DE10325951B4

DE10325951B4 - Licht emittierende Diode mit zugehörigem Kontaktschema

Info

Publication number: DE10325951B4
Application number: DE10325951.1A
Authority: DE
Inventors: Daniel A. Steigerwald; Jerome Chandra Bhat; Michael Joseph Ludowise
Original assignee: Lumileds Holding BV
Current assignee: Lumileds Holding BV
Priority date: 2002-06-13
Filing date: 2003-06-07
Publication date: 2019-07-11
Anticipated expiration: 2023-06-08
Also published as: US7095061B2; US20060273339A1; TWI309892B; US6828596B2; US7652304B2; JP2004047988A; JP4564726B2; TW200403869A; US20050067624A1; DE10325951A1; US20030230754A1

Abstract

Licht emittierende Diode (LED) mit:einem Substrat (10);einer Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (11), welche sich über dem Substrat (10) befindet;einer Licht emittierenden Schicht (12), welche über der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) angeordnet ist;einer Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (13), welche über der Licht emittierenden Schicht (12) angeordnet ist;einer Mehrzahl von Durchkontakten (14), welche in der Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (13) ausgebildet sind, wobei sich die Mehrzahl von Durchkontakten (14) zu der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) erstreckt;einer Mehrzahl von ersten Kontakten (21), welche die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) durch die Mehrzahl von Durchkontakten (14) kontaktieren; sowiemindestens einem zweiten Kontakt (20), welcher die Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (13) elektrisch kontaktiert;eine Isolationsschicht (22), die den ersten Kontakt (21) umgibt, so dass die Licht emittierende Schicht (12), die Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und der zweite Kontakt (20) vom ersten Kontakt elektrisch isoliert sind.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Licht emittierende Dioden und, im Besonderen, auf Kontakte für Licht emittierende Dioden.
Licht emittierende Halbleiteranordnungen, wie zum Beispiel Licht emittierende Dioden (LEDs), gehören zu den leistungsfähigsten Lichtquellen, die zur Zeit zur Verfügung stehen. Materialsysteme, welche gegenwärtig bei der Herstellung von, eine große Helligkeit aufweisenden LEDs, die sich zum Betrieb in dem gesamten sichtbaren Spektrum eignen, von Interesse sind, weisen Halbleiter der Gruppe III-V, insbesondere binäre, ternäre und quaternäre Legierungen aus Gallium, Aluminium, Indium und Stickstoff, ebenfalls als III-Nitrid-Materialien bezeichnet, sowie binäre, ternäre und quaternäre Legierungen aus Gallium, Aluminium, Indium und Phosphor, ebenfalls als III-Phosphid-Materialien bezeichnet, auf. Oftmals werden III-Nitrid-Anordnungen auf Saphir, Siliciumcarbid oder III-Nitridsubstrate und III-Phosphid-Anordnungen durch metallorganische, chemische Bedampfung (MOCVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE) oder andere epitaxiale Techniken auf Galliumarsenid epitaxial aufgewachsen. Häufig wird eine n-leitende Schicht (bzw. Schichten) auf das Substrat, auf die n-leitenden Schichten dann eine aktive Zone und auf die aktive Zone anschließend eine p-leitende Schicht (bzw. Schichten) aufgebracht. Die Reihenfolge der Schichten kann so umgekehrt werden, dass sich die p-leitenden Schichten in Angrenzung an das Substrat befinden.
Einige dieser Substrate sind isolierend oder schlecht leitend. In einigen Fällen wird ein Fenster an den Halbleiterschichten angebracht, um die optische Extraktion zu verbessern. Anordnungen, welche aus Halbleiterkristallen, die auf schlecht leitenden Substraten aufgebracht bzw. an diesen befestigt werden, hergestellt sind, müssen die elektrischen Positiv- und Negativkontakte zu dem epitaxial aufgewachsenen Halbleiter auf der gleichen Seite der Anordnung aufweisen. Dagegen können Halbleiteranordnungen, die auf leitenden Substraten aufgebracht werden, so vorgesehen werden, dass ein elektrischer Kontakt auf dem epitaxial aufgewachsenen Material und der andere elektrische Kontakt auf dem Substrat ausgebildet wird. Jedoch können Anordnungen, die auf leitenden Substraten vorgesehen werden, auch so aufgebaut sein, dass beide Kontakte auf der gleichen Seite der Anordnung, auf welcher das Epitaxialmaterial aufgebracht ist, ausgebildet werden, um die Lichtextraktion von dem LED-Chip zu verbessern. Es gibt zwei Arten Anordnungen, bei welchen der p- und der n-Kontakt auf der gleichen Seite ausgebildet ist. Bei dem ersten Typ (ebenfalls als Flip-Chip bekannt) wird das Licht durch das Substrat- oder Fenstermaterial entnommen. Bei dem zweiten Typ (ebenfalls als „Epi-Up“-Struktur bekannt) wird das Licht durch die Kontakte, durch die obersten Halbleiterschichten der Anordnung oder durch die Ränder der Anordnungen entnommen.
Die JP H05- 021 845 A, JP H05- 021 846 A, US 6 278 136 B1 , US 5 696 389 A und US 5 998 232 A offenbaren jeweils Licht emittierende Anordnungen und/oder Herstellungsverfahren für Licht emittierende Anordnungen.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist eine Licht emittierende Diode ein Substrat, eine Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Licht emittierende Schicht sowie eine Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf. In der Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps sind zu der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps mehrere Durchkontakte ausgebildet. Die Durchkontakte können zum Beispiel durch Ätzung, Ionenimplantation, Diffusion oder selektives Wachstum von mindestens einer Schicht des zweiten Halbleitertyps ausgebildet werden. Eine Gruppe von ersten Kontakten kontaktiert die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps durch die Durchkontakte elektrisch. Ein zweiter Kontakt kontaktiert die Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps elektrisch. In einigen Ausführungsbeispielen macht die Fläche des zweiten Kontakts mindestens 75% der Fläche der Anordnung aus. In einigen Ausführungsbeispielen sind die Durchkontakte zwischen etwa 2 und etwa 100 Mikrometer breit und etwa 5 bis etwa 1000 Mikrometer voneinander beabstandet. In einigen Ausführungsbeispielen sind die Durchkontakte in einer quadratischen Anordnung, einer hexagonalen Anordnung, einer rhomboedrischen Anordnung oder einer willkürlichen Anordnung ausgebildet.
