JP2004006498A

JP2004006498A - Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子

Info

Publication number: JP2004006498A
Application number: JP2002159599A
Authority: JP
Inventors: Toshiya Kamimura; 上村　俊也
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2002-05-31
Filing date: 2002-05-31
Publication date: 2004-01-08
Also published as: US20030222270A1; KR20030094073A; KR100573346B1

Abstract

【目的】バンプの形成が容易な半田を用いてフリップチップタイプの発光素子の電極をリード電極（外部電極）へ機械的にかつ電気的に安定して接続する。
【構成】発光素子の表面を被覆する絶縁層から露出する電極の部分の最上層を半田と合金を形成し易いＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金で形成する。
【選択図】　　　図３

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子に関する。詳しくは、フリップチップタイプのＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フリップチップタイプの発光素子は基板上にＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を積層してなる発光素子であり、その基板側が光放出面となる。
基板がサファイア等の絶縁性材料である場合、ｐ電極及びｎ電極が同一面に形成され、これらの電極形成面側がマウント面となって支持体へマウントされる。このようなフリップチップタイプの発光素子は、例えば特開平５−１３８１６号公報によれば、各電極上に半田バンプを形成し、この半田バンプを支持体のリード電極に半田付けすることにより支持体へマウントされると共に電気的な接続がなされる。
【０００３】
他方、フリップチップタイプの電極には半導体層に対するオーミックコンタクトはもとより、発光する層からの光を効率良く反射させる機能が要求されている。そこで、昨今では電極として金合金が使用されている。かかる金合金製の電極をリード電極に対して電気的に且つ機械的に安定して接続するため、昨今では金製の接続材料が用いられている。例えば、図１に示すように、支持体には一対のリード電極板１、２が備えられ、そこに金ボールからなるスタッドバンプ３、４を形成し、このスタッドバンプ３、４に対して発光素子５のｐ電極及びｎ電極をそれぞれ位置合わせして両者を融着させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記スタッドバンプ３、４は、リード電極の所定の位置に所定量の金を滴下して形成するため、その形成方法が煩雑になり、製造原価を引き上げる一因となる。
そこで本発明者は、バンプの形成が容易な半田を用いてフリップチップタイプの発光素子の電極をリード電極（外部電極）へ機械的にかつ電気的に安定して接続する方策を検討してきた。
この発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、その構成は次ぎの通りである。即ち、
フリップチップタイプのＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子であって、
電極を部分的に露出する絶縁層を有し、
前記電極において露出部分の最上層はＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金からなる、
ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
【０００５】
このように構成されるＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子は、電極の露出部分に半田バンプが形成される。電極においてこの半田と接触する部分の最上層がＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金から形成されている。これらの金属は半田の主成分であるＳｎと容易に合金を形成する。したがって、発光素子の電極が半田を介して外部電極に対して機械的かつ電気的に安定して接続されることとなる。半田バンプはフロー法若しくはリフロー法等の周知の方法で容易に形成することができるので、金製のスタッドバンプを用いた従来例に比べてその製造が容易になり、ひいては安価な製品の提供が可能となる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子は、基板の上に、発光する層を含むＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層が積層されたフリップチップタイプの発光素子である。フリップチップタイプの発光素子とは、フリップチップタイプの発光装置に用いられる発光素子を意味し、即ち、ｐ電極及びｎ電極が形成される面側をマウント面として支持体（基板等）にマウントされて使用される発光素子である。換言すれば、本発明の発光素子を用いてフリップチップの発光装置を構成できる。本発明の発光素子では、発光した光は基板側、即ち電極形成面側と反対側より放射される。
【０００７】
以下、本発明のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子の各要素について説明する。
（ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体）
ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体とは、一般式としてＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）で表され、ＡｌＮ、ＧａＮ及びＩｎＮのいわゆる２元系、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ、Ａｌ_ｘＩｎ_１−ｘＮ及びＧａ_ｘＩｎ_１−ｘＮ（以上において０＜ｘ＜１）のいわゆる３元系を包含する。ＩＩＩ族元素の少なくとも一部をボロン（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等で置換しても良く、また、窒素（Ｎ）の少なくとも一部も　リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置換できる。ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層は任意のドーパントを含むものであっても良い。ｎ型不純物として、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることができる。ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等を用いることができる。ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の形成方法は特に限定されないが、周知の有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等によって形成することができる。
