JP2718339B2 - 発光ダイオードチップおよび発光ダイオード - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に絶縁性または半
絶縁性基板が用いられてチップ下面より電極を取り出せ
ない構造の発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）およ
び発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。
絶縁性基板が用いられてチップ下面より電極を取り出せ
ない構造の発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）およ
び発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】長い間待ち望まれていた青色ＬＥＤが実
用化されつつある。このＬＥＤ材料としては、ＳｉＣ、
ＧａＮ、ＺｎＳｅが研究されている。この中で現在のと
ころ最も輝度が高く、かつ将来性のあるものはＧａＮで
ある。
用化されつつある。このＬＥＤ材料としては、ＳｉＣ、
ＧａＮ、ＺｎＳｅが研究されている。この中で現在のと
ころ最も輝度が高く、かつ将来性のあるものはＧａＮで
ある。
【０００３】発光層となるＧａＮは大型基板結晶を得る
ことができないため、サファイヤ結晶を基板に用い、こ
の基板上にＭＯＶＰＥ法などによりＧａＮエピタキシャ
ル層を成長させている。これを、図６を用いて説明する
と、サファイヤ基板１の上にｎ型ＧａＮエピタキシャル
層２、ｐ型ＧａＮエピタキシャル層３を形成した後、そ
の一部をｐ型ＧａＮエピタキシャル層２の電極形成用に
除去する。その後、両エピタキシャル層２、３に両電極
４、５を形成する。
ことができないため、サファイヤ結晶を基板に用い、こ
の基板上にＭＯＶＰＥ法などによりＧａＮエピタキシャ
ル層を成長させている。これを、図６を用いて説明する
と、サファイヤ基板１の上にｎ型ＧａＮエピタキシャル
層２、ｐ型ＧａＮエピタキシャル層３を形成した後、そ
の一部をｐ型ＧａＮエピタキシャル層２の電極形成用に
除去する。その後、両エピタキシャル層２、３に両電極
４、５を形成する。
【０００４】サファイヤ基板は絶縁体であるため、ＬＥ
Ｄチップを製作した場合、通常のＬＥＤチップの様にチ
ップ裏面で電気的に接続することが出来ない。このた
め、従来のＧａＮのＬＥＤチップは、同図のように正と
負の両電極をチップの表面上に形成していた。従って、
このチップをステム６に実装する場合には、電極４、５
側を下面にして両ステム６にハンダ７により実装するし
か方法がなかった。なお、８は実装部を封止する透明樹
脂である。
Ｄチップを製作した場合、通常のＬＥＤチップの様にチ
ップ裏面で電気的に接続することが出来ない。このた
め、従来のＧａＮのＬＥＤチップは、同図のように正と
負の両電極をチップの表面上に形成していた。従って、
このチップをステム６に実装する場合には、電極４、５
側を下面にして両ステム６にハンダ７により実装するし
か方法がなかった。なお、８は実装部を封止する透明樹
脂である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、赤色ＬＥＤ
や緑色ＬＥＤのようなチップは、裏面と表面とに電極を
もつので、一方のステムにチップをエポキシ樹脂により
実装するだけで裏面電極を電気的に接続することがで
き、他方のステムにはボンディングによって表面電極を
接続することができる。しかし、青色ＬＥＤチップは、
既述したように、同一面に両方の電極をもっているた
め、赤色ＬＥＤや緑色ＬＥＤチップで使用する通常のス
テムに実装することが出来ない。そのため、次のような
欠点があった。 （１）青色ＬＥＤは単体で用いられることもあるが、赤
色ＬＥＤチップや緑色ＬＥＤチップと一緒にステムに実
装され、フルカラーＬＥＤとしての応用が期待される。
このためには、ステムに既存のＬＥＤチップと同じよう
に実装できることが必要となるが、従来の構造では不可