Eine Licht emittierende Diode gemäß der vorliegenden Erfindung kann mehrere Vorteile bieten. Erstens kann, da die Distanz, über welche sich Strom innerhalb des Halbleiters lateral ausbreiten muss, verringert wird, der Reihenwiderstand der Anordnung reduziert werden. Zweitens kann mehr Licht erzeugt und der Anordnung entnommen werden, da die Fläche der aktiven Zone und die Fläche des zweiten Kontakts größer als eine Anordnung mit einem einzelnen ersten Kontakt sind. Drittens kann durch die vorliegende Erfindung die Geometrie der Zwischenverbindungen zwischen der Anordnung und der Montagebasis vereinfacht werden, wodurch zum Beispiel die Anwendung kostengünstiger Verfahren zur Aufbringung von Lötmittel möglich ist.
In einem Ausführungsbeispiel sind die ersten Kontakte durch eine Anzahl Zwischenverbindungen miteinander verbunden. Über der Anordnung ist eine Isolationsschicht vorgesehen. Auf einem Abschnitt der Isolationsschicht werden Öffnungen, welche zu den zweiten Kontakten ausgerichtet sind, in der Isolationsschicht ausgebildet. Auf einem anderen Abschnitt der Isolationsschicht werden Öffnungen, die zu den ersten Kontakten und den Zwischenverbindungen ausgerichtet sind, in der Isolationsschicht ausgebildet. Eine erste Schicht eines Materials der Montagebasisverbindung, wie zum Beispiel Lötmetall, wird auf einem Teil der Anordnung und eine zweite Schicht des Materials der Montagebasisverbindung auf dem anderen Teil der Anordnung aufgebracht. Die beiden Montagebasis-Verbindungsschichten können dann verwendet werden, um die Anordnung mit einer Montagebasis zu verbinden.

1 ist ein Beispiel einer Licht emittierenden Diode mit großem Übergang;
2 ist eine Draufsicht einer Licht emittierenden Diode mit großem Übergang, welche Durchkontakte aufweist;
3 ist einen Querriss der in 2 dargestellten Diode entlang Achse A;
4A-4E sind ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in verschiedenen Stufen der Herstellung;
5 ist eine Draufsicht einer Licht emittierenden Diode mit Durchkontakten und Lötverbindungen;
6 ist einen Querriss der in 5 dargestellten Diode entlang Achse AA; 7 ist einen Querriss der in 5 dargestellten Diode entlang Achse BB;
8 ist eine Draufsicht einer Licht emittierenden Diode mit kleinem Übergang, welche Durchkontakte aufweist;
9 ist einen Querriss der in 8 dargestellten Diode entlang Achse CC;
10 ist eine Explosionsansicht einer Licht emittierenden Diode, welche in ein Gehäuse integriert ist;
11 ist einen Querriss multipler, Licht emittierender Diode, welche auf einer Leiterplatte angebracht sind;
12 ist eine Licht emittierende Diode, welche in ein Gehäuse integriert ist;
13 ist eine Licht emittierende Diode mit Wellenlängenumwandlungsmaterial;
14 ist einen Querriss eines alternativen Ausführungsbeispiels einer Licht emittierenden Diode mit kleinem Übergang;
15 ist eine Draufsicht eines alternativen Ausführungsbeispiels einer Licht emittierenden Diode mit kleinem Übergang.

Gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ist eine Licht emittierende Diode (LED) Anordnung, wie zum Beispiel eine Licht emittierende Diode, mit einem n- Kontakt, der mehrere Durchkontakte aufweist, vorgesehen. Solche Licht emittierenden Dioden können aus jedem geeigneten Materialsystem, einschließlich z. B. II-VI- Materialsystemen und III-V Materialsystemen, wie z. B. III-Nitrid, III-Phosphid und III- Arsenid, gefertigt werden.
1 zeigt ein Beispiel einer großflächigen, Licht emittierenden III-Nitrid-Flip-Chip- Dioden. Eine großflächige Anordnung ist eine Anordnung mit einer Fläche von etwa 0,2 Quadratmillimeter oder mehr, während eine kleinflächige Anordnung eine Anordnung mit einer Fläche von weniger als etwa 0,2 Quadratmillimeter ist. Eine kleinflächige Anordnung kann zum Beispiel eine Größe von 0,3 mm mal 0,4 mm aufweisen. Die in 1 dargestellte Anordnung kann zum Beispiel auf einer Seite 1 mm lang sein. Die in 1 dargestellte Anordnung ist in US 6 486 499 B1 näher beschrieben. Die in 1 dargestellte Anordnung weist einen einzelnen, großen n- Kontakt und einen einzelnen, großen p-Kontakt auf.
Durch den hohen spezifischen Widerstand der p-leitenden Schichten wird bei den Licht emittierenden III-Nitrid-Anordnungen eine Metallschicht verwendet, welche über den p-leitenden Schichten angeordnet ist, um eine p-seitige Stromverteilung vorzusehen. Sind beide Kontakte auf der gleichen Seite der Anordnung ausgebildet, muss die n-seitige Stromverteilung durch die n-leitenden III-Nitridschichten erfolgen. Bei III-Phosphid-Anordnungen, welche auf leitenden Substraten vorgesehen sind, kann die n-seitige Stromverteilung ebenfalls durch das Substrat erfolgen. Sowohl bei III-Nitrid- als auch bei III-Phosphid-Anordnungen sollte die Distanz, über welche die Stromverteilung innerhalb des Halbleiters erforderlich ist, minimiert werden, da eine erforderliche Stromverteilung über große Distanzen einen höheren Widerstand und eine weniger gleichmäßige Stromdichte hervorruft. Es müssen erhöhte Steuerspannungen an die Anordnungen angelegt werden, um die erforderliche Stromdichte an jeder Stelle der n-leitenden Schichten zu erreichen. Bei der in 1 gezeigten III-Nitrid-Anordnung kann zum Beispiel die Distanz, welche zur Stromverteilung durch die n-leitende Schicht erforderlich ist, unter etwa 200 Mikrometer gehalten werden, was bedeutet, dass kein Teil des p-Kontakts mehr als 200 Mikrometer von dem nächsten Teil des n-Kontakts entfernt ist.
