JP2002368275A - 半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体素子及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
- H10H20/8314—Electrodes characterised by their shape extending at least partially onto an outer side surface of the bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の特性を確保しつつ、絶縁基板へ
電極を配置させてリードと素子との導電性をとる。 【解決手段】 導電型の異なる第1の半導体層と第2の半
導体層とを含む半導体層が絶縁基板上に形成され、第1
の半導体層上に第1の電極が形成され、少なくとも第1の
半導体層をエッチングして表出させた第2の半導体層の
上に第2の電極が形成される半導体素子であって、第2の
電極の側面、第2の半導体層の側面及び絶縁基板の側面
から底面にかけてダイボンディング電極を形成する。こ
のダイボンディング電極と第２の電極の側面とは金属−
金属接合となってここに低抵抗のコンタクトが得られ
る。
電極を配置させてリードと素子との導電性をとる。 【解決手段】 導電型の異なる第1の半導体層と第2の半
導体層とを含む半導体層が絶縁基板上に形成され、第1
の半導体層上に第1の電極が形成され、少なくとも第1の
半導体層をエッチングして表出させた第2の半導体層の
上に第2の電極が形成される半導体素子であって、第2の
電極の側面、第2の半導体層の側面及び絶縁基板の側面
から底面にかけてダイボンディング電極を形成する。こ
のダイボンディング電極と第２の電極の側面とは金属−
金属接合となってここに低抵抗のコンタクトが得られ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体素子、例えば半
導体発光素子及びその製造方法の改良に関する。
導体発光素子及びその製造方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】サファイア等の絶縁基板を有するIII族
窒化物系化合物半導体発光素子では基板の裏側へ電極を
形成できないため、基板の表面側に2つの電極を形成し
ていた。この場合、電極により発光面積が減少したり等
方的な発光パターンを得難いなどの素子の発光態様に支
障をきたす他、2箇所にワイヤーボンディングを施す必
要が生じて製造に手間のかかるものとなっていた。この
ような課題を解決するために、絶縁基板の周囲を導電性
の材料で被覆してｎ型電極とリードとの導電性を確保し
た半導体発光素子が提案されている（特開平８−１０２
５４９号公報、特開平６−２６８２５８号公報参照）。
窒化物系化合物半導体発光素子では基板の裏側へ電極を
形成できないため、基板の表面側に2つの電極を形成し
ていた。この場合、電極により発光面積が減少したり等
方的な発光パターンを得難いなどの素子の発光態様に支
障をきたす他、2箇所にワイヤーボンディングを施す必
要が生じて製造に手間のかかるものとなっていた。この
ような課題を解決するために、絶縁基板の周囲を導電性
の材料で被覆してｎ型電極とリードとの導電性を確保し
た半導体発光素子が提案されている（特開平８−１０２
５４９号公報、特開平６−２６８２５８号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特開平８−１０２５４
９号公報に記載の半導体発光素子は、サファイア基板の
裏面及び側面並びに半導体層の側面を導電性の反射膜で
被覆したものであり、当該導電性反射膜はｎ型層とその
側面でコンタクトする。ウエハの状態から半導体発光素
子を切り分ける際に、半導体層には分離溝が形成され、
この分離溝の周壁が発光素子の半導体層の側面となる。
従って、ｎ型層の側面は一般的に荒れており、当該側面
へ導電性の材料を積層しても、両者の間に充分な低抵抗
のコンタクトをとることは困難である。他方、特開平６
−２６８２５８号公報に記載の半導体発光素子では、サ
ファイア基板の周囲に傾斜面を形成しその上のｎ型層に
電極を形成し、カップ型のリードへ素子を固定する際に
使用する導電性ペーストを故意的に当該ｎ型電極まで周
りこませようとするものである。しかしながら、サファ
イア基板の傾斜面にIII族窒化物系化合物半導体層を結
晶性良く成長させることは困難であり、現在発光素子に
要求される発光特性を得ることができない。また、チッ
プサイズが小さいため、導電性ペーストをｐ型層又はｐ
型電極に接触させずに組み立てることは困難である。
９号公報に記載の半導体発光素子は、サファイア基板の
裏面及び側面並びに半導体層の側面を導電性の反射膜で
被覆したものであり、当該導電性反射膜はｎ型層とその
側面でコンタクトする。ウエハの状態から半導体発光素
子を切り分ける際に、半導体層には分離溝が形成され、
この分離溝の周壁が発光素子の半導体層の側面となる。
従って、ｎ型層の側面は一般的に荒れており、当該側面
へ導電性の材料を積層しても、両者の間に充分な低抵抗
のコンタクトをとることは困難である。他方、特開平６
−２６８２５８号公報に記載の半導体発光素子では、サ
ファイア基板の周囲に傾斜面を形成しその上のｎ型層に
電極を形成し、カップ型のリードへ素子を固定する際に
使用する導電性ペーストを故意的に当該ｎ型電極まで周
りこませようとするものである。しかしながら、サファ