能である。
や緑色ＬＥＤのようなチップは、裏面と表面とに電極を
もつので、一方のステムにチップをエポキシ樹脂により
実装するだけで裏面電極を電気的に接続することがで
き、他方のステムにはボンディングによって表面電極を
接続することができる。しかし、青色ＬＥＤチップは、
既述したように、同一面に両方の電極をもっているた
め、赤色ＬＥＤや緑色ＬＥＤチップで使用する通常のス
テムに実装することが出来ない。そのため、次のような
欠点があった。 （１）青色ＬＥＤは単体で用いられることもあるが、赤
色ＬＥＤチップや緑色ＬＥＤチップと一緒にステムに実
装され、フルカラーＬＥＤとしての応用が期待される。
このためには、ステムに既存のＬＥＤチップと同じよう
に実装できることが必要となるが、従来の構造では不可
能である。
【０００６】（２）また、同一面にある両電極をハンダ
によりステムにボンディングする実装方法は、１回のチ
ップボンディングで組立てが終了するという利点はある
ものの、組立て後ステムに力が加わった場合、チップと
ステムの間に力が働き、接着はがれなどの原因となりや
すい。
によりステムにボンディングする実装方法は、１回のチ
ップボンディングで組立てが終了するという利点はある
ものの、組立て後ステムに力が加わった場合、チップと
ステムの間に力が働き、接着はがれなどの原因となりや
すい。
【０００７】これらの欠点は、青色ＬＥＤのみに限ら
ず、絶縁性または半絶縁性基板をもつＬＥＤにも共通す
る。
ず、絶縁性または半絶縁性基板をもつＬＥＤにも共通す
る。
【０００８】本発明の目的は、ステムとの電気的接続を
実質的にチップ裏面から取れるようにチップ形状を変更
することによって、前記した従来技術の欠点を解消し、
両面電極をもつＬＥＤチップ用の既存ステムに装着可能
なＬＥＤチップおよびＬＥＤを提供することにある。
実質的にチップ裏面から取れるようにチップ形状を変更
することによって、前記した従来技術の欠点を解消し、
両面電極をもつＬＥＤチップ用の既存ステムに装着可能
なＬＥＤチップおよびＬＥＤを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性または
半絶縁性基板上に一の導電型層と他の導電型層とからな
る発光層を形成した発光ダイオードチップにおいて、絶
縁性または半絶縁性基板の周囲が中央に比べ薄く形成さ
れ、この薄く形成された基板の周囲に上記一の導電型層
と接触する周囲電極を設け、基板の中央に上記他の導電
型層と接触する中央電極を設けたものである。
半絶縁性基板上に一の導電型層と他の導電型層とからな
る発光層を形成した発光ダイオードチップにおいて、絶
縁性または半絶縁性基板の周囲が中央に比べ薄く形成さ
れ、この薄く形成された基板の周囲に上記一の導電型層
と接触する周囲電極を設け、基板の中央に上記他の導電
型層と接触する中央電極を設けたものである。
【００１０】また、本発明は、上記発光ダイオードチッ
プを２本のステムに実装して樹脂封止した発光ダイオー
ドにおいて、発光ダイオードチップの中央電極が一方の
ステムにワイヤ接続され、他方のステムに発光層を上に
して発光ダイオードチップが実装され、且つその周囲電
極が他方のステムに導電性接着剤により接続されたもの
である。
プを２本のステムに実装して樹脂封止した発光ダイオー
ドにおいて、発光ダイオードチップの中央電極が一方の
ステムにワイヤ接続され、他方のステムに発光層を上に
して発光ダイオードチップが実装され、且つその周囲電
極が他方のステムに導電性接着剤により接続されたもの
である。
【００１１】また、本発明は、上記発光ダイオードチッ
プを２本のステムに実装して樹脂封止した発光ダイオー
ドにおいて、２本のステムのうち、一方のステムが発光
ダイオードチップの中央電極とワイヤ接続され、他方の
ステムが発光ダイオードチップを実装する底部とその周
囲に底部より立上がった反射鏡とを有し、他方のステム
への発光ダイオードチップ実装時、発光ダイオードチッ
プをその発光層を上にしてステムの底部に押し付けるこ