Die Stromverteilung kann bei großflächigen Anordnungen, bei welchen der Strom in den unteren Halbleiterschichten sich über eine beträchtliche, laterale Distanz ausbreiten muss, ein spezifisches Problem darstellen. Um dieses Problem zu umgehen, wurde die Verwendung der Stromverteilungsfinger, wie in 1 dargestellt, vorgeschlagen. Jedoch muss bei Anordnungen mit Stromverteilungsfingern auf dem n-Kontakt, wie in 1 dargestellt, eine beträchtliche, aktive Zone geopfert werden, um Finger zur erhöhten Stromverteilung vorzusehen. Bei kleinflächigen Chips, d.h. Anordnungen mit einer kleineren Fläche als 0,2 Quadratmillimeter, kann eine effiziente Stromverteilung ein kleineres Problem als bei großflächigen Chips darstellen. Jedoch muss noch immer eine aktive Zone der LED-Fläche geopfert werden, um einen Kontakt zu der Halbleiterschicht herzustellen. Typischerweise würde die zur Herstellung eines solchen Kontakts erforderliche, absolute Mindestfläche durch die Mindestgröße, welche erforderlich ist, um einen elektrischen Kontakt zu dem Chip herzustellen, bestimmt werden. Bei einem Flip-Chip würde die minimale, herstellbare Größe eines Lötkontakthügels die Mindestgröße der darunter liegenden Kontaktfläche 41 bestimmen. Bei einer „Epi-Up“-Struktur würde die Mindestfläche, zu welcher Drahtverbindungen wiederholbar hergestellt werden könnten, diese Mindestkontaktfläche bestimmen. Daher nimmt die teilweise Fläche des Chips, welche erforderlich ist, um einen Kontakt zu der n-leitenden Halbleiterschicht herzustellen, mit Abnahme der Fläche der LED-Chips zu, während die teilweise Fläche der aktiven Zone der LED verringert wird.
2 zeigt eine Draufsicht eines Beispiels einer erfindungsgemäß vorgesehenen LED. Statt der Verwendung eines einzelnen, großen n-Kontakts, wie bei der Anordnung in 1 dargestellt, wird bei der Anordnung von 2 der Kontakt zu der n- Schicht der Anordnung durch eine Reihe von Durchkontakten 14 hergestellt, welche durch die aktive Zone und die p-Schichten der Anordnung geätzt werden.
3 zeigt einen Querriss der in 2 dargestellten Anordnung entlang Achse A. In den 2 und 3 sind zum Zwecke einer deutlicheren Darstellung lediglich die Halbleiterschichten, nicht jedoch die Metallkontakte wiedergegeben. Wie in 3 gezeigt, sind über einem Substrat 10 eine oder mehrere n-leitende Schichten 11 ausgebildet. Eine aktive Zone 12 ist über der einen oder den mehreren n-leitenden Schichten ausgebildet, und über der aktiven Zone sind eine oder mehrere p-leitende Schichten 13 vorgesehen. Mehrere Durchkontakte 14 werden in der Anordnung bis zu den n-leitenden Schichten 11 durch Wegätzen der p-leitenden Schichten 13 und der aktiven Zone 12, zum Beispiel durch reaktives Ionenätzen, durch Ionenimplantation, durch Dotierungsdiffusion oder durch selektives Wachstum der aktiven Zone 12 und der p-leitenden Schichten 13, ausgebildet. Der Durchmesser (Dimension a in 3) des Durchkontakts kann zum Beispiel zwischen etwa 2 und etwa 100 Mikrometer liegen und liegt gewöhnlich zwischen etwa 10 Mikrometer und etwa 50 Mikrometer. Der Abstand zwischen Durchkontakten (Dimension b in 3) kann zum Beispiel etwa 5 bis etwa 1000 Mikrometer betragen und liegt gewöhnlich zwischen etwa 50 und etwa 200 Mikrometer. Die in 2 dargestellte Anordnung weist eine rechteckige 4 × 4-Anordnung von Durchkontakten auf. Eine rechteckige Anordnung einer anderen Größe (zum Beispiel 6 × 6 oder 9 × 9) kann, ebenso wie eine hexagonale Anordnung, eine rhomboedrische Anordnung, eine kubisch-flächenzentrierte Anordnung, eine willkürliche Anordnung oder eine andere geeignete Anordnung, ebenfalls verwendet werden.
Auf dem Rest der p-leitenden Schichten 13 wird ein p-Kontakt ausgebildet, und in Durchkontakten 14 werden n-Kontakte aufgebracht. Die p- und n-Kontakte werden gewöhnlich für eine geringe optische Lichtabsorption und einen geringen spezifischen Kontaktwiderstand ausgewählt. Bei einer III-Nitrid-Anordnung kann der p-Kontakt zum Beispiel aus Ag, Al, Au, Rh, Pt bestehen. Ein Mehrschichtkontakt kann einen sehr dünnen, halb transparenten ohmschen Kontakt in Verbindung mit einer dicken Reflexionsschicht, welche als Stromverteilungsschicht wirkt, aufweisen. Zwischen der ohmschen Schicht und der Reflexionsschicht ist eine optionale Barriereschicht vorgesehen. Ein Beispiel eines solchen p-leitenden Mehrschichtkontakts ist durch einen Gold/Nickeloxid/Aluminiumkontakt dargestellt. Typische Dicken für diese Art Kontakt sind 30 Angström Gold, 100 Angström Nickeloxid und 1500 Angström Aluminium. Der n-Kontakt einer III-Nitrid-Anordnung kann zum Beispiel aus Al, Ag bestehen oder durch einen Mehrschichtkontakt dargestellt sein. Ein geeigneter, n-leitender III-Nitrid-Mehrschichtkontakt besteht aus Titan und Aluminium mit typischen Dicken von 30 Angström Titan und 1500 Angström Aluminium. Bei einer III-Phosphid-Anordnung kann der p-Kontakt zum Beispiel aus Au : Zn, Au : Be, Al, Pt, Pd, Rh oder Ag bestehen. Der n-Kontakt einer III-Phosphid-Anordnung kann zum Beispiel aus Au : Te, Au : Sn, Au : Ge, Ag, Al, Pt, Rh oder Pd bestehen.