イア基板の傾斜面にIII族窒化物系化合物半導体層を結
晶性良く成長させることは困難であり、現在発光素子に
要求される発光特性を得ることができない。また、チッ
プサイズが小さいため、導電性ペーストをｐ型層又はｐ
型電極に接触させずに組み立てることは困難である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は上記課題を解
決すべくなされたものであり、その構成を以下に示す。
導電型の異なる第1の半導体層と第2の半導体層とを含む
半導体層が絶縁基板上に形成され、前記第1の半導体層
上に第1の電極が形成され、少なくとも前記第1の半導体
層をエッチングして表出させた前記第2の半導体層の上
に第2の電極が形成される半導体素子であって、前記第2
の電極の側面、前記第2の半導体層の側面及び前記絶縁
基板の少なくとも側面にダイボンディング電極が形成さ
れている、ことを特徴とする半導体素子。
決すべくなされたものであり、その構成を以下に示す。
導電型の異なる第1の半導体層と第2の半導体層とを含む
半導体層が絶縁基板上に形成され、前記第1の半導体層
上に第1の電極が形成され、少なくとも前記第1の半導体
層をエッチングして表出させた前記第2の半導体層の上
に第2の電極が形成される半導体素子であって、前記第2
の電極の側面、前記第2の半導体層の側面及び前記絶縁
基板の少なくとも側面にダイボンディング電極が形成さ
れている、ことを特徴とする半導体素子。
【０００５】
【発明の作用・効果】このように構成された半導体素子
によれば、ダイボンディング電極を除く構成は一般的な
素子構成であるので、素子として充分な特性を発揮す
る。また、ダイボンディング電極は第2の電極の側面に
接触するので両者の間は金属−金属接触となってオーミ
ック接触を確保できる。ダイボンディング電極は少なく
とも絶縁基板の側面に達しているので、例えば導電性ペ
ーストを基板側面まで廻り込ませることにより、当該部
分とリードとの間の電気的結合を容易に得ることができ
る。ダイボンディング電極を絶縁基板の裏面まで廻りこ
ませることにより、リードと半導体素子との間の電気的
結合をより簡単に且つ確実にとることができる。
によれば、ダイボンディング電極を除く構成は一般的な
素子構成であるので、素子として充分な特性を発揮す
る。また、ダイボンディング電極は第2の電極の側面に
接触するので両者の間は金属−金属接触となってオーミ
ック接触を確保できる。ダイボンディング電極は少なく
とも絶縁基板の側面に達しているので、例えば導電性ペ
ーストを基板側面まで廻り込ませることにより、当該部
分とリードとの間の電気的結合を容易に得ることができ
る。ダイボンディング電極を絶縁基板の裏面まで廻りこ
ませることにより、リードと半導体素子との間の電気的
結合をより簡単に且つ確実にとることができる。
【０００６】以下、この発明をIII族窒化物系化合物半
導体発光素子を例にとり、更に詳細に説明する。本発明
のIII族窒化物系化合物半導体発光素子１は、例えば図1
に示すように、サファイア基板（絶縁基板）２の上にｎ
型層３（第2の半導体層）、発光する層を含む多重層４
及びｐ型層５（第1の半導体層）を順次積層した半導体
層を有する。ｐ型層５の略全面に透光性電極６が貼着さ
れ更にｐ型電極７（第1の電極）が形成される。エッチ
ングにより表出されたｎ型層３の上にｎ型電極８（第2
の電極）が形成される。ｎ型電極８は素子の一辺の全域
に形成されている。符号９は保護膜である。以上の構成
は一般的な発光素子と何ら異なるところはなく、その結
果、充分な発光特性を確保できる。
導体発光素子を例にとり、更に詳細に説明する。本発明
のIII族窒化物系化合物半導体発光素子１は、例えば図1
に示すように、サファイア基板（絶縁基板）２の上にｎ
型層３（第2の半導体層）、発光する層を含む多重層４
及びｐ型層５（第1の半導体層）を順次積層した半導体
層を有する。ｐ型層５の略全面に透光性電極６が貼着さ
れ更にｐ型電極７（第1の電極）が形成される。エッチ
ングにより表出されたｎ型層３の上にｎ型電極８（第2
の電極）が形成される。ｎ型電極８は素子の一辺の全域
に形成されている。符号９は保護膜である。以上の構成
は一般的な発光素子と何ら異なるところはなく、その結
果、充分な発光特性を確保できる。
【０００７】符号１０はダイボンディング電極であり、
ｎ型電極８の第1側面（図示右端の側面）、ｎ型層３の
第1側面（図示右端の側面）及びサファイア基板２の第1
側面（図示右端の側面）と底面を被覆している。ダイボ
ンディング電極１０とｎ型電極８の第1側面とは金属―
金属接触しているので、ここに低抵抗のコンタクトが得
られる。両者は同一金属又は同種の金属で形成すること
が好ましい。両者の間に低抵抗のコンタクトを確保し、
かつ両者の間に充分な機械的結合力を得るためである。
ｎ型電極８の第1側面（図示右端の側面）、ｎ型層３の
第1側面（図示右端の側面）及びサファイア基板２の第1
側面（図示右端の側面）と底面を被覆している。ダイボ
ンディング電極１０とｎ型電極８の第1側面とは金属―
金属接触しているので、ここに低抵抗のコンタクトが得
られる。両者は同一金属又は同種の金属で形成すること
が好ましい。両者の間に低抵抗のコンタクトを確保し、
かつ両者の間に充分な機械的結合力を得るためである。
【０００８】なお、この明細書においてIII族窒化物系
化合物半導体は一般式としてＡｌＸＧａＹＩｎ
１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦
１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２
元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮ及びＧ
ａｘＩｎ１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆ
る３元系を包含する。III族元素の少なくとも一部をボ
ロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、ま
た、窒素（Ｎ）の少なくとも一部もリン（Ｐ）、ヒ素
（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で
置換できる。III族窒化物系化合物半導体層は任意のド
ーパントを含むものであっても良い。ｎ型不純物とし
て、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることができ
る。ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ等を用いることができる。なお、ｐ型不純物を
ドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照
射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことも
可能であるが必須ではない。III族窒化物系化合物半導
体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気相成
長法（ＭＯＣＶＤ法）のほか、周知の分子線結晶成長法
（ＭＢＥ法）、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）、ス
パッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等
によっても形成することができる。なお、発光素子の構
成としてはホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへテロ
構造のものを用いることができる。また量子井戸構造
（単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造）を採用
することもできる。
化合物半導体は一般式としてＡｌＸＧａＹＩｎ
１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦
１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２
元系、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＩｎ１−ｘＮ及びＧ
ａｘＩｎ１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆ
る３元系を包含する。III族元素の少なくとも一部をボ
ロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、ま
た、窒素（Ｎ）の少なくとも一部もリン（Ｐ）、ヒ素
（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で
置換できる。III族窒化物系化合物半導体層は任意のド
ーパントを含むものであっても良い。ｎ型不純物とし
て、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることができ
る。ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ等を用いることができる。なお、ｐ型不純物を
ドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照
射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことも
可能であるが必須ではない。III族窒化物系化合物半導
体層の形成方法は特に限定されないが、有機金属気相成
長法（ＭＯＣＶＤ法）のほか、周知の分子線結晶成長法
（ＭＢＥ法）、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）、ス
パッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等
によっても形成することができる。なお、発光素子の構
成としてはホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルへテロ
構造のものを用いることができる。また量子井戸構造
（単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造）を採用
することもできる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を用いて、本発明の構
成をより詳細に説明する。図１はこの実施例の発光素子
１の構成を示す断面図であり、図２は同平面図である。
図１の構成は既述のとおりであるが、この実施例ではｐ
型電極７として金合金を使用し、ｎ型電極８としてアル
ミニウム合金を用いた。当該ｎ型電極８との接合性を向
上させるため、ダイボンディング電極１０もアルミニウ
ム合金製とした。ダイボンディング電極１０の材質とし
