JPH0521846A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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- JPH0521846A JPH0521846A JP20130691A JP20130691A JPH0521846A JP H0521846 A JPH0521846 A JP H0521846A JP 20130691 A JP20130691 A JP 20130691A JP 20130691 A JP20130691 A JP 20130691A JP H0521846 A JPH0521846 A JP H0521846A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧaＮ 系の化合物半導体の発光ダイオードの
青色の発光領域の部位における発光ムラをなくし、その
発光強度を向上させること。 【構成】 発光ダイオード１０は同一面側にｉ層５の電
極７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８とを有し、ｉ層
５の電極７の周囲で電極間距離がほぼ等しくなるように
高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８が形成されている。こ
れにより、発光ダイオード１０の電極間を流れる電流を
発光領域の部位に拘わらずほぼ同じとすることができ
る。従って、発光ダイオード１０の青色の発光領域にお
ける発光ムラをなくすことができると共に発光強度を向
上させることができる。
青色の発光領域の部位における発光ムラをなくし、その
発光強度を向上させること。 【構成】 発光ダイオード１０は同一面側にｉ層５の電
極７と高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８とを有し、ｉ層
５の電極７の周囲で電極間距離がほぼ等しくなるように
高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８が形成されている。こ
れにより、発光ダイオード１０の電極間を流れる電流を
発光領域の部位に拘わらずほぼ同じとすることができ
る。従って、発光ダイオード１０の青色の発光領域にお
ける発光ムラをなくすことができると共に発光強度を向
上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光の窒化ガリウム
系化合物半導体発光素子に関する。
系化合物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、青色の発光ダイオードとしてＧaＮ
系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧ
aＮ 系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効
率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色と
すること等から注目されている。このようなＧaＮ 系の
化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイヤ基
板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を
介在させて、ｎ導電型のＧaＮ 系の化合物半導体から成
るｎ層を成長させ、そのｎ層の上にｐ型不純物を添加し
てｉ型のＧaＮ 系の化合物半導体から成るｉ層を成長さ
せた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公
報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧ
aＮ 系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効
率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色と
すること等から注目されている。このようなＧaＮ 系の
化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイヤ基
板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を
介在させて、ｎ導電型のＧaＮ 系の化合物半導体から成
るｎ層を成長させ、そのｎ層の上にｐ型不純物を添加し
てｉ型のＧaＮ 系の化合物半導体から成るｉ層を成長さ
せた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公
報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図７に示すよ
うに、発光ダイオード６０のｉ層の電極６７はｉ層上に
直接、又、ｎ層の電極６８はｉ層の一部に設けられた孔
内を利用してＡl などの金属をそれぞれ蒸着して形成さ
れている。この発光ダイオード６０の発光強度を向上さ
せるには、その発光領域がｉ層の電極６７の上部及びそ
の近傍に位置していることから、ｉ層の電極６７の電極
面積をなるべく大きくすれば良いことが知られている。
ところで、上述の理由により発光ダイオード６０のｉ層
の電極６７の電極面積が大きく取られるため、ｉ層の電
極６７とｎ層の電極６８との電極間距離が発光領域の部
位により大きく違ってしまうことになる。そして、発光
ダイオード６０の電極６７，６８は、はんだバンプを介
してリードフレーム７０のリード部材７１，７２などに
ボンディングされ接合されている。すると、上記リード
フレーム７０のリード部材７１，７２にて発光ダイオー
ド６０に供給される電流は、ｉ層の電極６７とｎ層の電
極６８との電極間距離が近い抵抗の少ない部分をより多
く流れることになる。従って、発光ダイオード６０は発
光領域において発光ムラが生じることになる。このよう