Die 4A-4E zeigen ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in verschiedenen Stufen der Herstellung. In 4A werden eine oder mehrere n-leitende Schichten 11 auf einem Substrat 10 epitaxial aufgebracht. N-leitende Schichten 11 können zum Beispiel eine Pufferschicht, eine Kontaktschicht, eine undotierte Kristallschicht sowie n-leitende Schichten variierender Zusammensetzung und Dotierungskonzentration aufweisen. N-leitende Schichten können zum Beispiel durch MOCVD aufgebracht werden. Sodann wird auf den n-leitenden Schichten 11 eine aktive Zone 12 ausgebildet. Die aktive Zone 12 kann zum Beispiel mehrere Quantum-Well-Schichten, welche durch mehrere Barriereschichten getrennt sind, aufweisen. Anschließend werden auf der aktiven Zone eine oder mehrere p-leitende Schichten 13 vorgesehen. P-leitende Schichten 13 können zum Beispiel eine Elektronenbegrenzungsschicht, eine Kontaktschicht sowie weitere p-leitende Schichten unterschiedlicher Zusammensetzung und Dotierungskonzentration aufweisen. Danach werden eine oder mehrere p-Metallschichten 20, welche die Elektrode bilden oder einen Kontakt zu den p-leitenden Schichten 13 herstellen, auf den p-leitenden Schichten 13 aufgebracht. Bei dem p-Metall 20 kann es sich um ein hoch reflektierendes Metall, wie zum Beispiel Silber, handeln. Wird Silber als p-Metall 20 verwendet, wird unter dem p-Metall 20 eine dünne Metallschicht, wie zum Beispiel Nickel, zur Herstellung eines ohmschen Kontakts optional aufgebracht.
Sodann wird das p-Metall 20, zum Beispiel unter Anwendung eines fotolithografischen Verfahrens in Verbindung mit einer Ätzung oder unter Anwendung eines Abhebeprozesses, strukturiert, wie in 4B dargestellt. Durch die Strukturierung wird p- Metall 20, welches nicht als p-Kontakt verwendet wird, entfernt. Somit wird durch die Strukturierung p-Metall 20 entfernt, welches über Durchkontakten 14 liegt.
In 4C wird eine optionale Metallschutzschicht 50 über dem verbleibenden p-Metall 20 und den freiliegenden, p-leitenden Schichten 13 aufgebracht. Die Metallschutzschicht 50 wird zum Beispiel verwendet, wenn Silber als p-Metall 20 eingesetzt wird. Die Metallschutzschicht 50 verhindert, dass das aus Silber bestehende p-Metall in andere Teile der Anordnung eindringt. Die Metallschutzschicht 50 wird sodann strukturiert und zur Ausbildung der Durchkontakte 14 in einem oder mehreren Ätzschritten geätzt. Statt durch Ätzung können die Durchkontakte 14 ausgebildet werden, indem p-leitende Schichten 13 selektiv so aufgebracht werden, dass keine p-leitende Schicht dort vorgesehen wird, wo die Durchkontakte zu positionieren sind. Oder die Durchkontakte 14 können durch Implantieren oder Eindiffundieren von n-leitenden Ionen in die p-leitende Zone sowie die aktive Zone, welche in den Durchkontakten angeordnet ist, vorgesehen werden, um, statt die p-leitende Schicht und die aktive Zone in den Durchkontaktpositionen wegzuätzen, eine n-leitende Zone in den Durchkontakten auszubilden. Somit handelt es sich bei Durchkontakten 14 nicht unbedingt um Öffnungen, welche in den p-leitenden Schichten 13 und der aktiven Zone 12 ausgebildet sind.
In 4D wird eine dielektrische Schicht 22, wie zum Beispiel Aluminiumoxid, aufgebracht, um p-Metall 20 und die Metallschutzschicht 50 von einem in Durchkontakt 14 aufzubringenden n-Metall elektrisch zu isolieren. Die dielektrische Schicht 22 kann aus einem irgendeinem Material bestehen, welches zwei Materialien auf beiden Seiten der dielektrischen Schicht 22 elektrisch isoliert. Die dielektrische Schicht 22 wird strukturiert, um einen Teil des dielektrischen Materials, welches die n-leitende Schicht 11 am Ende von Durchkontakt 14 bedeckt, zu entfernen. Die dielektrische Schicht 22 muss eine geringe Defektdichte aufweisen, um ein Kurzschließen zwischen den p- und n-Kontakten zu verhindern. In einigen Ausführungsbeispielen ist die dielektrische Schicht 22 durch dielektrische Mehrfachschichten dargestellt.
In 4E wird in Durchkontakt 14 ein n-Metall 21 aufgebracht. Die Zwischenverbindung 15a, welche das in jedem Durchkontakt aufgebrachte n-Metall verbindet, kann ebenfalls zu diesem Zeitpunkt vorgesehen werden.
Die Herstellung eines Kontakts zu den n-leitenden Schichten einer Licht emittierenden Diode mit einer Anordnung von Durchkontakten 14, wie in 2 dargestellt, kann mehrere Vorteile bieten. Erstens reduziert die Verwendung von Durchkontakten die Höhe der in der Anordnung erforderlichen, lateralen Stromverteilung, indem die maximale Distanz von jedem, unter dem p-Kontakt liegenden Punkt zu jedem, unter dem n-Kontakt liegenden Punkt reduziert wird. Berechnungen zeigen, dass der Stromverteilungswiderstand in den n-leitenden Schichten der großflächigen LEDs, bei denen die n-leitende Schicht durch eine Anordnung von Durchkontakten kontaktiert wird, um einen Faktor 10 bis 20 reduziert werden kann. Die Reduzierung des Bauelementwiderstands reduziert ebenfalls die normale Betriebsspannung der Anordnung, wodurch die Netzsteckereffektivität der Anordnung verbessert wird. Die Netzsteckereffektivität einer Anordnung wird als das Verhältnis von abgehenden, optischen Watt zu der Anordnung zugeführten, elektrischen Watt definiert. Um die gleiche Stromdichte in der gesamten aktiven Zone zu injizieren, wäre somit für eine Anordnung, wie zum Beispiel die in 2 dargestellte, eine geringere Durchlassspannung als für eine Anordnung, wie zum Beispiel die in 1 dargestellte, erforderlich. Des Weiteren resultiert die verringerte Distanz, über welche die Stromverteilung in der n-leitenden Halbleiterschicht erfolgt, in einer gleichmäßigeren Stromdichte in der aktiven Zone, wodurch sich ein gleichmäßigerer Betrieb und eine gleichmäßigere Lichtleistung der Anordnung ergibt. Zudem bedeutet weniger Widerstand, dass weniger Wärme in der Anordnung erzeugt wird, was ebenfalls zu einer effektiveren Lichterzeugung bei reduzierter Sperrschichttemperatur führt. Eine Reduzierung der Wärmeabgabe kann ebenfalls den Montagebasisaufbau vereinfachen, da durch die Verbindung zu der Montagebasis weniger Wärme abgeleitet werden muss.
