JP2932769B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同一面側に正負一対の
電極が形成された半導体発光素子に関する。
電極が形成された半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、同一面側に正負一対の電極を有する
青色の発光ダイオードとしてＧaＮ系の化合物半導体を
用いたものが知られている。そのＧaＮ 系の化合物半導
体は直接遷移であることから発光効率が高いこと、光の
３原色の１つである青色を発光色とすること等から注目
されている。このようなＧaＮ 系の化合物半導体を用い
た発光ダイオードは、サファイヤ基板上に直接又は窒化
アルミニウムから成るバッファ層を介在させて、ｎ導電
型のＧaＮ 系の化合物半導体から成るｎ層を成長させ、
そのｎ層の上にｐ型不純物を添加してｉ型のＧaＮ 系の
化合物半導体から成るｉ層を成長させた構造をとってい
る（特開昭６２−１１９１９６号公報、特開昭６３−１
８８９７７号公報）。
青色の発光ダイオードとしてＧaＮ系の化合物半導体を
用いたものが知られている。そのＧaＮ 系の化合物半導
体は直接遷移であることから発光効率が高いこと、光の
３原色の１つである青色を発光色とすること等から注目
されている。このようなＧaＮ 系の化合物半導体を用い
た発光ダイオードは、サファイヤ基板上に直接又は窒化
アルミニウムから成るバッファ層を介在させて、ｎ導電
型のＧaＮ 系の化合物半導体から成るｎ層を成長させ、
そのｎ層の上にｐ型不純物を添加してｉ型のＧaＮ 系の
化合物半導体から成るｉ層を成長させた構造をとってい
る（特開昭６２−１１９１９６号公報、特開昭６３−１
８８９７７号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上述の発光ダ
イオードの発光強度を向上させるには、ｉ層の電極部の
電極面積をなるべく大きくすれば良いことが知られてい
る。一方、発光ダイオードのｎ層の電極部はｉ層の一部
に設けられた孔内を利用して形成されているので、ｉ層
の電極部のように大きくできないことになる。従って、
ｉ層の電極部とｎ層の電極部との電極面積は異なって形
成されることになる。これら正負一対の電極部に形成さ
れたはんだバンプの高さには数十μm 程度の差が生じて
いた。すると、図６に示したように、発光ダイオード６
０をリードフレーム７０のリード部材７１，７２にボン
ディングする場合に、ｉ層側の電極６７のはんだバンプ
高さとの差によりｎ層側の電極６８がリードフレーム７
０に接合されないという不良が発生していた。又、例え
発光ダイオード６０がリードフレームのリード部材７
１，７２に接合されても、発光ダイオード６０の光軸が
リードフレーム７０に対して傾いてしまうという問題が
あった。
イオードの発光強度を向上させるには、ｉ層の電極部の
電極面積をなるべく大きくすれば良いことが知られてい
る。一方、発光ダイオードのｎ層の電極部はｉ層の一部
に設けられた孔内を利用して形成されているので、ｉ層
の電極部のように大きくできないことになる。従って、
ｉ層の電極部とｎ層の電極部との電極面積は異なって形
成されることになる。これら正負一対の電極部に形成さ
れたはんだバンプの高さには数十μm 程度の差が生じて
いた。すると、図６に示したように、発光ダイオード６
０をリードフレーム７０のリード部材７１，７２にボン
ディングする場合に、ｉ層側の電極６７のはんだバンプ
高さとの差によりｎ層側の電極６８がリードフレーム７
０に接合されないという不良が発生していた。又、例え
発光ダイオード６０がリードフレームのリード部材７
１，７２に接合されても、発光ダイオード６０の光軸が
リードフレーム７０に対して傾いてしまうという問題が
あった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、ボンディ
ング不良を低減すると同時にその際などにおける電極間
のショート不良を低減でき、且つ、発光強度の向上にも
有効な極めて生産性が高い発光ダイオードを提供するこ
とである。
されたものであり、その目的とするところは、ボンディ
ング不良を低減すると同時にその際などにおける電極間
のショート不良を低減でき、且つ、発光強度の向上にも
有効な極めて生産性が高い発光ダイオードを提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、同一面側に正負一対の電極と、この電
極の一部に形成されたバンプとを有する半導体発光素子
において、正負一対の電極の露出面積がほぼ同じとなる
ようにそれらの部分を除いて電極側を覆う絶縁層を有
し、バンプは前記電極の露出部に形成され、ほぼ同一高
さを有することを特徴とする。
の発明の構成は、同一面側に正負一対の電極と、この電
極の一部に形成されたバンプとを有する半導体発光素子
において、正負一対の電極の露出面積がほぼ同じとなる
ようにそれらの部分を除いて電極側を覆う絶縁層を有
し、バンプは前記電極の露出部に形成され、ほぼ同一高
さを有することを特徴とする。
【０００６】
【作用及び効果】本発明は、同一面側に形成された正負
一対の電極の露出面積がほぼ同じとなるようにそれらの
部分を除いて前記電極側を覆う絶縁層を設けることで、
発光ダイオードの正負一対の電極の見かけ上の面積を同
じ大きさにすることができた。これにより、発光ダイオ
ードの正負一対の電極に形成されるはんだバンプ高さを
略等しくできる。つまり、発光ダイオードは接合におけ
るボンディング不良が低減された。又、正負一対の電極
における露出電極間の間隔を絶縁層により離すことがで
きる。つまり、発光ダイオードは電極間が隣接している
ことによるボンディングの際などにおける電極間のショ
ート不良が低減された。又、絶縁層が正負一対の電極間
に存在することにより発光ダイオードの発光に関係する
電極の電極面積を極力大きくできる。つまり、発光ダイ
オードは発光強度を向上させることができた。
一対の電極の露出面積がほぼ同じとなるようにそれらの
部分を除いて前記電極側を覆う絶縁層を設けることで、
発光ダイオードの正負一対の電極の見かけ上の面積を同
じ大きさにすることができた。これにより、発光ダイオ
ードの正負一対の電極に形成されるはんだバンプ高さを
略等しくできる。つまり、発光ダイオードは接合におけ
るボンディング不良が低減された。又、正負一対の電極
における露出電極間の間隔を絶縁層により離すことがで
きる。つまり、発光ダイオードは電極間が隣接している
ことによるボンディングの際などにおける電極間のショ
ート不良が低減された。又、絶縁層が正負一対の電極間
に存在することにより発光ダイオードの発光に関係する
電極の電極面積を極力大きくできる。つまり、発光ダイ
オードは発光強度を向上させることができた。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示
し、図１(a) は縦断面図、図１(b) は電極側から見た平
面図である。図１(a) において、発光ダイオード１０
は、サファイヤ基板１を有しており、そのサファイヤ基
板１に 500ÅのＡlＮ のバッファ層２が形成されてい
る。そのバッファ層２の下には、順に、膜厚 2.2μm の
ＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm
のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されてお
り、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の下に膜厚 0.1μm の
ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層
５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成された
電極８とが形成されている。更に、電極７の一部分及び
ｉ層５の全面にはＳiＯ2から成る絶縁層９が形成されて
いる。この絶縁層９が形成された後においては、図１
(b) に示すように、正の電極７及び負の電極８はほぼ同
じ面積が露出されている。
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示
し、図１(a) は縦断面図、図１(b) は電極側から見た平
面図である。図１(a) において、発光ダイオード１０
は、サファイヤ基板１を有しており、そのサファイヤ基
板１に 500ÅのＡlＮ のバッファ層２が形成されてい
る。そのバッファ層２の下には、順に、膜厚 2.2μm の
ＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm
のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されてお
り、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の下に膜厚 0.1μm の
ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層
５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層３に接続するアルミニウムで形成された
電極８とが形成されている。更に、電極７の一部分及び
ｉ層５の全面にはＳiＯ2から成る絶縁層９が形成されて
いる。この絶縁層９が形成された後においては、図１
(b) に示すように、正の電極７及び負の電極８はほぼ同
じ面積が露出されている。
【０００８】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造工程について、図２、図３及び図４を参照して説明す
る。上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成
長法( 以下、ＭＯＶＰＥと記す）による気相成長により
製造された。用いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガス
Ｈ2 とトリメチルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭ
Ｇと記す）とトリメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)
（以下、ＴＭＡと記す）とシラン（ＳiＨ4）とジエチル
亜鉛（以下、ＤＥＺと記す）である。先ず、有機洗浄及
び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサフ
ァイヤ基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサ
セプタに装着する。次に、常圧でＨ2 を流速２ l／分で
反応室に流しながら温度1100℃でサファイヤ基板１を気
相エッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭＡを 1.8
×10-5モル／分で供給して 500Åの厚さのＡlＮ から成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l
／分、ＴＭＧを 1.7×10-4モル／分、Ｈ2 で0.86ppm ま
で希釈したシラン（ＳiＨ4）を 200ml／分の割合で30分
間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018／cm
3 のＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成し
た。続いて、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持
し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3を10 l／分、ＴＭＧを1.7
×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm、
キャリヤ濃度 1×1015／cm3 のＧaＮ から成る低キャリ
ヤ濃度ｎ層４を形成した。次に、サファイヤ基板１を 9
00℃にして、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭ
Ｇを 1.7×10-4モル／分、ＤＥＺを 1.5×10-4モル／分
の割合で１分間供給して、膜厚 0.1μm のＧaＮ から成
るｉ層５を形成した。このようにして、図２(a) に示す
ような多層構造が得られた。次に、図２(b) に示すよう
に、ｉ層５の上に、スパッタリングによりＳiＯ2層１１
を2000Åの厚さに形成した。次に、そのＳiＯ2層１１上
にフォトレジスト１２を塗布して、フォトリソグラフィ
により、そのフォトレジスト１２を高キャリヤ濃度ｎ+
層３に対する電極形成部位のフォトレジストを除去した
パターンに形成した。次に、図２(c) に示すように、フ
ォトレジスト１２によって覆われていないＳiＯ2層１１
をフッ酸系エッチング液で除去した。
造工程について、図２、図３及び図４を参照して説明す
る。上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成
長法( 以下、ＭＯＶＰＥと記す）による気相成長により
製造された。用いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガス
Ｈ2 とトリメチルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭ
Ｇと記す）とトリメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)
（以下、ＴＭＡと記す）とシラン（ＳiＨ4）とジエチル
亜鉛（以下、ＤＥＺと記す）である。先ず、有機洗浄及
び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサフ
ァイヤ基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサ
セプタに装着する。次に、常圧でＨ2 を流速２ l／分で
反応室に流しながら温度1100℃でサファイヤ基板１を気
相エッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭＡを 1.8
×10-5モル／分で供給して 500Åの厚さのＡlＮ から成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l
／分、ＴＭＧを 1.7×10-4モル／分、Ｈ2 で0.86ppm ま
で希釈したシラン（ＳiＨ4）を 200ml／分の割合で30分
間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018／cm
3 のＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成し
た。続いて、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持
し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3を10 l／分、ＴＭＧを1.7
×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm、
キャリヤ濃度 1×1015／cm3 のＧaＮ から成る低キャリ
ヤ濃度ｎ層４を形成した。次に、サファイヤ基板１を 9
00℃にして、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭ
Ｇを 1.7×10-4モル／分、ＤＥＺを 1.5×10-4モル／分
の割合で１分間供給して、膜厚 0.1μm のＧaＮ から成
るｉ層５を形成した。このようにして、図２(a) に示す
ような多層構造が得られた。次に、図２(b) に示すよう
に、ｉ層５の上に、スパッタリングによりＳiＯ2層１１
を2000Åの厚さに形成した。次に、そのＳiＯ2層１１上
にフォトレジスト１２を塗布して、フォトリソグラフィ
により、そのフォトレジスト１２を高キャリヤ濃度ｎ+
層３に対する電極形成部位のフォトレジストを除去した
パターンに形成した。次に、図２(c) に示すように、フ
ォトレジスト１２によって覆われていないＳiＯ2層１１
をフッ酸系エッチング液で除去した。
【０００９】次に、図３(d) に示すように、フォトレジ
スト１２及びＳiＯ2層１１によって覆われていない部位
のｉ層５とその下の低キャリヤ濃度ｎ層４と高キャリヤ
濃度ｎ+ 層３の上面一部を、真空度0.04Torr、高周波電
力0.44W／cm2、ＢＣl3ガスを10ml／分の割合で供給しド
ライエッチングした後、Ａr でドライエッチングした。
次に、図３(e) に示すように、ｉ層５上に残っているＳ
iＯ2層１１をフッ酸で除去した。次に、図３(f) に示す
ように、試料の上全面に、蒸着によりＡl 層１３を 0.3
μm の厚さに形成した。そして、そのＡl 層１３の上に
フォトレジスト１４を塗布して、フォトリソグラフィに
より、そのフォトレジスト１４が高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３及びｉ層５に対する電極部が残るように、所定形状に
パターン形成した。
スト１２及びＳiＯ2層１１によって覆われていない部位
のｉ層５とその下の低キャリヤ濃度ｎ層４と高キャリヤ
濃度ｎ+ 層３の上面一部を、真空度0.04Torr、高周波電
力0.44W／cm2、ＢＣl3ガスを10ml／分の割合で供給しド
ライエッチングした後、Ａr でドライエッチングした。
次に、図３(e) に示すように、ｉ層５上に残っているＳ
iＯ2層１１をフッ酸で除去した。次に、図３(f) に示す
ように、試料の上全面に、蒸着によりＡl 層１３を 0.3
μm の厚さに形成した。そして、そのＡl 層１３の上に
フォトレジスト１４を塗布して、フォトリソグラフィに
より、そのフォトレジスト１４が高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３及びｉ層５に対する電極部が残るように、所定形状に
パターン形成した。
【００１０】次に、図４(g) に示すように、フォトレジ
スト１４をマスクとして下層のＡl層１３の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１４
をアセトンで除去し、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極
８、ｉ層５の電極７を形成した。次に、図４(h) に示す
ように、試料の上全面に、スパッタリングによりＳiＯ2
層１５を 200Åの厚さに形成した。次に、図４(i) に示
すように、ＳiＯ2層１５上にフォトレジスト１６を塗布
して、フォトリソグラフィにより、そのフォトレジスト
１６を高キャリヤ濃度ｎ+層３の電極８、ｉ層５の電極
７の一部分に対する電極形成部位のフォトレジストを除
去したパターンに形成した。尚、図４(g) 〜(i) におけ
る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８、ｉ層５の電極７の
それぞれの電極面積の大きさは逆転して描かれている。
スト１４をマスクとして下層のＡl層１３の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１４
をアセトンで除去し、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極
８、ｉ層５の電極７を形成した。次に、図４(h) に示す
ように、試料の上全面に、スパッタリングによりＳiＯ2
層１５を 200Åの厚さに形成した。次に、図４(i) に示
すように、ＳiＯ2層１５上にフォトレジスト１６を塗布
して、フォトリソグラフィにより、そのフォトレジスト
１６を高キャリヤ濃度ｎ+層３の電極８、ｉ層５の電極
７の一部分に対する電極形成部位のフォトレジストを除
去したパターンに形成した。尚、図４(g) 〜(i) におけ
る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８、ｉ層５の電極７の
それぞれの電極面積の大きさは逆転して描かれている。
【００１１】上述の製造工程の後、フォトレジスト１６
によって覆われていないＳiＯ2層１５をフッ酸系エッチ
ング液で除去し、電極７の一部分及びｉ層５上にＳiＯ2
から成る絶縁層９を形成した。このようにして、図１に
示すＭＩＳ（Ｍetal Ｉnsulator Ｓemiconductor）構
造の窒化ガリウム系発光素子を製造することができる。
尚、上記絶縁層９を形成するための絶縁材料としては、
ＳiＯ2の他、Ａl2Ｏ3、Ｓi3Ｎ4 又はＴiＮ などから成
る絶縁物質を選択しても良い。
によって覆われていないＳiＯ2層１５をフッ酸系エッチ
ング液で除去し、電極７の一部分及びｉ層５上にＳiＯ2
から成る絶縁層９を形成した。このようにして、図１に
示すＭＩＳ（Ｍetal Ｉnsulator Ｓemiconductor）構
造の窒化ガリウム系発光素子を製造することができる。
尚、上記絶縁層９を形成するための絶縁材料としては、
ＳiＯ2の他、Ａl2Ｏ3、Ｓi3Ｎ4 又はＴiＮ などから成
る絶縁物質を選択しても良い。
【００１２】このようにして製造された発光ダイオード
１０の電極７，８にはんだバンプ１７，１８を形成す
る。すると、電極７，８の露出面積がほぼ同じであるこ
とからはんだバンプ１７，１８のはんだバンプ高さが略
等しいことになる。従って、発光ダイオード１０の電極
７，８は、図５に示すように、はんだバンプ１７，１８
を介してリードフレーム２０のリード部材２１，２２に
同じ条件で接合されることになる。即ち、発光ダイオー
ド１０の電極７，８の何れか一方がはんだバンプ高さが
異なってリードフレーム２０のリード部材２１，２２に
接合されないというような接合不良をなくすことができ
る。又、上述のように、発光ダイオード１０のｉ層５の
電極７側の電極面積を極力大きくしても、図５に示すよ
うに、電極７の電極８に近い部分を絶縁層９にて覆うこ
とにより、電極７と電極８との露出面を離すことができ
る。即ち、電極７，８のはんだバンプ１７，１８の間隔
を極力離して形成できることになる。このため、発光ダ
イオード１０のｉ層５の電極７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３の電極８とのショート不良をなくすことができる。更
に、発光ダイオード１０のｉ層５の電極７と高キャリヤ
濃度ｎ+ 層３の電極８とは絶縁層９にて絶縁されてお
り、ｉ層５の電極７側の電極面積を極力大きくすること
ができるので、発光ダイオード１０の発光強度を向上す
ることができる。以上説明したように、本発明の発光ダ
イオードにあっては、不良率の低減と性能アップが計ら
れることとなり生産性は飛躍的に向上する。
１０の電極７，８にはんだバンプ１７，１８を形成す
る。すると、電極７，８の露出面積がほぼ同じであるこ
とからはんだバンプ１７，１８のはんだバンプ高さが略
等しいことになる。従って、発光ダイオード１０の電極
７，８は、図５に示すように、はんだバンプ１７，１８
を介してリードフレーム２０のリード部材２１，２２に
同じ条件で接合されることになる。即ち、発光ダイオー
ド１０の電極７，８の何れか一方がはんだバンプ高さが
異なってリードフレーム２０のリード部材２１，２２に
接合されないというような接合不良をなくすことができ
る。又、上述のように、発光ダイオード１０のｉ層５の
電極７側の電極面積を極力大きくしても、図５に示すよ
うに、電極７の電極８に近い部分を絶縁層９にて覆うこ
とにより、電極７と電極８との露出面を離すことができ
る。即ち、電極７，８のはんだバンプ１７，１８の間隔
を極力離して形成できることになる。このため、発光ダ
イオード１０のｉ層５の電極７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３の電極８とのショート不良をなくすことができる。更
に、発光ダイオード１０のｉ層５の電極７と高キャリヤ
濃度ｎ+ 層３の電極８とは絶縁層９にて絶縁されてお
り、ｉ層５の電極７側の電極面積を極力大きくすること
ができるので、発光ダイオード１０の発光強度を向上す
ることができる。以上説明したように、本発明の発光ダ
イオードにあっては、不良率の低減と性能アップが計ら
れることとなり生産性は飛躍的に向上する。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドを示した構成図である。
ドを示した構成図である。
【図２】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した縦断面図である。
した縦断面図である。
【図３】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した図２に続く縦断面図である。
した図２に続く縦断面図である。
【図４】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した図３に続く縦断面図である。
した図３に続く縦断面図である。
【図５】同実施例に係る発光ダイオードとリードフレー
ムとの接合状態を示した部分縦断面図である。
ムとの接合状態を示した部分縦断面図である。
【図６】従来の発光ダイオードとリードフレームとの接
合状態を示した部分縦断面図である。
合状態を示した部分縦断面図である。
１−サファイヤ基板 ２−バッファ層 ３−高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極 １０−発光ダイオード
リヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極 １０−発光ダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−79482（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】 同一面側に正負一対の電極と、この電極
の一部に形成されたバンプとを有する半導体発光素子に
おいて、 前記正負一対の電極の露出面積がほぼ同じとなるように
それらの部分を除いて前記電極側を覆う絶縁層を有し、 前記バンプは前記電極の露出部に形成され、ほぼ同一高
さを有する ことを特徴とする半導体発光素子。
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP18534091A JP2932769B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体発光素子 |
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- 1991-06-28 JP JP18534091A patent/JP2932769B2/ja not_active Expired - Fee Related
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