基板とＩＩＩ族窒化物系化合物半導体からなる結晶層の間にはバッファ層を設けることができる。バッファ層はその上に成長されるＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の結晶性を向上する目的で設けられる。バッファ層はＡｌＮ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体で形成することができる。
【０００８】
基板は、発光する層から放出された光を透過させることができ、かつその上にＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長させることができるものであれよい。このような基板の材料として、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛等を挙げることができる。特に、サファイア基板を用いることが好ましい。サファイア基板を用いる場合にはそのａ面又はｃ面を利用することが好ましい。結晶性のよいＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を成長させるためである。
【０００９】
（ｐ電極）
ｐ型電極はｐ型半導体層に対してオーミックコンタクトをとることはもとより、フリップチップタイプの本発明においては高い反射率が要求される。したがって、ｐ型半導体層に接合する部分（接合層）の材料として、Ｒｈ、Ｐｔ及びＲｕの中から選ばれる少なくとも１種の金属またはその合金を用いることが好ましい。中でもＲｈがより好ましい。
接合層はｐ型半導体層表面の可能な限り広い面積をカバーするように積層されることが好ましい。ｐ型半導体層に対して均一の電流を注入し、発光する層からの光のより多くを反射させるためである。接合層の膜厚は５０〜１０００ｎｍとすることが好ましい。
【００１０】
この接合層はＡｕを含む層でその側面まで囲繞されることが好ましい。接合層は半導体層と接合する重要な層であり、コンタクト抵抗に変化をきたすことを防止したり、界面での反射率を安定に保つためである。
このような目的で接合層の全体を覆うためには、被覆材料は厚膜でなければならない。厚膜形成が容易にでき、かつ安定な材料であるＡｕを選択するのが望ましい。かかるＡｕを含む層の膜厚は１００〜２０００ｎｍとすることが好ましい。
【００１１】
上記Ａｕを含む層と接合層との間には、第１の接着層を設けることが好ましい。この第１の接着層の形成材料として、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ及びＴａから選ばれる少なくとも１種又はその合金を用いることができる。第１の接着層の膜厚は５〜１００ｎｍとすることが好ましい。
【００１２】
ｐ電極の最上層において、少なくとも露出する領域はＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金から形成する。これらの金属は半田の主成分であるＳｎと容易に合金を形成するので、半田に対して機械的にかつ電気的に安定して接合することができる。この最上層の膜厚は５０〜３０００ｎｍとすることが好ましい。
最上層とＡｕを含む層との間にはバリア層を形成することが好ましい。このバリア層は半田に含まれるＢｒ等の腐食性成分が電極内に浸透することを防止する。バリア層の形成材料としてＴｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ及びＴａから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金を挙げることができる。バリア層の膜厚は３０〜５００ｎｍとすることが好ましい。
【００１３】
最上層の上に、後述の絶縁性保護膜との接着性を高める第２の接着層を設けることが好ましい。第２の接着層の形成材料として、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金を用いることができる。なかでも、Ａｌ若しくはその合金を用いることが好ましい。第２の接着層の膜厚は３〜１００ｎｍとすることが好ましい。
【００１４】
（ｎ電極）
ｎ型半導体層に接合されるｎ電極材料としては、Ａｌ、Ｖ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆなどの金属またはこれらの任意の２種類以上の合金を用いることができる。中でも接合層として半導体層側からＶとＡｌの２層構造とすることが好ましい。
ｎ電極についても、ｐ電極と同様に、その最上層において、少なくとも露出する領域はＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金から形成する。この最上層の膜厚も同じく５０〜３０００ｎｍとすることが好ましい。
更に、ｐ電極と同様に、第１の接着層、Ａｕを含む層、バリア層及び第２の接着層を設けることが好ましい。
【００１５】
ｐ電極及びｎ電極は、それらの各接合層を除いて、第１の接着層、Ａｕを含む層、バリア層及び第２の接着層を同一材料及び同一膜厚とすることが好ましい。各対応する層を同時に形成し、製造工程を簡略化するためである。
【００１６】
これら電極を構成する各金属層は、蒸着法の他、ＭＢＥ法やスパッタ法その他の方法で形成することができる。
【００１７】
（絶縁層）
絶縁層は一部領域を除いて電極を被覆し、これを保護するとともに、電極間にリーク電流が流れることを防止する。電極において絶縁層で被覆されない部分、即ち電極の露出部分が半田と接合されることとなる。この絶縁層は電極ばかりでなく発光素子の表面の全域を被覆することもできる。
この絶縁層は電気的な絶縁性を有することはもとより、半田に対してぬれ性が小さい材料を用いる。フロー法やリフロー法等の周知の方法で絶縁層の開口部である電極露出部分へ選択的に半田バンプを形成するためである。
【００１８】
絶縁膜は半田に対するぬれ性が悪いため一様に連続して形成されているとｐ電極上とｎ電極上に形成されるべき半田がつながり独立して形成されない場合がある。ｐｎ接合部近傍で分離することにより、表面エネルギーの異なる領域を設けることができｐ電極上、ｎ電極上に独立して半田バンプを確実に形成することができる。
換言すれば、ｐ電極を被覆する第１の絶縁層とｎ電極を被覆する第２の絶縁層とを設け、これら２つの絶縁層を分離することにより、ｐ電極上の半田バンプとｎ電極上の半田バンプとのショートを確実に防止できる。
【００１９】
かかる絶縁性の材料として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化チタンなどのセラミックス又はポリイミド等の合成樹脂を用いることができる。
絶縁層の膜厚は５０〜３０００ｎｍとすることが好ましい。
セラミックス製の絶縁層はプラズマＣＶＤ、スパッタ、ＥＢ蒸着等の方法で形成することができる。合成樹脂製の絶縁層はスピンコート法、ディップ法その他の方法で形成することができる。
【００２０】
絶縁膜から露出する電極の部分に半田バンプを形成する方法として、フロー法やリフロー法等の周知の方法を採用することができる。半田に対するぬれ性の悪い絶縁層を用いたときには、発光素子を半田浴へディップするのみで露出した電極部分に半田バンプを形成することができる。
また、外部電極側のスタッドバンプとして半田を用いることもできる。この場合においても、金製のスタッドバンプに比べて、半田製のバンプはその形成が容易なことはいうまでもない。
【００２１】
【実施例】
次ぎに、この発明の実施例について説明する。
図２には実施例の発光素子１０の模式断面図が示される。発光素子１０の各層のスペックは次の通りである。