Zweitens, wenn an Stelle eines einzelnen, großen Kontakts, wie in den 1 und 2 dargestellt, Durchkontakteeingesetzt werden, um einen Kontakt zu der n-leitenden Schicht herzustellen, erhöht sich das Flächenausnutzungsverhältnis der Anordnung. Das Flächenausnutzungsverhältnis wird als das Verhältnis der p-Metall-Fläche zu der Oberfläche der Seite der Anordnung, auf welcher die Kontakte vorgesehen sind, definiert. Eine Erhöhung des Flächenausnutzungsverhältnisses bedeutet, dass die Anordnung eine größere aktive Zone aufweist, da die aktive Zone unter dem p-Metall liegt, und daher mehr Licht erzeugen kann. Ebenso bedeutet eine Erhöhung des Flächenausnutzungsverhältnisses eine Zunahme der Fläche des hoch reflektierenden p-Kontakts. Somit fällt ein größerer Anteil des auf die Kontaktseite auffallenden Lichts auf den hoch reflektierenden p-Kontakt auf, wodurch die Absorption des Lichts, welches in der Anordnung erzeugt wird, abnimmt. Bei einer Anordnung von 1 Quadratmillimeter mit Durchkontakten für den n-Kontakt kann das Flächenausnutzungsverhältnis, im Vergleich zu 68% bei einem Fingerkontaktschema, wie in der Anordnung von 1 dargestellt, 80% überschreiten.
Drittens kann die Verwendung von Durchkontakten an Stelle eines großen n- Kontakts den Aufbau der Montagebasis vereinfachen, indem die Anordnung der Montagebasisverbindungen zu dem p-Metall und n-Metall willkürlich vorgesehen wird. Die Möglichkeit, willkürlich angeordnete Montagebasisverbindungen vorzusehen, ist in den 5, 6 und 7 dargestellt. 5 zeigt eine Draufsicht einer Anordnung mit großem Übergang (d. h. einer Fläche von 0,2 Quadratmillimeter oder mehr), welche Durchkontakte aufweist. Die Durchkontakte 14 sind durch horizontale Zwischenverbindungen 15a und vertikale Zwischenverbindungen 15b untereinander verbunden. Die Zwischenverbindungen 15a und 15b können zum Beispiel 10 Mikrometer breit sein. 5 zeigt ebenfalls eine mögliche Montagebasisverbindung. Montagebasisverbindungsschichten 16 und 17 stellen eine elektrische Verbindung zwischen der Licht emittierenden Diode und der Montagebasis her, während ein Wärmeableitungsweg zur Wärmeabführung während des Betriebs vorgesehen ist. Die Montagebasisverbindungsschichten 16 und 17 können durch Lötschichten oder durch eine andere leitende Verbindung zwischen der Montagebasis und der Anordnung, wie zum Beispiel reine Metalle, Metalllegierungen, Halbleitermetall-Legierungen, thermisch und elektrisch leitende Pasten oder Verbindungen (z. B. Epoxide), eutektische Verbindungen zwischen ungleichartigen Metallen zwischen der Licht emittierenden Diode und der Montagebasis (z. B. Pd-In-Pd), Goldbondhügel oder Lötkontakthügel, dargestellt sein. Die Montagebasisverbindung 16 verbindet mit Teilen des p-Metalls der Anordnung, während die Montagebasisverbindung 16 mit dem n-Metall, welches in einigen Durchkontakten und den, die Durchkontakte verbindenden Zwischenverbindungen 15a und 15b aufgebracht ist, verbindet.
Wie in 5 dargestellt, bilden die untereinander verbundenen Durchkontakte ein Gitter über der Anordnung. Obgleich lediglich das n-Metall in Durchkontakten 14 die n-leitende Schicht kontaktiert, sind Zwischenverbindungen 15a und 15b mit den Durchkontakten und damit mit den n-leitenden Schichten elektrisch verbunden. Infolgedessen sind sowohl die Durchkontakte 14 als auch die Zwischenverbindungen 15a und 15b als n-Kontakte zu einer Montagebasis nutzbar. Im Gegensatz zu dem in 1 dargestellten n-Kontakt sind die Durchkontakte 14 und Zwischenverbindungen 15a und 15b nicht auf eine bestimmte Fläche auf dem Chip beschränkt. Ebenso weist das durch Durchkontakte 14 und Zwischenverbindungen 15a und 15b gebildete Gitter eine Anordnung aus neun p-Kontakt-Segmenten auf, welche als p-Kontakte zu einer Montagebasis nutzbar sind. Ebenso wie die n-Kontakte sind die p-Kontakt-Segmente nicht auf eine bestimmte Fläche auf dem Chip beschränkt. Somit sind die Montagebasisverbindungen, da p-Kontakte und n-Kontakte an vielen Stellen auf dem Chip angeordnet sind, nicht durch die Form und Position der p- und n-Kontakte begrenzt.
6 zeigt einen Querschnitt der in 5 dargestellten Anordnung entlang Achse AA. Die n-leitenden Schichten 11, die aktive Zone 12, die p-leitenden Schichten 13 und das p-Metall 20 werden zum Beispiel wie oben unter Bezugnahme auf die 4A-4E beschrieben ausgebildet. Die optionale Schutzschicht wurde zum Zwecke einer deutlicheren Darstellung weggelassen. Die Durchgänge sind von den p-leitenden Schichten und den p- Metall-Kontakten durch die dielektrische Schicht 22 getrennt. Sodann kann ein n-Metall über dem gesamten Chip aufgebracht und strukturiert werden, um n-Kontakte 21 in Durchkontakten 14 und Zwischenverbindungen 15a und 15b auszubilden. Eine horizontale Zwischenverbindung 15a ist in 6 dargestellt. Über dem Chip wird dann eine zweite dielektrische Schicht 23 aufgebracht. Die zweite dielektrische Schicht 23 wird strukturiert, um eine erste Gruppe von, zu p-Metallzonen 20 ausgerichteten Öffnungen auf der Seite der Anordnung, welche sich unter der Montagebasisverbindung 16 befindet, sowie eine zweite Gruppe von, zu Durchkontakten 14 und Zwischenverbindungen 15a und 15b ausgerichteten Öffnungen auf der Seite der Anordnung, welche sich unter der Montagebasisverbindung 17 befindet, vorzusehen. Da die Verbindung 16 den p-Kontakt zu der Montagebasis darstellt, trennt die dielektrische Schicht 23 die Montagebasisverbindung 16 von den Zwischenverbindungen 15a und 15b. Da die Montagebasisverbindung 17 den n-Kontakt zu der Montagebasis herstellt, wird die dielektrische Schicht 23 von den Zwischenverbindungen und Durchkontakten, welche sich unter der Schicht 17 befinden, so entfernt, dass die Montagebasisverbindung einen elektrischen Kontakt zu Durchkontakten 14 und Zwischenverbindungen 15a und 15b herstellen kann.
