KR101007128B1 - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층;상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 외곽부를 감싸는 제1 절연층;상기 제1 도전형 반도체층의 외곽부에 형성된 제1 전극층;상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층을 복수의 영역으로 분리하는 제2 절연층; 및상기 복수의 분리된 제2 도전형 반도체층 상에 공통 제2 전극;을 포함하는 발광소자.
- 제1 항에 있어서,상기 제1 전극층은상기 제1 절연층, 상기 기판 중 적어도 하나의 일부분까지 연장되어 형성되는 발광소자.
- 삭제
- 삭제
- 기판이 준비되는 단계;상기 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 외곽부를 제거하는 단계;상기 외곽부 제거에 따라 노출되는 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층의 측면을 감싸는 제1 절연층을 형성하는 단계; 및상기 제1 도전형 반도체층의 외곽부에 제1 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 삭제
- 기판이 준비되는 단계;상기 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층의 외곽부를 감싸는 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층을 복수의 영역으로 분리하는 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층의 외곽부에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및상기 복수의 분리된 제2 도전형 반도체층 상에 공통 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 제7 항에 있어서,상기 제2 절연층을 형성하는 단계는,상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층을 복수의 영역으로 분리하는 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및상기 제2 트렌치를 메우는 제2 절연층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 제2 트렌치를 메우는 제2 절연층을 형성하는 단계는상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 외곽부를 감싸는 제1 절연층을 형성하는 단계와 동시에 진행되는 발광소자의 제조방법.
- 삭제
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층의 일부가 제거되어 노출된 상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극;상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층의 외곽부에 형성된 제3 절연층; 및상기 제2 도전형 반도체층의 상에 형성된 제2 전극층;을 포함하는 발광소자.
- 제11 항에 있어서,상기 제2 전극층은상기 제3 절연층 일부를 감싸는 발광소자.
- 제11 항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층을 복수의 영역으로 분리하는 제4 절연층을 포함하는 발광소자.
- 제13 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 복수로 분리된 제1 도전형 반도체층 상에 공통 제1 전극으로 형성되는 발광소자.
- 제11 항에 있어서,상기 제2 전극층은 반사전극층, 투명전극층 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.
- 기판이 준비되는 단계;상기 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 기판, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층의 외곽부를 감싸는 제3 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층의 상측 둘레에 제2 전극층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 중심부를 일부 제거하여 상기 제1 도전형 반도체층을 노출하는 단계; 및상기 노출된 제1 도전형 반도체층 중심부 상에 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 기판이 준비되는 단계;상기 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층, 상기 제1 도전형 반도체층을 복수의 영역으로 분리하는 제2 트렌치를 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층, 상기 활성층의 중심부를 제거하여 상기 제2 트렌치보다 폭이 큰 제1 트렌치를 형성하는 단계;상기 제1 트렌치를 메우는 제4 절연층과 상기 기판, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층의 외곽부를 감싸는 제3 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 반도체층의 상측 둘레에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제1 도전형 반도체층 중심부 상에 공통 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
- 제16 항 또는 제17 항에 있어서,상기 제2 전극층을 형성하는 단계는상기 제3 절연층도 감싸는 발광소자의 제조방법.
- 제17 항에 있어서,상기 제2 전극층을 형성하는 단계와 상기 공통 제1 전극을 형성하는 단계는 동시에 진행되는 발광소자의 제조방법.
- 제16 항 또는 제17 항에 있어서,상기 제2 전극층을 형성하는 단계는 빛을 반사할 수 있는 금속으로 형성하며,상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명전극층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
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