とにより食み出した導電性接着剤が、反射鏡の立上がり
面によって周囲電極に流れて接触するものである。
プを２本のステムに実装して樹脂封止した発光ダイオー
ドにおいて、２本のステムのうち、一方のステムが発光
ダイオードチップの中央電極とワイヤ接続され、他方の
ステムが発光ダイオードチップを実装する底部とその周
囲に底部より立上がった反射鏡とを有し、他方のステム
への発光ダイオードチップ実装時、発光ダイオードチッ
プをその発光層を上にしてステムの底部に押し付けるこ
とにより食み出した導電性接着剤が、反射鏡の立上がり
面によって周囲電極に流れて接触するものである。
【００１２】発光ダイオードは、基板に絶縁性または半
絶縁性を用いるものであれば、限定されない。例えば基
板に絶縁性のサファイヤ結晶を用いるものにＧａＮ青色
ＬＥＤがある。このＧａＮ青色ＬＥＤは、ｐｎ構造のも
のに限らず、金属電極−半絶縁性ＧａＮ−ｎ型ＧａＮ単
結晶からなるＭＩＳ構造でもよい。従って、本発明で一
の導電型層と他の導電型層というときは、ｐ層とｎ層で
ある場合と、ｉ層とｎ層である場合の両方が含まれる。
また導電性接着剤には接着力のある導電性樹脂が含まれ
る。
絶縁性を用いるものであれば、限定されない。例えば基
板に絶縁性のサファイヤ結晶を用いるものにＧａＮ青色
ＬＥＤがある。このＧａＮ青色ＬＥＤは、ｐｎ構造のも
のに限らず、金属電極−半絶縁性ＧａＮ−ｎ型ＧａＮ単
結晶からなるＭＩＳ構造でもよい。従って、本発明で一
の導電型層と他の導電型層というときは、ｐ層とｎ層で
ある場合と、ｉ層とｎ層である場合の両方が含まれる。
また導電性接着剤には接着力のある導電性樹脂が含まれ
る。
【００１３】
【作用】基板の中央に比べ薄く形成され基板の周囲に周
囲電極が設けられていると、基板裏面との距離が短くな
る。そのため、チップをステムに実装するためにステム
に付けられる導電性接着剤を利用してステムと周囲電極
を接続することが可能となる。この接続方法には、ステ
ムを実装する導電性接着剤とは別にチップの上から基板
周囲とステムとに跨がって導電性接着剤を付けることに
より行ってもよいし、あるいはステムにチップを実装す
るためにステムに付ける導電性接着剤の量を増やし、実
装時にチップの下から食み出した分で行うようにしても
よい。
囲電極が設けられていると、基板裏面との距離が短くな
る。そのため、チップをステムに実装するためにステム
に付けられる導電性接着剤を利用してステムと周囲電極
を接続することが可能となる。この接続方法には、ステ
ムを実装する導電性接着剤とは別にチップの上から基板
周囲とステムとに跨がって導電性接着剤を付けることに
より行ってもよいし、あるいはステムにチップを実装す
るためにステムに付ける導電性接着剤の量を増やし、実
装時にチップの下から食み出した分で行うようにしても
よい。
【００１４】後者のやり方を採用する場合には、チップ
を実装する方のステムに、チップを実装する底部の周囲
に立上がった反射鏡をもっているカップ状のステムを用
いることが好ましい。そうすると、発光ダイオードチッ
プをステムに実装する時、反射鏡をもつステムの底部に
導電性接着剤を大目に塗布し、この導電性接着剤の塗布
された底部に発光ダイオードチップをその発光層を上に
して押し付けると、チップが底部に実装されるととも
に、余分な量の導電性接着剤がチップより食み出す。こ
の食み出した導電性接着剤は反射鏡の立上がり面によっ
て盛り上がり、その盛り上がった部分がチップ基板の周
囲に流れて周囲電極と接触する。これによりチップ実装
と同時に周囲の電極接続が行われることになり、裏面電
極のあるＬＥＤと同じ実装法が実現できる。
を実装する方のステムに、チップを実装する底部の周囲
に立上がった反射鏡をもっているカップ状のステムを用
いることが好ましい。そうすると、発光ダイオードチッ
プをステムに実装する時、反射鏡をもつステムの底部に
導電性接着剤を大目に塗布し、この導電性接着剤の塗布
された底部に発光ダイオードチップをその発光層を上に
して押し付けると、チップが底部に実装されるととも