な発光ダイオード６０の発光状態においては、ｉ層の電
極６７の電極面積を大きく形成したにも拘わらず余り発
光強度が向上しないという問題があった。
うに、発光ダイオード６０のｉ層の電極６７はｉ層上に
直接、又、ｎ層の電極６８はｉ層の一部に設けられた孔
内を利用してＡl などの金属をそれぞれ蒸着して形成さ
れている。この発光ダイオード６０の発光強度を向上さ
せるには、その発光領域がｉ層の電極６７の上部及びそ
の近傍に位置していることから、ｉ層の電極６７の電極
面積をなるべく大きくすれば良いことが知られている。
ところで、上述の理由により発光ダイオード６０のｉ層
の電極６７の電極面積が大きく取られるため、ｉ層の電
極６７とｎ層の電極６８との電極間距離が発光領域の部
位により大きく違ってしまうことになる。そして、発光
ダイオード６０の電極６７，６８は、はんだバンプを介
してリードフレーム７０のリード部材７１，７２などに
ボンディングされ接合されている。すると、上記リード
フレーム７０のリード部材７１，７２にて発光ダイオー
ド６０に供給される電流は、ｉ層の電極６７とｎ層の電
極６８との電極間距離が近い抵抗の少ない部分をより多
く流れることになる。従って、発光ダイオード６０は発
光領域において発光ムラが生じることになる。このよう
な発光ダイオード６０の発光状態においては、ｉ層の電
極６７の電極面積を大きく形成したにも拘わらず余り発
光強度が向上しないという問題があった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光領域の部
位における発光ムラをなくし、その発光強度を向上させ
ることである。
されたものであり、その目的とするところは、ＧaＮ 系
の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光領域の部
位における発光ムラをなくし、その発光強度を向上させ
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型
不純物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有す
る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、同一
面側に前記ｎ層の電極と前記ｉ層の電極とを有し、一方
の電極の周囲に他方の電極を形成したことを特徴とす
る。
の発明の構成は、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型
不純物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体
（ＡlXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有す
る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、同一
面側に前記ｎ層の電極と前記ｉ層の電極とを有し、一方
の電極の周囲に他方の電極を形成したことを特徴とす
る。
【０００６】
【作用及び効果】同一面側にｎ層の電極とｉ層の電極と
を有し、一方の電極の周囲に他方の電極が形成される。
これにより、発光ダイオードの青色の発光領域における
発光ムラをなくすことができた。即ち、発光ダイオード
のｎ層の電極とｉ層の電極との電極間距離をほぼ等しく
できるため、それら電極間に流れる電流を発光領域の部
位に拘わらずほぼ同じとすることができる。この作用に
より、発光ダイオードは青色の発光強度が向上した。
を有し、一方の電極の周囲に他方の電極が形成される。
これにより、発光ダイオードの青色の発光領域における
発光ムラをなくすことができた。即ち、発光ダイオード
のｎ層の電極とｉ層の電極との電極間距離をほぼ等しく
できるため、それら電極間に流れる電流を発光領域の部
位に拘わらずほぼ同じとすることができる。この作用に
より、発光ダイオードは青色の発光強度が向上した。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示
し、図１(a) は縦断面図、図１(b) は電極側から見た平
面図である。図１(a) において、発光ダイオード１０
は、サファイヤ基板１を有しており、そのサファイヤ基
板１に 500ÅのＡlＮ のバッファ層２が形成されてい
る。そのバッファ層２の下には、順に、膜厚 2.2μm の
ＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm
のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されてお
り、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の下に膜厚 0.1μm の
ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層
５の中央部に接続するアルミニウムから成る電極７が形
成されている。又、図１(b) に示すように、電極７の周
囲で電極間距離をほぼ等しくして高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に側面から接続するアルミニウムから成る電極８が形
成されている。
明する。図１は本発明に係る発光ダイオード１０を示
し、図１(a) は縦断面図、図１(b) は電極側から見た平
面図である。図１(a) において、発光ダイオード１０
は、サファイヤ基板１を有しており、そのサファイヤ基
板１に 500ÅのＡlＮ のバッファ層２が形成されてい
る。そのバッファ層２の下には、順に、膜厚 2.2μm の
ＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３と膜厚 1.5μm
のＧaＮ から成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されてお