7 zeigt einen Querschnitt der in 5 dargestellten Anordnung entlang Achse BB. Montagebasisverbindung 16 soll einen Kontakt zu p-Metall 20 herstellen; somit wird in dem sich unmittelbar unter der Montagebasisverbindung 16 befindenden Bereich die gesamte dielektrische Schicht 23 mit Ausnahme des Teils, welcher die vertikalen Zwischenverbindungen 15b bedeckt, entfernt. Montagebasisverbindung 17 soll einen Kontakt zu dem n-Metall und den Zwischenverbindungen herstellen; somit wird in dem sich unmittelbar unter der Montagebasisverbindung 17 befindenden Bereich die dielektrische Schicht 23 lediglich von der Oberseite der vertikalen Zwischenverbindungen 15b entfernt. Die p-Metallschicht 20 ist somit durch die dielektrische Schicht 23 von der Montagebasisverbindung 17 getrennt. Die Montagebasisverbindungen 16 und 17 müssen nicht so wie in 5 dargestellt aufgebracht werden. Es sind durch geeignete Strukturierung der dielektrischen Schicht 23 weitere Konfigurationen möglich.
Die Möglichkeit, willkürliche Verbindungen zu der Montagebasis herzustellen, bietet mehrere Vorteile. Große, leitende Montagebasisverbindungen, wie in 5 dargestellt, sind leichter und kostengünstiger als eine oder mehrere, kleinere Montagebasisverbindungen auf die Anordnung aufzubringen. Zum Beispiel können bei der in 5 dargestellten Anordnung Lötschichten für Montagebasisverbindungen 16 und 17 auf einfache Weise durch Siebdruck aufgebracht werden. Dagegen sind bei der in 1 dargestellten Anordnung Lötkontakthügel notwendig, um die n-Elektrode zu kontaktieren. Lötkontakthügel sind teuer, und es sind enge Herstellungstoleranzen erforderlich. Eine Lötung durch Siebdruck ist im Vergleich kostengünstiger und einfacher. Auch leiten große, leitende Montagebasisverbindungen mehr Wärme von dem LED-Flip-Chip als kleinere Verbindungen ab. Wie vom Stand der Technik her bekannt, erzeugen kühlere, Licht emittierende Dioden typischerweise mehr Licht als wärmere Anordnungen und bieten eine verbesserte Betriebslebensdauer.
8 zeigt eine Draufsicht einer Anordnung mit kleinem Übergang (d. h. einer Fläche von weniger als einem Quadratmillimeter), welche Durchkontakte aufweist. 9 zeigt einen Querschnitt der in 8 dargestellten Anordnung entlang Achse CC. Die in den 8 und 9 dargestellte Anordnung weist einen einzelnen, bis zu der n-leitenden Schicht 11 geätzten Durchkontakt 14 auf. In Durchkontakt 14 ist ein n-Kontakt 21 aufgebracht. N- Durchkontakt 14 ist am Mittelpunkt der Anordnung angeordnet, um eine verbesserte Stromgleichmäßigkeit und Lichtemission vorzusehen. Auf der p-leitenden Schicht 13 ist ein hoch reflektierender p-Kontakt 20 aufgebracht. Eine optionale Metallschutzschicht 50 bedeckt den reflektierenden p-Kontakt 20, und über der Metallschutzschicht 50 ist eine dicke p-Metallschicht 20a aufgebracht. N-Kontakt 21 ist von den drei p-Metallschichten 20, 50 und 20a durch eine oder mehrere dielektrische Schichten 22 getrennt. Eine p-Montagebasisverbindung 16 verbindet mit p-Metallschicht 20a, und eine Montagebasisverbindung 17 verbindet mit n-Metallschicht 21, um die Anordnung mit einer Montagebasis zu verbinden.
Wie in 8 dargestellt, ist die Anordnung durch drei Montagebasisverbindungen, zwei p-Montagebasisverbindungen 16 und eine n-Montagebasisverbindung 17, mit einer Montagebasis verbunden. N-Montagebasisverbindung 17 kann irgendwo innerhalb der n-Kontaktzone 21 (umgeben von der Isolationsschicht 22) angeordnet und muss nicht unmittelbar über Durchkontakt 14 vorgesehen sein. Ebenso kann die p-Montagebasisverbindung 16 irgendwo auf der p-Metallschicht 20a angeordnet sein.
Infolgedessen ist die Verbindung der Anordnung mit einer Montagebasis nicht durch die Form oder Positionierung von p-Kontakt 20a und n-Kontakt 21 begrenzt.
Bei Anordnungen mit kleinem oder großem Übergang können Durchkontakte in Verbindung mit größeren Kontakten verwendet werden. 15 zeigt eine Draufsicht einer Anordnung mit kleinem Übergang. 14 zeigt einen Querschnitt der in 15 dargestellten Anordnung entlang Achse DD. Wie in 15 dargestellt, kann eine Anordnung eine oder mehrere Durchkontakte 21 zusammen mit einem kontinuierlichen n-Kontaktring 25, welcher die aktive Zone umgibt, aufweisen. 14 zeigt, dass Durchkontakt 21 und Ring 25 durch Zwischenverbindung 15a untereinander elektrisch verbunden sind. Ring 25 verringert die Distanz, über welche sich Strom lateral ausbreiten muss und reduziert folglich den Reihenwiderstand der Anordnung. Die in den 14 und 15 dargestellte Anordnung zeigt eine Anordnung mit kleinem Übergang, welche einen einzelnen Durchkontakt aufweist. Ring 25, welcher in den 14 und 15 dargestellt ist, kann ebenfalls in Anordnungen mit großem Übergang, welche mehr als einen Durchkontakt 21 aufweisen, eingesetzt werden.
Obgleich die oben beschriebenen Beispiele die Zwischenverbindungen zwischen dem LED-Chip und der Montagebasis als Lötverbindung beschreiben, kann jede geeignete Zwischenverbindung verwendet werden. Zum Beispiel können die Zwischenverbindungen durch reine Metalle, Metalllegierungen, Halbleiter-Metall- Legierungen, thermisch und elektrisch leitende Pasten oder Verbindungen, wie zum Beispiel Epoxid, eutektische Verbindungen, wie zum Beispiel Pd-In-Pd, Au-Bondhügel oder Lötkontakthügel, dargestellt sein.