に、余分な量の導電性接着剤がチップより食み出す。こ
の食み出した導電性接着剤は反射鏡の立上がり面によっ
て盛り上がり、その盛り上がった部分がチップ基板の周
囲に流れて周囲電極と接触する。これによりチップ実装
と同時に周囲の電極接続が行われることになり、裏面電
極のあるＬＥＤと同じ実装法が実現できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１６】［第１実施例］図２は、第１実施例を説明
するためのＧａＮの青色ＬＥＤチップの断面図を示す。
チップの構造は、サファイヤ基板１１の上にｐｎ層１
２、１３が形成され、その同一面側に電極１４、１５が
設けられた構造である。同図に示すようにサファイヤ基
板１１の周囲は、中央に比べ薄く形成されている。この
中央が厚く周囲が薄い断面形状をもつサファイヤ基板１
１の上にｎ型ＧａＮエピタキシャル層１２とｐ型ＧａＮ
エピタキシャル層１３とが形成され、周囲のｐ型ＧａＮ
エピタキシャル層１３が除去されて、そこに周囲電極で
あるｎ側電極１４が、中央のｎ型ＧａＮエピタキシャル
層１３の上に中央電極であるｐ側電極１５がそれぞれ設
けられる。ｎ側電極１４はできるだけチップ端部に設け
ることが好ましく、チップ端部に設けるのが最良であ
る。
するためのＧａＮの青色ＬＥＤチップの断面図を示す。
チップの構造は、サファイヤ基板１１の上にｐｎ層１
２、１３が形成され、その同一面側に電極１４、１５が
設けられた構造である。同図に示すようにサファイヤ基
板１１の周囲は、中央に比べ薄く形成されている。この
中央が厚く周囲が薄い断面形状をもつサファイヤ基板１
１の上にｎ型ＧａＮエピタキシャル層１２とｐ型ＧａＮ
エピタキシャル層１３とが形成され、周囲のｐ型ＧａＮ
エピタキシャル層１３が除去されて、そこに周囲電極で
あるｎ側電極１４が、中央のｎ型ＧａＮエピタキシャル
層１３の上に中央電極であるｐ側電極１５がそれぞれ設
けられる。ｎ側電極１４はできるだけチップ端部に設け
ることが好ましく、チップ端部に設けるのが最良であ
る。
【００１７】具体的には、サファイヤ基板１１は５００
μｍ角で、その周囲は基板端部から１００μｍほど中央
寄りの所から基板端部に向って漸次薄くなっていく斜面
部を構成する。サファイヤ基板１１の中央の厚さは３０
０μｍであり、周囲の端部厚さは１００μｍである。ｎ
型層１２とｐ型層１３の厚さは各々３μｍと１μｍであ
る。また側電極１４とｐ側電極１５の材料は共にＡｌで
ある。
μｍ角で、その周囲は基板端部から１００μｍほど中央
寄りの所から基板端部に向って漸次薄くなっていく斜面
部を構成する。サファイヤ基板１１の中央の厚さは３０
０μｍであり、周囲の端部厚さは１００μｍである。ｎ
型層１２とｐ型層１３の厚さは各々３μｍと１μｍであ
る。また側電極１４とｐ側電極１５の材料は共にＡｌで
ある。
【００１８】このような青色ＬＥＤチップの製作方法を
説明する。まず、図３に示すように、厚さ３００μｍの
サファイヤ基板２１をダイシングソーにセットし、５５
０μｍ間隔で升目状に断面逆台形状の溝２２を形成し
て、チップ中央となる平坦部とチップ周囲となる斜面部
とに区画する。溝２２の断面形状は開口幅２５０μｍ、
深さ２００μｍ、底面幅５０μｍであり、そのような寸
法が得られる刃を用いた。
説明する。まず、図３に示すように、厚さ３００μｍの
サファイヤ基板２１をダイシングソーにセットし、５５
０μｍ間隔で升目状に断面逆台形状の溝２２を形成し
て、チップ中央となる平坦部とチップ周囲となる斜面部
とに区画する。溝２２の断面形状は開口幅２５０μｍ、
深さ２００μｍ、底面幅５０μｍであり、そのような寸
法が得られる刃を用いた。
【００１９】次に、この基板２１の溝側全面にｎ型Ｇａ
Ｎエピタキシャル層１２とｐ型ＧａＮエピタキシャル層
１３とをＭＯＶＰＥ法により成長させる（図２参照）。
このエピタキシャルウェハの平坦部をレジストにより保
護し、斜面部のｐ型ＧａＮ層を除去する。その後、平坦
部にｐ側電極１５を、斜面部の下側にｎ側電極１４をそ
れぞれ設ける。最後に溝２２の中央部に合わせてダイシ