て、導電性を有しかつｎ型電極８との間に充分な低抵抗
のコンタクトを確保できるものであれば任意の材料を用
いることができる。
成をより詳細に説明する。図１はこの実施例の発光素子
１の構成を示す断面図であり、図２は同平面図である。
図１の構成は既述のとおりであるが、この実施例ではｐ
型電極７として金合金を使用し、ｎ型電極８としてアル
ミニウム合金を用いた。当該ｎ型電極８との接合性を向
上させるため、ダイボンディング電極１０もアルミニウ
ム合金製とした。ダイボンディング電極１０の材質とし
て、導電性を有しかつｎ型電極８との間に充分な低抵抗
のコンタクトを確保できるものであれば任意の材料を用
いることができる。
【００１０】後述するように（図８参照）、ダイボンデ
ィング電極１０を形成（蒸着）する際、発光素子１の電
極側面はシートに接着されている。この状態でダイボン
ディング電極１０の材料が発光素子１０の上面に廻りこ
まないようにｎ型電極８は発光素子１の一の辺（材料の
蒸着方向の辺）の全域にかつシートに接触する高さで形
成されることが好ましい。ｎ型電極８の幅は特に限定さ
れるものではないが、ｎ型層３に対する接触面積として
１００００μｍ２程度が必要である。
ィング電極１０を形成（蒸着）する際、発光素子１の電
極側面はシートに接着されている。この状態でダイボン
ディング電極１０の材料が発光素子１０の上面に廻りこ
まないようにｎ型電極８は発光素子１の一の辺（材料の
蒸着方向の辺）の全域にかつシートに接触する高さで形
成されることが好ましい。ｎ型電極８の幅は特に限定さ
れるものではないが、ｎ型層３に対する接触面積として
１００００μｍ２程度が必要である。
【００１１】第２実施例 他の実施例の発光素子２１を図３及び図４に示す。な
お、前の実施例と同等の要素には同一の符号を付してそ
の説明を省略する。この実施例では、前の実施例におい
てｎ型電極２８を素子の全周に形成したものである。そ
して、ダイボンディング電極３０も素子の全側面とサフ
ァイア基板２の裏面に形成されている。ｎ型電極２８を
素子の全周に形成することにより、ダイボンディング電
極の材料が素子の上面に廻りこむことをより確実に防止
することができる。
お、前の実施例と同等の要素には同一の符号を付してそ
の説明を省略する。この実施例では、前の実施例におい
てｎ型電極２８を素子の全周に形成したものである。そ
して、ダイボンディング電極３０も素子の全側面とサフ
ァイア基板２の裏面に形成されている。ｎ型電極２８を
素子の全周に形成することにより、ダイボンディング電
極の材料が素子の上面に廻りこむことをより確実に防止
することができる。
【００１２】次に、図３及び図４に示した発光素子２１
を例に採り、その製造方法を説明する。まず、図５に示
すように、一般的なＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板
２（ウエハ）上に半導体層３、４及び５をエピタキシャ
ル成長させる。その後、ｐ型層５及び多重層４並びにｎ
型層３の一部をエッチングしてｎ型電極２８の形成面を
表出させる。ｐ型層５の上に金合金からなる透光性電極
６及びｐ型電極７を順次蒸着させ、更にアルミニウム合
金からなるｎ型電極２８をその高さがｐ型電極７とほぼ
同じ高さとなるように蒸着する。その後、二酸化シリコ
ンからなる保護膜９を形成し、電極間の絶縁と素子表面
の保護を図る。
を例に採り、その製造方法を説明する。まず、図５に示
すように、一般的なＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板
２（ウエハ）上に半導体層３、４及び５をエピタキシャ
ル成長させる。その後、ｐ型層５及び多重層４並びにｎ
型層３の一部をエッチングしてｎ型電極２８の形成面を
表出させる。ｐ型層５の上に金合金からなる透光性電極
６及びｐ型電極７を順次蒸着させ、更にアルミニウム合
金からなるｎ型電極２８をその高さがｐ型電極７とほぼ
同じ高さとなるように蒸着する。その後、二酸化シリコ
ンからなる保護膜９を形成し、電極間の絶縁と素子表面
の保護を図る。
【００１３】次に、図６に示すように、ｎ型電極２８の
部分において基板２に達する深さまでダイシングし、分
離溝４０を形成する。次に研磨盤を用いて基板２の裏面
を研磨し、基板を薄板化する。薄板化された基板２にお
いてこれを裏側からみると分離溝４０が視認できること
となる（前処理工程）。
部分において基板２に達する深さまでダイシングし、分
離溝４０を形成する。次に研磨盤を用いて基板２の裏面
を研磨し、基板を薄板化する。薄板化された基板２にお
いてこれを裏側からみると分離溝４０が視認できること
となる（前処理工程）。
【００１４】次に、ウエハの電極形成面を粘着シート４
３に貼着し、図７の構成を得る（シート貼着工程）。な
お、粘着シート４３は図示しない支持リングに支持され
ている。
３に貼着し、図７の構成を得る（シート貼着工程）。な
お、粘着シート４３は図示しない支持リングに支持され
ている。
【００１５】そして、スクライバを用いて基板２の裏面
を分離溝４０に沿ってスクライビングし、分割線（スク
ラインブライン）４５を形成する。次に、ブレ−キング
装置により分割線４５付近に荷重をかけて、ウエハを各
チップ（素子）単位に分離する。更に、粘着シート４３
をその平面方向へ均等に引き伸ばすことにより図８の構
成を得る（分割工程）。各チップ間の間隔は素子の厚み
の１／２以上とすることが好ましい。更に好ましくは素
子の厚み以上である。
を分離溝４０に沿ってスクライビングし、分割線（スク
ラインブライン）４５を形成する。次に、ブレ−キング