10 zeigt eine Explosionsansicht einer gehäusten, Licht emittierenden Diode. In einen, unter Anwendung der Insert-Technik vorgesehenen Leiterrahmen 106 wird ein Wärmeabführungselement 100 eingebracht. Leiterrahmen 106 ist zum Beispiel durch ein gefülltes Kunststoffmaterial, welches um einen, eine elektrische Bahn vorsehenden Metallrahmen geformt ist, dargestellt. Element 100 kann eine optionale Reflektorschale 102 aufweisen. Der LED-Chip 104, welcher durch eine der hier beschriebenen Anordnungen dargestellt sein kann, ist über eine wärmeleitende Montagebasis 103 direkt oder indirekt an Element 100 angebracht. Es kann eine optische Linse 108 vorgesehen werden.
12 zeigt ein alternatives Ausführungsbeispiel einer gehäusten, Licht emittierenden Diode. Die Licht emittierende Diode 104, welche durch eine der hier beschriebenen Anordnungen dargestellt sein kann, ist auf einer, in einem Gehäuse 136 angeordneten Montagebasis 103 angebracht und mit dieser elektrisch verbunden. Elektrische Leitungen 132 verbinden die positiven und die negativen Anschlüsse von Montagebasis 103 mit den positiven und den negativen Anschlüssen 130 des Gehäuses.
Eine Linse 134 kann die Licht emittierende Diode 104 bedecken. Linse 134 und Gehäuse 136 können zum Beispiel aus transparentem Epoxid vorgesehen sein.
11 zeigt einen Querriss mehrerer LEDs, die auf einer Leiterplatte angebracht sind. Die LEDs 104, welche durch eine der hier beschriebenen Anordnungen dargestellt sein können, sind durch Zwischenverbindungen 122 mit einer Leiterplatte 120 verbunden. Zwischenverbindungen 122 können zum Beispiel durch Lötverbindungen dargestellt sein. Leiterbahnen 124 auf Leiterplatte 120 verbinden die LEDs 104 untereinander elektrisch.
13 zeigt einen Querriss eines Ausführungsbeispiels der Erfindung, welches eine Wellenlängenumwandlungsschicht 1300 aufweist. Die Wellenlängenumwandlungsschicht 1300 kann aus einem Fluoreszenzmaterial, wie zum Beispiel Phosphor, bestehen. Die Wellenlängenumwandlungsschicht 1300 absorbiert Licht, welches von der aktiven Zone 12 emittiert wird, und wandelt die Wellenlänge dieses Lichts um. Die Umwandlungseffektivität eines Wellenlängenumwandlungsmaterials, wie zum Beispiel Phosphor, in einer Anordnung, wie zum Beispiel der in 13 dargestellten, ist von dem Reflexionsvermögen der Kontakte 20 und 21 abhängig. Die Wellenlängenumwandlungsschicht 1300 emittiert Licht isotrop, weshalb ein großer Anteil des wellenlängenumgewandelten Lichts auf Kontakte 20 und 21 auffällt. Ebenso unterliegt Licht bei Austreten aus der Wellenlängenumwandlungsschicht 1300 einer optischen Streuung, wobei erneut ein großer Anteil des wellenlängenumgewandelten Lichts auf Kontakte 20 und 21 gerichtet ist. Je höher somit das Gesamtreflexionsvermögen der Kontakte 20 und 21, desto größer der Anteil des aus der Anordnung austretenden Lichts.
Das Gesamtreflexionsvermögen einer Anordnung kann als ein, über die Fläche gewichtetes Reflexionsvermögen bezeichnet werden. Das, über die Fläche gewichtete Reflexionsvermögen ist die Summe des Reflexionsvermögens jedes Kontakts, multipliziert mit dem Prozentsatz der von dem Kontakt bedeckten Fläche der Anordnung. Eine Anordnung mit einem einzelnen großen n-Kontakt kann zum Beispiel einen p-Silberkontakt (92% Reflexionsvermögen), welcher 50% der Fläche der Anordnung bedeckt, sowie einen n-Aluminiumkontakt (82% Reflexionsvermögen) aufweisen, welcher 20% der Fläche der Anordnung bedeckt. Eine solche Anordnung würde ein, über die Fläche gewichtetes Reflexionsvermögen von 0,92.0,5 + 0,82.0,2 = 0,62 aufweisen. Dagegen kann eine Anordnung mit mehreren, in Durchkontakten ausgebildeten n-Kontakten einen p-Silberkontakt, welcher 80% der Anordnung bedeckt, sowie mehrere n-Aluminiumkontakte aufweisen, welche 2% der Anordnung bedecken. Eine solche Anordnung würde ein, über die Fläche gewichtetes Reflexionsvermögen von 0,92.0,8 + 0,82.0,02 = 0,75 aufweisen. Ein, über die Fläche gewichtetes Reflexionsvermögen über 0,65 kann die Umwandlungseffektivität einer Anordnung mit einer Wellenlängenumwandlungsschicht erhöhen.
Die Darstellungen verschiedener Strukturen in den verschiedenen Diagrammen sind beispielhaft. Zum Beispiel ist die Erfindung nicht auf III-Nitrid- oder III-Phosphid-Anordnungen beschränkt und kann bei jeder Anordnung, bei welcher sowohl die p- als auch die n-Kontakte auf der gleichen Seite der Anordnung ausgebildet sind, angewandt werden.