ングソーによりチップに分離する。１チップのサイズは
５００μｍ角となる。
Ｎエピタキシャル層１２とｐ型ＧａＮエピタキシャル層
１３とをＭＯＶＰＥ法により成長させる（図２参照）。
このエピタキシャルウェハの平坦部をレジストにより保
護し、斜面部のｐ型ＧａＮ層を除去する。その後、平坦
部にｐ側電極１５を、斜面部の下側にｎ側電極１４をそ
れぞれ設ける。最後に溝２２の中央部に合わせてダイシ
ングソーによりチップに分離する。１チップのサイズは
５００μｍ角となる。
【００２０】このチップを図１に示すように既存のステ
ムに実装した。既存のステムは、反射鏡付ステム１６と
単純ステム１７とから構成される。反射鏡付ステム１６
は頂部がカップ状をしており、ＬＥＤチップを実装する
底部１０と、その周囲に底部１０より拡径するように立
上がってチップから出た光を反射させる反射鏡１８とを
有する。
ムに実装した。既存のステムは、反射鏡付ステム１６と
単純ステム１７とから構成される。反射鏡付ステム１６
は頂部がカップ状をしており、ＬＥＤチップを実装する
底部１０と、その周囲に底部１０より拡径するように立
上がってチップから出た光を反射させる反射鏡１８とを
有する。
【００２１】この既存ステムに青色ＬＥＤを実装する場
合には、赤色ＬＥＤあるいは緑色ＬＥＤを実装する場合
に比べ、導電性接着剤となるエポキシ樹脂１９を多めに
底部１０に滴下しておく。このようにしておくと、エポ
キシ樹脂１９はチップにより押し潰されて食み出し、チ
ップの周囲に付着してｎ側電極１４に電気的に接触す
る。この際、電気的接触をうまくいかせるために、エポ
キシ樹脂１９に粘度の低いものを用い、底部１０の面積
がチップを許容する限度において小さく、反射鏡１８が
すぐ立上がるものを用いることが好ましい。なお、反射
鏡１８を使わないで、チップから食み出すエポキシ樹脂
をせき止める隆起部を底部１０に別個に設けるようにし
てもよい。チップ実装後、ワイヤ２０によりｐ側電極１
５と単純ステム１７とをボンディング配線し、その後透
明樹脂８で樹脂モールドした。
合には、赤色ＬＥＤあるいは緑色ＬＥＤを実装する場合
に比べ、導電性接着剤となるエポキシ樹脂１９を多めに
底部１０に滴下しておく。このようにしておくと、エポ
キシ樹脂１９はチップにより押し潰されて食み出し、チ
ップの周囲に付着してｎ側電極１４に電気的に接触す
る。この際、電気的接触をうまくいかせるために、エポ
キシ樹脂１９に粘度の低いものを用い、底部１０の面積
がチップを許容する限度において小さく、反射鏡１８が
すぐ立上がるものを用いることが好ましい。なお、反射
鏡１８を使わないで、チップから食み出すエポキシ樹脂
をせき止める隆起部を底部１０に別個に設けるようにし
てもよい。チップ実装後、ワイヤ２０によりｐ側電極１
５と単純ステム１７とをボンディング配線し、その後透
明樹脂８で樹脂モールドした。
【００２２】上記実施例によれば、基板の周囲が中央に
比べて薄く、またその薄くなった基板周囲と基板中央と
に電極を設けている。従って、従来の両面電極をもつチ
ップと同じようにｐ側電極についてはワイヤボンディン
グにより上から電気的接触を取り、ｎ側電極については
ステムの上に滴下させたエポキシ樹脂を食み出させるこ
とにより、下から電気的接触を取ることができる。この
実装例による構造は、既存の両面電極をもつチップ実装
構造と何等変りはなく、従来のような青色専用ステムを
用いる必要が無く、既存の赤色ＬＥＤチップ及び緑色Ｌ
ＥＤチップを実装するのと同じステム、装置及び技術を
用いることが出来る。従って、青色発光ダイオードの単
価を安く出来、大量生産が可能となる。また、ステムに
赤色ＬＥＤチップ等と同じように実装できるので、赤色
ＬＥＤチップや緑色ＬＥＤチップと一緒のステムに実装
してフルカラーＬＥＤを容易に実現できる。
比べて薄く、またその薄くなった基板周囲と基板中央と
に電極を設けている。従って、従来の両面電極をもつチ
ップと同じようにｐ側電極についてはワイヤボンディン
グにより上から電気的接触を取り、ｎ側電極については