り、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の下に膜厚 0.1μm の
ＧaＮ から成るｉ層５が形成されている。そして、ｉ層
５の中央部に接続するアルミニウムから成る電極７が形
成されている。又、図１(b) に示すように、電極７の周
囲で電極間距離をほぼ等しくして高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に側面から接続するアルミニウムから成る電極８が形
成されている。
【０００８】次に、この構造の発光ダイオード１０の製
造工程について、図２、図３及び図４を参照して説明す
る。上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成
長法( 以下、ＭＯＶＰＥと記す）による気相成長により
製造された。用いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガス
Ｈ2 とトリメチルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭ
Ｇと記す）とトリメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)
（以下、ＴＭＡと記す）とシラン（ＳiＨ4）とジエチル
亜鉛（以下、ＤＥＺと記す）である。先ず、有機洗浄及
び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサフ
ァイヤ基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサ
セプタに装着する。次に、常圧でＨ2 を流速２ l／分で
反応室に流しながら温度1100℃でサファイヤ基板１を気
相エッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3を10 l／分、ＴＭＡを 1.8
×10-5モル／分で供給して 500Åの厚さのＡlＮ から成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l
／分、ＴＭＧを 1.7×10-4モル／分、Ｈ2 で0.86ppm ま
で希釈したシラン（ＳiＨ4）を 200ml／分の割合で30分
間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018／cm
3 のＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成し
た。続いて、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持
し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭＧを1.7
×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm、
キャリヤ濃度 1×1015／cm3 のＧaＮ から成る低キャリ
ヤ濃度ｎ層４を形成した。次に、サファイヤ基板１を 9
00℃にして、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭ
Ｇを 1.7×10-4モル／分、ＤＥＺを 1.5×10-4モル／分
の割合で１分間供給して、膜厚 0.1μmのＧaＮ から成
るｉ層５を形成した。このようにして、図２(a) に示す
ような多層構造が得られた。次に、図２(b) に示すよう
に、図２(a) の多層構造のウェーハに対して太い刃物
（例えば、 250μm 厚）を用いたダイシングによりｉ層
５から低キャリヤ濃度ｎ層４、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３、バッファ層２、サファイヤ基板１の上面一部まで格
子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れる。次に、
図２(c) に示すように、試料の上全面及び側面（垂直
面）に、試料の回転を伴うアルミニウムの蒸着によりＡ
l 層１１を 0.3μm の厚さに形成した。そして、そのＡ
l 層１１の上にフォトレジスト１２を塗布して、フォト
リソグラフィにより、そのフォトレジスト１２が高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層３及びｉ層５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。
造工程について、図２、図３及び図４を参照して説明す
る。上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成
長法( 以下、ＭＯＶＰＥと記す）による気相成長により
製造された。用いられたガスは、ＮＨ3 とキャリヤガス
Ｈ2 とトリメチルガリウム（Ｇa(ＣＨ3)3)（以下、ＴＭ
Ｇと記す）とトリメチルアルミニウム（Ａl(ＣＨ3)3)
（以下、ＴＭＡと記す）とシラン（ＳiＨ4）とジエチル
亜鉛（以下、ＤＥＺと記す）である。先ず、有機洗浄及
び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサフ
ァイヤ基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサ
セプタに装着する。次に、常圧でＨ2 を流速２ l／分で
反応室に流しながら温度1100℃でサファイヤ基板１を気
相エッチングした。次に、温度を 400℃まで低下させ
て、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3を10 l／分、ＴＭＡを 1.8
×10-5モル／分で供給して 500Åの厚さのＡlＮ から成
るバッファ層２を形成した。次に、サファイヤ基板１の
温度を1150℃に保持し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l
／分、ＴＭＧを 1.7×10-4モル／分、Ｈ2 で0.86ppm ま