Claims

Licht emittierende Diode (LED) mit: einem Substrat (10); einer Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (11), welche sich über dem Substrat (10) befindet; einer Licht emittierenden Schicht (12), welche über der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) angeordnet ist; einer Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (13), welche über der Licht emittierenden Schicht (12) angeordnet ist; einer Mehrzahl von Durchkontakten (14), welche in der Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (13) ausgebildet sind, wobei sich die Mehrzahl von Durchkontakten (14) zu der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) erstreckt; einer Mehrzahl von ersten Kontakten (21), welche die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) durch die Mehrzahl von Durchkontakten (14) kontaktieren; sowie mindestens einem zweiten Kontakt (20), welcher die Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (13) elektrisch kontaktiert; eine Isolationsschicht (22), die den ersten Kontakt (21) umgibt, so dass die Licht emittierende Schicht (12), die Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und der zweite Kontakt (20) vom ersten Kontakt elektrisch isoliert sind.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) und die Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (13) Gallium und Stickstoff aufweisen.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) und die Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps (13) Aluminium und Phosphor aufweisen.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei jeder Mehrzahl von Durchkontakten (14) eine Breite (a) zwischen 2 µm und 100 µm aufweist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei jeder der Mehrzahl von Durchkontakten (14) eine Breite (a) von 10 µm bis 50 µm aufweist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei jeder der Mehrzahl von Durchkontakten (14) zwischen 5 µm und 1000 µm von einem anderen Durchkontakt (14) entfernt (b) ausgebildet ist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei jeder der Mehrzahl von Durchkontakten (14) zwischen 50 µm und 250 µm von einem anderen Durchkontakt (14) entfernt (b) ausgebildet ist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei die Mehrzahl von Durchkontakten (14) in einer Anordnung der Gruppe, welcher rechteckige, hexagonale, rhomboedrische, kubisch-flächenzentrierte und willkürliche Anordnungen angehören, ausgebildet ist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, welche weiterhin aufweist: eine erste Isolationsschicht (22), welche über der Mehrzahl von ersten Kontakten (21) und zweiten Kontakten (20) ausgebildet ist; eine erste Mehrzahl von Öffnungen in der ersten Isolationsschicht (22), wobei die erste Mehrzahl von Öffnungen zu der Mehrzahl von Durchkontakten (14) ausgerichtet ist; sowie eine Mehrzahl von Zwischenverbindungen (15a, 15b), welche über der ersten Isolationsschicht (22) ausgebildet sind, wobei die Mehrzahl von Zwischenverbindungen (15a, 15b) die Mehrzahl von ersten Kontakten (21) verbindet.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 9, welche weiterhin aufweist: eine zweite Isolationsschicht (23), welche über der ersten Isolationsschicht (22) und der Mehrzahl von Zwischenverbindungen (15a, 15b) ausgebildet ist; mindestens eine erste Öffnung in der zweiten Isolationsschicht (23), wobei die erste Öffnung auf einem ersten Teil der Anordnung positioniert und zu mindestens einem Teil des zweiten Kontakts (20) ausgerichtet ist; sowie mindestens eine zweite Öffnung in der zweiten Isolationsschicht (22), wobei die zweite Öffnung auf einem zweiten Teil der Anordnung positioniert und zu mindestens einem Teil der Mehrzahl von Zwischenverbindungen (15a, 15b) und der Mehrzahl von Durchkontakten (14) ausgerichtet ist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 10, welche weiterhin aufweist: eine erste Montagebasisverbindung, welche sich über dem ersten Teil der Anordnung befindet; sowie eine zweite Montagebasisverbindung, welche sich über dem zweiten Teil der Anordnung befindet.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 11, welche weiterhin aufweist: eine Montagebasis (103), welche mit der ersten Montagebasisverbindung und der zweiten Montagebasisverbindung verbunden ist; eine Mehrzahl von Zuleitungen (132), welche an der Montagebasis (103) angeschlossen sind; sowie eine Linse (108, 134), welche sich unter der Montagebasis (103) befindet.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 12, welche weiterhin aufweist einen Wärmeableiter, welcher zwischen den Zuleitungen (132) und der Montagebasis (103) angeordnet ist.
Licht emittierende Anordnung nach Anspruch 11, welche weiterhin aufweist eine Leiterplatte (120), welche mit der ersten Montagebasisverbindung und der zweiten Montagebasisverbindung verbunden ist, wobei die Leiterplatte (120) eine Leiterbahn (124) aufweist, die an die erste Montagebasisverbindung oder die zweite Montagebasisverbindung gekoppelt ist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei der zweite Kontakt (20) ein Material enthält, welches aus der Gruppe, der Ag, Al, Au, Rh, Pt, Au, Zn, Au, Be und Pd angehört, ausgewählt wurde.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei mindestens einer der ersten Kontakte (21) ein Material enthält, welches aus der Gruppe, der Au, Te, Au, Sn, Au, Ge, Ag, Al, Pt, Rh und Pd angehört, ausgewählt wurde.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, wobei eine Fläche des zweiten Kontakts (20) mindestens 75% einer Fläche der Anordnung aufweist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, welche weiterhin eine Wellenlängenumwandlungsschicht (1300) aufweist, die sich unter mindestens einem Teil des Substrats (10) befindet.
Licht emittierende Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Anordnung ein über die Fläche gewichtetes Reflexionsvermögen von über 0,65 aufweist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 1, welche weiterhin einen Ring (25) aufweist, der die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) elektrisch kontaktiert, wobei der Ring (25) die Licht emittierende Schicht (12) umgibt.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 20, wobei der Ring (25) mit der Mehrzahl von ersten Kontakten (21) elektrisch verbunden ist.
Licht emittierende Diode nach einem der Ansprüche 1 bis 21, mit: einer Montagebasisverbindung, welche mindestens einen ersten Kontakt (21) elektrisch kontaktiert, wobei mindestens ein Teil der Montagebasisverbindung über dem zweiten Kontakt (20) liegt.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 22, welche weiterhin eine Isolationsschicht aufweist, die zwischen der Montagebasisverbindung und dem zweiten Kontakt (20) angeordnet ist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 22, wobei die Montagebasisverbindung Lötmetall aufweist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 22, welche weiterhin aufweist: eine Montagebasis (103), welche an die Montagebasisverbindung angeschlossen ist; einen Leiterrahmen (106), welcher mit der Montagebasis (103) verbunden ist; sowie eine Linse (108, 134), welche sich unter der Montagebasis (103) befindet.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 25, wobei der Leiterrahmen (106) aufweist: eine Zuleitung erster Polarität, welche zwei Zweige aufweist; sowie eine Zuleitung zweiter Polarität, welche zwei Zweige aufweist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 25, welche weiterhin aufweist ein Gehäuse (136), welches sich über der Montagebasis (103) befindet, wobei das Gehäuse (136) und die Linse (108, 134) transparentes Epoxid aufweisen.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 22, welche weiterhin aufweist eine Leiterplatte (120), welche an die erste Montagebasisverbindung und die zweite Montagebasisverbindung angeschlossen ist, wobei die Leiterplatte (120) eine Leiterbahn (124) aufweist, welche an die erste Montagebasisverbindung oder die zweite Montagebasisverbindung gekoppelt ist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 22, wobei die Anordnung eine Fläche von weniger als 0,2 Quadratmillimeter aufweist.
Licht emittierende Diode nach Anspruch 22, die weiterhin einen Ring (25) aufweist, welcher die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (11) elektrisch kontaktiert, wobei der Ring (25) die Licht emittierende Anordnung umgibt und mit dem mindestens einen ersten Kontakt (21) elektrisch verbunden ist.