ステムの上に滴下させたエポキシ樹脂を食み出させるこ
とにより、下から電気的接触を取ることができる。この
実装例による構造は、既存の両面電極をもつチップ実装
構造と何等変りはなく、従来のような青色専用ステムを
用いる必要が無く、既存の赤色ＬＥＤチップ及び緑色Ｌ
ＥＤチップを実装するのと同じステム、装置及び技術を
用いることが出来る。従って、青色発光ダイオードの単
価を安く出来、大量生産が可能となる。また、ステムに
赤色ＬＥＤチップ等と同じように実装できるので、赤色
ＬＥＤチップや緑色ＬＥＤチップと一緒のステムに実装
してフルカラーＬＥＤを容易に実現できる。
【００２３】また、実質的に両面電極と同じ構造となる
ので、同一面電極の場合のように、ステムに力が加わっ
ても、チップに対して力が働かないので、接着はがれな
どが生じず、ＬＥＤの信頼性が高い。
ので、同一面電極の場合のように、ステムに力が加わっ
ても、チップに対して力が働かないので、接着はがれな
どが生じず、ＬＥＤの信頼性が高い。
【００２４】［第２実施例］図４は、第２実施例を説明
するためのＬＥＤチップ断面を示す。基板断面の形状は
実施例１と同じである。サファイヤ基板１１の全面にｎ
型エピタキシャル層３１とｐ型エピタキシャル層３２と
が積層され、中央のｐ型層３２が除去され、そこにｎ側
電極３４が設けられ、周囲のｐ型層３３にｐ側電極３３
がそれぞれ設けられる。なお、ｎ型とｐ型は逆であって
もよい。第１実施例に示す構造のチップ（図２）では、
中央電極１５の下部が最も効率よく光が発生するにも関
わらず、その光が電極１５に邪魔されて取り出すことが
出来ないのに対して、本実施例のチップでは電極３３、
３４の下部ではいずれも発光しないため効率よく光を取
り出せ、高輝度のＬＥＤを製作することができる。
するためのＬＥＤチップ断面を示す。基板断面の形状は
実施例１と同じである。サファイヤ基板１１の全面にｎ
型エピタキシャル層３１とｐ型エピタキシャル層３２と
が積層され、中央のｐ型層３２が除去され、そこにｎ側
電極３４が設けられ、周囲のｐ型層３３にｐ側電極３３
がそれぞれ設けられる。なお、ｎ型とｐ型は逆であって
もよい。第１実施例に示す構造のチップ（図２）では、
中央電極１５の下部が最も効率よく光が発生するにも関
わらず、その光が電極１５に邪魔されて取り出すことが
出来ないのに対して、本実施例のチップでは電極３３、
３４の下部ではいずれも発光しないため効率よく光を取
り出せ、高輝度のＬＥＤを製作することができる。
【００２５】［第３実施例］図５は、第３実施例を説明
するためのＬＥＤチップの断面図を示す。サファイヤ基
板の形状は第１実施例と同じである。このチップでは、
サファイヤ基板１１上の中央にｎ型ＧａＮエピタキシャ
ル層３５を形成し、このｎ型層３５と周囲を含めた基板
全面にｐ型ＧａＮエピタキシャル層３６を形成し、中央
のｐ型層３６の一部を除去し、そこにｎ側電極３８を、
周囲のｐ型層３６にｐ側電極３７をそれぞれ設けたもの
である。なお、ｎ型とｐ型は逆であってもよい。この様
なＬＥＤ構造にすることにより、電極下に設けられるエ
ピタキシャル層はいずれも一層のみとなり、それは発光
層とならない部分であるため、発光が電極で邪魔される
ことが一切なくなり、更に高輝度のＬＥＤを製作するこ
とが出来る。
するためのＬＥＤチップの断面図を示す。サファイヤ基
板の形状は第１実施例と同じである。このチップでは、
サファイヤ基板１１上の中央にｎ型ＧａＮエピタキシャ
ル層３５を形成し、このｎ型層３５と周囲を含めた基板
全面にｐ型ＧａＮエピタキシャル層３６を形成し、中央
のｐ型層３６の一部を除去し、そこにｎ側電極３８を、
周囲のｐ型層３６にｐ側電極３７をそれぞれ設けたもの
である。なお、ｎ型とｐ型は逆であってもよい。この様
なＬＥＤ構造にすることにより、電極下に設けられるエ
ピタキシャル層はいずれも一層のみとなり、それは発光
層とならない部分であるため、発光が電極で邪魔される
ことが一切なくなり、更に高輝度のＬＥＤを製作するこ
とが出来る。
【００２６】
【発明の効果】（１）請求項１に記載の発光ダイオード