【００２２】
基板１１の上にはバッファ層１２を介してｎ型不純物としてＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型層１３を形成する。ここで、基板１１にはサファイアを用いたが、これに限定されることはなく、サファイア、スピネル、炭化シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、ジルコニウムボライド、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体単結晶等を用いることができる。さらにバッファ層はＡｌＮを用いてＭＯＣＶＤ法で形成されるがこれに限定されることはなく、材料としてはＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮ等を用いることができ、製法としては分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等を用いることができる。ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体を基板として用いた場合は、当該バッファ層を省略することができる。
さらに基板とバッファ層は半導体素子形成後に、必要に応じて、除去することもできる。
【００２３】
ここでｎ型層１３はＧａＮで形成したが、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ若しくはＡｌＩｎＧａＮを用いることができる。
また、ｎ型層１３はｎ型不純物としてＳｉをドープしたが、このほかにｎ型不純物として、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を用いることもできる。
発光する層を含む層１４は量子井戸構造（多重量子井戸構造、若しくは単一量子井戸構造）を含んでいてもよく、また発光素子の構造としてはシングルへテロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどでもよい。
発光する層を含む層１４はｐ型層１５の側にＭｇ等をドープしたバンドギャップの広いＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層を含むこともできる。これは発光する層を含む層１４中に注入された電子がｐ型層１５に拡散するのを効果的に防止するためである。
発光する層を含む層１４の上にｐ型不純物としてＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型層１５を形成する。このｐ型層はＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮとすることもできる、また、ｐ型不純物としてはＺｎ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを用いることもできる。ｐ型不純物の導入後に、電子線照射、炉による加熱、プラズマ照射等の周知の方法により低抵抗化することも可能である。
上記構成の発光ダイオードにおいて、各ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層は一般的な条件でＭＯＣＶＤを実行して形成するか、分子線結晶成長法（ＭＢＥ法）、ハライド系気相成長法（ＨＶＰＥ法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、電子シャワー法等の方法で形成することもできる。
【００２４】
図３は電極構成の詳細であり、ｎ電極１６の接合層１６１はＡｌとＶの２層で構成され、ｐ型層１５を形成した後、ｐ型層１５、発光する層を含む層１４、及びｎ型層１３の一部をエッチングにより除去し、蒸着によりｎ型層１３上に形成される。Ｖ層の膜厚は２０ｎｍ、Ａｌ層の膜厚は１５００ｎｍである。
その後、ｐ電極１７においてＲｈからなる接合層１７１がｐ型層１５の上に蒸着により形成される。この接合層１７１の膜厚は３００ｎｍである。
【００２５】
続いて、周知の方法でアロイ化処理をした後にｎ型接合層１６１、ｐ型接合層１７１をそれぞれ被覆するように、Ａｕからなる第１層２０１、Ｔｉ層２０３、Ｎｉからなる最上層２０５をそれぞれ１０ｎｍ、１５００ｎｍ、３００ｎｍの膜厚に蒸着する。
その後、素子のほぼ全表面にプラズマＣＶＤ法でＳｉＯ_２からなる絶縁層１８を形成する。絶縁層１８の膜厚は１５０ｎｍとした。
【００２６】
絶縁層１８には各電極１６、１７の上面を露出させる開口部が形成されており、当該開口部へ次ぎのようにして半田バンプが形成される。発光素子の表面にフラックスを塗布した後、半田浴にディップする。素子表面を被覆する絶縁層１８は半田とのぬれが悪いので、半田は当該絶縁層のない部分、即ち電極露出部分に集合し、そこでバンプを形成する。
【００２７】
半田バンプ２０、２１を備えた発光素子は、図４に示すように、電極面を下側にして支持体３０に固定され、支持体３０がマウントリード４０のカップ部４３に固定される。
該発光素子１０の組付け構造の詳細を図５に示した。支持体３０は第１のリード電極３１及び第２のリード電極３２を有し、第１のリード電極３１は導電性のペースト部材３５を介してリードフレーム４３へ電気的に接続される。第２のリード電極３２はワイヤリード３６を介してリードフレーム４１へ電気的に接続されている。これらのリード電極３１、３２は半田の材料と合金を形成し易いＣｕで形成されている。その他、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｆｅ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金でリード電極を形成することができる。
ｎ電極１６の半田バンプ２０は第１のリード電極３１へ当接し、ｐ電極１７の半田バンプ２１は第２のリード電極３２に当接する。この状態で加熱すると、半田バンプ２１は電極１６、１７の各最上層２０５及びリード電極３１、３２と合金化される。これにより、ｎ電極１６と第１のリード電極３１との間及びｐ電極と第２のリード電極３２との間に強固な機械的結合と電気的結合が形成されたことになる。
このようにしてフリップチップタイプにマウントされた発光素子１０及びリード部材４０、４１は、図４に示すように、砲弾型の封止部材４５で覆われて発光装置（ＬＥＤ）５０となる。
【００２８】
発光素子１０をＳＭＤタイプのＬＥＤ６０に組み付けた例を図６に示す。なお、図５と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
このＬＥＤ６０は発光素子１０、基板６１、反射部材６６，６７を備えてなる。基板６１には第１のリード電極６３と第２のリード電極６４が形成されている。各リード電極は図示しないマスター基板に対して配線されている。
この例においても、ｎ電極１６の半田バンプ２０は第１のリード電極６３へ当接し、ｐ電極１７の半田バンプ２１は第２のリード電極６４に当接する。この状態で加熱すると、半田バンプ２１は電極１６、１７の各最上層２０５及びリード電極６３、６４と合金化される。これにより、ｎ電極１６と第１のリード電極６３との間及びｐ電極と第２のリード電極６４との間に強固な機械的結合と電気的結合が形成されたことになる。
ＳＭＤタイプのＬＥＤにおいても発光素子１０を封止材料で被覆することができる。
【００２９】
図７には、他の実施例の発光素子の電極構成を示す。図３と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。この発光素子も、図３に示すものと同様にして、図５及び図６に示すＬＥＤに用いることができる。
この実施例では、各電極１６、１７の最上層２０５と絶縁層１８との間にＡｌからなる第２の接着層２０７が介在されている。この第２の接着層２０７は蒸着により形成され膜厚１０ｎｍである。
【００３０】
このようにＡｌ層を介在させることにより、電極と絶縁層との密着性が向上する。更には、ＳｉＯ_２からなる絶縁層に電極露出用の開口部を設けるためのドライエッチング（プラズマエッチング）を施す際、電極の表面にドライエッチング耐性の強いＡｌ層が存在すると、その下にある層に損傷が生じない。したがって、半田と電極最上層との間の好ましい接合を確保できることとなる。
そのためには、はじめはＡｌ層で電極の全表面を被覆し、絶縁層に開口部が形成された後、当該開口部から露出する部分のＡｌ層をウエットエッチングあるいはドライエッチング等により除去することが好ましい。
【００３１】
図８には、他の実施例の発光素子の電極構成を示す。図３と同一の要素には同一の符号を付してその説明を省略する。この発光素子も、図３に示すものと同様にして、図５及び図６に示すＬＥＤに用いることができる。
この実施例では、接合層１７１、１６１とＡｕ層２０１との間にＴｉからなる層２０９が介在されている。このＴｉ層２０９は蒸着により形成され膜厚５０ｎｍである。
この層２０９により、半田に含まれるＢｒ等の腐食性成分が電極内に侵入することを更に防止することできる。その結果、ＬＥＤの信頼性及び耐久性が向上する。
この実施例においても、図７の例と同様に、最上層と絶縁層との間に第２の接着層を介在させることができる。
【００３２】
またこの実施例では、絶縁層がｐｎ接合部（段差部）近傍で分離されている。絶縁層をｐ電極を被覆する部分１８ａとｎ電極を被覆する部分１８ｂとに分離することにより、ｐ電極上の半田バンプとｎ電極上の半田バンプとがつながることを確実に防止できる。
絶縁層の分離溝１８１を図３及び図７の例にも形成可能である。
【００３３】
この発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
【００３４】
以下、次ぎの事項を開示する。
１０　請求項１〜６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子の前記電極の露出部分に半田バンプを形成し、
該半田バンプを外部電極に当接して半田付けを行う、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はフリップチップタイプの発光素子の従来のマウント法を示す図である。
【図２】図２はこの発明の実施例の発光素子の層構成を模式的に示した断面図である。
【図３】図３は実施例の発光素子の電極構成を示す部分拡大模式図である。
【図４】図４は実施例の発光素子をマウントした砲弾型ＬＥＤの構成を示す図である。
【図５】図５は発光素子のマウント状態を説明するための部分拡大図である。
【図６】図６は実施例の発光素子をマウントしたＳＭＤ型ＬＥＤの構成を示す図である。
【図７】図７は他の実施例の発光素子の電極構成を示す部分拡大模式図である。
【図８】図８は他の実施例の発光素子を示し、（Ａ）は発光素子の電極構成を示す部分拡大模式図、（Ｂ）は同平面図である。
【符号の説明】
１０　発光素子
１６　ｎ電極
１７　ｐ電極
１８　絶縁層
２０５　最上層
２０７　第２の接着層