装置により分割線４５付近に荷重をかけて、ウエハを各
チップ（素子）単位に分離する。更に、粘着シート４３
をその平面方向へ均等に引き伸ばすことにより図８の構
成を得る（分割工程）。各チップ間の間隔は素子の厚み
の１／２以上とすることが好ましい。更に好ましくは素
子の厚み以上である。
【００１６】その後、図８の構成を蒸着装置内へ搬送
し、粘着シート４３を材料蒸着方向に対して一定の角度
に傾斜させて、かつ回転させながらチップの全側面及び
裏面にダイボンディング電極３０を形成する。このダイ
ボンディング電極３０の材料としてこの実施例ではｎ型
電極２８と同じ材料を用いた。ダイボンディング電極３
０の膜厚を１０μｍ程度としたが、その厚さは特に限定
されるものではない。ダイボンディング電極３０はスパ
ッタ、溶射等の方法で形成することもできる。
し、粘着シート４３を材料蒸着方向に対して一定の角度
に傾斜させて、かつ回転させながらチップの全側面及び
裏面にダイボンディング電極３０を形成する。このダイ
ボンディング電極３０の材料としてこの実施例ではｎ型
電極２８と同じ材料を用いた。ダイボンディング電極３
０の膜厚を１０μｍ程度としたが、その厚さは特に限定
されるものではない。ダイボンディング電極３０はスパ
ッタ、溶射等の方法で形成することもできる。
【００１７】その後、粘着シート４３から各チップを剥
離して図３及び図４に示した発光素子２１を得る。この
ように形成された発光素子２１によれば、ダイボンディ
ング電極３０によりサファイア基板２の裏面においてリ
ードへ電気的に接合できる。従って、素子の上面（発光
面）においては、ｐ型電極７に対してのみ導電性ワイヤ
を懸架すればよく、その作業性が向上する。
離して図３及び図４に示した発光素子２１を得る。この
ように形成された発光素子２１によれば、ダイボンディ
ング電極３０によりサファイア基板２の裏面においてリ
ードへ電気的に接合できる。従って、素子の上面（発光
面）においては、ｐ型電極７に対してのみ導電性ワイヤ
を懸架すればよく、その作業性が向上する。
【００１８】なお、図１及び図２に示した発光素子で
は、粘着シートを引き伸ばす際に、ｎ型電極２８が形成
されていない方向（図１において紙面と垂直方向）の伸
張量を小さくして、ダイボンディング材料が素子上面に
廻りこむことを防止することが好ましい。
は、粘着シートを引き伸ばす際に、ｎ型電極２８が形成
されていない方向（図１において紙面と垂直方向）の伸
張量を小さくして、ダイボンディング材料が素子上面に
廻りこむことを防止することが好ましい。
【００１９】また、図８の状態で各チップ２１を粘着シ
ート４３から剥離して、チップごとにその裏面からダイ
ボンディング材料を蒸着させることも可能である。その
場合、ダイボンディング材料はｎ型電極２８の上面へ廻
りこみ（図９参照）、ｎ型電極２８とダイボンディング
電極５０との間により好ましい低抵抗のコンタクトが確
保されることとなる。
ート４３から剥離して、チップごとにその裏面からダイ
ボンディング材料を蒸着させることも可能である。その
場合、ダイボンディング材料はｎ型電極２８の上面へ廻
りこみ（図９参照）、ｎ型電極２８とダイボンディング
電極５０との間により好ましい低抵抗のコンタクトが確
保されることとなる。
【００２０】既述の実施例では、図６に示したように、
ｎ型電極２８に対して分離溝４０を形成しているが、分
離溝の形成予定位置にはｎ型電極２８を形成しないよう
にすることもできる。この場合の図６に対応する模式図
を図１０に示し、得られた発光素子７１を図１１に示し
た。図１０、１１において、図３、６と同一の要素には
同一の符号を付してその説明を省略する。
ｎ型電極２８に対して分離溝４０を形成しているが、分
離溝の形成予定位置にはｎ型電極２８を形成しないよう
にすることもできる。この場合の図６に対応する模式図
を図１０に示し、得られた発光素子７１を図１１に示し
た。図１０、１１において、図３、６と同一の要素には
同一の符号を付してその説明を省略する。
【００２１】この発明は、上記発明の実施の形態の説明
に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載
を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変
形態様もこの発明に含まれる。
に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載
を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変
形態様もこの発明に含まれる。
【図１】図１は本発明の第１の実施例の発光素子の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図２は同じく平面図である。
【図３】図３は第２の実施例の発光素子の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図４】図４は同じく平面図である。
【図５】図５は第２の実施例の発光素子を製造する際の
ウエハ状態を示す断面図である。
ウエハ状態を示す断面図である。
【図６】図６はウエハに分離溝を形成した状態を示す断
面図である。
面図である。
【図７】図７はウエハを粘着シートに貼着させた状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】図８を粘着シートを引き伸ばしてチップを分離
した状態を示し、この状態で斜め下方からダイボンディ
ング電極の材料を蒸着させる。
した状態を示し、この状態で斜め下方からダイボンディ
ング電極の材料を蒸着させる。
【図９】図９は第２の実施例の変形態様の発光素子の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図１０】図１０はウエハの変形態様を示す断面図であ
る。
る。
【図１１】図１１は第２の実施例の他の変形態様の発光
素子の構成を示す断面図である。
素子の構成を示す断面図である。
１、２１、６１、７１ 発光素子、 ２ サファイア基板 ３ ｎ型層 ４ 多重層 ５ ｐ型層 ６ 透光性電極 ７ ｐ型電極 ８、２８ ｎ型電極 １０、３０、５０ ダイボンディング電極
Claims (6)
- 【請求項１】 導電型の異なる第1の半導体層と第2の半
導体層とを含む半導体層が絶縁基板上に形成され、前記
第1の半導体層上に第1の電極が形成され、少なくとも前
記第1の半導体層をエッチングして表出させた前記第2の
半導体層の上に第2の電極が形成される半導体素子であ
って、 前記第2の電極の側面、前記第2の半導体層の側面及び前
記絶縁基板の少なくとも側面にダイボンディング電極が
形成されている、ことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】 前記第2の電極は素子の全周縁に形成さ
れ、前記ダイボンディング電極は該第2の電極の側面、
前記第2の半導体層及び絶縁基板の各側面の実質的な全
周を被覆する、ことを特徴とする請求項１に記載の半導
体素子。 - 【請求項３】 前記ダイボンディング電極は前記絶縁基
板の裏面にまわりこんでいる、ことを特徴とする請求項
１又は２に記載の半導体素子。 - 【請求項４】 前記半導体層はIII族窒化物系化合物半
導体からなり、発光する層を含む、ことを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の半導体素子。 - 【請求項５】 導電型の異なる第1の半導体層と第2の半
導体層とを含む半導体層を絶縁材料からなるウエハ上に
形成するステップと、 前記第1の半導体層上に第1の電極を形成するステップ
と、 少なくとも前記第1の半導体層をエッチングして表出さ
せた前記第2の半導体層の上に第2の電極を形成するステ
ップと、 前記ウエハを分割するための前処理を行うステップと、 前記ウエハを分割するステップと、 基板側面にダイボンディング電極を形成するステップ
と、を含む半導体素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記分割ステップは、前記ウエハの電極
側面をシートに貼着するステップと、前記シートを拡張
して前記ウエハを半導体素子に分割するステップと、を
含み、 前記ダイボンディング形成ステップは、前記半導体素子
を前記シートに貼着させた状態で、前記第2の電極の側
面、前記第2の半導体層の側面及び少なくとも基板の側
面にダイボンディング電極を形成するステップを含むこ
とを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001175089A JP2002368275A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 半導体素子及びその製造方法 |
| US10/166,364 US6894317B2 (en) | 2001-06-11 | 2002-06-11 | Semiconductor element and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001175089A JP2002368275A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 半導体素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002368275A true JP2002368275A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19016282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001175089A Pending JP2002368275A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6894317B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002368275A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| WO2009158175A3 (en) * | 2008-06-26 | 2010-03-11 | Bridgelux, Inc. | Led with reduced electrode area |
| JP2010087092A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
| JP2010123717A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP2011510493A (ja) * | 2008-01-19 | 2011-03-31 | 鶴山麗得電子實業有限公司 | Ｌｅｄ、ｌｅｄを有するパッケージ構造体、およびｌｅｄを製作する方法 |
| KR20130074037A (ko) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| JP2019201198A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | オプト テック コーポレーション | 発光チップ及び関連するパッケージ構造 |
| JP7562676B2 (ja) | 2020-01-25 | 2024-10-10 | ジェイド バード ディスプレイ（シャンハイ） リミテッド | 高い光抽出効率を有するマイクロ発光ダイオード |
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| WO2005048364A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-26 | Cree, Inc. | Light emitting devices with self aligned ohmic contact and methods of fabricating same |
| WO2006104935A2 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Goldeneye,Inc. | Light emitting diodes and methods of fabrication |
| TWI331411B (en) * | 2006-12-29 | 2010-10-01 | Epistar Corp | High efficiency light-emitting diode and method for manufacturing the same |
| KR101007128B1 (ko) * | 2009-02-19 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| CN103400916A (zh) * | 2013-08-21 | 2013-11-20 | 深圳市凯信光电有限公司 | 一种led晶片结构 |
| CN111540280B (zh) * | 2020-05-06 | 2022-06-14 | 惠州雷曼光电科技有限公司 | Led显示屏晶片混固方法及led显示屏 |
| CN115084110B (zh) * | 2021-03-12 | 2024-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
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| JPS574180A (en) | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting element in gallium nitride |
| JP2718339B2 (ja) | 1993-03-10 | 1998-02-25 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオードチップおよび発光ダイオード |
| JPH0883929A (ja) | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子、およびその製造方法 |
| JP3326545B2 (ja) | 1994-09-30 | 2002-09-24 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JPH08255926A (ja) | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製法 |
| US5798536A (en) * | 1996-01-25 | 1998-08-25 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6255129B1 (en) * | 2000-09-07 | 2001-07-03 | Highlink Technology Corporation | Light-emitting diode device and method of manufacturing the same |
-
2001
- 2001-06-11 JP JP2001175089A patent/JP2002368275A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-11 US US10/166,364 patent/US6894317B2/en not_active Expired - Fee Related
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| KR20130074037A (ko) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
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Also Published As
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|---|---|
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