チップによれば、基板の周囲を中央に比べ薄く形成し、
そこに周囲電極を設けるようにして、ステムとの接触を
裏面側から取ることを可能にしたので、従来のチップと
同じように導電性接着剤により周囲電極とステム間の電
気的接触を取ることができる。
チップによれば、基板の周囲を中央に比べ薄く形成し、
そこに周囲電極を設けるようにして、ステムとの接触を
裏面側から取ることを可能にしたので、従来のチップと
同じように導電性接着剤により周囲電極とステム間の電
気的接触を取ることができる。
【００２７】（２）請求項２に記載の発光ダイオードに
よれば、基板の周囲を中央に比べ薄く形成し、そこに周
囲電極を設け、この電極とステムとの電気的接触を導電
性接着剤により取るようにしたので、ＬＥＤの信頼性が
高く、安価で、大量生産が可能となる。
よれば、基板の周囲を中央に比べ薄く形成し、そこに周
囲電極を設け、この電極とステムとの電気的接触を導電
性接着剤により取るようにしたので、ＬＥＤの信頼性が
高く、安価で、大量生産が可能となる。
【００２８】（３）請求項３に記載の発光ダイオードに
よれば、基板の周囲を中央に比べ薄く形成し、そこに周
囲電極を設け、裏面電極を備える既存のチップと同じよ
うにステムに付けた導電性接着剤により周囲電極と電気
的接触を取るようにしたので、より安価で、より大量に
生産することができる。
よれば、基板の周囲を中央に比べ薄く形成し、そこに周
囲電極を設け、裏面電極を備える既存のチップと同じよ
うにステムに付けた導電性接着剤により周囲電極と電気
的接触を取るようにしたので、より安価で、より大量に
生産することができる。
【図１】本発明のＬＥＤの実施例を説明するためのＧａ
Ｎ青色ＬＥＤチップをステムに実装したＧａＮ青色ＬＥ
Ｄ構造を示す断面図。
Ｎ青色ＬＥＤチップをステムに実装したＧａＮ青色ＬＥ
Ｄ構造を示す断面図。
【図２】本発明のＬＥＤチップの第１の実施例を説明す
るためのＧａＮ青色ＬＥＤチップ構造を示す断面図。
るためのＧａＮ青色ＬＥＤチップ構造を示す断面図。
【図３】本実施例のＧａＮ青色ＬＥＤチップを形成する
ために溝を形成したサファイヤ基板の断面図。
ために溝を形成したサファイヤ基板の断面図。
【図４】第２の実施例を説明するためのＧａＮ青色ＬＥ
Ｄチップ構造を示す断面図。
Ｄチップ構造を示す断面図。
【図５】第３の実施例を説明するためのＧａＮ青色ＬＥ
Ｄチップ構造を示す断面図。
Ｄチップ構造を示す断面図。
【図６】従来例を説明するためのＧａＮ青色ＬＥＤ構造
を示す断面図。
を示す断面図。
８ 透明樹脂 １０ 底部 １１ サファイヤ基板 １２ ｎ型ＧａＮエピタキシャル層 １３ ｐ型ＧａＮエピタキシャル層 １４ ｎ側電極 １５ ｐ側電極 １６ 反射鏡付ステム １７ 単純ステム １８ 反射鏡 １９ エポキシ樹脂 ２０ ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−50579（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−321280（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−134288（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−15483（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−226782（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−75785（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−8958（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁性または半絶縁性基板上に一の導電型
層と他の導電型層とからなる発光層を形成した発光ダイ
オードチップにおいて、上記絶縁性または半絶縁性基板