Claims

フリップチップタイプのＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子であって、
電極を部分的に露出する絶縁層を有し、
前記電極において露出部分の最上層はＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金からなる、
ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
半田に含まれる腐食成分が前記電極内に浸透することを防止するバリア層が前記最上層の下に形成される、ことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
前記バリア層はＴｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ若しくはＴａから選ばれる少なくとも１種の金属又はその合金からなる、ことを特徴とする請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
前記バリア層の下にＡｕを含む層が形成され、該Ａｕを含む層は半導体層と電気的に接合する接合層を囲繞する、ことを特徴とする請求項２又は３に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
前記接合層はＲｈからなり、ｐ型半導体層に接合する、ことを特徴とする請求項４に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
前記接合層はＡｌとＶとの合金からなり、ｎ型半導体層に接合する、ことを特徴とする請求項４に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
前記電極の最上層と前記絶縁層との間に接着層が介在されている、ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
請求項１〜７のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子と、
外部電極とを備え、
前記発光素子の電極の露出部分が半田を介して前記外部電極へ接続される、
ことを特徴とする発光装置。
基板上にｎ型層、ｐ型層が積層され、前記基板の同一面側にｎ電極とｐ電極を有し、前記ｎ電極と前記ｐ電極の一部を除き、絶縁性膜で覆われているＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記絶縁性の膜がｐｎ接合部近傍で分離されている、ことを特徴とするＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。