で希釈したシラン（ＳiＨ4）を 200ml／分の割合で30分
間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5×1018／cm
3 のＧaＮ から成る高キャリヤ濃度ｎ+ 層３を形成し
た。続いて、サファイヤ基板１の温度を1150℃に保持
し、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭＧを1.7
×10-4モル／分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm、
キャリヤ濃度 1×1015／cm3 のＧaＮ から成る低キャリ
ヤ濃度ｎ層４を形成した。次に、サファイヤ基板１を 9
00℃にして、Ｈ2 を20 l／分、ＮＨ3 を10 l／分、ＴＭ
Ｇを 1.7×10-4モル／分、ＤＥＺを 1.5×10-4モル／分
の割合で１分間供給して、膜厚 0.1μmのＧaＮ から成
るｉ層５を形成した。このようにして、図２(a) に示す
ような多層構造が得られた。次に、図２(b) に示すよう
に、図２(a) の多層構造のウェーハに対して太い刃物
（例えば、 250μm 厚）を用いたダイシングによりｉ層
５から低キャリヤ濃度ｎ層４、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３、バッファ層２、サファイヤ基板１の上面一部まで格
子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れる。次に、
図２(c) に示すように、試料の上全面及び側面（垂直
面）に、試料の回転を伴うアルミニウムの蒸着によりＡ
l 層１１を 0.3μm の厚さに形成した。そして、そのＡ
l 層１１の上にフォトレジスト１２を塗布して、フォト
リソグラフィにより、そのフォトレジスト１２が高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層３及びｉ層５に対する電極部が残るよう
に、所定形状にパターン形成した。
【０００９】次に、図３(d) に示すように、フォトレジ
スト１２をマスクとして下層のＡl層１１の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１２
をアセトンで除去し、ｉ層５の電極７を形成した。尚、
図４は、この工程完了状態におけるウェーハを上から見
た平面図を示す。次に、図３(e) に示すように、細い刃
物（例えば、 150μm 厚）を用いたダイシングによりＡ
l 層１１が蒸着されたサファイヤ基板１を切り離して個
片とし、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８を形成した。
このようにして、図１に示すＭＩＳ（Ｍetal Ｉnsulat
or Ｓemiconductor）構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。
スト１２をマスクとして下層のＡl層１１の露出部を硝
酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１２
をアセトンで除去し、ｉ層５の電極７を形成した。尚、
図４は、この工程完了状態におけるウェーハを上から見
た平面図を示す。次に、図３(e) に示すように、細い刃
物（例えば、 150μm 厚）を用いたダイシングによりＡ
l 層１１が蒸着されたサファイヤ基板１を切り離して個
片とし、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８を形成した。
このようにして、図１に示すＭＩＳ（Ｍetal Ｉnsulat
or Ｓemiconductor）構造の窒化ガリウム系発光素子を
製造することができる。
【００１０】そして、発光ダイオード１０は電極７，８
に形成されたはんだバンプを介して、図５に示すよう
に、リードフレーム２０のリード部材２１，２２に接合
される。すると、ｉ層５の電極７はその周囲に形成され
た高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８との電極間距離がほ
ぼ等しいことになる。即ち、発光ダイオード１０の電極
間を流れる電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じと
することができる。従って、発光ダイオード１０の青色
の発光領域における発光ムラをなくすことができると共
に発光強度を向上させることができた。又、本実施例の
発光ダイオード１０においては、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に接続するようにアルミニウムにて側面を覆って電極
８が形成されている。このため、ｉ層の電極７の上部及
びその近傍に位置している発光領域から側面側に逃げよ
うとする光が上方に反射されることになり、更に、発光
ダイオード１０の発光強度が向上される。
に形成されたはんだバンプを介して、図５に示すよう
に、リードフレーム２０のリード部材２１，２２に接合
される。すると、ｉ層５の電極７はその周囲に形成され
た高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極８との電極間距離がほ
ぼ等しいことになる。即ち、発光ダイオード１０の電極
間を流れる電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じと
することができる。従って、発光ダイオード１０の青色
の発光領域における発光ムラをなくすことができると共
に発光強度を向上させることができた。又、本実施例の
発光ダイオード１０においては、高キャリヤ濃度ｎ+ 層
３に接続するようにアルミニウムにて側面を覆って電極
８が形成されている。このため、ｉ層の電極７の上部及
びその近傍に位置している発光領域から側面側に逃げよ
うとする光が上方に反射されることになり、更に、発光
ダイオード１０の発光強度が向上される。
【００１１】図６は本発明に係る他の実施例である発光
ダイオード３０を示し、図６(a) は縦断面図、図６(b)
は電極側から見た平面図である。尚、上述の発光ダイオ
ード１０と同じ層構造から成るものについては同じ符号
を付してその説明を省略する。この発光ダイオード３０
においては、上述の図２(a) に示す多層構造のウェーハ
に対して、ｉ層５とその下の低キャリヤ濃度ｎ層４と高
キャリヤ濃度ｎ+ 層３の上面の一部をドライエッチング
して孔を形成し、その試料の上全面に蒸着によりＡl 層
を形成した。そして、Ａl 層をエッチングして高キャリ
ヤ濃度ｎ+ 層３の電極３８、ｉ層５の電極３７を形成し
た。すると、図６(b) に示すように、高キャリヤ濃度ｎ
+ 層３の電極３８はその周囲に形成されたｉ層５の電極
３７との電極間距離がほぼ等しいことになる。即ち、発
光ダイオード３０の電極間を流れる電流を発光領域の部
位に拘わらずほぼ同じとすることができる。従って、発
光ダイオード３０の青色の発光領域における発光ムラを
なくすことができると共に発光強度を向上させることが
できた。又、上述の発光ダイオード３０の電極配置とは
反対に、ｉ層５の電極をｉ層５の中央部にできるだけ広
範囲に形成し、その周囲に上述と同様にドライエッチン
グして高キャリヤ濃度ｎ+ 層３まで到達するような溝を
形成し、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極を形成する。こ
の時、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極とｉ層５の電極と
の電極間距離をほぼ等しくする。すると、この発光ダイ
オードにおいても電極間を流れる電流を発光領域の部位
に拘わらずほぼ同じとすることができ、同様の効果が得
られることになる。尚、この発光ダイオードにおける発
光領域は、ｉ層５の電極の上部及びその近傍である中央
部分となり、上述の発光ダイオード３０では周囲部分で
ある。
ダイオード３０を示し、図６(a) は縦断面図、図６(b)
は電極側から見た平面図である。尚、上述の発光ダイオ
ード１０と同じ層構造から成るものについては同じ符号
を付してその説明を省略する。この発光ダイオード３０
においては、上述の図２(a) に示す多層構造のウェーハ
に対して、ｉ層５とその下の低キャリヤ濃度ｎ層４と高
キャリヤ濃度ｎ+ 層３の上面の一部をドライエッチング
して孔を形成し、その試料の上全面に蒸着によりＡl 層
を形成した。そして、Ａl 層をエッチングして高キャリ
ヤ濃度ｎ+ 層３の電極３８、ｉ層５の電極３７を形成し
た。すると、図６(b) に示すように、高キャリヤ濃度ｎ
+ 層３の電極３８はその周囲に形成されたｉ層５の電極
３７との電極間距離がほぼ等しいことになる。即ち、発
光ダイオード３０の電極間を流れる電流を発光領域の部
位に拘わらずほぼ同じとすることができる。従って、発
光ダイオード３０の青色の発光領域における発光ムラを
なくすことができると共に発光強度を向上させることが
できた。又、上述の発光ダイオード３０の電極配置とは
反対に、ｉ層５の電極をｉ層５の中央部にできるだけ広
範囲に形成し、その周囲に上述と同様にドライエッチン
グして高キャリヤ濃度ｎ+ 層３まで到達するような溝を
形成し、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極を形成する。こ
の時、高キャリヤ濃度ｎ+ 層３の電極とｉ層５の電極と
の電極間距離をほぼ等しくする。すると、この発光ダイ
オードにおいても電極間を流れる電流を発光領域の部位
に拘わらずほぼ同じとすることができ、同様の効果が得
られることになる。尚、この発光ダイオードにおける発
光領域は、ｉ層５の電極の上部及びその近傍である中央
部分となり、上述の発光ダイオード３０では周囲部分で
ある。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドを示した構成図である。
ドを示した構成図である。
【図２】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した縦断面図である。
した縦断面図である。
【図３】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程を示
した図２に続く縦断面図である。
した図２に続く縦断面図である。
【図４】同実施例に係る発光ダイオードの製造工程の途
中におけるウェーハの状態を示した平面図である。
中におけるウェーハの状態を示した平面図である。
【図５】同実施例に係る発光ダイオードとリードフレー
ムとの接合状態を示した部分縦断面図である。
ムとの接合状態を示した部分縦断面図である。
【図６】本発明に係る発光ダイオードの他の実施例を示
した構成図である。
した構成図である。
【図７】従来の発光ダイオードとリードフレームとの接
合状態を示した部分縦断面図である。
合状態を示した部分縦断面図である。
１−サファイヤ基板 ２−バッファ層 ３−高キャ
リヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極 １０−発光ダイオード
リヤ濃度ｎ+ 層 ４−低キャリヤ濃度ｎ層 ５−ｉ層 ７，８−電極 １０−発光ダイオード
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ
lXＧa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純
物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡlX
Ｇa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子において、 同一面側に前記ｎ層の電極と前記ｉ層の電極とを有し、
一方の電極の周囲に他方の電極を形成したことを特徴と
する半導体発光素子。
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