の周囲が中央に比べ薄く形成され、この薄く形成された
基板の周囲に上記一の導電型層と接触する周囲電極を設
け、基板の中央に上記他の導電型層と接触する中央電極
を設けたことを特徴とする発光ダイオードチップ。 - 【請求項２】請求項１に記載の発光ダイオードチップを
２本のステムに実装して樹脂封止した発光ダイオードに
おいて、上記発光ダイオードチップの中央電極が一方の
ステムにワイヤ接続され、他方のステムに上記発光層を
上にして上記発光ダイオードチップが実装され、且つそ
の周囲電極が上記他方のステムに導電性接着剤により接
続されたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項３】請求項１に記載の発光ダイオードチップを
２本のステムに実装して樹脂封止した発光ダイオードに
おいて、２本のステムのうち、一方のステムが上記発光
ダイオードチップの中央電極とワイヤ接続され、他方の
ステムが上記発光ダイオードチップを実装する底部とそ
の周囲に底部より立上がった反射鏡とを有し、該他方の
ステムへの発光ダイオードチップ実装時、上記発光ダイ
オードチップをその発光層を上にしてステムの底部に押
し付けることにより食み出した導電性接着剤が、上記反
射鏡の立上がり面によって上記周囲電極に流れて接触す
ることを特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4948493A JP2718339B2 (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 発光ダイオードチップおよび発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4948493A JP2718339B2 (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 発光ダイオードチップおよび発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268258A JPH06268258A (ja) | 1994-09-22 |
| JP2718339B2 true JP2718339B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=12832439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4948493A Expired - Fee Related JP2718339B2 (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 発光ダイオードチップおよび発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2718339B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3663281B2 (ja) * | 1997-07-15 | 2005-06-22 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| WO2001073858A1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group-iii nitride compound semiconductor device |
| JP2002368275A (ja) | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-10 JP JP4948493A patent/JP2718339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06268258A (ja) | 1994-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |