速２ l／分で
反応室に流しながら温度1100℃でサファイヤ基板１を気
相エッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3を10 l／分、ＴＭＡを 1.8
×10-5モル／分で供給して 500Åの厚さのＡlＮ から成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l
／分、ＴＭＧを 1.7×10-4モル／分、Ｈ2 で0.86ppm ま
で希釈したシラン（ＳiＨ4）を 200ml／分の割合で30分
間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018／cm
3 のＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成し
た。続いて、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持
し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭＧを1.7
×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm、
キャリヤ濃度 1×1015／cm3 のＧaＮ から成る低キャリ
ヤ濃度ｎ層４を形成した。次に、サファイヤ基板１を 9
00℃にして、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭ
Ｇを 1.7×10-4モル／分、ＤＥＺを 1.5×10-4モル／分
の割合で１分間供給して、膜厚 0.1μmのＧaＮ から成
るｉ層５を形成した。このようにして、図２(a) に示す
ような多層構造が得られた。次に、図２(b) に示すよう
に、図２(a) の多層構造のウェーハに対して太い刃物
（例えば、 250μm 厚）を用いたダイシングによりｉ層
５から低キャリヤ濃度ｎ層４、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３、バッファ層２、サファイヤ基板１の上面一部まで格
子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れる。次に、
図２(c) に示すように、試料の上全面及び側面（垂直
面）に、試料の回転を伴うアルミニウムの蒸着によりＡ
l 層１１を 0.3μm の厚さに形成した。そして、そのＡ
l 層１１の上にフォトレジスト１２を塗布して、フォト
リソグラフィにより、そのフォトレジスト１２が高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層３及びｉ層５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。
【００１０】次に、図３(d) に示すように、フォトレジ
スト１２をマスクとして下層のＡl層１１の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１２
をアセトンで除去し、ｉ層５の電極７を形成した。尚、
図４は、この工程完了状態におけるウェーハを上から見
た平面図を示す。次に、図３(e) に示すように、細い刃
物（例えば、 150μm 厚）を用いたダイシングによりＡ
l 層１１が蒸着されたサファイヤ基板１を切り離して個
片とし、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８を形成した。
このようにして、図１に示すＭＩＳ（Ｍetal Ｉnsulat
or Ｓemiconductor）構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。上述したように、本発明に係る
発光ダイオードは、従来のｎ層の電極のための孔が不要
となり、孔を形成するためのエッチングが廃止できるこ
とにより、その製造工程が簡素化される。
スト１２をマスクとして下層のＡl層１１の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１２
をアセトンで除去し、ｉ層５の電極７を形成した。尚、
図４は、この工程完了状態におけるウェーハを上から見
た平面図を示す。次に、図３(e) に示すように、細い刃
物（例えば、 150μm 厚）を用いたダイシングによりＡ
l 層１１が蒸着されたサファイヤ基板１を切り離して個
片とし、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８を形成した。
このようにして、図１に示すＭＩＳ（Ｍetal Ｉnsulat
or Ｓemiconductor）構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。上述したように、本発明に係る
発光ダイオードは、従来のｎ層の電極のための孔が不要
となり、孔を形成するためのエッチングが廃止できるこ
とにより、その製造工程が簡素化される。
【００１１】そして、発光ダイオード１０は電極７，８
に形成されたはんだバンプを介して、図５に示すよう
に、リードフレーム２０のリード部材２１，２２に接合
される。この時、ｉ層５の電極７はその周囲に形成され
た高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８との電極間距離がほ
ぼ等しいことになる。即ち、発光ダイオード１０の電極
間を流れる電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じと
することができる。従って、発光ダイオード１０は青色
の発光領域における発光ムラをなくすことができると共
に発光強度を向上させることができた。又、本実施例の
発光ダイオード１０においては、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に接続するようにアルミニウムにて側面を覆って電極
８が形成されている。このため、ｉ層の電極７の上部及
びその近傍に位置している発光領域から側面側に逃げよ
うとする光が上方に反射されることになり、更に、発光
ダイオード１０の発光強度が向上される。
に形成されたはんだバンプを介して、図５に示すよう
に、リードフレーム２０のリード部材２１，２２に接合
される。この時、ｉ層５の電極７はその周囲に形成され
た高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８との電極間距離がほ
ぼ等しいことになる。即ち、発光ダイオード１０の電極
間を流れる電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じと
することができる。従って、発光ダイオード１０は青色
の発光領域における発光ムラをなくすことができると共
に発光強度を向上させることができた。又、本実施例の
発光ダイオード１０においては、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に接続するようにアルミニウムにて側面を覆って電極
８が形成されている。このため、ｉ層の電極７の上部及
びその近傍に位置している発光領域から側面側に逃げよ
うとする光が上方に反射されることになり、更に、発光
ダイオード１０の発光強度が向上される。
【００１２】図６は、上述の実施例における図３(d) の
工程完了状態におけるウェーハを上から見た平面図であ
る図４に対応した他の実施例の平面図を示す。尚、同じ
構造から成る部分については上述の実施例と同じ符号を
付してその説明を省略する。上述の実施例では図２(b)
に示す工程で図２(a) の多層構造のウェーハに対して格
子状に切り込みが入れられているが、本実施例では、縦
方向のみに同様の切り込みが入れられている。そして、
ｉ層５の電極７とｎ層の電極となるＡl 層１１とをウェ
ーハの周辺に示す縦のカッティングラインＬ1〜Ｌ5及び
横のカッティングラインＷ1〜Ｗ5より切り離して個片と
される。図７は、上述の実施例における図３(e) に対応
し、個片とされ高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８が形成
された状態を示す縦断面図である。このようにして、上
述の実施例と同様のＭＩＳ構造の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子が製造される。本実施例における発光ダ
イオードにおいても、従来のｎ層の電極のための孔が不
要となり、孔を形成するためのエッチングが廃止できる
ことにより、その製造工程が簡素化される。
工程完了状態におけるウェーハを上から見た平面図であ
る図４に対応した他の実施例の平面図を示す。尚、同じ
構造から成る部分については上述の実施例と同じ符号を
付してその説明を省略する。上述の実施例では図２(b)
に示す工程で図２(a) の多層構造のウェーハに対して格
子状に切り込みが入れられているが、本実施例では、縦
方向のみに同様の切り込みが入れられている。そして、
ｉ層５の電極７とｎ層の電極となるＡl 層１１とをウェ
ーハの周辺に示す縦のカッティングラインＬ1〜Ｌ5及び
横のカッティングラインＷ1〜Ｗ5より切り離して個片と
される。図７は、上述の実施例における図３(e) に対応
し、個片とされ高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８が形成
された状態を示す縦断面図である。このようにして、上
述の実施例と同様のＭＩＳ構造の窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子が製造される。本実施例における発光ダ
イオードにおいても、従来のｎ層の電極のための孔が不
要となり、孔を形成するためのエッチングが廃止できる
ことにより、その製造工程が簡素化される。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドを示した構成図である。
ドを示した構成図である。
【図２】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した縦断面図である。
した縦断面図である。
【図３】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した図２に続く縦断面図である。
した図２に続く縦断面図である。
【図４】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程の途
中におけるウェーハの状態を示した平面図である。
中におけるウェーハの状態を示した平面図である。
【図５】同実施例に係る発光ダイオードとリードフレー
ムとの接合状態を示した部分縦断面図である。
ムとの接合状態を示した部分縦断面図である。
【図６】本発明に係る発光ダイオードの他の実施例にお
ける製造工程の途中におけるウェーハの状態を示した平
面図である。
ける製造工程の途中におけるウェーハの状態を示した平
面図である。
【図７】本発明に係る発光ダイオードの他の実施例にお
ける製造工程の最終段階を示した縦断面図である。
ける製造工程の最終段階を示した縦断面図である。
【図８】従来の発光ダイオードとリードフレームとの接
合状態を示した部分縦断面図である。
合状態を示した部分縦断面図である。
１−サファイヤ基板 ２−バッファ層 ３−高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極
１０−発光ダイオード
リヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極
１０−発光ダイオード
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ
lXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純
物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡlX
Ｇa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、 前記ｎ層と前記ｉ層との層構造を有するウェーハを形成
し、該ウェーハに前記ｉ層側から前記ｎ層が露出するよ
うに切り込みを入れた後、前記ｉ層及び切り込まれた側
面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属
層をエッチングして前記ｉ層上に前記ｉ層及び前記ｎ層
の電極を形成した後、前記ｉ層及び前記ｎ層の一対の電
極をそれぞれ有するように完全に切り離し個片とするこ
とを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20130591A JP2661420B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20130591A JP2661420B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521845A true JPH0521845A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2661420B2 JP2661420B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=16438802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20130591A Expired - Lifetime JP2661420B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661420B2 (ja) |
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| US8692279B2 (en) | 2010-06-07 | 2014-04-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2661420B2 (ja) | 1997-10-08 |
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